JP6004705B2 - 接着フィルム付きチップの形成方法 - Google Patents

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Description

本発明は、裏面に接着フィルムが貼着されたチップを形成する接着フィルム付きチップの形成方法に関する。
従来、特許文献１に記載されるように、裏面に接着フィルム（粘着層）が貼着された半導体チップの製造方法が知られている。接着フィルムは、ＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｔｃｈ Ｆｉｌｍ）と称され、ダイボンディングのために用いられるものである。
また、特許文献２に記載されるように、半導体素子が形成されたウェーハ上に格子状に配置されたダイシングラインに沿って半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも深い溝を形成した後、ウェーハの裏面を完成時のチップの厚さまで研削及び研磨し、ウェーハを個々のチップに分離する、いわゆる先ダイシング法が知られている。
さらに、特許文献３に記載されるように、先ダイシング法により既にチップに分割されたウェーハについて接着フィルムを貼着した後、隣接するチップの間を通じて接着フィルムにレーザービームを照射して接着フィルムを破断する方法が知られている。
他方、特許文献４に記載されるように、接着フィルムをレーザービームによって破断するのではなく、分割装置で引きちぎる手法も知られている。
特開２０００−１８２９９５号公報 特開平１１−０４０５２０号公報 特開２００２−１１８０８１号公報 特開２００５−２２３２８３号公報
しかし、特許文献３に開示されるように、先ダイシング法で一度チップに分割されたウェーハに接着フィルムを貼着する形態では、接着フィルムを貼着する際に分割されたチップが動いてしまう所謂ダイシフトが発生することが懸念される。そして、このようなダイシフトが発生すると、隣接するチップ間の隙間で形成されるレーザービームを照射すべきラインがまっすぐではなく（直線状ではなく）曲がってしまうことや、場合によってはチップ間の隙間がなくなってしまう。
そして、レーザービーム照射すべきラインが曲がってしまうと、その曲がりに追従させてレーザービームを照射する必要があり、レーザービーム照射の制御が非常に難しくなる。また、チップ間の隙間がなくなってしまうと、レーザービームの照射ができなくなってしまう。
他方、特許文献４に開示されるような分割装置で接着フィルムを引きちぎる手法では、例えば、チップサイズが１ｍｍ角以下と小さいものについて接着フィルムを引きちぎる場合に、接着フィルムが破断されない領域が発生するおそれがある。また、引きちぎられた接着フィルムはチップよりも大きく形成されるため、引きちぎられた接着フィルムの端がチップの側面や表面に付着して、後にピックアップ不良やデバイス不良を引き起こすおそれがある。
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、裏面に接着フィルムが貼着されたチップを形成する接着フィルム付きチップの形成方法について、接着フィルムの破断について上記の問題を解決するための技術を提供することである。
請求項１に記載の発明によると、裏面に接着フィルムが貼着された接着フィルム付きチップを形成する接着フィルム付きチップの形成方法であって、交差する複数の分割予定ラインが設定されたウェーハに分割予定ラインに沿った分割起点を形成する分割起点形成ステップと、分割起点形成ステップを実施した後、ウェーハの裏面に接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着ステップと、接着フィルム貼着ステップを実施した後、接着フィルムに分割予定ラインに沿った分割溝をレーザービームの照射または切削ブレードで形成する接着フィルム分割溝形成ステップと、接着フィルム分割溝形成ステップを実施した後、ウェーハに貼着された接着フィルム上にエキスパンドシートを貼着するエキスパンドシート貼着ステップと、エキスパンドシート貼着ステップを実施した後、エキスパンドシートをエキスパンドすることによりウェーハに外力を付与してウェーハと接着フィルムとを個々のチップへと分割し、裏面に接着フィルムが貼着された接着フィルム付きチップを複数形成する分割ステップと、分割起点形成ステップを実施する前に、ウェーハの裏面を研削して円形凹部を形成するとともに、円形凹部を囲繞する環状凸部を形成する研削ステップと、を備え、分割起点形成ステップでは、レーザービームをウェーハの裏面に照射して分割起点となる改質層を形成するとともに、ウェーハの外周余剰領域に円形の改質層を形成しないことを特徴とする接着フィルム付きチップの形成方法が提供される。
