JP2018029097A - デバイスチップ及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】見栄えの良いフリップチップ実装されるデバイスチップを提供する。【解決手段】裏面に研削痕を有し、該研削痕上に遮光性を有する樹脂層を備え、該樹脂層は該研削痕の視認性を低下させることを特徴とするデバイスチップ。または、該分割予定ラインに沿って分割の起点を形成する分割起点形成ステップと、デバイスウェーハの裏面を研削して所定の厚みへと薄化する薄化ステップと、デバイスウェーハに外力を付与して個々のデバイスチップへと分割する分割ステップと、デバイスチップの裏面に樹脂層の原料となる顔料を含む液を塗布する塗布ステップと、該顔料を含む液を硬化させて該研削ステップで生成されたデバイスチップ裏面の研削痕の視認性を低下させる遮光性を有する樹脂層を形成する液硬化ステップと、を備えたデバイスチップの製造方法。【選択図】図1

Description

本発明は、デバイスチップ及びその製造方法に関する。
デバイスチップをプリント基板等に実装するいくつかの方法が存在する。例えば、デバイスチップのデバイス形成面(表面)を上に向け、デバイスチップのデバイス非形成面(裏面)を下に向けプリント基板と対面させ、接着材等を介してデバイスチップの裏面とプリント基板とを貼着する方法が知られている。この場合、デバイスチップの表面側には、複数の金属ワイヤーが設けられ、該金属ワイヤーを介してデバイスチップとプリント基板とは電気的に接続される。
しかし、近年、電子機器の小型化・薄型化に伴い、該電子機器に搭載されているデバイスチップの小型化・薄型化が求められており、デバイスチップの実装に要する面積についても省スペース化が求められている。上記の実装方法ではデバイスチップ自体の面積だけでなく、金属ワイヤーを設けるための面積をプリント基板側に確保せねばならず、実装のために必要とする面積が大きい。そこで、より小さな面積でプリント基板にデバイスチップを実装する方法が検討されている。
デバイスチップを小さい面積で実装する方法として、例えばフリップチップ実装が知られている。フリップチップ実装では、デバイスチップのデバイス形成面(表面)がプリント基板側(下側)に向けられ、デバイスチップのデバイス非形成面(裏面)が上面に向けられる。
この場合、デバイスチップの表面には金属バンプが形成され、デバイスチップがプリント基板に実装される際に、該バンプがプリント基板上の電極と接続される。フリップチップ実装では、プリント基板側に金属ワイヤーを設けるための領域を要しないため、その分小さなスペースでデバイスチップを実装できる。
なお、フリップチップ実装においては、金属バンプとプリント基板側の電極との接合(接続)の質について問題となる場合がある。特許文献1には、フリップチップ実装においてプリント基板側の電極と金属バンプとの接合(接続)を高品質とし、高温環境下にさらされても実装構造が劣化しない技術が開示されている。
特開2016−1752号公報
ところで、デバイスチップの小型化、実装面積の省スペース化とともに、デバイスチップの薄化の傾向も近年著しい。デバイスチップを薄化するには、例えば、デバイスをウェーハの表面に形成した後に該ウェーハを裏面から研削する。しかし、裏面側が研削されて薄化されたデバイスチップの該裏面には、研削によって形成された研削痕が残ってしまう。
裏面から研削されたデバイスチップをフリップチップ実装する場合、該デバイスチップは研削痕が存在する面を上面に露出した状態で実装されるため、実装された状態のデバイスチップの見栄えが悪い。そこで、デバイスチップの裏面の見栄えを良くするために研削後の該裏面を研磨して鏡面に仕上げる場合がある。しかし、見栄えを良くするためだけに裏面を研磨するのでは、デバイスチップの製造に係る効率を悪化させ、デバイスチップの製造コストも積み増されてしまう。
特に、薄化されたデバイスチップ(デバイスウェーハ)は薄化される前のデバイスチップ(デバイスウェーハ)よりも薄く強度が低いため、外力を加えてデバイスチップ(デバイスウェーハ)を研磨するのではデバイスチップに損傷を生じかねない。そのために、該研磨の際には相当な注意を払わなければならず、やはりコストが増大する。
