JP7459373B2 - 蛍光体及びその製造方法、蛍光体を含む発光素子並びに発光装置 - Google Patents
蛍光体及びその製造方法、蛍光体を含む発光素子並びに発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7459373B2 JP7459373B2 JP2023510229A JP2023510229A JP7459373B2 JP 7459373 B2 JP7459373 B2 JP 7459373B2 JP 2023510229 A JP2023510229 A JP 2023510229A JP 2023510229 A JP2023510229 A JP 2023510229A JP 7459373 B2 JP7459373 B2 JP 7459373B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- less
- mga
- group
- formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 86
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 48
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 36
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 32
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 25
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 22
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 16
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 14
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 8
- -1 Ce2S3 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100348958 Caenorhabditis elegans smf-3 gene Proteins 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020187 CeF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 229910004664 Cerium(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016644 EuCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016653 EuF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015853 MSO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021571 Manganese(III) fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021175 SmF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QGJOPFRUJISHPQ-NJFSPNSNSA-N carbon disulfide-14c Chemical compound S=[14C]=S QGJOPFRUJISHPQ-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K cerium trichloride Chemical compound Cl[Ce](Cl)Cl VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003113 dilution method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007580 dry-mixing Methods 0.000 description 1
- 238000004945 emulsification Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N europium(III) oxide Inorganic materials O=[Eu]O[Eu]=O RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNMXSTWQJRPBJZ-UHFFFAOYSA-K europium(iii) chloride Chemical compound Cl[Eu](Cl)Cl NNMXSTWQJRPBJZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007647 flexography Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- SRVINXWCFNHIQZ-UHFFFAOYSA-K manganese(iii) fluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[Mn+3] SRVINXWCFNHIQZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHXBZLPMVFUQBQ-UHFFFAOYSA-K samarium(iii) chloride Chemical compound Cl[Sm](Cl)Cl BHXBZLPMVFUQBQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002525 ultrasonication Methods 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/7729—Chalcogenides
