JP7355827B2 - 精密に制御された容量性エリアを有するコンデンサを備える多層電子デバイス - Google Patents
精密に制御された容量性エリアを有するコンデンサを備える多層電子デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP7355827B2 JP7355827B2 JP2021535613A JP2021535613A JP7355827B2 JP 7355827 B2 JP7355827 B2 JP 7355827B2 JP 2021535613 A JP2021535613 A JP 2021535613A JP 2021535613 A JP2021535613 A JP 2021535613A JP 7355827 B2 JP7355827 B2 JP 7355827B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- offset
- capacitor
- filter
- pair
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 155
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 35
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 9
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 claims description 4
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229920013636 polyphenyl ether polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000004513 sizing Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 289
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 27
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 26
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 241000242532 Polycladida Species 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
- H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
- H01G2/065—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support for surface mounting, e.g. chip capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
- H01G4/306—Stacked capacitors made by thin film techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4697—Manufacturing multilayer circuits having cavities, e.g. for mounting components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/38—Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H2001/0021—Constructional details
- H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10015—Non-printed capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/1003—Non-printed inductor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10431—Details of mounted components
- H05K2201/10507—Involving several components
- H05K2201/10515—Stacked components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
本出願は、参照によりその全体が本明細書に援用される、2018年12月20日の出願日を有する米国仮特許出願第62/782,496号の出願日の利益を主張する。
本考察は例示的な実施形態の説明にすぎず、本開示のより広い態様を限定することは意図されていないことが当業者には理解されるべきであり、このより広い態様は例示的な構造において具体化される。
いくつかの実施形態では、多層電子デバイスは、入力および出力を有する信号経路を含むことができる。信号経路は、誘電体層のうちの1つまたは複数の上に重なり、1つまたは複数のビアに接続された、1つまたは複数の導電層を含むことができる。
I.多層フィルタ
図1は、本開示の態様による多層フィルタ100の簡単な概略図である。フィルタ100は、1つまたは複数のインダクタ102、104、106と、1つまたは複数のコンデンサ108、110、112とを備えることができる。入力電圧(図1においてViによって表される)を、フィルタ100に入力することができ、出力電圧(図1においてVoによって表される)をフィルタ100によって出力することができる。バンドパスフィルタ100は、パスバンド周波数範囲内の周波数が実質的に影響を受けずにフィルタ100を透過することを可能にしながら、低周波数および高周波数を大幅に低減することができる。上記で説明した簡単なフィルタ100は、バンドパスフィルタの簡単な例にすぎず、本開示の態様を、より複雑なバンドパスフィルタに適用することができることを理解されたい。加えて、本開示の態様は、例えば、ローパスフィルタまたはハイパスフィルタを含む他のタイプのフィルタに適用されてもよい。
II.例示的なコンデンサ
図5A~図5Dは、それぞれ多層フィルタ300の第1~第4のコンデンサの平面図である。図5Aを参照すると、第1のコンデンサは、第1の導電層502(例えば信号経路316の一部分336)と、Z方向において離間された第2の導電層504(例えば導電層330)とを備えることができる。第1の導電層502および第2の導電層504は、重複エリアにおいて、X-Y平面において重なることができる。重複エリアは、第1および第2の導電層502、504間の相対的ずれの影響を受けにくくすることができる。したがって、第1のコンデンサは、「自己整合」していると記述することができる。より詳細には、第1の導電層502は、部分336からX方向に延び、重複エリアの境界501において等しい幅500を有する、タブ337およびコネクタ部分338を備えることができる。同様に、第1の導電層502は、Y方向に延び、等しい幅503を有する、接続部340を備えることができる。結果として、XおよびY方向における相対的ずれにより重複のサイズを変化させないことができる。