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、フリップチップ実装後の見栄えが良いデバイスチップを提供すること、及び、コストの上昇を抑え製造効率を悪化させることなく該デバイスチップを製造する方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、表面にデバイスが形成され、フリップチップ実装されるデバイスチップであって、該デバイスチップの裏面に研削痕を有し、該研削痕上に該研削痕の視認性を低下させる遮光性を有する樹脂層が設けられることを特徴とするデバイスチップが提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、表面にデバイスが形成された、フリップチップ実装されるデバイスチップの製造方法であって、交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有したデバイスウェーハの該分割予定ラインに沿って分割の起点を形成する分割起点形成ステップと、該分割起点形成ステップを実施する前または後に、デバイスウェーハの裏面を研削して所定の厚みへと薄化する薄化ステップと、該分割起点形成ステップと該薄化ステップとを実施した後、デバイスウェーハに外力を付与して個々のデバイスチップへと分割する分割ステップと、該分割起点形成ステップと該薄化ステップとを実施した後、分割ステップを実施する前または後に、デバイスチップの裏面に樹脂層の原料となる顔料を含む液を塗布する塗布ステップと、該塗布ステップを実施した後、該顔料を含む液を硬化させて該研削ステップで生成されたデバイスチップ裏面の研削痕の視認性を低下させる遮光性を有する樹脂層を形成する液硬化ステップと、を備えたデバイスチップの製造方法が提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、表面にデバイスが形成された、フリップチップ実装されるデバイスチップの製造方法であって、交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有したデバイスウェーハの該分割予定ラインに沿って分割起点を形成する分割起点形成ステップと、該分割起点形成ステップを実施した後、デバイスウェーハの裏面を研削することでデバイスウェーハを所定の厚みへと薄化するとともに個々のデバイスチップへと分割する薄化及び分割ステップと、該薄化及び分割ステップを実施した後、デバイスチップの裏面に樹脂層の原料となる顔料を含む液を塗布する塗布ステップと、該塗布ステップを実施した後、該顔料を含む液を硬化させて該薄化及び分割ステップで生成されたデバイスチップ裏面の研削痕の視認性を低下させる遮光性を有する樹脂層を形成する液硬化ステップと、を備えたデバイスチップの製造方法が提供される。
本発明の一態様に係るデバイスチップとその製造方法によると、デバイスチップの裏面の研削痕の視認性を低下させ、遮光性を有する樹脂層がデバイスチップの裏面に形成されるため、研削痕が外部から視認されにくくなり、見栄えが向上する。そのため、該研削痕を除去するために裏面を研磨する必要がなくなる。
特に、薄化され強度が低下したデバイスチップの研磨を省略できると、該研磨にかかるコストを削減できるのみならず、デバイスチップが損傷を受ける可能性を低減できる。該樹脂層は、液状の材料をウェーハの裏面上に塗布してこれを硬化して形成されるから、デバイスチップに機械的な力が加わらず、また、研磨屑等も発生しない。
したがって、本発明の一態様により、フリップチップ実装後の見栄えが良いデバイスチップが提供される。また、コストの上昇を抑え製造効率を悪化させずに該デバイスチップを製造する方法が提供される。
図1(A)は、本発明の一態様に係るデバイスチップの一例を示す断面模式図であり、図1(B)は、デバイスウェーハの一例を模式的に示す斜視図である。 図2(A)は、表面保護ステップを説明する断面模式図であり、図2(B)は、薄化ステップを説明する断面模式図である。 図3(A)は、分割起点形成ステップを説明する断面模式図であり、図3(B)は、塗布ステップを説明する断面模式図である。 図4(A)は、テープ拡張前の状態を説明する断面模式図であり、図4(B)は、テープ拡張後の状態を説明する断面模式図である。 図5(A)は、分割起点形成ステップを説明する断面模式図であり、図5(B)は、薄化及び分割ステップを説明する断面模式図である。 塗布ステップを説明する断面模式図である。 図7(A)は、テープ拡張前の状態を説明する断面模式図であり、図7(B)は、テープ拡張後の状態を説明する断面模式図である。
本発明に係る実施形態について説明する。まず、本実施形態に係るデバイスチップについて図1(A)を用いて説明する。図1(A)は、本実施形態に係るデバイスチップの断面模式図である。図1(A)に示す通り、デバイスチップ1の表面1aにはデバイス3が形成されており、デバイスチップ1の裏面1bには、樹脂層5が設けられている。本実施形態に係るデバイスチップ1の裏面1bには、図1(A)に強調して示す通り、薄化の際に生じた研削痕7が存在するが、該研削痕7は樹脂層5に覆われている。
本実施形態に係るデバイスチップ1の樹脂層5は遮光性を有するため、見栄えの悪い該研削痕7が外部から視認しにくくなる。よって、デバイスチップ1がフリップチップ実装されたときに該デバイスチップ1の裏面1bの見栄えは良好となる。
なお、本実施形態において遮光性を有する樹脂層5は、該樹脂層5を透過しようとする光を必ずしも完全に遮断しなくてもよく、一部の光を透過してもよい。樹脂層5が一部の光を遮断すれば該研削痕7の視認性が低下するため、研削痕7が外部から視認されにくくなるとの効果を奏する。
次に、本実施形態に係るデバイスチップの製造方法により加工されるデバイスウェーハ11について、図1(B)を用いて説明する。デバイスウェーハ11の表面11aは、格子状に配列された分割予定ライン15で複数の領域に区画されており、各領域にはIC等のデバイス13が形成されている。デバイスウェーハ11は、裏面側から薄化され、分割予定ライン3に沿って分割され、最終的に複数のデバイスチップ1となる。
なお、デバイスウェーハ11は、例えば、シリコン、サファイア等の材料でなる略円板状のウェーハや、ガラス、石英等の材料でなる基板である。
次に、本実施形態に係るデバイスチップの製造方法について説明する。本実施形態に係るデバイスチップの製造方法では、上述のデバイスウェーハ11を加工してデバイスチップ1を製造する。
なお、加工に際してデバイスウェーハ11は、環状の金属フレームに張られたテープ上に貼着された状態で取り扱われる。デバイスウェーハ11が加工や搬送時に該環状の金属フレームと一体として取り扱われると、搬送中の予期せぬ外力等によるデバイスウェーハ11の損傷を防止できる。ただし、本実施形態はこれに限定されず、デバイスウェーハ11は、環状の金属フレームに張られたテープ上に貼着された状態で扱われなくてもよい。
本実施形態に係るデバイスチップ1の製造方法では、デバイスウェーハ11の該分割予定ライン15に沿って分割の起点を形成する分割起点形成ステップを実施する。該分割起点形成ステップの前または後に、デバイスウェーハ11の裏面を所定の厚みへと研削して薄化する薄化ステップを実施する。そして、該分割起点形成ステップと、該薄化ステップと、を実施した後、デバイスウェーハ11を外力によりデバイスチップ1へと分割する分割ステップを実施する。
なお、本実施形態に係るデバイスチップの製造方法における分割ステップでは、分割起点が形成されたデバイスウェーハ11がテープに貼着された状態で該テープを拡張することにより、デバイスウェーハ11を個々のデバイスチップ1に分割する。
該分割ステップを実施する前または後には、デバイスチップ1の裏面に樹脂層5の原料となる顔料を含む液を塗布する塗布ステップを実施する。該塗布ステップを実施した後、該顔料を含む液を硬化させて樹脂層5を形成する液硬化ステップを実施する。
該デバイスチップ1の裏面1b側には研削ステップにより研削痕7が生成されるが、塗布ステップ及び液硬化ステップにより該研削痕7上に該樹脂層5が形成される。該樹脂層5は顔料を含み遮光性を有するため、該研削痕7の視認性を低下させデバイスチップ1の見栄えを向上させる。
以下、第1の実施形態に係るデバイスチップ1の製造方法の各ステップについて、詳細に説明する。
第1の実施形態に係るデバイスチップ1の製造方法においては、デバイスウェーハ11の表面11aに形成されたデバイス13を保護するため、デバイスウェーハ11の表面11aに表面保護部材17を形成する表面保護ステップを実施する。表面保護ステップは、各ステップで生じる衝撃等からデバイス13を保護するために、各ステップを実施する前に実施される。ただし、表面保護ステップを省略してもよい。
図2(A)を用いて表面保護ステップについて説明する。デバイスウェーハ11の表面11a上に配設する表面保護部材17には、例えば樹脂材料を用いる。該表面保護部材17を構成する材料がスピンコート法等によりデバイスウェーハ11上に塗布され、その後該材料を加熱または乾燥等され該表面保護部材17が形成される。また、例えば、該表面保護部材17にUV(紫外線)硬化樹脂を用いてもよく、その場合、該材料が塗布されたデバイスウェーハ11の表面11aに紫外線を照射して該材料を硬化させる。
なお、表面保護部材17は、該チップがプリント基板等にフリップチップ実装される前のいずれかのタイミングに除去される。デバイスチップが実装される際にデバイスチップの表面に表面保護部材17が一部でも残存すると実装不良となるおそれがあるため、表面保護部材17には容易かつ確実に除去できる材料が用いられる。
次に、図2(B)を用いて、薄化ステップについて説明する。本ステップは、表面保護ステップよりも後に実施される。図2(B)は、薄化ステップを模式的に説明する斜視図である。本ステップでは、デバイスウェーハ11が裏面11bから研削されて所定の厚さに薄化される。本ステップにより、最終的に製造されるデバイスチップの厚さを薄くできる。図2(B)に例示する通り、薄化ステップには研削装置2が用いられる。
研削装置2は、研削ホイール6に垂直な回転軸を構成するスピンドル4と、該スピンドル4の一端側に装着され下側に研削砥石8を備える円盤状の研削ホイール6と、を備える。該スピンドル4の他端側にはモータ等の回転駆動源(不図示)が連結されており、該モータが該スピンドル4を回転させると、該スピンドル4に装着された研削ホイール6も回転する。
また、研削装置2は、研削ホイール6と対面し研削対象を保持するチャックテーブル10を有する。チャックテーブル10の上面10aは、吸引源(不図示)に接続された多孔質部材でなる。なお、チャックテーブル10は、上面10aに垂直な軸の周りに回転可能である。
まず、デバイスウェーハ11の表面11aを下側に向け、研削装置2のチャックテーブル10の上面10a上にデバイスウェーハ11を載せ置く。そして、該チャックテーブル10上面の多孔質部材から該吸引源による負圧を作用させて、デバイスウェーハ11をチャックテーブル10上に保持させる。
研削時には、チャックテーブル10を回転させるとともに、スピンドル4を回転させて研削ホイール6を回転させる。チャックテーブル10及び研削ホイール6が回転している状態で、研削ホイール6を下降させ研削砥石8がデバイスウェーハ11の裏面11bに当たると、該裏面11bの研削が開始される。そして、デバイスウェーハ11が所定の厚さとなるように研削ホイール6をさらに下降させて研削する。
研削され新たに露出したデバイスウェーハ11の裏面11bには、該研削による研削痕7が形成される。そして、該デバイスウェーハ11を分割してデバイスチップ1を製造すると、該デバイスチップ1の裏面1bに該研削痕7が残る。
該デバイスチップ1をプリント基板等に実装する際に、デバイスチップ1の裏面1b側をプリント基板に向けて実装するのであれば、該研削痕7は外からは見えないため、該研削痕は見栄えに影響しない。しかし、該裏面1b側を上方に向けてデバイスチップ1を実装するフリップチップ実装では、該研削痕7が上方に露出するため見栄えが悪くなる。
次に、図3(A)を用いて、分割起点形成ステップについて説明する。本ステップでは、デバイスウェーハ11の裏面側11bからレーザービームを照射し、レーザービームをデバイスウェーハ11の内部の所定の深さに集光させて改質層19を形成する。なお、該レーザービームには、例えば、Nd:YAGを媒体として発振されるレーザーが用いられる。
まず、デバイスウェーハ11の表面11aを下側に向け、レーザー加工装置12のチャックテーブル(不図示)上にデバイスウェーハ11を載せ置く。そして、該チャックテーブルから負圧を作用させて、デバイスウェーハ11をチャックテーブル上に保持させる。
次に、レーザー加工装置12の加工ヘッド14からデバイスウェーハ11の裏面11bにレーザービームを照射する。レーザービームをデバイスウェーハ11の所定の深さに集光させ改質層(分割の起点)19を形成する。表面11a側の分割予定ライン15に沿って改質層19が形成されるように、レーザービームを照射させながらチャックテーブルを移動させてデバイスウェーハ11を加工送りする。
一つの分割予定ライン15に沿って改質層19が形成された後、デバイスウェーハ11を割り出し送りして、隣接する分割予定ライン15に沿って次々と改質層(分割の起点)19を形成する。さらに、チャックテーブルを回転させてデバイスウェーハ11を加工送りする方向を切り替えてレーザービームを照射し、すべての分割予定ライン15に沿って改質層19を形成する。
さらに、レーザービームの集光深さを裏面11b側からみて浅い位置に切り替えてレーザービームを照射し、深さの異なる複数の改質層19をそれぞれ重なるように形成してもよい。デバイスウェーハ1が厚く、一の高さに改質層19を形成しただけではデバイスウェーハ11が正常に分割されない場合には、複数の改質層19を重ねて形成し、重なる改質層19間にクラックを伸長させるとより確実にデバイスウェーハ11を分割できる。
次に、塗布ステップについて図3(B)を用いて説明する。図3(B)は、塗布ステップを説明する模式図である。本ステップでは、デバイスウェーハ11の裏面11b側に樹脂層5の原料となる顔料を含む液を塗布する。該液の塗布は、例えば、スクリーン印刷法や、インクジェット法や、スピンコート法等により実施できるが、以下、スピンコート法により実施する場合を例に説明する。スピンコーター16は、回転可能な台(不図示)と、該台の中央付近の上方に取り付けられたノズル18と、を有する。
本ステップでは、まず、該台(不図示)の上にデバイスウェーハ11を設置する。デバイスウェーハ11は、表面11aを下側に向け該台上に載せ置かれる。このとき、台の中央と、デバイスウェーハ11の中央と、の位置を合わせると、安定的にスピンコートを実施できデバイスウェーハ11の裏面11bの全面に均質に該液を塗布できる。
台にデバイスウェーハ11を載せた後、該台を回転させた上でノズル18から該液の滴下を開始する。デバイスウェーハ11の裏面11bに滴下された該液は、該回転により生じた遠心力により裏面11bの外周方向に向かって均一に広げられる。該液が該裏面11bを均一に覆った後、ノズル18からの該液の供給を停止し、試料台の回転を止めて塗布ステップを終了する。
なお、デバイスウェーハ11の裏面11bに塗布される該液の厚さは、ノズル18からの該液の供給量(供給速度)と、試料台の回転速度と、により制御される。該液は、硬化され遮光性を有する樹脂層5となった状態で該裏面11bに生成された研削痕7の視認性を低下させるだけの厚さとなるように塗布される。例えば、該液は少なくとも該研削痕7の凹凸形状を十分に覆う厚さで塗布される。
より具体的には、例えば、薄化ステップにより生成される該研削痕7の高さ(裏面11bの凹部と凸部との高さの差)が、2〜3μm程度であるとすると、樹脂層5はその高さよりも厚く好ましくは5〜10μm程度の厚さで形成される。すなわち、研削痕7の高さの2倍〜5倍程度の厚さで樹脂層5を形成する。
原料となる液に含まれる顔料の量にもよるが、樹脂層5が厚くなるほど遮光性が増して研削痕7の視認性を低減できる。しかし、樹脂層5を厚く形成しようとすると該液の供給量を増やさねばならず、デバイスチップの製造コストが増大する。
樹脂層5の原料としては、例えば、DAF(Die Attach Film)に用いられる材料(液)を使用できる。該材料は広く一般的に用いられており信頼性が高い上、入手が容易である。該材料に顔料を含有させた液をデバイスウェーハ11の裏面11bに塗布し、これを硬化して形成される樹脂層5は遮光性を呈する。
樹脂層5の原料をとなる液をデバイスウェーハ11の裏面11bに塗布し、これを硬化して樹脂層5を形成すると、該樹脂層5とデバイスウェーハ11との間に気泡等が入りにくく、より確実に裏面11bの全体に樹脂層5を形成できる。該樹脂層5とデバイスウェーハ11との間に気泡が存在すると、樹脂層5が剥離しやすくなるだけでなく、該気泡により樹脂層5の美観が低下する場合がある。
また、デバイスウェーハ11の裏面11bは薄化ステップにて研削されているが、該裏面11bに該研削により生じた研削屑等が残留している場合があり、やはり見栄えを悪くする一因である。しかし、本実施形態における塗布ステップをスピンコート法で実施すると、樹脂層の原料となる液が該裏面に残留する研削屑等を洗い流して、該研削屑等を除去できる場合がある。そのため、液状の原料を塗布して樹脂層5を形成すると、例えばテープ状の部材を貼着して樹脂層5を形成するよりも、該裏面11bの美観を良くできる。
塗布ステップの後には液硬化ステップを実施する。本ステップでは、塗布ステップで塗布された樹脂層5の原料となる液を硬化して、樹脂層5を形成する。例えば、該液が樹脂材料の溶液であるならば、加熱等して溶媒を除去して樹脂層5を形成する。また、例えば、該液が樹脂の原料となるモノマー材料であるならば、重合させて樹脂層5を形成する。さらに、例えば、該液が紫外線硬化性樹脂であるならば、紫外線を照射して硬化させて樹脂層5を形成する。
次に、第1の実施形態に係る製造方法における分割ステップについて、図4(A)及び図4(B)を用いて説明する。分割ステップでは、デバイスウェーハ11に外力を加えて、分割の起点形成ステップにて形成された改質層19を分割の起点として分割予定ライン15に沿ってデバイスチップ11を分割してデバイスチップ1を形成する。
図4は、分割ステップでのデバイスウェーハ11と、分割装置20と、を示す断面模式図である。図4(A)は、分割前の状態を表す断面模式図であり、図4(B)は、分割後の状態を表す断面模式図である。分割ステップでは、分割装置20を使用してデバイスウェーハ11に外力を付与し、デバイスウェーハ11を個々のデバイスチップ1へと分割する。
デバイスウェーハ11が環状のフレーム21に張られたテープ23上に貼着された状態で取り扱われていたならば、引き続きその状態で本分割ステップを実施する。一方、デバイスウェーハ11が、環状のフレーム21及びテープ23を使用して取り扱われていなければ、本ステップの実施前に、環状のフレーム21に張られたテープ23上にデバイスウェーハ11を貼着する。
分割装置20は、環状のフレーム21を保持するフレーム保持機構22と、フレーム保持機構22に保持された環状のフレーム21に張られたテープ23を拡張するテープ拡張機構24と、を有している。フレーム保持機構22は、環状のフレーム保持部材26と、該フレーム保持部材26の外周に配設された固定機構としての複数のクランプ28と、から構成される。環状のフレーム21は、フレーム保持部材26の上面に形成された載置面26a上に載せ置かれる。
そして、載置面26a上に載せ置かれた環状のフレーム21は、クランプ28によってフレーム保持機構22に固定される。このように構成されたフレーム保持機構22はテープ拡張機構24によって上下方向に移動可能に支持されている。
テープ拡張機構24は、環状のフレーム保持機構22の内側に配設された拡張ドラム30を具備している。この拡張ドラム30は、環状のフレーム21の内径より小さく、環状のフレーム21に装着されたテープ23に貼着されたデバイスウェーハ11の外径より大きい内径を有している。
テープ拡張機構24はさらに、フレーム保持部材26を上下方向に移動させる駆動機構32を具備している。この駆動機構32は複数のエアシリンダ34と、ピストンロッド36と、から構成されており、ピストンロッド36がフレーム保持部材26の下面に連結されている。駆動機構32は、環状のフレーム保持部材26を、その載置面26aが拡張ドラム30の上端と略同一の高さとなる基準位置と、拡張ドラム30の上端の高さより所定量下方の拡張位置との間で上下方向に移動させることができる。
