JP7454600B2 - 移動可能エッジリングおよびガス注入調節によるウエハ上cd均一性の制御 - Google Patents
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Description
本開示は、以下の適用例としても実現可能である。
<適用例1>
基板処理システム内の基板支持体であって、
ガス分配装置の下方に配置された内側部分であって、前記ガス分配装置は、前記内側部分に向かって第1処理ガスを方向付けるように構成されている、内側部分と、
エッジリングを含む外側部分であって、前記エッジリングは、前記内側部分と前記内側部分上に配置された基板とを少なくとも部分的に囲むように前記内側部分の外周の周りに配置され、前記エッジリングは、前記内側部分に対して上下されるように構成され、前記エッジリングは、前記内側部分に向かって第2処理ガスを方向付けるように構成されている、外側部分と、
処理中に前記基板上に蒸着された材料の分布を決定し、前記決定された分布に基づいて、(i)前記エッジリングの位置を選択的に調節し、(ii)前記第1処理ガスおよび前記第2処理ガスの少なくとも一方の流量を選択的に調節するコントローラと、
を備える、基板支持体。
<適用例2>
適用例1に記載の基板支持体であって、前記材料は、エッチング副生成物を含む、基板支持体。
<適用例3>
適用例1に記載の基板支持体であって、前記コントローラは、前記基板上に蒸着された前記材料の分布を、エッジリング位置、前記ガス分配装置によって方向付けられる前記第1処理ガス、および、前記エッジリングによって方向付けられる前記第2処理ガスの内の少なくとも1つと関連付けるデータに基づいて、前記材料の分布を決定する、基板支持体。
<適用例4>
適用例3に記載の基板支持体であって、前記データは、(i)前記第1処理ガスによって引き起こされた前記基板上の蒸着材料および(ii)前記第2処理ガスによって引き起こされた前記基板上の蒸着材料の平均を含む、基板支持体。
<適用例5>
適用例3に記載の基板支持体であって、前記コントローラは、前記データに基づいて、(i)第1所定期間中に、前記エッジリングの位置を第1位置に調節し、前記第1処理ガスの流量を第1流量に調節し、前記第2処理ガスの流量を第2流量に調節し、(ii)前記第1所定期間の後、第2所定期間中に、前記エッジリングの位置を第2位置に調節し、前記第1処理ガスの流量を第3流量に調節し、前記第2処理ガスの流量を第4流量に調節する、基板支持体。
<適用例6>
適用例5に記載の基板支持体であって、前記流量を前記第1流量、前記第2流量、前記第3流量、および、前記第4流量の内の少なくとも1つに調節することは、前記第1処理ガスおよび前記第2処理ガスの内の対応する処理ガスをオフにすることを含む、基板支持体。
<適用例7>
適用例1に記載の基板支持体であって、前記エッジリングは、複数のガス注入ノズルを備える、基板支持体。
<適用例8>
適用例7に記載の基板支持体であって、前記複数のガス注入ノズルは、前記エッジリングによって規定されたプレナムと、前記第2処理ガスの供給源に接続された少なくとも1つの導管とを介して、ガス源と流体連通している、基板支持体。
<適用例9>
基板処理システム内で基板を処理するための方法であって、
内側部分および外側部分を有する基板支持体を準備する工程であって、前記内側部分は、ガス分配装置の下方に配置され、前記外側部分は、前記内側部分と前記内側部分上に配置された基板とを少なくとも部分的に囲むように前記内側部分の外周の周りに配置されたエッジリングを備える、工程と、
前記ガス分配装置を用いて、前記内側部分に第1処理ガスを方向付ける工程と、
前記エッジリングを用いて、前記内側部分に第2処理ガスを方向付ける工程と、
処理中に前記基板上に蒸着された材料の分布を決定する工程と、
前記エッジリングの位置を前記内側部分に対して上または下へ選択的に調節する工程と、
前記第1処理ガスおよび前記第2処理ガスの少なくとも一方の流量を選択的に調節する工程と、
を備える、方法。
<適用例10>
適用例9に記載の方法であって、前記材料は、エッチング副生成物を含む、方法。
<適用例11>
適用例9に記載の方法であって、前記材料の分布を決定する工程は、前記基板上に蒸
着された前記材料の分布を、エッジリング位置、前記ガス分配装置によって方向付けられる前記第1処理ガス、および、前記エッジリングによって方向付けられる前記第2処理ガスの内の少なくとも1つと関連付けるデータに基づいて、前記材料の分布を決定する工程を含む、方法。
<適用例12>
適用例11に記載の方法であって、前記データは、(i)前記第1処理ガスによって引き起こされた前記基板上の蒸着材料および(ii)前記第2処理ガスによって引き起こされた前記基板上の蒸着材料の平均を含む、方法。
<適用例13>
適用例11に記載の方法であって、さらに、前記データに基づいて、(i)第1所定期間中に、前記エッジリングの位置を第1位置に調節し、前記第1処理ガスの流量を第1流量に調節し、前記第2処理ガスの流量を第2流量に調節する工程と、(ii)前記第1所定期間の後、第2所定期間中に、前記エッジリングの位置を第2位置に調節し、前記第1処理ガスの流量を第3流量に調節し、前記第2処理ガスの流量を第4流量に調節する工程と、を備える、方法。
<適用例14>
適用例13に記載の方法であって、前記流量を前記第1流量、前記第2流量、前記第3流量、および、前記第4流量の内の少なくとも1つに調節する工程は、前記第1処理ガスおよび前記第2処理ガスの内の対応する処理ガスをオフにする工程を含む、方法。
<適用例15>
適用例9に記載の方法であって、前記エッジリングは、複数のガス注入ノズルを備える、方法。
<適用例16>
適用例15に記載の方法であって、前記複数のガス注入ノズルは、前記エッジリングによって規定されたプレナムと、前記第2処理ガスの供給源に接続された少なくとも1つの導管とを介して、ガス源と流体連通している、方法。
Claims (20)
- 基板処理チャンバのための基板処理システムであって、
前記基板処理チャンバ内の基板支持体に向かって処理ガスを方向付けるように構成されたガス供給システムと、
コントローラであって、前記基板支持体の上に配置された基板の処理中に、
前記基板支持体のエッジリングの位置と、前記基板支持体に向かって方向付けられた前記処理ガスの特性と、の少なくとも一方に基づいて、処理中に前記基板上に再蒸着されたエッチング副生成物材料の前記基板にわたる分布を計算し、
前記計算された分布に応答して、(i)前記基板に対する前記エッジリングの位置を選択的に調節することをアクチュエータに行わせ、(ii)前記処理ガスの流量を選択的に調節することを前記ガス供給システムに行わせるために、制御信号を生成するように構成されたコントローラと、
を備える、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記コントローラは、前記エッチング副生成物材料の時間平均化分布を示すデータに基づいて、前記分布を計算するように構成されている、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記コントローラは、前記基板上に再蒸着した前記エッチング副生成物材料の分布を前記エッジリングの位置と前記処理ガスの流量の少なくとも一方と関連付けるデータに基づいて、前記分布を計算するように構成されている、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記処理ガスは、第1処理ガスおよび第2処理ガスを含み、前記ガス供給システムは、(i)前記基板支持体の内側部分に向かって前記第1処理ガスを方向付け、(ii)前記エッジリングを通して前記基板支持体に向かって前記第2処理ガスを方向付けるように構成されている、基板処理システム。 - 請求項4に記載の基板処理システムであって、
前記コントローラは、(i)前記第1処理ガスによって引き起こされた前記基板上に蒸着されたエッチング副生成物材料と、(ii)前記第2処理ガスによって引き起こされた前記基板上に蒸着されたエッチング副生成物材料と、の平均を用いて、前記分布を計算するように構成されている、基板処理システム。 - 請求項5に記載の基板処理システムであって、
前記コントローラは、前記計算された分布に基づいて、(i)第1所定期間中に、前記エッジリングの位置を第1位置に調節し、前記第1処理ガスの流量を第1流量に調節し、前記第2処理ガスの流量を第2流量に調節し、(ii)前記第1所定期間の後、第2所定期間中に、前記エッジリングの位置を第2位置に調節し、前記第1処理ガスの流量を第3流量に調節し、前記第2処理ガスの流量を第4流量に調節するように構成されている、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、さらに、
前記アクチュエータを備える、基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、さらに、
前記基板支持体および前記エッジリングを備える、基板処理システム。 - 請求項8に記載の基板処理システムであって、
前記処理ガスは、第1処理ガスおよび第2処理ガスを含み、
前記基板支持体は、
ガス分配装置の下方に配置された内側部分であって、前記ガス分配装置は、前記内側部分に向かって第1処理ガスを方向付けるように構成されている、内側部分と、
前記エッジリングを含む外側部分と、
を備え、
前記エッジリングは、前記内側部分と前記内側部分の上に配置された基板とを少なくとも部分的に囲むように前記内側部分の外周の周りに配置され、前記エッジリングは、前記コントローラによって生成された前記制御信号に応答して、前記内側部分に対して上下されるように構成され、前記エッジリングは、前記内側部分に向かって前記第2処理ガスを方向付けるように構成されている、基板処理システム。 - 請求項9に記載の基板処理システムであって、
前記エッジリングは、複数のガス注入ノズルを備える、基板処理システム。 - 請求項10に記載の基板処理システムであって、
前記複数のガス注入ノズルは、前記エッジリングによって規定されたプレナムと、前記第2処理ガスの供給源に接続された少なくとも1つの導管とを介して、前記供給源と流体連通している、基板処理システム。 - 方法であって、
基板処理チャンバ内の基板支持体の上に配置された基板の処理中に、
前記基板支持体のエッジリングの位置と、前記基板支持体に向かって方向付けられた処理ガスの特性と、の少なくとも一方に基づいて、処理中に前記基板上に再蒸着されたエッチング副生成物材料の前記基板にわたる分布を計算する工程と、
前記計算された分布に応答して、(i)前記基板に対する前記エッジリングの位置を選択的に調節し、(ii)前記処理ガスの流量を選択的に調節するために、制御信号を生成する工程と、
を含む、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、さらに、
前記エッチング副生成物材料の時間平均化分布を示すデータに基づいて、前記分布を計算する工程を含む、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、さらに、
前記基板上に再蒸着された前記エッチング副生成物材料の分布を前記エッジリングの位置と前記処理ガスの流量の少なくとも一方と関連付けるデータに基づいて、前記分布を計算する工程を含む、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、
前記処理ガスは、第1処理ガスおよび第2処理ガスを含み、
前記方法は、さらに、
(i)前記基板支持体の内側部分に向かって前記第1処理ガスを方向付ける工程と、
(ii)前記エッジリングを通して前記基板支持体に向かって前記第2処理ガスを方向付ける工程と、
を含む、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、さらに、
(i)前記第1処理ガスによって引き起こされた前記基板上に蒸着されたエッチング副生成物材料と、(ii)前記第2処理ガスによって引き起こされた前記基板上に蒸着されたエッチング副生成物材料と、の平均を用いて、前記分布を計算する工程を含む、方法。 - 請求項16に記載の方法であって、さらに、
前記計算された分布に基づいて、
(i)第1所定期間中に、前記エッジリングの位置を第1位置に調節し、前記第1処理ガスの流量を第1流量に調節し、前記第2処理ガスの流量を第2流量に調節する工程と、
(ii)前記第1所定期間の後、第2所定期間中に、前記エッジリングの位置を第2位置に調節し、前記第1処理ガスの流量を第3流量に調節し、前記第2処理ガスの流量を第4流量に調節する工程と、
を含む、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、
前記処理ガスは、第1処理ガスおよび第2処理ガスを含み、
前記方法は、さらに、
ガス分配装置を用いて基板支持体の内側部分に向かって前記第1処理ガスを方向付ける工程と、
前記エッジリングを通して前記内側部分に向かって前記第2処理ガスを方向付ける工程と、
を含む、方法。 - 基板処理システムのためのコントローラであって、
基板の処理中に前記基板上に再蒸着されたエッチング副生成物材料の分布を、(i)基板支持体のエッジリングの位置と、(ii)前記基板支持体に向かって方向付けられた処理ガスの特性と、の少なくとも一方に関連付けるデータを格納するメモリと、
プロセッサであって、前記基板の処理中に、
前記格納されたデータを用いて、処理中に前記基板上に再蒸着された前記エッチング副生成物材料の前記基板にわたる分布を計算し、
前記計算された分布に応答して、(i)前記基板に対する前記エッジリングの位置を選択的に調節することをアクチュエータに行わせ、(ii)前記処理ガスの流量を選択的に調節することをガス供給システムに行わせるために、制御信号を生成するように構成されたプロセッサと、
を備える、コントローラ。 - 請求項19に記載のコントローラであって、
前記データは、前記エッチング副生成物材料の時間平均化分布を含む、コントローラ。
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Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10658222B2 (en) | 2015-01-16 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing |
US10957561B2 (en) | 2015-07-30 | 2021-03-23 | Lam Research Corporation | Gas delivery system |
US10825659B2 (en) | 2016-01-07 | 2020-11-03 | Lam Research Corporation | Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector |
US10651015B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-05-12 | Lam Research Corporation | Variable depth edge ring for etch uniformity control |
US10699878B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-06-30 | Lam Research Corporation | Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring |
US10304668B2 (en) * | 2016-05-24 | 2019-05-28 | Tokyo Electron Limited | Localized process control using a plasma system |
US10410832B2 (en) * | 2016-08-19 | 2019-09-10 | Lam Research Corporation | Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment |
KR102443036B1 (ko) * | 2018-01-15 | 2022-09-14 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
CN110246737B (zh) * | 2018-03-08 | 2021-07-06 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种半导体晶圆结构的刻蚀方法 |
US11078570B2 (en) * | 2018-06-29 | 2021-08-03 | Lam Research Corporation | Azimuthal critical dimension non-uniformity for double patterning process |
KR102433436B1 (ko) | 2018-07-04 | 2022-08-17 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 시스템, 기판 처리 시스템에서의 에지 링 정렬 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 원반형 비젼 센서 |
CN110767568B (zh) * | 2018-07-26 | 2022-05-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 压力调节组件、下电极装置、工艺腔室和半导体处理设备 |
KR20210111872A (ko) * | 2018-08-13 | 2021-09-13 | 램 리써치 코포레이션 | 에지 링 포지셔닝 및 센터링 피처들을 포함하는 플라즈마 시스 튜닝을 위한 교체가능한 에지 링 어셈블리 및/또는 접을 수 있는 에지 링 어셈블리 |
US11488808B2 (en) * | 2018-11-30 | 2022-11-01 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, calculation method, and calculation program |
KR102335472B1 (ko) * | 2019-09-04 | 2021-12-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
CN112701027A (zh) * | 2019-10-22 | 2021-04-23 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 等离子体处理装置及边缘环的更换方法 |
CN110867365B (zh) * | 2019-11-04 | 2022-05-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 等离子体*** |
WO2021202080A1 (en) * | 2020-04-02 | 2021-10-07 | Lam Research Corporation | Edge ring for localized delivery of tuning gas |
JP2023550357A (ja) * | 2020-11-23 | 2023-12-01 | ラム リサーチ コーポレーション | パージリングを介した局所的なプラズマアークの防止 |
CN114551204A (zh) * | 2020-11-25 | 2022-05-27 | 中国科学院微电子研究所 | 一种用于控制晶片边缘关键尺寸的***及方法 |
US20220328342A1 (en) * | 2021-04-08 | 2022-10-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Plasma control method in semiconductor wafer fabrication |
US11823939B2 (en) | 2021-09-21 | 2023-11-21 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for processing chamber lid concentricity alignment |
US11769648B2 (en) | 2021-10-28 | 2023-09-26 | Applied Materials, Inc. | Ion source gas injection beam shaping |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001230239A (ja) | 2000-02-15 | 2001-08-24 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
JP2001257098A (ja) | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 放電電極への給電方法、高周波プラズマ生成方法および半導体製造方法 |
JP2002217171A (ja) | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Sony Corp | エッチング装置 |
JP2008141147A (ja) | 2006-11-09 | 2008-06-19 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 |
JP2009065153A (ja) | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Applied Materials Inc | プラズマリアクタチャンバにおいてウェハ縁端部でガスを注入するカソードライナ |
JP2009152269A (ja) | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Sony Corp | ドライエッチング装置および半導体装置の製造方法 |
JP2016146472A (ja) | 2015-01-16 | 2016-08-12 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 半導体ウエハ処理中におけるエッジ処理制御のための可動式エッジ連結リング |
Family Cites Families (230)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL8004005A (nl) | 1980-07-11 | 1982-02-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. |
US4431477A (en) | 1983-07-05 | 1984-02-14 | Matheson Gas Products, Inc. | Plasma etching with nitrous oxide and fluoro compound gas mixture |
US4793897A (en) | 1987-03-20 | 1988-12-27 | Applied Materials, Inc. | Selective thin film etch process |
EP0424299A3 (en) | 1989-10-20 | 1991-08-28 | International Business Machines Corporation | Selective silicon nitride plasma etching |
US6165311A (en) | 1991-06-27 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
US6024826A (en) | 1996-05-13 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material |
US5329965A (en) | 1993-07-30 | 1994-07-19 | The Perkin-Elmer Corporation | Hybrid valving system for varying fluid flow rate |
JP2638443B2 (ja) * | 1993-08-31 | 1997-08-06 | 日本電気株式会社 | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 |
US5762714A (en) | 1994-10-18 | 1998-06-09 | Applied Materials, Inc. | Plasma guard for chamber equipped with electrostatic chuck |
US5605179A (en) | 1995-03-17 | 1997-02-25 | Insync Systems, Inc. | Integrated gas panel |
US5907221A (en) | 1995-08-16 | 1999-05-25 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma reactor with an inductive coil antenna having independent loops |
JP2713276B2 (ja) | 1995-12-07 | 1998-02-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
US5662143A (en) | 1996-05-16 | 1997-09-02 | Gasonics International | Modular gas box system |
US5744695A (en) | 1997-01-10 | 1998-04-28 | Sony Corporation | Apparatus to check calibration of mass flow controllers |
US6210593B1 (en) * | 1997-02-06 | 2001-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Etching method and etching apparatus |
JP3247079B2 (ja) * | 1997-02-06 | 2002-01-15 | 松下電器産業株式会社 | エッチング方法及びエッチング装置 |
US6376386B1 (en) | 1997-02-25 | 2002-04-23 | Fujitsu Limited | Method of etching silicon nitride by a mixture of CH2 F2, CH3F or CHF3 and an inert gas |
US6388226B1 (en) | 1997-06-26 | 2002-05-14 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas source |
US6042687A (en) | 1997-06-30 | 2000-03-28 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for improving etch and deposition uniformity in plasma semiconductor processing |
JP3586075B2 (ja) | 1997-08-15 | 2004-11-10 | 忠弘 大見 | 圧力式流量制御装置 |
US6074959A (en) | 1997-09-19 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | Method manifesting a wide process window and using hexafluoropropane or other hydrofluoropropanes to selectively etch oxide |
US6060400A (en) | 1998-03-26 | 2000-05-09 | The Research Foundation Of State University Of New York | Highly selective chemical dry etching of silicon nitride over silicon and silicon dioxide |
JP2000058512A (ja) | 1998-08-03 | 2000-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置および処理方法 |
JP3830670B2 (ja) | 1998-09-03 | 2006-10-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置 |
US6022809A (en) | 1998-12-03 | 2000-02-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Composite shadow ring for an etch chamber and method of using |
US6579805B1 (en) | 1999-01-05 | 2003-06-17 | Ronal Systems Corp. | In situ chemical generator and method |
US7150994B2 (en) | 1999-03-03 | 2006-12-19 | Symyx Technologies, Inc. | Parallel flow process optimization reactor |
US6797189B2 (en) | 1999-03-25 | 2004-09-28 | Hoiman (Raymond) Hung | Enhancement of silicon oxide etch rate and nitride selectivity using hexafluorobutadiene or other heavy perfluorocarbon |
EP2028577A2 (en) | 1999-04-16 | 2009-02-25 | Fujikin Incorporated | Parallel bypass type fluid feeding device, and method and device for controlling fluid variable type pressure system flow rate used for the device |
US6210482B1 (en) | 1999-04-22 | 2001-04-03 | Fujikin Incorporated | Apparatus for feeding gases for use in semiconductor manufacturing |
US6709547B1 (en) * | 1999-06-30 | 2004-03-23 | Lam Research Corporation | Moveable barrier for multiple etch processes |
JP2001023955A (ja) | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
WO2001012873A1 (en) | 1999-08-17 | 2001-02-22 | Tokyo Electron Limited | Pulsed plasma processing method and apparatus |
US6206976B1 (en) | 1999-08-27 | 2001-03-27 | Lucent Technologies Inc. | Deposition apparatus and related method with controllable edge exclusion |
JP4394778B2 (ja) | 1999-09-22 | 2010-01-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US6589352B1 (en) | 1999-12-10 | 2003-07-08 | Applied Materials, Inc. | Self aligning non contact shadow ring process kit |
WO2001066245A2 (en) | 2000-03-07 | 2001-09-13 | Symyx Technologies, Inc. | Parallel flow process optimization reactor |
TW506234B (en) | 2000-09-18 | 2002-10-11 | Tokyo Electron Ltd | Tunable focus ring for plasma processing |
US6492774B1 (en) | 2000-10-04 | 2002-12-10 | Lam Research Corporation | Wafer area pressure control for plasma confinement |
JP2002110570A (ja) | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Asm Japan Kk | 半導体製造装置用ガスラインシステム |
US6333272B1 (en) | 2000-10-06 | 2001-12-25 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
JP3388228B2 (ja) | 2000-12-07 | 2003-03-17 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法 |
US6962879B2 (en) | 2001-03-30 | 2005-11-08 | Lam Research Corporation | Method of plasma etching silicon nitride |
DE10216703A1 (de) | 2001-04-20 | 2002-11-28 | Festo Corp Hauppauge | Stapelbare Ventilverteileranordnung |
CN100403198C (zh) | 2001-05-24 | 2008-07-16 | 迅捷公司 | 流体流量控制器和定比率控制流体流量的方法和装置 |
US20030070620A1 (en) | 2001-10-15 | 2003-04-17 | Cooperberg David J. | Tunable multi-zone gas injection system |
AU2002366921A1 (en) * | 2001-12-13 | 2003-07-09 | Tokyo Electron Limited | Ring mechanism, and plasma processing device using the ring mechanism |
US6744212B2 (en) | 2002-02-14 | 2004-06-01 | Lam Research Corporation | Plasma processing apparatus and method for confining an RF plasma under very high gas flow and RF power density conditions |
US6814813B2 (en) | 2002-04-24 | 2004-11-09 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus |
JP3856730B2 (ja) | 2002-06-03 | 2006-12-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 流量制御装置を備えたガス供給設備からのチャンバーへのガス分流供給方法。 |
US20040040664A1 (en) | 2002-06-03 | 2004-03-04 | Yang Jang Gyoo | Cathode pedestal for a plasma etch reactor |
US6810308B2 (en) | 2002-06-24 | 2004-10-26 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for mass flow controller with network access to diagnostics |
US7136767B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-11-14 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for calibration of mass flow controller |
US7552015B2 (en) | 2002-06-24 | 2009-06-23 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for displaying mass flow controller pressure |
US6841943B2 (en) | 2002-06-27 | 2005-01-11 | Lam Research Corp. | Plasma processor with electrode simultaneously responsive to plural frequencies |
US6896765B2 (en) | 2002-09-18 | 2005-05-24 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber |
JP4502590B2 (ja) | 2002-11-15 | 2010-07-14 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体製造装置 |
US7311784B2 (en) | 2002-11-26 | 2007-12-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device |
KR20040050080A (ko) | 2002-12-09 | 2004-06-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플라즈마 식각 챔버용 포커스 링 구동 장치 |
US20040112540A1 (en) | 2002-12-13 | 2004-06-17 | Lam Research Corporation | Uniform etch system |
US7169231B2 (en) | 2002-12-13 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Gas distribution system with tuning gas |
US6898558B2 (en) | 2002-12-31 | 2005-05-24 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for monitoring a material processing system |
US20040163601A1 (en) * | 2003-02-26 | 2004-08-26 | Masanori Kadotani | Plasma processing apparatus |
US20040168719A1 (en) | 2003-02-28 | 2004-09-02 | Masahiro Nambu | System for dividing gas flow |
US6907904B2 (en) | 2003-03-03 | 2005-06-21 | Redwood Microsystems, Inc. | Fluid delivery system and mounting panel therefor |
KR100739890B1 (ko) | 2003-05-02 | 2007-07-13 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 처리가스도입기구 및 플라즈마 처리장치 |
JP4500510B2 (ja) * | 2003-06-05 | 2010-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング量検出方法,エッチング方法,およびエッチング装置 |
CN100454200C (zh) | 2003-06-09 | 2009-01-21 | 喜开理株式会社 | 相对压力控制***和相对流量控制*** |
JP4195837B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス分流供給装置及びガス分流供給方法 |
US7137400B2 (en) | 2003-09-30 | 2006-11-21 | Agere Systems Inc. | Bypass loop gas flow calibration |
JP4399227B2 (ja) | 2003-10-06 | 2010-01-13 | 株式会社フジキン | チャンバの内圧制御装置及び内圧被制御式チャンバ |
US7129171B2 (en) | 2003-10-14 | 2006-10-31 | Lam Research Corporation | Selective oxygen-free etching process for barrier materials |
US7128806B2 (en) | 2003-10-21 | 2006-10-31 | Applied Materials, Inc. | Mask etch processing apparatus |
JP2006128559A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム |
US20050155625A1 (en) | 2004-01-20 | 2005-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chamber cleaning method |
US7095179B2 (en) | 2004-02-22 | 2006-08-22 | Zond, Inc. | Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities |
US7072743B2 (en) | 2004-03-09 | 2006-07-04 | Mks Instruments, Inc. | Semiconductor manufacturing gas flow divider system and method |