突起部552(図5Bにおいてクロスハッチングによって表される)を、オフセット縁部542、544によって形成することができる。突起部552は、第1の導電層530の平行な縁部543、536の外側に位置する第1の導電層の一部分として定義することができる。突起部552は、重複エリアのサイズを増大させることができ、これにより、第2のコンデンサの、結果として得られる容量を増大させることができる。様々な突起部552のサイズは、重複エリアのサイズを微調整し、これにより第2のコンデンサの精密な容量を微調整するように選択することができる。
III.更なる例示的な実施形態
図6Aは、本開示の態様による多層フィルタ600の別の実施形態の斜視図を示す。図6Bは、図6Aの多層フィルタ600の別の斜視図を示す。フィルタ600は、通常、図3~図5Dを参照して上記で説明したフィルタ300と類似した方式で構成することができる。フィルタ600は、入力602と、出力604と、入力602および出力604を接続する信号経路606とを備えることができる。フィルタ600は、1つまたは複数のグラウンド電極610と電気的に接続されたグラウンドプレーン608も備えることができる。
本明細書において説明したフィルタの様々な実施形態は、任意の適切なタイプの電気コンポーネントにおいて用途を見出すことができる。フィルタは、高周波数無線信号を受信、送信、または他の形で用いるデバイスにおいて特定の用途を見出すことができる。例示的な用途は、スマートフォン、信号中継器(例えば、スモールセル)、中継局およびレーダを含む。
図12~図17は、様々なフィルタのための試験結果およびシミュレーションデータを表す。図12を参照すると、本開示の態様による多層フィルタが構築され試験された。測定された挿入損失(S21)値および測定されたリターン損失(S11)値が0GHz~45GHzでプロットされている。シミュレートされた挿入損失(S21)値およびシミュレートされたリターン損失(S11)値が0GHz~35GHzでプロットされている。測定パスバンドは、約13.2GHz~約15.8GHzである。
試験方法
図18を参照すると、本開示の態様に従って、試験アセンブリ1800を用いて、多層フィルタ1802の挿入損失およびリターン損失等の性能特性を試験することができる。フィルタ1802は、試験基板1804に実装することができる。入力線1806および出力線1808は、各々試験基板1804に接続された。試験基板1804は、入力線1806をフィルタ1802の入力と電気的に接続し、出力線1808をフィルタ1802の出力と電気的に接続するマイクロストリップ線1810を含むことができる。入力信号が、ソース信号発生器(例えば、1806 Keithley 2400シリーズのソース測定ユニット(SMU)、例えば、Keithley 2410-C SMU)を用いて入力線に適用され、フィルタ1802の結果としての出力が、(例えば、ソース信号発生器を用いて)出力線18108において測定された。これは、フィルタの様々な構成について繰り返された。
Claims (26)
- 多層電子デバイスを形成する方法であって、
複数の誘電体層を設けるステップと、
前記複数の誘電体層のうちの1つの上に重なる第1の導電層を形成するステップであって、前記第1の導電層は、平行な縁部の対と、前記平行な縁部の対と平行なオフセット縁部とを有し、前記オフセット縁部は、500マイクロメートル(500ミクロン)未満のオフセット距離だけ、前記平行な縁部の対のうちの少なくとも一方からオフセットされる、ステップと、
前記複数の誘電体層のうちの別のものの上に重なる第2の導電層を形成するステップと、
前記1の導電層が、重複エリアにおいて、X-Y平面において前記第2の導電層の上に重なるように、かつ前記第1の導電層の前記平行な縁部の対が前記重複エリアの境界に交差するように、かつ前記第1の導電層のオフセット縁部が前記重複エリア内に位置するように、X-Y平面に垂直なZ方向において前記複数の誘電体層を積層するステップと、
を含み、
前記オフセット距離は正確にパターニングすることができる最小の線幅として定義される1正方形ユニットを用いて調整可能に構成される、方法。 - 前記第1の導電層は、前記平行な縁部の対間の第1の幅と、前記オフセット縁部に垂直な方向における、前記オフセット縁部における第2の幅とを有し、前記第2の幅は前記第1の幅よりも大きい、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の導電層は、前記平行な縁部の対間の第1の幅と、前記オフセット縁部に垂直な方向における、前記オフセット縁部における第2の幅とを有し、前記第2の幅は前記第1の幅未満である、請求項1に記載の方法。
- 幅不連続部の縁部が、前記オフセット縁部と、前記平行な縁部の対のうちの前記少なくとも一方との間に延びる、請求項1に記載の方法。
- 前記幅不連続部の縁部は、前記重複エリアの前記境界から少なくとも30マイクロメートル(30ミクロン)に配置される、請求項4に記載の方法。
- 前記第1の導電層は、前記平行な縁部の対のうち他方から、前記オフセット距離とは異なる第2のオフセット距離だけオフセットされた更なるオフセット縁部を含み、あるいは、
前記第1の導電層は、前記平行な縁部の対のうちの前記少なくとも一方から、前記第2のオフセット距離だけオフセットされた更なるオフセット縁部を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記オフセット縁部は突起部を定め、前記突起部は、前記X-Y平面内に、0.2mm2未満のエリアを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記オフセット縁部は、前記重複エリアの内側に凹部を定める、請求項1に記載の方法。
- 前記凹部は、前記X-Y平面内に、0.2mm2未満のエリアを有する、請求項8に記載の方法。
- 前記オフセット縁部は、前記平行な縁部の対と平行な方向において、500マイクロメートル(500ミクロン)未満の長さを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の導電層は、重複エリアにおいて、X-Y平面において前記第1の導電層の上に重なり、コンデンサを形成し、前記コンデンサは、0.5mm2未満の重複エリアを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の導電層は、重複エリアにおいて、X-Y平面において前記第1の導電層の上に重なり、コンデンサを形成し、前記コンデンサは、2よりも大きい重複エリア対特徴エリア比を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の導電層および前記第2の導電層は、前記Z方向において100マイクロメートル(100ミクロン)未満だけ離間される、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の導電層が、重複エリアにおいて、X-Y平面において前記第1の導電層の上に重なり、コンデンサを形成し、前記コンデンサは自己整合する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の導電層と前記第2の導電層との間に配設された誘電材料を備え、前記誘電材料は、25℃の動作温度および1MHzの周波数において、IPC TM-650 2.5.5.3に従って、5~8の範囲をとる誘電率を有する、請求項1に記載の方法。
