JP6861570B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置を示す垂直断面図、図2は図1のII−II′線による水平断面図である。
図1に示すように、この基板処理装置1は、矩形状をなすFPD用のガラス基板上に所定の金属膜、例えばAl膜やTi/Al/Ti積層膜のようなAl含有膜等の金属膜が形成された被処理基板(以下、単に「基板」と記す)Gに対してプラズマエッチング処理を行う容量結合型プラズマ処理装置として構成されている。FPDとしては、液晶ディスプレイ(LCD)、エレクトロルミネセンス(Electro Luminescence;EL)ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル(PDP)等が例示される。
次に、気流ガイド部材40について説明する。
図3は本実施形態に係る基板処理装置1の気流ガイド部材40が設けられた部分を拡大して示す部分断面図である。
次に、このように構成される基板処理装置1の処理動作について説明する。
まず、ゲートバルブ36を開け、図示しない真空搬送室から搬送装置60の搬送アーム62(図4参照)により搬入出口35を介して基板Gをチャンバー2内へ搬入し、昇降ピン8を上昇させて昇降ピン8を基板載置台3の基板載置面から突出させた状態とし、昇降ピン8上に基板Gを載せる。搬送アーム62を真空搬送室へ退避させた後、昇降ピン8を下降させ、基板Gを基板載置台3の基板載置面に載置し、ゲートバルブ36を閉じる。
Cl2ガス流量:3700sccm
圧力:15mTorr(2Pa)
プラズマ生成用高周波パワー:12kW
バイアス生成用高周波パワー:6kW
時間:60sec
第1段階
Cl2ガス流量:3700sccm
時間:60sec
第2段階
Cl2ガス流量:1500sccm
時間:30sec
共通条件
圧力:15mTorr(2Pa)
プラズマ生成用高周波パワー:12kW
バイアス生成用高周波パワー:6kW
以上、本発明の一つの実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されることなく本発明の思想の範囲内で種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、容量結合プラズマ処理装置に本発明を適用した場合について説明したが、これに限らず、誘導結合型のプラズマ処理装置や、マイクロ波プラズマ処理装置等の他のプラズマ処理装置にも適用することができる。
2;チャンバー(処理容器)
3;基板載置台
5;基材
8;昇降ピン
10;シャワーヘッド
15:処理ガス供給管
18:処理ガス供給源
24a,24b;整合器
25a,25b;高周波電源
29;排気口
30;排気部
40;気流ガイド部材
40−1;内側部
40−2;外側部
40a;長辺側部材
40b;短辺側部材
41;スリット
41a;長辺スリット
41b;短辺スリット
42;段差
50;制御部
G;基板
Claims (9)
- 表面に金属膜が形成された基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、基板が載置される基板載置台と、
前記処理容器内の前記基板載置台の上方に前記基板載置台に対向して設けられ、前記処理容器内に前記基板載置台に向けてハロゲン含有ガスを含む処理ガスを導入する処理ガス導入機構と、
前記基板載置台の周囲から前記処理容器内を排気する排気機構と、
前記処理容器内に設けられ、内周部分に、前記基板載置台の周縁の上方に当該基板載置台の周方向に沿って配置された、前記処理ガス導入機構から導入された処理ガスを外方に導くガイド部を有し、外周部分が前記処理容器の内壁に取り付けられた、環状をなす気流ガイド部材と、
前記処理容器内に、前記基板の前記金属膜に対してプラズマエッチングを行うための処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構と
を具備し、
前記気流ガイド部材は、前記ガイド部となる内側部と、前記基板載置台よりも外側の外側部とを有し、前記内側部と前記外側部との間には、前記内側部よりも前記外側部が低い位置になる段差が形成されるように前記内側部と前記外側部を連結する連結部を有し、前記外側部にその周方向に沿って設けられたスリットを有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板は矩形状をなし、前記基板載置台はその載置面が前記基板に対応した矩形状をなし、前記気流ガイド部材は額縁状をなしていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記気流ガイド部材は、前記基板の長辺に対応する一対の長辺側部分と、前記基板の短辺に対応する一対の短辺側部分を組み立てて形成されていることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記長辺側部分および前記短辺側部分は、いずれも1枚の板を折り曲げて、前記内側部に対応する部分、前記外側部に対応する部分、および前記連結部に対応する部分が形成されることを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記長辺側部分および前記短辺側部分は、これらの合わせ部が45°となる台形状をなし、それぞれの前記内側部に対応する部分、前記外側部に対応する部分、および前記連結部に対応する部分が合わされた状態で組み立てられることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記長辺側部分に形成された前記スリット、および、前記短辺側部分に形成された前記スリットは、それらの端部が、前記長辺側部分と前記短辺側部分との合わせ部に達しない状態で形成されていることを特徴とする請求項3から請求項5のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記スリットの幅は、前記スリットを介しての排気と、前記気流ガイド部材と前記基板載置台との間との間を介しての排気との排気バランスを、前記基板の周縁部のエッチングレート抑制の程度が最適化されるように調整できる値とすることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記金属膜はAl含有膜であり、前記処理ガスは塩素ガスを含むことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記Al含有膜は、Ti/Al/Ti積層膜であることを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。
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