請求項２に記載の発明によると、分割ステップでは、エキスパンドシートをエキスパンドする前に、ウェーハの表面から外周余剰領域に円形の改質層又は分割溝を形成する接着フィルム付きチップの形成方法が提供される。
本発明によると、ウェーハに分割起点を形成した後、ウェーハを個々のチップへと分割する前に、ウェーハの裏面に接着フィルムが貼着される。その後、接着フィルムについてチップ間の隙間に沿った分割溝を形成してウェーハが個々のチップへと分割される。
この方法によれば、接着フィルムの貼着の際にウェーハが分割されていないため、ダイシフトが発生することなく、チップ間の隙間で形成される分割予定ラインが曲がることや、隙間がなくなってしまうことがない。そして、チップ間の隙間に沿った分割溝を形成してウェーハが個々のチップへと分割されるため、接着フィルムを引きちぎる手法における不具合が生じることもない。
加工対象である半導体ウェーハについて示す斜視図である。 研削ステップを実施するための研削ユニットの斜視図である。 分割起点形成ステップを実施するためのレーザー加工装置の斜視図である。 レーザービーム照射ユニットのブロック図である。 （Ａ）は保護テープを貼着したウェーハについて示す断面図である。（Ｂ）は円形凹部を構成したウェーハについて示す断面図である。（Ｃ）は改質層が形成されたウェーハについて示す断面図である。（Ｄ）は接着フィルムを貼着したウェーハについて示す断面図である。 接着フィルムに分割溝が形成されたウェーハについて示す断面図である。 （Ａ）はエキスパンドシートを貼着したウェーハについて示す断面図である。（Ｂ）は保護テープが除去されるウェーハについて示す断面図である。（Ｃ）は凸状上面を有するチャックテーブルにセットされたウェーハについて示す断面図である。 （Ａ）はエキスパンドシートを貼着したウェーハについて示す断面図である。（Ｂ）はエキスパンドシートをエキスパンドする状況について示す断面図である。（Ｃ）はチップに分割される状況について示す断面図である。 （Ａ）はエキスパンドシートを貼着したウェーハについて示す断面図である。（Ｂ）はリング状の外周余剰領域を除去する状況について示す断面図である。（Ｃ）はチップに分割される状況について示す断面図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、加工対象である半導体ウェーハＷ（以下、単に「ウェーハＷ」とも表記される）の表面側斜視図が示されている。ウェーハＷの表面においては、第１分割予定ライン（ストリート）Ｓ１と第２分割予定ラインＳ２が直交して形成されており、第１分割予定ラインＳ１と第２分割予定ラインＳ２によって区画された複数の領域にそれぞれＬＳＩ等のデバイスＤが形成されている。
このようなウェーハＷについて加工を行う本発明の実施形態について、以下順に説明する。まず、本実施形態では、詳しくは後述する分割起点形成ステップを実施する前に、図２に示すように、ウェーハＷの裏面Ｗｂを研削して円形凹部Ｗｃを形成するとともに円形凹部Ｗｃを囲繞する環状凸部Ｗｄを形成する研削ステップが実施される。
図２は、研削ステップを実施するための研削ユニット１１を示しており、ハウジング１２中に回転可能に収容されたスピンドル１８と、スピンドル１８の先端に固定されたマウンタ１３と、マウンタ１３にねじ締結され環状に配設された複数の研削砥石５２を有する研削ホイール２１と、スピンドル１８を回転駆動する図示せぬサーボモータを有して構成される。
研削ユニット１１の下方にはチャックテーブル３５が配置されており、チャックテーブル３５にウェーハＷが吸引保持された状態となっている。この吸引保持の前段階において、デバイスＤを保護するためにウェーハＷの表面Ｗａに保護テープ１０（図１、図５（Ａ））を貼着する保護テープ貼着ステップが実施されることとしている。そして、保護テープ１０が下側になるようにしてウェーハＷがチャックテーブル３５に保持される。
そして、チャックテーブル３５を矢印３７で示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール２１を矢印５３で示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、研削ホイール２１の研削砥石５２をウェーハＷの裏面に接触させる。そして、研削ホイール２１を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。
