JP2022072520A - ノッチ検出方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ウェーハのノッチを正しく検出することが可能なノッチ検出方法を提供する。【解決手段】ウェーハ１１の外周部に形成されたノッチ１１ｃを検出するノッチ検出装置２によるノッチ検出方法であって、ウェーハを回転テーブル４上に載置する載置工程と、ウェーハの外周部の画像を取得する撮像工程と、画像に基づいて、ウェーハの輪郭の座標を含む輪郭データを取得する輪郭データ取得工程と、ウェーハの輪郭の座標に基づいて、ウェーハの輪郭を近似する仮想円を算出する仮想円算出工程と、ウェーハの径方向における仮想円とウェーハの輪郭との距離に基づいて、ウェーハの外周部に異形状領域が存在するか否かを判定する異形状領域判定工程と、ウェーハの径方向における仮想円と異形状領域の先端との距離に基づいて、異形状領域がノッチであるか否かを判定する第１ノッチ判定工程と、を含む。【選択図】図２

Description

本発明は、ウェーハの結晶方位を示すノッチを検出するノッチ検出方法に関する。
デバイスチップの製造工程では、格子状に配列された複数のストリート（分割予定ライン）によって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハが用いられる。このウェーハをストリートに沿って分割することにより、デバイスをそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。デバイスチップは、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の様々な電子機器に組み込まれる。
ウェーハの分割には、例えば切削装置が用いられる。切削装置は、環状の切削ブレードを回転させて被加工物に切り込ませることにより、被加工物を切削する。一方、レーザー加工によってウェーハが分割されることもある。ウェーハのレーザー加工には、被加工物にレーザービームを照射するレーザー照射ユニットを備えたレーザー加工装置が用いられる。
また、近年では、電子機器の小型化に伴い、デバイスチップに薄型化が求められている。そこで、ウェーハの分割前に、ウェーハを薄化する加工が実施されることがある。ウェーハの薄化には、複数の研削砥石を備える研削ホイールで被加工物を研削する研削装置等が用いられる。研削後のウェーハをストリートに沿って分割することにより、薄型のデバイスチップが製造される。
なお、シリコンウェーハ等の結晶性のウェーハには、ウェーハの結晶方位を示すノッチと称される切り欠き部が形成される。ノッチは、ウェーハの外周部の一部を意図的に切り落とすことによって形成される。そして、上記のような各種の加工装置でウェーハを加工する際には、ウェーハのノッチが検出され、ノッチの位置に基づいてウェーハの向きが調節される。これにより、ウェーハを所定の向きで配置した状態で加工を実施することが可能となる。
例えば特許文献１には、ウェーハの位置合わせを行う位置合わせ手段を備えた研削装置が開示されている。この位置合わせ手段は、ウェーハをカメラで撮像することにより、ウェーハの外周部に形成されたノッチを検出し、ノッチの位置に基づいてウェーハの中心位置及び向きを調整する。
特開２０１１－４０６３７号公報
結晶性のウェーハを加工装置で加工する際、加工の内容によっては、ウェーハの加工特性がウェーハの結晶方位に応じて異なることがある。そのため、加工装置は、ウェーハのノッチを検出し、ノッチの位置に基づいてウェーハを所定の向きで配置した状態でウェーハを加工する。
しかしながら、ウェーハの外周部にはノッチ以外の欠けが形成されていることがある。例えば、ウェーハに切削加工、研削加工等の機械加工が施されると、加工工具がウェーハに接触することによってウェーハの外周部に欠けが生じ、意図せずノッチに類似する切り欠き部が形成されることがある。この場合、その後の工程でウェーハのノッチを検出する際に、ウェーハの外周部に存在する切り欠き部がノッチであるのか加工によって偶発的に生じた欠けであるのかが判別しにくくなり、加工によって生じた欠けが誤ってノッチであると判定されてしまうことがある。
ウェーハの外周部に意図せず形成された欠けが誤ってノッチであると判定されると、加工装置は、その欠けがノッチであることを前提としてウェーハの位置合わせを行い、ウェーハに加工を施す。その結果、ウェーハが誤った向きで配置された状態で加工が実施されてしまい、ウェーハに加工不良が生じるおそれがある。
本発明は、かかる問題に鑑みてなされたものであり、ウェーハのノッチを正しく検出することが可能なノッチ検出方法の提供を目的とする。
本発明の一態様によれば、円盤状のウェーハの外周部に形成され該ウェーハの結晶方位を示すノッチを検出するノッチ検出方法であって、該ウェーハを回転テーブル上に載置し、該ウェーハの外周部の一部をカメラの撮像領域内に位置付ける載置工程と、該回転テーブルを回転させながら該カメラで該ウェーハを複数回撮像することにより、該ウェーハの外周部の画像を取得する撮像工程と、該画像に基づいて、該ウェーハの輪郭の座標を含む輪郭データを取得する輪郭データ取得工程と、該ウェーハの輪郭の座標に基づいて、該ウェーハの輪郭を近似する仮想円を算出する仮想円算出工程と、該ウェーハの径方向における該仮想円と該ウェーハの輪郭との距離に基づいて、該ウェーハの外周部に異形状領域が存在するか否かを判定する異形状領域判定工程と、該ウェーハの径方向における該仮想円と該異形状領域の先端との距離に基づいて、該異形状領域がノッチであるか否かを判定する第１ノッチ判定工程と、を含むノッチ検出方法が提供される。
なお、好ましくは、該ノッチ検出方法は、該異形状領域の尖り具合を算出する尖り具合算出工程と、該異形状領域の尖り具合に基づいて、該異形状領域がノッチであるか否かを判定する第２ノッチ判定工程と、をさらに含む。
さらに好ましくは、該ノッチ検出方法は、該ウェーハの径方向に沿って該異形状領域を二分する直線によって、該画像を第１画像と第２画像とに分割する分割工程と、該第１画像と、該直線を軸として該第２画像を反転させることによって得られる反転画像との類似度に対応する第１類似度を算出する第１類似度算出工程と、該第１画像と該第２画像との類似度に対応する第２類似度を算出する第２類似度算出工程と、該第１類似度に基づいて該異形状領域がノッチであるか否かを判定する第３ノッチ判定工程と、該第２類似度に基づいて該異形状領域がノッチであるか否かを判定する第４ノッチ判定工程と、をさらに含む。
本発明の一態様に係るノッチ検出方法では、ウェーハの外周部に形成されている異形状領域のサイズ又は形状に基づいて、異形状領域がノッチであるか否かが判定される。これにより、ウェーハの外周部にノッチ以外の切り欠き部が形成されている場合においても、該切り欠き部が誤ってノッチであると判定されにくくなり、ノッチを正しく検出することが可能となる。
ウェーハを示す斜視図である。 ノッチ検出装置を示す斜視図である。 ノッチ検出装置の動作を示すフローチャートである。 図４（Ａ）はノッチが存在しない領域を表す第１画像を示す画像図であり、図４（Ｂ）はノッチが存在する領域を表す第２画像を示す画像図であり、図４（Ｃ）は半円状の欠けが存在する領域を表す第３画像を示す画像図であり、図４（Ｄ）は扇形状の欠けが存在する領域を表す第４画像を示す画像図であり、図４（Ｅ）は矩形状の欠けが存在する領域を表す第５画像を示す画像図である。 図５（Ａ）は仮想円が表示された第１画像を示す画像図であり、図５（Ｂ）は仮想円が表示された第２画像を示す画像図である。 図６（Ａ）は第２画像の異形状領域における距離Ｄ１を示す画像図であり、図６（Ｂ）は第３画像の異形状領域における距離Ｄ２を示す画像図である。 図７（Ａ）は第２画像の異形状領域の先端部を示す画像図であり、図７（Ｂ）は第４画像の異形状領域の先端部を示す画像図である。 図８（Ａ）は分割線によって分割された第２画像を示す画像図であり、図８（Ｂ）は分割線によって分割された第５画像を示す画像図である。 図９（Ａ）は反転画像を含む第２画像を示す画像図であり、図９（Ｂ）は反転画像を含む第５画像を示す画像図である。
以下、添付図面を参照して本発明の一態様に係る実施形態を説明する。まず、本実施形態に係るノッチ検出方法によってノッチが検出されるウェーハの構成例について説明する。図１は、ウェーハ１１を示す斜視図である。
例えばウェーハ１１は、シリコン等の半導体でなり円盤状に形成された結晶性のウェーハであり、互いに概ね平行な表面１１ａ及び裏面１１ｂを備える。ウェーハ１１は、互いに交差するように格子状に配列された複数のストリート（分割予定ライン）１３によって、複数の矩形状の領域に区画されている。また、ウェーハ１１の表面１１ａ側のストリート１３によって区画された複数の領域にはそれぞれ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等のデバイス１５が形成されている。
ウェーハ１１の外周部には、ウェーハ１１の結晶方位を示すノッチ（切り欠き部）１１ｃが設けられている。ノッチ１１ｃは、ウェーハ１１の外周部の一部を、ウェーハ１１の外周縁からウェーハ１１の中心側に向かって切り落とすことによって形成される。例えばノッチ１１ｃは、平面視で半円状に形成される。
ノッチ１１ｃは、ウェーハ１１の結晶方位に対応して所定の位置に形成されている。そのため、ノッチ１１ｃの位置を確認することによってウェーハ１１の結晶方位を把握できる。
なお、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えばウェーハ１１は、シリコン以外の半導体（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、サファイア等でなる円盤状のウェーハであってもよい。また、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。
ウェーハ１１に対しては、様々な加工が施される。例えば、ウェーハ１１をストリート１３に沿って分割することにより、デバイス１５をそれぞれ備える複数のデバイスチップが製造される。また、ウェーハ１１の分割前にウェーハ１１を薄化することにより、薄型化されたデバイスチップが得られる。
ウェーハ１１の分割には、例えば切削装置やレーザー加工装置が用いられる。切削装置は、ウェーハ１１を保持するチャックテーブルと、環状の切削ブレードが装着される切削ユニットとを備える。切削ブレードを回転させてウェーハ１１に切り込ませることにより、ウェーハ１１が切削、分割される。また、レーザー加工装置は、ウェーハ１１を保持するチャックテーブルと、ウェーハ１１にレーザービームを照射するレーザー照射ユニットとを備える。レーザー照射ユニットからウェーハ１１にレーザービームを照射することにより、ウェーハ１１にレーザー加工が施される。
ウェーハ１１の薄化には、例えば研削装置が用いられる。研削装置は、ウェーハ１１を保持するチャックテーブルと、複数の研削砥石を含む環状の研削ホイールが装着される研削ユニットとを備える。研削ホイールを回転させつつ研削砥石をウェーハ１１に接触させることにより、ウェーハ１１が研削され、薄化される。
さらに、ウェーハ１１の加工後には、加工済みのウェーハ１１の検査が実施されることがある。例えば、ウェーハ１１の加工された領域（被加工領域）を観察する検査装置によって、ウェーハ１１に残存する加工痕（カーフ、傷等）の状態が確認される。
ウェーハ１１の加工や検査の際には、ウェーハ１１を所定の向きで配置することが必要な場合がある。そのため、上記の各種の加工装置や検査装置には、ウェーハ１１のノッチ１１ｃを検出するノッチ検出装置が内蔵又は連結される。そして、ノッチ検出装置によって検出されたノッチ１１ｃの位置に基づいて、ウェーハ１１の向きが調節される。
図２は、ノッチ検出装置（ノッチ検出ユニット、ノッチ検出部）２を示す斜視図である。なお、図２において、Ｘ軸方向（第１水平方向）とＹ軸方向（第２水平方向）とは、互いに垂直な方向である。また、Ｚ軸方向（鉛直方向、上下方向、高さ方向）は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向と垂直な方向である。
ノッチ検出装置２は、ウェーハ１１を保持する回転テーブル（保持テーブル）４を備える。回転テーブル４の上面は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向と概ね平行な平坦面であり、ウェーハ１１を保持する保持面４ａを構成している。
具体的には、回転テーブル４は、金属、セラミックス、樹脂等でなる円柱状の枠体（本体部）６を備える。枠体６の上面６ａ側の中央部には、円柱状の凹部（溝）６ｂが形成されている。そして、凹部６ｂには、ウェーハ１１を保持する円盤状の保持部材８が嵌め込まれている。保持部材８は、ポーラスセラミックス等の多孔質材料でなる多孔質部材であり、内部に保持部材８の上面から下面に連通する空孔（流路）を含んでいる。
保持部材８の上面は、ウェーハ１１の中央部を吸引保持する円形の吸引面８ａを構成している。また、枠体６の上面６ａと保持部材８の吸引面８ａとは、概ね同一平面上に配置され、回転テーブル４の保持面４ａを構成している。
回転テーブル４には、Ｚ軸方向に沿って配置された円筒状のスピンドル１０が接続されている。スピンドル１０の上端側は回転テーブル４の下端側に固定され、スピンドル１０の下端側は回転駆動源１２に連結されている。回転駆動源１２は、スピンドル１０をＺ軸方向と概ね平行な回転軸の周りで回転させるモータを備えている。回転駆動源１２からスピンドル１０を介して伝達される動力により、回転テーブル４が保持面４ａと概ね垂直な回転軸の周りを回転する。なお、回転テーブル４の回転軸は回転テーブル４の中心に位置付けられている。
スピンドル１０の中部には、接続部１４がスピンドル１０を囲むように装着されている。接続部１４は、チューブ、パイプ等によって構成される流路１６を介して、エジェクタ等の吸引源１８に接続されている。回転テーブル４の保持面４ａ（保持部材８の吸引面８ａ）は、保持部材８の空孔、枠体６及びスピンドル１０の内部に形成された流路（不図示）、接続部１４、流路１６を介して、吸引源１８に接続されている。
回転テーブル４の上方には、ウェーハ１１を撮像するカメラ（撮像ユニット）２０が配置されている。例えばカメラ２０として、可視光を受光して電気信号に変換する撮像素子を備える可視光カメラや、赤外線を受光して電気信号に変換する撮像素子を備える赤外線カメラ等が用いられる。カメラ２０は、カメラ２０の撮像領域２２に位置付けられた物体を撮像して、撮像された物体の画像を生成する。
ノッチ検出装置２を構成する各構成要素（回転駆動源１２、吸引源１８、カメラ２０等）は、制御部（制御ユニット、制御装置）２４に接続されている。制御部２４は、ノッチ検出装置２の構成要素に制御信号を出力することにより、ノッチ検出装置２の稼働を制御する。
例えば制御部２４は、コンピュータによって構成され、ノッチ検出装置２の稼働に必要な演算を行う演算部（不図示）と、各種の情報（データ、プログラム等）が記憶される記憶部２６とを含む。演算部は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサを含んで構成される。また、記憶部２６は、主記憶装置、補助記憶装置等を構成する各種のメモリを含んで構成される。
例えばノッチ検出装置２は、前述した各種の加工装置や検査装置に内蔵される。また、ノッチ検出装置２は、加工装置及び検査装置とは独立して設置され、加工装置又は検査装置に連結されてもよい。そして、ノッチ検出装置２によって検出されたノッチ１１ｃの位置に基づいて、加工装置によって加工されるウェーハ１１の向きや、検査装置によって検査されるウェーハ１１の向きが調節される。
図３は、ウェーハ１１のノッチ１１ｃを検出する際のノッチ検出装置２の動作を示すフローチャートである。以下、図２、図３等を参照して、本実施形態に係るノッチ検出方法の具体例を説明する。
まず、ウェーハ１１を回転テーブル４上に載置する載置工程（ステップＳ１）を実施する。ウェーハ１１は、搬送機構（不図示）等によって回転テーブル４に搬送される。図２に示すように、例えばウェーハ１１は、表面１１ａ側が上方に露出し、裏面１１ｂ側が保持面４ａと対面するように、回転テーブル４上に配置される。この状態で、吸引面８ａに吸引源１８の吸引力（負圧）を作用させると、ウェーハ１１が回転テーブル４によって吸引保持される。
なお、回転テーブル４の保持面４ａの直径は、ウェーハ１１の直径よりも小さい。また、ウェーハ１１は、ウェーハ１１の中心と回転テーブル４の中心とが概ね一致するように配置される。そのため、回転テーブル４によってウェーハ１１を保持すると、ウェーハ１１の外周部が保持面４ａの外周縁よりも保持面４ａの半径方向外側に配置される。すなわち、ウェーハ１１は、ウェーハ１１の外周部が保持面４ａからはみ出すように配置される。
また、カメラ２０の位置は、カメラ２０の撮像領域２２が回転テーブル４の保持面４ａの半径方向外側に位置付けられるように調節されている。そして、ウェーハ１１が回転テーブル４によって保持されると、ウェーハ１１の外周部の一部がカメラ２０の撮像領域２２内に位置付けられる。
ただし、回転テーブル４の保持面４ａの直径は、ウェーハ１１の直径と同一、又はウェーハ１１の直径より大きくてもよい。この場合、回転テーブル４の保持面４ａでウェーハ１１の全体を支持できる。例えば、薄くて撓みが生じやすいウェーハ１１を保持する場合には、回転テーブル４の保持面４ａでウェーハ１１の全体を支持することが好ましい。
次に、回転テーブル４を回転させながらカメラ２０でウェーハ１１を撮像することにより、ウェーハ１１の外周部の画像を取得する撮像工程（ステップＳ２）を実施する。具体的には、制御部２４から回転駆動源１２に制御信号が出力され、回転テーブル４が所定の速度で回転する。また、制御部２４からカメラ２０に制御信号が出力され、カメラ２０が撮像領域２２内に位置付けられているウェーハ１１の外周部を所定の時間間隔で複数回撮像する。
回転テーブル４が回転すると、ウェーハ１１の外周部の異なる領域が、カメラ２０の撮像領域２２に順に位置付けられる。そして、ウェーハ１１の外周部がウェーハ１１の周方向に沿って連続的に撮像される。これにより、ウェーハ１１の外周部の異なる領域を拡大して示す複数の画像が取得される。
なお、カメラ２０によるウェーハ１１の外周部の撮像は、回転テーブル４の回転によってウェーハ１１が１回転するまで継続される。また、カメラ２０の撮像間隔は、カメラ２０によってウェーハ１１の外周部の全域が撮像されるように、回転テーブル４の回転速度に応じて設定される。そのため、撮像工程を実施すると、ウェーハ１１のノッチ１１ｃを含む画像が１枚以上取得される。
撮像工程において取得されるウェーハ１１の画像の例を、図４（Ａ）～図４（Ｅ）に示す。図４（Ａ）～図４（Ｅ）は、カメラ２０でウェーハ１１の外周部を複数回撮像することによって取得された画像３０Ａ～３０Ｅを示す。画像３０Ａ～３０Ｅはそれぞれ、ウェーハ１１が存在する領域に相当する存在領域（明領域）３２と、ウェーハ１１が存在しない領域に相当する不存在領域（暗領域）３４とを含む。ただし、ウェーハ１１の撮像条件（照明の条件、カメラ２０の感度等）によっては、明暗が反転し、ウェーハ１１が存在する領域が暗領域、ウェーハ１１が存在しない領域が明領域となる場合もある。
図４（Ａ）は、ノッチ１１ｃが存在しない領域を表す画像３０Ａ（第１画像）を示す画像図である。カメラ２０の撮像領域２２（図２参照）にノッチ１１ｃが位置付けられていない状態でウェーハ１１が撮像されると、ノッチ１１ｃに対応するパターンを含まない画像３０Ａが取得される。画像３０Ａには、存在領域３２と不存在領域３４との境界線によって、ウェーハ１１の外周縁に相当する円弧状の輪郭３６が表される。
図４（Ｂ）は、ノッチ１１ｃが存在する領域を表す画像３０Ｂ（第２画像）を示す画像図である。カメラ２０の撮像領域２２（図２参照）にノッチ１１ｃが位置付けられた状態でウェーハ１１が撮像されると、ノッチ１１ｃに相当する異形状領域３８Ａを含む画像３０Ｂが取得される。画像３０Ｂには、円弧状の輪郭３６に加えて、ノッチ１１ｃの縁に相当する異形状領域３８Ａの輪郭４０Ａが表される。
なお、ウェーハ１１の外周部には、ノッチ１１ｃ以外の切り欠き部が存在することがある。例えば、切削装置に装着された切削ブレードでウェーハ１１をストリート１３（図１参照）に沿って切断すると、ウェーハ１１の外周部が断片化されて飛散し、ウェーハ１１の外周部に欠けが生じることがある。また、研削装置に装着された研削ホイールでウェーハ１１を研削すると、研削ホイールからウェーハ１１に付与される圧力によって、薄化されたウェーハ１１の外周部で欠けが発生することがある。
上記のように、ウェーハ１１の外周部には、様々な要因によって意図せずノッチ１１ｃ以外の切り欠き部が形成されることがある。この場合、カメラ２０でウェーハ１１の外周部を連続的に撮像すると、ノッチ１１ｃ以外の切り欠き部を含む画像が取得される。以下では一例として、ウェーハ１１の外周部に、ノッチ１１ｃに加えて、半円状の欠け、扇形状の欠け、及び矩形状の欠けが形成されている場合について説明する。
図４（Ｃ）は、半円状の欠けが存在する領域を表す画像３０Ｃ（第３画像）を示す画像図である。ウェーハ１１の外周部に半円状の欠けが存在する場合、カメラ２０によって半円状の欠けに相当する異形状領域３８Ｂを含む画像３０Ｃが取得される。そして、画像３０Ｃには、円弧状の輪郭３６に加えて、半円状の欠けの縁に相当する異形状領域３８Ｂの輪郭４０Ｂが表される。
図４（Ｄ）は、扇形状の欠けが存在する領域を表す画像３０Ｄ（第４画像）を示す画像図である。ウェーハ１１の外周部に扇形状の欠けが存在する場合、カメラ２０によって扇形状の欠けに相当する異形状領域３８Ｃを含む画像３０Ｄが取得される。そして、画像３０Ｄには、円弧状の輪郭３６に加えて、扇形状の欠けの縁に相当する異形状領域３８Ｃの輪郭４０Ｃが表される。
図４（Ｅ）は、矩形状の欠けが存在する領域を表す画像３０Ｅ（第５画像）を示す画像図である。ウェーハ１１の外周部に矩形状の欠けが存在する場合、カメラ２０によって矩形状の欠けに相当する異形状領域３８Ｄを含む画像３０Ｅが取得される。そして、画像３０Ｅには、円弧状の輪郭３６に加えて、矩形状の欠けの縁に相当する異形状領域３８Ｄの輪郭４０Ｄが表される。
上記のように、カメラ２０でウェーハ１１の外周部を複数回撮像することにより、ウェーハ１１の外周部の画像（画像３０Ａ～３０Ｅ）が生成される。そして、カメラ２０によって取得された画像は、制御部２４（図２参照）に入力され、記憶部２６（メモリ）に記憶される。
なお、ウェーハ１１が回転テーブル４（図２参照）上に載置された時点で、ノッチ１１ｃが所定の領域内に位置付けられていることが明らかである場合には、カメラ２０によって該領域のみを撮像してもよい。この場合、ウェーハ１１の外周部の全域を撮像する必要がなく、撮像工程の実施に要する作業量と時間が削減される。
次に、画像３０Ａ～３０Ｅに基づいて、ウェーハ１１の輪郭の座標を含む輪郭データを取得する輪郭データ取得工程（ステップＳ３）を実施する。
輪郭データ取得工程では、制御部２４（図２参照）によって、画像３０Ａ～３０Ｅそれぞれに対してエッジ検出等の画像処理が施される。これにより、画像３０Ａ～３０Ｅに含まれる輪郭３６，４０Ａ～４０Ｄが抽出され、輪郭３６，４０Ａ～４０Ｄの座標が特定される。なお、輪郭３６，４０Ａ～４０Ｄの座標は、ウェーハ１１の輪郭（外周縁）の座標に相当する。そして、ウェーハ１１の輪郭の座標を含む輪郭データが、制御部２４に入力され、記憶部２６に記憶される。
次に、ウェーハ１１の輪郭の座標に基づいて、ウェーハ１１の輪郭を近似する仮想円を算出する仮想円算出工程（ステップＳ４）を実施する。仮想円算出工程では、輪郭データ取得工程において抽出された輪郭３６の座標に基づき、輪郭３６を円で近似する。なお、近似方法に制限はなく、例えば最小二乗法によって輪郭３６を近似する近似式が導出される。この近似式によって表される円が、ウェーハ１１の輪郭の仮想円に相当する。
図５（Ａ）は仮想円４２が表示された画像３０Ａを示す画像図であり、図５（Ｂ）は仮想円４２が表示された画像３０Ｂを示す画像図である。画像３０Ａ，３０Ｂと仮想円４２とを重ねて表示すると、仮想円４２は輪郭３６に沿って表示される。なお、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）では仮想円４２を破線で示している。
仮想円４２は、画像３０Ａ～３０Ｅ（図４（Ａ）～図４（Ｅ）参照）のそれぞれについて算出される。そして、仮想円算出工程において算出された仮想円（近似式）は、制御部２４（図２参照）の記憶部２６に記憶される。
次に、ウェーハ１１の外周部に異形状領域が存在するか否かを判定する異形状領域判定工程（ステップＳ５）を実施する。なお、異形状領域は、ウェーハ１１の外周部のうち、ウェーハ１１の輪郭が仮想円４２から一定以上外れている異形の領域に相当する。
異形状領域判定工程では、制御部２４の記憶部２６に記憶されているウェーハ１１の輪郭の座標（輪郭３６，４０Ａ～４０Ｄの座標、図４（Ａ）～図４（Ｅ）参照）と、仮想円４２とが読み出される。そして、制御部２４は、ウェーハ１１の径方向における、ウェーハ１１の輪郭と仮想円４２との間の距離を算出する。この距離は、ウェーハ１１の輪郭を近似する仮想円４２と、ウェーハ１１の実際の輪郭とのずれ量に相当する。
輪郭のずれ量は、輪郭３６，４０Ａ～４０Ｄに沿って順次算出される。そして、制御部２４は、算出されたずれ量に基づいて、ウェーハ１１の外周部に異形状領域が存在するか否かを判定する。
例えば、制御部２４の記憶部２６（図２参照）には予め設定されたずれ量の基準値が記憶されており、制御部２４は算出されたずれ量と基準値とを順次比較する。そして、制御部２４は、ずれ量が基準値以上である場合（又は基準値より大きい場合）には異形状領域が存在すると判定し、ずれ量が基準値未満である場合（又は基準値以下である場合）には異形状領域が存在しないと判定する。
具体的には、ウェーハ１１の外周部のうちノッチ１１ｃや欠けが形成されていない領域（図４（Ａ）参照）では、ウェーハ１１の輪郭と仮想円４２との位置が概ね一致しており、ずれ量が小さい。その結果、該領域には異形状領域が存在しないと判定される。一方、ウェーハ１１の外周部のうちノッチ１１ｃ又は欠けが形成されている領域（図４（Ｂ）～図４（Ｅ）参照）では、ウェーハ１１の輪郭４０Ａ～４０Ｄが仮想円４２に沿っておらず、ずれ量が大きい。その結果、該領域には異形状領域が存在していると判定される。
なお、異形状領域の有無の具体的な判定方法に制限はない。例えば、ウェーハ１１の輪郭のずれ量と比較される基準値は、自動で設定することもできる。具体的には、輪郭３６，４０Ａ～４０Ｄに沿って輪郭のずれ量を順次算出した後、算出されたずれ量の中央値の整数倍（２倍以上）の値を基準値として設定してもよい。これにより、ウェーハ１１の輪郭形状のばらつきが考慮された基準値を、ウェーハ１１毎に個別に設定することが可能となる。
次に、ウェーハ１１の径方向における仮想円４２と異形状領域の先端との距離に基づいて、異形状領域がノッチ１１ｃであるか否かを判定する第１ノッチ判定工程（ステップＳ６）を実施する。
第１ノッチ判定工程では、制御部２４（図２参照）によって、ウェーハ１１の径方向における仮想円４２と異形状領域の先端との距離Ｄが算出される。具体的には、ウェーハ１１の外周部のうち、異形状領域判定工程において異形状領域であると判定された領域（異形状領域３８Ａ～３８Ｄ、図４（Ｂ）～図４（Ｅ）参照）のそれぞれにおいて、距離Ｄが算出される。なお、異形状領域の先端は、異形状領域の縁（輪郭４０Ａ～４０Ｄ）のうち、ウェーハ１１の径方向において仮想円４２から最も離れた位置に存在する地点に相当する。
図６（Ａ）は画像３０Ｂの異形状領域３８Ａにおける距離Ｄ（距離Ｄ１）を示す画像図であり、図６（Ｂ）は画像３０Ｃの異形状領域３８Ｂにおける距離Ｄ（距離Ｄ２）を示す画像図である。異形状領域３８Ａの先端は、輪郭４０Ａのうちウェーハ１１の中心に最も近い地点に相当する。また、異形状領域３８Ｂの先端は、輪郭４０Ｂのうちウェーハ１１の中心に最も近い地点に相当する。
そして、制御部２４は、算出された距離Ｄに基づいて、異形状領域がノッチ１１ｃであるか否かを判定する。具体的には、制御部２４の記憶部２６（図２参照）には、ノッチ１１ｃ（図１参照）の深さに対応する距離Ｄの基準値が予め記憶されている。なお、ノッチ１１ｃの深さは、ウェーハ１１の半径方向外側におけるノッチ１１ｃの端部と、ウェーハ１１の半径方向内側におけるノッチ１１ｃの端部との距離に相当する。
例えば、実際にウェーハ１１に形成され得るノッチ１１ｃの深さの下限値が、基準値として記憶部２６に記憶される。そして、制御部２４は、算出された距離Ｄと基準値とを比較することにより、異形状領域がノッチ１１ｃであるか否かを判定する。
具体的には、図６（Ａ）に示す異形状領域３８Ａはノッチ１１ｃに対応しており、距離Ｄ１はノッチ１１ｃの深さの下限値以上である。そのため、異形状領域３８Ａは制御部２４によってノッチ１１ｃであると判定される。一方、図６（Ｂ）に示す異形状領域３８Ｂはノッチ１１ｃよりも小さい欠けに対応しており、距離Ｄ２はノッチ１１ｃの深さの下限値未満である。そのため、異形状領域３８Ｂは制御部２４によってノッチ１１ｃではないと判定される。
なお、ノッチ１１ｃの具体的な判定方法は上記に限定されない。例えば、実際にウェーハ１１に形成され得るノッチ１１ｃの深さの範囲（上限値及び下限値）が、基準値として記憶部２６に記憶されてもよい。また、ノッチ１１ｃの深さの基準値は、前述の異形状領域判定工程と同様に自動で設定することもできる。この場合、あらかじめ基準値を設定して記憶部２６に記憶する作業が不要となる。
上記のように、第１ノッチ判定工程では、ウェーハ１１の外周部に形成された異形状領域のサイズに基づいて、異形状領域がノッチ１１ｃであるか否かが判定される。そのため、ノッチ１１ｃとはサイズが異なる欠けがノッチ１１ｃであると誤判定されることを防止でき、ノッチ１１ｃが正しく検出される。
ただし、ウェーハ１１に外周部に形成されている欠けのサイズがノッチ１１ｃのサイズに近い場合は、第１ノッチ判定工程を実施してもノッチ１１ｃを特定できないことがある。例えば、図４（Ｄ）及び図４（Ｅ）に示すように、ウェーハ１１の外周部にノッチ１１ｃと同等のサイズの異形状領域３８Ｃ，３８Ｄが存在する場合には、異形状領域３８Ｃ，３８Ｄもノッチ１１ｃであると判定されてしまい、ノッチ１１ｃが特定されない。
そこで、第１ノッチ判定工程においてノッチ１１ｃであると判定された異形状領域が複数存在する場合には、他の判定方法を用いて、さらに該異形状領域がノッチ１１ｃであるか否かを判定する。具体的には、異形状領域の尖り具合を算出する尖り具合算出工程（ステップＳ７）と、異形状領域の尖り具合に基づいて異形状領域がノッチ１１ｃであるか否かを判定する第２ノッチ判定工程（ステップＳ８）とを実施する。
具体的には、まず、制御部２４は、第１ノッチ判定工程においてノッチ１１ｃであると判定された異形状領域の画像（画像３０Ｂ，３０Ｄ，３０Ｅ）に対して画像処理を施し、各異形状領域の尖り具合を数値化する。例えば制御部２４は、異形状領域の画像に対してＭｏｒａｖｅｃコーナー検出法等を用いたコーナー検出処理を施し、異形状領域の先端部の尖り具合に対応する数値（コーナー尤度）を算出する。
次に、制御部２４は、異形状領域の尖り具合に基づいて、異形状領域がノッチ１１ｃであるか否かを判定する。具体的には、制御部２４の記憶部２６（図２参照）には、コーナー尤度の基準値が予め記憶されている。例えば、実際にウェーハ１１に形成され得るノッチ１１ｃのコーナー尤度の上限値が、基準値として記憶部２６に記憶される。そして、制御部２４は、算出されたコーナー尤度と基準値とを比較することにより、異形状領域がノッチ１１ｃであるか否かを判定する。
図７（Ａ）は画像３０Ｂの異形状領域３８Ａの先端部４４Ａを示す画像図であり、図７（Ｂ）は画像３０Ｄの異形状領域３８Ｃの先端部４４Ｂを示す画像図である。図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、異形状領域３８Ａの先端部４４Ａはコーナーを含まず、異形状領域３８Ｃの先端部４４Ｂはコーナーを含む。そのため、異形状領域３８Ａと異形状領域３８Ｃとではコーナー尤度が異なる。
図７（Ａ）に示す異形状領域３８Ａはノッチ１１ｃに対応しており、異形状領域３８Ａのコーナー尤度はノッチ１１ｃのコーナー尤度の上限値以下である。そのため、異形状領域３８Ａは制御部２４によってノッチ１１ｃであると判定される。一方、図７（Ｂ）に示す異形状領域３８Ｃはノッチ１１ｃよりも鋭い欠けに対応しており、異形状領域３８Ｃのコーナー尤度はノッチ１１ｃのコーナー尤度の上限値よりも大きい。そのため、異形状領域３８Ｃは制御部２４によってノッチ１１ｃではないと判定される。
なお、ノッチ１１ｃの具体的な判定方法に制限はない。例えば、実際にウェーハ１１に形成され得るノッチ１１ｃのコーナー尤度の範囲（上限値及び下限値）が、基準値として記憶部２６に記憶されてもよい。また、コーナー尤度の基準値は、自動で設定することもできる。例えば、異形状領域に含まれる各領域のコーナー尤度を順次算出した後、算出されたコーナー尤度の中央値の整数倍（２倍以上）の値をコーナー尤度の基準値として設定してもよい。
上記のように、第２ノッチ判定工程では、ウェーハ１１の外周部の形成された異形状領域の尖り具合に基づいて、異形状領域がノッチ１１ｃであるか否かが判定される。そのため、ノッチ１１ｃとは尖り具合が異なる欠けがノッチ１１ｃであると誤判定されることを防止でき、ノッチ１１ｃが正しく検出される。
ただし、ウェーハ１１の外周部に形成されている欠けの先端部にコーナーが含まれていない場合は、第２ノッチ判定工程を実施してもノッチ１１ｃを特定できないことがある。例えば、図４（Ｅ）に示すように、異形状領域３８Ｄの先端部はフラットで鋭いコーナーを含んでいない。そのため、異形状領域３８Ｄもノッチ１１ｃであると判定されてしまいやすく、ノッチ１１ｃが特定されにくい。
そこで、第２ノッチ判定工程においてノッチ１１ｃであると判定された異形状領域が複数存在する場合には、他の判定方法を用いて、さらに該異形状領域がノッチ１１ｃであるか否かを判定する。具体的には、異形状領域を含む画像を分割することによって得られる第１画像と第２画像との類似度を算出する類似度算出工程（ステップＳ９）と、第１画像と第２画像の反転画像との類似度に基づいて異形状領域がノッチ１１ｃであるか否かを判定する第３ノッチ判定工程（ステップＳ１０）と、第１画像と第２画像との類似度に基づいて異形状領域がノッチ１１ｃであるか否かを判定する第４ノッチ判定工程（ステップＳ１１）とを実施する。
類似度算出工程では、まず、ウェーハ１１の径方向に沿って異形状領域を二分する直線によって、異形状領域を含む画像を第１画像と第２画像とに分割する（分割工程）。以下、画像３０Ｂ，３０Ｅがそれぞれ第１画像と第２画像とに分割される場合について詳述する。
図８（Ａ）は、分割線４６Ａによって第１画像４８Ａと第２画像５０Ａとに分割された画像３０Ｂを示す画像図である。画像３０Ｂは、ウェーハ１１の径方向に沿って異形状領域３８Ａを二等分する直線である分割線４６Ａによって、第１画像４８Ａと第２画像５０Ａとに分割される。その結果、第１画像４８Ａには、分割された異形状領域３８Ａの一部に相当する異形状領域３８Ａ１を含む領域４８Ａａが表される。また、第２画像５０Ａには、分割された異形状領域３８Ａの一部に相当する異形状領域３８Ａ２を含む領域５０Ａａが表される。
図８（Ｂ）は、分割線４６Ｂによって第１画像４８Ｂと第２画像５０Ｂとに分割された画像３０Ｅを示す画像図である。画像３０Ｅは、ウェーハ１１の径方向に沿って異形状領域３８Ｄを二等分する直線である分割線４６Ｂによって、第１画像４８Ｂと第２画像５０Ｂとに分割される。その結果、第１画像４８Ｂには、分割された異形状領域３８Ｄの一部に相当する異形状領域３８Ｄ１を含む領域４８Ｂａが表される。また、第２画像５０Ｂには、分割された異形状領域３８Ｄの一部に相当する異形状領域３８Ｄ２を含む領域５０Ｂａが表される。
なお、異形状領域を二分する直線（分割線）の特定方法に制限はない。例えば、ウェーハ１１の径方向に沿って仮想円４２（図５（Ｂ）等参照）と異形状領域の縁とを結ぶ複数の直線（候補線）のうち、１本の候補線が分割線に選択される。
具体的には、複数の候補線のうち、長さが最大である候補線、又は、長さの移動平均値が最大である候補線が、分割線に設定される。また、複数の候補線のうち、異形状領域の両端（異形状領域の一端と仮想円４２との連結点、及び、異形状領域の他端と仮想円４２との連結点）の中点を通る候補線が、分割線に設定されてもよい。
さらに、分割線は、候補線の位置及び長さに基づいて設定することもできる。具体的には、まず、仮想円４２のうち異形状領域に隣接する領域に含まれる複数の点を、基準点に設定する。次に、基準点の位置を表す位置座標ｘと、その基準点を通る候補線の長さＬとの積ｘＬを、各基準点について算出する。そして、各基準点における値ｘＬの総和を、複数の候補線の長さＬの総和で割る。これにより、候補線の長さで重み付けされた基準点の位置座標ｘ´が算出される。そして、位置座標ｘ´によって特定される基準点を通る候補線が、分割線に設定される。
なお、基準点の位置は、位置座標ｘの代わりに仮想円４２を基準とした角度θによって表されてもよい。この場合、候補線の長さで重み付けされた基準点の角度θ´が算出される。そして、角度θ´によって特定される基準点を通る候補線が、分割線に設定される。
次に、画像３０Ｂの第２画像５０Ａと画像３０Ｅの第２画像５０Ｂとを反転させる。具体的には、制御部２４は画像３０Ｂに画像処理を施し、分割線４６Ａを軸として第２画像５０Ａを反転させる。同様に、制御部２４は画像３０Ｅに画像処理を施し、分割線４６Ｂを軸として第２画像５０Ｂを反転させる。これにより、第２画像５０Ａの反転画像と第２画像５０Ｂの反転画像とが生成される。
図９（Ａ）は第１画像４８Ａと第２画像５０Ａの反転画像５０Ａ´とを含む画像３０Ｂを示す画像図であり、図９（Ｂ）は第１画像４８Ｂと第２画像５０Ｂの反転画像５０Ｂ´とを含む画像３０Ｅを示す画像図である。反転画像５０Ａ´には、反転前の異形状領域３８Ａ２（図８（Ａ）参照）に対応する異形状領域３８Ａ２´を含む領域５０Ａａ´が表される。また、反転画像５０Ｂ´には、反転前の異形状領域３８Ｄ２（図８（Ｂ）参照）に対応する異形状領域３８Ｄ２´を含む領域５０Ｂａ´が表される。
次に、制御部２４は、第１画像と第２画像の反転画像との類似度に対応する第１類似度を算出する（第１類似度算出工程）。具体的には、制御部２４はまず、画像３０Ｂの第１画像４８Ａと反転画像５０Ａ´とを画像処理によって比較し、両者の類似度を数値化する。
なお、第１画像４８Ａと反転画像５０Ａ´とを比較するための画像処理の内容に制限はない。例えば、第１画像４８Ａに含まれる領域４８Ａａと、反転画像５０Ａ´に含まれる領域５０Ａａ´との類似度が、テンプレートマッチング等で利用される類似度の計算方法を用いて数値化される。類似度の具体的な算出方法は自由に選択でき、例えばＳＳＤ（Sum of Squared Difference）、ＳＡＤ（Sum of Absolute Difference）、ＮＣＣ（Normalized Cross Correlation）等が用いられる。
同様に、制御部２４は、画像３０Ｅの第１画像４８Ｂと反転画像５０Ｂ´とを画像処理によって比較し、両者の類似度を数値化する。その結果、画像３０Ｂに含まれる第１画像４８Ａと反転画像５０Ａ´との類似度を示す数値、及び、画像３０Ｅに含まれる第１画像４８Ｂと反転画像５０Ｂ´との類似度を示す数値が得られる。この類似度を示す数値が、第１類似度に相当する。
次に、制御部２４は、第１画像と第２画像との類似度に対応する第２類似度を算出する（第２類似度算出工程）。具体的には、制御部２４は、画像３０Ｂの第１画像４８Ａと第２画像５０Ａ（図８（Ａ）参照）とを画像処理によって比較し、両者の類似度を数値化する。同様に、制御部２４は、画像３０Ｅの第１画像４８Ｂと第２画像５０Ｂ（図８（Ｂ）参照）とを画像処理によって比較し、両者の類似度を数値化する。
その結果、画像３０Ｂに含まれる第１画像４８Ａと第２画像５０Ａとの類似度を示す数値、及び、画像３０Ｅに含まれる第１画像４８Ｂと第２画像５０Ｂとの類似度を示す数値が得られる。この類似度を示す数値が、第２類似度に相当する。
なお、第１画像と第２画像との比較方法に制限はなく、例えば第１類似度算出工程と同様の方法によって類似度が算出される。具体的には、画像３０Ｂにおいては、第１画像４８Ａに含まれる領域４８Ａａと、第２画像５０Ａに含まれる領域５０Ａａとの類似度が数値化される。また、画像３０Ｄにおいては、第１画像４８Ｂに含まれる領域４８Ｂａと、第２画像５０Ｂに含まれる領域５０Ｂａとの類似度が数値化される。
次に、制御部２４は、第１類似度に基づいて異形状領域がノッチ１１ｃであるか否かを判定する（第３ノッチ判定工程）。例えば、制御部２４の記憶部２６には、予め設定された第１類似度の基準値が記憶されており、制御部２４は算出された第１類似度と基準値とを比較する。そして、制御部２４は、第１類似度と基準値との大小関係に基づいて、異形状領域がノッチ１１ｃであるか否かを判別する。具体的には、第１画像と反転画像との類似度が基準値以上である場合（又は基準値より高い場合）に、制御部２４は異形状領域がノッチ１１ｃであると判別する。
図９（Ａ）に示すように、第１画像４８Ａは円弧状のパターン（異形状領域３８Ａ１）を表す領域４８Ａａを含んでおり、反転画像５０Ａ´は円弧状のパターン（異形状領域３８Ａ２´）を表す領域５０Ａａ´を含んでいる。また、両パターンは大きさが概ね一致しており、類似している。そのため、第１画像４８Ｂと反転画像５０Ｂ´とには、互いに類似するパターンが含まれており、第１画像４８Ｂと反転画像５０Ｂ´との類似度は高い。
また、図９（Ｂ）に示すように、第１画像４８Ｂは矩形状のパターン（異形状領域３８Ｄ１）を表す領域４８Ｂａを含んでおり、反転画像５０Ｂ´は矩形状のパターン（異形状領域３８Ｄ２´）を表す領域５０Ｂａ´を含んでいる。また、両パターンは幅及び高さが概ね一致しており、類似している。そのため、第１画像４８Ｂと反転画像５０Ｂ´とには、互いに類似するパターンが含まれており、第１画像４８Ｂと反転画像５０Ｂ´との類似度は高い。
従って、第１画像４８Ａと反転画像５０Ａ´との類似度、及び、第１画像４８Ｂと反転画像５０Ｂ´の類似度は、ともに基準値よりも大きい。その結果、画像３０Ｂに含まれる異形状領域３８Ａ及び画像３０Ｅに含まれる異なる異形状領域３８Ｄは、ともにノッチ１１ｃであると判定される。
また、制御部２４は、第２類似度に基づいて異形状領域がノッチ１１ｃであるか否かを判定する（第４ノッチ判定工程）。例えば、制御部２４の記憶部２６には、予め設定された第２類似度の基準値が記憶されており、制御部２４は算出された第２類似度と基準値とを比較する。そして、制御部２４は、第２類似度と基準値との大小関係に基づいて、異形状領域がノッチ１１ｃであるか否かを判別する。具体的には、第１画像と第２画像との類似度が基準値以下（又は基準値未満）である場合に、制御部２４は異形状領域がノッチ１１ｃであると判別する。
図８（Ａ）に示すように、第１画像４８Ａは円弧状のパターン（異形状領域３８Ａ１）を表す領域４８Ａａを含んでおり、第２画像５０Ａは円弧状のパターン（異形状領域３８Ａ２）を表す領域５０Ａａを含んでいる。しかしながら、両パターンは角度が約９０°異なり、類似していない。そのため、第１画像４８Ａと第２画像５０Ａとには、互いに類似するパターンが含まれておらず、第１画像４８Ａと第２画像５０Ａとの類似度は低い。
一方、図８（Ｂ）に示すように、第１画像４８Ｂは矩形状のパターン（異形状領域３８Ｄ１）を表す領域４８Ｂａを含んでおり、第２画像５０Ｂは矩形状のパターン（異形状領域３８Ｄ２）を表す領域５０Ｂａを含んでいる。そして、両パターンは幅及び高さが概ね一致しており、類似している。そのため、第１画像４８Ｂと第２画像５０Ｂとには、互いに類似するパターンが含まれており、第１画像４８Ｂと第２画像５０Ｂとの類似度は高い。
従って、第１画像４８Ａと第２画像５０Ａとの類似度は、基準値よりも低い。その結果、画像３０Ｂに含まれる異形状領域３８Ａは、ノッチ１１ｃであると判定される。一方、第１画像４８Ｂと第２画像５０Ｂとの類似度は、基準値よりも高い。その結果、画像３０Ｅに含まれる異形状領域３８Ｄは、ノッチ１１ｃではないと判定される。
上記のように、第３ノッチ判定工程によって左右非対称の異形状領域がノッチ１１ｃの候補から除外されるとともに、第４ノッチ判定工程によって矩形状の異形状領域がノッチ１１ｃの候補から除外される。例えば本実施形態では、画像３０Ｅに含まれる異形状領域３８Ｄは左右対称であるため、第３ノッチ判定工程においてはノッチ１１ｃの候補から除外されないものの、続く第４ノッチ判定工程においてノッチ１１ｃの候補から除外される。その結果、画像３０Ｂに含まれる異形状領域３８Ａ（図４（Ｂ）参照）がノッチ１１ｃを表しており、画像３０Ｃ～３０Ｅに含まれる異形状領域３８Ｂ～３８Ｄ（図４（Ｃ）～図４（Ｅ）参照）がノッチ１１ｃ以外の切り欠き部を表していることが判明する。
以上の通り、本実施形態に係るノッチ検出方法では、ウェーハ１１の外周部に形成されている異形状領域のサイズ又は形状に基づいて、異形状領域がノッチ１１ｃであるか否かが判定される。これにより、ウェーハ１１の外周部にノッチ１１ｃ以外の切り欠き部が形成されている場合においても、該切り欠き部が誤ってノッチ１１ｃであると判定されにくくなり、ノッチ１１ｃを正しく検出することが可能となる。
上記のノッチ検出方法は、制御部２４（図２参照）によって自動で実施される。具体的には、制御部２４の記憶部２６には、ノッチ１１ｃを検出するための一連の動作（図３のステップＳ２～Ｓ１１参照）を記述するプログラムが記憶されている。そして、ウェーハ１１が回転テーブル４上に載置されると（ステップＳ１）、制御部２４は記憶部２６からプログラムを読み出して実行し、ノッチ１１ｃを検出する。これにより、ノッチ１１ｃの検出が簡易且つ迅速に実施される。
なお、本実施形態においては、４種類のノッチ検出工程（第１～第４ノッチ検出工程）が順次実施される例について説明したが、ノッチ検出工程の数は適宜変更できる。具体的には、第１～第４ノッチ検出工程のうち、任意の１種類、２種類又は３種類のノッチ検出工程のみを実施してもよい。また、複数種のノッチ検出工程を実施する場合、ノッチ検出工程の順番は自由に設定できる。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
１１ ウェーハ
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１１ｃ ノッチ（切り欠き部）
１３ ストリート（分割予定ライン）
１５ デバイス
２ ノッチ検出装置（ノッチ検出ユニット、ノッチ検出部）
４ 回転テーブル（保持テーブル）
６ 枠体（本体部）
６ａ 上面
６ｂ 凹部（溝）
８ 保持部材
８ａ 吸引面
１０ スピンドル
１２ 回転駆動源
１４ 接続部
１６ 流路
１８ 吸引源
２０ カメラ（撮像ユニット）
２２ 撮像領域
２４ 制御部（制御ユニット、制御装置）
２６ 記憶部（メモリ）
３０Ａ～３０Ｅ 画像
３２ 存在領域（明領域）
３４ 不存在領域（暗領域）
３６ 輪郭
３８Ａ～３８Ｄ 異形状領域
３８Ａ１，３８Ａ２，３８Ａ２´ 異形状領域
３８Ｄ１，３８Ｄ２，３８Ｄ２´ 異形状領域
４０Ａ～４０Ｄ 輪郭
４２ 仮想円
４４Ａ，４４Ｂ 先端部
４６Ａ，４６Ｂ 分割線
４８Ａ，４８Ｂ 第１画像
４８Ａａ，４８Ｂａ 領域
５０Ａ，５０Ｂ 第２画像
５０Ａａ，５０Ｂａ 領域
５０Ａ´，５０Ｂ´ 反転画像
５０Ａａ´，５０Ｂａ´ 領域

Claims (3)

  1. 円盤状のウェーハの外周部に形成され該ウェーハの結晶方位を示すノッチを検出するノッチ検出方法であって、
    該ウェーハを回転テーブル上に載置し、該ウェーハの外周部の一部をカメラの撮像領域内に位置付ける載置工程と、
    該回転テーブルを回転させながら該カメラで該ウェーハを複数回撮像することにより、該ウェーハの外周部の画像を取得する撮像工程と、
    該画像に基づいて、該ウェーハの輪郭の座標を含む輪郭データを取得する輪郭データ取得工程と、
    該ウェーハの輪郭の座標に基づいて、該ウェーハの輪郭を近似する仮想円を算出する仮想円算出工程と、
    該ウェーハの径方向における該仮想円と該ウェーハの輪郭との距離に基づいて、該ウェーハの外周部に異形状領域が存在するか否かを判定する異形状領域判定工程と、
    該ウェーハの径方向における該仮想円と該異形状領域の先端との距離に基づいて、該異形状領域がノッチであるか否かを判定する第１ノッチ判定工程と、を含むことを特徴とするノッチ検出方法。
  2. 該異形状領域の尖り具合を算出する尖り具合算出工程と、
    該異形状領域の尖り具合に基づいて、該異形状領域がノッチであるか否かを判定する第２ノッチ判定工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のノッチ検出方法。
  3. 該ウェーハの径方向に沿って該異形状領域を二分する直線によって、該画像を第１画像と第２画像とに分割する分割工程と、
    該第１画像と、該直線を軸として該第２画像を反転させることによって得られる反転画像との類似度に対応する第１類似度を算出する第１類似度算出工程と、
    該第１画像と該第２画像との類似度に対応する第２類似度を算出する第２類似度算出工程と、
    該第１類似度に基づいて該異形状領域がノッチであるか否かを判定する第３ノッチ判定工程と、
    該第２類似度に基づいて該異形状領域がノッチであるか否かを判定する第４ノッチ判定工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載のノッチ検出方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI836876B (zh) * 2023-01-19 2024-03-21 由田新技股份有限公司 晶圓切割道的檢測系統及檢測方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4887904A (en) * 1985-08-23 1989-12-19 Canon Kabushiki Kaisha Device for positioning a semi-conductor wafer
JPH02178947A (ja) * 1988-12-29 1990-07-11 Fujitsu Ltd 半導体ウェーハのノッチ合わせ機構
US5308222A (en) * 1991-05-17 1994-05-03 Kensington Laboratories, Inc. Noncentering specimen prealigner
US5513948A (en) * 1991-05-17 1996-05-07 Kensington Laboratories, Inc. Universal specimen prealigner
US5511934A (en) * 1991-05-17 1996-04-30 Kensington Laboratories, Inc. Noncentering specimen prealigner having improved specimen edge detection and tracking
JP2760918B2 (ja) * 1992-02-03 1998-06-04 大日本スクリーン製造株式会社 ノッチ付ウエハの位置検出装置
JPH1089904A (ja) * 1996-09-17 1998-04-10 Hitachi Electron Eng Co Ltd Ｖノッチウェハ位置決め装置
US6677602B1 (en) * 2000-08-18 2004-01-13 Sensys Instruments Corporation Notch and flat sensor for wafer alignment
JP4522360B2 (ja) * 2005-12-02 2010-08-11 日東電工株式会社 半導体ウエハの位置決定方法およびこれを用いた装置
JP4882505B2 (ja) * 2006-05-19 2012-02-22 東京エレクトロン株式会社 異物分布パターンの照合方法及びその装置
JP4809744B2 (ja) 2006-09-19 2011-11-09 東京エレクトロン株式会社 ウエハの中心検出方法及びその方法を記録した記録媒体
JP5484821B2 (ja) 2009-08-13 2014-05-07 株式会社ディスコ 検出方法

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