以上のように構成された分割装置20を用いて実施する分割ステップについて説明する。図4(A)に示すように、デバイスウェーハ11をテープ23を介して支持する環状フレーム21を、フレーム保持部材26の載置面26a上に載せ置き、クランプ28によってフレーム保持部材26を固定する。この時、フレーム保持部材26はその載置面26aが拡張ドラム30の上端と略同一の高さとなる基準位置に位置づけられる。
次いで、エアシリンダ34を作動させてフレーム保持部材26を図4(B)に示す拡張位置に下降させる。これにより、フレーム保持部材26の載置面26a上に固定されている環状のフレーム21も下降するため、環状のフレーム21に張られたテープ23は拡張ドラム30の上端縁に当たり主に半径方向に拡張される。
その結果、テープ23に貼着されているデバイスウェーハ11には、放射状に引っ張り力が作用する。このようにデバイスウェーハ11に放射状に引っ張り力が作用すると、分割予定ライン15に沿って形成された改質層17が分割の起点となってデバイスウェーハ11が分割予定ラインに沿って割断され、個々のデバイスチップ1に分割される。
なお、本分割ステップを実施する前に塗布ステップ及び液硬化ステップが実施されている場合、デバイスウェーハ11の裏面11bには樹脂層5が形成されている。その場合は、本分割ステップにおいて、テープ23が拡張されてデバイスチップ1が分割されるとき、該樹脂層5にも放射状に引っ張り力が作用して、該樹脂層5も分割予定ライン15に沿って分断される。
分割ステップが完了したとき、各デバイスチップ1は拡張されたテープ23上に保持されている状態である。そのため、各デバイスチップ1間には隙間があり、それぞれのデバイスチップ1は容易にピックアップできる。
以上、第1の実施形態に係るデバイスチップの製造方法の各ステップについて説明した。該製造方法により製造されたデバイスチップの裏面には、該裏面の研削痕の視認性を低下させる樹脂層が形成される。そのため、該デバイスチップが該裏面を露出させた状態でプリント基板等にフリップチップ実装されても、研削痕が視認されにくく樹脂層を形成しない場合と比べ見栄えが良い。
なお、第1の実施形態に係るデバイスチップの製造方法においては、分割起点形成ステップは、薄化ステップより前に実施してもよく、薄化ステップより後に実施してもよい。また、塗布ステップ及び液硬化ステップは、分割ステップより前に実施してもよく、分割ステップより後に実施してもよい。
分割ステップを実施すると、デバイスウェーハ11がデバイスチップ1に分割される。その後に塗布ステップを実施する場合、デバイスウェーハ11が個々のデバイスチップ1に分割されているため、該デバイスチップ1間の隙間に樹脂層5の原料となる液が入り込む場合がある。
該液の入り込みを極力防止したい場合には、該塗布ステップを実施する際に該隙間を狭めればよい。例えば、分割ステップにて拡張したテープ23の拡張を解除して収縮させると該隙間が狭められるため、該隙間が狭められた状態で塗布ステップを実施すればよい。
該液の成分やデバイスチップ1に対する濡れ性等を調整すると、その後の硬化ステップで該液を硬化させるとき、液の硬化に伴い該液が収縮し樹脂層5がデバイスチップ1間で分断された状態で形成できる場合がある。また、そのようにしない場合、硬化ステップではデバイスチップ1間で一体となって樹脂層5が形成されるため、再びテープ23を拡張する等して樹脂層5をデバイスチップ1間で分断する。
次に、本発明の第2の実施形態に係る製造方法について説明する。第2の実施形態に係るデバイスチップの製造方法では、まず、デバイスウェーハ11の該分割予定ライン15に沿って分割の起点を形成する分割起点形成ステップを実施する。次に、デバイスウェーハ11の裏面11bを研削することでデバイスウェーハ11を所定の厚みへと薄化するとともに個々のデバイスチップへと分割する薄化及び分割ステップを実施する。
該薄化及び分割ステップを実施した後、デバイスチップの裏面に樹脂層の原料となる顔料を含む液を塗布する塗布ステップを実施する。該塗布ステップを実施した後、該顔料を含む液を硬化させて樹脂層を形成する液硬化ステップを実施する。
なお、第2の実施形態に係る製造方法においても、各ステップを実施する前に、デバイスウェーハ11の表面11aを保護する表面保護部材17を形成する表面保護ステップを実施してもよい。該表面保護ステップについては、上述の実施形態(第1の実施形態)の製造方法に係る表面保護ステップと同様である。
第2の実施形態に係る製造方法では、図5(A)に示す通り、分割起点形成ステップを実施する。第2の実施形態に係る製造方法では、次に実施する薄化及び分割ステップにおいてデバイスウェーハ11を薄化することでデバイスウェーハ11を分割するので、分割起点形成ステップでは該分割の起点となる改質層19を形成する。本分割起点形成ステップについては、上述の第1の実施形態の製造方法に係る分割起点形成ステップと同様である。
