JPH01214096A - フレキシブルプリント回路基板の製造方法 - Google Patents
フレキシブルプリント回路基板の製造方法Info
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- JPH01214096A JPH01214096A JP3904688A JP3904688A JPH01214096A JP H01214096 A JPH01214096 A JP H01214096A JP 3904688 A JP3904688 A JP 3904688A JP 3904688 A JP3904688 A JP 3904688A JP H01214096 A JPH01214096 A JP H01214096A
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はフレキシブルプリント回路基板、特に密着性、
寸法安定性の優れたフレキシブルプリント回路基板の製
造方法に関するものである。
寸法安定性の優れたフレキシブルプリント回路基板の製
造方法に関するものである。
（従来技術）
従来のフレキシブルプリント回路基板は、ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）やポリイミド（ＰＩ）等のフ
ィルム上に、厚さ３５４ｍもしくは１８μｍの圧延銅箔
や電解銅箔を接着剤を介して貼り合せて形成されていた
。
テレフタレート（ＰＥＴ）やポリイミド（ＰＩ）等のフ
ィルム上に、厚さ３５４ｍもしくは１８μｍの圧延銅箔
や電解銅箔を接着剤を介して貼り合せて形成されていた
。
しかしながらこれらのフレキシブルプリント回路基板に
は次のような問題点があった。
は次のような問題点があった。
（１）接着剤を使用しているため熱的、化学的特性が劣
る。
る。
（２）銅箔が厚いため微細回路パターンの形成が困難で
ある。
ある。
これらの問題を解決するため、最近はプラスチックフィ
ルム上に接着剤を介することなく、直接、物理蒸着（Ｐ
ＶＤ）法、特に蒸発粒子エネルギーが比較的大であるス
パッタリング法やイオンブレーティング法、或はクラス
タイオンビーム法などによって、１〜５ＩＬｍ厚の銅薄
膜を密着性良く付着形成させるフレキシブルプリント回
路基板の製造方法が開発され、実用化が進められている
。
ルム上に接着剤を介することなく、直接、物理蒸着（Ｐ
ＶＤ）法、特に蒸発粒子エネルギーが比較的大であるス
パッタリング法やイオンブレーティング法、或はクラス
タイオンビーム法などによって、１〜５ＩＬｍ厚の銅薄
膜を密着性良く付着形成させるフレキシブルプリント回
路基板の製造方法が開発され、実用化が進められている
。
（従来技術の問題点）
しかしながら上記の方法によって形成されたフレキシブ
ルプリント＠路基板も導体との密着性は充分でなく、特
に微細回路パターンを形成する際の各工程での熱履歴、
薬品浸漬（特にエツチング後）などにより、密着強度が
大きく低下することが明らかとなっている。
ルプリント＠路基板も導体との密着性は充分でなく、特
に微細回路パターンを形成する際の各工程での熱履歴、
薬品浸漬（特にエツチング後）などにより、密着強度が
大きく低下することが明らかとなっている。
特にフレキシブルプリント基板用ベースフィルムの大部
分を占めるポリイミド（ＫＡＰＴＯＮ）フィルムにおい
ては、導体である銅との密着性が劣り、また寸法安定性
も芳しくなく（吸水率２゜９％、ＡＳＴＭ−５７０）、
そのためフレキシブルプリント回路基板上に形成された
微細回路パターンと接続される相手側（例えばＩ 、７
．０ガラス）との整合が、微細回路パターンになればな
るほど取れない状況になっている。
分を占めるポリイミド（ＫＡＰＴＯＮ）フィルムにおい
ては、導体である銅との密着性が劣り、また寸法安定性
も芳しくなく（吸水率２゜９％、ＡＳＴＭ−５７０）、
そのためフレキシブルプリント回路基板上に形成された
微細回路パターンと接続される相手側（例えばＩ 、７
．０ガラス）との整合が、微細回路パターンになればな
るほど取れない状況になっている。
そこで最近は各フィルム、メーカーが、密着性に優れ、
しかも寸法安定性に優れたフィルムの開発を活発に行な
っているが、まだ十分とはいえないのが実情である。
しかも寸法安定性に優れたフィルムの開発を活発に行な
っているが、まだ十分とはいえないのが実情である。
（発明の目的）
本発明は上記の諸問題を解決すべく開発されたものであ
り、密着性に優れ、しかも寸法安定性に優れたフレキシ
ブルプリント回路基板を得る、ことができるフレキシブ
ルプリント回路基板の製造方法を提供することにある。
り、密着性に優れ、しかも寸法安定性に優れたフレキシ
ブルプリント回路基板を得る、ことができるフレキシブ
ルプリント回路基板の製造方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明のフレキシブルプリント回路基板の製造は、吸水
による寸法変化の少ない液晶高分子からなるフィルム、
