JPH01129466A - 不揮発性メモリセルの製造方法 - Google Patents
不揮発性メモリセルの製造方法Info
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- JPH01129466A JPH01129466A JP62288786A JP28878687A JPH01129466A JP H01129466 A JPH01129466 A JP H01129466A JP 62288786 A JP62288786 A JP 62288786A JP 28878687 A JP28878687 A JP 28878687A JP H01129466 A JPH01129466 A JP H01129466A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は不揮発性メモリセルの製造方法に関するもの
である。
である。
(従来の技術及び問題点)
従来の不揮発性メモリセル(EEPROM>は、コント
ロールゲート電極の下に絶縁層(酸化物)を介してフロ
ーティングゲートが設けられ、フローティンゲートに電
荷の蓄積にて情報が記憶されるとともにフローティンゲ
ート 絶縁層(酸化物)の一部をトンネリングが可能な程度に
薄くした薄膜部(トンネル酸化膜〉からトンネリングに
よるフローティングゲートへの電子の注入と放出により
情報の書込みと消去が行なわれる。この書込みと消去の
際に、トンネル酸化膜(薄膜部)に高電界を加えること
によりフローティングゲートとの電子のやりとりが行な
われるが、このエンデユランス特性(データの書換え可
能回数)に優れたメモリセルが要求されている。
ロールゲート電極の下に絶縁層(酸化物)を介してフロ
ーティングゲートが設けられ、フローティンゲートに電
荷の蓄積にて情報が記憶されるとともにフローティンゲ
ート 絶縁層(酸化物)の一部をトンネリングが可能な程度に
薄くした薄膜部(トンネル酸化膜〉からトンネリングに
よるフローティングゲートへの電子の注入と放出により
情報の書込みと消去が行なわれる。この書込みと消去の
際に、トンネル酸化膜(薄膜部)に高電界を加えること
によりフローティングゲートとの電子のやりとりが行な
われるが、このエンデユランス特性(データの書換え可
能回数)に優れたメモリセルが要求されている。
(発明の目的)
この発明は上記課題に鑑み、エンデユランス特性に優れ
た不揮発性メモリセルの製造方法を提供することにある
。
た不揮発性メモリセルの製造方法を提供することにある
。
(問題点を解決するための手段)
この発明は上記目的を達成すべく、基板に不純物イオン
を注入してイオン注入領域を形成する工程と、長時間に
わたる高温熱処理を行い前記イオン注入領域をトンネリ
ングのための1〜ンネル領域にする工程と、前記トンネ
ル領域の上方に酸化物を介してフローティングゲート及
びコントロールゲートを形成するとともに、基板に前記
トンネル領域に接続するドレイン部、及びソース部を形
成する工程とを備える不揮発性メモリセルの製造方法を
その要旨とするものでおる。
を注入してイオン注入領域を形成する工程と、長時間に
わたる高温熱処理を行い前記イオン注入領域をトンネリ
ングのための1〜ンネル領域にする工程と、前記トンネ
ル領域の上方に酸化物を介してフローティングゲート及
びコントロールゲートを形成するとともに、基板に前記
トンネル領域に接続するドレイン部、及びソース部を形
成する工程とを備える不揮発性メモリセルの製造方法を
その要旨とするものでおる。
(第1実施例)
この発明の第1実施例を第1図(a)〜(h)に従って
説明する。
説明する。
■pwel1層形成工程
第1図(a)に示すように、P型(100)Si基板1
上にB(ボロン)をイオン注入した後、熱処理を行いP
welllffi2を形成する。
上にB(ボロン)をイオン注入した後、熱処理を行いP
welllffi2を形成する。
■LOGO3工程
次に、基板1に形成したPwelllW2上に43OA
のパッド酸化膜を形成した後、シリコン窒化膜(Si、
N4:ナイトライド)を1500人の膜厚で堆積す
る。このシリコン窒化膜上にLOGO5によるフィール
ド酸化膜形成予定位置が開口されたレジストパターンを
マスクとしてシリコン窒化膜を選択的にプラズマエツチ
ングする。続いて、レジスト剥離俊、950℃のウェッ
ト酸化を行い膜厚9000人のフィールド酸化膜3を形
成し、その後リン酸エツチングにてシリコン窒化膜を除
去し、その際に除去する部分を露出部4として露出させ
る。(第1図(b))。
のパッド酸化膜を形成した後、シリコン窒化膜(Si、
N4:ナイトライド)を1500人の膜厚で堆積す
る。このシリコン窒化膜上にLOGO5によるフィール
ド酸化膜形成予定位置が開口されたレジストパターンを
マスクとしてシリコン窒化膜を選択的にプラズマエツチ
ングする。続いて、レジスト剥離俊、950℃のウェッ
ト酸化を行い膜厚9000人のフィールド酸化膜3を形
成し、その後リン酸エツチングにてシリコン窒化膜を除
去し、その際に除去する部分を露出部4として露出させ
る。(第1図(b))。
■高濃度N+領域形成工程(イオン注入領域形成工程)
次に、全面にレジストを塗布しLOGO3での露出部4
に写真触剣法により不揮発性メモリの1−ンネル酸化膜
下の高濃度N+領域予定位置が開口されたレジストパタ
ーンを形成し、それをマスクとしてAs(ヒ素)を同開
口部に100KeV。
に写真触剣法により不揮発性メモリの1−ンネル酸化膜
下の高濃度N+領域予定位置が開口されたレジストパタ
ーンを形成し、それをマスクとしてAs(ヒ素)を同開
口部に100KeV。
2X1015/aiの条件でイオン注入し高濃度N+領
領域イオン注入領域〉5を形成する。その後、レジスト
を剥離する(第1図(C)及びその第1図(C)のA−
A断面を示す第1図(d))。
領域イオン注入領域〉5を形成する。その後、レジスト
を剥離する(第1図(C)及びその第1図(C)のA−
A断面を示す第1図(d))。
■高濃度N+領域高温熱処理工程
次に、N2ガス中において950℃で7時間にわたり高
温熱処理を行ない前記高濃度N+領領域イオン注入領域
〉5を高温熱処理することにより同高濃度N+領領域を
トンネリングのためのトンネル領域にする。
温熱処理を行ない前記高濃度N+領領域イオン注入領域
〉5を高温熱処理することにより同高濃度N+領領域を
トンネリングのためのトンネル領域にする。
■ゲート形成工程
次に、第1図(e)及び(f>に示すように、全面をH
F水溶液でエツチング後、フローティンググー1−6下
のゲート酸化17を400Aの厚さで形成する。そして
、不揮発性メモリのトンネル酸化膜形成予定位置が開口
したレジストパターンを形成し、HF溶液中で酸化膜7
のエツチングを行ない前記高濃度N+領域5上に開口部
を形成する。その(卦、レジストを剥離してハロゲンラ
ンプ1150℃、02中で前記開口部に100A前後の
薄い酸化膜7aを形成する。この酸化膜(トンネル酸化
膜>7aがフローティングゲート電極に対する電芋の注
入/抽出を行なう部分となる。そして、全面に1700
Aの多結晶シリコン膜をPH3ガス450cc/min
の流量のもとで成長さゼる。続いて、この多結晶シリコ
ン膜のエツチングを行い、フローティングゲート6及び
選択ゲート8を形成する。
F水溶液でエツチング後、フローティンググー1−6下
のゲート酸化17を400Aの厚さで形成する。そして
、不揮発性メモリのトンネル酸化膜形成予定位置が開口
したレジストパターンを形成し、HF溶液中で酸化膜7
のエツチングを行ない前記高濃度N+領域5上に開口部
を形成する。その(卦、レジストを剥離してハロゲンラ
ンプ1150℃、02中で前記開口部に100A前後の
薄い酸化膜7aを形成する。この酸化膜(トンネル酸化
膜>7aがフローティングゲート電極に対する電芋の注
入/抽出を行なう部分となる。そして、全面に1700
Aの多結晶シリコン膜をPH3ガス450cc/min
の流量のもとで成長さゼる。続いて、この多結晶シリコ
ン膜のエツチングを行い、フローティングゲート6及び
選択ゲート8を形成する。
次に、1050’Cドライ02中にてゲート酸化膜を4
30Aの厚さで形成しくコントロールゲート9とフロー
ティングゲート6間の酸化膜10と周辺回路のゲート酸
化膜を形成し)、3700Aの多結晶シリコン膜をPH
3ガス150cc/minの流量のもとて成長させる。
30Aの厚さで形成しくコントロールゲート9とフロー
ティングゲート6間の酸化膜10と周辺回路のゲート酸
化膜を形成し)、3700Aの多結晶シリコン膜をPH
3ガス150cc/minの流量のもとて成長させる。
続いて、この多結晶シリコン膜のエツチングを行い、コ
ントロールゲート9や他に周辺回路のMOSトランジス
タのゲート電極部を形成する。
ントロールゲート9や他に周辺回路のMOSトランジス
タのゲート電極部を形成する。
■ソース・ドレイン形成工程
次に、第1図(g)及び(h>に示すように、ゲート電
極(コントロールゲート9)やLOGO8によるフィー
ルド酸化膜3をマスクとして、ASを120Kev、5
xlO15/ctiの条件でイオン注入するとともに活
性化してソース・ドレイン部(ソース部11、ドレイン
(EEPROM)12a、ドレイン(選択グー1〜>1
2b)を形成する。その後、層間絶縁膜を形成し、コン
タクトホールの開口、金属配線材料を堆積して配線パタ
ーン形成俊、パッシベーション膜を形成してEEPRO
Mを形成する。尚、第1図(h)において、13はコン
タクト部である。
極(コントロールゲート9)やLOGO8によるフィー
ルド酸化膜3をマスクとして、ASを120Kev、5
xlO15/ctiの条件でイオン注入するとともに活
性化してソース・ドレイン部(ソース部11、ドレイン
(EEPROM)12a、ドレイン(選択グー1〜>1
2b)を形成する。その後、層間絶縁膜を形成し、コン
タクトホールの開口、金属配線材料を堆積して配線パタ
ーン形成俊、パッシベーション膜を形成してEEPRO
Mを形成する。尚、第1図(h)において、13はコン
タクト部である。
このようにして製造された不揮発性メモリセルの特性を
@2図及び第3図に基づいて説明する。
@2図及び第3図に基づいて説明する。
第2図に示すように、Pwellの基板2上に長時間に
わたり高温熱処理(950℃、7時間)した高濃度N
領域(イオン注入領域)5が形成され、その上に100
Aの酸化膜7aを介してポリシリコンの電極6が形成さ
れている場合について実験を行なった。その100Aの
トンネル酸化膜7aに電流密度J=64mA/cmの定
電流を流し、絶縁破壊を起こした時間の累積破壊率を調
査した。
わたり高温熱処理(950℃、7時間)した高濃度N
領域(イオン注入領域)5が形成され、その上に100
Aの酸化膜7aを介してポリシリコンの電極6が形成さ
れている場合について実験を行なった。その100Aの
トンネル酸化膜7aに電流密度J=64mA/cmの定
電流を流し、絶縁破壊を起こした時間の累積破壊率を調
査した。
その結果を、第3図中、特性線Laで示す。さらに、第
3図において、従来の方法(高濃度N @域(イオン注
入領域〉5に対し長時間にわたる高温熱処理を行なわな
い場合)による調査結果を特性線LOで示す。この第3
図において、明らかなようにその高濃度N+領域形成後
に長時間にわたる高温熱処理を行なうと、絶縁破壊を起
こしにくくエンデユランス特性に優れたものとなる。
3図において、従来の方法(高濃度N @域(イオン注
入領域〉5に対し長時間にわたる高温熱処理を行なわな
い場合)による調査結果を特性線LOで示す。この第3
図において、明らかなようにその高濃度N+領域形成後
に長時間にわたる高温熱処理を行なうと、絶縁破壊を起
こしにくくエンデユランス特性に優れたものとなる。
尚、この高濃度N+領域形成後に長時間にわたる高温熱
処理を行なうと絶縁破壊が起こりにくくなる現象につい
て考えてみると、基板に高濃度のAsを打込むと基板に
Asの集合体ができることが知られているが、この3i
基板表面にあるASの集合体が酸化工程の時に5io2
膜中に歪み等の影響を与えたりS i / S + 0
2界面を劣化させると思われるが、イオン注入後長時間
にわたる高温熱処理を行なうとASの集合体が分解し8
1表面のAS分布が均一になるため絶縁破壊が起こりに
くくなるものと考えられる。
処理を行なうと絶縁破壊が起こりにくくなる現象につい
て考えてみると、基板に高濃度のAsを打込むと基板に
Asの集合体ができることが知られているが、この3i
基板表面にあるASの集合体が酸化工程の時に5io2
膜中に歪み等の影響を与えたりS i / S + 0
2界面を劣化させると思われるが、イオン注入後長時間
にわたる高温熱処理を行なうとASの集合体が分解し8
1表面のAS分布が均一になるため絶縁破壊が起こりに
くくなるものと考えられる。
又、この第1実施例において、高濃度N+領領域イオン
注入領域)5の長時間にわたる高温熱処理Lt 950
℃、7時間テアツタが、9oo〜1100℃、6〜8時
間であっても高濃度N+領領域イオン注入領域)5に対
し長時間にわたる高温熱処理を行なわない場合より絶縁
破壊を起こしにくいという結果を得ており、この条件で
実施してもよい。
注入領域)5の長時間にわたる高温熱処理Lt 950
℃、7時間テアツタが、9oo〜1100℃、6〜8時
間であっても高濃度N+領領域イオン注入領域)5に対
し長時間にわたる高温熱処理を行なわない場合より絶縁
破壊を起こしにくいという結果を得ており、この条件で
実施してもよい。
(第2実施例)
この発明の第2実施例を第4図(a)、(b)に基づい
て説明する。
て説明する。
■pwel1層形成工程
P型(100)Si基板1上にB(ボロン)をイオン注
入した1麦、熱処理を行いpweli層2を形成する(
第4図(a)〉。
入した1麦、熱処理を行いpweli層2を形成する(
第4図(a)〉。
■高濃度N+領域形成工程
次に、第4図(b)に示すように、パッド酸化膜14を
430A形成した後、レジスl−15にてトンネル酸化
股下の高濃度N+領域形成予定位置が開口されたレジス
トパターンを形成する。そして、AS(ヒ素)を’jo
OKeV/c/i、2X1015の条件でイオン注入し
、高濃度N 領域(イオン注入領域)5を形成する。そ
の後、レジストを剥離する。
430A形成した後、レジスl−15にてトンネル酸化
股下の高濃度N+領域形成予定位置が開口されたレジス
トパターンを形成する。そして、AS(ヒ素)を’jo
OKeV/c/i、2X1015の条件でイオン注入し
、高濃度N 領域(イオン注入領域)5を形成する。そ
の後、レジストを剥離する。
■LOGO3工程及び高濃度N 領域高温熱処理工程
次に、全面にシリコン窒化膜を150OA堆積させ、L
OCO8によるフィールド駿化膜形成予定位置が開口さ
れたレジストパターンをマスクとしてシリコン窒化膜を
選択的にプラズマエツチングする。続いて、レジスト剥
離後、950℃、7時間のウェット酸化を行なう。この
際、LOGO8のフィールド酸化膜の形成及び高濃度N
+領領域をトンネル領域にするだめの高温熱処理が同時
に行なわれることとなる。
OCO8によるフィールド駿化膜形成予定位置が開口さ
れたレジストパターンをマスクとしてシリコン窒化膜を
選択的にプラズマエツチングする。続いて、レジスト剥
離後、950℃、7時間のウェット酸化を行なう。この
際、LOGO8のフィールド酸化膜の形成及び高濃度N
+領領域をトンネル領域にするだめの高温熱処理が同時
に行なわれることとなる。
■ゲート形成工程
次に、トンネル酸化膜形成予定位置が開口したレジスト
パターンを形成してHF水溶液にて酸化膜を除去した後
ハロゲンランプ1150℃にて100Aのトンネル酸化
膜を形成する。その後のポリシリコンをデポし、フロー
ティングゲート及びコントロールゲートを形成する。
パターンを形成してHF水溶液にて酸化膜を除去した後
ハロゲンランプ1150℃にて100Aのトンネル酸化
膜を形成する。その後のポリシリコンをデポし、フロー
ティングゲート及びコントロールゲートを形成する。
以復、上記第1実施例の■ソース・ドレイン形成工程を
行いEEPROMを形成する。
行いEEPROMを形成する。
この第2実施例においては、LOCO8のフィ−ルド酸
化膜の形成及び高温度N十領域の高温熱処理が同時に行
なわれるので製造時間の短縮化を計ることができる。
化膜の形成及び高温度N十領域の高温熱処理が同時に行
なわれるので製造時間の短縮化を計ることができる。
(第3実施例)
この発明の第3実施例を第5図(a)〜(f>に基づい
て説明する。
て説明する。
■pwel1層形成工程
第5図(a>に示すように、P型(100>Si基板1
上に8(ボロン)をイオン注入した後、熱処理を行いp
Wel1層2を形成する。
上に8(ボロン)をイオン注入した後、熱処理を行いp
Wel1層2を形成する。
■11回目LOGO3工程
次に、第5図(b)に示すように、パッド酸化膜16を
430Aの厚さで形成した後、全面にシリコン窒化膜1
7を1500Aの厚さで堆積させる。このシリコン窒化
膜17上にLOCOSによるフィールド竣化膜形成予定
位置が開口されたレジストパターンをマスクとしてシリ
コン窒化膜を選択的にプラズマエツチングを行なう。そ
して、レジスト剥離後、950℃、150分のウェット
酸化を行い、膜厚5000Aのフィールド酸化膜18を
形成する。
430Aの厚さで形成した後、全面にシリコン窒化膜1
7を1500Aの厚さで堆積させる。このシリコン窒化
膜17上にLOCOSによるフィールド竣化膜形成予定
位置が開口されたレジストパターンをマスクとしてシリ
コン窒化膜を選択的にプラズマエツチングを行なう。そ
して、レジスト剥離後、950℃、150分のウェット
酸化を行い、膜厚5000Aのフィールド酸化膜18を
形成する。
■高濃度N+領域形成工程
次に、第5図(C)及びその第5図(C)のB−8断面
である第5図(d)に示すように、高濃度N+領域形成
予定位置あたりが開口したレジスト19のパターンを形
成する。このレジスト19のパターンは第5図(C)に
示すようにX方向(第5図(C)における上下方向)は
LOCOSによるフィールド酸化膜18でセルフアライ
メント(自己整合)できるので精度がよい。続いて、A
sを100KeV、2X1015/atjの条件でイオ
ン注入し高濃度N+領領域イオン注入領域)20を形成
する。
である第5図(d)に示すように、高濃度N+領域形成
予定位置あたりが開口したレジスト19のパターンを形
成する。このレジスト19のパターンは第5図(C)に
示すようにX方向(第5図(C)における上下方向)は
LOCOSによるフィールド酸化膜18でセルフアライ
メント(自己整合)できるので精度がよい。続いて、A
sを100KeV、2X1015/atjの条件でイオ
ン注入し高濃度N+領領域イオン注入領域)20を形成
する。
■高濃度N+領域高温熱処理工程及び2回目のLoco
s工程 次に、レジスト剥離後、950℃、6時間のウェット酸
化を行ない高濃度N+領領域0をトンネル領域のための
トンネル領域にする〈第5図(e)及び(f〉)。この
際、LOCOSのフィールド酸化膜(9000A>の形
成及び高濃度N+領領域高温熱処理が同時に行なわれる
こととなる。
s工程 次に、レジスト剥離後、950℃、6時間のウェット酸
化を行ない高濃度N+領領域0をトンネル領域のための
トンネル領域にする〈第5図(e)及び(f〉)。この
際、LOCOSのフィールド酸化膜(9000A>の形
成及び高濃度N+領領域高温熱処理が同時に行なわれる
こととなる。
■ゲート形成工程
次に、トンネル酸化膜を形成しポリシリコンを堆積させ
フローティングゲート及びコントロールゲートを形成す
る。
フローティングゲート及びコントロールゲートを形成す
る。
以後、上記第1実施例の■ソース・ドレイン形成工程を
行いEEPROMを形成する。
行いEEPROMを形成する。
発明の効果
以上詳述したようにこの発明によれば、エンデユランス
特性に優れた不揮発性メモリセルを製造することができ
る優れた効果を発揮する。
特性に優れた不揮発性メモリセルを製造することができ
る優れた効果を発揮する。
第1図(a)〜(h)は本発明の第1実施例の製造工程
を説明するための図、第2図は本発明により製造される
不揮発性メモリセルのエンデユランス特性を説明するた
めに使用する素子を示す図、第3図はそのエンデユラン
ス特性を示す図、第4図(a)、(b)は第2実施例の
製造工程を説明するための図、第5図(a)〜(f>は
第3実施例の製造工程を説明するための図。 1は31基板、2はPWellliJ、5は高maN士
領域(イオン注入領域)、6はフローティングゲート、
9はコントロールゲート、11はソース部、12aはド
レイン部。 特許出願人 日本電装 株式会社代 理 人
弁理士 恩1)博宣図 (b) r」イびP続ネ甫■穿薯: 14.事例ユとで)頓♂(七ンを七 昭和62年4異γ願第288786号 2、発明の名称 不揮発性メモリセルの製造方法 3、補正をする者 事1牛との関1系: ′l肩1引僧1入住所 愛知L
lul浴市昭和町1丁目1番地氏 名 426 口
本電装株式会社(名 称) 代表者 山中 太部 4、代理人 住所 〒500 岐阜市端詰町2番装置 0582
(65) −1810(イ(こj四と)ファックス専
用 0582 (66)−13396、補正の内容
を説明するための図、第2図は本発明により製造される
不揮発性メモリセルのエンデユランス特性を説明するた
めに使用する素子を示す図、第3図はそのエンデユラン
ス特性を示す図、第4図(a)、(b)は第2実施例の
製造工程を説明するための図、第5図(a)〜(f>は
第3実施例の製造工程を説明するための図。 1は31基板、2はPWellliJ、5は高maN士
領域(イオン注入領域)、6はフローティングゲート、
9はコントロールゲート、11はソース部、12aはド
レイン部。 特許出願人 日本電装 株式会社代 理 人
弁理士 恩1)博宣図 (b) r」イびP続ネ甫■穿薯: 14.事例ユとで)頓♂(七ンを七 昭和62年4異γ願第288786号 2、発明の名称 不揮発性メモリセルの製造方法 3、補正をする者 事1牛との関1系: ′l肩1引僧1入住所 愛知L
lul浴市昭和町1丁目1番地氏 名 426 口
本電装株式会社(名 称) 代表者 山中 太部 4、代理人 住所 〒500 岐阜市端詰町2番装置 0582
(65) −1810(イ(こj四と)ファックス専
用 0582 (66)−13396、補正の内容
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板に不純物イオンを注入してイオン注入領域を形
成する工程と、 長時間にわたる高温熱処理を行い前記イオン注入領域を
トンネリングのためのトンネル領域にする工程と、 前記トンネル領域の上方に酸化物を介してフローティン
グゲート及びコントロールゲートを形成するとともに、
基板に前記トンネル領域に接続するドレイン部、及びソ
ース部を形成する工程とを備えることを特徴とする不揮
発性メモリセルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62288786A JP2605310B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 不揮発性メモリセルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62288786A JP2605310B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 不揮発性メモリセルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01129466A true JPH01129466A (ja) | 1989-05-22 |
JP2605310B2 JP2605310B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=17734704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62288786A Expired - Lifetime JP2605310B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 不揮発性メモリセルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2605310B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100558541B1 (ko) * | 1999-06-10 | 2006-03-10 | 삼성전자주식회사 | 이이피롬의 제조방법 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61182267A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP62288786A patent/JP2605310B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61182267A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100558541B1 (ko) * | 1999-06-10 | 2006-03-10 | 삼성전자주식회사 | 이이피롬의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2605310B2 (ja) | 1997-04-30 |
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Legal Events
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EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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