第2の実施形態に係る製造方法では、分割起点形成ステップの次に、図5(B)に示す薄化及び分割ステップを実施する。本ステップでは、研削装置2によりデバイスウェーハ11を薄化して、分割の起点となる改質層からデバイスウェーハ11中に上下方向にクラックを伸長させるよう外力を作用させ、デバイスウェーハ11を個々のデバイスチップ1に分割する。
研削装置2の構成は、上述の第1の実施形態にて説明した研削装置と同様である。ただし、第1の実施形態とは異なり、研削装置2は、デバイスウェーハ11の裏面11bを研削して薄化するだけでなく、該薄化によりデバイスウェーハ11を個々のデバイスチップ1に分割する。ただし、改質層19から伸長するクラックは表面保護部材17中を伸長しないため、個々のデバイスチップ1はそれぞれが互いの位置関係を保ったまま引き続き該表面保護部材17により一体として扱われる。
なお、本ステップにより形成された個々のデバイスチップ1の裏面には、本ステップの研削により生成した研削痕が存在する。そのため、該デバイスチップ1をプリント基板等にフリップチップ実装すると、該研削痕が露出してデバイスチップ1の見栄えが悪い。
次に、塗布ステップを実施する。該塗布ステップでは、図6に示す通り、デバイスチップ1の裏面に樹脂層5の原料となる顔料を含む液5aを塗布する。該液の塗布は、例えば、スクリーン印刷法や、インクジェット法や、スピンコート法等により実施できる。本塗布ステップをスピンコート法により実施する場合、第1の実施形態の塗布ステップに用いられるスピンコーターと同様のスピンコーター16を用いて第1の実施形態に係る塗布ステップと同様に塗布ステップを実施する。
塗布ステップの次に、液硬化ステップを実施する。本ステップでは、塗布ステップによりデバイスウェーハ11の裏面11bに塗布された該液を硬化させて樹脂層5を形成する。本硬化ステップは、第1の実施形態に係る製造方法で説明した硬化ステップと同様に実施される。本ステップにより形成された樹脂層5は、顔料を含み遮光性を有し、デバイスチップ1の裏面1bの研削痕7の視認性を低下させる。
なお、樹脂層5の形成条件により、該樹脂層5はデバイスチップ1間で自己組織化的に分離した状態で形成される場合があるが、そうでない場合には、デバイスチップ1間で一体化した状態で形成される。樹脂層5がデバイスチップ1間で一体化している場合、表面保護部材17とともに該樹脂層5を分断しなければ、個々のデバイスチップ1をピックアップできない。
第2の実施形態においては、塗布ステップを実施した後、表面保護部材17(及び樹脂層5)を分断し、個々のデバイスチップ1のピックアップを可能にするために、デバイスチップ1間に間隔を形成する。
図7(A)及び図7(B)を用いて該間隔の形成について説明する。図7(A)は該間隔を形成する前の状態を示す模式図であり、図7(B)は、該間隔を形成した後の状態を示す模式図である。なお、図示する通り、第2の実施形態における該間隔の形成は、第1の実施形態における分割ステップに用いられる分割装置20と同様の装置を、該第1の実施形態における分割ステップと同様に使用して実施される。
すなわち、個々のデバイスチップ1が表面保護部材17等により一体となった状態で、環状のフレーム21に張られたテープ23上に貼着される。それまでの各ステップにおいて、デバイスウェーハ11が環状のフレーム21に張られたテープ23上に貼着された状態で取り扱われていたならば、引き続きその状態で本分割ステップを実施する。
一方、デバイスウェーハ11が、環状のフレーム21及びテープ23を使用して取り扱われていなければ、本ステップの実施前に、環状のフレーム21に張られたテープ23上に一体化したデバイスチップ1を貼着する。
分割装置20については、第1の実施形態の分割ステップで詳述した通りである。該分割装置20によりテープ23を拡張することにより、表面保護部材17をデバイスチップ1間で分離する。また、樹脂層5が一体形成されている場合、同様に本ステップにより樹脂層5をデバイスチップ1間で分割する。さらに、テープ23が拡張されることにより、デバイスチップ1間に間隔が生じる。以上により、個々のデバイスチップ1がピックアップ可能な状態となる。
以上、説明した通り、第2の実施形態に係る製造方法により、フリップチップ実装されるデバイスチップ1を形成できる。該デバイスチップ1の裏面1bは遮光性を有する樹脂層5で覆われるため、デバイスチップ1をプリント基板等にフリップチップ実装したときの見栄えが良い。
なお、第2の実施形態に係る製造方法では、第1の実施形態に係る製造方法とは異なり、研削装置2により、デバイスウェーハ11の薄化のみならず分割を実施する。そのため、薄化と分割とを同時に実施できるため、工程を簡略化できる。
なお、本発明は、上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、表面保護部材17及び樹脂層5をデバイスチップ1間で分割するために、テープ23を拡張する場合について説明した。しかし、該分割はテープ23の拡張以外の方法により実施されてもよい。例えば、分割予定ライン15に沿ってデバイスチップ1の間に切削ブレードを切り込ませて表面保護部材17及び樹脂層5を分割してもよい。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
1 デバイスチップ
1a 表面
1b 裏面
3 デバイス
5 樹脂層
5a 顔料を含む液
7 研削痕
11 デバイスウェーハ
11a 表面
11b 裏面
13 デバイス
15 分割予定ライン
17 表面保護部材
19 改質層(分割の起点)
21 環状のフレーム
23 テープ
2 研削装置
4 スピンドル
6 研削ホイール
8 研削砥石
10 チャックテーブル
10a 上面
12 レーザー加工装置
14 加工ヘッド
16 スピンコーター
18 ノズル
20 分割装置
22 フレーム保持機構
24 テープ拡張機構
26 フレーム保持部材
26a 載置面
28 クランプ
30 拡張ドラム
32 駆動機構
34 エアシリンダ
36 ピストンロッド

Claims (3)

  1. 表面にデバイスが形成され、フリップチップ実装されるデバイスチップであって、
    該デバイスチップの裏面に研削痕を有し、
    該研削痕上に該研削痕の視認性を低下させる遮光性を有する樹脂層が設けられることを特徴とするデバイスチップ。
  2. 表面にデバイスが形成され、フリップチップ実装されるデバイスチップの製造方法であって、
    交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有したデバイスウェーハの該分割予定ラインに沿って分割の起点を形成する分割起点形成ステップと、
    該分割起点形成ステップを実施する前または後に、デバイスウェーハの裏面を研削して所定の厚みへと薄化する薄化ステップと、
    該分割起点形成ステップと該薄化ステップとを実施した後、デバイスウェーハに外力を付与して個々のデバイスチップへと分割する分割ステップと、
    該分割起点形成ステップと該薄化ステップとを実施した後、分割ステップを実施する前または後に、デバイスチップの裏面に樹脂層の原料となる顔料を含む液を塗布する塗布ステップと、
    該塗布ステップを実施した後、該顔料を含む液を硬化させて該研削ステップで生成されたデバイスチップ裏面の研削痕の視認性を低下させる遮光性を有する樹脂層を形成する液硬化ステップと、を備えたデバイスチップの製造方法。
  3. 表面にデバイスが形成され、フリップチップ実装されるデバイスチップの製造方法であって、
    交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有したデバイスウェーハの該分割予定ラインに沿って分割の起点を形成する分割起点形成ステップと、
    該分割起点形成ステップを実施した後、デバイスウェーハの裏面を研削することでデバイスウェーハを所定の厚みへと薄化するとともに個々のデバイスチップへと分割する薄化及び分割ステップと、
    該薄化及び分割ステップを実施した後、デバイスチップの裏面に樹脂層の原料となる顔料を含む液を塗布する塗布ステップと、
    該塗布ステップを実施した後、該顔料を含む液を硬化させて該薄化及び分割ステップで生成されたデバイスチップ裏面の研削痕の視認性を低下させる遮光性を有する樹脂層を形成する液硬化ステップと、を備えたデバイスチップの製造方法。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014165462A (ja) * 2013-02-27 2014-09-08 Lintec Corp 半導体チップの製造方法
JP2015099825A (ja) * 2013-11-18 2015-05-28 リンテック株式会社 チップの製造方法
JP2016012732A (ja) * 2014-01-22 2016-01-21 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、保護膜形成用複合シートおよび加工物の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014165462A (ja) * 2013-02-27 2014-09-08 Lintec Corp 半導体チップの製造方法
JP2015099825A (ja) * 2013-11-18 2015-05-28 リンテック株式会社 チップの製造方法
JP2016012732A (ja) * 2014-01-22 2016-01-21 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、保護膜形成用複合シートおよび加工物の製造方法

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