JP2722074B2

JP2722074B2 - 電子写真感光体

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Publication number: JP2722074B2
Application number: JP63068886A
Authority: JP
Inventors: 孝夫河村; 泰夫西口
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1988-03-22
Filing date: 1988-03-22
Publication date: 1998-03-04
Anticipated expiration: 2013-03-04
Also published as: JPH01239563A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明はアモルファスシリコンカーバイド光導電層と
有機光半導体層を積層して成る電子写真感光体に関する
ものである。

〔従来技術及びその問題点〕

電子写真感光体の光導電材料には、Se,Se−Te,A
_s2S_e3,ZnO,CdS、アモルファスシリコンなどの無機材料
と各種有機材料がある。そのなかで最初に実用化された
ものはSeであり、次いで、ZnO,CdS、アモルファスシリ
コンも実用化された。他方、有機材料ではPVK−TNFが最
初に実用化され、その後、電荷の発生並びに電荷の輸送
という機能を別々の材料に分担させるという機能分離型
感光体が提案され、この機能分離型感光体によって有機
材料の開発が飛躍的に発展している。

一方、上記の無機光導電層の上に有機光半導体層を積
層した電子写真感光体も提案された。

例えばSe層と有機光半導体層の積層型感光体があり、
既に実用化されたが、この感光体によれば、Se自体有害
であり、しかも、長波長側の感度に劣るという欠点もあ
った。

そこで、特開昭56−14241号公報にはアモルファスシ
リコンカーバイド光導電層と有機光半導体層から成る積
層型感光体が提案されており、この感光体によれば、上
記問題点を解消して無公害性並びに高光感度な特性が得
られた。

上記公報の電子写真感光体によれば、化学式Si_1-xC_xH
_y（但し０＜ｘ＜１、0.05≦ｙ≦0.2）で表わされるアモ
ルファスシリコンカーバイド層と、有機光半導体層が順
次積層された構造から成る。

しかし乍ら、本発明者等がこのような電子写真感光体
を製作し、その表面電位を測定したところ、未だ満足し
得るような特性が得られず、更に改善を要することが判
明した。

従って、本発明は叙上に鑑みて完成されたものであ
り、その目的は高い表面電位が得られた電子写真感光体
を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、導電性基板上にアモルファスシリコ
ンカーバイド光導電層（以下、アモルファスシリコンカ
ーバイドをａ−SiCと略す）と有機光半導体層が順次積
層された電子写真感光体において、前記ａ−SiC光導電
層が第１の層領域並びに第２の層領域が順次形成された
層構成であり、第１の層領域に酸素又は窒素の少なくと
も一種の元素を0.01〜30原子％含有させ、更に第２の層
領域の構成元素がSi元素、Ｃ元素並びに水素又はハロゲ
ンであって、水素はハロゲンがＡ元素と表記され、該層
領域の元素比率が組成式〔Si_1-xC_x〕_1-yA_yとして表わさ
れた場合、ｘ及びｙをそれぞれ０＜ｘ＜0.5、0.2＜ｙ＜
0.5の範囲内に設定したことを特徴とする電子写真感光
体が提供される。

以下、本発明を詳細に説明する。

第１図は本発明電子写真感光体の層構成を示してお
り、同図によれば、導電性基板（１）の上にａ−SiC光
導電層（２）及び有機光半導体層（３）が順次積層され
ている。そして、ａ−SiC光導電層（２）には電荷発生
という機能があり、他方の有機光半導体層（３）には電
荷輸送という機能がある。

本発明はａ−SiC光導電層（２）の内部に第１の層領
域（2a）と第２の層領域（2b）が順次形成されており、
第１の層領域（2a）に酸素及び／又は窒素を所定の範囲
内で含有させ、しかも、第２の層領域（2b）の元素比率
を所定の範囲内に設定し、これにより、表面電位を改善
したことが特徴である。

先ず、第２の層領域（2b）については、実質上の光キ
ャリア発生機能があり、その元素比率が下記の通りの範
囲内に設定された場合、この層領域（2b）自体の光感度
を顕著に高めることができる。

組成式：〔Si_1-xC_x〕_1-yA_y（但しＡは水素又はハロゲ
ン）０＜ｘ＜0.5、好適には0.01＜ｘ＜0.4 0.2＜ｙ＜0.5、好適には0.25＜ｙ＜0.45 上記ｘ値が0.5以上の場合には光導電性が著しく低く
なり、光キャリアの励起機能が低下する。

