JP2018014451A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
ウェーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018014451A JP2018014451A JP2016144368A JP2016144368A JP2018014451A JP 2018014451 A JP2018014451 A JP 2018014451A JP 2016144368 A JP2016144368 A JP 2016144368A JP 2016144368 A JP2016144368 A JP 2016144368A JP 2018014451 A JP2018014451 A JP 2018014451A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- adhesive layer
- divided
- dividing
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000012634 fragment Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
Description
図2に示すように、ウェーハWの表面Waに表面保護部材1を配設する。表面保護部材1は、ウェーハWと略同径の大きさを有している。ウェーハWの表面Waの全面が表面保護部材1によって覆われると、各デバイスDが保護される。表面保護部材1の材質は、特に限られず、例えば、ポリオレフィンやポリ塩化ビニル等からなる。表面保護部材配設ステップは、後述する分割起点形成ステップを実施する前または後に実施する。
図3に示すように、保持テーブル10でウェーハWを保持し、レーザビーム照射手段20を用いて、ウェーハWの裏面Wb側からレーザビームを照射し、図2に示した分割予定ラインSに沿ってウェーハWの内部に分割起点となる改質層2を形成する。保持テーブル10の上面は、ウェーハWを保持する保持面10aとなっている。レーザビーム照射手段20は、レーザビームを集光するための集光器21と、ウェーハWに対して透過性を有する波長のレーザビームLB1を発振する発振器とを少なくとも備えている。レーザビーム照射手段20は、上下方向に移動可能となっており、上下に集光器21を移動させてレーザビームLB1の集光位置を調整することができる。
次に、図5に示すように、ウェーハWを研削する研削手段30によってウェーハWの裏面Wbを研削して所定の厚みへと薄化するとともにウェーハWを改質層2に沿って複数のデバイスチップCへと分割する。研削手段30は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル31と、スピンドル31の下部にマウント32を介して装着された研削ホイール33と、研削ホイール33の下部にリング状に固着された研削砥石34とを備え、研削ホイール33を回転させながら、全体が昇降可能となっている。分割起点形成ステップを実施した後に表面保護部材配設ステップを実施した場合は、表面保護部材配設ステップを実施した後に研削ステップを実施する。
研削ステップを実施した後、図6に示すように、複数のデバイスチップCに分割されたウェーハWの裏面Wbに接着層3を形成する。接着層3は、例えば、ポリイミド系の樹脂、エポキシ系の樹脂、アクリル系の樹脂等により構成されるシート状のダイアタッチフィルム(DAF)と称される接着フィルムである。この接着フィルムをウェーハWの裏面Wbの全面に貼着して接着層3を形成する。また、液状のダイアタッチ剤をウェーハWの裏面Wbの全面に塗布することによって接着層3を構成してもよい。接着層形成ステップを実施する際、ウェーハWはデバイスチップCに分割されているが、この時点では隣接するデバイスチップCの間の間隔が極めて小さいため、接着フィルムを裏面Wbに貼着するときにデバイスチップCが大きく動くことはない。もっとも液状のダイアタッチ剤を裏面Wbに塗布する方が、接着フィルムを裏面Wbに貼着する場合に比べてデバイスチップCが動きにくい。
接着層形成ステップを実施した後、図7に示すように、保持テーブル10の上方側に配置されるカメラ40により、ウェーハWが分割された分割ラインSLを検出し、検出した分割ラインSLに沿って接着層3を分割する。カメラ40は、例えばIRカメラにより構成されている。カメラ40では、レンズが向く方向に不透明体が存在しても、赤外光によって不透明体を透過させウェーハWの内部を撮像することが可能となっている。かかるカメラ40は、ウェーハWの裏面Wb側から撮像することにより、接着層3を透過してウェーハWの内部に形成された分割ラインSLを検出する。
20,20a:レーザビーム照射手段 21:集光器
30:研削手段 31:スピンドル 32:マウント 33:研削ホイール
34:研削砥石 40:カメラ
50:切削手段 51:スピンドル 52:切削ブレード
Claims (1)
- 交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、
ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを該分割予定ラインに沿ってウェーハの裏面から照射してウェーハに改質層を形成する分割起点形成ステップと、
該分割起点形成ステップを実施する前または後に、ウェーハの表面に表面保護部材を配設する表面保護部材配設ステップと、
該表面保護部材配設ステップを実施した後、ウェーハの裏面を研削して所定の厚みへと薄化するとともにウェーハを該改質層に沿って複数のデバイスチップへと分割する研削ステップと、
該研削ステップを実施した後、複数のデバイスチップに分割されたウェーハの裏面に接着層を形成する接着層形成ステップと、
該接着層形成ステップを実施した後、ウェーハが分割された分割ラインを検出し、検出した該分割ラインに沿って該接着層側からレーザビームを照射、または切削ブレードで切削して該接着層を分割する接着層分割ステップと、を備えたウェーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016144368A JP2018014451A (ja) | 2016-07-22 | 2016-07-22 | ウェーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016144368A JP2018014451A (ja) | 2016-07-22 | 2016-07-22 | ウェーハの加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018014451A true JP2018014451A (ja) | 2018-01-25 |
Family
ID=61019612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016144368A Pending JP2018014451A (ja) | 2016-07-22 | 2016-07-22 | ウェーハの加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2018014451A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2019009123A1 (ja) * | 2017-07-06 | 2020-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理システム |
CN111451646A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-07-28 | 苏州镭明激光科技有限公司 | 一种晶圆激光隐形切割的加工工艺 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006352022A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 接着フィルムの分離方法 |
JP2014011445A (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
-
2016
- 2016-07-22 JP JP2016144368A patent/JP2018014451A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006352022A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 接着フィルムの分離方法 |
JP2014011445A (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2019009123A1 (ja) * | 2017-07-06 | 2020-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理システム |
CN111451646A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-07-28 | 苏州镭明激光科技有限公司 | 一种晶圆激光隐形切割的加工工艺 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9685377B2 (en) | Wafer processing method | |
US9093519B2 (en) | Wafer processing method | |
US9640420B2 (en) | Wafer processing method | |
US9627242B2 (en) | Wafer processing method | |
JP5133660B2 (ja) | ウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法 | |
JP2007294651A (ja) | ウエーハに装着された接着フィルムの破断方法 | |
JP2016082162A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2016018881A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2007134390A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2015159155A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2011003757A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2018125479A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP6283531B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR102333519B1 (ko) | 적층 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2017103406A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6009240B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP6257365B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2008263070A (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP2015138857A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
KR20160075326A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2015015359A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
TW201528359A (zh) | 裝置晶圓之加工方法 | |
JP2018014451A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
TWI640038B (zh) | Processing method of laminated substrate | |
JP2008311404A (ja) | ウエーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190523 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200414 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200519 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20201208 |