- 25℃の動作温度および1MHzの周波数において、IPC TM-650 2.5.5.3に従って、1~4の範囲をとる誘電率を有する更なる誘電材料を更に備える、請求項15に記載の方法。
- 前記多層電子デバイスは、フィルタとして構成される、請求項1に記載の方法。
- 前記フィルタは、6GHzよりも大きい周波数を有する、請求項17に記載の方法。
- 前記周波数は、ローパス周波数、ハイパス周波数、またはバンドパス周波数の上限のうちの少なくとも1つを含む、請求項18に記載の方法。
- グラウンドプレーンと、前記第1の導電層または前記第2の導電層のうちの少なくとも一方を前記グラウンドプレーンに電気的に接続するビアとを更に備える、請求項1に記載の方法。
- IPC TM-650 2.5.5.3に従って25℃の動作温度および1MHzの周波数において決定される、100未満の誘電率を有する誘電材料を更に備える、請求項1に記載の方法。
- IPC TM-650 2.5.5.3に従って25℃の動作温度および1MHzの周波数において決定される、100よりも大きい誘電率を有する誘電材料を更に備える、請求項1に記載の方法。
- エポキシを備える誘電材料を更に備える、請求項1に記載の方法。
- 有機誘電材料を更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記有機誘電材料は、液晶ポリマーまたはポリフェニルエーテルのうちの少なくとも一方を含む、請求項24に記載の方法。
- 多層電子デバイスのコンデンサを設計する方法であって、
目標重複エリアを計算するステップと、
前記目標重複エリアに基づいて重複エリアの寸法を選択するステップと、
オフセット縁部と、導電層の平行な縁部の対のうちの少なくとも一方との間のオフセット距離をサイズ設定して、前記重複エリアのサイズを調整し、前記重複エリアのサイズと、前記目標重複エリアのサイズとの差を低減するステップであって、前記導電層の前記平行な縁部の対は、前記重複エリアの境界に位置し、前記オフセット縁部は前記重複エリア内に位置するステップと、を含み、前記オフセット距離は正確にパターニングすることができる最小の線幅として定義される1正方形ユニットを増分して調整可能に構成される、方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023152735A JP2023169326A (ja) | 2018-12-20 | 2023-09-20 | 精密に制御された容量性エリアを有するコンデンサを備える多層電子デバイス |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862782496P | 2018-12-20 | 2018-12-20 | |
US62/782,496 | 2018-12-20 | ||
PCT/US2019/067372 WO2020132183A1 (en) | 2018-12-20 | 2019-12-19 | Multilayer electronic device including a capacitor having a precisely controlled capacitive area |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023152735A Division JP2023169326A (ja) | 2018-12-20 | 2023-09-20 | 精密に制御された容量性エリアを有するコンデンサを備える多層電子デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022515141A JP2022515141A (ja) | 2022-02-17 |
JP7355827B2 true JP7355827B2 (ja) | 2023-10-03 |
Family
ID=71098711
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021535613A Active JP7355827B2 (ja) | 2018-12-20 | 2019-12-19 | 精密に制御された容量性エリアを有するコンデンサを備える多層電子デバイス |
JP2023152735A Pending JP2023169326A (ja) | 2018-12-20 | 2023-09-20 | 精密に制御された容量性エリアを有するコンデンサを備える多層電子デバイス |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023152735A Pending JP2023169326A (ja) | 2018-12-20 | 2023-09-20 | 精密に制御された容量性エリアを有するコンデンサを備える多層電子デバイス |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11563414B2 (ja) |
JP (2) | JP7355827B2 (ja) |
CN (1) | CN113228409B (ja) |
DE (1) | DE112019006334T5 (ja) |
TW (1) | TWI807147B (ja) |
WO (1) | WO2020132183A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022515134A (ja) | 2018-12-20 | 2022-02-17 | エイブイエックス コーポレイション | 高周波数多層フィルタ |
WO2020132025A1 (en) | 2018-12-20 | 2020-06-25 | Avx Corporation | Multilayer filter including a return signal reducing protrusion |
JP7288055B2 (ja) * | 2018-12-20 | 2023-06-06 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | 少なくとも2つのビアと接続されたコンデンサを備える多層フィルタ |
WO2020132187A1 (en) | 2018-12-20 | 2020-06-25 | Avx Corporation | Multilayer electronic device including a high precision inductor |
Family Cites Families (73)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55169843U (ja) * | 1979-05-23 | 1980-12-05 | ||
JPS5828821A (ja) * | 1981-08-12 | 1983-02-19 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜コンデンサ− |
EP0566145B1 (en) | 1992-04-16 | 1998-08-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency low-pass filter |
WO2001061847A1 (en) * | 2000-02-15 | 2001-08-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electronic device |
JP3395754B2 (ja) | 2000-02-24 | 2003-04-14 | 株式会社村田製作所 | デュアルモード・バンドパスフィルタ |
JP3567885B2 (ja) | 2000-11-29 | 2004-09-22 | 株式会社村田製作所 | 積層型lcフィルタ |
DE10064445A1 (de) | 2000-12-22 | 2002-07-11 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement und Anordnung mit dem Bauelement |
JP2003068571A (ja) | 2001-08-27 | 2003-03-07 | Nec Corp | 可変コンデンサおよび可変インダクタ並びにそれらを備えた高周波回路モジュール |
US7239219B2 (en) | 2001-12-03 | 2007-07-03 | Microfabrica Inc. | Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components |
JP2003198308A (ja) | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 積層型lcフィルタ |
US6734755B2 (en) | 2002-05-16 | 2004-05-11 | Corning Incorporated | Broadband uniplanar coplanar transition |
US6900708B2 (en) | 2002-06-26 | 2005-05-31 | Georgia Tech Research Corporation | Integrated passive devices fabricated utilizing multi-layer, organic laminates |
EP1520321A1 (en) | 2002-06-27 | 2005-04-06 | Memgen Corporation | Miniature rf and microwave components and methods for fabricating such components |
JP2004304761A (ja) | 2003-03-18 | 2004-10-28 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型共振部品 |
DE10335331A1 (de) | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Epcos Ag | Elektrisches Bauelement mit überlappenden Elektroden und Verfahren zur Herstellung |
JP3866231B2 (ja) | 2003-09-04 | 2007-01-10 | Tdk株式会社 | 積層型バンドパスフィルタ |
JP2005109951A (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Sony Corp | 共振器および誘電体フィルタ |
US7795995B2 (en) | 2004-02-23 | 2010-09-14 | Georgia Tech Research Corporation | Liquid crystalline polymer and multilayer polymer-based passive signal processing components for RF/wireless multi-band applications |
US6970057B2 (en) | 2004-04-02 | 2005-11-29 | Chi Mei Communication Systems, Inc. | Lowpass filter formed in a multi-layer ceramic |
JPWO2006054601A1 (ja) | 2004-11-19 | 2008-05-29 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ内蔵多層基板とその製造方法、及び冷陰極管点灯装置 |
JP4539422B2 (ja) | 2005-04-27 | 2010-09-08 | 株式会社村田製作所 | チップ型多段フィルタ装置 |
JP4523478B2 (ja) | 2005-04-28 | 2010-08-11 | 京セラ株式会社 | 帯域通過フィルタ及び高周波モジュール、並びにこれを用いた無線通信機器 |
JP4246716B2 (ja) | 2005-05-02 | 2009-04-02 | Tdk株式会社 | 積層型フィルタ |
WO2006134916A1 (ja) | 2005-06-13 | 2006-12-21 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | 積層フィルタ |
US7312676B2 (en) | 2005-07-01 | 2007-12-25 | Tdk Corporation | Multilayer band pass filter |
JP4441886B2 (ja) | 2006-03-31 | 2010-03-31 | Tdk株式会社 | 高周波モジュール |
JP2008004768A (ja) | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Tdk Corp | 積層電子部品の製造方法 |
JP2008017243A (ja) | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Tdk Corp | 電子部品 |
JP2008099060A (ja) | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層型誘電体帯域通過フィルタ |
DE102007020783A1 (de) * | 2007-05-03 | 2008-11-06 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement |
TW200908430A (en) * | 2007-05-18 | 2009-02-16 | Murata Manufacturing Co | Stacked bandpass filter |
US20090027141A1 (en) * | 2007-06-22 | 2009-01-29 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Filter circuit, filter circuit device, multilayered circuit board, and circuit module each including the filter circuit |
US8159313B2 (en) | 2007-10-22 | 2012-04-17 | D-Wave Systems Inc. | Systems, methods, and apparatus for electrical filters and input/output systems |
WO2009060696A1 (ja) | 2007-11-05 | 2009-05-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | チップ型フィルタ部品 |
EP2068393A1 (en) | 2007-12-07 | 2009-06-10 | Panasonic Corporation | Laminated RF device with vertical resonators |
JP4995231B2 (ja) | 2008-05-30 | 2012-08-08 | キヤノン株式会社 | 光学フィルタ |
JP5402932B2 (ja) | 2008-08-11 | 2014-01-29 | 日立金属株式会社 | バンドパスフィルタ、高周波部品及び通信装置 |
US8446705B2 (en) * | 2008-08-18 | 2013-05-21 | Avx Corporation | Ultra broadband capacitor |
US8106722B2 (en) | 2008-08-20 | 2012-01-31 | Panasonic Corporation | Multi-layered device and electronic equipment using thereof |
TWI394189B (zh) * | 2009-06-04 | 2013-04-21 | Ind Tech Res Inst | 電容基板結構 |
JP5035319B2 (ja) * | 2009-10-23 | 2012-09-26 | Tdk株式会社 | 積層型コンデンサ |
US9142342B2 (en) | 2010-05-17 | 2015-09-22 | Ronald Lambert Haner | Compact-area capacitive plates for use with spiral inductors having more than one turn |
TWI442622B (zh) | 2010-11-11 | 2014-06-21 | Murata Manufacturing Co | Laminated bandpass filter |
KR101211045B1 (ko) | 2010-12-17 | 2012-12-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 듀티 사이클 보정 회로 |
CN102354777A (zh) | 2011-07-18 | 2012-02-15 | 西安瓷芯电子科技有限责任公司 | 一种ltcc低通滤波器 |
JP6045285B2 (ja) * | 2011-10-24 | 2016-12-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
EP2618421A1 (en) | 2012-01-19 | 2013-07-24 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Surface Mount Microwave System |
JP5618027B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-11-05 | 株式会社村田製作所 | インピーダンス変換回路およびアンテナ装置 |
KR20140071724A (ko) | 2012-12-04 | 2014-06-12 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
KR20140081360A (ko) * | 2012-12-21 | 2014-07-01 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터, 그 제조방법 및 적층 세라믹 커패시터가 실장된 회로기판 |
US10014843B2 (en) | 2013-08-08 | 2018-07-03 | Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd. | Multilayer electronic structures with embedded filters |
US9349788B2 (en) | 2013-08-08 | 2016-05-24 | Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd. | Thin film capacitors embedded in polymer dielectric |
US20150296617A1 (en) | 2014-04-09 | 2015-10-15 | Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd. | Interposer frame with polymer matrix and methods of fabrication |
US9240392B2 (en) | 2014-04-09 | 2016-01-19 | Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co., Ltd. | Method for fabricating embedded chips |
KR102273027B1 (ko) | 2014-06-09 | 2021-07-05 | 삼성전자주식회사 | 위치정보를 사용하여 설정된 관심영역을 사용하여 영상데이터를 생성하는 방법 및 장치 |
KR101640907B1 (ko) | 2015-03-17 | 2016-07-20 | 주식회사 모다이노칩 | 적층칩 소자 |
JP6578719B2 (ja) | 2015-04-14 | 2019-09-25 | Tdk株式会社 | コイルとコンデンサを含む積層複合電子部品 |
KR20170004238A (ko) | 2015-07-01 | 2017-01-11 | 주식회사 이엠따블유 | 광대역 모듈 및 이를 포함하는 통신 장치 |
JP6380315B2 (ja) | 2015-09-26 | 2018-08-29 | 株式会社村田製作所 | 積層型lcフィルタ |
TWI581562B (zh) * | 2015-10-01 | 2017-05-01 | Murata Manufacturing Co | Laminated bandpass filter |
JP6504021B2 (ja) | 2015-11-04 | 2019-04-24 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