また、ｙ値が0.2以下の場合には暗導電率が大きくな
る傾向にあり、しかも、光導電率が低下傾向にあり、そ
のために所望通りの光導電性が得られず、ｙ値が0.5以
上の場合にはａ−SiC層の内部応力が増大し、基板との
密着性が劣化して剥離し易くなる。

また、上記第２の層領域（2b）には水素（Ｈ）元素や
ハロゲン元素がダングリングボンド終端用に含有されて
いるが、これらの元素のなかでＨ元素が終端部に取り込
まれ易く、これによってバンドギャップ中の局在準位密
度が低減化されるという点で望ましい。

第２の層領域（2b）の厚みは0.05〜５μｍ、好適には
0.1〜３μｍの範囲内に設定すればよく、この範囲内で
あれば高い光感度が得られ、残留電位が低くなる。

他方の第１の層領域（2a）については、酸素又は窒素
の少なくとも一種の元素（以下、酸素・窒素元素と略
す）を0.01〜30原子％、好適には0.1〜10原子％含有さ
せ、これにより、基板側のキャリアが第２の層領域（2
b）へ流入されるのを阻止することができ、その結果、
表面電位が高くなる。

尚、上記酸素・窒素元素の含有量（原子％）は組成式
（SiC）_1-z（Ｏ・Ｎ）_ｚのＺ値に対応する。

このように第１の層領域（2a）は酸素・窒素元素の含
有量により表わされるが、その含有量が層厚方向に亘っ
て不均一になる場合には、その平均含有量で表示され
る。

かかる酸素・窒素元素が0.01原子％未満の場合には基
板からのキャリア注入を阻止する機能が小さくなり、そ
のために表面電位が高くならず、30原子％を超える場合
には、光キャリアの基板側への流入が阻害され、残留電
位の上昇をきたす。

また、第１の層領域（2a）は酸素・窒素元素含有量と
ともに、その厚みでもって更に具体的に設定するのが望
ましい。

即ち、第１の層領域（2a）の厚みは100〜10000Å、好
適には500〜5000Åの範囲内に設定するとよく、この範
囲内であれば表面電位を高めることができると共に残留
電位の上昇を抑えることができるという点で有利であ
る。

更に、第１の層領域（2a）は酸素・窒素元素含有量及
び厚みと共に、そのSiC組成比を下記の通りに設定する
のが望ましい。

即ち、組成式Si_1-xC_xで表わした場合、0.1＜ｘ＜0.5
の範囲内に設定するとよく、この範囲内であれば、表面
電位を高め、しかも、基板との密着性を高めることがで
きる。

また、上記のようにＣ元素比率を設定するに当たっ
て、その比率を第２の層領域（2b）に比べて大きくする
とよく、これは表面電位を高め、基板との密着性を高め
ることができるという点で有利である。

また、本発明の電子写真感光体は有機光半導体層
（３）の材料選択により負帯電型又は正帯電型に設定す
ることができる。即ち、負帯電型電子写真感光体の場
合、有機光半導体層（３）に電子供与性化合物が選ば
れ、一方、正帯電型電子写真感光体の場合には有機光半
導体層（３）に電子吸引性化合物が選ばれる。

前記電子供与性化合物には例えば高分子量のものとし
て、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルアントラセン、ピレン〜ホルムアルデヒ
ド縮重合体などがあり、また、低分子量のものとしてオ
キサジアゾール、オキサゾール、ピラゾリン、トリフェ
ニルメタン、ヒドラゾン、トリアリールアミン、Ｎ−フ
ェニルカルバゾール、スチルベンなどがあり、この低分
子物質は、ポリカーボネート、ポリエステル、メタアク
リル樹脂、ポリアミド、アクリルエポキシ、ポリエチレ
ン、フェノール、ポリウレタン、ブチラール樹脂、ポリ
酢酸ビニル、ユリア樹脂などのバインダに分散されて用
いられる。

前記電子吸引性化合物には2.4.7−トリニトロフルオ
レノンなどがある。

また、前記基板（１）には銅、黄銅、SUS、Al等の金
属導電体、あるいはガラス、セラミックス等の絶縁体の
表面に導電体薄膜をコーティングしたものがあり、就
中、Alがコスト面並びにａ−SiC層との密着性という点
で有利である。

