JP7296122B2 - 放熱体及びパワー半導体用放熱体 - Google Patents
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Description
本発明は、このような従来の構成が有していた問題を解決しようとするもので、放熱板本体(焼結)の外周の一部あるいは全部に薄銅板を設けたり、全周をメッキ処理することにより、炭素(鱗片状黒鉛等)が剥離しにくく、通電を必要とする箇所に使用できる。
前記放熱板本体を90°倒した状態の上下面に、薄銅板を設けてなる。
前記放熱板本体の外周全体を包着すべく、薄銅板の外縁を折り曲げ蓋状としたものを2箇所に設ける。
前記放熱板本体の全面に通電メッキ処理してなる。
放熱体をパワー半導体に取り付けてなる。
2)、焼結体をカットした放熱板(90°倒した)の上下面に薄銅板を設けることにより 、特にIGBT等の接合においては、薄銅板によりろう付が可能で通電も良好でありな
かつ放熱機能と導電機能を高機能化している。
3)、放熱板の上下及び外周面全体を薄銅板で包み込むことにより、側面より天然鱗片状 黒鉛等が落下することがなく、安全・安心して使用できる。
4)、放熱板の全周を通電メッキ処理することにより、炭素が落下することなく、かつ、 天然鱗片状黒鉛等との密着性が高いため、より冷却性及び通電性を高めてなる。
天然鱗片状黒鉛TKと銅粉DFの複合材を層状に積層(Z方向)にして得られる焼結体S(図5)を垂直方向にカットしたブロック状の垂直放熱板本体SHを図6に示す。
また、水平方向にカットしたブロック状の水平放熱板本体HHを図7に示す。
この異方性を有効的に使用する方法が、焼結体Sの切断方向に委ねられる。
例えば、Y方向及びX方向に垂直放熱板本体SH及び水平放熱板本体HHを使用した場合、熱伝導率は800w/mK以上であり、Z方向においては60w/mKとかなり低い。
なお、曲げ強度においては、Z方向が強く、Y方向及びX方向は弱い。
よって、使用目的に応じて切断方向を選択するものである。
図1に示すように、上記垂直放熱板本体SHを90°に倒した状態で使用する。つまりY方向の熱伝導率が良好な方向である。
1は、このブロック状の垂直放熱板本体SHの側面SMをワイヤーブラシにて天然鱗片状黒鉛を取り除いた後、銅粉を側面SMに塗布し、焼結SK(通電焼結により加工するもので、例えば、特開平9-53103号公報参照)した放熱体(必要に応じて薄く水平にカットした薄板状の垂直放熱板本体SH1)で、パワー半導体用放熱体として使用するものである。(図1)
次に、放熱体21は、上記放熱体1の上面及び下面に厚さ0.05mm~0.1mmの薄銅板2を設けて(密着して)なる放熱体である。(図2)
この放熱体21は、図8にあるようにパワー半導体(IGBT)Iの下面にハンダ付(ろ
Nに取り付けてパワー半導体用放熱体として使用するものである。
つまり、従来のように銅板のみであれば、熱膨張率に大きな差があり、変形する危険性がある。
これに対して、本発明の放熱体21は薄銅板2のため熱膨張に対する応力が少なく、かつ垂直放熱板本体SH1は絶縁材Sと熱膨張が近いため変形が少ない。
かつ、銅板は熱を持ちやすいが、放熱体21は熱伝導率が高く放熱効果が高い。
垂直放熱板本体SH2は、上記垂直放熱板本体SH1と同様で、その外周全体を包着(密着)すべく、上記と同様な薄銅板22の外縁を折り曲げ、蓋状としたものを上下に設けてなるものである。(図3)
かつ、全周が薄銅板22で包まれているため天然鱗片状黒鉛や銅粉が落下することがない。
放熱体41は、上記と同様な垂直放熱板本体SH3の外周(必要に応じて研磨しなくてもよい)に、通電可能なメッキ処理32を行ったもので、Niメッキ・Auメッキ・Agメッキ・Cuメッキ等であり、厚みは数ミクロンとする。(図4)
これも同様にIGBTに使用するもので、外周全体をメッキ処理しているため天然鱗片状黒鉛の落下は皆無であり、必要に応じて熱伝導率や熱膨張率の異なるものを使用できる。
また、薄銅板の大きさや形状等も必要に応じて決めればよく、通電メッキも必要に応じて決めればよい。
2---薄銅板
SH1-垂直放熱板本体
I---パワー半導体
S---絶縁材
Claims (5)
- 天然鱗片状黒鉛と銅粉の複合材を垂直方向に積層して得られる焼結体を垂直方向あるいは水平方向にカットしてなる放熱板本体の上下面に、ワイヤーブラシにて天然鱗片状黒鉛を取り除いた後、銅粉を塗布し、焼結してなることを特徴とする放熱体の製造方法。
- 前記放熱板本体を90°倒した状態の上下面に、薄銅板を設けてなることを特徴とする請求項1記載の放熱体の製造方法。
- 前記放熱板本体の外周全体を包着すべく、薄銅板の外縁を折り曲げ蓋状としたものを2箇所に設けてなることを特徴とする請求項1記載の放熱体の製造方法。
- 前記放熱板本体の全面を通電メッキ処理してなることを特徴とする請求項1記載の放熱体の製造方法。
- 請求項1乃至請求項4のうちいずれか1つに記載の放熱体の製造方法により製造された放熱体をパワー半導体に取り付けてなることを特徴とするパワー半導体用放熱体の製造方法。
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