もしくはシート基板ｌの片面或は両面を、１０−３Ｔｏ
ｒ ｒ 〜１０Ｔｏ ｒ ｒノ圧力下において酸化性
気体の低温プラズマで処理し、その後、この処理面上に
物理蒸着（ＰＶＤ）法により導体層２を形成するように
したことを特徴とするものである。
による寸法変化の少ない液晶高分子からなるフィルム、
もしくはシート基板ｌの片面或は両面を、１０−３Ｔｏ
ｒ ｒ 〜１０Ｔｏ ｒ ｒノ圧力下において酸化性
気体の低温プラズマで処理し、その後、この処理面上に
物理蒸着（ＰＶＤ）法により導体層２を形成するように
したことを特徴とするものである。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は液晶高分子からなるフィルム、もしくはシート
基板ｌの片面に、第２図は両面に導体層２を形成したも
のである。
基板ｌの片面に、第２図は両面に導体層２を形成したも
のである。
本発明における液晶高分子からなるフィルム、もしくは
シートｌは、バラヒドロキシ安息香酸（ＰＨＢ）を含む
ポリエステル系の共重合体であり、具体的にはＰＨＢ、
ビフェノール、テレフタル酸の共重合体である０本発明
においてこの系からなる液晶高分子を用いる理由は、そ
れはポリイミドフィルムと同様に優れた耐熱性を示し、
しかも吸水率が０．１％以下であるためフレキシブルプ
リント基板の製造工程、実装時の各種環境に充分分耐え
得るからである。
シートｌは、バラヒドロキシ安息香酸（ＰＨＢ）を含む
ポリエステル系の共重合体であり、具体的にはＰＨＢ、
ビフェノール、テレフタル酸の共重合体である０本発明
においてこの系からなる液晶高分子を用いる理由は、そ
れはポリイミドフィルムと同様に優れた耐熱性を示し、
しかも吸水率が０．１％以下であるためフレキシブルプ
リント基板の製造工程、実装時の各種環境に充分分耐え
得るからである。
そして本発明ではこの液晶高分子からなるフィルムもし
くはシート１を、導体との密着性向上を意図して、１０
ＪＴｏ ｒ ｒＮＩＯＴｏ ｒ ｒの圧力下において、
酸化性気体による低温プラズマで処理する。この場合の
酸化性気体としては例えば酸素、もしくは酸素を含有す
る気体、空気、−酸化炭素、二酸化炭素、或は酸素と不
活性気体、例えばアルゴン、キセノン、ネオンなどの混
合気体などが、また、好ましくは、これらと有機物とか
らなる混合気体などがとげられる。
くはシート１を、導体との密着性向上を意図して、１０
ＪＴｏ ｒ ｒＮＩＯＴｏ ｒ ｒの圧力下において、
酸化性気体による低温プラズマで処理する。この場合の
酸化性気体としては例えば酸素、もしくは酸素を含有す
る気体、空気、−酸化炭素、二酸化炭素、或は酸素と不
活性気体、例えばアルゴン、キセノン、ネオンなどの混
合気体などが、また、好ましくは、これらと有機物とか
らなる混合気体などがとげられる。
本発明では前記プラズマ処理の後、スパッタリング法、
イオンブレーティング法、クラスタイオンビーム法など
の物理蒸着（ＰＶＤ）法により、所望の導体金属を厚さ
０．ＩＩＬｍ−１０ｇｍ好ましくは１ｇｍ〜５ｇｍに密
着性良く付着形成させテ導体層２とし、フレキシブルプ
リント回路基板を製造するものである。この場合、酸化
性気体と有機物とからなる混合気体を用いると、プラズ
マ処理によるエツチング効果、極性基の導入のみならず
、グラフト化、プラズマ重合化が起こり、より一層密着
性が向上する。この有機物はプラズマ重合を発生させる
物質であればよく、例えばエチレン、ベンゼン、スチレ
ン、ジベンジル等が有効である。
イオンブレーティング法、クラスタイオンビーム法など
の物理蒸着（ＰＶＤ）法により、所望の導体金属を厚さ
０．ＩＩＬｍ−１０ｇｍ好ましくは１ｇｍ〜５ｇｍに密
着性良く付着形成させテ導体層２とし、フレキシブルプ
リント回路基板を製造するものである。この場合、酸化
性気体と有機物とからなる混合気体を用いると、プラズ
マ処理によるエツチング効果、極性基の導入のみならず
、グラフト化、プラズマ重合化が起こり、より一層密着
性が向上する。この有機物はプラズマ重合を発生させる
物質であればよく、例えばエチレン、ベンゼン、スチレ
ン、ジベンジル等が有効である。
ちなみに、本発明で使用される液晶高分子フィルムｌを
、非酸化性気体、例えば、アルゴン、キセノンなどの単
一の不活性気体や窒素などの気体による低温プラズマで
処理したのでは密着性向上にはあまり効果がない。
、非酸化性気体、例えば、アルゴン、キセノンなどの単
一の不活性気体や窒素などの気体による低温プラズマで
処理したのでは密着性向上にはあまり効果がない。
低温プラズマの発生、は一般には電極間に１０〜５００
Ｗ（７）高周波電力（周波＊Ｌ３．５８ ＭＨＺ）を印
加することによって行なわれ、また、その処理時間も数
秒から数十カ行なえば充分である。また、その際の放電
周波数としては前記高周波のほか低周波、マイクロ波、
さらには直流などを用いても差し支えない。
Ｗ（７）高周波電力（周波＊Ｌ３．５８ ＭＨＺ）を印
加することによって行なわれ、また、その処理時間も数
秒から数十カ行なえば充分である。また、その際の放電
周波数としては前記高周波のほか低周波、マイクロ波、
さらには直流などを用いても差し支えない。
また、低温プラズマの発生に用いられるガス圧力は、目
的の低温プラズマが容易に発生する圧力、即ち、１ （
１３Ｔｏ ｒ ｒ 〜１０Ｔｏ ｒ ｒ、好ましくは１
０−２〜Ｉ Ｔｏ ｒ ｒが望ましい。
的の低温プラズマが容易に発生する圧力、即ち、１ （
１３Ｔｏ ｒ ｒ 〜１０Ｔｏ ｒ ｒ、好ましくは１
０−２〜Ｉ Ｔｏ ｒ ｒが望ましい。
革着される導体金属は一般には、導体抵抗、その他の点
から、銅、もしくは、それらの合金からなるものが好ま
しいが、特に限定されるものではない。
から、銅、もしくは、それらの合金からなるものが好ま
しいが、特に限定されるものではない。
（実施例）
以下に本発明の実施例を具体的に示す。
基板として厚さ５０ｇｍの液晶高分子フィルム（バラヒ
ドロキシ安息香酸を含むポリエステル系共重合体、吸水
率：０．１％以下会・・ＡＳＴＭ−５７０）をプラズマ
処理機構を有するスパッタ装置内にセットし、同装置内
を充分排気した後、同装置内に酸化性気体として酸素ガ
スを導入し、ガス圧； ３Ｘ １ （１２Ｔｏ ｒ ｒ
、高周波電力Ｚｏ。
ドロキシ安息香酸を含むポリエステル系共重合体、吸水
率：０．１％以下会・・ＡＳＴＭ−５７０）をプラズマ
処理機構を有するスパッタ装置内にセットし、同装置内
を充分排気した後、同装置内に酸化性気体として酸素ガ
スを導入し、ガス圧； ３Ｘ １ （１２Ｔｏ ｒ ｒ
、高周波電力Ｚｏ。
Ｗにて、１０秒間プラズマ処理を行なった。
その後、スパッタ装置内にアルゴンガスを導入して、ガ
ス圧； ３Ｘ １０−３Ｔｏ ｒ ｒ、高周波電力１０
０Ｗにて銅を１２０秒スパッタリングして液晶高分子フ
ィルム１にＩｇｍの導体層２を形成した。
ス圧； ３Ｘ １０−３Ｔｏ ｒ ｒ、高周波電力１０
０Ｗにて銅を１２０秒スパッタリングして液晶高分子フ
ィルム１にＩｇｍの導体層２を形成した。
（比較例１）
基板として実施例で用いたと同一のフィルムを使用し、
それをプラズマ処理機構を有するスパッタ装置内にセッ
トし、同装置内を充分排気した後、低温プラズマ処理を
行なわずに、同装置内にフルブンガスを導入して、ガス
圧；３Ｘ１０−３Ｔ。
それをプラズマ処理機構を有するスパッタ装置内にセッ
トし、同装置内を充分排気した後、低温プラズマ処理を
行なわずに、同装置内にフルブンガスを導入して、ガス
圧；３Ｘ１０−３Ｔ。
ｒｒ、高周波電力１００Ｗにて銅を１２０秒スパッタリ
ングして、実施例１と同様にＩｇｍの導体層２を形成し
た。
ングして、実施例１と同様にＩｇｍの導体層２を形成し
た。
（比較例２）
基板として実施例で用いたと同一のフィルムを使用し、
それをプラズマ処理機構を有するスパッタ装置内にセッ
トし、同装置内を充分排気した後、間装を内に非酸化性
気体として窒素ガスを導入して、ガス圧； ３ＸｌＯ−
２Ｔｏｒｒ、高周波電力１００Ｗにて１０秒間プラズマ
処理を行なった。
それをプラズマ処理機構を有するスパッタ装置内にセッ
トし、同装置内を充分排気した後、間装を内に非酸化性
気体として窒素ガスを導入して、ガス圧； ３ＸｌＯ−
２Ｔｏｒｒ、高周波電力１００Ｗにて１０秒間プラズマ
処理を行なった。
その後、前記装置内にアルゴンガスを導入して、ガス圧
；３Ｘ１０−３Ｔｏｒｒ、高周波電力１００Ｗにて銅を
１２０秒スパッタリングして、Ｉｇｍの導体層２を形成
した。
；３Ｘ１０−３Ｔｏｒｒ、高周波電力１００Ｗにて銅を
１２０秒スパッタリングして、Ｉｇｍの導体層２を形成
した。
前記実施例、比較例１、比較例２により形成されたフレ
キシブルプリント基板について、フィルム１と導体２と
の密着力を把握するため第４図に示す１８０度ビール強
度法（剥離速度；５０ｍｍ／ｍ１ｎ）によってその密着
強度を測定した。即ち、アルミニウム補強板４上に、エ
ポキシ系接着剤３を介して本発明の製造方法で製造され
たフレキシブルプリント基板５の導体層２を接着させ、
前記補強板４を固定して導体層２とフィルム１との間の
剥離状態を測定した。
キシブルプリント基板について、フィルム１と導体２と
の密着力を把握するため第４図に示す１８０度ビール強
度法（剥離速度；５０ｍｍ／ｍ１ｎ）によってその密着
強度を測定した。即ち、アルミニウム補強板４上に、エ
ポキシ系接着剤３を介して本発明の製造方法で製造され
たフレキシブルプリント基板５の導体層２を接着させ、
前記補強板４を固定して導体層２とフィルム１との間の
剥離状態を測定した。
またエツチング法によって１０本／ｍｍの微細回路パタ
ーンを１２０ｍｍ幅内に形成し、その寸法変化を測定し
た。さらに同基板１のカールの状況（第３図参照）も測
定した。
ーンを１２０ｍｍ幅内に形成し、その寸法変化を測定し
た。さらに同基板１のカールの状況（第３図参照）も測
定した。
これらの各種測定結果は表１の通りであった。
表１
（備考）
１、カール率は（Ｌｉ−Ｌｃ）／ＬｉＸ１００（％）で
表わす。
表わす。
但しＬｉ；導体形成前のフィルムの長さＬＣ；導体形成
（カール）後のフィル ムの長さ ２、密着強度値はＮ＝５の平均値である。
（カール）後のフィル ムの長さ ２、密着強度値はＮ＝５の平均値である。
（発明の効果）
本発明のフレキシブルプリント回路基板の製造方法は次
のような効果がある。
のような効果がある。
（１）表１から明らかなように、フィルムと導体との密
着力に優れ、しかも、寸法変化も少ないフレキシブルプ
リント回路基板が得られる。
着力に優れ、しかも、寸法変化も少ないフレキシブルプ
リント回路基板が得られる。
（２）熱収縮率、線膨張係数も小であるため、導体形成
後の基板のカールも極めて小さいフレキシブルプリント
回路基板が得られる。
後の基板のカールも極めて小さいフレキシブルプリント
回路基板が得られる。
第１図、第２図は本発明の一実施例であるフレキシブル
プリント基板の異なる例の概略図、第３図は導体形成前
後のフィルムのカール状態の説明図、第４図は１８０度
ビール強度試験方法の概略図、である。 ｌは液晶高分子フィルムまたはシート ２は導体層
プリント基板の異なる例の概略図、第３図は導体形成前
後のフィルムのカール状態の説明図、第４図は１８０度
ビール強度試験方法の概略図、である。 ｌは液晶高分子フィルムまたはシート ２は導体層
Claims (1)
- 液晶高分子からなるフィルム、もしくはシート基板の片
面或は両面を、１０＾−＾３Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒの
圧力下において、酸化性気体の低温プラズマで処理し、
その後、この処理面上に、物理蒸着（ＰＶＤ）法により
導体層２を形成することを特徴とするフレキシブルプリ
ント回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3904688A JPH01214096A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | フレキシブルプリント回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3904688A JPH01214096A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | フレキシブルプリント回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01214096A true JPH01214096A (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=12542182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3904688A Pending JPH01214096A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | フレキシブルプリント回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01214096A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0407129A2 (en) * | 1989-07-03 | 1991-01-09 | Polyplastics Co. Ltd. | Process for producing molding for precision fine line-circuit |
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| US5326245A (en) * | 1992-06-26 | 1994-07-05 | International Business Machines Corporation | Apparatus for extruding materials that exhibit anisotropic properties due to molecular or fibril orientation as a result of the extrusion process |
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| JPS6127012A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-06 | 古河電気工業株式会社 | テ−プ電線の製造方法 |
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-
1988
- 1988-02-22 JP JP3904688A patent/JPH01214096A/ja active Pending
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