かくして本発明によれば、ａ−SiC光導電層に酸素・
窒素元素を所定の範囲内で含有した層領域を形成したこ
とにより、表面電位が改善され、更にこの光導電層のSi
C元素比率を所定の範囲内に設定して光感度が高められ
た。

また、本発明の電子写真感光体については第12図に示
す通り、第２の層領域（2b）と有機光半導体層（３）の
間に第３の層領域としてのＣ元素を多く含有する層領域
を形成してもよく、カーボン（Ｃ）元素高含有層領域
（2c）が形成された場合、第２の層領域（2b）と有機光
半導体層（３）の間の暗導電率の差が顕著に小さくな
り、これにより、両層（2b）（３）の界面でキャリアが
トラップされなくなる。

即ち、第２の層領域（2b）の暗導電率は約10^-11〜10
^-13（Ω・cm）^-1であり、他方の有機光半導体層（３）
の暗導電率は約10^-14〜10^-15（Ω・cm）^-1であり、その
ために第２の層領域（2b）で発生したキャリアは暗導電
率の大きな差により有機光半導体層（３）へスムーズに
流れなくなる。従って、本発明者等はＣ元素高含有層領
域（2c）を形成し、これにより、その層領域（2c）の暗
導電率を小さくし、両層（2b）（３）の間で暗導電率の
差を小さくすることができ、その結果、光感度及び残留
電位の両特性が改善されることを見い出した。

このようなＣ元素高含有層領域（2c）は下記の通りＣ
元素含有比率と厚みにより表わされる。

Ｃ元素含有比率はSi_1-xC_xのｘ値で0.2＜ｘ＜0.5、好
適には0.3＜ｘ＜0.5の範囲内に設定するとよく、ｘ値が
0.2以下の場合には両層（2b）（３）の間で暗導電率の
差を所要通りに小さくできず、これによって光感度及び
残留電位のそれぞれの特性を改善することができず、ま
た、ｘ値が0.5以上の場合には、ａ−SiC光導電層でキャ
リアがトラップされ易くなり、光感度特性が低下する。

また、厚みは10〜2000Å、好適には500〜1000Åの範
囲内に設定するとよく、10Å未満の場合には光感度及び
残留電位のそれぞれの特性を改善することができず、20
00Åを超えた場合には残留電位が大きくなる傾向にあ
る。

このような第２の層領域（2b）並びにＣ元素高含有層
領域（2c）のそれぞれのＣ元素含有量は層厚方向に亘っ
て変化させてもよい。例えば第６図〜第11図に示す例が
あり、これらの図において、横軸は層厚方向であり、ａ
は第１の層領域（2a）と第２の層領域（2b）の界面、ｂ
は第２の層領域（2b）とＣ元素高含有層領域（2c）の界
面、そして、ＣはＣ元素高含有層領域（2c）と有機光半
導体層（３）の界面を表わし、また、縦軸はＣ元素含有
量を表わす。

尚、第２の層領域（2b）又はＣ元素高含有層領域（2
c）の内部で層厚方向に亘ってＣ元素含有量を変えた場
合、そのＣ元素含有比率（ｘ値）はそれぞれこの層領域
（2b）（2c）全体当たりのＣ元素平均含有比率に対応す
る。

更にまた、本発明の電子写真感光体においては、第２
の層領域（2b）にIII a族元素を１〜300ppm含有させる
とよく、これにより、正孔の移動度を高め、負帯電用に
好適となった電子写真感光体となる。

第２の層領域（2b）にIII a族元素を含有させるに当
たり、そのドーピング分布はその層厚方向に亘って均一
又は不均一のいずれでもよい。不均一にドーピングさせ
た場合、この層領域（2b）の一部にIII a族元素が含有
されない層領域があってもよく、その場合にはIII a族
元素含有のａ−SiC層領域並びにIII族元素が含有されて
いないａ−SiC層領域の両者から成るａ−SiC層全体に対
するIII a族元素平均含有量が１〜300ppmでなくてはな
らない。

このIII a族元素にはB,Al,Ga,In等があるが、Ｂが共
有結合性に優れて半導体特性を敏感に変え得る点で、そ
の上、優れた帯電能並びに光感度が得られるという点で
望ましい。

次に本発明電子写真感光体の製法を述べる。

ａ−SiC層を形成するにはグロー放電分解法、イオン
プレーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着
法、CVD法などの薄膜形成方法がある。