- C09K11/7731—Chalcogenides with alkaline earth metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
式(2):MGa4S7(式中、Mは、Ba、Sr及びCaからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含む。)で表される結晶相と、
発光中心となる元素Aと、
を含む蛍光体を提供するものである。
前記原料組成物を、その一部が溶融した状態下に焼成する、蛍光体の製造方法を提供するものである。
前記原料組成物の焼成によって、式(1):MGa2S4(式中、Mは、Ba、Sr及びCaからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含む。)で表される化合物と、式(2):MGa4S7(式中、Mは、Ba、Sr及びCaからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含む。)で表される化合物とを生成させる、蛍光体の製造方法を提供するものである。
式(1)に由来する結晶相は、蛍光体中の主相であってもよく、副相であってもよく、好ましくは蛍光体中の主相である。本明細書における主相とは、蛍光体全体のうち、X線回折パターンの最大ピークが帰属する相をいう。また本明細書における副相とは、主相以外の結晶相をいう。
上述の回折ピークは、MGa2S4の純粋な結晶では観察されないピークであるところ、このような回折ピークが観察される蛍光体を用いることによって、光の吸収率が従来と同等でありながら、内部量子効率が高いものとなることを見出した。このような結晶構造は、例えば後述する製造方法にて得ることができる。
式(2)で表される結晶構造を含むことによって、光の吸収率が従来と同等でありながら、内部量子効率が高いものとなるとともに、外部量子効率の高いMGa2S4の結晶相が得られやすくなり、高い発光効率を発現できる蛍光体が得やすくなる。
具体的には、XGa/(XM+XA)が、好ましくは1.6以上2.6以下、より好ましくは1.7以上2.5以下、更に好ましくは1.8以上2.4以下、特に好ましくは2.05以上2.35以下である。XGa/(XM+XA)がこのような範囲であることによって、融点を下げ、一部が溶融した状態で焼結が促進され、内部量子効率が高い蛍光体を生産性高く得ることができる。XGa/(XM+XA)は、例えば、製造時に用いる元素Mと元素A及びGaを含む原料の量を調整することで、適宜調整することができる。
具体的には、2θ=27.9°以上28.36°以下の範囲に観察される回折ピークの最大値をIaとし、2θ=25.8°以上26.1°以下の範囲に観察される回折ピークの最大値をIcとする。このとき、Icに対するIaの比Ia/Icが、好ましくは0.4以上、より好ましくは1.0以上、更に好ましくは1.2以上である。また、Ia/Icは、50以下とすることが好ましく、10以下とすることがより好ましく、5以下とすることがさらに好ましい。
本明細書における「回折ピークの最大値」とは、X線回折測定における、該回折角範囲で得られたX線回折強度の最大値を意味する。
・装置:Rigaku ULITIMA IV
・管球:CuKα
・管電圧:50kV
・管電流:300mA
・測定回折角:2θ=10~80°
・測定ステップ幅:0.01°
・収集時間:2°/分
・検出器:高速1次元X線検出器 D/teX Ultra 250
・受光スリット幅:0.3mm
・発散スリット:2/3°
・発散縦制限スリット幅:10mm(Kβフィルターを使用)
Sを含む原料としては、例えばS単体、H2Sガス、CS2、Ga2S3等の化合物が挙げられる。
Mを含む原料としては、例えばM単体の他、MS、MSO4、MCO3、M(OH)2、MO等のBa含有化合物、Sr含有化合物、Ca含有化合物といった、元素Mの酸化物、水酸化物、硫化物、硫酸塩、炭酸塩等が挙げられる。
乾式による混合は、例えば、ペイントシェーカーやボールミル等の混合装置を用いて行うことができる。
湿式による混合は、各原料を液媒に懸濁させて懸濁液としたあと、該懸濁液を上述の混合装置内に投入して行うことができる。その後、この混合物を篩等を用いて固液分離して得られた固体分を乾燥することで、目的とする原料組成物を得ることができる。液媒としては、エタノールなどのアルコールや液体窒素等といった、後述する加熱条件において気化する溶媒を用いることができる。
このような焼成を経て、式(1):MGa2S4で示される結晶構造と、好ましくは式(2):MGa4S7で示される結晶構造とを一粒子中に有する蛍光体用材料を生成させることができ、内部量子効率が更に高い蛍光体を生産性高く得ることができる。
分級を行う場合、得られる蛍光体の取り扱い性と発光性とを高める観点から、生成物の粒子径を好ましくは0.01μm以上150μm以下、より好ましくは1μm以上50μm以下となるようにする。なお、ここでいう粒子径はレーザー回折散乱式粒度分布測定法による累積体積50容量%における体積累積粒径を示す。
元素Mを含む原料としてBaS及びSrS、発光中心となる元素Aを含む原料としてEuS、Gaを含む原料としてGa2S3を準備し、各元素が以下の表1に示すモル比率で含まれるように秤量して、φ3mmのジルコニアボールを用いてペイントシェーカーで100分間混合して、原料組成物を得た。