US10063211B2 (en) | 2016-02-03 | 2018-08-28 | Qualcomm Incorporated | Compact bypass and decoupling structure for millimeter-wave circuits |
JP6547707B2 (ja) | 2016-07-29 | 2019-07-24 | 株式会社村田製作所 | 積層フィルタ |
JP2018067612A (ja) | 2016-10-19 | 2018-04-26 | Tdk株式会社 | 差動伝送回路 |
US10389329B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-08-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer electronic component and multilayer LC filter |
US10283566B2 (en) | 2017-06-01 | 2019-05-07 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device with through-stack contact via structures and method of making thereof |
JP6791107B2 (ja) | 2017-12-08 | 2020-11-25 | 株式会社村田製作所 | 積層帯域通過フィルタ |
JP2019205122A (ja) | 2018-05-25 | 2019-11-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
WO2020132025A1 (en) | 2018-12-20 | 2020-06-25 | Avx Corporation | Multilayer filter including a return signal reducing protrusion |
JP2022515134A (ja) | 2018-12-20 | 2022-02-17 | エイブイエックス コーポレイション | 高周波数多層フィルタ |
DE112019006351T5 (de) | 2018-12-20 | 2021-08-26 | Avx Corporation | Mehrschichtfilter, umfassend eine durchkontaktierung mit geringer induktivität |
WO2020132187A1 (en) | 2018-12-20 | 2020-06-25 | Avx Corporation | Multilayer electronic device including a high precision inductor |
JP7288055B2 (ja) | 2018-12-20 | 2023-06-06 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | 少なくとも2つのビアと接続されたコンデンサを備える多層フィルタ |
-
2019
- 2019-12-19 JP JP2021535613A patent/JP7355827B2/ja active Active
- 2019-12-19 WO PCT/US2019/067372 patent/WO2020132183A1/en active Application Filing
- 2019-12-19 CN CN201980084715.0A patent/CN113228409B/zh active Active
- 2019-12-19 US US16/720,042 patent/US11563414B2/en active Active
- 2019-12-19 DE DE112019006334.0T patent/DE112019006334T5/de active Pending
- 2019-12-20 TW TW108147114A patent/TWI807147B/zh active
-
2023
- 2023-09-20 JP JP2023152735A patent/JP2023169326A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022515141A (ja) | 2022-02-17 |
TWI807147B (zh) | 2023-07-01 |
DE112019006334T5 (de) | 2021-09-02 |
JP2023169326A (ja) | 2023-11-29 |
CN113228409A (zh) | 2021-08-06 |
WO2020132183A1 (en) | 2020-06-25 |
US11563414B2 (en) | 2023-01-24 |
WO2020132183A4 (en) | 2020-08-13 |
CN113228409B (zh) | 2022-05-27 |
TW202032592A (zh) | 2020-09-01 |
US20200203075A1 (en) | 2020-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7355827B2 (ja) | 精密に制御された容量性エリアを有するコンデンサを備える多層電子デバイス | |
JP7288055B2 (ja) | 少なくとも2つのビアと接続されたコンデンサを備える多層フィルタ | |
JP2024056900A (ja) | 高周波数多層フィルタ | |
JP7288056B2 (ja) | 高精度インダクタを含む多層電子デバイス | |
JP7268161B2 (ja) | 低インダクタンスビアアセンブリを備える多層フィルタ | |
US11509276B2 (en) | Multilayer filter including a return signal reducing protrusion |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A525 Effective date: 20210816 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210816 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220714 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220801 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221101 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230501 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230822 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230921 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7355827 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |