JPWO2006054601A1 - コンデンサ内蔵多層基板とその製造方法、及び冷陰極管点灯装置 - Google Patents

Abstract

コンデンサ内蔵多層基板を用いた冷陰極管点灯装置により複数の冷陰極管を共通の電源により均一の輝度で点灯させるとともに、冷陰極管点灯装置の小型化を実現することを目的として、少なくとも４つの導体層が積層されたコンデンサ内蔵多層基板は、両面に導体層が形成された誘電体層の部材に対して、その両側から接着層Ｐ１、Ｐ２を介して一方の面に導体層が形成された誘電体層を加熱して押圧し、互いに圧着することにより形成され、特定の導体層をスルーホールの内面に形成された接続部により電気的に接続している。

Description

本発明は、コンデンサ内蔵多層基板とその製造方法、及びそのコンデンサ内蔵多層基板を用いた冷陰極管点灯装置に関し、特に複数の冷陰極管を点灯させるための冷陰極管点灯装置に関する。

蛍光管はその電極の構成により熱陰極管と冷陰極管とに大別される。熱陰極管（以下、ＨＣＦＬと略称する）は電極にフィラメントを有し、このフィラメントを熱して熱電子を放出させて発光する構成である。一方、冷陰極管（以下、ＣＣＦＬと略称する）は電極が高電圧の印加により多数の電子を放出する物質で構成されている。即ち、ＣＣＦＬはＨＣＦＬと異なり、電極が熱電子を放出するフィラメントを含まない構成である。従って、ＣＣＦＬは、ＨＣＦＬに比べて、管径が極めて細く、寿命が長く、そして消費電力が少ない点で有利である。これらの利点により、ＣＣＦＬは主に、液晶ディスプレイのバックライト装置及びファクシミリやスキャナの光源等、特に薄型化、小型化及び省電力化が強く要求される製品における光源として多用されている。

また、ＣＣＦＬは、ＨＣＦＬに比べて、放電開始電圧が高く、放電時に電極間に流れる放電電流（以下、管電流と略称する）が小さく、そしてインピーダンスが高い、という電気的特性を有する。ＣＣＦＬは、特に、管電流の増大に伴い、電極間における抵抗値が急落する、という負性抵抗特性を有する。このようなＣＣＦＬの電気的特性が考慮されて、冷陰極管点灯装置（以下、ＣＣＦＬ点灯装置と略称する）の構成が工夫されている。特に、ＣＣＦＬの用途では装置の小型化や薄型化、及び省電力化が重要視されているため、ＣＣＦＬ点灯装置においても小型化、特に薄型化及び省電力化が強く要求されている。

従来のＣＣＦＬ点灯装置としては、例えば、日本の特開平８−２７３８６２号公報に開示されたものがある。図１２は、その従来のＣＣＦＬ点灯装置の構成を示す回路図である。図１２に示す従来のＣＣＦＬ点灯装置は、高周波発振回路２００、昇圧トランス３００、及びインピーダンス整合部４００を有する。

高周波発振回路２００は、直流電源１００からの直流電圧を高周波の交流電圧に変換し、その交流電圧を昇圧トランス３００の一次巻線Ｌ１に印加する。昇圧トランス３００は一次巻線Ｌ１に印加された電圧より極めて高い電圧を二次巻線Ｌ２の両端に発生させる。その高い二次電圧Ｖはインピーダンス整合部４００でインピーダンスが整合されてＣＣＦＬ５００の両端に印加される。インピーダンス整合部４００は、例えば、チョークコイル４０１とコンデンサ４０２との直列回路を具備する。コンデンサ４０２はＣＣＦＬ５００の周辺の浮遊容量を含む。インピーダンス整合部４００において、チョークコイル４０１のインダクタンスとコンデンサ４０２の容量との調節により、昇圧トランス３００とＣＣＦＬ５００との間のインピーダンスが整合される。

ＣＣＦＬ５００の点灯時、昇圧トランス３００の一次巻線Ｌ１に電圧が印加されると、インピーダンス整合部４００のチョークコイル４０１とコンデンサ４０２との共振によりＣＣＦＬ５００の両端電圧ＶＲが急上昇し、その両端電圧ＶＲは放電開始電圧を超える。この結果、ＣＣＦＬ５００は放電を開始し、発光を始める。その後、ＣＣＦＬ５００の電極間に流れる管電流ＩＲは増加し、この管電流ＩＲの増加に伴い、負性抵抗特性によりＣＣＦＬ５００の抵抗値は急落する。ＣＣＦＬ５００の抵抗値の急落に伴い、ＣＣＦＬ５００の両端電圧ＶＲが降下する。そのとき、インピーダンス整合部４００の作用により、ＣＣＦＬ５００の両端電圧ＶＲの変動に関わらず、管電流ＩＲは安定に維持される。すなわち、ＣＣＦＬ５００の輝度が安定状態に維持される。

図１２に示した回路図では、昇圧トランス３００の二次巻線Ｌ２とチョークコイル４０１が異なる回路素子として表示している。しかし、実際のＣＣＦＬ点灯装置では、一つの漏洩磁束型トランスの二次巻線が、昇圧、チョーク、及びインピーダンス整合の三つの作用のために兼用されている。従って、漏洩磁束型トランスを有するＣＣＦＬ点灯装置は、部品点数が少なく、装置サイズを小さく抑えることが可能な構成であった。すなわち、従来のＣＣＦＬ点灯装置では漏洩磁束型トランスが特に小型化において有利であると考えられ、多用されていた。
特開平８−２７３８６２号公報 特開２００３−２１８５３６号公報 特開２００４−２００２６３号公報 特開２００２−２０４０７３号公報

液晶ディスプレイにおけるバックライト装置では、特に高輝度が要求される。従って、そのバックライト装置として棒状のＣＣＦＬ（冷陰極管）を用いる場合には、複数のＣＣＦＬの設置が望ましい。このようなバックライト装置においては、複数のＣＣＦＬのそれぞれの輝度が同じであることが望ましい。また、このような液晶ディスプレイの分野における重要な課題である小型化を達成するためには、ＣＣＦＬを点灯させるための点灯装置は小型でなければならなかった。これらの要求を満たすためには、複数のＣＣＦＬを同じ電圧で駆動できるように並列接続が望ましい。

しかしながら、複数のＣＣＦＬを並列接続して、同じ電圧で駆動することは、以下の理由により困難であった。

ＣＣＦＬは前述のように負性抵抗特性を有している。従って、複数のＣＣＦＬを単純に並列接続するだけでは、点灯時においていずれか一つのＣＣＦＬだけに電流が集中する可能性があり、電流が集中した場合には、その電流が集中した一つのＣＣＦＬしか点灯しない現象が生じる場合があった。更に、複数のＣＣＦＬを共通の電源と並列に接続しても、それぞれのＣＣＦＬと電源間の配線、特にその長さが異なっている。従って、浮遊容量はＣＣＦＬごとに異なっている。それ故、複数のＣＣＦＬを並列接続して駆動しても、ＣＣＦＬごとに管電流を制御する必要があり、管電流のばらつきを無くすための制御回路が必要であった。

従来のＣＣＦＬ点灯装置においては、一つの漏洩磁束型トランスを複数のＣＣＦＬに対する共通のチョークコイルとして利用すること、一つの漏洩磁束型トランスと各ＣＣＦＬとの間で高精度にインピーダンス整合を行うこと、及び個々の管電流を高精度に制御すること、の全てを成立させることは困難であった。また、漏洩磁束型トランスに代えて、圧電トランスを用いる場合においても、同様に困難であった。それ故、従来のＣＣＦＬ点灯装置では、電源（特に漏洩磁束型トランス）をＣＣＦＬごとに一つずつ設置し、それぞれの電源でそれぞれの管電流を制御していた。即ち、従来のＣＣＦＬ点灯装置では電源がＣＣＦＬと同数だけ必要であった。従って、従来のＣＣＦＬ点灯装置の構成では、部品点数の低減を図ることが困難であり、装置全体の更なる小型化を達成することができなかった。

本発明は、一つの電源で複数の冷陰極管（ＣＣＦＬ）を同じ輝度で点灯させることが可能な冷陰極管点灯装置を提供することを目的としている。この冷陰極管点灯装置においては、複数のバラストコンデンサが多層基板により構成されており、更なる小型化を実現させるとともに、安定した性能を有し、かつ量産に適した冷陰極管点灯装置を提供することを目的としている。

本発明に係るコンデンサ内蔵多層基板は、誘電体層を介して少なくとも４つの導体層が積層されたコンデンサ内蔵多層基板であって、少なくとも
第１の誘電体層の一方の面に所定の導体パターンを有する第１の導体層が積層された第１の部材、
第２の誘電体層の両方のそれぞれの面に所定の導電パターンを有する第２の導体層と第３の導体層がそれぞれ積層された第２の部材、
第３の誘電体層の一方の面に所定の導体パターンを有する第４の導体層が積層された第３の部材、
前記第１の誘電体層の他方の面と前記第２の部材の一方の面との間に配置され互いの面を接着する第１の接着層、及び
前記第３の誘電体層の他方の面と前記第２の部材の他方の面との間に配置され互いの面を接着する第２の接着層、を有しており、
当該コンデンサ内蔵多層基板における所定位置に形成されたスルーホールの接続部により特定の導体パターンを接続して導体層間コンデンサのブロックが複数個形成されている。

本発明に係るコンデンサ内蔵多層基板の製造方法は、誘電体層を介して少なくとも４つの導体層を積層して構成されるコンデンサ内蔵多層基板の製造方法であって、少なくとも
第１の誘電体層の一方の面に所定の導体パターンを有する第１の導体層が積層された第１の部材を製造する工程、
第２の誘電体層の両方のそれぞれの面に所定の導電パターンを有する第２の導体層と第３の導体層がそれぞれ積層された第２の部材を製造する工程、
第３の誘電体層の一方の面に所定の導体パターンを有する第４の導体層が積層された第３の部材を製造する工程、
前記第１の誘電体層の他方の面と前記第２の部材の一方の面との間に第１の接着層を配置する工程、
前記第３の誘電体層の他方の面と前記第２の部材の他方の面との間に第２の接着層を配置する工程、
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層と前記第３の誘電体層とを前記第１の接着層と前記第２の接着層とを介して互いに接着するよう挟み付ける方向に加熱して加圧する工程、
特定の導体パターンの所定位置にスルーホールを形成する工程、及び
前記スルーホールの内面に接続部を形成して特定の導体パターンを電気的に接続して導体層間コンデンサのブロックが複数個形成される工程、を有する。

本発明に係る冷陰極管点灯装置は、誘電体層を介して少なくとも４つの導体層が積層されて構成された複数のバラストコンデンサを有するコンデンサ内蔵多層基板、及び
前記バラストコンデンサを通して前記冷陰極管に電力を供給する低出力インピーダンスを持つ低インピーダンス電源、を具備する冷陰極管点灯装置であって、
前記コンデンサ内蔵多層基板は、
誘電体層を介して少なくとも４つの導体層が積層されたコンデンサ内蔵多層基板であって、少なくとも
第１の誘電体層の一方の面に所定の導体パターンを有する第１の導体層が積層された第１の部材、
第２の誘電体層の両方のそれぞれの面に所定の導電パターンを有する第２の導体層と第３の導体層がそれぞれ積層された第２の部材、
第３の誘電体層の一方の面に所定の導体パターンを有する第４の導体層が積層された第３の部材、
前記第１の誘電体層の他方の面と前記第２の部材の一方の面との間に配置され互いの面を接着する第１の接着層、及び
前記第３の誘電体層の他方の面と前記第２の部材の他方の面との間に配置され互いの面を接着する第２の接着層、を有しており、
当該コンデンサ内蔵多層基板における所定位置に形成されたスルーホールの接続部により特定の導体パターンを接続して前記バラストコンデンサを構成する導体層間コンデンサのブロックが複数個形成されている。

複数の冷陰極管においては、一般に、設置条件（例えば、配線の長さ、配線のパターン、冷陰極管の管壁と装置外部（例えば液晶ディスプレイのケース）との距離等の相違により周辺の浮遊容量にばらつきが生じ、特に管壁と装置外部との間に流れる漏れ電流にばらつきが生じる。

本発明による上記の冷陰極管点灯装置では従来の冷陰極管点灯装置における前提に反し、電源の出力インピーダンスが抑制されている。その代わり、冷陰極管のそれぞれに少なくとも一つずつ、バラストコンデンサが接続されている。

バラストコンデンサの容量は、好ましくは冷陰極管ごとに調節される。それにより、バラストコンデンサ間での容量のばらつきが複数の冷陰極管間での浮遊容量のばらつきと精度高く一致する。すなわち、バラストコンデンサそれぞれのインピーダンスが冷陰極管それぞれの周辺の浮遊容量の合成インピーダンスと整合する。その結果、複数の冷陰極管間では、特に設置条件の相違による漏れ電流のばらつきに関わらず、管電流が均一に維持される。上記のように、バラストコンデンサの容量を冷陰極管ごとに調整することにより、低インピーダンス電源とバラストコンデンサそれぞれとの間の配線が長くても、更にバラストコンデンサごとに容量が大きく異なっても、複数の冷陰極管間で管電流にばらつきが生じることがない。従って、複数の冷陰極管間では設置条件の相違に関わらず、輝度が均一に維持される。

本発明の冷陰極管点灯装置の構成において、共通の低インピーダンス電源で複数の冷陰極管を同じ輝度で一様に点灯させることが可能となる。

本発明の冷陰極管点灯装置は、配線のレイアウトに対する柔軟性が高く、特に配線が長くても対応することができる。そのとき、好ましくは、低インピーダンス電源が本発明に係るコンデンサ内蔵多層基板とは異なる基板に実装される。このように基板の分離は、複数の冷陰極管間での輝度の均一化を損なうことなく、容易に実現することができる。

バラストコンデンサや回路素子は一般に、低インピーダンス電源を用いることによりサイズが小さく構成できる。また、バラストコンデンサは電力消費に伴う発熱における温度が低い。従って、バラストコンデンサを搭載するコンデンサ内蔵多層基板が、低インピーダンス電源を搭載する基板から分離され、冷陰極管のごく近くに設置することが可能となる。これにより、バラストコンデンサを搭載するコンデンサ内蔵多層基板と冷陰極管とにより構成される部分を容易に薄型化することが可能となる。

例えば、冷陰極管が液晶ディスプレイのバックライト装置として利用されるとき、その液晶ディスプレイの薄型化を容易に実現することが可能となる。即ち、本発明の冷陰極管点灯装置は、特に、液晶ディスプレイのバックライトの駆動装置としての利用において有利である。

本発明の冷陰極管点灯装置は、低インピーダンス電源が採用され、かつバラストコンデンサのインピーダンスがＣＣＦＬのインピーダンスと同程度に高く設定されている。従って、本発明の冷陰極管点灯装置に用いられるバラストコンデンサは容量が小さく設定できる。従って、本発明においては、バラストコンデンサを基板の導体層間の容量として実現できる。そのとき、バラストコンデンサは全体が基板内部に埋め込まれるため、そのバラストコンデンサのサイズ、特に厚みは従来のものより著しく小さいものとなる。その結果、複数の冷陰極管を並列駆動させる場合でも、冷陰極管点灯装置と冷陰極管との間の接続部分が小さく、特に薄く構成することが可能となる。このように冷陰極管点灯装置と冷陰極管との間の接続部分を薄型化することは、特に、液晶ディスプレイのバックライトの駆動装置としての利用において有利である。

上記のように本発明の冷陰極管点灯装置においては、バラストコンデンサを有するコンデンサ内蔵多層基板を用いることが装置全体の小型化に極めて効果的である。

また、本発明のコンデンサ内蔵多層基板の内部では各層の厚みが高精度に均一に形成されるため、コンデンサ内蔵多層基板におけるバラストコンデンサは容量のばらつきが極めて小さい。

さらに、本発明のコンデンサ内蔵多層基板においては、導体層の形状が複雑なものであっても容易に形成することが可能であり、かつ、コンデンサ内蔵多層基板の層数は容易に調整することができる。これにより、複数のバラストコンデンサを直列又は並列に接続させることが容易である。従って、本発明のコンデンサ内蔵多層基板においては、バラストコンデンサの耐圧と容量との設定の自由度が高いものとなっている。

本発明のコンデンサ内蔵多層基板では、導体層が、好ましくは、蒸着された導体の膜で構成されている。このような導体層はいわゆる自己回復作用を持ち、すなわち過電流の発生時に溶断されることで過電流を抑えることができる。従って、本発明のコンデンサ内蔵多層基板を用いることにより、冷陰極管と冷陰極管点灯装置とが過電流による破壊を回避できる構成となる。

本発明の冷陰極管点灯装置では、好ましくは、バラストコンデンサのインピーダンス、冷陰極管周辺の浮遊容量の合成インピーダンス、及び冷陰極管の点灯時のインピーダンスが整合するよう調整されている。特に、バラストコンデンサは、少なくとも４つの導体層を有し、これら導体層間に絶縁性を有する均一な厚みの誘電体層であるコア材を介在させて導体層が互いに電気的に分離した状態で互いに密着して一体化されている。そして、バラストコンデンサが、コンデンサ内蔵多層基板の導体層間の容量として形成されるので、その容量の設定が容易であり、かつ容量のばらつきが小さい。従って、本発明において、インピーダンス整合はバラストコンデンサと冷陰極管との組合せごとに、高精度で調整することができる。このように構成されているため、本発明の冷陰極管点灯装置では、複数の冷陰極管間では周辺の浮遊容量のばらつきに関わらず、管電流が均一に保持されるため、均一な輝度が確実に維持される。

本発明の冷陰極管点灯装置ではバラストコンデンサ全体がコンデンサ内蔵多層基板内部に埋め込まれる構成であるため、従来の冷陰極管点灯装置とは異なり、そのコンデンサ内蔵多層基板自体の表面と冷陰極管の表面との間隔を所望の距離に調節することにより、高温による誤動作と絶縁破壊による故障とを回避することができる。本発明のコンデンサ内蔵多層基板は、耐熱性と耐電圧性がいずれも高いため、コンデンサ内蔵多層基板の表面と冷陰極管の表面との間隔を短く設定することが可能となる。従って、本発明の冷陰極管点灯装置では冷陰極管とコンデンサ内蔵多層基板との接続部分の薄型化が容易である。その接続部分での薄型化の向上は特に、液晶ディスプレイのバックライトの駆動装置としての利用において有利である。

本発明の冷陰極管点灯装置では好ましくは、バラストコンデンサを搭載するコンデンサ内蔵多層基板の表面が冷陰極管の長さ方向（中心軸方向）に対して直交して設置される。それにより、コンデンサ内蔵多層基板の表面と冷陰極管の表面との距離を安全な範囲内に保持した状態で、冷陰極管とコンデンサ内蔵多層基板との接続部分を小型化することが可能となる。更に、本発明の構成においては、冷陰極管の端部（一方の電極）をコンデンサ内蔵多層基板へ容易に接続することができ、且つその接続状態が安定に保持される。

バラストコンデンサを搭載するコンデンサ内蔵多層基板は、その表面が冷陰極管の長さ方向（中心軸方向）に対して直交するよう設置されており、バラストコンデンサを構成する導体層のうち、冷陰極管に最も近い導体層が冷陰極管の電極に接続され、冷陰極管から最も遠い導体層が低インピーダンス電源に接続されるよう構成することが好ましい。このように構成することにより、複数の冷陰極管間では電極電位の変化のばらつきが更に抑えられる、管電流の均一性、すなわち輝度の均一性が更に向上する。

本発明の冷陰極管点灯装置では、好ましくは、バラストコンデンサに接続され、複数の冷陰極管の合成インピーダンスより低い出力インピーダンスを持つトランスが低インピーダンス電源に含まれている。本発明の冷陰極管点灯装置においては、従来の冷陰極管点灯装置での前提に反し、トランスの出力インピーダンスが抑えられるので、低い出力インピーダンスの電源が実現される。

本発明において、トランスの出力インピーダンスの低減に効果的な手段としては例えば、そのトランスが、コアと、そのコアに巻かれる一次巻線と、その一次巻線の内側若しくは外側又はその両方に巻かれる二次巻線と、を有して構成される。このように構成することにより、漏れ磁束が低減するため、本発明においては、出力インピーダンスが抑えられる。更に、本発明においては、漏れ磁束による周辺機器への悪影響（例えばノイズの発生）が抑えられている。

本発明の冷陰極管点灯装置では、低インピーダンス電源を上記のトランスに代えてパワートランジスタを用いても良く、このパワートランジスタをバラストコンデンサに接続しても良い。パワートランジスタの利用は出力インピーダンスを容易に、かつ効果的に低減させ得る。従って、本発明の冷陰極管点灯装置は、より多数の冷陰極管を一様に点灯させることが可能となる。

本発明のコンデンサ内蔵多層基板は、その基板内部では各層の厚みが高精度に均一な多層基板により構成されているため、形成されるバラストコンデンサ容量のばらつきを極めて小さく設定できる。また、本発明のコンデンサ内蔵多層基板は、導体層の形状が比較的複雑なものであっても容易に形成可能であり、且つ、基板の層数は比較的容易に調整できる。従って、本発明のコンデンサ内蔵多層基板においては、複数のバラストコンデンサを直列又は並列に接続させることが容易であり、バラストコンデンサの耐圧と容量の設定の自由度が高い。

また、本発明によるコンデンサ内蔵多層基板を用いた冷陰極管点灯装置は、複数の冷陰極管のそれぞれに少なくとも一つずつ接続される複数のバラストコンデンサと共通の低インピーダンス電源とにより、従来の冷陰極管点灯装置とは異なり、共通の電源で複数の冷陰極管を均一に点灯させることが可能となる。

更に、本発明のコンデンサ内蔵多層基板は、少なくとも４つの導体層を有し、これら導体層間に絶縁性を有する均一な厚みの誘電体層であるコア材を介在させて導体層が互いに電気的に分離した状態で互いに密着し一体化されている。また、本発明においては、コンデンサ内蔵多層基板において対向する複数の導体層間の容量を有するバラストコンデンサが構成されているため、均一な容量を有するコンデンサ内蔵多層基板を確実に製造することが可能であり、コンデンサ内蔵多層基板を有する装置を量産可能な装置として容易に実現することができる。

本発明によるコンデンサ内蔵多層基板を用いた冷陰極管点灯装置では、バラストコンデンサがコンデンサ内蔵多層基板の導体層間の容量として形成されている。これにより、バラストコンデンサ全体が基板内部に埋め込まれる構成であるため、冷陰極管と冷陰極管点灯装置との接続部分を極めて薄く形成することが可能となる。特に、本発明の冷陰極管点灯装置が液晶ディスプレイのバックライトの駆動装置として利用されるとき、上記ように構成されたバラストコンデンサの利用は液晶ディスプレイの薄型化に極めて効果的である。

本発明に係る実施例１の冷陰極管点灯装置を搭載する液晶ディスプレイのバックライト装置の構成を示す斜視図 図１におけるＩＩ−ＩＩ線により切断した液晶ディスプレイの断面図 本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置の構成を示す回路図 本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置に含まれる昇圧トランスの構成を模式的に示す分解組立図 図４におけるＶ−Ｖ線により切断した昇圧トランスの断面図 本発明のコンデンサ内蔵多層基板の各種構成を示す模式図 本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における第２の基板とＣＣＦＬ２０との接続部近傍を示す拡大図 本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における第２のブロック内の導体層のパターンを示す平面図 本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における第２のブロックの一部断面図 本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における第２のブロックのコンデンサ内蔵多層基板の構造及び製造方法を説明するための図 本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置におけるコンデンサ内蔵多層基板の各種接続状態を説明するための図 従来のＣＣＦＬ点灯装置の構成を示す回路図

符号の説明

２０ 冷陰極管（ＣＣＦＬ）
５０ 第２の多層基板
２１Ａ，２１Ｂ 導体パターン
２２Ａ，２２Ｂ 導体パターン
２３Ａ，２３Ｂ 導体パターン
２４Ａ，２４Ｂ 導体パターン
６１ 第１のスルーホール
６２ 第２のスルーホール
６３ 第３のスルーホール
６４ 第４のスルーホール
７１ 第１の接続部
７２ 第２の接続部
７３ 第３の接続部
７４ 第４の接続部
８１ 第１のリード線
８２ 第２のリード線
Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３ コア材
Ｐ１，Ｐ２ プリプレグ
ＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３ バラストコンデンサ
Ｘ１ 第１の導体層
Ｘ２ 第２の導体層
Ｘ３ 第３の導体層
Ｘ４ 第４の導体層

以下、本発明に係る冷陰極管点灯装置に用いられるコンデンサ内蔵多層基板及び冷陰極管点灯装置の最良の形態である実施例１について、添付の図面を参照しつつ説明する。

図１は、本発明に係る実施例１の冷陰極管点灯装置（以下、ＣＣＦＬ点灯装置と略称する）を搭載する液晶ディスプレイのバックライト装置の構成を示す斜視図である。図１においては、液晶ディスプレイのケース１０の背面が上側に描かれている。また、ケース１０の内部を示す目的で、ケース１０の背板と側板との一部が取り除かれている。図２は図１に示したＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。図２の断面図において、図１に示される矢印が視線方向を示す。

図１と図２とで示される液晶ディスプレイは、ケース１０、平行に配置された複数の冷陰極管（以下、ＣＣＦＬと略称する）２０、ＣＣＦＬ２０の背面側に配置された反射板３０、ケース１０の背面（ＣＣＦＬ２０と対向しない面）上に設けられた第１の基板４０、ＣＣＦＬ２０の一方の電極２０Ａに接続される第２の基板５０、ＣＣＦＬの他方の電極２０Ｂに接続される第３の基板６０、及びＣＣＦＬ２０の正面側に配置された液晶パネル７０（図２参照）を有する。

本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における回路構成は、主に第１のブロックＡ、第２のブロックＢ及び第３のブロックＣの３つのブロックに分けられ、それぞれのブロックＡ，Ｂ，Ｃにおける回路素子は第１の基板４０、第２の基板５０及び第３の基板６０のそれぞれに実装される。

ケース１０は、例えば金属製の箱であり、接地されている。このようにケース１０が接地されているため、ＣＣＦＬ２０から放射される電磁的ノイズ及び外部から入射される電磁的ノイズはいずれも遮蔽される。

図２に示すように、ケース１０の正面側（図２における下側）は開放されている。ケース１０の内側には、その背面側から正面側の方向に、反射板３０、ＣＣＦＬ２０及び液晶パネル７０が順に配設されている。

細い棒状のＣＣＦＬ２０は複数本（例えば１６本）で構成され、それぞれが平行で実質的に一平面内に配置されている。各ＣＣＦＬ２０の両端には、絶縁性、耐熱性及び収縮性を有する材料、例えばゴム製のチューブ（図示せず）が被せられている。これらのチューブはケース１０に固定されたブラケット（図示せず）により支持されている。このようにブラケットにより各ＣＣＦＬ２０は、平行で実質的に一平面内に保持されており、各ＣＣＦＬ２０の間隔は等しく配置されている。即ち、各ＣＣＦＬ２０は、液晶ディスプレイの横方向においては平行であり、縦方向においては等間隔で並設されている。

各ＣＣＦＬ２０の両端側から導出する電極２０Ａ，２０Ｂに接続される第２の基板５０と第３の基板６０は、例えばＣＣＦＬ２０の長手方向（中心軸方向）に対して直交する方向で各ＣＣＦＬ２０の両端側に設置される。このように第２の基板５０と第３の基板６０とを配置することにより、第２の基板５０と第３の基板６０のそれぞれの表面は、ＣＣＦＬ２０からの距離を安全な領域に維持される。従って、第２の基板５０と第３の基板６０は、各ＣＣＦＬ２０に対して最適最小距離に確実に配置され、液晶ディスプレイのバックライト装置として小型化が達成される。

更に、第２の基板５０と第３の基板６０とを上記のように配置することにより、ＣＣＦＬ２０の両端の端子と第２の基板５０と第３の基板６０とを容易に実装することが可能となり、且つ各ＣＣＦＬ２０は安定した状態で保持される。

実施例１のＣＣＦＬ点灯装置で構成されたバックライト装置において、第２の基板５０と第３の基板６０は多層プリント配線板で構成されている。なお、第２の基板５０と第３の基板６０は、フレキシブルな多層プリント配線板であっても良い。第１の基板５０及び第２の基板６０は、耐熱性及び難燃性を有し、且つ高電圧に耐える材料より形成されている。このため、第２の基板５０と第３の基板６０は、耐熱性及び難燃性が高く、高電圧に耐える構成となる。

第２の基板５０と第３の基板６０とはそれぞれ、複数の導体層、好ましくは銅箔と、複数の絶縁層が積層されて構成されている。実施例１の絶縁層は誘電体で構成されており、例えば、ガラス繊維を強化材として含むエポキシ樹脂基板により形成されている。実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における第２のブロックＢは、第２の基板５０の導体層のパターン形状から構成される回路である。また、第３のブロックＣは第３の基板６０の導体層のパターン形状から構成される回路である。第２のブロックＢと第３のブロックＣは、各ＣＣＦＬ２０ごとに一つずつ設けられている。第２のブロックＢと第３のブロックＣとはそれぞれが、ＣＣＦＬ２０の両端の電極２０Ａ，２０Ｂ（図２参照）（以下、第１の電極２０Ａ及び第２の電極２０Ｂという）にそれぞれに接続される。ここで、ＣＣＦＬ２０の両端の電極２０Ａ，２０Ｂにおいて、第１の電極２０Ａが第２のブロックＢにおける導体パターンに接続されており、第２の電極２０Ｂが第３のブロックＣにおける導体パターンに接続されている。

第２のブロックＢはその全体が第２の基板５０の内部に埋設されている。また、第３のブロックＣはその全体が第３の基板６０の内部に埋設されている。従って、第２の基板５０と第３の基板６０とのそれぞれの表面と各ＣＣＦＬ２０の表面との間隔を所望の距離に調節することにより、第２のブロックＢと第３のブロックＣとは高温による誤動作と絶縁破壊による故障とを回避できる。

なお、実施例１における第２の基板５０と第２の基板６０は耐熱性と耐電圧性が高いため、第２の基板５０と第３の基板６０とのそれぞれの表面と、各ＣＣＦＬ２０の表面との間隔は短くても良い。特に好ましくは、第２の基板５０と第３の基板６０とがケース１０の内部に配置され、且つＣＣＦＬ２０の両端側の電極近傍に設置することである。このとき、第２の基板５０と第３の基板６０の表面と、ＣＣＦＬ２０の表面との間隔は両者の温度差と電位差とから決まり、例えば０．１〜１０［ｍｍ］である。このように、本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置ではＣＣＦＬ２０と各基板（５０，６０）との接続部分を小さく設定することが可能であり、且つＣＣＦＬ点灯装置の厚み（正面と背面との距離）を薄く設定することが可能となる。

第２のブロックＢと第３のブロックＣの各回路は、第１の基板４０上の第１のブロックＡの回路に接続される。図１において、第１のブロックＡの回路と第２のブロックＢ及び第３のブロックＣとの間の配線の図示は省略している。実施例１においては、第１の基板４０がケース１０の背面側の外側に設けられている。なお、この第１の基板４０は、ケース１０の背面側の外側に限定されるものではなく、当該ＣＣＦＬ点灯装置が組み込まれる装置における構造に応じて設定される。第１のブロックＡは直流電源（図示せず）に接続されている。

ＣＣＦＬ点灯装置は、直流電源から供給される電力を三つのブロックＡ，Ｂ及びＣを介して各ＣＣＦＬ２０のそれぞれに分配する。この結果、ＣＣＦＬ２０はそれぞれが発光する。ＣＣＦＬ２０の発する光は、直接、又は反射板３０により反射され、液晶パネル７０に入射される（図２に示される矢印参照）。液晶パネル７０は所定のパターンでＣＣＦＬ２０からの入射光を遮蔽制御して、液晶パネル７０の正面側にはそのパターンが映し出される。

図３は、本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置の構成を示す回路図である。実施例１のＣＣＦＬ点灯装置は、前述のように、主に三つのブロックＡ，Ｂ及びＣから成り立っている。

第１のブロックＡは高周波発振回路４と昇圧トランス５とを有し、並列共振型プッシュプルインバータとして構成される。高周波発振回路４は、第１のコンデンサ４１、発振器４２、第１のトランジスタ４３、インバータ４４、第２のコンデンサ４５、第２のトランジスタ４６、及びインダクタ４７を含んで構成される。昇圧トランス５は、中性点Ｍ１で分けられた二つの一次巻線５１Ａと５１Ｂ、及び二次巻線５２を含む。

直流電源１００の正極はインダクタ４７の一端に接続され、負極は接地される。第１のコンデンサ４１は直流電源１００の両極間に接続される。インダクタ４７の他端は昇圧トランス５の一次巻線５１Ａ、５１Ｂの間の中性点Ｍ１に接続される。第１の一次巻線５１Ａの別の端子５３Ａと第２の一次巻線５１Ｂの別の端子５３Ｂとの間には第２のコンデンサＣ２が接続される。第１の一次巻線５１Ａの入力端子５３Ａは更に、第１のトランジスタ４３の一端に接続される。第２の一次巻線５１Ｂの端子５３Ｂは更に、第２のトランジスタ４６の一端に接続される。第１のトランジスタ４３と第２のトランジスタ４６とのそれぞれの他端は共に接地される。実施例１において用いた二つのトランジスタ４３と４６は、好ましくはＭＯＳＦＥＴである。本発明のＣＣＦＬ点灯装置における第１のトランジスタ４３と第２のトランジスタ４６としては、その他に、ＩＧＢＴ又はバイポーラトランジスタであっても良い。発振器４２は、第１のトランジスタ４３の制御端子に直接接続され、第２のトランジスタ４６の制御端子にはインバータ４４からの出力信号が接続される。

直流電源１００は出力電圧Ｖｉを一定値（例えば１６［Ｖ］）に維持する。第１のコンデンサ４１は直流電源１００からの入力電圧Ｖｉを安定に維持する。発振器４２は一定周波数（例えば４５［ｋＨｚ］）のパルス波を二つのトランジスタ４３，４６の制御端子に対し送出する。インバータ４４は、第２のトランジスタ４６の制御端子に入力されるパルス波の極性を、第１のトランジスタ４３の制御端子に入力されるパルス波の極性とは逆にする。従って、二つのトランジスタ４３，４６は発振器４２の周波数と同じ周波数で交互にオンオフする。この結果、昇圧トランス５の一次巻線５１Ａと５１Ｂとに対し入力電圧Ｖｉが交互に印加される。その電圧印加ごとにインダクタ４７と第２のコンデンサ４５とが共振し、昇圧トランス５の二次電圧Ｖの極性が発振器４２の周波数と同じ周波数で反転する。ここで、二次電圧Ｖの実効値は、一次巻線５１Ａと５１Ｂとに対する印加電圧Ｖｉと昇圧トランス５の昇圧比（即ち、一次巻線５１Ａと二次巻線５２との巻数比）との積と実質的に等しい。実施例１の冷陰極管点灯装置の構成において、二次電圧Ｖの実効値は、好ましくは、ＣＣＦＬ２０のランプ電圧の１．５倍程度（例えば１８００［Ｖ］）に設定される。

上記のように、第１のブロックＡにおいては、直流電源１００からの電圧Ｖｉを高周波（例えば４５［ｋＨｚ］）の交流電圧Ｖに変換する。なお、本発明における第１のブロックＡとしては、上記のような並列共振型プッシュプルインバータに限定されるものではなく、他の形式の（トランスを含む）インバータであっても良い。

本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置では、昇圧トランス５の漏れ磁束が後述するように、小さく抑えられている。従って、第１のブロックＡは出力インピーダンスの低い電源、すなわち低インピーダンス電源として機能する。

図４は、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置に用いた昇圧トランス５の構成を模式的に示す分解組立図である。図５は図４に示したＶ−Ｖ線に沿って切断した昇圧トランス５の断面図である。図５の断面図は、図４に示される矢印が視線方向である。

図４及び図５に示すように、実施例１における昇圧トランス５は、一次巻線５１、二次巻線５２、２つのＥ型コア５４と５５、ボビン５６、及び絶縁テープ５８を含んで構成される。昇圧トランス５の一次巻線５１は、前述の図３において示した二つの一次巻線５１Ａと５１Ｂとを合わせたものである。ボビン５６は、例えば合成樹脂製であり、中空部５６Ａを有する円筒形状である。その中空部５６Ａには両方の開口部から、Ｅ型コア５４と５５のそれぞれの中央の突起５４Ａと５５Ａが挿入される。ボビン５６の外周面上には複数の仕切５７が軸方向に等間隔を有して形成されている。

昇圧トランス５の組み立て方法は、まず、ボビン５６の仕切５７の間に二次巻線５２が巻かれる。次に、二次巻線５２の外側に絶縁テープ５８が巻かれる。最後に、絶縁テープ５８の外側に一次巻線５１が巻かれる。このように一次巻線５１と二次巻線５２とを重ねてボビン５６の外周面上に巻くことにより、漏れ磁束が著しく低減する。従って、昇圧トランス５の損失が少なくなり、出力インピーダンスを低く設定することが可能となる。その出力インピーダンスは、特に、並列に接続される複数のＣＣＦＬ２０（図３参照）全ての合成インピーダンスより低く設定される。実施例１においては、二次巻線５２の外側に一次巻線５１が巻き付けられる構成であるが、一次巻線５１の外側に二次巻線５２を巻き付けても良く、若しくは二次巻線５２の内側と外側の両側に一次巻線５１を巻き付けても良い。

実施例１における昇圧トランス５は、ボビン５６に対して二次巻線５２が分割巻きで巻かれている。その他に、ミツバチの巣の形状のように６角形状に二次巻線を巻き付けるハネカム巻きでボビンに巻き付ける構成でも良い。このように構成することにより、巻線間の放電が防止されると共に、線間容量が小さく抑えられる。従って、昇圧トランス５における二次巻線５２の自己共振周波数を十分に高く設定することができる。

次に、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における第２のブロックＢの具体的な構成について説明する。
図３に示したように、各ＣＣＦＬ２０の一方の電極２０Ａに接続される第２のブロックＢは、それぞれ、例えば三つのバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の直列接続により構成されている。なお、図３に示す実施例１の構成においては、第２のブロックＢがＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の直列接続により構成された場合について説明するが、他の構成も可能である。例えば、第２のブロックＢを複数のコンデンサの並列接続、又は直列接続と並列接続との組み合わせとすることも可能である。第２のブロックＢを複数のコンデンサの並列接続により構成した場合には、コンデンサ容量を大きく設定することが可能となる。

実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における第２のブロックＢは、第２の基板５０における導体層と絶縁層との多層構造のコンデンサにより構成されている。第２のブロックＢにおいては誘電体である絶縁層を介して複数に積層された導体層が形成されており、このように複数の導体層を有する第２のブロックＢの一端側を接続して、並列接続し、各ＣＣＦＬ２０に接続されるコンデンサが構成されている。このように並列接続で構成することにより、第２のブロックＢのコンデンサの容量値を大きく設定することが可能となる。

例えば、各第２のブロックＢに形成されるコンデンサが、３つのバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の場合について以下に説明する。３つのバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３は、積層された４つの導体層間の層間容量を利用して形成される。これらのバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３には、所定の導体層間を導通させるための接続部分が通るスルーホールが形成されており、このスルーホールの内面導体膜を表面電極としている。即ち、複数の導体層がスルーホールを貫通する接続部分により櫛形構造に接続されている。

バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の容量は、第２の基板５０における導体層の面積及び誘電体である絶縁層の大きさにより決定される。実施例１においては、３つのバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の場合について説明するが、バラストコンデンサの数は導体層間の耐圧とコンデンサ全体に要求される耐圧との関係で決定されるため、その数が３つに限定されるものではない。また、バラストコンデンサの数の変更は、後述するように容易である。

即ち、コンデンサ全体に要求される耐圧を大きくするためには、導体層間の距離を大きく設定するか、及び／または、所望数のバラストコンデンサを直列接続することにより対応することができる。従って、光源として設けられるＣＣＦＬに対応した耐圧を有するコンデンサは、多層基板を用いて容易に形成することができる。
従って、導体層間距離と導体層間接続を所望の構成とすることにより、ＣＣＦＬのためのコンデンサは所定の容量と耐圧とを有することができる。

図６は、ＣＣＦＬ点灯装置における第２の基板５０に形成される第２のブロックＢのコンデンサ内蔵多層基板の構造を模式的に記載した図である。図６において、（Ａ）に示す構造図は実施例１のＣＣＦＬ点灯装置におけるコンデンサ内蔵多層基板を示している。図６の（Ａ）において、破線で囲む領域が左から順にバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３である。

図６の（Ａ）に示すように、第２のブロックＢにおいては、４層の導体層のパターンが形成されている。また、各層の導体層においてもそのパターン形状に応じて複数の導体片に分かれている。１層目の導体層は導体パターン２１Ａと２１Ｂに電気的に分離されている。同様に、２層目の導体層は導体パターン２２Ａと２２Ｂに分離されており、３層目の導体層は導体パターン２３Ａと２３Ｂに分離されており、４層目の導体層は導体パターン２４Ａと２４Ｂに分離されている。これらの導体層間には誘電体である絶縁層が形成されている。

１層目の導体パターン２１Ａと３層目の導体パターン２３Ａは第１のスルーホール６１内に形成された第１の接続部７１により電気的に接続されている。２層目の導体パターン２２Ａと４層目の導体パターン２４Ａは第２のスルーホール６２内に形成された第２の接続部７２により電気的に接続されている。１層目の導体パターン２１Ｂと３層目の導体パターン２３Ｂは第３のスルーホール６３内に形成された第３の接続部７３により電気的に接続されている。２層目の導体パターン２２Ｂと４層目の導体パターン２４Ｂは第４のスルーホール６４内に形成された第４の接続部７４により電気的に接続されている。

上記のように構成された第２のブロックＢにおいて、導体パターンの重畳した領域が導体層間コンデンサを形成している。即ち、導体パターン２１Ａと２２Ａの重畳部分、導体パターン２２Ａと２３Ａの重畳部分、及び導体パターン２３Ａと２４Ａの重畳部分が導体層間コンデンサを構成している。これらの導体層間コンデンサの並列接続により、バラストコンデンサＣＢ１が構成されている。図６の（Ａ）において、重畳部分である導体層間コンデンサは、クロスハッチングで示す領域である。

同様に、バラストコンデンサＣＢ２は、導体パターン２１Ｂと２２Ａと２３Ｂと２４Ａの重畳部分で構成され、バラストコンデンサＣＢ３は導体パターン２１Ｂと２２Ｂと２３Ｂと２４Ｂの重畳部分で構成されている。
第２のブロックＢにおいては、上記のように構成されたバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３が直列接続されて、所定のコンデンサ耐圧が得られている。

図６において、（Ｂ）及び（Ｃ）は、（Ａ）に示した実施例１のコンデンサ内蔵多層基板と異なる構造のバラストコンデンサを模式的に示す図である。
図６の（Ｂ）に示すコンデンサ内蔵多層基板においては、１層目の導体層が導体パターン２１Ａで構成されている。２層目の導体層は導体パターン２２Ａと２２Ｂに分離されており、３層目の導体層は導体パターン２３Ａと２３Ｂに分離されており、４層目の導体層は導体パターン２４Ａで構成されている。これらの導体層間には誘電体である絶縁層が形成されている。

１層目の導体パターン２１Ａと３層目の導体パターン２３Ａは第１のスルーホール６１内に形成された第１の接続部７１により電気的に接続されている。２層目の導体パターン２２Ａと４層目の導体パターン２４Ａは第２のスルーホール６２内に形成された第２の接続部７２により電気的に接続されている。１層目の導体パターン２１Ａと３層目の導体パターン２３Ｂは第３のスルーホール６３内に形成された第３の接続部７３により電気的に接続されている。２層目の導体パターン２２Ｂと４層目の導体パターン２４Ａは第４のスルーホール６４内に形成された第４の接続部７４により電気的に接続されている。

上記のように構成された図６の（Ｂ）に示す第２のブロックＢは、バラストコンデンサＣＢ１が導体パターン２１Ａと２２Ａと２３Ａと２４Ａの重畳部分で構成され、バラストコンデンサＣＢ２は、導体パターン２１Ａと２２Ａと２３Ｂと２４Ａの重畳部分で構成され、バラストコンデンサＣＢ３は導体パターン２１Ａと２２Ｂと２３Ｂと２４Ａの重畳部分で構成されている。図６の（Ｂ）に示すバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３は並列接続されており、所定のコンデンサ容量が得られる。

なお、バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３を並列接続により構成する場合、導体パターンを複数のパターン形状で構成せずに、各層の導体パターンを略同一として、各層の導体パターンの一端を接続する櫛形構造として構成することも可能である。

図６の（Ｃ）に示すコンデンサ内蔵多層基板においては、１層目の導体層が導体パターン２１Ａで構成されている。２層目の導体層は導体パターン２２Ａと２２Ｂと２２Ｃに分離されており、３層目の導体層は導体パターン２３Ａと２３Ｂに分離されており、４層目の導体層は導体パターン２４Ａと２４Ｂと２４Ｃに分離されている。これらの導体層間には誘電体である絶縁層が形成されている。

１層目の導体パターン２１Ａと３層目の導体パターン２３Ａは第１のスルーホール６１内に形成された第１の接続部７１により電気的に接続されている。２層目の導体パターン２２Ａと４層目の導体パターン２４Ａは第２のスルーホール６２内に形成された第２の接続部７２により電気的に接続されている。２層目の導体パターン２２Ｂと４層目の導体パターン２４Ｂは第３のスルーホール６３内に形成された第３の接続部７３により電気的に接続されている。１層目の導体パターン２１Ａと３層目の導体パターン２３Ｂは第４のスルーホール６４内に形成された第４の接続部７４により電気的に接続されている。２層目の導体パターン２２Ｃと４層目の導体パターン２４Ｃは第５のスルーホール６５内に形成された第５の接続部７５により電気的に接続されている。

上記のように構成された図６の（Ｃ）に示す第２のブロックＢは、バラストコンデンサＣＢ１が導体パターン２１Ａと２２Ａと２３Ａと２４Ａの重畳部分で構成され、バラストコンデンサＣＢ２は、導体パターン２１Ａと２２Ｂと２３Ｂと２４Ｂの重畳部分で構成され、バラストコンデンサＣＢ３は導体パターン２１Ａと２２Ｃと２３Ｂと２４Ｃの重畳部分で構成されている。図６の（Ｃ）に示すバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３はそれぞれが独立する構成であり、それぞれが所定のコンデンサ容量を有している。

図６の（Ｃ）に示すコンデンサ内蔵多層基板において、各バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の容量は、各導体層間の容量の合成値となる。また、このコンデンサ内蔵多層基板においては、各バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３のそれぞれには出力端子が形成されている。従って、図６の（Ｃ）に示すコンデンサ内蔵多層基板は、コンデンサ耐圧、容量値を考慮して、各バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の接続方法及び構成を選択することも可能である。即ち、コンデンサ耐圧が必要な場合には、複数のバラストコンデンサを直列接続（例えば、図６の（Ａ）の接続状態）とする。また、コンデンサ容量が必要な場合には、複数のバラストコンデンサを並列接続（例えば、図６の（Ｂ）の接続状態）とする。
従って、所望のコンデンサ耐圧及びコンデンサ容量を有するコンデンサ内蔵多層基板を構成するためには、導体層の数、導体層間の接続法、及び各導体層の導体パターンの数などを適宜選択することにより可能となる。

次に、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置を搭載するバックライト装置に設けられたコンデンサ内蔵多層基板の具体的な構成について説明する。
図７は、第２のブロックＢを有する第２の基板５０とＣＣＦＬ２０との接続部近傍を示す斜視図である。

第２の基板５０は、互いに平行に設けられた複数のＣＣＦＬ２０の長手方向（中心軸方向）と直交するように立設されており、ＣＣＦＬ２０の一端側に設けられている。第２の基板５０は、接続されるＣＣＦＬ２０に対応して複数の領域に分けられており、それぞれの領域が第２のブロックＢとなる。各第２のブロックＢは４つの導体層により構成されている。なお、実施例１においては、４つの導体層の場合について説明するが、コンデンサを構成するのであれば、誘電体層を挟む２つの導体層が有れば構成可能である。

実施例１のコンデンサ内蔵多層基板において、各第２のブロックＢにおける導体層のパターン形状は共通である。また、実施例１のコンデンサ内蔵多層基板の第２のブロックＢにおいては、第１の導体層と第３の導体層とが同様なパターン形状を有し、第２の導体層と第４の導体層とが同様なパターン形状を有する。
図７の斜視図においては、第２の基板５０に設けた第１の導体層（２１Ａ，２１Ｂ）と第４の導体層（２４Ａ，２４Ｂ）を示す。第１の導体層（２１Ａ，２１Ｂ）は、第２の基板５０の表面側（ＣＣＦＬ２０と対向しない面側）にあり、第４の導体層（２４Ａ，２４Ｂ）は、第２の基板５０の裏面側（ＣＣＦＬ２０と対向する面側）にある。

第１の導体層は２つの導体層２１Ａと２１Ｂにより構成されている。第２の基板５０に設けられている各第２のブロックＢは、それぞれの第１の導体層２１Ａにより互いに電気的に接続されている。なお、一平面上に並んで配設された複数のＣＣＦＬ２０における一方の端にあるＣＣＦＬ２０に対応する第２のブロックＢには、スルーホール６０が形成されている。このスルーホール６０は第２のブロックＢの第１の導体層２１Ａに形成されており、導電体である金属膜（銅薄膜）がその内面に形成されている。従って、スルーホール６０の内面の金属膜は、表面電極となり、第２のブロックＢの全てに共通の入力端子となる。スルーホール６０の表面電極に接続された第１のリード線８１は、第１の基板４０に形成された第１のブロックＡ（図１参照）に接続される。なお、第１のリード線８１は表面電極を形成するスルーホール６０内の金属膜に半田付けされている。

一方、ＣＣＦＬ２０へ電力を供給する第２のリード線８２は、第４の導体層に接続されている。第４の導体層は２つの導体層２４Ａと２４Ｂにより構成されている。第２の導体層２４Ｂにはスルーホール６４が形成されており、このスルーホール６４の内面には導電体である金属膜が形成されている。従って、スルーホール６４内の金属膜は表面電極となる。第２のリード線８２の一端は表面電極を形成するスルーホール６４内の金属膜に半田付けされている。実施例１においては、スルーホール６４は第２のブロックＢにおける出力端子となる。第２のリード線８２の他端は、対応するＣＣＦＬ２０における一方の電極（第１の電極２０Ａ）に接続されている。

上記のように、実施例１のコンデンサ内蔵多層基板においては、各第２のブロックＢにおいて形成される複数のバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３を直列接続して、各第２のブロックＢを並列接続している。そして、各第２のブロックＢにおけるバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３を介してＣＣＦＬ２０に所望の電力を供給している。

図８は、実施例１のコンデンサ内蔵多層基板における第２のブロックＢを構成する導体層のパターンを示す図である。図８は第２の基板５０を表面側から見た図である。実施例１のコンデンサ内蔵多層基板における第２のブロックＢの構成は、前述の図６の（Ａ）に示した構成であり、導体層が４層になっている。これらの導体層を、第２の基板５０の表面側（ＣＣＦＬ２０に対向しない面側、即ちケース１０の側面に対向する面側）から順に第１の導体層（２１Ａ，２１Ｂ）、第２の導体層（２２Ａ，２２Ｂ）、第３の導体層（２３Ａ，２３Ｂ）及び第４の導体層（２４Ａ，２４Ｂ）とする。

図８においては、第１の導体層の２つの導体パターン２１Ａと２１Ｂを実線で示し、第２の導体層の２つの導体パターン２２Ａと２２Ｂ及び第４の導体層の２つの導体パターン２４Ａと２４Ｂは、それぞれを破線で示す。また、第３の導体層における導体パターン２３Ａは一点鎖線で示す。第３の導体層における導体パターン２３Ｂは、第１の導体層における導体パターン２１Ｂと同じ形状であるため図示省略する。

図９は、図８におけるＩＸ−ＩＸ線により切断した第２の基板５０における第２のブロックＢの一部を示す断面図である。図８に示したＩＸ−ＩＸ線の矢印が図９の断面図における視線方向を示す。以下の説明を視覚的にも容易にするため、図９においては第２の基板５０の厚さ方向（図９における上下方向））を長さ方向（図９における左右方向）に比して拡大して示している。

図９においては、第２の基板５０の表面側（図９の上側）から順に第１の導体層（２１Ａ，２１Ｂ）、第２の導体層（２２Ａ）、第３の導体層（２３Ａ，２３Ｂ）及び第４の導体層（２４Ａ）が拡大して示されている。

図８及び図９に示すように、第２のブロックＢにおいては、２つの第１の導体層（２１Ａ，２１Ｂ）と２つの第３の導体層（２３Ａ，２３Ｂ）は略同様なパターンを有しており、特に第１の導体層の導体パターン２１Ｂと第３の導体層の導体パターン２３Ｂは同じ形状を有している。即ち、第２の基板５０の表面に直交する方向で重なるように第１の導体層の導体パターン２１Ｂと第３の導体層の導体パターン２３Ｂが形成されている。また、第３の導体層の導体パターン２３Ａは第１の導体層の導体パターン２１Ａと重なるように形成されているが、第１の導体層の導体パターン２１Ａは隣接する第２のブロックＢにおける第１の導体層の導体パターン２１Ａとの接続部分を有しているため、第３の導体層の導体パターン２３Ａとは異なっている。これは第３の導体層の導体パターン２３Ａが隣接する第２のブロックＢの第３の導体層の導体パターン２３Ａと分離しているためであり、接続部分がないためである。

図８に示すように、第１の導体層の導体パターン２１Ａと第３の導体層の導体パターン２３Ａとは、第１のスルーホール６１の内面に形成された第１の接続部７１により接続されている。第１の導体層の導体パターン２１Ｂと第３の導体層の導体パターン２３Ｂとは、第３のスルーホール６３の内面に形成された第３の接続部７３により接続されている。

同様に、２つの第２の導体層（２２Ａ，２２Ｂ）と２つの第４の導体層（２４Ａ，２４Ｂ）は同じパターンを有しており、第２の基板５０の表面に直交する方向で重なるように第２の導体層（２２Ａ，２２Ｂ）と第４の導体層（２４Ａ、２４Ｂ）は同じ形状を有している。第２の導体層の導体パターン２２Ａと第４の導体層の導体パターン２４Ａとは、第２のスルーホール６２の内面に形成された第２の接続部７２により接続されている（図９参照）。第２の導体層の導体パターン２２Ｂと第４の導体層の導体パターン２４Ｂとは、第４のスルーホール６４の内面に形成された第４の接続部７４により接続されている。
上記の接続状態については、前述の図６に示した第１の導体層（２１Ａ，２１Ｂ）、第２の導体層（２２Ａ，２２Ｂ）、第３の導体層（２３Ａ，２３Ｂ）及び第４の導体層（２４Ａ，２４Ｂ）の模式図を参照。

図１０は第２の基板５０における第２のブロックＢの製造方法を示す構造断面図である。図１０に示すように、第２の基板５０は、第１の導体層（２１Ａ，２１Ｂ）、第２の導体層（２２Ａ，２２Ｂ）、第３の導体層（２３Ａ，２３Ｂ）及び第４の導体層（２４Ａ，２４Ｂ）の間に誘電体である絶縁層、例えば、３枚のコア材Ｂ１，Ｂ２及びＢ３を積層するよう配置して形成される。実施例１における３枚のコア材Ｂ１，Ｂ２及びＢ３としては、例えばガラス繊維を強化材として含むエポキシ樹脂製の板材であり、厚さ０．１〜１．６［ｍｍ］の範囲内が好ましい。

図１０において、１番上の第１の導体層Ｘ１は、前述の第１の導体層（２１Ａ，２１Ｂ）のパターン形状を有しており、２番目の第２の導体層Ｘ２は、第２の導体層（２２Ａ，２２Ｂ）のパターン形状を有しており、３番目の第３の導体層Ｘ３は、第３の導体層（２３Ａ，２３Ｂ）のパターン形状を有しており、そして４番目の第４の導体層Ｘ４は、第４の導体層（２４Ａ，２４Ｂ）のパターン形状を有している。なお、実施例１において用いた３枚のコア材Ｂ１，Ｂ２及びＢ３は、均一であり、同じ厚みのものを用いた。

第１の導体層Ｘ１は第１のコア材Ｂ１の上面に固定されて、第１の部材Ｙ１が形成される。第２の導体層Ｘ２と第３の導体層Ｘ３は第２のコア材Ｂ２の上面と下面にそれぞれ固定されて、第２の部材Ｙ２が形成される。そして第４の導体層Ｘ３は第３のコア材Ｂ３の下面に固定されて、第３の部材Ｙ３が形成される。各導体層Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３及びＸ４はそれぞれ、例えば厚さ１２〜７０［μｍ］、好ましくは３５［μｍ］の銅箔膜であり、蒸着により形成される。更に、各導体層Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３及びＸ４のパターン形状は、好ましくは、エッチングにより形成される。

第１の部材Ｙ１と第２の部材Ｙ２と第３の部材Ｙ３との間には、プリプレグ（炭素繊維等の強化材にエポキシ樹脂等の合成樹脂を含浸させた成形用中間材）Ｐ１，Ｐ２がそれぞれ配置され、互いに接着される。プリプレグＰ１，Ｐ２の厚みは、例えば２０〜４００［μｍ］の範囲内が好ましい。また、プリプレグＰ１とＰ２は、略等しい厚みが好ましい。

第２の基板５０の多層基板の製造方法は、例えば、量産する場合、図１０に示したように、あらかじめ所定の導体パターン（２１Ａ，２１Ｂ）を有する第１の導体層Ｘ１を持つ第１の部材Ｙ１、所定の導体パターン（２２Ａ，２２Ｂ）を有する第２の導体層Ｘ２と所定の導体パターン（２３Ａ、２３Ｂ）を有する第３の導体層Ｘ３とをその両面に持つ第２の部材Ｙ２、そして所定の導体パターン（２４Ａ，２４Ｂ）を有する第４の導体層Ｘ４を持つ第３の部材Ｙ３を、これらの間にプリプレグＰ１，Ｐ２を挟んで配置し、全体を加熱しつつ上下からプレスすることにより、互いの層が圧着される。このようの加熱圧着によりコンデンサ内蔵多層基板が製造される。このとき、導体層を有する３枚のコア材Ｂ１，Ｂ２及びＢ３はプレスされて、その内部に空隙が生じないように圧着される。
なお、この製造方法における加熱温度は、プリプレグ樹脂を溶融温度領域である８０℃〜１４０℃の範囲において、１℃／分〜５℃／分の昇温速度で加熱し、その後１７０℃〜２００℃で２０分以上保持してプリプレグ樹脂を硬化する。押圧力は、初期圧力として０．５ＭＰａ程度で５分〜１０分間加圧し、その後２．０ＭＰａ〜４ＭＰａでプレス加工する。

上記のように、実施例１における第２の基板５０の製造においては、所定の温度の条件で単純に加圧して互いに圧着させることにより、層間の厚さが一定し安定した多層基板構造を形成することができる。また、第２の基板５０の製造方法によれば、全体をプレス圧着する方法であるため、接着層であるプリプレグＰ１，Ｐ２内のボイドの発生が確実に防止される。

従って、実施例１の多層基板の製造方法によれば、各導体層間の容量が略等しく均一になり、信頼性の高い高精度のコンデンサ内蔵多層基板を容易に、且つ確実に製造することが可能となる。

以下、実施例１において説明した製造方法により製造されるコンデンサ内蔵多層基板の層間容量について図１１を用いて説明する。図１１は本発明のコンデンサ内蔵多層基板の各種の構造例を示す模式図である。
前述のように、実施例１における導体層Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３及びＸ４は４層構造であり、各導体層間の電気的な接続はスルーホール６１〜６４内の接続部７１〜７４を介して行われる（図８参照）。

図１１においては、スルーホール内の接続部を符号Ｔと符号Ｕで示す。図１１の（Ａ）は、４層の導体層において、１層おきの導体層を第１の接続部Ｔと第２の接続部Ｕにより櫛形に接続した場合を示す。即ち、第１の導体層Ｘ１と第３の導体層Ｘ３を第２の接続部Ｕで接続し、第２の導体層Ｘ２と第４の導体層Ｘ４を第１の接続部Ｔで接続している。

図１１の（Ｂ）に示すコンデンサ内蔵多層基板は、第１の導体層Ｘ１を一方の表面電極として第２の接続部Ｕに接続されており、第４の導体層Ｘ４を他方の表面電極として第１の接続部Ｔに接続されている。従って、図１１の（Ｂ）に示すコンデンサ内蔵多層基板においては、第２の導体層Ｘ２及び第３の導体層Ｘ３は表面電極に対して容量結合である。

図１１の（Ｃ）は、導体層を５層とした場合を示す。図１１の（Ｃ）に示すコンデンサ内蔵多層基板は、第１の導体層Ｘ１と第３の導体層Ｘ３が第２の接続部Ｕで接続されており、第２の導体層Ｘ２と第５の導体層Ｘ５が第１の接続部Ｔで接続されている。

図１１の（Ａ）〜（Ｃ）に示す構造において、第１の導体層Ｘ１と第２の導体層Ｘ２との層間容量を有するコンデンサをバラストコンデンサＣＸ１とし、第２の導体層Ｘ２と第３の導体層Ｘ３との層間容量を有するコンデンサをバラストコンデンサＣＸ２とし、第３の導体層Ｘ３と第４の導体層Ｘ４との層間容量を有するコンデンサをバラストコンデンサＣＸ３とする。また、図１１の（Ｃ）においては、そして第４の導体層Ｘ４と第５の導体層Ｘ５との層間容量を有するコンデンサをバラストコンデンサＣＸ４とする。図１１において、実際は、バラストコンデンサＣＸ１，ＣＸ２，ＣＸ３及びＣＸ４と表示する以外においても、各導体層の重畳する部分で層間容量が存在するが、説明を簡単にするため、図１１に図示するバラストコンデンサＣＸ１，ＣＸ２，ＣＸ３及びＣＸ４を用いて以下に説明する。

図１１の（Ａ）に示すコンデンサ内蔵多層基板の構造において、各層間に形成されるバラストコンデンサＣＸ１，ＣＸ２及びＣＸ３は、各導体層が櫛形に接続されているため、並列接続となり、容量値を大きく設定できる。
図１１の（Ｂ）に示すコンデンサ内蔵多層基板の構造においては、第２の導体層Ｘ２と第３の導体層Ｘ３が接続部Ｔ，Ｕに接続されていない容量結合構造であるため、各バラストコンデンサＣＸ１，ＣＸ２及びＣＸ３が直列接続に形成されて、全体のコンデンサとしての耐圧を向上させることができる。

図１１の（Ｃ）に示すコンデンサ内蔵多層基板の構造においては、導体層が５層構造であり、バラストコンデンサＣＸ１とＣＸ２が並列接続であり、バラストコンデンサＣＸ３とＣＸ４が直列接続である。そして、それぞれの合成容量がさらに並列に接続された構造である。従って、図１１の（Ｃ）に示すコンデンサ内蔵多層基板は、容量値を大きく設定できるとともに、全体のコンデンサとしての耐圧を向上させることが可能となる。また、図１１の（Ｃ）に示すコンデンサ内蔵多層基板の構造においては、バラストコンデンサＣＸ３とＣＸ４の共通導体層である第４の導体層Ｘ４を第２の接続部Ｕを介して表面電極としての第１の導体層Ｘ１に接続することも可能である。

なお、本発明のコンデンサ内蔵多層基板においては、導体層を５層より多く形成して、より多くのバラストコンデンサを構成することも可能である。このように複数の導体層を形成することにより、コンデンサ内蔵多層基板に必要とされる所望のコンデンサ容量値と耐圧を確実に得ることができる。

次に、本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置において上記のように構成されたコンデンサ内蔵多層基板について具体的に説明する。
実施例１のＣＣＦＬ点灯装置において用いられるコンデンサ内蔵多層基板は、前述のように、各層の導体層が電気的に分離した複数の導体パターンを有しており、これらの導体パターンの重畳部分がバラストコンデンサとして用いられている。このように構成された複数のコンデンサを接続して構成された実施例１のコンデンサ内蔵基板についてさらに具体的に説明する。

前述の図８と図９において示したように、各導体層Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３及びＸ４には、電気的に互いに分離した複数の導体パターン（２１Ａと２１Ｂ、２２Ａと２２Ｂ、２３Ａと２３Ｂ、２４Ａと２４Ｂ）が形成されている。即ち、第１の導体層Ｘ１には、導体パターン（２１Ａと２１Ｂ）、第２の導体層Ｘ２には、導体パターン（２２Ａと２２Ｂ）、第３の導体層Ｘ３には、導体パターン（２３Ａと２３Ｂ）、そして第４の導体層Ｘ４には、導体パターン（２４Ａと２４Ｂ）が形成される。前述したように、第１の導体層Ｘ１と第３の導体層Ｘ３に形成される導体パターンは、隣接するバラストコンデンサとの接続部分の導体部分を除けば略同じ導体パターンを有している。また、第２の導体層Ｘ２と第４の導体層Ｘ４に形成される導体パターンは同じ形状を有する。即ち、第１の導体層Ｘ１の導体パターン（２１Ａ）は、隣接するバラストコンデンサとの接続部分を除けば第３の導体層Ｘ３の導体パターン（２３Ａ）と略同じである。そして、第１の導体層Ｘ１の導体パターン（２１Ｂ）と第３の導体層Ｘ３の導体パターン（２３Ｂ）は同じ形状であり、第２の導体層Ｘ２の導体パターン（２２Ａ）と第４の導体層Ｘ４の導体パターン（２４Ａ）は同じ形状であり、第２の導体層Ｘ２の導体パターン（２２Ｂ）と第４の導体層Ｘ４の導体パターン（２４Ｂ）は同じ形状である。各導体層Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３及びＸ４は。いわゆる櫛形構造で接続されており、上記の導体パターンの重畳部分がバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３を構成している。実施例１の構成においては、これらのバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３が直列接続されて、その一端がＣＣＦＬ（冷陰極菅）２０に接続されている。

図８に示したＣＣＦＬ２０に接続された第２のブロックＢにおいて、第１〜第４の導体層Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３及びＸ４における各導体パターン２１Ａ、２２Ａ、２３Ａ及び２４Ａが重なる領域では、それらの層間容量が合成された第１のバラストコンデンサＣＢ１が構成される。例えば、図８において重なる領域を斜線で示しており、符号ＣＢ１で示す斜線領域がほぼ第１のバラストコンデンサＣＢ１の形成領域となる。この第１のバラストコンデンサＣＢ１は主に３つの層間容量、すなわち、第１の導体層Ｘ１の導体パターン（２１Ａ）と第２の導体層Ｘ２の導体パターン（２２Ａ）との間の層間容量、第２の導体層Ｘ２の導体パターン（２２Ａ）と第３の導体層Ｘ３の導体パターン（２３Ａ）との間の層間容量、及び第３の導体層Ｘ３の導体パターン（２３Ａ）と第４の導体層Ｘ４の導体パターン（２４Ａ）との間の層間容量の並列接続と実質的に等価である。

同様に、第２のバラストコンデンサＣＢ２は、第１の導体層Ｘ１の導体パターン（２１Ｂ）と第２の導体層Ｘ２の導体パターン（２２Ａ）、第２の導体層Ｘ２の導体パターン（２２Ａ）と第３の導体層Ｘ３の導体パターン（２３Ｂ）、及び第３の導体層Ｘ３の導体パターン（２３Ｂ）と第４の導体層Ｘの導体パターン（２４Ａ）との間の層間容量の合成が容量となる。例えば、図８において符号ＣＢ２で示す斜線領域がほぼ第２のバラストコンデンサＣＢ２の形成領域となる。
また、第３のバラストコンデンサＣＢ３は、第１の導体層Ｘ１の導体パターン（２１Ｂ）と第２の導体層Ｘ２の導体パターン（２２Ｂ）、第２の導体層Ｘ２の導体パターン（２２Ｂ）と第３の導体層Ｘ３の導体パターン（２３Ｂ）、及び第３の導体層Ｘ３の導体パターン（２３Ｂ）と第４の導体層Ｘの導体パターン（２４Ｂ）との間の層間容量の合成が容量となる。例えば、図８において符号ＣＢ３で示す斜線領域がほぼ第３のバラストコンデンサＣＢ３の形成領域となる。

上記のように、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置に用いられるコンデンサ内蔵多層基板においては、３つのバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３がいわゆる櫛型に接続されたコンデンサとして構成されている。

実施例１のコンデンサ内蔵多層基板におけるバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３のそれぞれの容量は数［ｐＦ］程度である。この容量は、例えば、導体パターンの重なりの面積、コア材Ｂ１，Ｂ２及びＢ３の厚さ、及びプリプレグＰ１，Ｐ２の厚さを適宜調整することにより調節可能である。また、コンデンサ内蔵多層基板におけるコンデンサの容量は、積層構造における層数を増加することにより、各バラストコンデンサの容量の大幅な変更が可能である。

実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における第２の基板５０の第２のブロックＢにおいて、第１のバラストコンデンサＣＢ１の一端側を構成する第１の導体層Ｘ１の導体パターン（２１Ａ）と第３の導体層Ｘ３の導体パターン（２３Ａ）が電源側である第１のブロックＡに接続される。一方、第２のブロックＢにおいて、第３のバラストコンデンサＣＢ３の一端側を構成する第２の導体層Ｘ２の導体パターン（２２Ｂ）と第４の導体層Ｘ４の導体パターン（２４Ｂ）がＣＣＦＬ２０の一方の電極２０Ａに接続される。

実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における第２の基板５０において、ケース１０の側面から遠い導体層ほど装置外部（例えば、ケース１０など）との間の浮遊容量が小さい。即ち、実施例１においては、第４の導体層Ｘ４は装置外部との間の浮遊容量が最も小さく、ほとんどない状態である。従って、第２の基板５０の第２のブロックＢにおける第４の導体層Ｘ４とＣＣＦＬ２０の第１の電極２０Ａとを接続した実施例１の構成では、第１の電極２０Ａの電位が導体層と装置外部との間の浮遊容量による影響を受けにくい構造となる。

一方、第２のブロックＢに電源を供給する第１のブロックＡの出力は、第２のブロックＢにおける導体層と装置外部との間の浮遊容量の大きさに関わらず安定である。従って、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置の構成において、複数のＣＣＦＬ２０間における第１の電極２０Ａの電位変化がばらつきにくい構成であるため、管電流の均一性、すなわち輝度の均一性が向上している。

実施例１のＣＣＦＬ点灯装置の構成において、各ＣＣＦＬ２０の第２の電極２０Ｂに接続される第３のブロックＣには、ＣＣＦＬ２０の第２の電極２０Ｂと接地とを接続する接続部分が形成される（図３参照）。例えば、第３の基板６０内部に形成された導体層はＣＣＦＬ２０の第２の電極２０Ｂと装置外部の接地導体とを接続する。このように、各ＣＣＦＬ２０の第２の電極２０Ｂは第３のブロックＣを通して接地されている。

また、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置の構成において、各ＣＣＦＬ２０の第１の電極２０Ａに接続される第２のブロックＢは、図３に示したように、昇圧トランス５の２次巻線５２の一端に接続される。２次巻線５２の他端は接地されている。

ＣＣＦＬ２０の周辺には様々な浮遊容量が存在する（図示せず）。その浮遊容量には、例えば、ＣＣＦＬ２０とケース１０との間の浮遊容量ＳＣ（図２参照）、及び、第１のブロックＡ、第２のブロックＢ、ＣＣＦＬ２０、第３のブロックＣ、及び接地導体を結ぶ配線の浮遊容量が含まれる。従って、ＣＣＦＬ２０の周辺の浮遊容量はＣＣＦＬ２０ごとに異なっている。例えば、それらの浮遊容量は合計で数［ｐＦ］程度である。

実施例１のＣＣＦＬ点灯装置の構成において、バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の全体の容量は、第２のブロックＢごとに調整される。即ち、並設された複数のＣＣＦＬ２０ごとに調節される。例えば、第１〜第４の導体層Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３及びＸ４におけるそれぞれの導体パターン（２１Ａ，２２Ａ，２３Ａ及び２４Ａ）が重なる領域の面積を増やすことにより、当該バラストコンデンサＣＢ１の容量を増加させることができる。図８において斜線で示すバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３は、対応するＣＣＦＬ２０との間の設置条件（例えば、配線の長さ、導体パターンの形状、ＣＣＦＬ２０の管壁とケース１０との距離、各ＣＣＦＬ２０間の距離等）が考慮されて、容量が調整される。

例えば、並設された複数のＣＣＦＬ２０のうち、ケース１０の側面に最も近いＣＣＦＬ２０では、管壁とケース１０の側面との間の浮遊容量ＳＣが大きい。従って、そのＣＣＦＬ２０に接続されるバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の全体の容量は大きく設定される。

上記のように、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置の構成においては、それぞれのＣＣＦＬ２０と第２のブロックＢとの組合せごとに容量が調整され、バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の全体の容量がＣＣＦＬ２０周辺の浮遊容量と実質的に一致する。即ち、バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の全体のインピーダンスがＣＣＦＬ２０の周辺の浮遊容量の合成インピーダンスと整合する。

実施例１のＣＣＦＬ点灯装置の構成において、第１のブロックＡは出力インピーダンスが低いので、上記のインピーダンス整合は容易に達成される。

なお、好ましくは、バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の全体のインピーダンスは各ＣＣＦＬ２０のそれぞれの点灯時のインピーダンスと整合するように設定される。

本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置は、上記のように、従来のＣＣＦＬ点灯装置における前提に反し、昇圧トランス５の出力インピーダンスが抑制されている。その代わり、ＣＣＦＬ２０のそれぞれに対して、バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＢ３の直列接続体が一組ずつ接続されている。なお、バラストコンデンサＣ１，ＣＢ２及びＣ３の接続方法は、ＣＣＦＬに接続するコンデンサが持つべき容量値と耐圧を考慮して選択され、例えば並列接続体、又は直列と並列の混合接続体で構成しても良い。

本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置において、特に、ＣＣＦＬ２０に接続される接続体のインピーダンスは、複数のＣＣＦＬ２０間での周辺の浮遊容量の差を相殺するように、別々に設定される。従って、複数のＣＣＦＬ２０間で管電流にばらつきが生じることがなく、各ＣＣＦＬ２０における均一した輝度が維持される。

上記のように本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置は、共通の低インピーダンス電源（第１のブロックＡ）により複数のＣＣＦＬ２０を均一に点灯させることができる。更に、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置においては、第１のブロックＡ、第２のブロックＢ、及び第３のブロックＣにおけるそれぞれの間の配線が長くても、対応できる構成である。また、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置は、ＣＣＦＬ２０ごとに容量が大きく異なってもバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３によって調整できるため、配線のレイアウトの柔軟性が高い構成となる。従って、本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置は、装置全体の小型化を容易に達成できる汎用性の高い装置である。

さらに、本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置においては、バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３のそれぞれが第２の基板５０内の導体層間の容量が合成されて構成されている。このように構成されているため、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置は、バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の全体を第２の基板５０の内部に埋め込むことが可能となる。この結果、ＣＣＦＬ２０と第２の基板５０の表面との距離を極端に短くすることが可能となり、装置としての小型化に大きく寄与する構成となる。

上記の実施例１のＣＣＦＬ点灯装置の説明で明らかなように、本発明のＣＣＦＬ点灯装置においては、バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の利用が、例えば液晶ディスプレイ等の電子機器の薄型化に極めて効果的であり、かつ第２の基板５０は、ほぼ均一な厚みのコア材を用い、プレス圧着によって容易に製造することが可能であるため、均一な容量の信頼性の高いコンデンサ内蔵多層基板を容易に、かつ確実に量産可能である。

本発明は、光源として用いられる冷陰極管を点灯させるための冷陰極管点灯装置において有用である。

本発明は、コンデンサ内蔵多層基板とその製造方法、及びそのコンデンサ内蔵多層基板を用いた冷陰極管点灯装置に関し、特に複数の冷陰極管を点灯させるための冷陰極管点灯装置に関する。

蛍光管はその電極の構成により熱陰極管と冷陰極管とに大別される。熱陰極管（以下、ＨＣＦＬと略称する）は電極にフィラメントを有し、このフィラメントを熱して熱電子を放出させて発光する構成である。一方、冷陰極管（以下、ＣＣＦＬと略称する）は電極が高電圧の印加により多数の電子を放出する物質で構成されている。即ち、ＣＣＦＬはＨＣＦＬと異なり、電極が熱電子を放出するフィラメントを含まない構成である。従って、ＣＣＦＬは、ＨＣＦＬに比べて、管径が極めて細く、寿命が長く、そして消費電力が少ない点で有利である。これらの利点により、ＣＣＦＬは主に、液晶ディスプレイのバックライト装置及びファクシミリやスキャナの光源等、特に薄型化、小型化及び省電力化が強く要求される製品における光源として多用されている。

また、ＣＣＦＬは、ＨＣＦＬに比べて、放電開始電圧が高く、放電時に電極間に流れる放電電流（以下、管電流と略称する）が小さく、そしてインピーダンスが高い、という電気的特性を有する。ＣＣＦＬは、特に、管電流の増大に伴い、電極間における抵抗値が急落する、という負性抵抗特性を有する。このようなＣＣＦＬの電気的特性が考慮されて、冷陰極管点灯装置（以下、ＣＣＦＬ点灯装置と略称する）の構成が工夫されている。特に、ＣＣＦＬの用途では装置の小型化や薄型化、及び省電力化が重要視されているため、ＣＣＦＬ点灯装置においても小型化、特に薄型化及び省電力化が強く要求されている。

従来のＣＣＦＬ点灯装置としては、例えば、日本の特開平８−２７３８６２号公報に開示されたものがある。図１２は、その従来のＣＣＦＬ点灯装置の構成を示す回路図である。図１２に示す従来のＣＣＦＬ点灯装置は、高周波発振回路２００、昇圧トランス３００、及びインピーダンス整合部４００を有する。

高周波発振回路２００は、直流電源１００からの直流電圧を高周波の交流電圧に変換し、その交流電圧を昇圧トランス３００の一次巻線Ｌ１に印加する。昇圧トランス３００は一次巻線Ｌ１に印加された電圧より極めて高い電圧を二次巻線Ｌ２の両端に発生させる。その高い二次電圧Ｖはインピーダンス整合部４００でインピーダンスが整合されてＣＣＦＬ５００の両端に印加される。インピーダンス整合部４００は、例えば、チョークコイル４０１とコンデンサ４０２との直列回路を具備する。コンデンサ４０２はＣＣＦＬ５００の周辺の浮遊容量を含む。インピーダンス整合部４００において、チョークコイル４０１のインダクタンスとコンデンサ４０２の容量との調節により、昇圧トランス３００とＣＣＦＬ５００との間のインピーダンスが整合される。

ＣＣＦＬ５００の点灯時、昇圧トランス３００の一次巻線Ｌ１に電圧が印加されると、インピーダンス整合部４００のチョークコイル４０１とコンデンサ４０２との共振によりＣＣＦＬ５００の両端電圧ＶＲが急上昇し、その両端電圧ＶＲは放電開始電圧を超える。この結果、ＣＣＦＬ５００は放電を開始し、発光を始める。その後、ＣＣＦＬ５００の電極間に流れる管電流ＩＲは増加し、この管電流ＩＲの増加に伴い、負性抵抗特性によりＣＣＦＬ５００の抵抗値は急落する。ＣＣＦＬ５００の抵抗値の急落に伴い、ＣＣＦＬ５００の両端電圧ＶＲが降下する。そのとき、インピーダンス整合部４００の作用により、ＣＣＦＬ５００の両端電圧ＶＲの変動に関わらず、管電流ＩＲは安定に維持される。すなわち、ＣＣＦＬ５００の輝度が安定状態に維持される。

図１２に示した回路図では、昇圧トランス３００の二次巻線Ｌ２とチョークコイル４０１が異なる回路素子として表示している。しかし、実際のＣＣＦＬ点灯装置では、一つの漏洩磁束型トランスの二次巻線が、昇圧、チョーク、及びインピーダンス整合の三つの作用のために兼用されている。従って、漏洩磁束型トランスを有するＣＣＦＬ点灯装置は、部品点数が少なく、装置サイズを小さく抑えることが可能な構成であった。すなわち、従来のＣＣＦＬ点灯装置では漏洩磁束型トランスが特に小型化において有利であると考えられ、多用されていた。
特開平８−２７３８６２号公報 特開２００３−２１８５３６号公報 特開２００４−２００２６３号公報 特開２００２−２０４０７３号公報

液晶ディスプレイにおけるバックライト装置では、特に高輝度が要求される。従って、そのバックライト装置として棒状のＣＣＦＬ（冷陰極管）を用いる場合には、複数のＣＣＦＬの設置が望ましい。このようなバックライト装置においては、複数のＣＣＦＬのそれぞれの輝度が同じであることが望ましい。また、このような液晶ディスプレイの分野における重要な課題である小型化を達成するためには、ＣＣＦＬを点灯させるための点灯装置は小型でなければならなかった。これらの要求を満たすためには、複数のＣＣＦＬを同じ電圧で駆動できるように並列接続が望ましい。

しかしながら、複数のＣＣＦＬを並列接続して、同じ電圧で駆動することは、以下の理由により困難であった。

ＣＣＦＬは前述のように負性抵抗特性を有している。従って、複数のＣＣＦＬを単純に並列接続するだけでは、点灯時においていずれか一つのＣＣＦＬだけに電流が集中する可能性があり、電流が集中した場合には、その電流が集中した一つのＣＣＦＬしか点灯しない現象が生じる場合があった。更に、複数のＣＣＦＬを共通の電源と並列に接続しても、それぞれのＣＣＦＬと電源間の配線、特にその長さが異なっている。従って、浮遊容量はＣＣＦＬごとに異なっている。それ故、複数のＣＣＦＬを並列接続して駆動しても、ＣＣＦＬごとに管電流を制御する必要があり、管電流のばらつきを無くすための制御回路が必要であった。

従来のＣＣＦＬ点灯装置においては、一つの漏洩磁束型トランスを複数のＣＣＦＬに対する共通のチョークコイルとして利用すること、一つの漏洩磁束型トランスと各ＣＣＦＬとの間で高精度にインピーダンス整合を行うこと、及び個々の管電流を高精度に制御すること、の全てを成立させることは困難であった。また、漏洩磁束型トランスに代えて、圧電トランスを用いる場合においても、同様に困難であった。それ故、従来のＣＣＦＬ点灯装置では、電源（特に漏洩磁束型トランス）をＣＣＦＬごとに一つずつ設置し、それぞれの電源でそれぞれの管電流を制御していた。即ち、従来のＣＣＦＬ点灯装置では電源がＣＣＦＬと同数だけ必要であった。従って、従来のＣＣＦＬ点灯装置の構成では、部品点数の低減を図ることが困難であり、装置全体の更なる小型化を達成することができなかった。

本発明は、一つの電源で複数の冷陰極管（ＣＣＦＬ）を同じ輝度で点灯させることが可能な冷陰極管点灯装置を提供することを目的としている。この冷陰極管点灯装置においては、複数のバラストコンデンサが多層基板により構成されており、更なる小型化を実現させるとともに、安定した性能を有し、かつ量産に適した冷陰極管点灯装置を提供することを目的としている。

本発明に係るコンデンサ内蔵多層基板は、誘電体層を介して少なくとも４つの導体層が積層されたコンデンサ内蔵多層基板であって、少なくとも
第１の誘電体層の一方の面に所定の導体パターンを有する第１の導体層が積層された第１の部材、
第２の誘電体層の両方のそれぞれの面に所定の導電パターンを有する第２の導体層と第３の導体層がそれぞれ積層された第２の部材、
第３の誘電体層の一方の面に所定の導体パターンを有する第４の導体層が積層された第３の部材、
前記第１の誘電体層の他方の面と前記第２の部材の一方の面との間に配置され互いの面を接着する第１の接着層、及び
前記第３の誘電体層の他方の面と前記第２の部材の他方の面との間に配置され互いの面を接着する第２の接着層、を有しており、
当該コンデンサ内蔵多層基板における所定位置に形成されたスルーホールの接続部により特定の導体パターンを接続して導体層間コンデンサのブロックが複数個形成されている。

本発明に係るコンデンサ内蔵多層基板の製造方法は、誘電体層を介して少なくとも４つの導体層を積層して構成されるコンデンサ内蔵多層基板の製造方法であって、少なくとも
第１の誘電体層の一方の面に所定の導体パターンを有する第１の導体層が積層された第１の部材を製造する工程、
第２の誘電体層の両方のそれぞれの面に所定の導電パターンを有する第２の導体層と第３の導体層がそれぞれ積層された第２の部材を製造する工程、
第３の誘電体層の一方の面に所定の導体パターンを有する第４の導体層が積層された第３の部材を製造する工程、
前記第１の誘電体層の他方の面と前記第２の部材の一方の面との間に第１の接着層を配置する工程、
前記第３の誘電体層の他方の面と前記第２の部材の他方の面との間に第２の接着層を配置する工程、
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層と前記第３の誘電体層とを前記第１の接着層と前記第２の接着層とを介して互いに接着するよう挟み付ける方向に加熱して加圧する工程、
特定の導体パターンの所定位置にスルーホールを形成する工程、及び
前記スルーホールの内面に接続部を形成して特定の導体パターンを電気的に接続して導体層間コンデンサのブロックが複数個形成される工程、を有する。

本発明に係る冷陰極管点灯装置は、誘電体層を介して少なくとも４つの導体層が積層されて構成された複数のバラストコンデンサを有するコンデンサ内蔵多層基板、及び
前記バラストコンデンサを通して前記冷陰極管に電力を供給する低出力インピーダンスを持つ低インピーダンス電源、を具備する冷陰極管点灯装置であって、
前記コンデンサ内蔵多層基板は、
誘電体層を介して少なくとも４つの導体層が積層されたコンデンサ内蔵多層基板であって、少なくとも
第１の誘電体層の一方の面に所定の導体パターンを有する第１の導体層が積層された第１の部材、
第２の誘電体層の両方のそれぞれの面に所定の導電パターンを有する第２の導体層と第３の導体層がそれぞれ積層された第２の部材、
第３の誘電体層の一方の面に所定の導体パターンを有する第４の導体層が積層された第３の部材、
前記第１の誘電体層の他方の面と前記第２の部材の一方の面との間に配置され互いの面を接着する第１の接着層、及び
前記第３の誘電体層の他方の面と前記第２の部材の他方の面との間に配置され互いの面を接着する第２の接着層、を有しており、
当該コンデンサ内蔵多層基板における所定位置に形成されたスルーホールの接続部により特定の導体パターンを接続して前記バラストコンデンサを構成する導体層間コンデンサのブロックが複数個形成されている。

複数の冷陰極管においては、一般に、設置条件（例えば、配線の長さ、配線のパターン、冷陰極管の管壁と装置外部（例えば液晶ディスプレイのケース）との距離等の相違により周辺の浮遊容量にばらつきが生じ、特に管壁と装置外部との間に流れる漏れ電流にばらつきが生じる。

本発明による上記の冷陰極管点灯装置では従来の冷陰極管点灯装置における前提に反し、電源の出力インピーダンスが抑制されている。その代わり、冷陰極管のそれぞれに少なくとも一つずつ、バラストコンデンサが接続されている。

バラストコンデンサの容量は、好ましくは冷陰極管ごとに調節される。それにより、バラストコンデンサ間での容量のばらつきが複数の冷陰極管間での浮遊容量のばらつきと精度高く一致する。すなわち、バラストコンデンサそれぞれのインピーダンスが冷陰極管それぞれの周辺の浮遊容量の合成インピーダンスと整合する。その結果、複数の冷陰極管間では、特に設置条件の相違による漏れ電流のばらつきに関わらず、管電流が均一に維持される。上記のように、バラストコンデンサの容量を冷陰極管ごとに調整することにより、低インピーダンス電源とバラストコンデンサそれぞれとの間の配線が長くても、更にバラストコンデンサごとに容量が大きく異なっても、複数の冷陰極管間で管電流にばらつきが生じることがない。従って、複数の冷陰極管間では設置条件の相違に関わらず、輝度が均一に維持される。

本発明の冷陰極管点灯装置の構成において、共通の低インピーダンス電源で複数の冷陰極管を同じ輝度で一様に点灯させることが可能となる。

本発明の冷陰極管点灯装置は、配線のレイアウトに対する柔軟性が高く、特に配線が長くても対応することができる。そのとき、好ましくは、低インピーダンス電源が本発明に係るコンデンサ内蔵多層基板とは異なる基板に実装される。このように基板の分離は、複数の冷陰極管間での輝度の均一化を損なうことなく、容易に実現することができる。

バラストコンデンサや回路素子は一般に、低インピーダンス電源を用いることによりサイズが小さく構成できる。また、バラストコンデンサは電力消費に伴う発熱における温度が低い。従って、バラストコンデンサを搭載するコンデンサ内蔵多層基板が、低インピーダンス電源を搭載する基板から分離され、冷陰極管のごく近くに設置することが可能となる。これにより、バラストコンデンサを搭載するコンデンサ内蔵多層基板と冷陰極管とにより構成される部分を容易に薄型化することが可能となる。

例えば、冷陰極管が液晶ディスプレイのバックライト装置として利用されるとき、その液晶ディスプレイの薄型化を容易に実現することが可能となる。即ち、本発明の冷陰極管点灯装置は、特に、液晶ディスプレイのバックライトの駆動装置としての利用において有利である。

本発明の冷陰極管点灯装置は、低インピーダンス電源が採用され、かつバラストコンデンサのインピーダンスがＣＣＦＬのインピーダンスと同程度に高く設定されている。従って、本発明の冷陰極管点灯装置に用いられるバラストコンデンサは容量が小さく設定できる。従って、本発明においては、バラストコンデンサを基板の導体層間の容量として実現できる。そのとき、バラストコンデンサは全体が基板内部に埋め込まれるため、そのバラストコンデンサのサイズ、特に厚みは従来のものより著しく小さいものとなる。その結果、複数の冷陰極管を並列駆動させる場合でも、冷陰極管点灯装置と冷陰極管との間の接続部分が小さく、特に薄く構成することが可能となる。このように冷陰極管点灯装置と冷陰極管との間の接続部分を薄型化することは、特に、液晶ディスプレイのバックライトの駆動装置としての利用において有利である。

上記のように本発明の冷陰極管点灯装置においては、バラストコンデンサを有するコンデンサ内蔵多層基板を用いることが装置全体の小型化に極めて効果的である。

また、本発明のコンデンサ内蔵多層基板の内部では各層の厚みが高精度に均一に形成されるため、コンデンサ内蔵多層基板におけるバラストコンデンサは容量のばらつきが極めて小さい。

さらに、本発明のコンデンサ内蔵多層基板においては、導体層の形状が複雑なものであっても容易に形成することが可能であり、かつ、コンデンサ内蔵多層基板の層数は容易に調整することができる。これにより、複数のバラストコンデンサを直列又は並列に接続させることが容易である。従って、本発明のコンデンサ内蔵多層基板においては、バラストコンデンサの耐圧と容量との設定の自由度が高いものとなっている。

本発明のコンデンサ内蔵多層基板では、導体層が、好ましくは、蒸着された導体の膜で構成されている。このような導体層はいわゆる自己回復作用を持ち、すなわち過電流の発生時に溶断されることで過電流を抑えることができる。従って、本発明のコンデンサ内蔵多層基板を用いることにより、冷陰極管と冷陰極管点灯装置とが過電流による破壊を回避できる構成となる。

本発明の冷陰極管点灯装置では、好ましくは、バラストコンデンサのインピーダンス、冷陰極管周辺の浮遊容量の合成インピーダンス、及び冷陰極管の点灯時のインピーダンスが整合するよう調整されている。特に、バラストコンデンサは、少なくとも４つの導体層を有し、これら導体層間に絶縁性を有する均一な厚みの誘電体層であるコア材を介在させて導体層が互いに電気的に分離した状態で互いに密着して一体化されている。そして、バラストコンデンサが、コンデンサ内蔵多層基板の導体層間の容量として形成されるので、その容量の設定が容易であり、かつ容量のばらつきが小さい。従って、本発明において、インピーダンス整合はバラストコンデンサと冷陰極管との組合せごとに、高精度で調整することができる。このように構成されているため、本発明の冷陰極管点灯装置では、複数の冷陰極管間では周辺の浮遊容量のばらつきに関わらず、管電流が均一に保持されるため、均一な輝度が確実に維持される。

本発明の冷陰極管点灯装置ではバラストコンデンサ全体がコンデンサ内蔵多層基板内部に埋め込まれる構成であるため、従来の冷陰極管点灯装置とは異なり、そのコンデンサ内蔵多層基板自体の表面と冷陰極管の表面との間隔を所望の距離に調節することにより、高温による誤動作と絶縁破壊による故障とを回避することができる。本発明のコンデンサ内蔵多層基板は、耐熱性と耐電圧性がいずれも高いため、コンデンサ内蔵多層基板の表面と冷陰極管の表面との間隔を短く設定することが可能となる。従って、本発明の冷陰極管点灯装置では冷陰極管とコンデンサ内蔵多層基板との接続部分の薄型化が容易である。その接続部分での薄型化の向上は特に、液晶ディスプレイのバックライトの駆動装置としての利用において有利である。

本発明の冷陰極管点灯装置では好ましくは、バラストコンデンサを搭載するコンデンサ内蔵多層基板の表面が冷陰極管の長さ方向（中心軸方向）に対して直交して設置される。それにより、コンデンサ内蔵多層基板の表面と冷陰極管の表面との距離を安全な範囲内に保持した状態で、冷陰極管とコンデンサ内蔵多層基板との接続部分を小型化することが可能となる。更に、本発明の構成においては、冷陰極管の端部（一方の電極）をコンデンサ内蔵多層基板へ容易に接続することができ、且つその接続状態が安定に保持される。

バラストコンデンサを搭載するコンデンサ内蔵多層基板は、その表面が冷陰極管の長さ方向（中心軸方向）に対して直交するよう設置されており、バラストコンデンサを構成する導体層のうち、冷陰極管に最も近い導体層が冷陰極管の電極に接続され、冷陰極管から最も遠い導体層が低インピーダンス電源に接続されるよう構成することが好ましい。このように構成することにより、複数の冷陰極管間では電極電位の変化のばらつきが更に抑えられる、管電流の均一性、すなわち輝度の均一性が更に向上する。

本発明の冷陰極管点灯装置では、好ましくは、バラストコンデンサに接続され、複数の冷陰極管の合成インピーダンスより低い出力インピーダンスを持つトランスが低インピーダンス電源に含まれている。本発明の冷陰極管点灯装置においては、従来の冷陰極管点灯装置での前提に反し、トランスの出力インピーダンスが抑えられるので、低い出力インピーダンスの電源が実現される。

本発明において、トランスの出力インピーダンスの低減に効果的な手段としては例えば、そのトランスが、コアと、そのコアに巻かれる一次巻線と、その一次巻線の内側若しくは外側又はその両方に巻かれる二次巻線と、を有して構成される。このように構成することにより、漏れ磁束が低減するため、本発明においては、出力インピーダンスが抑えられる。更に、本発明においては、漏れ磁束による周辺機器への悪影響（例えばノイズの発生）が抑えられている。

本発明の冷陰極管点灯装置では、低インピーダンス電源を上記のトランスに代えてパワートランジスタを用いても良く、このパワートランジスタをバラストコンデンサに接続しても良い。パワートランジスタの利用は出力インピーダンスを容易に、かつ効果的に低減させ得る。従って、本発明の冷陰極管点灯装置は、より多数の冷陰極管を一様に点灯させることが可能となる。

本発明のコンデンサ内蔵多層基板は、その基板内部では各層の厚みが高精度に均一な多層基板により構成されているため、形成されるバラストコンデンサ容量のばらつきを極めて小さく設定できる。また、本発明のコンデンサ内蔵多層基板は、導体層の形状が比較的複雑なものであっても容易に形成可能であり、且つ、基板の層数は比較的容易に調整できる。従って、本発明のコンデンサ内蔵多層基板においては、複数のバラストコンデンサを直列又は並列に接続させることが容易であり、バラストコンデンサの耐圧と容量の設定の自由度が高い。

また、本発明によるコンデンサ内蔵多層基板を用いた冷陰極管点灯装置は、複数の冷陰極管のそれぞれに少なくとも一つずつ接続される複数のバラストコンデンサと共通の低インピーダンス電源とにより、従来の冷陰極管点灯装置とは異なり、共通の電源で複数の冷陰極管を均一に点灯させることが可能となる。

更に、本発明のコンデンサ内蔵多層基板は、少なくとも４つの導体層を有し、これら導体層間に絶縁性を有する均一な厚みの誘電体層であるコア材を介在させて導体層が互いに電気的に分離した状態で互いに密着し一体化されている。また、本発明においては、コンデンサ内蔵多層基板において対向する複数の導体層間の容量を有するバラストコンデンサが構成されているため、均一な容量を有するコンデンサ内蔵多層基板を確実に製造することが可能であり、コンデンサ内蔵多層基板を有する装置を量産可能な装置として容易に実現することができる。

本発明によるコンデンサ内蔵多層基板を用いた冷陰極管点灯装置では、バラストコンデンサがコンデンサ内蔵多層基板の導体層間の容量として形成されている。これにより、バラストコンデンサ全体が基板内部に埋め込まれる構成であるため、冷陰極管と冷陰極管点灯装置との接続部分を極めて薄く形成することが可能となる。特に、本発明の冷陰極管点灯装置が液晶ディスプレイのバックライトの駆動装置として利用されるとき、上記ように構成されたバラストコンデンサの利用は液晶ディスプレイの薄型化に極めて効果的である。

以下、本発明に係る冷陰極管点灯装置に用いられるコンデンサ内蔵多層基板及び冷陰極管点灯装置の最良の形態である実施例１について、添付の図面を参照しつつ説明する。

図１は、本発明に係る実施例１の冷陰極管点灯装置（以下、ＣＣＦＬ点灯装置と略称する）を搭載する液晶ディスプレイのバックライト装置の構成を示す斜視図である。図１においては、液晶ディスプレイのケース１０の背面が上側に描かれている。また、ケース１０の内部を示す目的で、ケース１０の背板と側板との一部が取り除かれている。図２は図１に示したＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。図２の断面図において、図１に示される矢印が視線方向を示す。

図１と図２とで示される液晶ディスプレイは、ケース１０、平行に配置された複数の冷陰極管（以下、ＣＣＦＬと略称する）２０、ＣＣＦＬ２０の背面側に配置された反射板３０、ケース１０の背面（ＣＣＦＬ２０と対向しない面）上に設けられた第１の基板４０、ＣＣＦＬ２０の一方の電極２０Ａに接続される第２の基板５０、ＣＣＦＬの他方の電極２０Ｂに接続される第３の基板６０、及びＣＣＦＬ２０の正面側に配置された液晶パネル７０（図２参照）を有する。

本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における回路構成は、主に第１のブロックＡ、第２のブロックＢ及び第３のブロックＣの３つのブロックに分けられ、それぞれのブロックＡ，Ｂ，Ｃにおける回路素子は第１の基板４０、第２の基板５０及び第３の基板６０のそれぞれに実装される。

ケース１０は、例えば金属製の箱であり、接地されている。このようにケース１０が接地されているため、ＣＣＦＬ２０から放射される電磁的ノイズ及び外部から入射される電磁的ノイズはいずれも遮蔽される。

図２に示すように、ケース１０の正面側（図２における下側）は開放されている。ケース１０の内側には、その背面側から正面側の方向に、反射板３０、ＣＣＦＬ２０及び液晶パネル７０が順に配設されている。

細い棒状のＣＣＦＬ２０は複数本（例えば１６本）で構成され、それぞれが平行で実質的に一平面内に配置されている。各ＣＣＦＬ２０の両端には、絶縁性、耐熱性及び収縮性を有する材料、例えばゴム製のチューブ（図示せず）が被せられている。これらのチューブはケース１０に固定されたブラケット（図示せず）により支持されている。このようにブラケットにより各ＣＣＦＬ２０は、平行で実質的に一平面内に保持されており、各ＣＣＦＬ２０の間隔は等しく配置されている。即ち、各ＣＣＦＬ２０は、液晶ディスプレイの横方向においては平行であり、縦方向においては等間隔で並設されている。

各ＣＣＦＬ２０の両端側から導出する電極２０Ａ，２０Ｂに接続される第２の基板５０と第３の基板６０は、例えばＣＣＦＬ２０の長手方向（中心軸方向）に対して直交する方向で各ＣＣＦＬ２０の両端側に設置される。このように第２の基板５０と第３の基板６０とを配置することにより、第２の基板５０と第３の基板６０のそれぞれの表面は、ＣＣＦＬ２０からの距離を安全な領域に維持される。従って、第２の基板５０と第３の基板６０は、各ＣＣＦＬ２０に対して最適最小距離に確実に配置され、液晶ディスプレイのバックライト装置として小型化が達成される。

更に、第２の基板５０と第３の基板６０とを上記のように配置することにより、ＣＣＦＬ２０の両端の端子と第２の基板５０と第３の基板６０とを容易に実装することが可能となり、且つ各ＣＣＦＬ２０は安定した状態で保持される。

実施例１のＣＣＦＬ点灯装置で構成されたバックライト装置において、第２の基板５０と第３の基板６０は多層プリント配線板で構成されている。なお、第２の基板５０と第３の基板６０は、フレキシブルな多層プリント配線板であっても良い。第２の基板５０及び第３の基板６０は、耐熱性及び難燃性を有し、且つ高電圧に耐える材料より形成されている。このため、第２の基板５０と第３の基板６０は、耐熱性及び難燃性が高く、高電圧に耐える構成となる。

第２の基板５０と第３の基板６０とはそれぞれ、複数の導体層、好ましくは銅箔と、複数の絶縁層が積層されて構成されている。実施例１の絶縁層は誘電体で構成されており、例えば、ガラス繊維を強化材として含むエポキシ樹脂基板により形成されている。実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における第２のブロックＢは、第２の基板５０の導体層のパターン形状から構成される回路である。また、第３のブロックＣは第３の基板６０の導体層のパターン形状から構成される回路である。第２のブロックＢと第３のブロックＣは、各ＣＣＦＬ２０ごとに一つずつ設けられている。第２のブロックＢと第３のブロックＣとはそれぞれが、ＣＣＦＬ２０の両端の電極２０Ａ，２０Ｂ（図２参照）（以下、第１の電極２０Ａ及び第２の電極２０Ｂという）にそれぞれに接続される。ここで、ＣＣＦＬ２０の両端の電極２０Ａ，２０Ｂにおいて、第１の電極２０Ａが第２のブロックＢにおける導体パターンに接続されており、第２の電極２０Ｂが第３のブロックＣにおける導体パターンに接続されている。

第２のブロックＢはその全体が第２の基板５０の内部に埋設されている。また、第３のブロックＣはその全体が第３の基板６０の内部に埋設されている。従って、第２の基板５０と第３の基板６０とのそれぞれの表面と各ＣＣＦＬ２０の表面との間隔を所望の距離に調節することにより、第２のブロックＢと第３のブロックＣとは高温による誤動作と絶縁破壊による故障とを回避できる。

なお、実施例１における第２の基板５０と第３の基板６０は耐熱性と耐電圧性が高いため、第２の基板５０と第３の基板６０とのそれぞれの表面と、各ＣＣＦＬ２０の表面との間隔は短くても良い。特に好ましくは、第２の基板５０と第３の基板６０とがケース１０の内部に配置され、且つＣＣＦＬ２０の両端側の電極近傍に設置することである。このとき、第２の基板５０と第３の基板６０の表面と、ＣＣＦＬ２０の表面との間隔は両者の温度差と電位差とから決まり、例えば０．１〜１０［ｍｍ］である。このように、本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置ではＣＣＦＬ２０と各基板（５０，６０）との接続部分を小さく設定することが可能であり、且つＣＣＦＬ点灯装置の厚み（正面と背面との距離）を薄く設定することが可能となる。

第２のブロックＢと第３のブロックＣの各回路は、第１の基板４０上の第１のブロックＡの回路に接続される。図１において、第１のブロックＡの回路と第２のブロックＢ及び第３のブロックＣとの間の配線の図示は省略している。実施例１においては、第１の基板４０がケース１０の背面側の外側に設けられている。なお、この第１の基板４０は、ケース１０の背面側の外側に限定されるものではなく、当該ＣＣＦＬ点灯装置が組み込まれる装置における構造に応じて設定される。第１のブロックＡは直流電源（図示せず）に接続されている。

ＣＣＦＬ点灯装置は、直流電源から供給される電力を三つのブロックＡ，Ｂ及びＣを介して各ＣＣＦＬ２０のそれぞれに分配する。この結果、ＣＣＦＬ２０はそれぞれが発光する。ＣＣＦＬ２０の発する光は、直接、又は反射板３０により反射され、液晶パネル７０に入射される（図２に示される矢印参照）。液晶パネル７０は所定のパターンでＣＣＦＬ２０からの入射光を遮蔽制御して、液晶パネル７０の正面側にはそのパターンが映し出される。

図３は、本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置の構成を示す回路図である。実施例１のＣＣＦＬ点灯装置は、前述のように、主に三つのブロックＡ，Ｂ及びＣから成り立っている。

第１のブロックＡは高周波発振回路４と昇圧トランス５とを有し、並列共振型プッシュプルインバータとして構成される。高周波発振回路４は、第１のコンデンサ４１、発振器４２、第１のトランジスタ４３、インバータ４４、第２のコンデンサ４５、第２のトランジスタ４６、及びインダクタ４７を含んで構成される。昇圧トランス５は、中性点Ｍ１で分けられた二つの一次巻線５１Ａと５１Ｂ、及び二次巻線５２を含む。

直流電源１００の正極はインダクタ４７の一端に接続され、負極は接地される。第１のコンデンサ４１は直流電源１００の両極間に接続される。インダクタ４７の他端は昇圧トランス５の一次巻線５１Ａ、５１Ｂの間の中性点Ｍ１に接続される。第１の一次巻線５１Ａの別の端子５３Ａと第２の一次巻線５１Ｂの別の端子５３Ｂとの間には第２のコンデンサＣ２が接続される。第１の一次巻線５１Ａの入力端子５３Ａは更に、第１のトランジスタ４３の一端に接続される。第２の一次巻線５１Ｂの端子５３Ｂは更に、第２のトランジスタ４６の一端に接続される。第１のトランジスタ４３と第２のトランジスタ４６とのそれぞれの他端は共に接地される。実施例１において用いた二つのトランジスタ４３と４６は、好ましくはＭＯＳＦＥＴである。本発明のＣＣＦＬ点灯装置における第１のトランジスタ４３と第２のトランジスタ４６としては、その他に、ＩＧＢＴ又はバイポーラトランジスタであっても良い。発振器４２は、第１のトランジスタ４３の制御端子に直接接続され、第２のトランジスタ４６の制御端子にはインバータ４４からの出力信号が接続される。

直流電源１００は出力電圧Ｖｉを一定値（例えば１６［Ｖ］）に維持する。第１のコンデンサ４１は直流電源１００からの入力電圧Ｖｉを安定に維持する。発振器４２は一定周波数（例えば４５［ｋＨｚ］）のパルス波を二つのトランジスタ４３，４６の制御端子に対し送出する。インバータ４４は、第２のトランジスタ４６の制御端子に入力されるパルス波の極性を、第１のトランジスタ４３の制御端子に入力されるパルス波の極性とは逆にする。従って、二つのトランジスタ４３，４６は発振器４２の周波数と同じ周波数で交互にオンオフする。この結果、昇圧トランス５の一次巻線５１Ａと５１Ｂとに対し入力電圧Ｖｉが交互に印加される。その電圧印加ごとにインダクタ４７と第２のコンデンサ４５とが共振し、昇圧トランス５の二次電圧Ｖの極性が発振器４２の周波数と同じ周波数で反転する。ここで、二次電圧Ｖの実効値は、一次巻線５１Ａと５１Ｂとに対する印加電圧Ｖｉと昇圧トランス５の昇圧比（即ち、一次巻線５１Ａと二次巻線５２との巻数比）との積と実質的に等しい。実施例１の冷陰極管点灯装置の構成において、二次電圧Ｖの実効値は、好ましくは、ＣＣＦＬ２０のランプ電圧の１．５倍程度（例えば１８００［Ｖ］）に設定される。

上記のように、第１のブロックＡにおいては、直流電源１００からの電圧Ｖｉを高周波（例えば４５［ｋＨｚ］）の交流電圧Ｖに変換する。なお、本発明における第１のブロックＡとしては、上記のような並列共振型プッシュプルインバータに限定されるものではなく、他の形式の（トランスを含む）インバータであっても良い。

本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置では、昇圧トランス５の漏れ磁束が後述するように、小さく抑えられている。従って、第１のブロックＡは出力インピーダンスの低い電源、すなわち低インピーダンス電源として機能する。

図４は、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置に用いた昇圧トランス５の構成を模式的に示す分解組立図である。図５は図４に示したＶ−Ｖ線に沿って切断した昇圧トランス５の断面図である。図５の断面図は、図４に示される矢印が視線方向である。

図４及び図５に示すように、実施例１における昇圧トランス５は、一次巻線５１、二次巻線５２、２つのＥ型コア５４と５５、ボビン５６、及び絶縁テープ５８を含んで構成される。昇圧トランス５の一次巻線５１は、前述の図３において示した二つの一次巻線５１Ａと５１Ｂとを合わせたものである。ボビン５６は、例えば合成樹脂製であり、中空部５６Ａを有する円筒形状である。その中空部５６Ａには両方の開口部から、Ｅ型コア５４と５５のそれぞれの中央の突起５４Ａと５５Ａが挿入される。ボビン５６の外周面上には複数の仕切５７が軸方向に等間隔を有して形成されている。

昇圧トランス５の組み立て方法は、まず、ボビン５６の仕切５７の間に二次巻線５２が巻かれる。次に、二次巻線５２の外側に絶縁テープ５８が巻かれる。最後に、絶縁テープ５８の外側に一次巻線５１が巻かれる。このように一次巻線５１と二次巻線５２とを重ねてボビン５６の外周面上に巻くことにより、漏れ磁束が著しく低減する。従って、昇圧トランス５の損失が少なくなり、出力インピーダンスを低く設定することが可能となる。その出力インピーダンスは、特に、並列に接続される複数のＣＣＦＬ２０（図３参照）全ての合成インピーダンスより低く設定される。実施例１においては、二次巻線５２の外側に一次巻線５１が巻き付けられる構成であるが、一次巻線５１の外側に二次巻線５２を巻き付けても良く、若しくは二次巻線５２の内側と外側の両側に一次巻線５１を巻き付けても良い。

実施例１における昇圧トランス５は、ボビン５６に対して二次巻線５２が分割巻きで巻かれている。その他に、ミツバチの巣の形状のように６角形状に二次巻線を巻き付けるハネカム巻きでボビンに巻き付ける構成でも良い。このように構成することにより、巻線間の放電が防止されると共に、線間容量が小さく抑えられる。従って、昇圧トランス５における二次巻線５２の自己共振周波数を十分に高く設定することができる。

次に、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における第２のブロックＢの具体的な構成について説明する。
図３に示したように、各ＣＣＦＬ２０の一方の電極２０Ａに接続される第２のブロックＢは、それぞれ、例えば三つのバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の直列接続により構成されている。なお、図３に示す実施例１の構成においては、第２のブロックＢがＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の直列接続により構成された場合について説明するが、他の構成も可能である。例えば、第２のブロックＢを複数のコンデンサの並列接続、又は直列接続と並列接続との組み合わせとすることも可能である。第２のブロックＢを複数のコンデンサの並列接続により構成した場合には、コンデンサ容量を大きく設定することが可能となる。

実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における第２のブロックＢは、第２の基板５０における導体層と絶縁層との多層構造のコンデンサにより構成されている。第２のブロックＢにおいては誘電体である絶縁層を介して複数に積層された導体層が形成されており、このように複数の導体層を有する第２のブロックＢの一端側を接続して、並列接続し、各ＣＣＦＬ２０に接続されるコンデンサが構成されている。このように並列接続で構成することにより、第２のブロックＢのコンデンサの容量値を大きく設定することが可能となる。

例えば、各第２のブロックＢに形成されるコンデンサが、３つのバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の場合について以下に説明する。３つのバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３は、積層された４つの導体層間の層間容量を利用して形成される。これらのバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３には、所定の導体層間を導通させるための接続部分が通るスルーホールが形成されており、このスルーホールの内面導体膜を表面電極としている。即ち、複数の導体層がスルーホールを貫通する接続部分により櫛形構造に接続されている。

バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の容量は、第２の基板５０における導体層の面積及び誘電体である絶縁層の大きさにより決定される。実施例１においては、３つのバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の場合について説明するが、バラストコンデンサの数は導体層間の耐圧とコンデンサ全体に要求される耐圧との関係で決定されるため、その数が３つに限定されるものではない。また、バラストコンデンサの数の変更は、後述するように容易である。

即ち、コンデンサ全体に要求される耐圧を大きくするためには、導体層間の距離を大きく設定するか、及び／または、所望数のバラストコンデンサを直列接続することにより対応することができる。従って、光源として設けられるＣＣＦＬに対応した耐圧を有するコンデンサは、多層基板を用いて容易に形成することができる。
従って、導体層間距離と導体層間接続を所望の構成とすることにより、ＣＣＦＬのためのコンデンサは所定の容量と耐圧とを有することができる。

図６は、ＣＣＦＬ点灯装置における第２の基板５０に形成される第２のブロックＢのコンデンサ内蔵多層基板の構造を模式的に記載した図である。図６において、（Ａ）に示す構造図は実施例１のＣＣＦＬ点灯装置におけるコンデンサ内蔵多層基板を示している。図６の（Ａ）において、破線で囲む領域が左から順にバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３である。

図６の（Ａ）に示すように、第２のブロックＢにおいては、４層の導体層のパターンが形成されている。また、各層の導体層においてもそのパターン形状に応じて複数の導体片に分かれている。１層目の導体層は導体パターン２１Ａと２１Ｂに電気的に分離されている。同様に、２層目の導体層は導体パターン２２Ａと２２Ｂに分離されており、３層目の導体層は導体パターン２３Ａと２３Ｂに分離されており、４層目の導体層は導体パターン２４Ａと２４Ｂに分離されている。これらの導体層間には誘電体である絶縁層が形成されている。

１層目の導体パターン２１Ａと３層目の導体パターン２３Ａは第１のスルーホール６１内に形成された第１の接続部７１により電気的に接続されている。２層目の導体パターン２２Ａと４層目の導体パターン２４Ａは第２のスルーホール６２内に形成された第２の接続部７２により電気的に接続されている。１層目の導体パターン２１Ｂと３層目の導体パターン２３Ｂは第３のスルーホール６３内に形成された第３の接続部７３により電気的に接続されている。２層目の導体パターン２２Ｂと４層目の導体パターン２４Ｂは第４のスルーホール６４内に形成された第４の接続部７４により電気的に接続されている。

上記のように構成された第２のブロックＢにおいて、導体パターンの重畳した領域が導体層間コンデンサを形成している。即ち、導体パターン２１Ａと２２Ａの重畳部分、導体パターン２２Ａと２３Ａの重畳部分、及び導体パターン２３Ａと２４Ａの重畳部分が導体層間コンデンサを構成している。これらの導体層間コンデンサの並列接続により、バラストコンデンサＣＢ１が構成されている。図６の（Ａ）において、重畳部分である導体層間コンデンサは、クロスハッチングで示す領域である。

同様に、バラストコンデンサＣＢ２は、導体パターン２１Ｂと２２Ａと２３Ｂと２４Ａの重畳部分で構成され、バラストコンデンサＣＢ３は導体パターン２１Ｂと２２Ｂと２３Ｂと２４Ｂの重畳部分で構成されている。
第２のブロックＢにおいては、上記のように構成されたバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３が直列接続されて、所定のコンデンサ耐圧が得られている。

図６において、（Ｂ）及び（Ｃ）は、（Ａ）に示した実施例１のコンデンサ内蔵多層基板と異なる構造のバラストコンデンサを模式的に示す図である。
図６の（Ｂ）に示すコンデンサ内蔵多層基板においては、１層目の導体層が導体パターン２１Ａで構成されている。２層目の導体層は導体パターン２２Ａと２２Ｂに分離されており、３層目の導体層は導体パターン２３Ａと２３Ｂに分離されており、４層目の導体層は導体パターン２４Ａで構成されている。これらの導体層間には誘電体である絶縁層が形成されている。

１層目の導体パターン２１Ａと３層目の導体パターン２３Ａは第１のスルーホール６１内に形成された第１の接続部７１により電気的に接続されている。２層目の導体パターン２２Ａと４層目の導体パターン２４Ａは第２のスルーホール６２内に形成された第２の接続部７２により電気的に接続されている。１層目の導体パターン２１Ｂと３層目の導体パターン２３Ｂは第３のスルーホール６３内に形成された第３の接続部７３により電気的に接続されている。２層目の導体パターン２２Ｂと４層目の導体パターン２４Ａは第４のスルーホール６４内に形成された第４の接続部７４により電気的に接続されている。

上記のように構成された図６の（Ｂ）に示す第２のブロックＢは、バラストコンデンサＣＢ１が導体パターン２１Ａと２２Ａと２３Ａと２４Ａの重畳部分で構成され、バラストコンデンサＣＢ２は、導体パターン２１Ａと２２Ａと２３Ｂと２４Ａの重畳部分で構成され、バラストコンデンサＣＢ３は導体パターン２１Ａと２２Ｂと２３Ｂと２４Ａの重畳部分で構成されている。図６の（Ｂ）に示すバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３は並列接続されており、所定のコンデンサ容量が得られる。

なお、バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３を並列接続により構成する場合、導体パターンを複数のパターン形状で構成せずに、各層の導体パターンを略同一として、各層の導体パターンの一端を接続する櫛形構造として構成することも可能である。

図６の（Ｃ）に示すコンデンサ内蔵多層基板においては、１層目の導体層が導体パターン２１Ａで構成されている。２層目の導体層は導体パターン２２Ａと２２Ｂと２２Ｃに分離されており、３層目の導体層は導体パターン２３Ａと２３Ｂに分離されており、４層目の導体層は導体パターン２４Ａと２４Ｂと２４Ｃに分離されている。これらの導体層間には誘電体である絶縁層が形成されている。

１層目の導体パターン２１Ａと３層目の導体パターン２３Ａは第１のスルーホール６１内に形成された第１の接続部７１により電気的に接続されている。２層目の導体パターン２２Ａと４層目の導体パターン２４Ａは第２のスルーホール６２内に形成された第２の接続部７２により電気的に接続されている。２層目の導体パターン２２Ｂと４層目の導体パターン２４Ｂは第３のスルーホール６３内に形成された第３の接続部７３により電気的に接続されている。１層目の導体パターン２１Ａと３層目の導体パターン２３Ｂは第４のスルーホール６４内に形成された第４の接続部７４により電気的に接続されている。２層目の導体パターン２２Ｃと４層目の導体パターン２４Ｃは第５のスルーホール６５内に形成された第５の接続部７５により電気的に接続されている。

上記のように構成された図６の（Ｃ）に示す第２のブロックＢは、バラストコンデンサＣＢ１が導体パターン２１Ａと２２Ａと２３Ａと２４Ａの重畳部分で構成され、バラストコンデンサＣＢ２は、導体パターン２１Ａと２２Ｂと２３Ｂと２４Ｂの重畳部分で構成され、バラストコンデンサＣＢ３は導体パターン２１Ａと２２Ｃと２３Ｂと２４Ｃの重畳部分で構成されている。図６の（Ｃ）に示すバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３はそれぞれが独立する構成であり、それぞれが所定のコンデンサ容量を有している。

図６の（Ｃ）に示すコンデンサ内蔵多層基板において、各バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の容量は、各導体層間の容量の合成値となる。また、このコンデンサ内蔵多層基板においては、各バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３のそれぞれには出力端子が形成されている。従って、図６の（Ｃ）に示すコンデンサ内蔵多層基板は、コンデンサ耐圧、容量値を考慮して、各バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の接続方法及び構成を選択することも可能である。即ち、コンデンサ耐圧が必要な場合には、複数のバラストコンデンサを直列接続（例えば、図６の（Ａ）の接続状態）とする。また、コンデンサ容量が必要な場合には、複数のバラストコンデンサを並列接続（例えば、図６の（Ｂ）の接続状態）とする。
従って、所望のコンデンサ耐圧及びコンデンサ容量を有するコンデンサ内蔵多層基板を構成するためには、導体層の数、導体層間の接続法、及び各導体層の導体パターンの数などを適宜選択することにより可能となる。

次に、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置を搭載するバックライト装置に設けられたコンデンサ内蔵多層基板の具体的な構成について説明する。
図７は、第２のブロックＢを有する第２の基板５０とＣＣＦＬ２０との接続部近傍を示す斜視図である。

第２の基板５０は、互いに平行に設けられた複数のＣＣＦＬ２０の長手方向（中心軸方向）と直交するように立設されており、ＣＣＦＬ２０の一端側に設けられている。第２の基板５０は、接続されるＣＣＦＬ２０に対応して複数の領域に分けられており、それぞれの領域が第２のブロックＢとなる。各第２のブロックＢは４つの導体層により構成されている。なお、実施例１においては、４つの導体層の場合について説明するが、コンデンサを構成するのであれば、誘電体層を挟む２つの導体層が有れば構成可能である。

実施例１のコンデンサ内蔵多層基板において、各第２のブロックＢにおける導体層のパターン形状は共通である。また、実施例１のコンデンサ内蔵多層基板の第２のブロックＢにおいては、第１の導体層と第３の導体層とが同様なパターン形状を有し、第２の導体層と第４の導体層とが同様なパターン形状を有する。
図７の斜視図においては、第２の基板５０に設けた第１の導体層（２１Ａ，２１Ｂ）と第４の導体層（２４Ａ，２４Ｂ）を示す。第１の導体層（２１Ａ，２１Ｂ）は、第２の基板５０の表面側（ＣＣＦＬ２０と対向しない面側）にあり、第４の導体層（２４Ａ，２４Ｂ）は、第２の基板５０の裏面側（ＣＣＦＬ２０と対向する面側）にある。

第１の導体層は２つの導体層２１Ａと２１Ｂにより構成されている。第２の基板５０に設けられている各第２のブロックＢは、それぞれの第１の導体層２１Ａにより互いに電気的に接続されている。なお、一平面上に並んで配設された複数のＣＣＦＬ２０における一方の端にあるＣＣＦＬ２０に対応する第２のブロックＢには、スルーホール６０が形成されている。このスルーホール６０は第２のブロックＢの第１の導体層２１Ａに形成されており、導電体である金属膜（銅薄膜）がその内面に形成されている。従って、スルーホール６０の内面の金属膜は、表面電極となり、第２のブロックＢの全てに共通の入力端子となる。スルーホール６０の表面電極に接続された第１のリード線８１は、第１の基板４０に形成された第１のブロックＡ（図１参照）に接続される。なお、第１のリード線８１は表面電極を形成するスルーホール６０内の金属膜に半田付けされている。

一方、ＣＣＦＬ２０へ電力を供給する第２のリード線８２は、第４の導体層に接続されている。第４の導体層は２つの導体層２４Ａと２４Ｂにより構成されている。第２の導体層２４Ｂにはスルーホール６４が形成されており、このスルーホール６４の内面には導電体である金属膜が形成されている。従って、スルーホール６４内の金属膜は表面電極となる。第２のリード線８２の一端は表面電極を形成するスルーホール６４内の金属膜に半田付けされている。実施例１においては、スルーホール６４は第２のブロックＢにおける出力端子となる。第２のリード線８２の他端は、対応するＣＣＦＬ２０における一方の電極（第１の電極２０Ａ）に接続されている。

上記のように、実施例１のコンデンサ内蔵多層基板においては、各第２のブロックＢにおいて形成される複数のバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３を直列接続して、各第２のブロックＢを並列接続している。そして、各第２のブロックＢにおけるバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３を介してＣＣＦＬ２０に所望の電力を供給している。

図８は、実施例１のコンデンサ内蔵多層基板における第２のブロックＢを構成する導体層のパターンを示す図である。図８は第２の基板５０を表面側から見た図である。実施例１のコンデンサ内蔵多層基板における第２のブロックＢの構成は、前述の図６の（Ａ）に示した構成であり、導体層が４層になっている。これらの導体層を、第２の基板５０の表面側（ＣＣＦＬ２０に対向しない面側、即ちケース１０の側面に対向する面側）から順に第１の導体層（２１Ａ，２１Ｂ）、第２の導体層（２２Ａ，２２Ｂ）、第３の導体層（２３Ａ，２３Ｂ）及び第４の導体層（２４Ａ，２４Ｂ）とする。

図８においては、第１の導体層の２つの導体パターン２１Ａと２１Ｂを実線で示し、第２の導体層の２つの導体パターン２２Ａと２２Ｂ及び第４の導体層の２つの導体パターン２４Ａと２４Ｂは、それぞれを破線で示す。また、第３の導体層における導体パターン２３Ａは一点鎖線で示す。第３の導体層における導体パターン２３Ｂは、第１の導体層における導体パターン２１Ｂと同じ形状であるため図示省略する。

図９は、図８におけるＩＸ―ＩＸ線により切断した第２の基板５０における第２のブロックＢの一部を示す断面図である。図８に示したＩＸ―ＩＸ線の矢印が図９の断面図における視線方向を示す。以下の説明を視覚的にも容易にするため、図９においては第２の基板５０の厚さ方向（図９における上下方向））を長さ方向（図９における左右方向）に比して拡大して示している。

図９においては、第２の基板５０の表面側（図９の上側）から順に第１の導体層（２１Ａ，２１Ｂ）、第２の導体層（２２Ａ）、第３の導体層（２３Ａ，２３Ｂ）及び第４の導体層（２４Ａ）が拡大して示されている。

図８及び図９に示すように、第２のブロックＢにおいては、２つの第１の導体層（２１Ａ，２１Ｂ）と２つの第３の導体層（２３Ａ，２３Ｂ）は略同様なパターンを有しており、特に第１の導体層の導体パターン２１Ｂと第３の導体層の導体パターン２３Ｂは同じ形状を有している。即ち、第２の基板５０の表面に直交する方向で重なるように第１の導体層の導体パターン２１Ｂと第３の導体層の導体パターン２３Ｂが形成されている。また、第３の導体層の導体パターン２３Ａは第１の導体層の導体パターン２１Ａと重なるように形成されているが、第１の導体層の導体パターン２１Ａは隣接する第２のブロックＢにおける第１の導体層の導体パターン２１Ａとの接続部分を有しているため、第３の導体層の導体パターン２３Ａとは異なっている。これは第３の導体層の導体パターン２３Ａが隣接する第２のブロックＢの第３の導体層の導体パターン２３Ａと分離しているためであり、接続部分がないためである。

図８に示すように、第１の導体層の導体パターン２１Ａと第３の導体層の導体パターン２３Ａとは、第１のスルーホール６１の内面に形成された第１の接続部７１により接続されている。第１の導体層の導体パターン２１Ｂと第３の導体層の導体パターン２３Ｂとは、第３のスルーホール６３の内面に形成された第３の接続部７３により接続されている。

同様に、２つの第２の導体層（２２Ａ，２２Ｂ）と２つの第４の導体層（２４Ａ，２４Ｂ）は同じパターンを有しており、第２の基板５０の表面に直交する方向で重なるように第２の導体層（２２Ａ，２２Ｂ）と第４の導体層（２４Ａ、２４Ｂ）は同じ形状を有している。第２の導体層の導体パターン２２Ａと第４の導体層の導体パターン２４Ａとは、第２のスルーホール６２の内面に形成された第２の接続部７２により接続されている（図９参照）。第２の導体層の導体パターン２２Ｂと第４の導体層の導体パターン２４Ｂとは、第４のスルーホール６４の内面に形成された第４の接続部７４により接続されている。
上記の接続状態については、前述の図６に示した第１の導体層（２１Ａ，２１Ｂ）、第２の導体層（２２Ａ，２２Ｂ）、第３の導体層（２３Ａ，２３Ｂ）及び第４の導体層（２４Ａ，２４Ｂ）の模式図を参照。

図１０は第２の基板５０における第２のブロックＢの製造方法を示す構造断面図である。図１０に示すように、第２の基板５０は、第１の導体層（２１Ａ，２１Ｂ）、第２の導体層（２２Ａ，２２Ｂ）、第３の導体層（２３Ａ，２３Ｂ）及び第４の導体層（２４Ａ，２４Ｂ）の間に誘電体である絶縁層、例えば、３枚のコア材Ｂ１，Ｂ２及びＢ３を積層するよう配置して形成される。実施例１における３枚のコア材Ｂ１，Ｂ２及びＢ３としては、例えばガラス繊維を強化材として含むエポキシ樹脂製の板材であり、厚さ０．１〜１．６［ｍｍ］の範囲内が好ましい。

図１０において、１番上の第１の導体層Ｘ１は、前述の第１の導体層（２１Ａ，２１Ｂ）のパターン形状を有しており、２番目の第２の導体層Ｘ２は、第２の導体層（２２Ａ，２２Ｂ）のパターン形状を有しており、３番目の第３の導体層Ｘ３は、第３の導体層（２３Ａ，２３Ｂ）のパターン形状を有しており、そして４番目の第４の導体層Ｘ４は、第４の導体層（２４Ａ，２４Ｂ）のパターン形状を有している。なお、実施例１において用いた３枚のコア材Ｂ１，Ｂ２及びＢ３は、均一であり、同じ厚みのものを用いた。

第１の導体層Ｘ１は第１のコア材Ｂ１の上面に固定されて、第１の部材Ｙ１が形成される。第２の導体層Ｘ２と第３の導体層Ｘ３は第２のコア材Ｂ２の上面と下面にそれぞれ固定されて、第２の部材Ｙ２が形成される。そして第４の導体層Ｘ４は第３のコア材Ｂ３の下面に固定されて、第３の部材Ｙ３が形成される。各導体層Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３及びＸ４はそれぞれ、例えば厚さ１２〜７０［μｍ］、好ましくは３５［μｍ］の銅箔膜であり、蒸着により形成される。更に、各導体層Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３及びＸ４のパターン形状は、好ましくは、エッチングにより形成される。

第１の部材Ｙ１と第２の部材Ｙ２と第３の部材Ｙ３との間には、プリプレグ（炭素繊維等の強化材にエポキシ樹脂等の合成樹脂を含浸させた成形用中間材）Ｐ１，Ｐ２がそれぞれ配置され、互いに接着される。プリプレグＰ１，Ｐ２の厚みは、例えば２０〜４００［μｍ］の範囲内が好ましい。また、プリプレグＰ１とＰ２は、略等しい厚みが好ましい。

第２の基板５０の多層基板の製造方法は、例えば、量産する場合、図１０に示したように、あらかじめ所定の導体パターン（２１Ａ，２１Ｂ）を有する第１の導体層Ｘ１を持つ第１の部材Ｙ１、所定の導体パターン（２２Ａ，２２Ｂ）を有する第２の導体層Ｘ２と所定の導体パターン（２３Ａ、２３Ｂ）を有する第３の導体層Ｘ３とをその両面に持つ第２の部材Ｙ２、そして所定の導体パターン（２４Ａ，２４Ｂ）を有する第４の導体層Ｘ４を持つ第３の部材Ｙ３を、これらの間にプリプレグＰ１，Ｐ２を挟んで配置し、全体を加熱しつつ上下からプレスすることにより、互いの層が圧着される。このようの加熱圧着によりコンデンサ内蔵多層基板が製造される。このとき、導体層を有する３枚のコア材Ｂ１，Ｂ２及びＢ３はプレスされて、その内部に空隙が生じないように圧着される。
なお、この製造方法における加熱温度は、プリプレグ樹脂を溶融温度領域である８０℃〜１４０℃の範囲において、１℃／分〜５℃／分の昇温速度で加熱し、その後１７０℃〜２００℃で２０分以上保持してプリプレグ樹脂を硬化する。押圧力は、初期圧力として０．５ＭＰａ程度で５分〜１０分間加圧し、その後２．０ＭＰａ〜４ＭＰａでプレス加工する。

上記のように、実施例１における第２の基板５０の製造においては、所定の温度の条件で単純に加圧して互いに圧着させることにより、層間の厚さが一定し安定した多層基板構造を形成することができる。また、第２の基板５０の製造方法によれば、全体をプレス圧着する方法であるため、接着層であるプリプレグＰ１，Ｐ２内のボイドの発生が確実に防止される。

従って、実施例１の多層基板の製造方法によれば、各導体層間の容量が略等しく均一になり、信頼性の高い高精度のコンデンサ内蔵多層基板を容易に、且つ確実に製造することが可能となる。

以下、実施例１において説明した製造方法により製造されるコンデンサ内蔵多層基板の層間容量について図１１を用いて説明する。図１１は本発明のコンデンサ内蔵多層基板の各種の構造例を示す模式図である。
前述のように、実施例１における導体層Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３及びＸ４は４層構造であり、各導体層間の電気的な接続はスルーホール６１〜６４内の接続部７１〜７４を介して行われる（図８参照）。

図１１においては、スルーホール内の接続部を符号Ｔと符号Ｕで示す。図１１の（Ａ）は、４層の導体層において、１層おきの導体層を第１の接続部Ｔと第２の接続部Ｕにより櫛形に接続した場合を示す。即ち、第１の導体層Ｘ１と第３の導体層Ｘ３を第２の接続部Ｕで接続し、第２の導体層Ｘ２と第４の導体層Ｘ４を第１の接続部Ｔで接続している。

図１１の（Ｂ）に示すコンデンサ内蔵多層基板は、第１の導体層Ｘ１を一方の表面電極として第２の接続部Ｕに接続されており、第４の導体層Ｘ４を他方の表面電極として第１の接続部Ｔに接続されている。従って、図１１の（Ｂ）に示すコンデンサ内蔵多層基板においては、第２の導体層Ｘ２及び第３の導体層Ｘ３は表面電極に対して容量結合である。

図１１の（Ｃ）は、導体層を５層とした場合を示す。図１１の（Ｃ）に示すコンデンサ内蔵多層基板は、第１の導体層Ｘ１と第３の導体層Ｘ３が第２の接続部Ｕで接続されており、第２の導体層Ｘ２と第５の導体層Ｘ５が第１の接続部Ｔで接続されている。

図１１の（Ａ）〜（Ｃ）に示す構造において、第１の導体層Ｘ１と第２の導体層Ｘ２との層間容量を有するコンデンサをバラストコンデンサＣＸ１とし、第２の導体層Ｘ２と第３の導体層Ｘ３との層間容量を有するコンデンサをバラストコンデンサＣＸ２とし、第３の導体層Ｘ３と第４の導体層Ｘ４との層間容量を有するコンデンサをバラストコンデンサＣＸ３とする。また、図１１の（Ｃ）においては、そして第４の導体層Ｘ４と第５の導体層Ｘ５との層間容量を有するコンデンサをバラストコンデンサＣＸ４とする。図１１において、実際は、バラストコンデンサＣＸ１，ＣＸ２，ＣＸ３及びＣＸ４と表示する以外においても、各導体層の重畳する部分で層間容量が存在するが、説明を簡単にするため、図１１に図示するバラストコンデンサＣＸ１，ＣＸ２，ＣＸ３及びＣＸ４を用いて以下に説明する。

図１１の（Ａ）に示すコンデンサ内蔵多層基板の構造において、各層間に形成されるバラストコンデンサＣＸ１，ＣＸ２及びＣＸ３は、各導体層が櫛形に接続されているため、並列接続となり、容量値を大きく設定できる。
図１１の（Ｂ）に示すコンデンサ内蔵多層基板の構造においては、第２の導体層Ｘ２と第３の導体層Ｘ３が接続部Ｔ，Ｕに接続されていない容量結合構造であるため、各バラストコンデンサＣＸ１，ＣＸ２及びＣＸ３が直列接続に形成されて、全体のコンデンサとしての耐圧を向上させることができる。

図１１の（Ｃ）に示すコンデンサ内蔵多層基板の構造においては、導体層が５層構造であり、バラストコンデンサＣＸ１とＣＸ２が並列接続であり、バラストコンデンサＣＸ３とＣＸ４が直列接続である。そして、それぞれの合成容量がさらに並列に接続された構造である。従って、図１１の（Ｃ）に示すコンデンサ内蔵多層基板は、容量値を大きく設定できるとともに、全体のコンデンサとしての耐圧を向上させることが可能となる。また、図１１の（Ｃ）に示すコンデンサ内蔵多層基板の構造においては、バラストコンデンサＣＸ３とＣＸ４の共通導体層である第４の導体層Ｘ４を第２の接続部Ｕを介して表面電極としての第１の導体層Ｘ１に接続することも可能である。

なお、本発明のコンデンサ内蔵多層基板においては、導体層を５層より多く形成して、より多くのバラストコンデンサを構成することも可能である。このように複数の導体層を形成することにより、コンデンサ内蔵多層基板に必要とされる所望のコンデンサ容量値と耐圧を確実に得ることができる。

次に、本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置において上記のように構成されたコンデンサ内蔵多層基板について具体的に説明する。
実施例１のＣＣＦＬ点灯装置において用いられるコンデンサ内蔵多層基板は、前述のように、各層の導体層が電気的に分離した複数の導体パターンを有しており、これらの導体パターンの重畳部分がバラストコンデンサとして用いられている。このように構成された複数のコンデンサを接続して構成された実施例１のコンデンサ内蔵基板についてさらに具体的に説明する。

前述の図８と図９において示したように、各導体層Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３及びＸ４には、電気的に互いに分離した複数の導体パターン（２１Ａと２１Ｂ、２２Ａと２２Ｂ、２３Ａと２３Ｂ、２４Ａと２４Ｂ）が形成されている。即ち、第１の導体層Ｘ１には、導体パターン（２１Ａと２１Ｂ）、第２の導体層Ｘ２には、導体パターン（２２Ａと２２Ｂ）、第３の導体層Ｘ３には、導体パターン（２３Ａと２３Ｂ）、そして第４の導体層Ｘ４には、導体パターン（２４Ａと２４Ｂ）が形成される。前述したように、第１の導体層Ｘ１と第３の導体層Ｘ３に形成される導体パターンは、隣接するバラストコンデンサとの接続部分の導体部分を除けば略同じ導体パターンを有している。また、第２の導体層Ｘ２と第４の導体層Ｘ４に形成される導体パターンは同じ形状を有する。即ち、第１の導体層Ｘ１の導体パターン（２１Ａ）は、隣接するバラストコンデンサとの接続部分を除けば第３の導体層Ｘ３の導体パターン（２３Ａ）と略同じである。そして、第１の導体層Ｘ１の導体パターン（２１Ｂ）と第３の導体層Ｘ３の導体パターン（２３Ｂ）は同じ形状であり、第２の導体層Ｘ２の導体パターン（２２Ａ）と第４の導体層Ｘ４の導体パターン（２４Ａ）は同じ形状であり、第２の導体層Ｘ２の導体パターン（２２Ｂ）と第４の導体層Ｘ４の導体パターン（２４Ｂ）は同じ形状である。各導体層Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３及びＸ４は。いわゆる櫛形構造で接続されており、上記の導体パターンの重畳部分がバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３を構成している。実施例１の構成においては、これらのバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３が直列接続されて、その一端がＣＣＦＬ（冷陰極菅）２０に接続されている。

図８に示したＣＣＦＬ２０に接続された第２のブロックＢにおいて、第１〜第４の導体層Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３及びＸ４における各導体パターン２１Ａ、２２Ａ、２３Ａ及び２４Ａが重なる領域では、それらの層間容量が合成された第１のバラストコンデンサＣＢ１が構成される。例えば、図８において重なる領域を斜線で示しており、符号ＣＢ１で示す斜線領域がほぼ第１のバラストコンデンサＣＢ１の形成領域となる。この第１のバラストコンデンサＣＢ１は主に３つの層間容量、すなわち、第１の導体層Ｘ１の導体パターン（２１Ａ）と第２の導体層Ｘ２の導体パターン（２２Ａ）との間の層間容量、第２の導体層Ｘ２の導体パターン（２２Ａ）と第３の導体層Ｘ３の導体パターン（２３Ａ）との間の層間容量、及び第３の導体層Ｘ３の導体パターン（２３Ａ）と第４の導体層Ｘ４の導体パターン（２４Ａ）との間の層間容量の並列接続と実質的に等価である。

同様に、第２のバラストコンデンサＣＢ２は、第１の導体層Ｘ１の導体パターン（２１Ｂ）と第２の導体層Ｘ２の導体パターン（２２Ａ）、第２の導体層Ｘ２の導体パターン（２２Ａ）と第３の導体層Ｘ３の導体パターン（２３Ｂ）、及び第３の導体層Ｘ３の導体パターン（２３Ｂ）と第４の導体層Ｘ４の導体パターン（２４Ａ）との間の層間容量の合成が容量となる。例えば、図８において符号ＣＢ２で示す斜線領域がほぼ第２のバラストコンデンサＣＢ２の形成領域となる。
また、第３のバラストコンデンサＣＢ３は、第１の導体層Ｘ１の導体パターン（２１Ｂ）と第２の導体層Ｘ２の導体パターン（２２Ｂ）、第２の導体層Ｘ２の導体パターン（２２Ｂ）と第３の導体層Ｘ３の導体パターン（２３Ｂ）、及び第３の導体層Ｘ３の導体パターン（２３Ｂ）と第４の導体層Ｘの導体パターン（２４Ｂ）との間の層間容量の合成が容量となる。例えば、図８において符号ＣＢ３で示す斜線領域がほぼ第３のバラストコンデンサＣＢ３の形成領域となる。

上記のように、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置に用いられるコンデンサ内蔵多層基板においては、３つのバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３がいわゆる櫛型に接続されたコンデンサとして構成されている。

実施例１のコンデンサ内蔵多層基板におけるバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３のそれぞれの容量は数［ｐＦ］程度である。この容量は、例えば、導体パターンの重なりの面積、コア材Ｂ１，Ｂ２及びＢ３の厚さ、及びプリプレグＰ１，Ｐ２の厚さを適宜調整することにより調節可能である。また、コンデンサ内蔵多層基板におけるコンデンサの容量は、積層構造における層数を増加することにより、各バラストコンデンサの容量の大幅な変更が可能である。

実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における第２の基板５０の第２のブロックＢにおいて、第１のバラストコンデンサＣＢ１の一端側を構成する第１の導体層Ｘ１の導体パターン（２１Ａ）と第３の導体層Ｘ３の導体パターン（２３Ａ）が電源側である第１のブロックＡに接続される。一方、第２のブロックＢにおいて、第３のバラストコンデンサＣＢ３の一端側を構成する第２の導体層Ｘ２の導体パターン（２２Ｂ）と第４の導体層Ｘ４の導体パターン（２４Ｂ）がＣＣＦＬ２０の一方の電極２０Ａに接続される。

実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における第２の基板５０において、ケース１０の側面から遠い導体層ほど装置外部（例えば、ケース１０など）との間の浮遊容量が小さい。即ち、実施例１においては、第４の導体層Ｘ４は装置外部との間の浮遊容量が最も小さく、ほとんどない状態である。従って、第２の基板５０の第２のブロックＢにおける第４の導体層Ｘ４とＣＣＦＬ２０の第１の電極２０Ａとを接続した実施例１の構成では、第１の電極２０Ａの電位が導体層と装置外部との間の浮遊容量による影響を受けにくい構造となる。

一方、第２のブロックＢに電源を供給する第１のブロックＡの出力は、第２のブロックＢにおける導体層と装置外部との間の浮遊容量の大きさに関わらず安定である。従って、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置の構成において、複数のＣＣＦＬ２０間における第１の電極２０Ａの電位変化がばらつきにくい構成であるため、管電流の均一性、すなわち輝度の均一性が向上している。

実施例１のＣＣＦＬ点灯装置の構成において、各ＣＣＦＬ２０の第２の電極２０Ｂに接続される第３のブロックＣには、ＣＣＦＬ２０の第２の電極２０Ｂと接地とを接続する接続部分が形成される（図３参照）。例えば、第３の基板６０内部に形成された導体層はＣＣＦＬ２０の第２の電極２０Ｂと装置外部の接地導体とを接続する。このように、各ＣＣＦＬ２０の第２の電極２０Ｂは第３のブロックＣを通して接地されている。

また、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置の構成において、各ＣＣＦＬ２０の第１の電極２０Ａに接続される第２のブロックＢは、図３に示したように、昇圧トランス５の２次巻線５２の一端に接続される。２次巻線５２の他端は接地されている。

ＣＣＦＬ２０の周辺には様々な浮遊容量が存在する（図示せず）。その浮遊容量には、例えば、ＣＣＦＬ２０とケース１０との間の浮遊容量ＳＣ（図２参照）、及び、第１のブロックＡ、第２のブロックＢ、ＣＣＦＬ２０、第３のブロックＣ、及び接地導体を結ぶ配線の浮遊容量が含まれる。従って、ＣＣＦＬ２０の周辺の浮遊容量はＣＣＦＬ２０ごとに異なっている。例えば、それらの浮遊容量は合計で数［ｐＦ］程度である。

実施例１のＣＣＦＬ点灯装置の構成において、バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の全体の容量は、第２のブロックＢごとに調整される。即ち、並設された複数のＣＣＦＬ２０ごとに調節される。例えば、第１〜第４の導体層Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３及びＸ４におけるそれぞれの導体パターン（２１Ａ，２２Ａ，２３Ａ及び２４Ａ）が重なる領域の面積を増やすことにより、当該バラストコンデンサＣＢ１の容量を増加させることができる。図８において斜線で示すバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３は、対応するＣＣＦＬ２０との間の設置条件（例えば、配線の長さ、導体パターンの形状、ＣＣＦＬ２０の管壁とケース１０との距離、各ＣＣＦＬ２０間の距離等）が考慮されて、容量が調整される。

例えば、並設された複数のＣＣＦＬ２０のうち、ケース１０の側面に最も近いＣＣＦＬ２０では、管壁とケース１０の側面との間の浮遊容量ＳＣが大きい。従って、そのＣＣＦＬ２０に接続されるバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の全体の容量は大きく設定される。

上記のように、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置の構成においては、それぞれのＣＣＦＬ２０と第２のブロックＢとの組合せごとに容量が調整され、バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の全体の容量がＣＣＦＬ２０周辺の浮遊容量と実質的に一致する。即ち、バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の全体のインピーダンスがＣＣＦＬ２０の周辺の浮遊容量の合成インピーダンスと整合する。

実施例１のＣＣＦＬ点灯装置の構成において、第１のブロックＡは出力インピーダンスが低いので、上記のインピーダンス整合は容易に達成される。

なお、好ましくは、バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の全体のインピーダンスは各ＣＣＦＬ２０のそれぞれの点灯時のインピーダンスと整合するように設定される。

本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置は、上記のように、従来のＣＣＦＬ点灯装置における前提に反し、昇圧トランス５の出力インピーダンスが抑制されている。その代わり、ＣＣＦＬ２０のそれぞれに対して、バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の直列接続体が一組ずつ接続されている。なお、バラストコンデンサＣ１，ＣＢ２及びＣ３の接続方法は、ＣＣＦＬに接続するコンデンサが持つべき容量値と耐圧を考慮して選択され、例えば並列接続体、又は直列と並列の混合接続体で構成しても良い。

本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置において、特に、ＣＣＦＬ２０に接続される接続体のインピーダンスは、複数のＣＣＦＬ２０間での周辺の浮遊容量の差を相殺するように、別々に設定される。従って、複数のＣＣＦＬ２０間で管電流にばらつきが生じることがなく、各ＣＣＦＬ２０における均一した輝度が維持される。

上記のように本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置は、共通の低インピーダンス電源（第１のブロックＡ）により複数のＣＣＦＬ２０を均一に点灯させることができる。更に、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置においては、第１のブロックＡ、第２のブロックＢ、及び第３のブロックＣにおけるそれぞれの間の配線が長くても、対応できる構成である。また、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置は、ＣＣＦＬ２０ごとに容量が大きく異なってもバラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３によって調整できるため、配線のレイアウトの柔軟性が高い構成となる。従って、本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置は、装置全体の小型化を容易に達成できる汎用性の高い装置である。

さらに、本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置においては、バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３のそれぞれが第２の基板５０内の導体層間の容量が合成されて構成されている。このように構成されているため、実施例１のＣＣＦＬ点灯装置は、バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の全体を第２の基板５０の内部に埋め込むことが可能となる。この結果、ＣＣＦＬ２０と第２の基板５０の表面との距離を極端に短くすることが可能となり、装置としての小型化に大きく寄与する構成となる。

上記の実施例１のＣＣＦＬ点灯装置の説明で明らかなように、本発明のＣＣＦＬ点灯装置においては、バラストコンデンサＣＢ１，ＣＢ２及びＣＢ３の利用が、例えば液晶ディスプレイ等の電子機器の薄型化に極めて効果的であり、かつ第２の基板５０は、ほぼ均一な厚みのコア材を用い、プレス圧着によって容易に製造することが可能であるため、均一な容量の信頼性の高いコンデンサ内蔵多層基板を容易に、かつ確実に量産可能である。

本発明は、光源として用いられる冷陰極管を点灯させるための冷陰極管点灯装置において有用である。

本発明に係る実施例１の冷陰極管点灯装置を搭載する液晶ディスプレイのバックライト装置の構成を示す斜視図 図１におけるＩＩ−ＩＩ線により切断した液晶ディスプレイの断面図 本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置の構成を示す回路図 本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置に含まれる昇圧トランスの構成を模式的に示す分解組立図 図４におけるＶ−Ｖ線により切断した昇圧トランスの断面図 本発明のコンデンサ内蔵多層基板の各種構成を示す模式図 本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における第２の基板とＣＣＦＬ２０との接続部近傍を示す拡大図 本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における第２のブロック内の導体層のパターンを示す平面図 本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における第２のブロックの一部断面図 本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置における第２のブロックのコンデンサ内蔵多層基板の構造及び製造方法を説明するための図 本発明に係る実施例１のＣＣＦＬ点灯装置におけるコンデンサ内蔵多層基板の各種接続状態を説明するための図 従来のＣＣＦＬ点灯装置の構成を示す回路図

符号の説明

２０ 冷陰極管（ＣＣＦＬ）
５０ 第２の多層基板
２１Ａ，２１Ｂ 導体パターン
２２Ａ，２２Ｂ 導体パターン
２３Ａ，２３Ｂ 導体パターン
２４Ａ，２４Ｂ 導体パターン
６１ 第１のスルーホール
６２ 第２のスルーホール
６３ 第３のスルーホール
６４ 第４のスルーホール
７１ 第１の接続部
７２ 第２の接続部
７３ 第３の接続部
７４ 第４の接続部
８１ 第１のリード線
８２ 第２のリード線
Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３ コア材
Ｐ１，Ｐ２ プリプレグ
ＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３ バラストコンデンサ
Ｘ１ 第１の導体層
Ｘ２ 第２の導体層
Ｘ３ 第３の導体層
Ｘ４ 第４の導体層

Claims (24)

1. 誘電体層を介して少なくとも４つの導体層が積層されたコンデンサ内蔵多層基板であって、少なくとも
   第１の誘電体層の一方の面に所定の導体パターンを有する第１の導体層が積層された第１の部材、
   第２の誘電体層の両方のそれぞれの面に所定の導電パターンを有する第２の導体層と第３の導体層がそれぞれ積層された第２の部材、
   第３の誘電体層の一方の面に所定の導体パターンを有する第４の導体層が積層された第３の部材、
   前記第１の誘電体層の他方の面と前記第２の部材の一方の面との間に配置され互いの面を接着する第１の接着層、及び
   前記第３の誘電体層の他方の面と前記第２の部材の他方の面との間に配置され互いの面を接着する第２の接着層、を有しており、
   当該コンデンサ内蔵多層基板における所定位置に形成されたスルーホールの接続部により特定の導体パターンを接続して導体層間コンデンサのブロックが複数個形成されることを特徴とするコンデンサ内蔵基板。
2. 前記複数のブロックがスルーホールの接続部を介して導体パターンにより直列接続された請求項１に記載のコンデンサ内蔵多層基板。
3. 前記複数のブロックがスルーホールの接続部を介して導体パターンにより並列接続された請求項１に記載のコンデンサ内蔵多層基板。
4. 前記ブロックにおいて積層された導体パターンが１層おきに実質的に同じ形状を有している請求項１に記載のコンデンサ内蔵基板。
5. 前記ブロックにおいて積層された導体パターンが１層おきに実質的に同じ形状を有して構成され、特定の導体パターンが１層おきにスルーホールの接続部により接続して櫛形構造に形成し、複数の導体層間コンデンサが直列接続により構成された請求項１に記載のコンデンサ内蔵多層基板。
6. 各接着層は、炭素繊維の強化材を含有するエポキシ樹脂系の合成樹脂により構成された請求項１に記載のコンデンサ内蔵多層基板。
7. 各誘電体層材は、ガラス繊維を強化材として含むエポキシ樹脂基板により構成された請求項６に記載のコンデンサ内蔵多層基板。
8. 並設された複数の冷陰極管の点灯装置に用いられ、前記冷陰極管の中心軸に直交するよう配置された請求項１に記載のコンデンサ内蔵多層基板。
9. 誘電体層を介して少なくとも４つの導体層を積層して構成されるコンデンサ内蔵多層基板の製造方法であって、少なくとも
   第１の誘電体層の一方の面に所定の導体パターンを有する第１の導体層が積層された第１の部材を製造する工程、
   第２の誘電体層の両方のそれぞれの面に所定の導電パターンを有する第２の導体層と第３の導体層がそれぞれ積層された第２の部材を製造する工程、
   第３の誘電体層の一方の面に所定の導体パターンを有する第４の導体層が積層された第３の部材を製造する工程、
   前記第１の誘電体層の他方の面と前記第２の部材の一方の面との間に第１の接着層を配置する工程、
   前記第３の誘電体層の他方の面と前記第２の部材の他方の面との間に第２の接着層を配置する工程、
   前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層と前記第３の誘電体層とを前記第１の接着層と前記第２の接着層とを介して互いに接着するよう挟み付ける方向に加熱して加圧する工程、
   特定の導体パターンの所定位置にスルーホールを形成する工程、及び
   前記スルーホールの内面に接続部を形成して特定の導体パターンを電気的に接続して導体層間コンデンサのブロックが複数個形成される工程、
   を有するコンデンサ内蔵多層基板の製造方法。
10. 前記複数のブロックがスルーホールの接続部を介して導体パターンにより直列接続する請求項８に記載のコンデンサ内蔵多層基板の製造方法。
11. 前記複数のブロックがスルーホールの接続部を介して導体パターンにより並列接続する請求項８に記載のコンデンサ内蔵多層基板の製造方法。
12. 前記ブロックにおいて積層された導体パターンが１層おきに実質的に同じ形状を有している請求項８に記載のコンデンサ内蔵多層基板の製造方法。
13. 導電層が金属薄膜の蒸着により形成された請求項８に記載のコンデンサ内蔵多層基板の製造方法。
14. 各接着層は、炭素繊維の強化材を含有するエポキシ樹脂系の合成樹脂により構成された請求項８に記載のコンデンサ内蔵多層基板の製造方法。
15. 各誘電体層材は、ガラス繊維を強化材として含むエポキシ樹脂基板により構成された請求項１３に記載のコンデンサ内蔵多層基板の製造方法。
16. 誘電体層を介して少なくとも４つの導体層が積層されて構成された複数のバラストコンデンサを有するコンデンサ内蔵多層基板、及び
    前記バラストコンデンサを通して前記冷陰極管に電力を供給する低出力インピーダンスを持つ低インピーダンス電源、を具備する冷陰極管点灯装置であって、
    前記コンデンサ内蔵多層基板は、
    誘電体層を介して少なくとも４つの導体層が積層されたコンデンサ内蔵多層基板であって、少なくとも
    第１の誘電体層の一方の面に所定の導体パターンを有する第１の導体層が積層された第１の部材、
    第２の誘電体層の両方のそれぞれの面に所定の導電パターンを有する第２の導体層と第３の導体層がそれぞれ積層された第２の部材、
    第３の誘電体層の一方の面に所定の導体パターンを有する第４の導体層が積層された第３の部材、
    前記第１の誘電体層の他方の面と前記第２の部材の一方の面との間に配置され互いの面を接着する第１の接着層、及び
    前記第３の誘電体層の他方の面と前記第２の部材の他方の面との間に配置され互いの面を接着する第２の接着層、を有しており、
    当該コンデンサ内蔵多層基板における所定位置に形成されたスルーホールの接続部により特定の導体パターンを接続して前記バラストコンデンサを構成する導体層間コンデンサのブロックが複数個形成されたコンデンサ内蔵多層基板が用いられた冷陰極点灯装置。
17. 前記複数のブロックがスルーホールの接続部を介して導体パターンにより直列接続されたコンデンサ内蔵多層基板が用いられた請求項１５に記載の冷陰極点灯装置。
18. 前記複数のブロックがスルーホールの接続部を介して導体パターンにより並列接続されたコンデンサ内蔵多層基板が用いられた請求項１５に記載の冷陰極点灯装置。
19. 前記ブロックにおいて積層された導体パターンが１層おきに実質的に同じ形状を有して構成されたコンデンサ内蔵多層基板が用いられた請求項１５に記載の冷陰極点灯装置。
20. 前記低インピーダンス電源が前記コンデンサ内蔵多層基板とは異なる基板に実装された請求項１５に記載の冷陰極管点灯装置。
21. 並設された複数の冷陰極管の点灯装置であって、前記冷陰極管の中心軸に直交するよう配置されたコンデンサ内蔵多層基板においてそれぞれの冷陰極管への電源供給回路が異なった領域に形成された請求項１５に記載の冷陰極管点灯装置。
22. 前記コンデンサ内蔵多層基板における複数の導体層のうち、冷陰極管に最も近い導体層が冷陰極管の電極に接続され、冷陰極管から最も遠い導体層が低インピーダンス電源に接続されるよう構成された請求項１５に記載の冷陰極管点灯装置。
23. 前記低インピーダンス電源がトランスを含んで構成され、前記トランスが、コアと、前記コアに巻かれる一次巻線と、前記一次巻線の内側若しくは外側又はその両方に巻かれる二次巻線と、を有して構成された請求項１５に記載の冷陰極管点灯装置。
24. 前記低インピーダンス電源がパワートランジスタを有して構成された請求項１５に記載の冷陰極管点灯装置。

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