JP7220948B2 - 磁性配線回路基板 - Google Patents

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Description

本発明は、磁性配線回路基板に関する。
従来、複数の配線と、これを埋設する磁性層とを備える磁性配線回路基板が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２０１７－００５１１５号公報
しかるに、特許文献１に記載されるような磁性配線回路基板では、隣り合う配線同士は、それらの間を充填する磁性層を介して磁気的に結合し易い。そのため、一方の配線に電流を流すと、これに伴って、一方の配線の周囲に磁界が発生し、この磁界が、他方の配線に意図しない電流を生じさせ、つまり、ノイズを生じる（クロストークが発生する）という不具合がある。また、他方の配線に電流を流すときにも、上記と同様に、磁界の発生に起因して、一方の配線に意図しない電流が発生する不具合がある。
本発明は、隣り合う配線部におけるノイズの発生を抑制することのできる磁性配線回路基板を提供する。
本発明（１）は、絶縁層と、前記絶縁層の厚み方向一方面において、前記厚み方向と直交する直交方向に互いに間隔を隔てて配置される複数の配線部と、前記絶縁層の厚み方向一方面に前記複数の配線部を埋設するように配置される磁性層であって、前記磁性層の厚み方向一方面が前記複数の配線部の前記厚み方向一方面に対して前記厚み方向一方側に間隔を隔てて配置される磁性層と、互いに隣り合う少なくとも２つの前記配線部間の前記磁性層において、前記磁性層の前記厚み方向一方面から、前記少なくとも２つの前記配線部の前記厚み方向一方面の間を結ぶ仮想線よりも厚み方向他方側に向かって延びるように形成され、前記少なくとも２つの前記配線部の磁気的結合を抑制する抑制部とを備える、磁性配線回路基板を含む。
この磁性配線回路基板によれば、磁性層が、磁性層の厚み方向一方面から、少なくとも２つの配線部の厚み方向一方面の間を結ぶ仮想線よりも厚み方向他方側に向かって延びるので、隣り合う配線部の磁気的結合を抑制することができる。そのため、隣り合う配線部におけるノイズの発生を抑制することができる。
本発明（２）は、前記抑制部は、前記絶縁層の前記厚み方向一方面に至っている、（１）に記載の磁性配線回路基板を含む。
この磁性配線回路基板によれば、抑制部は、絶縁層の厚み方向一方面に至っているので、配線部の磁気的結合をより確実に抑制して、配線部におけるノイズの発生をより確実に抑制することができる。
本発明（３）は、前記抑制部は、前記磁性層に形成されるスリットである、（１）または（２）に記載の磁性配線回路基板を含む。
この磁性配線回路基板では、抑制部がスリットであるので、構成が簡易である。
本発明（４）は、前記抑制部における前記直交方向長さＷの、前記少なくとも２つの前記配線部間の前記直交方向長さＳに対するの比（Ｗ／Ｓ）が、０．４以下である、（１）～（３）のいずれか一項に記載の磁性配線回路基板を含む。
抑制部における直交方向長さＷの、複数の配線部間の直交方向長さＳに対する比が、高い場合には、配線部間における比透磁率が過度に低下してしまい、磁性配線回路基板のインダクタンスが低下し易い。
しかし、この磁性配線回路基板では、抑制部における直交方向長さＷの、複数の配線部間の直交方向長さＳに対する比が、０．４以下と低いので、配線部間における比透磁率の過度の低下を抑制して、高いインダクタンスを確保することができる。
本発明によれば、抑制部によって、隣り合う配線部の磁気的結合を抑制して、隣り合う配線部におけるノイズの発生を抑制することができる。
図１は、本発明の磁性配線回路基板の一実施形態の平面図を示す。 図２は、図１に示す磁性配線回路基板のＸ－Ｘ線に沿う断面図を示す。 図３Ａ～図３Ｃは、図２に示す磁性配線回路基板の製造工程図であり、図３Ａが、配線回路基板および磁性シートを準備する工程、図３Ｂが、磁性シートを配線回路基板に熱プレスする工程、図３Ｃが、抑制部を形成する工程を示す。 図４は、図２に示す磁性配線回路基板の変形例であり、抑制部が磁性層の厚み方向途中まで延びる態様を示す。 図５は、図２に示す磁性配線回路基板の変形例であり、さらに、第２絶縁層を備える態様を示す。 図６は、図２に示す磁性配線回路基板の変形例であり、抑制部が充填部を含む態様を示す。 図７は、図２に示す磁性配線回路基板の変形例であり、抑制部（スリット）がテーパー形状である態様を示す。 図８は、図１に示す磁性配線回路基板の変形例を示す。 図９は、図１に示す磁性配線回路基板の変形例を示す。 図１０は、実施例の磁性配線回路基板を示す平面図である。 図１１は、実施例における評価１のグラフを示す。 図１２は、実施例における評価２のグラフを示す。
＜一実施形態＞
本発明の配線回路基板の一実施形態である配線回路基板１を、図１および図２を参照して説明する。
磁性配線回路基板１は、厚み方向に互いに対向する厚み方向一方面および他方面を有し、面方向（厚み方向に直交する方向）（後述する第１方向および第２方向を含む面方向）に延びるシート形状を有する。
磁性配線回路基板１は、絶縁層２と、複数の配線３と、磁性層４と、抑制部５とを備える。
絶縁層２は、面方向に延びるシート形状を有する。絶縁層２は、厚み方向一方面である第１絶縁面６および他方面である第２絶縁面７を有する。絶縁層２は、次に説明する複数の配線３を支持する支持材であり、ひいては、磁性配線回路基板１を支持する支持層でもある。また、絶縁層２は、可撓性を有する。絶縁層２の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂などの樹脂材料が挙げられる。また、絶縁層２は、単層および複層のいずれであってもよい。絶縁層２の厚みは、特に限定されず、例えば、１μｍ以上、１０００μｍ以下である。
配線３は、絶縁層２の第１絶縁面６において、第１方向（図２における左右方向に相当し、面方向に含まれる方向）に互いに間隔を隔てて複数配置されている。図１に示すように、例えば、配線３は、第１の配線３Ａと、第２の配線３Ｂと、第３の配線３Ｃとを、第１方向に間隔を隔てて並列配置されている。第１の配線３Ａと、第２の配線３Ｂと、第３の配線３Ｃとは、第１方向一方側から第２方向側に向かって順に配置されている。
複数の配線３のそれぞれの平面視（厚み方向に見たときの）形状としては、例えば、略Ｕ形状である。複数の配線３のそれぞれは、厚み方向および第１方向に直交する第２方向（図２における紙面奥行き方向に相当する方向）に延びる複数の配線部の一例としての第１配線部４１および第２配線部４２と、第１配線部４１および第２配線部４２の第２方向一端部を接続する接続配線部４３とを一体的に備える。
第１配線部４１および第２配線部４２は、第１方向（所定方向の一例）に間隔を隔てて対向配置されている。また、第１配線部４１および第２配線部４２は、第２方向に直交する断面視（第１方向および厚み方向に沿う切断面）（図２に示される切断面）において、間隔を隔てて隣り合っている。
なお、第１配線部４１および第２配線部４２は、配線３が複数設けられていることから、磁性配線回路基板１において、それぞれ、複数設けられている。
第１配線部４１および第２配線部４２のそれぞれの断面視（詳しくは、厚み方向および第１方向に沿って切断したときの断面視）形状としては、特に限定されず、例えば、略矩形状などが挙げられる。
第１配線部４１および第２配線部４２のそれぞれは、絶縁層２の第１絶縁面６に対して厚み方向一方側に間隔を隔てて対向配置される厚み方向一方面である第１配線面８と、絶縁層２の第１絶縁面６に接触する第２配線面９と、第１配線面８および第２配線面９の第１方向両端縁を連結する側面である第３配線面１０とを一体的に備える。
第１配線面８は、第１方向に沿う平坦面である。
第２配線面９は、第１配線面８に平行する平坦面である。
第３配線面１０は、厚み方向に沿って延びる。第３配線面１０は、第１配線部４１および第２配線部４２のそれぞれに２つ備えられる。２つの第３配線面１０は、第１方向に間隔を隔てて対向配置される。
接続配線部４３は、第１配線部４１および第２配線部４２のそれぞれと同一の断面視形状を有する。
配線３の材料としては、例えば、銅などの金属（導体）が挙げられる。
配線３の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。第１配線部４１および第２配線部４２の幅は、例えば、２０μｍ以上、２０００μｍ以下である。第１配線部４１および第２配線部４２間の間隔は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１５００μｍ以下である。
配線３（第１配線部４１および第２配線部４２）の厚みの、第１配線部４１および第２配線部４２の幅に対する比（厚み／幅）は、例えば、０．００５以上、好ましくは、０．０１５以上であり、また、例えば、２５以下、好ましくは、１２．５以下である。配線３の厚みの、第１配線部４１および第２配線部４２間の間隔に対する比（厚み／間隔）は、例えば、０．００５以上、好ましくは、０．０２以上であり、また、例えば、２５以下、好ましくは、５以下である。
なお、配線３は、上記した絶縁層２とともに、配線回路基板１５に備えられる。つまり、配線回路基板１５は、絶縁層２と、複数の配線３とを備える。好ましくは、配線回路基板１５は、絶縁層２と、複数の配線３とのみからなる。
磁性層４は、面方向に延びるシート形状を有する。磁性層４は、絶縁層２の第１絶縁面６に、複数の配線３を埋設するように配置されている。磁性層４は、第１磁性面１１と、第１磁性面１１の厚み方向他方側に間隔を隔てて配置される第２磁性面１２とを有する。
第１磁性面１１は、少なくとも第１配線部４１および第２配線部４２の第１配線面８に対して厚み方向一方側に間隔を隔てて配置されている。具体的には、第１磁性面１１は、第１配線部４１および第２配線部４２に対応して厚み方向一方側に向かって***する複数の凸部１３と、互いに隣り合う凸部１３の間に配置され、凸部１３に対して厚み方向他方側に向かって沈下する凹部１４とを有する。凹部１４（より具体的には、凹部１４の厚み方向他端縁）は、第１配線部４１および第２配線部４２の第１配線面８の間を結ぶ仮想線ＩＬよりも厚み方向一方側に間隔に隔てて位置している。
第２磁性面１２は、絶縁層２において配線３から露出する第１絶縁面６と、配線３の第１配線面８および第３配線面１０とを被覆している。
磁性層４の材料としては、例えば、磁性粒子および樹脂成分を含有する磁性組成物などが挙げられる。磁性粒子としては、例えば、磁気特性の観点から、センダストなどの軟磁性粒子が挙げられる。樹脂成分としては、例えば、エポキシ樹脂、硬化剤および硬化促進剤を含有するエポキシ樹脂組成物などの熱硬化性樹脂が挙げられる。なお、このような磁性組成物は、例えば、特開２０１７－００５１１５号公報、特開２０１５－０９２５４３号公報などに記載されている。
磁性粒子の磁性層４における含有割合は、例えば、５０体積％以上、好ましくは、５５体積％以上であり、また、例えば、９５体積％以下、好ましくは、９０体積％以下である。
磁性層４の比透磁率は、例えば、３以上、好ましくは、５以上、より好ましくは、１０以上であり、また、例えば、１０００以下である。
抑制部５は、互いに隣り合う２つの配線部の磁気的結合を抑制する。抑制部５は、互いに隣り合う２つの配線３（一の配線３および他の配線３）において、一の配線３の第２配線部４２と、一の配線３に隣り合う他の配線３の第１配線部４１の間の磁性層４において、磁性層４の第１磁性面１１から、第１配線部４１および第２配線部４２の第１配線面８の間を結ぶ仮想線ＩＬよりも厚み方向他方側に延びるように形成されている。具体的には、抑制部５は、第１の配線３Ａの第２配線部４２と、第２の配線３Ｂの第１配線部４１との間、および、第２の配線３Ｂの第２配線部４２と、第３の配線３Ｃの第１配線部４１との間に、形成されている。
また、抑制部５は、磁性層４の第１磁性面１１から、絶縁層２の第１絶縁面６に至っている。
具体的には、抑制部５は、磁性層４に形成されるスリット（空隙部、隙間、開口部）２５である。好ましくは、抑制部５は、スリット２５のみからなる（後述する図６に示す変形例のように、充填部２０を備えない。）。また、抑制部５は、磁性層４の凹部１４から、厚み方向に沿って延びる断面略直線形状を有する。つまり、抑制部５は、その幅（第１方向長さ）Ｗが、厚み方向において同一である形状を有する。また、抑制部５は、断面（厚み方向および第１方向に沿う断面）視において、磁性層４を第１方向において分断（隔絶）している。
抑制部５は、第２方向に沿って、互いに隣り合う２つの配線部と平行するように、それらの間に形成されている。抑制部５は、例えば、一の配線３の第２配線部４２と、他の配線３の第１配線部４１とに沿う平面視略ストレート形状を有する。
抑制部５の幅（第１方向長さ）Ｗの、互いに隣り合う第１配線部４１および第２配線部４２間の間隔Ｓに対する比（Ｗ／Ｓ）は、例えば、０．７以下、好ましくは、０．５以下、より好ましくは、０．４以下、さらに好ましくは、０．３以下、とりわけ好ましくは、０．２以下、最も好ましくは、０．１以下であり、また、例えば、０．０１以上である。上記した比（Ｗ／Ｓ）が上記した上限以下であれば、配線３間における比透磁率の過度の低下を抑制して、磁性配線回路基板１における高いインダクタンスを確保することができる。
とりわけ、比（Ｗ／Ｓ）が０．４超過であれば、配線３間の磁気的結合を抑制する効果を得られず、一方で、インダクタンス密度のみが低下してしまう傾向があるところ、比（Ｗ／Ｓ）が０．４以下であれば、上記したインダクタンス密度のみの低下を抑制することができる。
具体的には、抑制部５の第１方向長さ（幅）Ｗは、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、８０μｍ以下、より好ましくは、６０μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上である。
なお、抑制部５の厚み方向長さは、凹部１４における磁性層４の厚みと同一である。
また、抑制部５における比透磁率は、抑制部５がスリット２５であり、抑制部５に空気が存在する場合、実質的に１（詳しくは、真空の比透磁率１に近似する値）である。
磁性配線回路基板１の厚みは、その最大厚みとして、例えば、３０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。
次に、この磁性配線回路基板１の製造方法を、図３Ａ～図３Ｃを参照して説明する。
図３Ａに示すように、まず、絶縁層２および配線３を備える配線回路基板１５を準備する。
続いて、磁性シート１６を準備する。例えば、上記した磁性粒子および樹脂成分（好ましくは、Ｂステージの熱硬化性樹脂）を含有する磁性組成物から、シート形状に形成して、磁性シート１６を準備する。
その後、図３Ａの矢印で示すように、磁性シート１６によって、配線回路基板１５における複数の配線３を埋設する。例えば、磁性シート１６が、Ｂステージの熱硬化性樹脂を含む場合には、磁性シート１６を配線回路基板１５に対して熱プレスする。
これにより、磁性シート１６を、配線３（少なくとも第１配線部４１および第２配線部４２）に対応する形状に形成（成型）する。つまり、磁性シート１６から、磁性層４を形成する。
なお、この磁性層４には、まだ、抑制部５が形成されていない。
図３Ｃに示すように、磁性層４に、抑制部５を形成する。
磁性層４に抑制部５を形成するには、例えば、切削装置（あるいは切断装置）が用いられる。
切削装置として、例えば、ダイシング装置などの、磁性層４と物理的に接触する接触式切削装置、例えば、レーザー装置などの、磁性層４と物理的に接触しない非接触式切削装置などが挙げられる。
切削装置として、形状制御の精度の観点からは、好ましくは、接触式切削装置が挙げられ、作業時間（タクトタイム）の短縮の観点からは、好ましくは、非接触式切削装置が挙げられる。
接触式切削装置の一例であるダイシング装置は、支持台（図示せず）と、これと間隔を隔てて対向配置されるダイシングソー１７と、これを移動させる移動装置（図示せず）とを備える。
ダイシングソー１７としては、例えば、円盤形状を有するダイシングブレードなどが挙げられる。
ダイシング装置で抑制部５を形成するには、まず、配線回路基板１５および磁性層４をダイシング装置の支持台（図示せず）に設置する。これにより、ダイシングソー１７は、磁性層４の厚み方向一方側に間隔を隔てて配置される。続いて、ダイシングソー１７の周端を磁性層４の第１磁性面１１（具体的には、凹部１４）に接触させる。
続いて、ダイシングソー１７を、その周端が絶縁層２の第１絶縁面６に至るまで、厚み方向他方側に移動（引き下げる）。その後、ダイシングソー１７を、第２方向に沿って移動させる。これによって、スリット２５である抑制部５が第２方向に沿って形成される。
これによって、配線回路基板１５、磁性層４および抑制部５を備える磁性配線回路基板１が得られる。
その後、磁性層４がＢステージの熱硬化性樹脂を含む場合には、必要により、磁性層４を、例えば、加熱により、Ｃステージ化（完全硬化）させる。
この磁性配線回路基板１は、例えば、無線電力伝送（無線給電および／または無線受電）、無線通信、センサ、受動部品などに用いられる。
そして、この磁性配線回路基板１によれば、磁性層４が、磁性層４の第１磁性面１１から、互いに隣り合う２つの配線３（一の配線３の第２配線部４２、および、他の配線３の第１配線部４１）の第１配線面８の間を結ぶ仮想線ＩＬよりも厚み方向他方側に向かって延びている。そのため、２つの配線３の磁気的結合を抑制することができる。そのため、２つの配線３におけるノイズの発生を抑制することができる。
また、この磁性配線回路基板１によれば、抑制部５は、絶縁層２の第１絶縁面６に至っている。そのため、２つの配線３の磁気的結合をより確実に抑制して、２つの配線３（一の配線３の第２配線部４２、および、他の配線３の第１配線部４１）におけるノイズの発生をより確実に抑制することができる。
さらに、この磁性配線回路基板１では、抑制部５が、スリット２５であるので、簡単な構成で、２つの配線３（一の配線３の第２配線部４２、および、他の配線３の第１配線部４１）におけるノイズの発生を抑制することができる。
しかるに、抑制部５の幅Ｗの、複数の配線３間の間隔Ｓに対する比が、高い場合には、配線３間における比透磁率が過度に低下してしまい、磁性配線回路基板１のインダクタンスが低下し易い。また、配線３間における磁性層４を過度に除去することとなり、その結果、一の配線３の第２配線部４２から生じる磁界が他の配線３の第１配線部４１へも広がってしまうことで、配線３間での磁気的結合を強めることとなる。
しかし、この磁性配線回路基板１では、抑制部５の幅Ｗの、複数の配線３間の間隔Ｓに対する比が、０．４以下と低ければ、配線３間における比透磁率の過度の低下を抑制して、高いインダクタンスを確保することができる。
＜変形例＞
以下の各変形例において、上記した第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、第１実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
図２に示すように、一実施形態では、抑制部５は、磁性層４の第１磁性面１１から、絶縁層２の第１絶縁面６に至っている。
しかし、図４に示すように、この変形例では、抑制部５は、絶縁層２の第１絶縁面６に至っておらず、第１絶縁面６と間隔が隔てられている。具体的には、抑制部５は、第１磁性面１１から凹む抑制凹部である。抑制部５は、厚み方向一方側に向かって開口されている。抑制部５は、上記した仮想線ＩＬよりも、厚み方向他方側に位置する底部１８を有する。
底部１８は、仮想線ＩＬと、磁性層２の第１絶縁面６との間に位置している。
抑制部５の深さは、底部１８が仮想線ＩＬより厚み方向他方側に位置すれば特に限定されない。底部１８と仮想線ＩＬとの距離Ｌの、配線３の厚みに対する比（距離Ｌ／配線３の厚み）が、例えば、０．１以上、好ましくは、０．２以上であり、また、例えば、１未満、好ましくは、０．９以下である。
比が上記した下限以上であれば、互いに隣り合う配線３間の磁気的結合を有効に抑制することができる。比が上記した上限以下であれば、磁性層４の強度を確保することができる。
図２に示すように、一実施形態では、磁性層４は、配線３の第１配線面８および第３配線面１０に接触している。つまり、磁性層４は、第１配線面８および第３配線面１０に直接配置されている。
しかし、図５に示すように、磁性層４は、配線３の第１配線面８および第３配線面１０に接触せず、磁性層４は、第１配線面８および第３配線面１０に間接的に配置されていてもよい。
この変形例では、磁性層４および配線３の間に、第２絶縁層１９が介在している。
第２絶縁層１９は、配線３の第１配線面８および第３配線面１０に沿う薄膜形状を有する。第２絶縁層１９は、例えば、磁性を有さない。具体的には、第２絶縁層１９の材料としては、例えば、磁性粒子を含有しない樹脂材料などが挙げられる。第２絶縁層１９の樹脂材料は、絶縁層２で例示した樹脂材料と同様である。第２絶縁層１９の厚みは、例えば、１０μｍ以下、０．１μｍ以上である。
一実施形態では、図２に示すように、抑制部５は、スリット２５のみからなるが、例えば、図６に示すように、抑制部５は、スリット２５、および、スリット２５に充填される充填部２０を備えることもできる。この変形例では、抑制部５が、好ましくは、スリット２５および充填部２０のみからなる。
充填部２０の材料としては、例えば、低透磁性材料などが挙げられる。低透磁性材料としては、例えば、磁性粒子を含有しない樹脂材料などが挙げられる。
好ましくは、一実施形態のように、図２に示すように、抑制部５がスリット２５のみからなる。一実施形態によれば、抑制部５の比透磁率を、図６に示す充填部２０をさらに含む抑制部５に比べて、確実に、低く設定することができ、そのため、配線３間の磁気的結合を有効に抑制することができる。
また、絶縁層２は、磁性粒子を含有し、磁性を有する磁性絶縁層であってもよい。
図３Ａおよび図３Ｂに示すように、一実施形態では、磁性層４を磁性シート１６から形成しているが、例えば、磁性組成物のワニスを調製し、これを塗布して、磁性層４を形成することもできる。
また、図３Ｂおよび図３Ｃに示すように、一実施形態では、磁性層４および抑制部５を別々の工程で形成している。しかし、図示しないが、一度の工程で形成することもできる。例えば、抑制部５と同一形状を有する壁部材（あるいはポスト）を２つの配線３間における第１絶縁面６に設置し、続いて、壁部材に対応する形状で、磁性層４を形成し、その後、壁部材を除去する（例えば、厚み方向一方側に向けて引き抜く）。これにより、磁性層４および抑制部５を一度に形成する。
一実施形態では、図２に示すように、抑制部５は、磁性層４の第１磁性面１１から、厚み方向に沿って延びる断面略直線形状を有する。しかし、抑制部５（スリット２５）の断面視形状は、これに限定されない。例えば、図７に示すように、開口面積（あるいは第１方向における対向長さ）が厚み方向他方側に向かって次第に小さく（狭く）なるテーパー形状であってもよい。
この場合には、抑制部５の幅Ｗは、抑制部５において仮想線ＩＬ上の長さとして定義される。抑制部５の幅Ｗは、Ｗ／Ｓが、例えば、０．４以下を満足するように、調整されれれば、上記と同様の作用効果（配線３間における比透磁率の過度の低下の抑制）を奏することができる。
一実施形態では、図１に示すように、抑制部５は、互いに隣り合う２つの配線３の間に形成されているが、例えば、図８に示すように、１つの配線３における２つの配線部、すなわち、第１配線部４１および第２配線部４２の間に配置されていてもよい。
さらには、図９に示すように、互いに隣り合う２つの配線３の間、および、１つの配線３における第１配線部４１および第２配線部４２の間の両方に、配置されていてもよい。
なお、図示しないが、抑制部５は、上記で定義される幅Ｗよりも広く、仮想線ＩＬよりも厚み方向他方側に配置される幅広部を有することができる。幅広部の形状は、特に限定されず、例えば、略円弧形状、略波形状などを含む。幅広部の幅（第２幅、第１方向長さ）は、例えば、上記した幅（第１幅）Ｗに対して、例えば、１．４以下、また、１超過である。
一実施形態では、抑制部５を形成した後、磁性層４のＣステージ化を実施しているが、その順序は、逆であってもよい。
例えば、配線３のパターン形状は、特に限定されず、例えば、略コイル形状、略ループ形状、略Ｓ形状などを含む。
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
実施例１
図１および図３Ａ参照に示すように、絶縁層２と、複数の配線３とを備える配線回路基板１５を準備した。
配線回路基板１５において、絶縁層２は、ポリイミド樹脂からなり、厚みが５μｍである。配線回路基板１５において、複数の配線３は、銅からなり、厚みが１００μｍである。複数の配線３（第１の配線３Ａ、第２の配線３Ｂおよび第３の配線３Ｃ）のそれぞれは、第１配線部４１、第２配線部４２および接続配線部４３を有する。各配線３において、第１配線部４１および第２配線部４２は、それぞれ、幅が３００μｍ、間隔が３００μｍである。一の配線３の第２配線部４２、および、他の配線３の第１配線部４１の間隔Ｓは、１００μｍである。
別途、磁性シート１６を準備した。
磁性シート１６は、センダストを６０容積％、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂組成物）を４０容積％含有する磁性組成物から形成した。
図３Ｂに示すように、その後、磁性シート１６を配線回路基板１５に対して熱プレスして、磁性層４を形成した。
その後、図３Ｂおよび図３Ｃに示すように、ダイシングソー１７により、磁性層４に、磁性層４の第１磁性面１１から、絶縁層２の第１絶縁面６に至るスリット２５を形成して、抑制部５を形成した。
抑制部５の幅Ｗは、４０μｍである。なお、抑制部５の幅Ｗに対する、複数の配線３間隔Ｓの比（Ｗ／Ｓ）は、０．４であった。
これにより、磁性配線回路基板１を得た。
実施例２～実施例４
抑制部５の形状、寸法等を表１に従って変更した以外は、実施例１と同様に処理して、磁性配線回路基板１を得た。
比較例１
図３Ｂに示す、抑制部５を形成する前（製造途中）の磁性配線回路基板１をそのまま比較例１の磁性配線回路基板１として得た。
つまり、磁性配線回路基板１は、抑制部５を備えない。
（評価１）
磁気的結合の抑制（インダクタンスの第１変化率および第２変化率）
実施例１、２および比較例１の磁性配線回路基板１のそれぞれにおける第２の配線３Ｂにおける第１配線４１および第２配線部４２の第２方向一端部を、インピーダンス・アナライザ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製：４２９４Ａ）に接続して、第１の配線３に隣接する他の配線３のインダクタンスを測定し、このインダクタンスを参照インダクタンスとした。
次いで、第１の配線３Ａの第１配線４１および第２配線部４２の第２方向一端部を、別の配線で接続して、第１の配線３Ａを短絡させた状態で、第２の配線３（３Ｂ）のインダクタンスを測定し、この値と、上記した参照インダクタンスとの差を求めた。これを参照インダクタンスで割って、インダクタンスの第１変化率を求めた。
さらに、第３の配線３（３Ｃ）の第１配線４１および第２配線部４２の第２方向一端部を、別の配線で接続して、第３の配線３Ｃを短絡させた状態（つまり、第２の配線３Ｂの第１方向両側に位置する第１の配線３Ａおよび第３配線３Ｃをともに短絡させた状態）で、第２の配線３Ｂのインダクタンスを測定し、この値と、上記した参照インダクタンスとの差を求めた。これを参照インダクタンスで割って、インダクタンスの第２変化率を求めた。
併せて、図１０の太破線で示すように、実施例１、２および比較例１の磁性配線回路基板１における第２の配線３Ｂとその第１方向一方側に隣接する磁性層４の占有面積（つまり、第２の配線３Ｂおよびそれに対応する磁性層４によるインダクタの占有面積）（但し、スリット２５がある場合には、その占有面積を差し引いた面積）ＩＳを求めた。この占有面積で、上記した参照インダクタンスを割って、インダクタンス密度を求めた。
インダクタンスの第１変化率および第２変化率と、インダクタンス密度との関係を図１１に示す。
なお、図１１中、一重マーク（実施例１では、○）は、インダクタンスの第１変化率およびそれに対応するインダクタンス密度のプロットである。二重マーク（実施例１では、◎）は、インダクタンスの第２変化率およびそれに対応するインダクタンス密度のプロットである。中黒（実施例１では、●）は、参照インダクタンスの変化率（つまり、ゼロ）およびそれに対応するインダクタンス密度のプロットである。
図１１において、インダクタンスの第１変化率および第２変化率が高くなるほど、配線３間の磁気的結合が強く影響していることを示す。
（評価２）
磁気的結合の抑制（インダクタンスの変化率）
実施例１、３、４および比較例１の磁性配線回路基板１の第２変化率のおよびそれに対応するインダクタンス密度を求め、これらを、図１２に示す。
図１２において、インダクタンスの変化率が高くなるほど、配線３間の磁気的結合が強く影響していることを示す。
（考察１）
図１１に示すように、実施例１、２および比較例１を比べると、抑制部５を備える実施例１および２は、それを備えない比較例１に比べて、配線３間の磁気的結合の影響が小さいことが分かる。
また、実施例１および２を比べると、抑制部５が第１絶縁面６に至るを実施例１は、抑制部５が絶縁層２の厚み方向途中まで至る実施例２に比べて、配線３間の磁気的結合の影響がより小さいことが分かる。
（考察２）
図１２に示すように、実施例１、３および比較例１を比べると、Ｗ／Ｓが０から０．４に近接するにつれて、配線３間の磁気的結合の影響がより小さいことが分かる。
一方、実施例１および４を比べると、Ｗ／Ｓが０．４から０．６に向かって大きくなっても、配線３間の磁気的結合を抑制する効果はほぼなく、一方で、インダクタンス密度のみが低下することが分かる。このことは、抑制部５の幅Ｗが過大となるため、配線３から生じる磁界が隣接する配線３へも広がり易くなることに起因すると考えられる。そのため、配線３間の磁気的結合の影響を有効に低減するには、Ｗ／Ｓが０．４以下であればよいことが分かる。
Figure 0007220948000001
１ 磁性配線回路基板
２ 絶縁層
４ 磁性層
５ 抑制部
６ 第１絶縁面
８ 第１配線面
２０ 充填部
２５ スリット
４１ 第１配線部
４２ 第２配線部
１１ 第１磁性面
ＩＬ 仮想線
Ｗ 幅
Ｓ 配線間の間隔

Claims (1)

  1. 絶縁層と、
    前記絶縁層の厚み方向一方面において、前記厚み方向と直交する直交方向に互いに間隔を隔てて配置される複数の配線部と、
    前記絶縁層の厚み方向一方面に前記複数の配線部を埋設するように配置される磁性層であって、前記磁性層の厚み方向一方面が前記複数の配線部の前記厚み方向一方面に対して前記厚み方向一方側に間隔を隔てて配置される磁性層と、
    互いに隣り合う少なくとも２つの前記配線部間の前記磁性層において、前記磁性層の前記厚み方向一方面から、前記少なくとも２つの前記配線部の前記厚み方向一方面の間を結ぶ仮想線よりも厚み方向他方側に向かって延びるように形成され、前記少なくとも２つの前記配線部の磁気的結合を抑制する抑制部と
    を備え、
    前記抑制部における前記直交方向長さＷの、前記少なくとも２つの前記配線部間の前記直交方向長さＳに対する比（Ｗ／Ｓ）が、０．４以下であり、
    前記磁性層は、複数の配線と間隔が隔てられる第１磁性面を有し、
    前記第１磁性面は、
    複数の前記配線部のそれぞれに対応する複数の凸部であって、前記厚み方向一方側に向かって***する複数の凸部と、
    前記凸部に対して前記厚み方向他方側に向かって沈下する複数の凹部とを有し、
    前記抑制部は、前記絶縁層の前記厚み方向一方面に至り、
    前記抑制部は、前記磁性層に形成されるスリットであり、
    前記スリットは、前記凹部から前記厚み方向に延びて形成されることを特徴とする、磁性配線回路基板。
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