JP7181820B2 - 多孔質セラミック構造体 - Google Patents

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Description

本発明は、多孔質セラミック構造体に関する。
特許文献1では、鉄およびマンガンを含む遷移金属酸化物を、表面または内部に備える二酸化セリウム粒子が提案されている。このような二酸化セリウム粒子は、例えば、DOC(Diesel Oxidation Catalyst)およびCSF(Catalyzed Soot Filter)を含むDPF(Diesel Particulate Filter)において、酸化触媒として利用することが想定されている。
特許文献2および特許文献3では、DPF等に使用される多孔質セラミック構造体において、触媒活性を維持するために十分な量の触媒を担持可能とする技術が提案されている。当該多孔質セラミック構造体では、二酸化セリウム粒子の一部が構造体内部に取り込まれ、他の一部が構造体の気孔表面に露出している。特許文献2の多孔質セラミック構造体では、二酸化セリウム粒子のうち気孔表面に露出している部位が鉄酸化物を備える。特許文献3の多孔質セラミック構造体では、二酸化セリウム粒子のうち気孔表面に露出している部位に、白金族元素の触媒微粒子が担持されている。
特開2017-186220号公報 特開2018-30105号公報 特開2017-171543号公報
DPF等に使用される多孔質セラミック構造体では、圧力損失の低減、および、触媒能の増大の両立が求められている。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、圧力損失が低く、高い触媒能を有する多孔質セラミック構造体を提供することを目的としている。
本発明は、多孔質セラミック構造体に向けられている。本発明の好ましい一の形態に係る多孔質セラミック構造体は、主成分がコージェライトである多孔質の構造体本体と、前記構造体本体に固定されるマンガンおよびタングステンと、を備える。前記マンガンおよび前記タングステンは、前記構造体本体の気孔の内部に固定された金属酸化物粒子の構成要素であり、前記金属酸化物粒子は、前記構造体本体の内部に位置する固定部と、前記固定部に連続するとともに前記気孔内に突出する突出部と、を備える。前記金属酸化物粒子は、MnWO の粒子を含む。前記多孔質セラミック構造体におけるMnWO の含有率は、0.2質量%以上かつ2.0質量%以下である。
好ましくは、前記多孔質セラミック構造体におけるタングステンの含有率は、WO換算で0.1質量%以上かつ1.5質量%以下である。
好ましくは、前記多孔質セラミック構造体におけるマンガンの含有率は、Mn換算で0.5質量%以上かつ3.0質量%以下である。
好ましくは、MnWOの前記粒子のアスペクト比は5.5以上である。
好ましくは、MnWOの前記粒子の形状は、粒状または繊維状であり、MnWOの前記粒子は、前記構造体本体のコージェライト結晶の粒界に存在する前記固定部と、前記粒界から前記気孔内へと突出する前記突出部と、を備える。
本発明では、圧力損失が低く、高い触媒能を有する多孔質セラミック構造体を提供することができる。
排ガス浄化システムの構成を示す図である。 多孔質セラミック構造体を示す図である。 多孔質セラミック構造体を示す断面図である。 隔壁の一部を拡大して示す図である。 ハニカム構造体の細孔の表面を示すSEM画像である。 ハニカム構造体の細孔の表面を示すSEM画像である。 金属酸化物粒子近傍の部位の断面図である。 多孔質セラミック構造体の製造方法の流れを示す図である。 実施例の多孔質セラミック構造体の細孔の表面を拡大して示すSEM画像である。 比較例の多孔質セラミック構造体の表面を示すSEM画像である。
図1は、排ガス浄化システム8の構成を示す図である。排ガス浄化システム8は、エンジンから排出される排ガスを浄化するものである。排ガス浄化システム8は、DPF(Diesel Particulate Filter)81と、SCR(Selective Catalytic Reduction)触媒コンバータ85と、尿素噴射器86とを備える。DPF81、尿素噴射器86およびSCR触媒コンバータ85は、排ガスが流れる方向に沿って、この順にて配置される。
DPF81は、DOC(Diesel Oxidation Catalyst)82と、CSF(Catalyzed Soot Filter)83とを備える。DOC82は、内部が隔壁により複数のセルに仕切られたハニカム構造体と、当該隔壁に担持された貴金属の酸化触媒とを備える。CSF83は、上記と同様のハニカム構造体と、当該ハニカム構造体の隔壁に担持された金属系の酸化触媒とを備える。CSF83の構造の詳細については後述する。尿素噴射器86は、DPF81とSCR触媒コンバータ85との間における排ガスの経路に設けられる。SCR触媒コンバータ85は、上記と同様のハニカム構造体と、当該ハニカム構造体の隔壁に担持されたSCR触媒とを備える。
エンジンから排出された排ガスは、DPF81のDOC82に流入する。排ガスには、一酸化窒素(NO)、酸素(O)、窒素(N)が含まれており、DOC82において、下記式1および式2の反応が起こる。式1の反応では、二酸化窒素(NO)が生成される。なお、下記式2におけるSOF(可溶性有機成分:Soluble Organic Fraction)は、排ガス中のPM(粒子状物質)に含まれるものである。
2NO+O=2NO (式1)
SOF+O=CO,CO,HO (式2)
CSF83では、排ガスに含まれる炭素(スス)が捕集される。また、CSF83では、当該ススとNOとの下記式3、式4および式5の反応(燃焼反応)が起こり、NOからNOが生成される。
C(スス)+2NO=CO+2NO (式3)
C(スス)+NO=CO+NO (式4)
C(スス)+1/2O+NO=CO+NO (式5)
尿素噴射器86では、CSF83から排出された排ガスに尿素が混合され、尿素から分解生成されたアンモニア(NH)を含む排ガスがSCR触媒コンバータ85に流入する。SCR触媒コンバータ85では、下記式6、式7および式8の反応が起こることにより、排ガスに含まれるNOxが浄化される。
4NO+4NH+O=4N+6HO (式6)
NO+NO+2NH=2N+3HO (式7)
6NO+8NH=7N+12HO (式8)
式7の反応は、Fast SCR反応と呼ばれており、式6および式8の反応よりも反応速度が速い。式7に従って、SCR触媒コンバータ85における反応を効率よく進めるには、SCR触媒コンバータ85に流入するNOの物質量とNOの物質量とが1:1となることが求められる。一方、CSF83では、既述の式3、式4および式5のように、ススの燃焼により多くのNOが消費され、NOが生成される。
そこで、本発明に係る排ガス浄化システム8では、CSF83として、酸化触媒を備える多孔質セラミック構造体(後述)が設けられる。当該多孔質セラミック構造体は、一部のNOを酸化してNOを生成する、すなわち、NOをNOに変換する。これにより、SCR触媒コンバータ85に流入するNOの物質量とNOの物質量とを1:1に近づけて、SCR触媒コンバータ85における反応を効率良く進めることが可能となる。
また、排ガス浄化システム8では、CSF83に一定量以上のススが堆積した場合、ススの燃焼処理(すなわち、再生処理)が行われる。この場合も、CSF83では、上述の式3、式4および式5の反応(燃焼反応)が起きる。当該反応により発生した一酸化炭素(CO)がSCR触媒コンバータ85に多量に流入すると、SCR触媒コンバータ85におけるNOxの浄化効率が低下するおそれがある。また、ススの燃焼処理の際に、CSF83に供給される燃料に含まれる炭化水素(HC)がSCR触媒コンバータ85に多量に流入した場合も同様である。
本発明に係る排ガス浄化システム8では、上述の酸化触媒を備える多孔質セラミック構造体がCSF83として設けられることにより、一部のCOを酸化して二酸化炭素(CO)を生成し、一部のHCを酸化してCOおよびHOを生成する。これにより、SCR触媒コンバータ85へのCOおよびHC等の流入を抑制し、SCR触媒コンバータ85におけるにおけるNOxの浄化効率の低下を抑制することが可能となる。
図2および図3は、CSF83(図1参照)として利用される多孔質セラミック構造体1を簡略化して示す図である。多孔質セラミック構造体1は、一方向に長い筒状部材であり、図2では、多孔質セラミック構造体1の長手方向における一方側の端面を示している。図3は、多孔質セラミック構造体1を示す断面図であり、図3では、多孔質セラミック構造体1の長手方向に沿う断面の一部を示している。
多孔質セラミック構造体1は、多孔質の構造体本体であるハニカム構造体10と、ハニカム構造体10に固定される酸化触媒と、を備える。当該酸化触媒は、好ましくは、ハニカム構造体10に固定される金属酸化物粒子(すなわち、主に金属酸化物により構成される微粒子)である。当該金属酸化物粒子は、マンガン(Mn)元素およびタングステン(W)元素を構成要素として含む。多孔質セラミック構造体1では、上述の金属酸化物粒子に加えて、金属酸化物粒子以外の微粒子等がハニカム構造体10に固定されてもよい。
ハニカム構造体10は、筒状外壁11と、隔壁12とを備える。筒状外壁11は、長手方向に延びる筒状である。長手方向に垂直な筒状外壁11の断面形状は、例えば円形であり、多角形等であってもよい。隔壁12は、筒状外壁11の内部に設けられ、当該内部を複数のセル13に仕切る。ハニカム構造体10は、内部が隔壁12により複数のセル13に仕切られたセル構造体である。筒状外壁11および隔壁12は、多孔質材料により形成される。後述するように、排ガスは隔壁12の細孔を通過する。多孔質セラミック構造体1の強度を向上するには、隔壁12の厚さは、例えば、50μm(マイクロメートル)以上であり、好ましくは100μm以上であり、より好ましくは150μm以上である。隔壁12における圧力損失を低減するには、隔壁12の厚さは、例えば500μm以下であり、好ましくは450μm以下である。
各セル13は、長手方向に延びる空間である。長手方向に垂直なセル13の断面形状は、例えば多角形(三角形、四角形、五角形、六角形等)であり、円形等であってもよい。複数のセル13は、典型的には同じ断面形状を有する。複数のセル13には、異なる断面形状のセル13が含まれてもよい。多孔質セラミック構造体1の酸化性能を向上するには、セル密度は、例えば8セル/cm(平方センチメートル)以上であり、好ましくは15セル/cm以上である。圧力損失を低減するには、セル密度は、例えば95セル/cm以下であり、好ましくは78セル/cm以下である。
CSF83に用いられる多孔質セラミック構造体1では、長手方向におけるハニカム構造体10の一端側を入口とし、他端側を出口として、DOC82からの排ガスが流れる。所定数のセル13において、入口側の端部に封止部14が設けられ、残りのセル13において、出口側の端部に封止部14が設けられる。したがって、ハニカム構造体10内に流入する排ガスは、入口側が封止されないセル13から、隔壁12を通過して、出口側が封止されないセル13へと移動する(図3中の矢印A1参照)。このとき、隔壁12が備える金属酸化物粒子(すなわち、酸化触媒)によって排ガスが酸化される。ハニカム構造体10の入口側の端部、および、出口側の端部のそれぞれでは、セル13の配列方向に沿って1つ置きに封止部14が設けられることが好ましい。
ハニカム構造体10の主成分はコージェライト(2MgO・2Al・5SiO)である。ハニカム構造体10は、コージェライトのみにより形成されてもよく、コージェライト以外の材料(例えば、金属、または、コージェライト以外のセラミック)を含んでいてもよい。ハニカム構造体10におけるコージェライトの含有率は、例えば75質量%以上であり、好ましくは80質量%以上である。本実施の形態では、ハニカム構造体10は、実質的にコージェライトのみにより形成される。
図4は、多孔質セラミック構造体1の隔壁12の一部を拡大して示す図である。ハニカム構造体10には、多数の気孔(以下、「細孔121」とも呼ぶ。)が設けられている。ハニカム構造体10の細孔121内(すなわち、細孔121の表面)には、上述の金属酸化物粒子2が固定されている。細孔121内には、金属酸化物粒子2とは異なる他の微粒子(以下、「添加物微粒子」と呼ぶ。)も固定されていてもよい。添加物微粒子は、例えば、セリウム(Ce)および/または鉄(Fe)元素を含む微粒子である。添加物微粒子は、例えば、酸化鉄(Fe)微粒子および/または二酸化セリウム(CeO)粒子である。図4では、細孔121の表面に位置する金属酸化物粒子2および添加物微粒子を区別することなく、平行斜線を付して模式的に示す。なお、金属酸化物粒子2および添加物微粒子は、細孔121の表面全体を被覆している必要はない。
多孔質セラミック構造体1の圧力損失を低減するには、ハニカム構造体10の隔壁12の開気孔率は、例えば25%以上であり、好ましくは30%以上であり、より好ましくは35%以上である。多孔質セラミック構造体1の強度を確保するという観点では、隔壁12の開気孔率は、例えば70%以下であり、好ましくは65%以下である。当該開気孔率は、例えば、純水を媒体としてアルキメデス法により測定可能である。
ハニカム構造体10の隔壁12の平均細孔径は、例えば5μm以上であり、好ましくは8μm以上である。開気孔率と同様に、隔壁12の平均細孔径が大きいほど、多孔質セラミック構造体1の圧力損失が低くなる。多孔質セラミック構造体1の酸化性能を向上するためには、ハニカム構造体10の平均細孔径は、例えば40μm以下であり、好ましくは30μm以下であり、より好ましくは25μm以下である。当該平均細孔径は、例えば水銀圧入法(JIS R1655準拠)により測定される。多孔質セラミック構造体1の設計によっては、封止部14が省略され、セル13の表面に、金属酸化物粒子2が層状に保持されてもよい。
図5は、ハニカム構造体10の細孔121の表面を示すSEM(走査型電子顕微鏡)画像である。多孔質セラミック構造体1では、略粒状または略繊維状の複数の金属酸化物粒子2が、ハニカム構造体10の細孔121の表面(すなわち、内表面)上に固定されている。金属酸化物粒子2は、例えば、細孔121を形成する多数の略直方体状のコージェライト結晶の粒界に固定されており、細孔121の表面から細孔121内の空間へと成長して突出している。
図5の略中央部にて白く示される金属酸化物粒子2は、タングステン酸マンガン(MnWO)の微粒子である。図5に示す例では、金属酸化物粒子2の形状は、異方性を有する略繊維状である。MnWOの微粒子の長径は、好ましくは50nm(ナノメータ)~5000nmであり、より好ましくは1000nm~4000nmである。また、MnWOの微粒子の短径は、好ましくは50nm~1000nmであり、より好ましくは150nm~500nmである。MnWOの微粒子のアスペクト比は、好ましくは1.5以上であり、より好ましくは5.5以上である。当該アスペクト比の上限は特に限定されないが、例えば100以下であり、好ましくは10以下である。
金属酸化物粒子2の長径、短径、平均粒径およびアスペクト比は、以下の方法で求められる。まず、多孔質セラミック構造体1をクロスセクションポリッシャ(CP)で加工して研磨断面を露出させ、当該研磨断面をSEMにより所定の倍率(例えば、10000倍)で撮影する。このとき、視野内に5個以上の金属酸化物粒子2が存在するように視野を設定する。
続いて、得られたSEM画像において1つの金属酸化物粒子2に注目し、図6に示すように、当該金属酸化物粒子2の幅方向の3点における長手方向の長さL1,L2,L3を測定する。長さL1,L2,L3は、金属酸化物粒子2の幅方向の任意の3点(例えば、幅方向の略中央、および、略両端)にて測定する。そして、長さL1,L2,L3の算術平均を仮長径とする。
また、当該金属酸化物粒子2の長手方向の任意の3点における幅方向の幅L4,L5,L6を測定し、幅L4,L5,L6の算術平均を仮短径とする。幅L4,L5,L6を測定する任意の3点は、例えば、金属酸化物粒子2の長手方向の略中央の点、および、当該略中央から上記長径の1/4~1/2離れた2点にて測定する。当該2点は、金属酸化物粒子2の長手方向の略中央の点を挟んで、長手方向の反対側に位置する。
同様の方法により、上記SEM画像内の5つの金属酸化物粒子2について仮長径および仮短径を求め、5つの仮長径の算術平均、および、5つの仮短径の算術平均をそれぞれ、金属酸化物粒子2の長径および短径として取得する。また、当該長径および短径の算術平均を、金属酸化物粒子2の平均粒径とし、長径を短径で除算した値を金属酸化物粒子2のアスペクト比として取得する。
上述の金属酸化物粒子2の長径および短径の測定において、金属酸化物粒子2の長手方向は、以下のようにして決定する。まず、上記SEM画像において、金属酸化物粒子2を挟む2本の平行な直線(以下、「一対の直線」と呼ぶ。)を金属酸化物粒子2に外接させる。続いて、当該一対の直線が金属酸化物粒子2に外接する状態を維持しつつ、一対の直線の向きを変更する。そして、一対の直線の間隔(すなわち、一対の直線に垂直な方向における一対の直線の間の距離)が最小となる状態における当該一対の直線が延びる方向を長手方向とする。また、当該長手方向に垂直な方向を幅方向とする。
多孔質セラミック構造体1におけるMnWOの含有率は、0.2質量%以上かつ2.0質量%以下であることが好ましい。多孔質セラミック構造体1におけるMnWOの含有率は、0.4質量%以上であることがより好ましい。また、当該含有率は、1.8質量%以下であることがより好ましい。
図7は、細孔121の表面上の金属酸化物粒子2近傍の部位の断面図である。図7に示すように、金属酸化物粒子2は、ハニカム構造体10の内部から、細孔121内へと部分的に突出した形態を有する。
金属酸化物粒子2は、固定部21と、突出部22とを備える。固定部21は、ハニカム構造体10の内部に位置する。ハニカム構造体10の内部とは、ハニカム構造体10に設けられた細孔121の内部(すなわち、細孔121の内部空間)という意味ではなく、細孔121を囲むコージェライトの内部という意味である。固定部21は、金属酸化物粒子2のうち、ハニカム構造体10の主材料であるコージェライトと結合し、当該コージェライトの内部にて固定化されている結合部である。換言すれば、固定部21は、金属酸化物粒子2のうち、ハニカム構造体10の細孔121の表面から、当該細孔121とは反対側に向かってコージェライトの内部へと潜り込んでコージェライトに取り込まれている部分である。さらに換言すれば、固定部21は、金属酸化物粒子2のうち、当該コージェライトに表面を被覆されている部位である。詳細には、固定部21は、ハニカム構造体10のコージェライト結晶の粒界に存在し、当該粒界に固定されている。
突出部22は、金属酸化物粒子2のうち、細孔121の表面から細孔121内に粒状または繊維状に突出する部分である。換言すれば、突出部22は、上記コージェライトの表面から露出している粒状または繊維状の部位である。詳細には、突出部22は、コージェライト結晶の粒界から細孔121内へと粒状または繊維状に突出する。突出部22は、固定部21と連続する。上述の金属酸化物粒子2の長径、短径、平均粒径およびアスペクト比は、SEMで観察可能な突出部22の長径、短径、平均粒径およびアスペクト比である。
多孔質セラミック構造体1に含まれる多数の金属酸化物粒子2では、例えば、一部の金属酸化物粒子2は、上述のように細孔121の内部において細孔121の表面上に固定されており、他の金属酸化物粒子2は、粒子全体がハニカム構造体10の内部に位置する。なお、実質的に全て金属酸化物粒子2が、細孔121の内部において細孔121の表面上に固定されていてもよい。
なお、多孔質セラミック構造体1では、ハニカム構造体10に対してγ-アルミナ等によるコート処理(いわゆる、ウォッシュコート)は行われていない。したがって、細孔121の表面には、上記コート処理により形成される被膜は形成されておらず、当然に、金属酸化物粒子2は、当該被膜を介してハニカム構造体10に固定されているわけではない。
ハニカム構造体10に固定される多数の金属酸化物粒子2は、MnおよびWを構成要素として含むのであれば、必ずしもMnWOの微粒子を含む必要はなく、MnWOの微粒子に代えて、または、MnWOの微粒子に加えて、MnWOの微粒子とは異なる他の金属酸化物粒子を含んでいてもよい。この場合であっても、金属酸化物粒子2の長径、短径、平均粒径およびアスペクト比は、上記と同様の方法により求めることができる。
多孔質セラミック構造体1におけるMnの含有率は、酸化マンガン(Mn)換算で、0.5質量%以上かつ3.0質量%以下であることが好ましい。なお、Mn換算でのMnの含有率とは、多孔質セラミック構造体1に含まれるMn成分が、全てMnとして存在すると仮定した場合のMnの質量を、多孔質セラミック構造体1の質量で除算した値の百分率である。
多孔質セラミック構造体1におけるWの含有率は、酸化タングステン(WO)換算で、0.1質量%以上かつ1.5質量%以下であることが好ましい。多孔質セラミック構造体1におけるWの含有率は、WO換算で0.5質量%以上であることがより好ましい。また、当該含有率(すなわち、WO換算でのWの含有率)は、WO換算で1.4質量%以下であることがより好ましい。なお、WO換算でのWの含有率とは、多孔質セラミック構造体1に含まれるW成分が、全てWOとして存在すると仮定した場合のWOの質量を、多孔質セラミック構造体1の質量で除算した値の百分率である。
多孔質セラミック構造体1において、金属酸化物粒子2による高い触媒能を実現するためには、多孔質セラミック構造体1における金属酸化物粒子2の含有率は、例えば0.1質量%以上である。多孔質セラミック構造体1の圧力損失を低減するためには、多孔質セラミック構造体1における金属酸化物粒子2の含有率は、例えば5.0質量%以下である。
換言すれば、多孔質セラミック構造体1における金属酸化物粒子2の担持量は、例えば3g/L(グラム毎リットル)以上であり、好ましくは5g/L以上であり、より好ましくは8g/L以上である。また、多孔質セラミック構造体1における金属酸化物粒子2の担持量は、例えば50g/L以下であり、好ましくは45g/L以下であり、より好ましくは40g/L以下である。金属酸化物粒子2の担持量(g/L)は、ハニカム構造体10の単位容積(L)当たりに担持される金属酸化物粒子2の量(g)を示す。
次に、多孔質セラミック構造体1の製造方法の一例について図8を参照しつつ説明する。多孔質セラミック構造体1の製造では、まず、ハニカム構造体10の材料と、金属酸化物粒子2の材料と、添加物微粒子の材料とが秤量されて混合されることにより、構造体原料が調製される。ハニカム構造体10の材料の主成分は、ハニカム構造体10の骨材であるコージェライトの原料であり、例えば、酸化マグネシウム(MgO)、酸化アルミニウム(Al)および酸化ケイ素(SiO)である。ハニカム構造体10の材料には、造孔剤およびバインダ等も含まれている。金属酸化物粒子2の材料は、例えば、MnおよびWOである。添加物微粒子の材料は、例えば、FeおよびCeOである。続いて、構造体原料がニーダーにより乾式混合された後、水が投入され、さらにニーダーにより混練されて坏土が調製される(ステップS11)。
上述の乾式混合および混練に要する時間は、例えば、15分間および30分間である。乾式混合時間および混練時間は様々に変更されてよい。上述の金属酸化物粒子2の材料として、例えば、硝酸マンガン等の塩類がMnに代えて使用されてもよく、タングステンのアンモニウム塩がWOに代えて使用されてもよい。また、添加物微粒子の材料として、例えば、硝酸鉄および硝酸セリウム等の塩類がFeおよびCeOに代えて使用されてもよい。
ステップS11では、金属酸化物粒子2の原料と、添加物微粒子の原料とが、ハニカム構造体10の骨材等に個別に添加されているが、当該添加方法は様々に変更されてよい。例えば、金属酸化物粒子2の原料をCeOに含浸させて乾燥および焼成することにより生成された材料を、ハニカム構造体10の骨材等に添加してもよい。当該材料では、金属酸化物粒子2の原料の一部が、CeOに固溶または付着していてもよい。
ステップS11において調製された坏土は、真空土練機等により柱状に成形された後、押出成形機によりハニカム状のハニカム成形体として押出成形される(ステップS12)。当該ハニカム成形体は、内部に流体の流路となる複数のセルを区画形成する格子状の隔壁を備えたものである。当該ハニカム成形体のハニカム径は30mm、隔壁厚さは12mil(約0.3mm)、セル密度は300cpsi(cell per square inches:46.5セル/cm)、外周壁厚さは約0.6mmである。なお、ステップS12では、押出成形以外の成形方法によりハニカム成形体が成形されてもよい。
ステップS12において作製されたハニカム成形体は、マイクロ波乾燥により約70%の水分が蒸散された後、熱風により乾燥(80℃×12時間)される。次に、ハニカム成形体が、450℃に維持された脱媒炉に投入され、ハニカム成形体に残留する有機物成分が除去(すなわち、脱脂)される。その後、ハニカム成形体の焼成処理(本焼成)が行われることにより、ハニカム構造体10、金属酸化物粒子2および添加物微粒子を備える多孔質セラミック構造体1が得られる(ステップS13)。ステップS13の焼成処理は、例えば、大気圧下において焼成温度1300℃~1500℃にて8時間行われる。当該焼成温度は、好ましくは1350℃以上であり、より好ましくは1370℃以上である。また、当該焼成温度は、好ましくは1450℃以下であり、より好ましくは1430℃以下である。焼成処理の条件は、適宜変更されてよい。上述の製造方法により製造された多孔質セラミック構造体1は、貴金属を含んでいないため、低コストにて製造することができる。
次に、表1~表3を参照しつつ、多孔質セラミック構造体1における金属酸化物粒子2の含有量と圧力損失および触媒能との関係について説明する。
Figure 0007181820000001
Figure 0007181820000002
Figure 0007181820000003
多孔質セラミック構造体1の結晶相の組成(すなわち、構成成分の質量比率)は、次のように同定および定量した。各粒子の結晶相は、作成された試料に対し、X線回折装置(回転対陰極型X線回折装置:理学電機株式会社製、RINT2500)を用いて測定した。ここで、X線回折測定の条件は、CuKα源、50kV、300mA、2θ=10°~60°とし、得られたX線回折データを市販のX線データ解析ソフトを用いて解析した。
金属酸化物粒子2であるMnWOの長径、短径およびアスペクト比は、上述の方法により求めた。多孔質セラミック構造体1の開気孔率は、純水を媒体としてアルキメデス法により測定した。上述のように、開気孔率が高くなると、多孔質セラミック構造体1の圧力損失は低減する。
多孔質セラミック構造体1のNO酸化温度は、次のように求めた。まず、多孔質セラミック構造体1のNO変換率と温度との関係を求めた。NO変換率は、NOを含む導入ガスを空間速度(SV)24400h-1にて多孔質セラミック構造体1に供給し、多孔質セラミック構造体1を通過した導出ガスにおいて、NOに変換されているNOの割合である。導入ガスには、NOが100ppm、COが1500ppm、COが5%、プロパン(C )が450ppm、HOが2%含まれている。導出ガスの分析は、フーリエ変換赤外分光法(FT-IR:Fourier Transform Infrared Spectroscopy)により行った。NO変換率は、低温の間はおよそ0%であり、温度の上昇に従って漸次増大して最大値となった後、漸次減少する。NO変換率が高い方が、多孔質セラミック構造体1の触媒能は高い。NO変換率と温度との関係が求められると、当該関係において、低温側から温度を上げていった場合に、NO変換率が最大値の1/2になる温度をNO酸化温度として求める。NO酸化温度が低い方が、多孔質セラミック構造体1の触媒能は高い。
多孔質セラミック構造体1の熱膨張係数は、「JIS R1618」に準拠する方法で、測定した値である。具体的には、ハニカム構造体10から縦3セル×横3セル×長さ50mmの試験片を切り出し、40℃~800℃のA軸方向(すなわち、ハニカム構造体の流路に対して平行方向)の熱膨張係数を測定した値である。
実施例1~5では、材料にMnおよびWOが含まれており、多孔質セラミック構造体1の金属酸化物粒子2として、MnWOが生成されている。なお、実施例1では、材料に含まれるWOの量が少ないため、MnWOの質量%は測定できなかった。
図9は、実施例4の多孔質セラミック構造体1の細孔121の表面を拡大して示すSEM画像である。図9では、ハニカム構造体10の細孔121の表面に、金属酸化物粒子2(図中の白い部分)が存在している。
実施例1~5では、多孔質セラミック構造体1はMnおよびWを含む。多孔質セラミック構造体1におけるMnの含有率は、Mn換算で0.6質量%~2.0質量%であり、0.5質量%以上かつ3.0質量%以下の範囲に入る。多孔質セラミック構造体1におけるWの含有率は、WO換算で0.1質量%~1.4質量%であり、0.1質量%以上かつ1.5質量%以下の範囲に入る。また、実施例2~5では、多孔質セラミック構造体1におけるMnWOの含有率は、0.3質量%~1.5質量%であり、0.2質量%以上かつ2.0質量%以下の範囲に入る。
実施例1~5では、開気孔率は60%~62%と比較的高いため、多孔質セラミック構造体1の圧力損失は低く抑えられている。また、実施例1~5では、NO酸化温度は460℃~500℃と低いため、多孔質セラミック構造体1は高い触媒能を有することが分かる。実施例1~5から、多孔質セラミック構造体1におけるMnWOの含有率が増加すると、NO酸化温度が低下することがわかる。
実施例3~5では、多孔質セラミック構造体1におけるMnWOの含有率は、0.4質量%~1.5質量%である。実施例3~5では、NO酸化温度は480℃以下とさらに低いため、多孔質セラミック構造体1がさらに高い触媒能を有することが分かる。
実施例1~5では、40℃~800℃の範囲における熱膨張係数は、0.3~0.4であり、後述する比較例1(コージェライト製のハニカム構造体10のみ)の熱膨張係数からほとんど増大していない。したがって、実施例1~5の多孔質セラミック構造体1は、比較例1と略同等の耐熱衝撃性を有する。多孔質セラミック構造体1の熱膨張係数の増大抑制は、W成分によりコージェライトの結晶化が促進され、非晶質の生成が抑制されることによるものと考えられる。
比較例1は、金属酸化物粒子2および添加物微粒子を有しないコージェライト製のハニカム構造体10のみの試験結果を示す。図10は、比較例1の多孔質セラミック構造体1の表面を示すSEM画像である。図10では、多孔質セラミック構造体1は、上述のようにコージェライトの結晶のみにより構成されている。比較例1では、NO酸化温度は540℃と高いため、実施例1~5に比べて触媒能が低いことが分かる。
比較例2では、材料にMnは含まれているが、WOは含まれていない。したがって、多孔質セラミック構造体1においてMnWOは生成されていない。比較例2では、多孔質セラミック構造体1はWを実質的に含まないため、W成分によるコージェライトの結晶化促進および非晶質の生成抑制は生じない。したがって、40℃~800℃の範囲における熱膨張係数は0.6と大きく、実施例1~5および比較例1に比べて耐熱衝撃性に劣る。
以上に説明したように、多孔質セラミック構造体1は、主成分がコージェライトである多孔質の構造体本体(すなわち、ハニカム構造体10)と、ハニカム構造体10に固定されるマンガン(Mn)およびタングステン(W)と、を備える。これにより、多孔質セラミック構造体1における圧力損失を低減することができるとともに、多孔質セラミック構造体1におけるNO変換率を増大することができる。また、多孔質セラミック構造体1におけるNO燃焼温度を低減することもできる。さらには、COをCOへと変換する変換率、および、HCをCOおよびHOに変換する変換率を増大することもできる。換言すれば、多孔質セラミック構造体1を上記構成とすることにより、圧力損失が低く、高い触媒能を有する多孔質セラミック構造体1を提供することができる。
上述のように、多孔質セラミック構造体1では、MnおよびWは、ハニカム構造体10の気孔(すなわち、細孔121)の内部に固定された金属酸化物粒子2の構成要素であることが好ましい。また、金属酸化物粒子2は、ハニカム構造体10の内部に位置する固定部21と、固定部21に連続するとともに細孔121内に突出する突出部22と、を備えることが好ましい。これにより、細孔121内において、NO、CO、HC等の変換対象分子と、Mn成分およびW成分との接触率を増大させることができる。その結果、多孔質セラミック構造体1において、さらに高い触媒能を実現することができる。また、金属酸化物粒子2は、ハニカム構造体10に対して直接的に固定されているため、ハニカム構造体10にコート処理等を行って細孔121表面に被膜を形成する場合に比べて、圧力損失を低減することができる。
上述のように、多孔質セラミック構造体1におけるWの含有率は、WO換算で0.1質量%以上かつ1.5質量%以下であることが好ましい。これにより、多孔質セラミック構造体1において、さらに高い触媒能を実現することができる。
上述のように、多孔質セラミック構造体1におけるMnの含有率は、Mn換算で0.5質量%以上かつ3.0質量%以下であることが好ましい。これにより、多孔質セラミック構造体1において、さらに高い触媒能を実現することができる。
上述のように、金属酸化物粒子2は、MnWOの粒子を含むことが好ましい。これにより、多孔質セラミック構造体1において、さらに高い触媒能を実現することができる。より好ましくは、多孔質セラミック構造体1におけるMnWOの含有率は、0.2質量%以上かつ2.0質量%以下である。これにより、より一層高い触媒能を実現することができる。
また、MnWOの粒子のアスペクト比は5.5以上であることが好ましい。このように、MnWOの粒子が異方性を有すると、当該粒子の表面積が大きくなるため、細孔121内における上記変換対象分子とMnWOとの接触率を増大させることができる。その結果、多孔質セラミック構造体1において、より一層高い触媒能を実現することができる。
上述のように、MnWOの粒子の形状は、粒状または繊維状であることが好ましい。また、MnWOの粒子は、ハニカム構造体10のコージェライト結晶の粒界に存在する固定部21と、当該粒界から細孔121内へと突出する突出部22と、を備えることが好ましい。当該構造は、多孔質セラミック構造体1の製造の際にW成分によりコージェライトの結晶化が促進され、非晶質の生成が抑制されることにより実現される。多孔質セラミック構造体1が当該構造を有することにより、多孔質セラミック構造体1の熱膨張係数の増大が抑制される。その結果、多孔質セラミック構造体1の耐熱衝撃性の低下を抑制することができる。
上述の多孔質セラミック構造体1および多孔質セラミック構造体1の製造方法では、様々な変更が可能である。
例えば、MnWOの微粒子の形状は、粒状または繊維状には限定されず、様々に変更されてよい。また、MnWOの微粒子の固定部21は、必ずしもコージェライト結晶の粒界に存在する必要はなく、突出部22も、必ずしも当該粒界から突出する必要はない。
MnWOの微粒子のアスペクト比は5.5未満であってもよく、例えば、異方性を有していなくてもよい。MnWOの微粒子の長径、短径および平均粒径は、上述の範囲には限定されない。
本発明の関連技術では、多孔質セラミック構造体1におけるMnWOの含有率は、0.2質量%未満であってもよく、2.0質量%よりも大きくてもよい。
多孔質セラミック構造体1におけるMnの含有率は、Mn換算で、0.5質量%未満であってもよく、3.0質量%よりも大きくてもよい。
多孔質セラミック構造体1におけるWの含有率は、WO換算で、0.1質量%未満であってもよく、1.5質量%よりも大きくてもよい。
多孔質セラミック構造体1では、MnおよびWは、必ずしも固定部21および突出部22を備える金属酸化物粒子2の構成要素として含まれる必要はなく、他の態様で含まれていてもよい。当該他の態様として、例えば、MnおよびWは、ハニカム構造体10の内部に全体が埋め込まれている金属酸化物粒子2の構成要素であってもよく、金属酸化物粒子2以外の態様でハニカム構造体10に固定されていてもよい。
多孔質セラミック構造体1では、上述の構造体本体の形状は、ハニカム状には限定されず、ハニカム以外の様々な形状(例えば、略円筒状)であってもよい。
多孔質セラミック構造体1の製造方法は、上述のものには限定されず、様々に変更されてよい。
多孔質セラミック構造体1は、DPFのCSF以外の用途に利用されてもよい。
上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。
本発明は、粒子状物質を捕集するフィルタ、例えば、ディーゼルエンジンから排出される排ガス中の粒子状物質を捕集するDPFに利用可能である。
1 多孔質セラミック構造体
2 金属酸化物粒子
10 ハニカム構造体
21 固定部
22 突出部
S11~S13 ステップ

Claims (5)

  1. 多孔質セラミック構造体であって、
    主成分がコージェライトである多孔質の構造体本体と、
    前記構造体本体に固定されるマンガンおよびタングステンと、
    を備え
    前記マンガンおよび前記タングステンは、前記構造体本体の気孔の内部に固定された金属酸化物粒子の構成要素であり、
    前記金属酸化物粒子は、
    前記構造体本体の内部に位置する固定部と、
    前記固定部に連続するとともに前記気孔内に突出する突出部と、
    を備え、
    前記金属酸化物粒子は、MnWO の粒子を含み、
    前記多孔質セラミック構造体におけるMnWO の含有率は、0.2質量%以上かつ2.0質量%以下であることを特徴とする多孔質セラミック構造体。
  2. 請求項に記載の多孔質セラミック構造体であって、
    タングステンの含有率は、WO換算で0.1質量%以上かつ1.5質量%以下であることを特徴とする多孔質セラミック構造体。
  3. 請求項1または2に記載の多孔質セラミック構造体であって、
    マンガンの含有率は、Mn換算で0.5質量%以上かつ3.0質量%以下であることを特徴とする多孔質セラミック構造体。
  4. 請求項1ないし3のいずれか1つに記載の多孔質セラミック構造体であって、
    MnWOの前記粒子のアスペクト比は5.5以上であることを特徴とする多孔質セラミック構造体。
  5. 請求項ないしのいずれか1つに記載の多孔質セラミック構造体であって、
    MnWOの前記粒子の形状は、粒状または繊維状であり、
    MnWOの前記粒子は、
    前記構造体本体のコージェライト結晶の粒界に存在する前記固定部と、
    前記粒界から前記気孔内へと突出する前記突出部と、
    を備えることを特徴とする多孔質セラミック構造体。
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