この結果、ウェーハＷの裏面には、図２に示すように、デバイスＤが形成される領域に対応するデバイス領域１７（図１参照）の裏面が研削除去されて所定厚さ（例えば３０μｍ）の円形凹部Ｗｃが形成されるとともに、デバイスＤが形成されない外周余剰領域１９（図１参照）に対応する領域が残存されて環状凸部（リング状補強部）Ｗｄが形成される。
次いで、図３に示すように、交差する複数の分割予定ラインが設定されたウェーハＷに分割予定ラインに沿った分割起点を形成する分割起点形成ステップが実施される。本実施形態では、レーザー加工装置２０のレーザービーム照射ユニット２４を用い、集光器２８からレーザービームをウェーハＷの裏面Ｗｂに対して照射することにより、分割起点を形成することとしている。
レーザービーム照射ユニット２４のケーシング２６内には、図４のブロック図に示すように、レーザー発振手段３４と、レーザービーム変調手段３６が配設されている。レーザー発振手段３４としては、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器を用いることができる。レーザービーム変調手段３６は、繰り返し周波数設定手段３８と、レーザービームパルス幅設定手段４０と、レーザービーム波長設定手段４２を含んで構成される。
レーザービーム変調手段３６を構成する繰り返し周波数設定手段３８、レーザービームパルス幅設定手段４０及びレーザービーム波長設定手段４２は周知の形態のものであり、本明細書においてはその詳細な説明を省略する。
以上の構成において、図３に示すように、レーザー加工装置２０のチャックテーブル２２の保持面に、保護テープ１０を介してウェーハＷが保持された状態とするとともに、チャックテーブル２２をＸ軸方向へ加工送りすることで、分割予定ラインＳ１（図１）に沿った改質層が形成される。チャックテーブル２２をＹ軸方向にインデックス送りをし、全ての分割予定ラインＳ１について改質層を形成する。その後、チャックテーブル２２を９０度回転させ、同様に分割予定ラインＳ２（図２）に沿って改質層を形成する。
なお、本実施形態では事前に円形凹部Ｗｃが形成されているため、この円形凹部Ｗｃの範囲内における分割予定ラインＳ１，Ｓ２（図１）について改質層を形成することで環状凸部の強度低下を防止できる。しかし、ウェーハの外周縁の一端から他端まで分割予定ラインに沿って改質層を形成してもよい。また、裏面側となる位置に配置された分割予定ラインを検出してアライメントするために、レーザービーム照射ユニット２４に赤外線カメラを有する撮像ユニット２９を備える構成とすることや、透明材で構成されたチャックテーブルの保持面の下方に配設されたカメラにて保持面を介してウェーハの裏面を撮像する構成とすることが考えられる。
レーザービームを用いた分割起点形成ステップにおける加工条件は、例えば次のように設定される。
光源 ：ＬＤ励起Ｑスイッチ Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザ
波長 ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
平均出力 ：１Ｗ
集光スポット径 ：φ１μｍ
加工送り速度 ：１００ｍｍ／秒
また、分割起点形成ステップにおいては、改質層にて分割起点を形成する他、レーザー加工溝や切削ブレードによる切削溝によって分割起点が形成されることとしてもよい。なお、上述のように分割起点として改質層を形成する場合には、分割予定ラインの幅を狭くでき、チップの取り個数を向上させることができるため、このような観点からは、分割起点として改質層を形成することが好ましい。
以上に説明した段階において、図５（Ａ）に示すように、ウェーハＷの表面Ｗａに保護テープ１０を貼着する保護テープ貼着ステップと、図５（Ｂ）に示すように、ウェーハＷの裏面Ｗｂを研削して円形凹部Ｗｃを形成するとともに円形凹部Ｗｃを囲繞する環状凸部Ｗｄを形成する研削ステップと、図５（Ｃ）に示すように、交差する複数の分割予定ラインが設定されたウェーハＷに分割予定ラインに沿った分割起点（改質層７３）を形成する分割起点形成ステップと、が実施される。
そして、図５（Ｃ）に示す分割起点形成ステップを実施した後、図５（Ｄ）に示すように、ウェーハＷの裏面Ｗｂに接着フィルム３０を貼着する接着フィルム貼着ステップが実施される。この接着フィルム３０は、ＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｔｃｈ Ｆｉｌｍ）と称され、ダイボンディングのために用いられるものである。
本実施形態では、接着フィルム３０は、ウェーハＷの裏面Ｗｂに形成された円形凹部Ｗｃ内（環状凸部Ｗｄに囲まれた範囲）に収まるような円盤形状に構成されている。また、接着フィルム３０の外周縁を環状凸部Ｗｄの立ち上がり部分（内周壁）に接触させることで、接着フィルム３０のウェーハＷに対する位置決めを可能とする構成としてもよい。
また、この接着フィルム３０は、例えば、真空ラミネータなどの周知の装置にてウェーハＷの裏面Ｗｂ（円形凹部Ｗｃの底面）に対して貼着させることができる。
ここで、図５（Ｃ）における分割起点形成ステップが実施された状態においては、分割予定ラインが完全に切断されていない状態となっている。つまり、個々のチップに分割されていない状態となっている。このため、図５（Ｄ）に示すように接着フィルム３０をウェーハＷの裏面Ｗｂに貼着したとしても、チップが動くといった所謂ダイシフトが生じることもない。
次いで、図５（Ｄ）に示す接着フィルム貼着ステップを実施した後、図６に示すように、接着フィルム３０に分割予定ラインＳ１に沿った分割溝３１をレーザービームＬＢの照射で形成する接着フィルム分割溝形成ステップが実施される。
図６に示す本実施形態では、レーザービームＬＢによるアブレーション加工により、チャックテーブル４４にウェーハＷを保持した状態で加工が行われることとしている。チャックテーブル４４の保持面４４ａには、保護テープ１０を介してウェーハＷが吸引保持されており、このウェーハＷの円形凹部Ｗｃには接着フィルム３０が貼着された状態となっている。
そして、この接着フィルム３０に対し、レーザービームＬＢを照射して分割予定ラインＳ１に沿った分割溝３１を形成させる。分割溝３１は接着フィルム３０を完全に切断する溝とする他、接着フィルム３０を完全に切断しないハーフカット溝とすることとしてもよい。
なお、接着フィルム３０に分割溝３１を形成する際のアブレーション加工の条件は、例えば次のように設定される。
光源 ：ＬＤ励起Ｑスイッチ Ｎｄ：ＹＡＧパルスレーザ
波長 ：３５５ｎｍ（ＹＡＧレーザーの第３高調波）
出力 ：３〜３．７５Ｗ
繰り返し周波数 ：１０ｋＨｚ
加工送り速度 ：１００〜２００ｍｍ／秒
また、本実施形態のようにレーザー加工装置を用いたアブレーション加工により接着フィルム分割溝形成ステップを実施するほか、回転する切削ブレードにて切削溝を形成する切削装置にて分割溝３１を形成することとしてもよい。この場合、切削ブレードの刃厚や種類、さらには接着フィルム３０の種類によっては、接着フィルム３０を切断することで切削ブレードの目詰まりが生じることが懸念される。このような場合には、レーザー加工装置を用いることが好ましいこととなる。
図６に示される接着フィルム分割溝形成ステップを実施した後、図７（Ａ）に示すように、ウェーハＷに貼着された接着フィルム３０上にエキスパンドシート６０を貼着するエキスパンドシート貼着ステップが実施される。
本実施形態では、分割溝３１が形成された接着フィルム３０が上側となるようにし、接着フィルム３０の上側からエキスパンドシート６０を覆いかぶせるようにして、接着フィルム３０に対しエキスパンドシート６０を貼着させる。なお、エキスパンドシート６０は、例えば、真空ラミネータなどの周知の装置にて接着フィルム３０に対して貼着させることができる。
また、エキスパンドシート６０は、円環状の環状フレームＦの開口部を塞ぐように設けられており、エキスパンドシート６０を介して接着フィルム３０やウェーハＷが環状フレームＦに固定された状態となる。
次いで、図７（Ｂ）に示すように、保護テープ１０をウェーハＷの表面Ｗａから取り除く、保護テープ除去ステップが実施される。これによりデバイスが形成されるウェーハＷの表面Ｗａが露出される。
次いで、図７（Ｃ）に示すように、環状フレームＦに固定されたウェーハＷを図７（Ｂ）に示す状態から裏返し、その後、ウェーハＷの円形凹部Ｗｃの凹形状に対応した凸状上面７２を有するチャックテーブル７０に対し、環状フレームＦに固定されたウェーハＷをセットする保持ステップが実施される。
本実施形態では、ウェーハＷの円形凹部Ｗｃに下側から挿入される凸状上面７２を有するチャックテーブル７０が用いられ、ウェーハＷの裏面Ｗｂが凸状上面７２に覆いかぶさるようにして、ウェーハＷがチャックテーブル７０上に保持されるようになっている。
以上のようにエキスパンドシート貼着ステップを実施した後、図８（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、エキスパンドシート６０をエキスパンドしウェーハＷに外力を付与してウェーハＷと接着フィルム３０とを個々のチップへと分割し、裏面に接着フィルム３０が貼着された接着フィルム付きチップ３０Ａを複数形成する分割ステップが実施される。
まず、図８（Ａ）に示すように、ウェーハＷの外周余剰領域１９についてレーザービームを照射するとともに、チャックテーブル７０を回転させることにより、外周余剰領域１９に円形の改質層７４を形成する。なお、改質層７４は、環状凸部Ｗｄの内周壁の延長線上に設けることが好ましい。
次いで、図８（Ｂ）に示すように、図示せぬエキスパンド装置により、エキスパンドシート６０をエキスパンドする。この際、ウェーハＷについては、外周余剰領域１９の改質層７４に加え、図５（Ｃ）に示す分割起点形成ステップにより既に改質層７３が形成されており、また、接着フィルム３０については、図６に示す接着フィルム分割溝形成ステップにより分割溝３１が形成されているため、改質層７３，７４において破断が生じ、図８（Ｃ）に示すように個々のチップ８０，８０に分割される。
また、図８（Ａ）〜（Ｃ）に示す形態で分割ステップを実施するほか、図９（Ａ）〜（Ｃ）に示す形態にて分割ステップを実施することとしてもよい。
まず、図９（Ａ）に示すように、ウェーハＷの外周余剰領域１９についてレーザービームによるアブレーション加工（或は、切削ブレードによる切削加工）により、外周余剰領域１９に円形の分割溝７５を形成する。なお、分割溝７５は、環状凸部Ｗｄの内周壁の延長線上に設けることが好ましい。
次いで、図９（Ｂ）に示すように、分割溝７５によってリング状に分割されたウェーハＷの外周余剰領域１９が取り除かれる。
次いで、図９（Ｃ）に示すように、図示せぬエキスパンド装置により、エキスパンドシート６０をエキスパンドする。この際、ウェーハＷについては、図５（Ｃ）に示す分割起点形成ステップにより既に改質層７３が形成されており、また、接着フィルム３０については、図６に示す接着フィルム分割溝形成ステップにより分割溝３１が形成されているため、改質層７３の部位において破断が生じ、図９（Ｃ）に示すように個々のチップ８０，８０に分割される。
以上に説明した実施形態によれば、ウェーハＷに分割起点を形成した後、ウェーハＷを個々のチップへと分割する前に、ウェーハＷの裏面に接着フィルム３０が貼着される。その後、接着フィルム３０についてチップ間の隙間に沿った分割溝３１を形成してウェーハＷが個々のチップへと分割される。
このような方法によれば、接着フィルム３０の貼着の際にウェーハＷが分割されていないため、ダイシフトが発生することなく、チップ間の隙間で形成される分割予定ラインが曲がることや、隙間がなくなってしまうことがない。そして、チップ間の隙間に沿った分割溝３１を形成してウェーハＷが個々のチップへと分割されるため、接着フィルム３０を引きちぎる手法における不具合が生じることもない。
そして、本実施例によれば、分割予定ラインが狭い被加工物について好適なオペレーションである、レーザービームを用いた改質層の形成を実施することが可能となる。
また、円形凹部Ｗｃを形成する際に同時に形成される環状凸部Ｗｄを外周補強部として機能させることができ、分割起点が施された状態の薄いウェーハＷのハンドリングを安全に行うことが可能となる。また、ウェーハＷに環状凸部Ｗｄ（外周補強部）が形成されることによって、万が一、ハンドリング中に分割起点を起点として一部のチップが分割してしまうことが生じた場合でも、ウェーハＷの表面に貼付された保護テープ１０がたわみ、他のチップの配置に影響が生じないため、ダイシフトが発生するおそれがない。
また、分割溝３１が形成されているため、接着フィルム３０の分割が容易となる上、確実に全ての領域で接着フィルム３０を分割できることになる。特に薄く小さい接着フィルム付きチップの形成や１２インチなど大口径のウェーハについて、本発明は好適に実施できる。
他方、薄いウェーハのハンドリングリスク（ハンドリングの際に生じる破損などの不具合）を低減するための装置構成として、分割起点形成用のレーザー加工装置や切削装置と、研削装置やテープ貼り機をインラインに接続する構成（複数の装置を一つの装置としてまとめる構成）とすることが考えられる。
この場合、分割起点を形成するためのプロセス（分割起点形成ステップ）については、他のプロセスと比較して長時間を要することになる。特に、小さいチップ（極小チップ）が形成されるウェーハについては、分割起点の数や距離が増加するため、この分割起点を形成するためのプロセスについて長時間を要することになり、単位時間当たりのＵＰＨ（Ｕｎｉｔ Ｐｅｒ Ｈｏｕｒ：加工処理枚数））が悪いものとなってしまう。ウェーハが大口径である場合には、分割起点の数や距離がさらに増加するため、ＵＰＨはなおさら悪化することになる。
このため、インラインに接続する構成を採用した場合には、分割起点を形成するためのレーザー加工装置や切削装置のＵＰＨと、研削装置やテープ貼り機のＵＰＨとの間でつり合いが取れず、研削装置やテープ貼り機の稼動していない時間が増えてしまい、ＣｏＯ（Ｃｏｓｔ Ｏｆ Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ）が悪くなる。
この点、本実施例においては、ウェーハＷを単に薄化するのでなく、外周に環状凸部Ｗｄを残存させておくことでウェーハＷの強度が上がり、ハンドリングリスクが低減されるので、これにとまってＣｏＯの悪化のリスクが低減され、プロセス全体としては、良好なＣｏＯを実現することが可能となる。
さらに、上述のようなインラインとしない場合において、分割起点形成用のレーザー加工装置や切削装置と、研削装置やテープ貼り機とを、それぞれ単独で稼動させることによれば、分割起点形成用のレーザー加工装置や切削装置のＵＰＨが、研削装置やテープ貼り機のＵＰＨに影響しないようにすることができ、より多くのウェーハを加工することができる。
なお、以上に説明した実施例では、円形凹部と環状凸部を形成する研削ステップを実施することとしたが、円形凹部と環状凸部を形成せずにウェーハを全体的に薄化する薄化ステップを実施し、その後、分割基点形成ステップ、接着フィルム貼着ステップ、接着フィルム分割溝形成ステップ、エキスパンドシート貼着ステップ、分割ステップを実施することとしてもよい。また、分割起点形成ステップを実施した後、ウェーハを薄化する薄化ステップを実施し、次いで接着フィルム貼着ステップ、接着フィルム分割溝形成ステップ、エキスパンドシート貼着ステップ、分割ステップを実施するようにしてもよい。
１０ 保護テープ
３０ 接着フィルム
３１ 分割溝
６０ エキスパンドシート
７３ 改質層
７４ 改質層
７５ 分割溝
Ｗ ウェーハ
Ｗａ 表面
Ｗｂ 裏面
Ｗｃ 円形凹部
Ｗｄ 環状凸部

Claims (2)

  1. 裏面に接着フィルムが貼着された接着フィルム付きチップを形成する接着フィルム付きチップの形成方法であって、
    交差する複数の分割予定ラインが設定されたウェーハに該分割予定ラインに沿った分割起点を形成する分割起点形成ステップと、
    該分割起点形成ステップを実施した後、ウェーハの裏面に接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着ステップと、
    該接着フィルム貼着ステップを実施した後、該接着フィルムに該分割予定ラインに沿った分割溝をレーザービームの照射または切削ブレードで形成する接着フィルム分割溝形成ステップと、
    該接着フィルム分割溝形成ステップを実施した後、ウェーハに貼着された該接着フィルム上にエキスパンドシートを貼着するエキスパンドシート貼着ステップと、
    該エキスパンドシート貼着ステップを実施した後、該エキスパンドシートをエキスパンドすることによりウェーハに外力を付与してウェーハと該接着フィルムとを個々のチップへと分割し、裏面に接着フィルムが貼着された接着フィルム付きチップを複数形成する分割ステップと、
    該分割起点形成ステップを実施する前に、ウェーハの裏面を研削して円形凹部を形成するとともに、該円形凹部を囲繞する環状凸部を形成する研削ステップと、
    を備え、
    該分割起点形成ステップでは、レーザービームをウェーハの裏面に照射して分割起点となる改質層を形成するとともに、ウェーハの外周余剰領域に円形の改質層を形成しないことを特徴とする接着フィルム付きチップの形成方法。
  2. 前記分割ステップでは、該エキスパンドシートをエキスパンドする前に、ウェーハの表面から該外周余剰領域に円形の改質層又は分割溝を形成することを特徴とする請求項１に記載の接着フィルム付きチップの形成方法。
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