US7708859B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-05-04 | Lam Research Corporation | Gas distribution system having fast gas switching capabilities |
US20070066038A1 (en) | 2004-04-30 | 2007-03-22 | Lam Research Corporation | Fast gas switching plasma processing apparatus |
JP4407384B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2010-02-03 | 株式会社Sumco | Soi基板の製造方法 |
US7412986B2 (en) | 2004-07-09 | 2008-08-19 | Celerity, Inc. | Method and system for flow measurement and validation of a mass flow controller |
US7338907B2 (en) | 2004-10-04 | 2008-03-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Selective etching processes of silicon nitride and indium oxide thin films for FeRAM device applications |
US20060124169A1 (en) | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Tokyo Electron Limited | Gas supply unit, substrate processing apparatus, and supply gas setting method |
US7621290B2 (en) | 2005-04-21 | 2009-11-24 | Mks Instruments, Inc. | Gas delivery method and system including a flow ratio controller using antisymmetric optimal control |
US7288482B2 (en) | 2005-05-04 | 2007-10-30 | International Business Machines Corporation | Silicon nitride etching methods |
JP2006344701A (ja) | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッチング装置およびエッチング方法 |
US20070021935A1 (en) | 2005-07-12 | 2007-01-25 | Larson Dean J | Methods for verifying gas flow rates from a gas supply system into a plasma processing chamber |
US7291560B2 (en) | 2005-08-01 | 2007-11-06 | Infineon Technologies Ag | Method of production pitch fractionizations in semiconductor technology |
US8088248B2 (en) | 2006-01-11 | 2012-01-03 | Lam Research Corporation | Gas switching section including valves having different flow coefficients for gas distribution system |
KR20070078346A (ko) * | 2006-01-26 | 2007-07-31 | 삼성전자주식회사 | 나이프 에지 링을 갖는 웨이퍼 지지장치 |
JP4895167B2 (ja) | 2006-01-31 | 2012-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置,基板処理装置,ガス供給方法 |
US8097120B2 (en) | 2006-02-21 | 2012-01-17 | Lam Research Corporation | Process tuning gas injection from the substrate edge |
JP4909609B2 (ja) | 2006-03-01 | 2012-04-04 | 株式会社東芝 | 加工形状シミュレーション方法、半導体装置の製造方法及び加工形状シミュレーションシステム |
US7578258B2 (en) | 2006-03-03 | 2009-08-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for selective pre-coating of a plasma processing chamber |
JP4788920B2 (ja) | 2006-03-20 | 2011-10-05 | 日立金属株式会社 | 質量流量制御装置、その検定方法及び半導体製造装置 |
US7398693B2 (en) * | 2006-03-30 | 2008-07-15 | Applied Materials, Inc. | Adaptive control method for rapid thermal processing of a substrate |
US7674337B2 (en) | 2006-04-07 | 2010-03-09 | Applied Materials, Inc. | Gas manifolds for use during epitaxial film formation |
US8997791B2 (en) | 2006-04-14 | 2015-04-07 | Mks Instruments, Inc. | Multiple-channel flow ratio controller |
JP4814706B2 (ja) | 2006-06-27 | 2011-11-16 | 株式会社フジキン | 流量比可変型流体供給装置 |
JP5037510B2 (ja) | 2006-08-23 | 2012-09-26 | 株式会社堀場エステック | 集積型ガスパネル装置 |
KR20080023569A (ko) | 2006-09-11 | 2008-03-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 식각프로파일 변형을 방지하는 플라즈마식각장치 |
US7757541B1 (en) | 2006-09-13 | 2010-07-20 | Pivotal Systems Corporation | Techniques for calibration of gas flows |
US7309646B1 (en) | 2006-10-10 | 2007-12-18 | Lam Research Corporation | De-fluoridation process |
WO2008052168A2 (en) | 2006-10-26 | 2008-05-02 | Symyx Technologies, Inc. | High pressure parallel fixed bed reactor and method |
US9405298B2 (en) | 2006-11-20 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | System and method to divide fluid flow in a predetermined ratio |
US7758698B2 (en) | 2006-11-28 | 2010-07-20 | Applied Materials, Inc. | Dual top gas feed through distributor for high density plasma chamber |
JP5002602B2 (ja) | 2006-12-05 | 2012-08-15 | 株式会社堀場エステック | 流量制御装置の検定方法 |
JP4642115B2 (ja) | 2006-12-12 | 2011-03-02 | 株式会社堀場エステック | 流量比率制御装置 |
SE530902C2 (sv) | 2006-12-19 | 2008-10-14 | Alfa Laval Corp Ab | Sektionerad flödesanordning och förfarande för att reglera temperaturen i denna |
US7968469B2 (en) | 2007-01-30 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Method of processing a workpiece in a plasma reactor with variable height ground return path to control plasma ion density uniformity |
US7846497B2 (en) | 2007-02-26 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber |
US8074677B2 (en) | 2007-02-26 | 2011-12-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber |
US7775236B2 (en) | 2007-02-26 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber |
US7988813B2 (en) * | 2007-03-12 | 2011-08-02 | Tokyo Electron Limited | Dynamic control of process chemistry for improved within-substrate process uniformity |
JP5317424B2 (ja) | 2007-03-28 | 2013-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US8202393B2 (en) | 2007-08-29 | 2012-06-19 | Lam Research Corporation | Alternate gas delivery and evacuation system for plasma processing apparatuses |