グロー放電分解法を用いる場合、Si元素含有ガスとＣ
元素含有ガスを組合せ、この混合ガスをプラズマ分解し
て成膜形成する。このSi元素含有ガスにはSiH₄,Si₂H₆,S
i₃H₈,SiF₄,SiCl₄,SiHCl₃等々があり、また、Ｃ元素含有
ガスにCH₄,C₂H₄,C₂H₂,C₃H₈等々があり、就中、C₂H₂は高
速成膜性が得られるという点で望ましい。

本実施例に用いられるグロー放電分解装置を第２図に
より説明する。

図中、第１タンク（４）、第２タンク（５）、第３タ
ンク（６）、第４タンク（７）にはそれぞれSiH₄,C₂H₂,
H₂及びNOが密封され、これらのガスは各々対応する第１
調整弁（８），第２調整弁（９），第３調整弁（10）及
び第４調製弁（11）を開放することにより放出され、そ
の放出ガスの流量はそれぞれマスフローコントローラ
（12）（13）（14）（15）により制御される。そして、
SiH₄,C₂H₂,H₂の各々のガスは混合されて第１主管（16）
へ送られ、NOガスは第２主管（17）へ送られる。尚、
（18）（19）は止め弁である。

第１主管（16）及び第２主管（17）を通じて流れるガ
スは反応管（20）へ流されるが、この反応管（20）の内
部には容量結合型放電用電極（21）が設置され、また、
筒状成膜用基板（22）が基板支持体（23）の上に載置さ
れ、基板支持体（23）がモータ（24）により回転駆動さ
れ、これに伴って基板（22）が回転される。そして、電
極（21）に電力50W〜3kW、周波数１〜50MHzの高周波電
力が印加され、しかも、基板（22）が適当な加熱手段に
より約200〜400℃、好適には約200〜350℃の温度に加熱
される。また、反応管（20）は回転ポンプ（25）と拡散
ポンプ（26）に連結されており、これによってグロー放
電による成膜形成時に所要な真空状態（放電時のガス圧
0.1〜2.0Torr）が維持される。

このような構成のグロー放電分解装置を用いて基板
（22）の上にａ−SiC層を形成する場合、第１調整弁
（８），第２調整弁（９），第３調整弁（10）及び第４
調整弁（11）を開いてSiH₄,C₂H₂,H₂,NOの各々のガスを
放出し、その放出量をマスフローコントローラ（12）
（13）（14）（15）により制御し、各々のガスは混合さ
れて第１主管（16）及び第２主管（17）を介して反応管
（20）へ流入される。そして、反応管内部の真空状態、
基板温度、電極印加用高周波電力をそれぞれ所定の条件
に設定するとグロー放電が発生し、ガスの分解に伴って
Ｎ元素と０元素含有のａ−SiC膜が基板上に高速に形成
される。

上述した通りの薄膜形成方法によりａ−SiC層が形成
されると、次に有機光半導体層を形成する。

有機光半導体層は浸漬塗工方法又はコーティング法に
より形成され、前者は感光材が溶媒中に分散された塗工
液の中に浸漬し、次いで、一定な速度で引上げ、そし
て、自然乾燥及び熱エージング（約150℃、約１時間）
を行うという方法であり、また、後者のコーティング法
によれば、コーター（塗機）を用いて、溶媒に分散され
た感光材を塗布し、次いで熱風乾燥を行う。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を述べる。

（例１）第２図のグロー放電分解装置を用いて、SiH₄ガスを20
0sccmの流量で、H₂ガスを270sccmの流量で、そして、C₂
H₂ガスの流量を変化させ、また、ガス圧を0.6Torr、高
周波電力を150W、基板温度を250℃に設定し、グロー放
電によってａ−SiC膜（膜厚約１μｍ）を形成した。

このようにしてａ−SiC膜のカーボン含有比率を変
え、そして、膜中のカーボン量をXMA法により測定し、
また、光導電率及び暗導電率を測定したところ、第３図
に示す通りの結果が得られた第３図中、横軸はカーボン含有比率、即ちSi_1-xC_xの
ｘ値であり、縦軸は導電率を表わし、○印は発光波長55
0nm（光量50μW/cm²）の光に対する光導電率のプロット
であり、●印は暗導電率のプロットであり、また、a,b
はそれぞれの特性曲線である。

更に上記各ａ−SiC膜について、その水素含有量を赤
外吸収測定法により求めたところ、第４図に示す通りの
結果が得られた。

第４図中、横軸はSi_1-xC_xのｘ値であり、縦軸は水素
含有量、即ち〔Si_1-xC_x〕_1-yH_yのｙ値であり、○印はSi
原子に結合した水素量のプロットであり、●印はＣ原子
に結合した水素量のプロットであり、また、c,dはそれ
ぞれの特性曲線である。

第４図より明らかな通り、本例のａ−SiC膜はいずれ
もｙ値が0.3〜0.4の範囲内にあることが判る。

また、第３図より明らかな通り、カーボン含有比率ｘ
が０＜ｘ＜0.5の範囲内にあれば、高い光導電率が得ら
れるとともに光導電率と暗導電率の比率が顕著に大きく
なり、優れた光感度が得られることが判る。

（例２）次に本例においては、SiH₄ガスを200sccmの流量で、C
₂H₂ガスを20sccmの流量で、H₂ガスを０〜1000sccmの流
量で導入し、そして、高周波電力を50〜300W、ガス圧を
0.3〜1.2Torrに設定し、グロー放電によりａ−SiC膜
（膜厚約１μｍ）を形成した。

かくして、カーボン含有比率ｘを0.3に設定し、そし
て、水素含有量ｙを変化させた種々のａ−SiC膜を形成
し、各々の膜について光導電率及び暗導電率を測定した
ところ、第５図に示す通りの結果が得られた。

第５図中、横軸は水素含有量、即ち、〔Si_1-xC_x〕_1-y
H_yのｙ値であり、縦軸は導電率を表わし、○印は発光波
長550nm（光量50μW/cm²）の光に対する光導電率のプロ
ットであり、●印は暗導電率のプロットであり、また、
e,fはそれぞれの特性曲線である。

第５図より明らかな通り、ｙ値が0.2を超えた場合、
高い光導電率並びに低い暗導電率が得られることが判
る。

（例３）次に本発明者等は第１表に示す成膜条件により第１の
層領域並びに第２の層領域をアルミニウム基板上に順次
積層し、次いで、ポリカーボネートにヒドラゾン系化合
物を分散させた有機光半導体層（膜厚約15μｍ）を形成
し、電子写真感光体とした。

このようにして成膜した第１の層領域（2a）及び第２
の層領域（2b）について、それぞれのカーボン量XMA法
により、また、第１の層領域（2a）の酸素及び窒素のそ
れぞれの含有量を二次イオン質量分析計により測定し、
その合計量を求めたところ、第２表に示す通りの結果が
得られた。

かくして得られた電子写真感光体の特性評価を電子写
真特性測定装置により測定したところ、優れた光感度及
び表面電位が得られ、しかも、低い残留電位が得られ
た。

（例４）上記（例３）の電子写真感光体を製作するに当たっ
て、第１の層領域の形成時にNOガスを導入せず、その他
は全く同じ成膜条件に設定し、これにより、NO元素を含
有しない第１の層領域を備えた電子写真感光体を製作し
た。

この電子写真感光体の表面電位を測定したところ、
（例３）の電子写真感光体に比べて約20％低下した。

（例５）上記（例３）の電子写真感光体を製作するに当たっ
て、第２の層領域（2b）の形成時に水素ガス希釈のB₂H₆
ガス（B₂H₆濃度40ppm）を90sccmの流量で放出し、その
他の製造条件を同一に設定し、これにより、第２の層領
域にＢ元素を約15ppm含有させた。

かくして得られた電子写真感光体の特性を評価したと
ころ、（例３）の電子写真感光体に比べて光感度が約15
％大きくなった。

（例６）また本発明者等は（例３）の電子写真感光体を製作す
るに当たって、NOガス流量を変化させ、これにより、第
３表に示す通りに第１の層領域のＮ・Ｏ元素含有量を変
えた８種類の電子写真感光体（感光体Ａ〜Ｈ）を製作し
た。

これらの電子写真感光体の光感度、表面電位並びに残
留電位を測定したところ、第３表に示す通りの結果が得
られた。

同表中、光感度は相対評価により◎印、○印及び△印
の３段階に区分され、◎印は最も優れた光感度が得られ
た場合であり、○印は幾分優れた光感度が得られた場合
であり、△印は他に比べてわずかに劣る光感度になった
場合である。

