JP2012049376A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第一のエッチングガス供給手段と第二のエッチングガス供給手段を設け、それぞれのエッチングガス供給手段を調整し、前記第二のエッチングガス供給手段をウエハ周辺に設置し、処理室内のエッチングガス流れ、反応生成物流れを制御する。
【選択図】図5
Description
以下、本発明の一実施例であるマイクロ波ECR(Electron Cyclotron Resonance)エッチング装置を図1により説明する。上部が開放された真空容器101の上部に、真空容器101内にエッチングガスを封入するための誘電体窓103(例えば石英製)を設置することにより処理室104を形成する。また、真空容器101には真空排気口106を介し真空排気装置(図示省略)が接続されている。
本実施例の第2の実施例を図5を用いて説明する。本図が図1と異なる点を以下に説明する。下記相違点以外は実施例1と実質的に同一である。
Claims (18)
- 真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、該処理室内へガスを供給する装置と、前記処理室内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、被処理材であるウエハを温度調節された電極上に静電気力により吸着して固定する手段から成るプラズマ処理装置において、
前記処理室にエッチングガスを供給する第一のエッチングガス供給手段と、該第一のエッチングガス供給手段とは別に設けられた第二のエッチングガス供給手段を設け、前記処理室内のエッチングガス流れ分布、反応生成物流れ分布を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、該処理室内へガスを供給する装置と、前記処理室内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、被処理材を温度調節された電極上に静電気力により吸着して固定する手段から成るプラズマ処理装置において、
1種類以上のエッチングガスを供給するための1種類以上のガスボンベと、前記1種類以上のエッチングガスを導入するための前記1種類以上のガスボンベに対応したガス配管とガスバルブと、前記1種類以上のエッチングガスの供給量を制御するための前記1種類以上のエッチングガスに対応した1種類以上のガス流量制御器と、前記1種類以上の供給量を制御されたエッチングガスを混合し処理室に導入するためのガス配管とガスバルブからなる第一のエッチングガス供給手段が設けられ、
該第一のエッチングガス供給手段とは別に、1種類以上のエッチングガスを供給するための1種類以上のガスボンベと、前記1種類以上のエッチングガスを導入するための前記1種類以上のガスボンベに対応したガス配管とガスバルブと、前記1種類以上のエッチングガスの供給量を制御するための前記1種類以上のエッチングガスに対応した1種類以上のガス流量制御器と、前記1種類以上の供給量を制御されたエッチングガスを混合し処理室に導入するためのガス配管とガスバルブからなる第二のエッチングガス供給手段が設けられ、
前記処理室内のエッチングガス流れ分布、反応生成物流れ分布を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、該処理室内へガスを供給する装置と、前記処理室内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、被処理材を温度調節された電極上に静電気力により吸着して固定する手段から成るプラズマ処理装置において、
前記処理室内にガスを供給する装置がエッチングガスを供給する第一のエッチングガス供給手段と、該第一のエッチングガス供給手段とは別に設けられた第二のエッチングガス供給手段から構成され、該第二のエッチングガス供給手段を前記被処理材の載置用電極の周辺に設けられたサセプタに接続し、エッチングガスを前記被処理材の周辺からも導入できるようにし、
前記処理室内のエッチングガス流れ分布、反応生成物流れ分布を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1から3の何れか1項に記載のプラズマ処理装置において、
前記第二のエッチングガス供給手段から導入されたエッチングガスを被処理材に対して概略平行方向でかつ被処理材の外周から概略中心方向に導入することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1から3の何れか1項に記載のプラズマ処理装置において、
前記第一のエッチングガス供給手段を前記処理室上面に設け、前記第一のエッチングガス供給手段から導入されたエッチングガスが被処理材に対向する前記処理室上面から供給されることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1から3の何れか1項に記載のプラズマ処理装置において、
前記第一のエッチングガス供給手段と前記第二のエッチングガス供給手段においてそれぞれエッチングガス供給手段に接続されるエッチングガスボンベを前記第一のエッチングガス供給手段と前記第二のエッチング供給手段において共通のものとしたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1から3の何れか1項に記載のプラズマ処理装置において、
前記処理室、前記第一のエッチングガス供給手段と前記第二のエッチングガス供給手段、前記プラズマ発生手段、被処理材載置用電極、および真空排気手段を前記処理室の中心軸に対して同軸上に配置したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1から3の何れか1項に記載のプラズマ処理装置において、
あらかじめ決められた順序に従い、前記被処理材にプラズマ処理の各段階を順次進める場合に、各段階で前記第一のエッチングガス供給手段と前記第二のエッチングガス供給手段を調整し、
前記処理室内のエッチングガス流れ分布、反応生成物流れ分布を各段階で制御することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項3記載のプラズマ処理装置において、
前記第二のエッチングガス供給手段から導入されたエッチングガスを前記サセプタの内径部から導入できるように該内径部の全周に1個以上複数の概略スリット状の開口、あるいはホール状の開口を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項3記載のプラズマ処理装置において、
前記第二のエッチングガス供給手段から導入されたエッチングガスを前記サセプタの内径部から導入できるように前記内径部に設けた開口部の位置が、径方向において被処理材の最外周の位置よりも大きく、さらに被処理材の最外周の位置から径方向に1mmから30mm以内の位置とすることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項3記載のプラズマ処理装置において、
前記サセプタ内部にガスだまりを設け、前期第二のエッチングガス供給手段を前記ガスだまりに接続することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項3記載のプラズマ処理装置において、
前記サセプタが複数の部材からなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項3記載のプラズマ処理装置において、
前記サセプタが複数の部材を貼合わせた構造であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、該処理室内へガスを供給する装置と、前記該処理室内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、被処理材を温度調節された電極上に静電気力により吸着して固定する手段から成るプラズマ処理装置において、
前記処理室にエッチングガスを供給する第一のエッチングガス供給手段と、該第一のエッチングガス供給手段とは別に設けられた1個以上の複数のエッチングガス供給手段とを設け、前記処理室内のエッチングガス流れ分布、反応生成物流れ分布を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空排気装置により処理室内部を減圧し、該処理室内へガスを供給し、前記処理室内部にプラズマを発生させ、被処理材を温度調節された電極上に静電気力により吸着して前記被処理材をプラズマ処理する方法において、
前記処理室にエッチングガスを供給する第一のエッチングガス供給手段と、該第一のエッチングガス供給手段とは別に設けられた第二のエッチングガス供給手段を用い、前記第一のエッチングガス供給手段と、前記第二のエッチングガス供給手段とのそれぞれのエッチングガス種、エッチングガス流量、エッチングガスの流量比を調整し、
前記処理室内のエッチングガス流れ分布、反応生成物流れ分布を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 真空排気装置により処理室内部を減圧し、該処理室内へガスを供給し、前記処理室内部にプラズマを発生させ、被処理材を温度調節された電極上に静電気力により吸着して前記被処理材をプラズマ処理する方法において、
前記処理室にエッチングガスを供給する第一のエッチングガス供給手段と、該第一のエッチングガス供給手段とは別に設けられた第二のエッチングガス供給手段を用い、該第二のエッチングガス供給手段から導入されるエッチングガスとして被処理材のエッチングを促進または抑制させるガス、および不活性ガスを導入し、
前記処理室内のエッチングガス流れ分布、反応生成物流れ分布を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項16記載のプラズマ処理方法において、
あらかじめ決められた順序に従い、前記被処理材のプラズマ処理の各段階を順次進める場合に、前記第一のエッチングガス供給手段と前記第二のエッチングガス供給手段を各段階で調整することにより、前記処理室内のエッチングガス流れ分布、反応生成物流れ分布を各段階で制御することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、該処理室内へガスを供給する装置と、前記処理室内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、被処理材を温度調節された電極上に静電気力により吸着して固定する手段から成るプラズマ処理装置において、
前記処理室内のエッチングガス流れ分布、反応生成物流れを制御することで、被処理材のエッチングレート分布やエッチング形状分布を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。
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