US7832354B2 (en) * | 2007-09-05 | 2010-11-16 | Applied Materials, Inc. | Cathode liner with wafer edge gas injection in a plasma reactor chamber |
US8440259B2 (en) | 2007-09-05 | 2013-05-14 | Intermolecular, Inc. | Vapor based combinatorial processing |
US7824146B2 (en) | 2007-09-07 | 2010-11-02 | Advanced Technology Development Facility | Automated systems and methods for adapting semiconductor fabrication tools to process wafers of different diameters |
JP5459895B2 (ja) | 2007-10-15 | 2014-04-02 | Ckd株式会社 | ガス分流供給ユニット |
US20100264117A1 (en) | 2007-10-31 | 2010-10-21 | Tohoku University | Plasma processing system and plasma processing method |
US8999106B2 (en) | 2007-12-19 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling edge performance in an inductively coupled plasma chamber |
US8137463B2 (en) | 2007-12-19 | 2012-03-20 | Applied Materials, Inc. | Dual zone gas injection nozzle |
US8037894B1 (en) | 2007-12-27 | 2011-10-18 | Intermolecular, Inc. | Maintaining flow rate of a fluid |
JP4585035B2 (ja) | 2007-12-27 | 2010-11-24 | 株式会社堀場エステック | 流量比率制御装置 |
CN101978132B (zh) | 2008-01-18 | 2015-04-29 | 关键***公司 | 对气体流动控制器进行现场测试的方法和设备 |
JP2009188173A (ja) | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP5759177B2 (ja) | 2008-02-08 | 2015-08-05 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理装置、半導体基板を処理する方法、および軸直角変位ベローズユニット |
US8969151B2 (en) | 2008-02-29 | 2015-03-03 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Integrated circuit system employing resistance altering techniques |
US8110068B2 (en) | 2008-03-20 | 2012-02-07 | Novellus Systems, Inc. | Gas flow distribution receptacles, plasma generator systems, and methods for performing plasma stripping processes |
CN102446739B (zh) | 2008-03-21 | 2016-01-20 | 应用材料公司 | 基材蚀刻***与制程的方法及设备 |
JP2010034416A (ja) | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
AU2009281170B2 (en) | 2008-08-13 | 2013-01-31 | Shell Internationale Research Maatschappij B.V. | Method for controlling a gas flow between a plurality of gas streams |
US8089046B2 (en) | 2008-09-19 | 2012-01-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for calibrating mass flow controllers |
CN101754565B (zh) * | 2008-12-03 | 2012-07-25 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种电极组件及应用该电极组件的等离子体处理设备 |
US8809196B2 (en) | 2009-01-14 | 2014-08-19 | Tokyo Electron Limited | Method of etching a thin film using pressure modulation |
JP5216632B2 (ja) | 2009-03-03 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 流体制御装置 |
US8409995B2 (en) | 2009-08-07 | 2013-04-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, positioning method and focus ring installation method |
WO2011021539A1 (ja) | 2009-08-20 | 2011-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置とプラズマ処理方法 |
TW201123293A (en) | 2009-10-26 | 2011-07-01 | Solvay Fluor Gmbh | Etching process for producing a TFT matrix |
TWI569322B (zh) | 2009-12-02 | 2017-02-01 | 史畢茲科技公司 | 高選擇性蝕刻系統與方法 |
US9127361B2 (en) | 2009-12-07 | 2015-09-08 | Mks Instruments, Inc. | Methods of and apparatus for controlling pressure in multiple zones of a process tool |
EP2518581B1 (en) | 2009-12-25 | 2019-03-06 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Mass flow controller system |
US9324572B2 (en) | 2010-03-04 | 2016-04-26 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method, method for producing semiconductor device, and plasma etching device |
US20110265883A1 (en) | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for reducing flow splitting errors using orifice ratio conductance control |
JP5584517B2 (ja) | 2010-05-12 | 2014-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US8485128B2 (en) | 2010-06-30 | 2013-07-16 | Lam Research Corporation | Movable ground ring for a plasma processing chamber |
KR20130093597A (ko) | 2010-08-02 | 2013-08-22 | 바젤 폴리올레핀 게엠베하 | 유체 흐름들을 혼합하고 분할하는 방법 및 장치 |
US8869742B2 (en) | 2010-08-04 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust |
JP2012049376A (ja) | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US8905074B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-12-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling gas distribution using orifice ratio conductance control |
GB2486941C (en) | 2010-12-08 | 2014-07-30 | Oc Oerlikon Balters Ag | Apparatus and method for depositing a layer onto asubstrate |
US20120149213A1 (en) | 2010-12-09 | 2012-06-14 | Lakshminarayana Nittala | Bottom up fill in high aspect ratio trenches |
JP5855921B2 (ja) | 2010-12-17 | 2016-02-09 | 株式会社堀場エステック | ガス濃度調整装置 |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
JP2012222235A (ja) | 2011-04-12 | 2012-11-12 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
US9059678B2 (en) | 2011-04-28 | 2015-06-16 | Lam Research Corporation | TCCT match circuit for plasma etch chambers |
US8746284B2 (en) | 2011-05-11 | 2014-06-10 | Intermolecular, Inc. | Apparatus and method for multiple symmetrical divisional gas distribution |
WO2012166264A2 (en) | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Applied Materials, Inc. | Dynamic ion radical sieve and ion radical aperture for an inductively coupled plasma (icp) reactor |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
JP5377587B2 (ja) | 2011-07-06 | 2013-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | アンテナ、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP5739261B2 (ja) | 2011-07-28 | 2015-06-24 | 株式会社堀場エステック | ガス供給システム |
US8728239B2 (en) | 2011-07-29 | 2014-05-20 | Asm America, Inc. | Methods and apparatus for a gas panel with constant gas flow |
JP5948026B2 (ja) | 2011-08-17 | 2016-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置及び処理方法 |
US20130045605A1 (en) | 2011-08-18 | 2013-02-21 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-nitrogen-containing films |
US8849466B2 (en) | 2011-10-04 | 2014-09-30 | Mks Instruments, Inc. | Method of and apparatus for multiple channel flow ratio controller system |
US20130104996A1 (en) | 2011-10-26 | 2013-05-02 | Applied Materials, Inc. | Method for balancing gas flow supplying multiple cvd reactors |
US8933628B2 (en) | 2011-10-28 | 2015-01-13 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma source with phase control |
JP5932599B2 (ja) | 2011-10-31 | 2016-06-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマエッチング方法 |
US8671733B2 (en) | 2011-12-13 | 2014-03-18 | Intermolecular, Inc. | Calibration procedure considering gas solubility |
US8900469B2 (en) | 2011-12-19 | 2014-12-02 | Applied Materials, Inc. | Etch rate detection for anti-reflective coating layer and absorber layer etching |
US8592328B2 (en) | 2012-01-20 | 2013-11-26 | Novellus Systems, Inc. | Method for depositing a chlorine-free conformal sin film |
WO2013123617A1 (en) | 2012-02-22 | 2013-08-29 | Agilent Technologies, Inc. | Mass flow controllers and methods for auto-zeroing flow sensor without shutting off a mass flow controller |
JP5881467B2 (ja) | 2012-02-29 | 2016-03-09 | 株式会社フジキン | ガス分流供給装置及びこれを用いたガス分流供給方法 |
US9301383B2 (en) | 2012-03-30 | 2016-03-29 | Tokyo Electron Limited | Low electron temperature, edge-density enhanced, surface wave plasma (SWP) processing method and apparatus |
KR101974420B1 (ko) | 2012-06-08 | 2019-05-02 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 방법 |
KR101974422B1 (ko) | 2012-06-27 | 2019-05-02 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 방법 |
US20140027060A1 (en) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | Applied Matericals, Inc | Gas distribution apparatus for substrate processing systems |
US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
KR102207992B1 (ko) | 2012-10-23 | 2021-01-26 | 램 리써치 코포레이션 | 서브-포화된 원자층 증착 및 등각막 증착 |
JP5616416B2 (ja) | 2012-11-02 | 2014-10-29 | 株式会社フジキン | 集積型ガス供給装置 |
US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
US20140144471A1 (en) | 2012-11-28 | 2014-05-29 | Intermolecular, Inc. | Contamination Control, Rinsing, and Purging Methods to Extend the Life of Components within Combinatorial Processing Systems |
US9090972B2 (en) | 2012-12-31 | 2015-07-28 | Lam Research Corporation | Gas supply systems for substrate processing chambers and methods therefor |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
KR102152858B1 (ko) | 2013-03-12 | 2020-09-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 방위각 및 방사상 분배 제어되는 다중-구역 가스 주입 조립체 |
US20140273460A1 (en) | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Passive control for through silicon via tilt in icp chamber |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
US9425077B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-08-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with transportable edge ring for substrate transport |
KR20140132542A (ko) | 2013-05-08 | 2014-11-18 | 주식회사 미코 | 세라믹 히터 및 이의 제조 방법 |
US20150010381A1 (en) | 2013-07-08 | 2015-01-08 | United Microelectronics Corp. | Wafer processing chamber and method for transferring wafer in the same |
US9147581B2 (en) | 2013-07-11 | 2015-09-29 | Lam Research Corporation | Dual chamber plasma etcher with ion accelerator |
CN104299929A (zh) | 2013-07-19 | 2015-01-21 | 朗姆研究公司 | 用于原位晶片边缘和背侧等离子体清洁的***和方法 |
JP6193679B2 (ja) | 2013-08-30 | 2017-09-06 | 株式会社フジキン | ガス分流供給装置及びガス分流供給方法 |
US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
CN103730318B (zh) | 2013-11-15 | 2016-04-06 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种晶圆边缘保护环及减少晶圆边缘颗粒的方法 |
JP5950892B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2016-07-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
WO2015099892A1 (en) | 2013-12-23 | 2015-07-02 | Applied Materials, Inc. | Extreme edge and skew control in icp plasma reactor |
US20150184287A1 (en) | 2013-12-26 | 2015-07-02 | Intermolecular, Inc. | Systems and Methods for Parallel Combinatorial Vapor Deposition Processing |
CN104752141B (zh) | 2013-12-31 | 2017-02-08 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种等离子体处理装置及其运行方法 |
CN104851832B (zh) | 2014-02-18 | 2018-01-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种固定装置、反应腔室及等离子体加工设备 |
US9580360B2 (en) | 2014-04-07 | 2017-02-28 | Lam Research Corporation | Monolithic ceramic component of gas delivery system and method of making and use thereof |
JP6204869B2 (ja) | 2014-04-09 | 2017-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US20150340209A1 (en) | 2014-05-20 | 2015-11-26 | Micron Technology, Inc. | Focus ring replacement method for a plasma reactor, and associated systems and methods |
US9318343B2 (en) | 2014-06-11 | 2016-04-19 | Tokyo Electron Limited | Method to improve etch selectivity during silicon nitride spacer etch |
CN105336561B (zh) | 2014-07-18 | 2017-07-21 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体刻蚀装置 |
KR101598465B1 (ko) | 2014-09-30 | 2016-03-02 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
SG11201703129YA (en) | 2014-10-17 | 2017-05-30 | Lam Res Corp | Gas supply delivery arrangement including a gas splitter for tunable gas flow control |
US20160181116A1 (en) | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Lam Research Corporation | Selective nitride etch |
US11605546B2 (en) * | 2015-01-16 | 2023-03-14 | Lam Research Corporation | Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing |
TW201634738A (zh) | 2015-01-22 | 2016-10-01 | 應用材料股份有限公司 | 用於在空間上分離之原子層沉積腔室的經改良注射器 |
US9911620B2 (en) | 2015-02-23 | 2018-03-06 | Lam Research Corporation | Method for achieving ultra-high selectivity while etching silicon nitride |
US10957561B2 (en) | 2015-07-30 | 2021-03-23 | Lam Research Corporation | Gas delivery system |
US9837286B2 (en) | 2015-09-04 | 2017-12-05 | Lam Research Corporation | Systems and methods for selectively etching tungsten in a downstream reactor |
US10192751B2 (en) | 2015-10-15 | 2019-01-29 | Lam Research Corporation | Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch |
US10825659B2 (en) | 2016-01-07 | 2020-11-03 | Lam Research Corporation | Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector |
CN108369922B (zh) | 2016-01-26 | 2023-03-21 | 应用材料公司 | 晶片边缘环升降解决方案 |
US9640409B1 (en) | 2016-02-02 | 2017-05-02 | Lam Research Corporation | Self-limited planarization of hardmask |
US10147588B2 (en) | 2016-02-12 | 2018-12-04 | Lam Research Corporation | System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system |
US10699878B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-06-30 | Lam Research Corporation | Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring |
US10651015B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-05-12 | Lam Research Corporation | Variable depth edge ring for etch uniformity control |
US10438833B2 (en) | 2016-02-16 | 2019-10-08 | Lam Research Corporation | Wafer lift ring system for wafer transfer |
CN107093569B (zh) | 2016-02-18 | 2019-07-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种晶片定位装置及反应腔室 |
US20170278679A1 (en) | 2016-03-24 | 2017-09-28 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling process within wafer uniformity |
US11011353B2 (en) | 2016-03-29 | 2021-05-18 | Lam Research Corporation | Systems and methods for performing edge ring characterization |
US10312121B2 (en) | 2016-03-29 | 2019-06-04 | Lam Research Corporation | Systems and methods for aligning measurement device in substrate processing systems |
US10410832B2 (en) | 2016-08-19 | 2019-09-10 | Lam Research Corporation | Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment |
US10510516B2 (en) * | 2016-11-29 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Moving focus ring for plasma etcher |
US10504738B2 (en) * | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Focus ring for plasma etcher |
-
2016
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001230239A (ja) | 2000-02-15 | 2001-08-24 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
JP2001257098A (ja) | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 放電電極への給電方法、高周波プラズマ生成方法および半導体製造方法 |
JP2002217171A (ja) | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Sony Corp | エッチング装置 |
JP2008141147A (ja) | 2006-11-09 | 2008-06-19 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 |
JP2009065153A (ja) | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Applied Materials Inc | プラズマリアクタチャンバにおいてウェハ縁端部でガスを注入するカソードライナ |
JP2009152269A (ja) | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Sony Corp | ドライエッチング装置および半導体装置の製造方法 |
JP2016146472A (ja) | 2015-01-16 | 2016-08-12 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 半導体ウエハ処理中におけるエッジ処理制御のための可動式エッジ連結リング |
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