JP7262901B2 - 被加工物の切削方法 - Google Patents

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Description

本発明は、被加工物の外周部の高さと外周部の縁の位置とを検出した上で、被加工物の外周部を切削する被加工物の切削方法に関する。
半導体ウェーハに代表される板状の被加工物を切削する際には、例えば、被加工物を保持するチャックテーブルと、環状の切削ブレードを装着した切削ユニットとを備える切削装置が使用される。切削ユニットは、例えば、スピンドルと、スピンドルの一端側に装着される円環状の切削ブレードと、スピンドルの他端側に装着される回転駆動源とを有する。
被加工物を切削する場合には、例えば、チャックテーブルの保持面で被加工物の一面側を保持した状態で、回転している切削ブレードの下端を被加工物の一面よりも低い位置に位置付ける。そして、チャックテーブルと切削ユニットとを相対的に移動させることで、この移動の経路に沿って被加工物を切削する。
ところで、被加工物の裏面側を研削することにより被加工物を薄化する際には、例えば、被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブルの上方に配置された研削ユニットとを備える研削装置が使用される。
研削ユニットは、例えば、回転軸となるスピンドルを有する。スピンドルの下面側には、円盤状のホイールマウントが固定されている。また、ホイールマウントの下面側には、円環状の研削ホイールが装着されている。この研削ホイールの下面側には、複数の研削砥石が環状に設けられている。
被加工物を研削する場合には、被加工物の表面側をチャックテーブルで保持した状態でチャックテーブルを回転させ、更に、研削ユニットのスピンドルを回転軸として研削ホイールをチャックテーブルと同じ方向に回転させる。そして、研削ホイールの下面側を被加工物の裏面側に押し当てることで、被加工物の裏面側を研削する。
しかし、円盤状の被加工物は、通常、外周部にベベルを有するので、被加工物を研削して薄化すると、被加工物の外周部において断面形状がナイフエッジの様に鋭利に尖る。ナイフエッジが形成されると、外周部を起点に被加工物が破損し易くなる。
そこで、研削時の外周部の破損を防ぐために、まず、被加工物の表面側の外周部を所定厚さだけ切削装置で切削することで除去し(即ち、エッジトリミングを行い)、その後、被加工物の裏面側を研削装置で研削する技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。
エッジトリミングを行うときには、例えば、チャックテーブルで被加工物の裏面側を吸引して保持する。次いで、スピンドルを回転軸として回転させた切削ブレードを被加工物の表面側の外周部に切り込んだ状態で、チャックテーブルを回転させる。
特開2000-173961号公報
エッジトリミングを行う際に、円盤状の被加工物の外周円の中心がチャックテーブルの回転中心からずれていると、被加工物の外周部に切削ブレードを位置付けていても、チャックテーブルの回転と共に、被加工物に対する切削ブレードの位置がずれてしまう。
また、被加工物の外周部の周方向で切被加工物の厚さがばらついていると、被加工物の所定深さに切削ブレードの下端を位置付けていても、チャックテーブルの回転と共に、被加工物への切削ブレードの切り込み深さが変化してしまう。
本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、チャックテーブルの回転中心に対する被加工物の外周円の中心のずれ量と、被加工物の厚さばらつきとを考慮して、被加工物の外周部を切削することを目的とする。
本発明の一態様によれば、円盤状の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該被加工物を切削可能な切削ブレードをそれぞれ有する第1の切削ユニット及び第2の切削ユニットと、該第1の切削ユニットに固定され、該被加工物の外周部の縁の位置を検出する縁位置検出ユニットと、該第2の切削ユニットに固定され、該チャックテーブルに保持された該被加工物の表面の高さ位置を検出する高さ位置検出ユニットと、を備える切削装置を用いて、該被加工物の該表面側の該外周部を切削する被加工物の切削方法であって、該被加工物の該表面側が露出する様に、該被加工物の裏面側を該チャックテーブルで保持する保持ステップと、該高さ位置検出ユニットを用いて、該被加工物の該表面の該外周部の複数箇所の高さ位置を検出する高さ位置検出ステップと、該高さ位置検出ステップを行いながら、該縁位置検出ユニットを用いて、該縁の位置を検出する縁位置検出ステップと、該縁位置検出ステップで検出された該縁の位置から算出された該被加工物の中心と該チャックテーブルの回転中心とのずれ量に基づいて該第1の切削ユニット及び該第2の切削ユニットの一方の切削ブレードの位置を調整し、且つ、該高さ位置検出ステップで検出された該複数箇所の高さ位置に基づいて該被加工物に該一方の切削ブレードを切り込む深さを調整しながら、該被加工物の該外周部を切削する外周部切削ステップと、を備える被加工物の切削方法が提供される。
好ましくは、該縁位置検出ユニットは、被写体を可視光で撮像するカメラ又はレーザー変位計である。
また、好ましくは、該高さ位置検出ユニットは、背圧式センサである。
本発明の他の態様によれば、円盤状の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該被加工物を切削可能な切削ブレードをそれぞれ有する第1の切削ユニット及び第2の切削ユニットと、該第1の切削ユニットに固定され、該被加工物の外周部の縁の位置を検出する縁位置検出ユニットと、該第2の切削ユニットに固定され、該チャックテーブルに保持された該被加工物の表面の高さ位置を検出する高さ位置検出ユニットと、を備える切削装置を用いて、該被加工物の該表面側の該外周部を切削する被加工物の切削方法であって、該被加工物の該表面側が露出する様に、該被加工物の裏面側を該チャックテーブルで保持する保持ステップと、該縁位置検出ユニットを用いて、該縁の位置を検出する縁位置検出ステップと、該縁位置検出ステップで検出された該縁の位置から算出された該被加工物の中心と、該チャックテーブルの回転中心とのずれ量に基づいて、該高さ位置検出ユニットの位置を調整しながら、該被加工物の該表面の該外周部の複数箇所の高さ位置を検出する高さ位置検出ステップと、該第1の切削ユニット及び該第2の切削ユニットの一方の切削ブレードの位置を該ずれ量に基づいて調整し、且つ、該高さ位置検出ステップで検出された該複数箇所の高さ位置に基づいて該被加工物に該一方の切削ブレードを切り込む深さを調整しながら、該被加工物の該外周部を切削する外周部切削ステップと、を備える被加工物の切削方法が提供される。
本発明の一態様に係る被加工物の切削方法では、高さ位置検出ステップで、円盤状の被加工物の表面の外周部の複数箇所の高さ位置を検出する。更に、高さ位置検出ステップを行いながら、縁位置検出ユニットを用いて被加工物の縁の位置を検出する縁位置検出ステップを行う。高さ位置検出ステップ及び縁位置検出ステップの後、被加工物の外周部を切削する外周部切削ステップを行う。
外周部切削ステップでは、縁位置検出ステップで検出された外周部の縁の位置から算出された被加工物の中心と、チャックテーブルの回転中心とのズレ量に基づいて、切削ブレードの位置を調整する。更に、外周部切削ステップでは、切削ブレードを被加工物に切り込む深さを、高さ位置検出ステップで測定した複数箇所の高さ位置に基づいて調整する。
この様に、被加工物の中心とチャックテーブルの回転中心とのズレ量に基づいて切削ブレードの位置を調整するので、切削ブレードの位置を調整しない場合に比べて、予め定められた幅だけ正確に外周部を切削できる。
また、外周部の高さ位置に基づいて切削ブレードの切り込み深さを調整するので、切り込み深さを調整しない場合に比べて、表面からの切り込み深さのばらつきを抑えて、切り込み深さを略一定にできる。加えて、高さ位置検出ステップを行いながら縁位置検出ステップを行うことで、両者を各々単独で行う場合に比べて、検出作業に要する時間を短縮できる。
切削装置の斜視図である。 図2(A)は第1の切削ユニット等の上面図であり、図2(B)は第1の切削ユニット等の一部断面側面図である。 第1実施形態に係る被加工物の切削方法のフロー図である。 図4(A)は被加工物が載置されたチャックテーブル等の上面図であり、図4(B)は被加工物が載置されたチャックテーブル等の一部断面側面図である。 図5(A)は高さ位置検出ステップを説明するための被加工物の上面図であり、図5(B)は外周部の複数箇所での高さを示すデータの例である。 縁位置検出ステップを説明するための被加工物等の上面図である。 外周部切削ステップを説明するための被加工物等の一部断面側面図である。 図8(A)はチャックテーブルの回転角度が0度の場合の被加工物等の上面図であり、図8(B)はチャックテーブルの回転角度が90度の場合の被加工物等の上面図であり、図8(C)はチャックテーブルの回転角度が180度の場合の被加工物等の上面図であり、図8(D)はチャックテーブルの回転角度が270度の場合の被加工物等の上面図である。 第2実施形態に係る被加工物の切削方法のフロー図である。 レーザー変位計を用いて縁位置検出ステップを行う場合の被加工物等の一部断面側面図である。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図1は、切削装置2の斜視図である。切削装置2は、各構成要素が搭載される基台4を備える。基台4の上面には、X軸移動機構(加工送りユニット)6が設けられている。
X軸移動機構6は、X軸方向(加工送り方向、前後方向)に概ね平行な一対のX軸ガイドレール8を有し、X軸ガイドレール8には、X軸移動テーブル10がスライド可能に取り付けられている。
X軸移動テーブル10の下面(裏面)側には、ナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、X軸ガイドレール8に平行なX軸ボールねじ12が回転可能な態様で連結されている。
X軸ボールねじ12の一端部には、X軸パルスモータ14が連結されている。X軸パルスモータ14でX軸ボールねじ12を回転させることで、X軸移動テーブル10は、X軸ガイドレール8に沿ってX軸方向に移動する。
X軸移動テーブル10の上面側(表面側)には、円柱状のθテーブル16が設けられている。θテーブル16はモータ等の回転駆動源(不図示)を備えており、θテーブル16上には、テーブル基台18a等が設けられている。
テーブル基台18aは略円柱形状を有し、θテーブル16の上面に連結している。テーブル基台18aの周囲にはテーブルカバー18bが設けられており、このテーブルカバー18bのX軸方向の一方側及び他方側には、伸縮可能な蛇腹状のカバー部材(不図示)が設けられている。
テーブルカバー18b及びカバー部材は、X軸移動テーブル10を含むX軸移動機構6の上方を覆っている。テーブル基台18aの上面には、円盤状のチャックテーブル20が設けられている。
チャックテーブル20は、テーブル基台18aを介してθテーブル16に連結している。それゆえ、チャックテーブル20は、Z軸方向(切り込み送り方向、上下方向)に概ね平行な直線を回転軸24(図2(B)参照)として回転可能である。
チャックテーブル20は、枠体20aを有する。枠体20aは、ステンレス鋼等の金属で形成されており、底面を構成する円盤部と、円盤部の上面側に位置し所定の幅を有する円環状の環状部とを有する。
円盤部と環状部とによって、枠体20aの上面側には凹部が形成されている。この凹部には、保持プレート20bが固定されている。保持プレート20bは、例えば、多孔質セラミックスで形成されている。
保持プレート20bは、枠体20aに形成されている流路を介してエジェクタ等の吸引源(不図示)に接続されている。吸引源を動作させると、保持プレート20bの上面には負圧が発生する。
保持プレート20b上には、被加工物11等が載置される。被加工物11は、例えば、シリコン等の半導体で形成された円盤状のウェーハであり、その表面11a側に、デバイス領域と、デバイス領域を囲む外周余剰領域とを有する。
デバイス領域は、格子状に配列された分割予定ライン(ストリート)で更に複数の領域に区画されており、各領域には、IC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等のデバイスが形成されている。
被加工物11の裏面11b側を、枠体20a及び保持プレート20bの各上面に接触させた状態で負圧を発生させると、被加工物11はチャックテーブル20で保持される。それゆえ、通常、枠体20aの上面と保持プレート20bの上面とを合わせて、チャックテーブル20の保持面20cと称する。被加工物11は、この保持面20cで保持される。
ところで、チャックテーブル20は、枠体20aのみで構成されてもよい。この場合、枠体20aの環状部の上面には、複数の吸引口(不図示)が設けられる。複数の吸引口は、例えば、チャックテーブル20を上面視した場合に、周方向に略等間隔で設けられる。
各吸引口は、環状部の厚さ方向に形成された流路の一端に位置する。この流路の他端は、円盤部に形成されている流路(不図示)を介して、エジェクタ等の吸引源(不図示)に接続される。吸引源を動作させると、環状部の上面には負圧が発生するので、環状部の上面で、被加工物11は吸引して保持される。
それゆえ、チャックテーブル20が保持プレート20bを有せず。枠体20aの上面に吸引口が形成されている場合、枠体20aの上面を、チャックテーブル20の保持面20cと称する。
基台4の上面には、X軸移動機構6を跨ぐ門型の支持構造30が設けられている。支持構造30の前面上部には、割り出し送りユニット及び切り込み送りユニットをそれぞれ有する、2組の切削ユニット移動機構32が設けられている。まず、割り出し送りユニットについて説明する。
各切削ユニット移動機構32は、支持構造30の前面に配置されY軸方向(割り出し送り方向、左右方向)に概ね平行な一対のY軸ガイドレール34を共通に備える。Y軸ガイドレール34には、各切削ユニット移動機構32を構成するY軸移動プレート36がスライド可能に取り付けられている。
各Y軸移動プレート36の裏面側には、ナット部(不図示)が設けられている。各ナット部には、Y軸ガイドレール34に概ね平行なY軸ボールねじ38が回転可能な態様で連結されている。
各Y軸ボールねじ38の一端部には、Y軸パルスモータ40が連結されている。Y軸パルスモータ40でY軸ボールねじ38を回転させれば、Y軸移動プレート36は、Y軸ガイドレール34に沿ってY軸方向に移動する。
各Y軸移動プレート36の前面(表面)には、切り込みユニットが設けられている。切り込みユニットは、Z軸方向に概ね平行な一対のZ軸ガイドレール42を有し、この一対のZ軸ガイドレール42はY軸移動プレート36の前面に設けられている。
Z軸ガイドレール42には、Z軸移動プレート44がスライド可能に取り付けられている。各Z軸移動プレート44の裏面側には、ナット部(不図示)が設けられている。各ナット部には、Z軸ガイドレール42に平行なZ軸ボールねじ46が回転可能な態様で連結されている。
各Z軸ボールねじ46の一端部には、Z軸パルスモータ48が連結されている。Z軸パルスモータ48でZ軸ボールねじ46を回転させれば、Z軸移動プレート44は、Z軸ガイドレール42に沿ってZ軸方向に移動する。
Y軸方向の一方側に位置するZ軸移動プレート44の下部には、被加工物11を切削するための第1の切削ユニット50が固定されている。また、Y軸方向の他方側に位置するZ軸移動プレート44の下部には、被加工物11を切削するための第2の切削ユニット60が固定されている。
なお、チャックテーブル20に対する第1の切削ユニット50及び第2の切削ユニット60のX軸方向の位置は、X軸パルスモータ14に入力されるパルス信号のパルス数等を利用して特定できる。
また、チャックテーブル20に対する第1の切削ユニット50及び第2の切削ユニット60のY軸方向の位置は、Y軸パルスモータ40に入力されるパルス信号のパルス数を利用して特定できる。同様に、チャックテーブル20に対する第1の切削ユニット50及び第2の切削ユニット60のZ軸方向の位置は、Z軸パルスモータ48に入力されるパルス信号のパルス数を利用して特定できる。
ここで、図2(A)及び図2(B)を参照して、第1の切削ユニット50及び第2の切削ユニット60について説明する。図2(A)は、第1の切削ユニット50等の上面図であり、図2(B)は、第1の切削ユニット50等の一部断面側面図である。
第1の切削ユニット50は、スピンドルハウジング52を有する。スピンドルハウジング52には、スピンドル54の一部が回転可能な態様で収容されている。スピンドル54のうちスピンドルハウジング52から突出している一端側には、環状の切削ブレード56が装着される。
切削ブレード56は、被加工物11を切削可能な切り刃を外周部に有する。切削ブレード56は、例えば、ハブ型の切削ブレードである。スピンドル54の他端側には、回転駆動源となるモータ(不図示)が連結されている。モータを動作させると、切削ブレード56は、スピンドル54を回転軸として回転する。
スピンドルハウジング52のX軸方向の他方側には、カメラユニット(縁位置検出ユニット)58が固定されている。カメラユニット58は、チャックテーブル20の保持面20cで保持された被加工物11等の被写体を可視光で撮像する。
カメラユニット58は、例えば、対物レンズ(不図示)と、CCDイメージセンサ、CMOSイメージセンサ等の撮像素子(不図示)とを有する。カメラユニット58は、対物レンズを介して被写体からの光(可視光)を撮像素子で受光することにより、被写体を撮像する。
第2の切削ユニット60も、スピンドルハウジング62、スピンドル64、切削ブレード66等を有する。第2の切削ユニット60の構造は、第1の切削ユニット50と同じであるので、これ以上の説明を省略する。
スピンドルハウジング62のX軸方向の他方側には、背圧式センサユニット(高さ位置検出ユニット)68が固定されている。背圧式センサユニット68は、例えば、チャックテーブル20の保持面20cで保持された被加工物11の表面11aの高さ位置を、被加工物11に接触することなく検出する。
ここで、背圧式センサユニット68の構造について説明する。背圧式センサユニット68は、気体供給源(不図示)に一端が接続された気体供給パイプ(不図示)を含む。この気体供給パイプの他端には、ノズル68aが接続されている。
気体供給パイプは、その一端と他端との間の位置から分岐する分岐部(不図示)を有する。分岐部は、微差圧力計(不図示)内の第1気体室に接続している。微差圧力計は、第1気体室と、この第1気体室から空間的に分離された第2気体室とを有する。
第1気体室及び第2気体室は、ダイヤフラム(不図示)により分離されており、ダイヤフラムには歪ゲージ(不図示)が取り付けられている。また、第2気体室には、気体開放パイプ(不図示)が接続されており、気体開放パイプの内部の圧力は一定の気圧で維持されている。
次に、背圧式センサユニット68を用いて、ノズル68aの下端からノズル68aの下方に位置する物体までの未知の距離を測定する方法について説明する。なお、ノズル68aの高さ位置は、Z軸パルスモータ48により精密に制御される。
ノズル68aの下方には、物体(例えば、被加工物11)が設けられる。所定の気圧でノズル68aから気体を噴射すると、気体は物体により反射され、反射された気体の一部はノズル68a内へ取り込まれる。ノズル68aへ取り込まれる気体の量(反射量)は、ノズル68aの下端と物体の表面との距離に応じて変化する。それゆえ、この距離に応じて第1気体室の圧力が変化する。
第1気体室と第2気体室との間に圧力差が生じると、歪ゲージの抵抗値が変化する。歪ゲージの抵抗値が変化すると、歪ゲージに接続された電圧計(不図示)の電圧値が変化する。例えば、ノズル68aと物体との距離が大きくなると電圧値は小さくなり、この距離が小さくなると電圧値は大きくなる。この様な距離と電圧値との対応関係(グラフ、対応テーブル等)は、予め測定され、制御部(不図示)の記憶装置等に記憶される。
各々予め測定された距離と電圧値との対応関係に基づき、ノズル68aの下端からノズル68aの下方に位置する物体の表面までの未知の距離が測定される。例えば、ノズル68aから物体の表面に気体を噴射した後、上記の対応関係を利用して、電圧計で測定された電圧値を距離に換算することで、物体の表面までの未知の距離を測定する。
ここで、図1に戻る。第1の切削ユニット50及び第2の切削ユニット60の各々の下方には、切削ブレード56の下端の位置(高さ)を検出するブレード位置検出ユニット70が設けられている。
X軸移動機構6、θテーブル16、切削ユニット移動機構32、第1の切削ユニット50、カメラユニット58、第2の切削ユニット60、背圧式センサユニット68、ブレード位置検出ユニット70等は、それぞれ、制御部(不図示)に接続されている。制御部は、被加工物11の加工条件等に合わせてX軸移動機構6等を制御する。
制御部は、CPU(Central Processing Unit)等の処理装置や、フラッシュメモリ等の記憶装置を含むコンピュータによって構成される。記憶装置に記憶されるプログラム等のソフトウェアに従い処理装置を動作させることによって、制御部は、ソフトウェアと処理装置(ハードウェア資源)とが協働した具体的手段として機能する。
次に、上述の切削装置2を用いて被加工物11の表面11a側の外周部を切削して除去する、被加工物11の切削方法について説明する。図3は、第1実施形態に係る被加工物11の切削方法のフロー図である。
第1実施形態では、まず、被加工物11の裏面11b側を保持面20cで保持して、被加工物11の表面11aを露出させる(保持ステップ(S10))。保持ステップ(S10)の後、背圧式センサユニット68を用いて、被加工物11の表面11aの外周部の複数箇所の高さ位置を検出する(高さ位置検出ステップ(S20))。
高さ位置検出ステップ(S20)では、まず、第1の切削ユニット50と第2の切削ユニット60とが互いに接触しない様に、カメラユニット58の対物レンズと背圧式センサユニット68のノズル68aとを被加工物11の外周部上の異なる領域に位置付ける。
第1の切削ユニット50及び第2の切削ユニット60の配置の一例を図4(A)及び図4(B)に示す。図4(A)は、被加工物11が載置されたチャックテーブル20等の上面図であり、図4(B)は、被加工物11が載置されたチャックテーブル20等の一部断面側面図である。
次に、ノズル68aから外周部11cの表面11aの一箇所に向けて、所定の圧力で空気等の気体を瞬間的に噴射する。そして、表面11aの一箇所の高さが、制御部により算出される。
次に、チャックテーブル20を所定角度だけ回転させて静止させた後、再び、ノズル68aから外周部11cの表面11aの他の一箇所に気体を瞬間的に噴射する。この様に、ノズル68aからの気体の噴射と、チャックテーブル20の所定角度の回転とを順次繰り返す。
図5(A)は、高さ位置検出ステップ(S20)を説明するための被加工物11の上面図である。本実施形態では、所定の時間(例えば、17s)をかけて、図5(A)に示す様に、表面11aの外周部11cにおける異なる9箇所(P1からP9)の各々において、ノズル68aの下端から被加工物11の表面11aまでの第1距離を検出する。
なお、保持面20cからノズル68aの下端までの第2距離は、Z軸パルスモータ48等を用いて予め測定されている。それゆえ、第2距離から第1距離を引くことで、保持面20cを基準とした被加工物11の表面11aの高さZが算出される(即ち、表面11aの高さZ=第2距離-第1距離)。
図5(B)は、外周部11cの複数箇所での高さを示すデータの例である。なお、図5(B)では、周方向において隣接する2箇所の高さを線型補間したグラフAを示している。グラフAは、後述する様に、外周部11cの切り込み深さを調整する際に利用される。
本実施形態では、高さ位置検出ステップ(S20)を行いながら、カメラユニット58を用いて被加工物11を撮像し、撮像して得た画像に基づいて被加工物11の外周部11cの縁の位置を検出する(縁位置検出ステップ(S30))。
縁位置検出ステップ(S30)では、高さ位置検出ステップ(S20)で高さ位置が検出される外周部11cの複数箇所のうち、任意の数箇所(例えば、4箇所)を撮像する。図6は、縁位置検出ステップ(S30)を説明するための被加工物11等の上面図である。
例えば、図6に示すP5の上方に、高さ位置検出ステップ(S20)で用いるノズル68aが位置する場合には、図6に示すP9の上方に縁位置検出ステップ(S30)で用いるカメラユニット58の対物レンズを位置付ける。但し、対物レンズ及びノズル68aの配置はこの例に限定されるものではない。
縁位置検出ステップ(S30)では、例えば、表面11aの外周部11cにおける異なる4箇所(P2、P5、P7及びP9)を含む領域を撮像する。なお、縁位置検出ステップ(S30)で撮像する領域は4箇所のみに限定されない。
撮像により得られた各画像における1画素に対応する現実の長さ(μm)は予め定められている。また、各画像における各画素の(X,Y)座標は、切削装置2において自動的に算出される。それゆえ、撮像により得た各画像を処理することにより、P2、P5、P7及びP9の近傍に位置する4点であって、外周円上の異なる4点の位置座標(p2、p5、p7及びp9)が検出される。
この4点により、4点に内接する外周円(即ち、外周部11cの縁)の位置が検出される。なお、縁位置検出ステップ(S30)では、外周部11cの外周円の全座標が特定される必要はなく、外周円の3点以上の座標が特定されればよい。
なお、本実施形態において、S20を行いながらS30を行うとは、S20において気体の噴射及び高さZの算出が行われる時間と、S30において撮像及び複数点の位置座標の検出が行われるの時間とが、一部又は全部重なっていることを意味する。
本実施形態では、高さ位置検出ステップ(S20)を行いながら縁位置検出ステップ(S30)を行うことで、両者を各々単独で行う場合に比べて、検出作業に要する時間を短縮できる。即ち、両者を各々単独で行う場合に比べて、検出作業に要する時間を短縮するという課題を解決できる。
例えば、S20及びS30を各々単独で行う場合、高さ位置検出ステップ(S20)には17sを要し、更に、縁位置検出ステップ(S30)には15sを要する。しかし、例えば、S20を行う17sの時間内にS30も並行して行うことで、両者を各々単独で行う場合に比べて、検出作業に要する時間を約半分に短縮できる。
縁位置検出ステップ(S30)の後、例えば、検出されたp2、p5、p7及びp9の(X,Y)座標を用いて被加工物11を上面視した場合の外周円の中心11dが制御部により算出される(中心位置算出ステップ(S40))。
なお、S20を行いながら、S30及びS40を行ってもよい。つまり、S20において気体の噴射及び高さZの算出が行われる時間と、S30において撮像及び複数点の位置座標の検出が行われる時間並びにS40において中心11dを算出する時間とが、一部又は全部重なってもよい。
S40では、三角形p2p5p7が外接する円の中心(即ち、外心)の(X,Y)座標であるWc1を算出する。例えば、直線p2p5の垂直二等分線と、直線p5p7の垂直二等分線との交点の座標を求めることで、Wc1を算出する。
同様にして、三角形p5p7p9の外心の(X,Y)座標であるWc2と、三角形p7p9p2の外心の(X,Y)座標であるWc3と、三角形p9p2p5の外心の(X,Y)座標であるWc4とを算出する。そして、例えば、Wc1、Wc2、Wc3及びWc4の平均値を中心11dとする。
ところで、図6に示す様に、被加工物11の中心11dは、チャックテーブル20の回転中心26からずれている場合がある。図6では、中心11d及び回転中心26を結ぶ直線が、X軸方向に沿う場合を示しており、中心11d及び回転中心26のずれの量(即ち、偏心量)を、ずれ量Bで示す。
S20、S30及びS40の後、第1の切削ユニット50及び第2の切削ユニット60の一方の切削ブレードを用いて、被加工物11の外周部11cを切削する(外周部切削ステップ(S50))。図7は、外周部切削ステップ(S50)を説明するための被加工物11等の一部断面側面図である。
図7に示す例では、第1の切削ユニット50を用いて外周部11cを切削する。但し、第2の切削ユニット60を用いて外周部11cを切削してもよい。外周部切削ステップ(S50)では、まず、スピンドル54を回転軸として切削ブレード56を所定の回転数(例えば、30000rpm)で回転させる。
そして、切削ブレード56を回転させた状態で、切削ブレード56の下端を表面11aよりも低く且つ裏面11bよりも高い所定の高さに位置付ける。これにより、切削ブレード56を被加工物11の外周部11cに切り込む深さ(即ち、切り込み深さ)を調整する。
その後、X軸移動機構6を用いてチャックテーブル20をX軸方に移動させて、切削ブレード56を外周部11cのP1の位置に切り込ませる。次に、回転軸24の周りの所定方向(例えば、チャックテーブル20の上面視で時計回りの方向)に、チャックテーブル20を回転させる。
但し、中心11dと回転中心26とは、ずれているので、切削ブレード56の位置を固定した場合、除去される外周部11cの幅が、外周部11cの周方向で異なることとなる。そこで、外周部切削ステップ(S50)では、図8(A)から図8(D)に示す様に、ずれ量Bに基づいて切削ブレード56の位置を調整しながら、外周部11cを切削する。
なお、図8(A)から図8(D)では、被加工物11の大きさ、ずれ量B等を、図6に比べて誇張して示している点に留意されたい。図8(A)は、チャックテーブル20の回転角度が0度の場合の被加工物11等の上面図である。図8(A)は、切削ブレード56を外周部11cのP1の位置に切り込ませた状態を示す。
次いで、チャックテーブル20を、例えば、上面視で時計回りに一定の回転速度で回転させる。このとき、切削ブレード56の下方に位置する外周部11cは、ずれ量Bに起因して、図8(A)に示すP1の場合に比べてY軸方向の一方側に突出する様に移動する。
そこで、除去される外周部11cの幅を一定にするために、チャックテーブル20が回転するにつれて、切削ブレード56をY軸方向の一方側に動かす。図8(B)は、チャックテーブル20の回転角度が90度の場合の被加工物11等の上面図である。
更に、チャックテーブル20を回転させると、切削ブレード56の下方に位置する外周部11cは、ずれ量Bに起因して、図8(A)に示す場合と同じ位置に移動する。そこで、除去される外周部11cの幅を一定にするために、切削ブレード56をY軸方向の他方側に動かす。図8(C)は、チャックテーブル20の回転角度が180度の場合の被加工物11等の上面図である。
更に、チャックテーブル20を回転させると、切削ブレード56の下方に位置する外周部11cは、ずれ量Bに起因して、図8(A)に示す場合よりもY軸方向の他方側に移動する。そこで、除去される外周部11cの幅を一定にするために、切削ブレード56をY軸方向の他方側に動かす。図8(D)は、チャックテーブル20の回転角度が270度の場合の被加工物11等の上面図である。
更に、チャックテーブル20を回転させると、切削ブレード56の下方に位置する外周部11cは、ずれ量Bに起因して、図8(A)に示す場合よりもY軸方向の一方側に移動する。そこで、除去される外周部11cの幅を一定にするために、切削ブレード56をY軸方向の一方側に動かす。
この様に、中心11dと回転中心26とのずれ量Bに基づいて切削ブレード56の位置を調整するので、切削ブレード56の位置を調整しない場合に比べて、予め定められた幅だけ正確に外周部11cを切削できる。
なお、外周部切削ステップ(S50)では、除去される外周部11cの幅を一定にするために、チャックテーブル20をY軸方向に沿って動かすことに加えて、必要に応じて、チャックテーブル20をX軸方向に沿って動かしてもよい。
ところで、上述したグラフA(図5(B)参照)に示す様に、外周部11cの高さ位置は一定ではない。そこで、外周部切削ステップ(S50)では、外周部11cへの切り込み深さが一定となる様に、チャックテーブル20が回転するにつれて、切削ブレード56の切り込み深さを調整する。
つまり、外周部切削ステップ(S50)では、ずれ量Bに基づいて切削ブレード56の位置を調整し、且つ、高さ位置検出ステップ(S20)で検出した複数箇所の高さ位置に基づいて切り込み深さを調整しながら、外周部11cを切削する。
本実施形態の外周部切削ステップ(S50)では、グラフAに示す高さから所定の深さC(図5(B)参照)が切削により除去される様に、切削ブレード56の下端の高さを調整する。なお、外周部切削ステップ(S50)後の外周部11cの高さを、図5(B)のグラフD(破線)で示す。
本実施形態では、外周部11cの高さ位置に基づいて切削ブレード56の切り込み深さを調整するので、切り込み深さを調整しない場合に比べて、表面11aからの切り込み深さのばらつきを抑えることができる。つまり、切り込み深さを調整しない場合に比べて、切り込み深さを略一定にできる。
次に、第2実施形態について説明する。図9は、第2実施形態に係る被加工物11の切削方法のフロー図である。第2実施形態では、まず、保持ステップ(S10)を行う。そして、保持ステップ(S10)後、縁位置検出ステップ(S30)を行う。
縁位置検出ステップ(S30)では、第1実施形態と同様に、例えば、15sの時間をかけて、表面11aの外周部11cの縁における異なる4箇所を撮像する。そして、各画像を処理することにより、外周部11cの縁の4点の位置座標(即ち、p2、p5、p7及びp9の(X,Y)座標)を検出する。
これにより、外周部11cの縁の位置が検出される。縁位置検出ステップ(S30)の後、中心位置算出ステップ(S40)で、検出された上述の4点の(X,Y)座標を用いて被加工物11の外周円の中心11dを算出する。
次に、S40で検出された中心11dと回転中心26とのずれ量Bに基づいて、背圧式センサユニット68のノズル68aの位置を調整しながら、表面11aの外周部11cの複数箇所の高さ位置を検出する(高さ位置検出ステップ(S45))。
例えば、高さ位置検出ステップ(S45)では、図8(A)から(D)と同様に、ずれ量Bに基づいて背圧式センサユニット68のY軸方向の位置を調整することで、ノズル68aを表面11aの外周部11cの直上に位置付ける。
高さ位置検出ステップ(S45)では、例えば、17sの時間をかけて、表面11aの外周部11cにおける異なる9箇所(P1からP9)の各々において、ノズル68aの下端から被加工物11の表面11aまでの距離を検出する。
第2実施形態では、ずれ量Bに基づいてノズル68aの位置を調整するので、ノズル68aの位置を調整しない場合に比べてより正確に、ノズル68aを表面11aの外周部11cに位置付けることができる。従って、外周部11cの高さをより正確に検出できる。即ち、ずれ量Bに基づいてノズル68aの位置を調整しない場合に比べて、外周部11cの高さをより正確に検出するという課題を解決できる。
S45の後、第1実施形態と同様に、ずれ量Bに基づいて切削ブレード56の位置を調整し、且つ、S45で検出した複数箇所の高さ位置に基づいて切り込み深さを調整しながら、外周部11cを切削する(外周部切削ステップ(S50))。
この様に、ずれ量Bに基づいて切削ブレード56の位置を調整するので、切削ブレード56の位置を調整しない場合に比べて、予め定められた幅だけ正確に外周部11cを切削できる。
更に、外周部11cの高さ位置に基づいて切削ブレード56の切り込み深さを調整するので、切り込み深さを調整しない場合に比べて、表面11aからの切り込み深さのばらつきを抑えることができる。つまり、切り込み深さを調整しない場合に比べて、切り込み深さを略一定にできる。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。例えば、カメラユニット58に代えて、レーザー変位計(縁位置検出ユニット)72を用いて被加工物11の外周部11cの位置を検出してもよい。
図10は、レーザー変位計72を用いて縁位置検出ステップ(S30)を行う場合の被加工物11等の一部断面側面図である。レーザー変位計72は、幅広のレーザービームLを出射するレーザービーム照射ユニット72aを有する。また、レーザー変位計72は、レーザービームLが照射された物体からの反射光を受光する受光素子(不図示)を有する。
被加工物11の外周部11cの縁の位置を検出する場合には、まず、保持面20cで被加工物11の裏面11b側を保持する。次いで、被加工物11の径方向において外周部11cを横切る幅広のレーザービームLを、レーザービーム照射ユニット72aから表面11a及び保持面20cへ照射する。そして、被加工物11からの反射光を受光素子で受光する。
レーザービーム照射ユニット72aから物体までの距離は、例えば、三角測量の原理により測定可能である。外周部11cの縁よりも所定長さだけ内側の領域では、測定される距離は略一定である。例えば、レーザービーム照射ユニット72aから表面11aまでの距離は、略一定の距離E1となる。
しかし、外周部11cの縁に近づくにつれて、測定される距離は徐々に大きくなる。そして、外周部11cの縁に達すると、測定される距離は、距離E1よりも大きな距離E2で略一定となる。距離E2は、レーザービーム照射ユニット72aから保持面20cまでの距離である。
それゆえ、被加工物11の径方向において測定された距離のプロファイルは、外周部11cの縁の位置を境に略階段状になる。レーザービームLが照射される(X,Y)座標は予め定められているので、測定された距離のプロファイルにおいて距離E1から距離E2に変化した(X,Y)座標を特定することで、外周部11cの縁の一点の座標を検出できる。同様にして、例えば、外周部11cの縁における3点以上の座標を取得すれば、外周部11cの縁の4点の位置座標を検出できる。
2 切削装置
4 基台
6 X軸移動機構(加工送りユニット)
8 X軸ガイドレール
10 X軸移動テーブル
11 被加工物
11a 表面
11b 裏面
11c 外周部
11d 中心
12 X軸ボールねじ
14 X軸パルスモータ
16 θテーブル
18a テーブル基台
18b テーブルカバー
20 チャックテーブル
20a 枠体
20b 保持プレート
20c 保持面
24 回転軸
26 回転中心
30 支持構造
32 切削ユニット移動機構(割り出し送りユニット、切り込み送りユニット)
34 Y軸ガイドレール
36 Y軸移動プレート
38 Y軸ボールねじ
40 Y軸パルスモータ
42 Z軸ガイドレール
44 Z軸移動プレート
46 Z軸ボールねじ
48 Z軸パルスモータ
50 第1の切削ユニット
52 スピンドルハウジング
54 スピンドル
56 切削ブレード
58 カメラユニット(縁位置検出ユニット)
60 第2の切削ユニット
62 スピンドルハウジング
64 スピンドル
66 切削ブレード
68 背圧式センサユニット(高さ位置検出ユニット)
68a ノズル
70 ブレード位置検出ユニット
72 レーザー変位計
72a レーザービーム照射ユニット
A,D グラフ
B ずれ量
C 深さ
E1,E2 距離
L レーザービーム

Claims (4)

  1. 円盤状の被加工物を保持するチャックテーブルと、
    該チャックテーブルに保持された該被加工物を切削可能な切削ブレードをそれぞれ有する第1の切削ユニット及び第2の切削ユニットと、
    該第1の切削ユニットに固定され、該被加工物の外周部の縁の位置を検出する縁位置検出ユニットと、
    該第2の切削ユニットに固定され、該チャックテーブルに保持された該被加工物の表面の高さ位置を検出する高さ位置検出ユニットと、
    を備える切削装置を用いて、該被加工物の該表面側の該外周部を切削する被加工物の切削方法であって、
    該被加工物の該表面側が露出する様に、該被加工物の裏面側を該チャックテーブルで保持する保持ステップと、
    該高さ位置検出ユニットを用いて、該被加工物の該表面の該外周部の複数箇所の高さ位置を検出する高さ位置検出ステップと、
    該高さ位置検出ステップを行いながら、該縁位置検出ユニットを用いて、該縁の位置を検出する縁位置検出ステップと、
    該縁位置検出ステップで検出された該縁の位置から算出された該被加工物の中心と該チャックテーブルの回転中心とのずれ量に基づいて該第1の切削ユニット及び該第2の切削ユニットの一方の切削ブレードの位置を調整し、且つ、該高さ位置検出ステップで検出された該複数箇所の高さ位置に基づいて該被加工物に該一方の切削ブレードを切り込む深さを調整しながら、該被加工物の該外周部を切削する外周部切削ステップと、
    を備えることを特徴とする被加工物の切削方法。
  2. 該縁位置検出ユニットは、被写体を可視光で撮像するカメラ又はレーザー変位計であることを特徴とする請求項1に記載の被加工物の切削方法。
  3. 該高さ位置検出ユニットは、背圧式センサであることを特徴とする請求項1又は2に記載の被加工物の切削方法。
  4. 円盤状の被加工物を保持するチャックテーブルと、
    該チャックテーブルに保持された該被加工物を切削可能な切削ブレードをそれぞれ有する第1の切削ユニット及び第2の切削ユニットと、
    該第1の切削ユニットに固定され、該被加工物の外周部の縁の位置を検出する縁位置検出ユニットと、
    該第2の切削ユニットに固定され、該チャックテーブルに保持された該被加工物の表面の高さ位置を検出する高さ位置検出ユニットと、
    を備える切削装置を用いて、該被加工物の該表面側の該外周部を切削する被加工物の切削方法であって、
    該被加工物の該表面側が露出する様に、該被加工物の裏面側を該チャックテーブルで保持する保持ステップと、
    該縁位置検出ユニットを用いて、該縁の位置を検出する縁位置検出ステップと、
    該縁位置検出ステップで検出された該縁の位置から算出された該被加工物の中心と、該チャックテーブルの回転中心とのずれ量に基づいて、該高さ位置検出ユニットの位置を調整しながら、該被加工物の該表面の該外周部の複数箇所の高さ位置を検出する高さ位置検出ステップと、
    該第1の切削ユニット及び該第2の切削ユニットの一方の切削ブレードの位置を該ずれ量に基づいて調整し、且つ、該高さ位置検出ステップで検出された該複数箇所の高さ位置に基づいて該被加工物に該一方の切削ブレードを切り込む深さを調整しながら、該被加工物の該外周部を切削する外周部切削ステップと、
    を備えることを特徴とする被加工物の切削方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014116487A (ja) 2012-12-11 2014-06-26 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP2014239134A (ja) 2013-06-07 2014-12-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2018114580A (ja) 2017-01-17 2018-07-26 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法及び切削装置
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Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3515917B2 (ja) 1998-12-01 2004-04-05 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP6205231B2 (ja) * 2013-10-08 2017-09-27 株式会社ディスコ 切削装置
JP2018161733A (ja) * 2017-03-27 2018-10-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014116487A (ja) 2012-12-11 2014-06-26 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP2014239134A (ja) 2013-06-07 2014-12-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2018114580A (ja) 2017-01-17 2018-07-26 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法及び切削装置
JP2019033189A (ja) 2017-08-09 2019-02-28 株式会社ディスコ 切削装置及びウェーハの加工方法

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