JP6922918B2 - セラミック基板及び電子部品内蔵モジュール - Google Patents
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Description
一方、表面電極が設けられていないセラミック層上にも酸化物層が設けられているが、表面電極が設けられていないセラミック層上の酸化物層の表面は平滑でなく、粗い面となっている。したがって、電子部品内蔵モジュールを作製する際に用いられる封止樹脂との密着性に優れている。
上記セラミック基板は、例えば、セラミック層の表面全体に酸化物層を形成し、一部の酸化物層上に表面電極を形成した後、表面電極が形成されていないセラミック層上の酸化物の表面に粗化処理を施すことにより作製することができる。
上記セラミック基板は、例えば、粒子径の大きな酸化物粒子を含む酸化物層をセラミック層の表面全体に形成した後、一部の酸化物層上に表面電極を形成することにより作製することができる。
一方、表面電極が設けられていないセラミック層上には酸化物層がなく、セラミック層の表面が露出している。したがって、電子部品内蔵モジュールを作製する際に用いられる封止樹脂との密着性に優れている。
通常、セラミック層にアルミナが含まれていることが多く、そのような場合には、焼成中にアルミナ層とセラミック層とが反応したとしても、セラミック層の内部で生成するような化合物が生成するだけであるため、異質な化合物が生成することがない。したがって、セラミック基板の品質が低下しにくくなる。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。
なお、以下において記載する個々の実施形態の望ましい構成を2つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
(セラミック基板)
本発明の第1実施形態に係るセラミック基板は、表面にセラミック層を有するセラミック素体と、上記セラミック素体の一方主面に設けられた表面電極とを備えており、表面電極とセラミック層との間に、セラミック層の焼成温度よりも高い融点を有する絶縁性の酸化物からなる酸化物層が設けられている。
図1には全体的な構成が示されていないが、セラミック基板1は、表面にセラミック層11を有するセラミック素体10と、セラミック素体10の一方主面に設けられた表面電極20とを備えている。
なお、表面粗さとは、JIS B 0601−2001で規定される最大高さ(Rz)を意味し、表面うねり成分を除去するため、カットオフ値λc=0.250mmとして得るものである。
なお、酸化物層の厚みは、断面研磨した面を、マイクロスコープを用いて測長して得る。
図2(a)、図2(b)、図2(c)及び図2(d)は、図1に示すセラミック基板1の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
この場合、拘束用グリーンシートは、焼成時において実質的に焼結しないので収縮が生じず、積層体に対して主面方向での収縮を抑制するように作用する。その結果、セラミック基板の寸法精度を高めることができる。
図3は、本発明の第1実施形態に係る電子部品内蔵モジュールの一例を模式的に示す断面図である。
図3に示す電子部品内蔵モジュール100は、セラミック基板1と、セラミック基板1の表面電極20に実装された電子部品40と、セラミック基板1の主面上に、電子部品40を覆うように設けられた封止樹脂50とを備えている。図3に示すセラミック基板1は、表面電極20を2つ備えている点を除いて、図1に示すセラミック基板1と同じ構成を有している。
(セラミック基板)
本発明の第2実施形態に係るセラミック基板は、本発明の第1実施形態と同様、表面にセラミック層を有するセラミック素体と、上記セラミック素体の一方主面に設けられた表面電極とを備えており、表面電極とセラミック層との間に、セラミック層の焼成温度よりも高い融点を有する絶縁性の酸化物からなる酸化物層が設けられている。
図4には全体的な構成が示されていないが、セラミック基板2は、表面にセラミック層11を有するセラミック素体10と、セラミック素体10の一方主面に設けられた表面電極20とを備えている。
図5(a)、図5(b)及び図5(c)は、図4に示すセラミック基板2の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
図6は、本発明の第2実施形態に係る電子部品内蔵モジュールの一例を模式的に示す断面図である。
図6に示す電子部品内蔵モジュール200は、セラミック基板2と、セラミック基板2の表面電極20に実装された電子部品40と、セラミック基板2の主面上に、電子部品40を覆うように設けられた封止樹脂50とを備えている。図6に示すセラミック基板2は、表面電極20を2つ備えている点を除いて、図4に示すセラミック基板2と同じ構成を有している。
(セラミック基板)
本発明の第3実施形態に係るセラミック基板は、本発明の第1実施形態と同様、表面にセラミック層を有するセラミック素体と、上記セラミック素体の一方主面に設けられた表面電極とを備えており、表面電極とセラミック層との間に、セラミック層の焼成温度よりも高い融点を有する絶縁性の酸化物からなる酸化物層が設けられている。
図7には全体的な構成が示されていないが、セラミック基板3は、表面にセラミック層11を有するセラミック素体10と、セラミック素体10の一方主面に設けられた表面電極20とを備えている。
図8(a)、図8(b)及び図8(c)は、図7に示すセラミック基板3の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
図9は、本発明の第3実施形態に係る電子部品内蔵モジュールの一例を模式的に示す断面図である。
図9に示す電子部品内蔵モジュール300は、セラミック基板3と、セラミック基板3の表面電極20に実装された電子部品40と、セラミック基板3の主面上に、電子部品40を覆うように設けられた封止樹脂50とを備えている。図9に示すセラミック基板3は、表面電極20を2つ備えている点を除いて、図7に示すセラミック基板3と同じ構成を有している。
本発明のセラミック基板及び電子部品内蔵モジュールは、上記実施形態に限定されるものではなく、セラミック素体及び表面電極の構成、酸化物層の形成方法等に関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
10 セラミック素体
11 セラミック層
20 表面電極
30,30´,31,32,33,34,35 酸化物層
40 電子部品
50 封止樹脂
100,200,300 電子部品内蔵モジュール
Claims (5)
- 表面にセラミック層を有するセラミック素体と、前記セラミック素体の一方主面に設けられた表面電極とを備えるセラミック基板であって、
前記表面電極と前記セラミック層との間に、前記セラミック層の焼成温度よりも高い融点を有する絶縁性の酸化物からなる酸化物層が設けられているとともに、
前記表面電極が設けられていない前記セラミック層上にも前記酸化物層が設けられており、
前記表面電極が設けられていない前記セラミック層上の前記酸化物層の表面が粗面であり、
前記表面電極が設けられていない前記セラミック層上の前記酸化物層の表面粗さは、前記表面電極と前記セラミック層との間の前記酸化物層の表面粗さよりも大きいことを特徴とするセラミック基板。 - 前記表面電極と前記セラミック層との間の前記酸化物層の表面も粗面である請求項1に記載のセラミック基板。
- 表面にセラミック層を有するセラミック素体と、前記セラミック素体の一方主面に設けられた表面電極とを備えるセラミック基板であって、
前記表面電極と前記セラミック層との間に、前記セラミック層の焼成温度よりも高い融点を有する絶縁性の酸化物からなる酸化物層が設けられており、
前記表面電極が設けられていない前記セラミック層の表面が露出していることを特徴とするセラミック基板。 - 前記酸化物層は、アルミナ層である請求項1〜3のいずれか1項に記載のセラミック基板。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のセラミック基板と、
前記セラミック基板の表面電極に実装された電子部品と、
前記セラミック基板の主面上に、前記電子部品を覆うように設けられた封止樹脂とを備えることを特徴とする電子部品内蔵モジュール。
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