得られた原料組成物を、H2S雰囲気、昇温速度5℃/minにて、焼成温度を以下の表1に示す温度とし、焼成時間6時間にて焼成し、生成物を得た。なお、実施例はいずれも原料組成物の一部が溶融した状態下で焼成し、生成物を得た。そして、この生成物を、らいかい機(日陶科学社製「ALM-360T」)で1分間解砕し、目開き140メッシュ及び440メッシュの篩を用いて、目開き140メッシュの篩下で且つ目開き440メッシュの篩上を回収し、目的とする蛍光体の粉末を得た。
なお、比較例2は、原料組成物の全てが溶融してしまい、目的とする蛍光体を取り出すことができなかったので、以後の評価は行わなかった。
各実施例及び比較例1の蛍光体について、上述の条件でX線回折測定を行った。その結果、各実施例は、SrGa2S4に由来するPDF番号01-077-1189のパターンと一致するとともに、BaGa4S7に由来するものと推定される2θ=27.6°以上28.3°以下の範囲、及び2θ=28.45°以上28.75°以下の範囲に回折ピークが観察されたが、Sr2Ga2S5に由来するものと推定される回折ピークは観察されなかった。
一方、比較例1は、SrGa2S4に由来する回折ピークは観察されたが、BaGa4S7に由来するものと推定される回折ピークは観察されなかった。また比較例1は、Sr2Ga2S5に由来するものと推定される回折ピークが観察された。
各実施例及び比較例1の蛍光体についてのX線回折チャートを図1~図4にそれぞれ示す。
また、回折ピークのIa、Ib、Ic及びId、並びにIa/Ic、Ib/Ic及びIb/Idを以下の表1に示す。
実施例及び比較例で得られた蛍光体粉末について、以下のとおり、吸収率と内部量子効率とを測定した。
詳細には、分光蛍光光度計FP-8500、積分球ユニットISF-834(日本分光株式会社製)を用い、固体量子効率計算プログラムに従い行った。分光蛍光光度計は、副標準光源およびローダミンBを用いて補正した。
励起光を450nmとした場合の蛍光体の吸収率、内部量子効率および外部量子効率の計算式を以下に示す。この計算式は、日本分光社製、FWSQ-6-17(32)固体量子効率計算プログラムの取扱説明書の記載に準拠したものである。
吸収率及び内部量子効率の結果を以下の表1に示す。
スペクトルP1(λ)が励起波長範囲461nm~481nmで囲われる面積L1(以下の式(i)参照)を、励起強度とする。
スペクトルP2(λ)が励起波長範囲461nm~481nmで囲われる面積L2(以下の式(ii)参照)を、試料散乱強度とする。
スペクトルP2(λ)が励起波長範囲482nm~648.5nmで囲われる面積E2(以下の式(iii)参照)を、試料蛍光強度とする。
スペクトルP3(λ)が励起波長範囲461nm~481nmで囲われる面積L3(以下の式(iv)参照)を、間接散乱強度とする。
スペクトルP3(λ)が励起波長範囲482nm~648.5nmで囲われる面積E3(以下の式(v)参照)を、間接蛍光強度とする。
外部量子効率εexは、以下の式(vii)に示されるように、試料から放出される蛍光の光子数Nemを、試料に照射された励起光の光子数Nexで除した値となる。
内部量子効率εinは、以下の式(viii)に示されるように、試料から放出される蛍光の光子数Nemを、試料に吸収される励起光の光子数Nabsで除した値となる。
Claims (10)
- 式(1):MGa2S4(式中、Mは、Ba、Sr及びCaからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含む。)で表される結晶相と、
式(2):MGa4S7(式中、Mは、Ba、Sr及びCaからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含む。)で表される結晶相と、
発光中心となる元素Aと、
を含む、蛍光体。 - 式(1):MGa2S4(式中、Mは、Ba、Sr及びCaからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含む。)で表される結晶相と、発光中心となる元素Aとを含み、
CuKα線を用いたX線回折装置により測定されるX線回折パターンにおいて、2θ=27.55°以上28.30°以下の範囲、及び2θ=28.45°以上28.75°以下の範囲に回折ピークが観察される、蛍光体。 - 蛍光体中に含まれる前記元素Mのモル量、前記元素Aのモル量、及びGaのモル量をそれぞれXM、XA、XGaとしたときのXGa/(XM+XA)が、1.6以上2.6以下である、請求項1又は2に記載の蛍光体。
- CuKα線を用いたX線回折装置により測定されるX線回折パターンにおいて、2θ=25.8°以上26.1°以下の範囲に観察される回折ピークの最大値Icに対する、2θ=27.9°以上28.36°以下の範囲に観察される回折ピークの最大値Iaの比Ia/Icが、0.4以上である、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の蛍光体。
- CuKα線を用いたX線回折装置により測定されるX線回折パターンにおいて、2θ=25.8°以上26.1°以下の範囲に観察される回折ピークの最大値Icに対する、2θ=28.4°以上28.86°以下の範囲に観察される回折ピークの最大値Ibの比Ib/Icが、0.4以上である、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の蛍光体。
- 前記発光中心となる元素Aが、Eu、Ce、Mn及びSmからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含む、請求項1ないし5のいずれか一項に記載の蛍光体。
- Ga、S、M(Mは、Ba、Sr及びCaからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含む。)及び発光中心となる元素Aを含む原料組成物を準備し、
前記原料組成物を、その一部が溶融した状態下で焼成する、蛍光体の製造方法であって、