表面電位の特性評価も◎印、○印及び△印の３段階に
区分され、◎印は最も高い表面電位が得られた場合であ
り、○印は幾分高い電位が得られた場合であり、△印は
他に比べて高い表面電位が認められなかった場合であ
る。

また、残留電位についても三段階に相対評価してお
り、◎印は残留電位が最も小さくなった場合であり、○
印は残留電位の上昇が幾分認められた場合であり、△印
は他に比べて残留電位の上昇が認められ、実用上問題が
ある場合である。

第１表より明らかな通り、感光体Ｂ〜Ｇは優れた光感
度が得られ、しかも、表面電位が高く、残留電位の上昇
が少なかった。

然るに感光体Ａは光感度及び表面電位がそれぞれ改善
されず、また、感光体Ｈは光感度及び残留電位の両特性
が低下することが判る。

（例７）更に本発明者等は（例３）の電子写真感光体を製作す
るに当たって、NOガスに代えてN₂ガス又はO₂ガスを使用
し、第１の層領域に含有されるＮ元素又はＯ元素の量を
4.0原子％に設定し、これによって得られる電子写真感
光体も優れた光感度、高い表面電位並びに低い残留電位
が得られることを確認した。そして、このような電子写
真感光体について、（例６）と同様に第１の層領域のＮ
元素又はＯ元素のそれぞれの含有量が0.05,0.3,1.2,7.
0,15.0,25.0原子％である場合には光感度、表面電位の
いずれもが改善され、しかも、Ｎ元素又はＯ元素の含有
量が0.005原子％である場合には光感度及び表面電位の
改善が見られず、Ｎ元素又はＯ元素の含有量が40.0原子
％である場合には光感度が低下し、残留電位が上昇する
ことを確認した。

かくして、本発明の電子写真感光体は光感度、表面電
位のいずれの特性についても改善されているが、本発明
者等の実験によれば、第１の層領域に酸素・窒素元素が
0.01〜30原子％含有された場合、ａ−SiC層の基板に対
する密着性が顕著に大きくなることが見い出された。

（例８）前記（例３）の電子写真感光体を作製するに当たっ
て、第４表に示す成膜条件により第２の層領域の上にＣ
元素高含有層領域（第３の層領域）を積層し、他は（例
３）に示すように有機光半導体層を形成し、電子写真感
光体とした。

上記第３の層領域について、カーボン量を測定したと
ころ、Si_1-xC_xのＸ値で0.4となり、暗導電率は2.5×10
^-14であった。そして、この電子写真感光体の特性を評
価したところ、（例３）の電子写真感光体に比べ、光感
度が約５％大きくなり、残留電位が約10％小さくなり、
さらに表面電位が約５％大きくなった。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、ａ−
SiC光導電層の内部に酸素・窒素元素を所定の範囲内で
含有された層領域を形成したことにより優れた光感度が
得られ、表面電位を高め、しかも、残留電位の上昇を抑
えることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明電子写真感光体の層構成を表わす断面
図、第２図は実施例に用いられるグロー放電分解装置の
概略図、第３図はカーボン含有比率と導電率の関係を示
す線図、第４図はカーボン含有比率と水素含有量の関係
を示す線図、第５図は水素含有量と導電率の関係を示す
線図であり、また、第６図、第７図、第８図、第９図、
第10図及び第11図はアモルファスシリコンカーバイド光
導電層の層厚方向に亘るカーボン含有量を表わす線図で
ある。そして、第12図は本発明電子写真感光体の他の層
構成を表わす断面図である。１……導電性基板２……アモルファスシリコンカーバイド光導電層 2a……第１の層領域 2b……第２の層領域３……有機光半導体層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭61−275844（ＪＰ，Ａ) 特開昭60−67950（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−224847（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性基板上にアモルファスシリコンカー
バイド光導電層と有機光半導体層を順次積層した電子写
真感光体において、前記アモルファスシリコンカーバイ
ド光導電層は下記の第１の層領域、第２の層領域と第３
の層領域が順次形成されていることを特徴とする電子写
真感光体。第１の層領域：酸素又は窒素の少なくとも一種の元素を
0.01〜30原子％含有させている第２の層領域：組成式［Si_1-xC_X］_1-yA_y（A:水素又はハ
ロゲン）で表わした場合、ｘ及びｙをそれぞれ０＜ｘ＜
0.5、0.2＜ｙ＜0.5 第３の層領域:0.2＜ｘ＜0.5にして、厚みが10〜2000Å