JP7432100B2 - 異なる部分領域を有する側面を備えた半導体装置 - Google Patents
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Description
1 半導体装置
2 半導体本体
21 第1の主面
22 第2の主面
31 第1の半導体層
32 第2の半導体層
33 第3の半導体層
34 第4の半導体層
35 第5の半導体層
41 第1のpn接合
42 第2のpn接合
5 側面
51 第1の部分領域
52 第2の部分領域
53 第3の部分領域
55 痕跡
6 基材
60 基材の側面
7 絶縁体
α 第1の角度
β 第2の角度
γ 第3の角度
w1 第1の部分領域の横方向の大きさ
w2 第2の部分領域の横方向の大きさ
Claims (9)
- 半導体本体(2)を有する半導体装置(1)であって、前記半導体本体(2)は、第1の主面(21)と、前記第1の主面(21)の反対側の第2の主面(22)との間で、鉛直方向に延在し、
前記半導体本体(2)は、第1の導電型の第1の半導体層(31)と、前記第1の導電型と異なる第2の導電型の第2の半導体層(32)とを含むことにより、第1のpn接合(41)を形成し、
前記第1の半導体層(31)は前記第2の半導体層(32)よりも高濃度にドープされ、
前記第1の主面(21)と前記第2の主面(22)との間に延在する前記半導体本体(2)の側面(5)が、横方向において前記半導体本体(2)の境界を定めており、
前記半導体本体(2)の前記側面(5)は、第1の部分領域(51)と、第2の部分領域(52)とを含み、
前記第1の部分領域(51)および前記第2の部分領域(52)は、前記第1の半導体層(31)の領域の境界を定めており、
前記第1の部分領域(51)は、前記横方向において前記第1のpn接合(41)の境界を定めており、
前記第2の部分領域(52)は、前記第1のpn接合(41)から前記鉛直方向に離間しており、
前記第1の部分領域(51)は、前記第1のpn接合(41)に対して第1の角度(α)で配置され、前記第2の部分領域(52)は、前記第1のpn接合(41)に対して第2の角度(β)で配置され、前記第1の角度(α)は前記第2の角度(β)よりも大きく、
前記側面(5)は第3の部分領域(53)を含み、前記第1の部分領域(51)は前記第2の部分領域(52)と前記第3の部分領域(53)との間に配置され、前記第3の部分領域(53)は前記第1の部分領域(51)に直接隣接し、
前記半導体本体(2)は第2のpn接合(42)をさらに含み、前記第3の部分領域(53)は、前記横方向において前記第2のpn接合(42)の境界を定めており、
前記第3の部分領域(53)は、前記第1のpn接合(41)に対して第3の角度(γ)で配置され、前記第3の角度(γ)は前記第1の角度(α)よりも大きく、前記第3の角度(γ)は20°以上60°以下であり、
前記第1の角度(α)は前記第1の部分領域(51)内で一定であり、前記第2の角度(β)は前記第2の部分領域(52)内で一定であり、前記第3の角度(γ)は前記第3の部分領域(53)内で一定である、半導体装置(1)。 - 前記第1の角度(α)は5°以上20°以下である、請求項1に記載の半導体装置(1)。
- 前記第2の角度(β)は0.8°以上5°以下である、請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記鉛直方向に沿って見たときに、前記第1の部分領域(51)の前記横方向の大きさ(w1)は、前記第2の部分領域(52)の前記横方向の大きさ(w2)よりも小さい、請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置(1)。
- 前記第1の部分領域(51)および前記第2の部分領域(52)は、機械的アブレーション法の痕跡(55)を示す、請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置(1)。
- 前記第1の部分領域(51)および前記第2の部分領域(52)は、レーザアブレーション法の痕跡(55)を示す、請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置(1)。
- 前記第2のpn接合(42)は、前記第2の半導体層(32)と、前記第1の導電型の第3の半導体層(33)との間に形成される、請求項1~6のいずれか1項に記載の半導体装置(1)。
- 前記半導体装置(1)はサイリスタである、請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体装置(1)。
- 前記サイリスタは正負ベベル設計を有し、前記負ベベルは前記第1および第2の部分領域を含む、請求項8に記載の半導体装置(1)。
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