前記焼成における昇温速度が1℃/min以上10℃/min以下であり、且つ焼成温度が1000℃以上1400℃以下である、蛍光体の製造方法。 - Ga、S、M(Mは、Ba、Sr及びCaからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含む。)及び発光中心となる元素Aを含む原料組成物を準備し、
前記原料組成物の焼成によって、式(1):MGa2S4(式中、Mは、Ba、Sr及びCaからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含む。)で表される化合物と、式(2):MGa4S7(式中、Mは、Ba、Sr及びCaからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含む。)で表される化合物とを生成させる、蛍光体の製造方法であって、
前記焼成における昇温速度が1℃/min以上10℃/min以下であり、且つ焼成温度が1000℃以上1400℃以下である、蛍光体の製造方法。 - 請求項1ないし6のいずれか一項に記載の蛍光体と樹脂とを含む発光素子。
- 請求項1ないし6のいずれか一項に記載の蛍光体及び励起源を備えた発光装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021056337 | 2021-03-30 | ||
JP2021056337 | 2021-03-30 | ||
PCT/JP2021/045661 WO2022209033A1 (ja) | 2021-03-30 | 2021-12-10 | 蛍光体及びその製造方法、蛍光体を含む発光素子並びに発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2022209033A1 JPWO2022209033A1 (ja) | 2022-10-06 |
JP7459373B2 true JP7459373B2 (ja) | 2024-04-01 |
Family
ID=83455721
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023510229A Active JP7459373B2 (ja) | 2021-03-30 | 2021-12-10 | 蛍光体及びその製造方法、蛍光体を含む発光素子並びに発光装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP4317363A1 (ja) |
JP (1) | JP7459373B2 (ja) |
KR (1) | KR20230137414A (ja) |
CN (1) | CN117120578A (ja) |
TW (1) | TW202305093A (ja) |
WO (1) | WO2022209033A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007112950A (ja) | 2005-10-24 | 2007-05-10 | Canon Inc | 蛍光体材料及びこれを用いた発光部材、画像表示装置 |
WO2011033830A1 (ja) | 2009-09-18 | 2011-03-24 | 三井金属鉱業株式会社 | 蛍光体 |
JP2013077825A (ja) | 2012-11-26 | 2013-04-25 | Dexerials Corp | 緑色発光蛍光体粒子、色変換シート、発光装置及び画像表示装置組立体 |
JP2017088719A (ja) | 2015-11-09 | 2017-05-25 | 堺化学工業株式会社 | 赤色蛍光体 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07242869A (ja) * | 1994-03-04 | 1995-09-19 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2008274028A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Canon Inc | 蛍光体材料、発光部材および画像形成装置 |
WO2010029654A1 (ja) | 2008-09-11 | 2010-03-18 | 三井金属鉱業株式会社 | 緑色蛍光体 |
WO2010146990A1 (ja) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | 三井金属鉱業株式会社 | 黄色蛍光体 |
JP5923473B2 (ja) * | 2013-09-20 | 2016-05-24 | デクセリアルズ株式会社 | 緑色発光蛍光体 |
JP5796148B1 (ja) * | 2014-03-27 | 2015-10-21 | 三井金属鉱業株式会社 | 蛍光体及びその用途 |
JP6871098B2 (ja) * | 2017-07-26 | 2021-05-12 | デクセリアルズ株式会社 | 蛍光体、及びその製造方法、蛍光体シート、並びに照明装置 |
-
2021
- 2021-12-10 JP JP2023510229A patent/JP7459373B2/ja active Active
- 2021-12-10 KR KR1020237029171A patent/KR20230137414A/ko unknown
- 2021-12-10 EP EP21935182.2A patent/EP4317363A1/en active Pending
- 2021-12-10 CN CN202180096022.0A patent/CN117120578A/zh active Pending
- 2021-12-10 WO PCT/JP2021/045661 patent/WO2022209033A1/ja active Application Filing
-
2022
- 2022-01-10 TW TW111100933A patent/TW202305093A/zh unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007112950A (ja) | 2005-10-24 | 2007-05-10 | Canon Inc | 蛍光体材料及びこれを用いた発光部材、画像表示装置 |
WO2011033830A1 (ja) | 2009-09-18 | 2011-03-24 | 三井金属鉱業株式会社 | 蛍光体 |
JP2013077825A (ja) | 2012-11-26 | 2013-04-25 | Dexerials Corp | 緑色発光蛍光体粒子、色変換シート、発光装置及び画像表示装置組立体 |
JP2017088719A (ja) | 2015-11-09 | 2017-05-25 | 堺化学工業株式会社 | 赤色蛍光体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4317363A1 (en) | 2024-02-07 |
TW202305093A (zh) | 2023-02-01 |
WO2022209033A1 (ja) | 2022-10-06 |
KR20230137414A (ko) | 2023-10-04 |
JPWO2022209033A1 (ja) | 2022-10-06 |
CN117120578A (zh) | 2023-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI390011B (zh) | 綠色螢光體 | |
WO2015099145A1 (ja) | 蛍光体、及び蛍光体の製造方法 | |
US11292964B2 (en) | Phosphor | |
Kaur et al. | Enhanced red down-conversion luminescence and high color purity from flux assisted Eu3+ doped calcium aluminozincate phosphor | |
TWI424046B (zh) | 綠色螢光體 | |
Hu et al. | Low temperature synthesis and photoluminescence properties of Mn4+-doped La2MgTiO6 deep-red phosphor with a LiCl flux | |
KR101148998B1 (ko) | 형광체 | |
Zhang et al. | Effects of Mg2+/Si4+ doping on luminescence of Y3Al5O12: Ce3+ phosphors | |
WO2010119800A1 (ja) | 赤色蛍光体及びその製造方法 | |
US10619095B2 (en) | NASICON-structured phosphor and light emitting element comprising same luminesent materials | |
Zand et al. | Synthesis of Sr 4 Al 14 O 25: Eu 2+ green emitting luminescent nano-pigment by solution combustion method | |
JP7459373B2 (ja) | 蛍光体及びその製造方法、蛍光体を含む発光素子並びに発光装置 | |
Devi et al. | Ba 2 Zn 2 La 4 O 10: Sm 3+: A novel orange–red emitting nanophosphor with high color purity for WLEDs applications | |
Game et al. | Converted white light emitting diodes from Ce3+ doping of alkali earth sulfide phosphors | |
TWI477583B (zh) | 紅色螢光體及發光元件 | |
JP4343267B1 (ja) | 緑色蛍光体 | |
KR100387659B1 (ko) | 졸겔법을 이용한 스트론튬알루미네이트 형광체의 제조방법 | |
TW201910490A (zh) | 螢光粉及其製造方法,螢光粉片及照明裝置 | |
JP4708506B2 (ja) | 黄色蛍光体 | |
CN116554872B (zh) | 无掺杂近紫外响应的近红外二区发光材料及其制备方法 | |
Kim et al. | Photoluminescence Optimization of Ca3 (PO4) 2: Eu3+ Phosphors By Crystallinity Improvement And Charge Compensation | |
KR101238197B1 (ko) | 비가시 발광체 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230404 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231219 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240312 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240319 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7459373 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |