KR102175082B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102175082B1
KR102175082B1 KR1020130168180A KR20130168180A KR102175082B1 KR 102175082 B1 KR102175082 B1 KR 102175082B1 KR 1020130168180 A KR1020130168180 A KR 1020130168180A KR 20130168180 A KR20130168180 A KR 20130168180A KR 102175082 B1 KR102175082 B1 KR 102175082B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
support unit
substrate support
exhaust baffle
gap
Prior art date
Application number
KR1020130168180A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150078635A (ko
Inventor
양정윤
김선래
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020130168180A priority Critical patent/KR102175082B1/ko
Publication of KR20150078635A publication Critical patent/KR20150078635A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102175082B1 publication Critical patent/KR102175082B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 공정 챔버, 기판 지지 유닛, 안테나 판, 배기 배플, 갭 브래킷 및 가이드 링 등을 포함한다. 갭 브래킷과 가이드 링은 기판 지지 유닛과 배기 배플 사이의 갭으로 공정 가스가 배출 되는 것을 방지함으로써, 기판의 에지부의 공정에 미치는 영향을 방지할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 반도체 소자 제조 공정에서는 플라즈마를 사용하여 다양한 공정을 수행한다. 일 예로 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.
도 1은 일반적인 마이크로파를 이용하여 플라즈마를 생성하는 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 일반적으로 마이크로파를 이용하여 플라즈마를 생성하는 경우, 마이크로파가 공급되는 부분(1)으로부터 멀어질수록 전자온도가 떨어져 공정에 영향을 주므로 기판(2)이 안착되는 기판 지지 유닛(3)의 높이가 중요하다. 따라서, 기판 지지 유닛(3)이 특정 높이에서 공정 진행시 기판 지지 유닛(3)과 배플(4) 사이의 갭(Gap)을 통하여 공정 가스가 대부분 배출되어 갭(Gap)과 가까이 있는 기판의 에지부의 공정 특성에 영향을 줄 수 있다.
본 발명은 공정 가스가 기판 지지 유닛과 배플 사이의 갭(Gap)으로 배출되는 것을 방지함으로써 기판의 에지부의 공정 특성에 영향을 미치는 것을 방지하는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 내부에 공간이 형성된 공정 챔버와; 상기 공정 챔버 내에 배치되며, 기판을 지지하는, 상하 방향 이동이 가능한 기판 지지 유닛과; 상기 기판 지지 유닛의 상부에 배치되며, 복수의 슬롯들이 형성된 안테나 판과; 상기 안테나 판으로 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가 유닛과; 상기 공정 챔버 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 기판 지지 유닛을 감싸도록 제공되며, 복수개의 배기홀들이 형성된 배기 배플과; 상기 배기 배플의 상면 내측 영역에 제공되고, 상기 기판 지지 유닛과 상기 배기 배플 사이로의 공정 가스의 흐름을 방지하는 갭 브래킷을 포함하되, 상기 갭 브래킷은, 상기 기판 지지 유닛과 함께 상하 방향 이동이 가능하도록 제공된다.
또한, 상기 갭 브래킷은, 상기 배기 배플의 상면 내측 영역과 대향되는 바디와; 상기 기판 지지 유닛의 상면의 가장자리 영역과 대향되도록 상기 바디로부터 돌출된 돌출부;가 제공된다.
또한, 상기 갭 브래킷의 상하 이동을 가이드 하는, 가이드 링을 더 포함하되, 상기 가이드 링은, 상기 갭 브래킷에 인접되도록 제공되고, 상기 배기 배플의 상면에 고정된다.
또한, 상기 갭 브래킷과 상기 가이드 링은, 각각 링 형상으로 제공된다.
또한, 상기 기판 지지 유닛은, 제 1 위치와 상기 제 1 위치보다 높은 위치인 제 2 위치간에 상하 이동이 가능하되, 상기 제 1 위치는, 상기 배기 배플보다 아래 위치이고, 상기 제 2 위치는, 상기 배기 배플보다 높은 위치이다.
또한, 상기 제 1 위치는, 상기 기판 지지 유닛의 상면에 기판이 유입되는 위치이고, 상기 제 2 위치는, 플라스마에 의해 기판이 공정 처리 되는 위치이다.
또한, 상기 제 2 위치는, 상기 갭 브래킷의 하면이 상기 가이드 링의 상단보다 높지 않은 위치이다.
또한, 상기 기판 지지 유닛이 상기 제 1 위치에 위치하는 경우, 상기 기판 지지 유닛의 상면에 기판을 제공할 수 있도록 상기 챔버의 측벽에 제공된 기판 유입구;를 더 포함한다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 지지 유닛과 배플 사이의 갭(Gap)으로 공정 가스가 배출되는 것을 방지하는 갭브래킷을 제공함에 따라 기판의 에지부의 공정 특성에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2의 안테나의 저면을 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 2의 배기 배플을 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 2의 갭 브래킷의 일부를 절단한 사시도이다.
도 6은 도 2의 가이드 링이 고정된 배기 배플의 일부를 절단한 사시도이다.
도 7 및 도 8은 도 1의 기판 지지 유닛의 상하 이동에 따른 갭 브래킷 및 가이드 링의 기능을 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)를 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 플라즈마 공정 처리를 수행한다. 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 마이크로파 인가 유닛(400), 안테나 판(500), 지파판(600), 유전판(700), 배기 배플(800), 갭 브래킷(910) 그리고 가이드 링(920)을 포함한다.
공정 챔버(100)는 내부에 공간(101)이 형성되며, 내부 공간(101)은 기판(W)처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 공정 챔버(100)는 바디(110)와 커버(120)를 포함한다. 바디(110)는 상면이 개방되며 내부에 공간이 형성된다. 커버(120)는 바디(110)의 상단에 놓이며, 바디(110)의 개방된 상면을 밀폐한다. 커버(120)는 상부 공간이 하부 공간보다 더 큰 반경을 갖도록 하단부 내측이 단차진다.
공정 챔버(100)의 일 측벽에는 기판 유입구(106)가 형성될 수 있다. 기판 유입구(106)는 배기 배플(800)의 아래에 제공된다. 기판 유입구(106)는 기판(W)이 공정 챔버(100) 내부로 출입할 수 있는 통로로 제공된다. 개구는 도어(미도시)에 의해 개폐된다.
공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(131)과 연결된다. 배리 라인(131)을 통한 배기로, 공정 챔버(100)의 내부는 상압보다 낮은 압력으로 유지될 수 있다. 그리고, 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(131)을 통해 외부로 배출될 수 있다.
기판 지지 유닛(200)은 공정 챔버(100)의 내부에 위치하며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 지지 플레이트(210), 리프트 핀(미도시), 히터(220), 지지축(230) 및 구동 부재(240)를 포함한다.
지지 플레이트(210)는 소정의 두께를 가지며, 기판(W) 보다 큰 반경을 갖는 원판으로 제공된다. 지지 플레이트(210)의 상면에는 기판(W)이 놓이는 기판 제공홈(212)이 형성된다. 실시예에 의하면, 지지 플레이트(210)에는 기판(W)을 고정하는 구성이 제공되지 않으며, 기판(W)은 기판 제공홈(212)에 놓인 상태로 공정에 제공된다. 이와 달리, 지지 플레이트(210)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 고정시키는 정전 척으로 제공되거나, 기계적 클램핑 방식으로 기판(W)을 고정시키는 척으로 제공될 수 있다.
리프트 핀은 복수 개 제공되며, 지지 플레이트(210)에 형성된 핀 홀(미도시)들 각각에 위치한다. 리프트 핀들은 핀 홀들을 따라 상하방향으로 이동하며, 기판(W)을 지지 플레이트(210)에 로딩하거나 지지 플레이트(210)에 놓인 기판(W)을 언로딩한다.
히터(220)는 지지 플레이트(210)의 내부에 제공된다. 히터(220)는 나선 형상의 코일로 제공되며, 균일한 간격으로 지지 플레이트(210) 내부에 매설될 수 있다. 히터(220)는 외부 전원(미도시)과 연결되며, 외부 전원에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 지지 플레이트(210)를 거쳐 기판(W)으로 전달되며, 기판(W)을 소정 온도로 가열한다.
지지축(230)은 지지 플레이트(210)의 하부에 위치하며, 지지 플레이트(210)를 지지한다. 지지축(230)은 구동 부재(240)에서 발생된 구동력을 지지 플레이트(210)로 전달한다.
구동 부재(240)는 지지축(230)의 하부와 연결되며, 지지 플레이트(210)를 상하 이동 시키는 구동력을 발생시킨다.
가스 공급 유닛(300)은 공정 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 공정 챔버(100)의 측벽에 형성된 가스 공급홀(105)을 통해 공정 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급할 수 있다.
마이크로파 인가 유닛(400)은 안테나 판(500)으로 마이크로파를 인가한다. 마이크로파 인가 유닛(400)은 마이크로파 발생기(410), 제1도파관(420), 제2도파관(430), 위상 변환기(440), 그리고 매칭 네트워크(450)를 포함한다.
마이크로파 발생기(410)는 마이크로파를 발생시킨다.
제1도파관(420)은 마이크로파 발생기(410)와 연결되며, 내부에 통로가 형성된다. 마이크로파 발생기(410)에서 발생된 마이크로파는 제1도파관(420)을 따라 위상 변환기(440) 측으로 전달된다.
제2도파관(430)은 외부 도체(432) 및 내부 도체(434)를 포함한다.
외부 도체(432)는 제 1 도파관(420)의 끝단에서 수직한 방향으로 아래로 연장되며, 내부에 통로가 형성된다. 외부 도체(432)의 상단은 제 1 도파관(420)의 하단에 연결되고, 외부 도체(432)의 하단은 커버(120)의 상단에 연결된다.
내부 도체(434)는 외부 도체(432) 내에 위치한다. 내부 도체(434)는 원기둥 형상의 로드(rod)로 제공되며, 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 내부 도체(434)의 상단은 위상 변환기(440)의 하단부에 삽입 고정된다. 내부 도체(434)는 아래 방향으로 연장되어 그 하단이 공정 챔버(100)의 내부에 위치한다. 내부 도체(434)의 하단은 안테나 판(500)의 중심에 고정 결합된다. 내부 도체(434)는 안테나 판(500)의 상면에 수직하게 배치된다. 내부 도체(434)는 구리 재질의 로드에 제1도금막과 제2도금막이 순차적으로 코팅되어 제공될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1도금막은 니켈(Ni) 재질이고, 제2도금막은 금(Au) 재질로 제공될 수 있다. 마이크로파는 주로 제1도금막을 통해 안테나 판(500)으로 전파된다.
위상 변환기(440)에서 위상이 변환된 마이크로파는 제2도파관(430)를 따라 안테나 판(500) 측으로 전달된다.
위상 변환기(440)는 제1도파관(420)과 제2도파관(430)이 접속되는 지점에 제공되며, 마이크로파의 위상을 변화시킨다. 위상 변환기(440)는 아래가 뾰족한 콘 형상으로 제공될 수 있다. 위상 변환기(440)는 제1도파관(420)으로부터 전달된 마이크로파를 모드가 변환된 상태로 제2도파관(430)에 전파한다. 위상 변환기(440)는 마이크로파를 TE 모드에서 TEM 모드로 변환시킬 수 있다.
매칭 네트워크(450)는 제1도파관(420)에 제공된다. 매칭 네트워크(450)는 제1도파관(420)을 통해 전파되는 마이크로파를 소정 주파수로 매칭시킨다.
도 3은 안테나 판(500)의 저면을 나타내는 도면이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 안테나 판(500)은 플레이트 형상으로 제공된다. 일 예로, 안테나 판(500)은 두께가 얇은 원판으로 제공될 수 있다. 안테나 판(500)은 지지 플레이트(210)에 대향되도록 배치된다. 안테나 판(500)에는 복수의 슬롯(501)들이 형성된다. 슬롯(501)들은 '×'자 형상으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 슬롯들의 형상 및 배치는 다양하게 변경될 수 있다. 슬롯(501)들은 복수개가 서로 조합되어 복수개의 링 형상으로 배치된다. 이하, 슬롯(501)들이 형성된 안테나 판(500) 의 영역을 제1영역(A1, A2, A3)이라 하고, 슬롯(501)들이 형성되지 않은 안테나 판(500)의 영역을 제2영역(B1, B2, B3)이라 한다. 제1영역(A1, A2, A3)과 제2영역(B1, B2, B3)은 각각 링 형상을 가진다. 제1영역(A1, A2, A3)은 복수개 제공되며, 서로 상이한 반경을 갖는다. 제1영역(A1, A2, A3)들은 동일한 중심을 가지며, 안테나 판(500)의 반경 방향으로 서로 이격되어 배치 된다. 제2영역(B1, B2, B3)은 복수개 제공되며, 서로 상이한 반경을 갖는다. 제2영역(B1, B2, B3)들은 동일한 중심을 가지며, 안테나 판(500)의 반경 방향으로 서로 이격되어 배치된다. 제1영역(A1, A2, A3)은 인접한 제2영역(B1, B2, B3)들 사이에 각각 위치한다. 안테나 판(500)의 중심부에는 홀(502)이 형성된다. 내부 도체(434)는 그 하단이 홀(502)를 관통하여 안테나 판(500)과 결합된다. 마이크로파는 슬롯(501)들을 투과하여 유전판(700)으로 전달된다.
다시 도 2를 참조하면, 지파판(600)은 안테나 판(500)의 상부에 위치하며, 소정 두께를 갖는 원판으로 제공된다. 지파판(600)은 커버(120)의 내측에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 지파판(600)은 알루미나, 석영 등의 유전체로 제공된다. 내부 도체(434)를 통해 수직 방향으로 전파된 마이크로파는 지파판(600)의 반경 방향으로 전파된다. 지파판(600)에 전파된 마이크로파는 파장이 압축되며, 공진된다.
유전판(700)은 안테나 판(500)의 하부에 위치하며, 소정 두께를 갖는 원판으로 제공된다. 유전판(700)은 알루미나, 석영 등의 유전체로 제공된다. 유전판(700)의 저면은 내측으로 만입된 오목면으로 제공된다. 유전판(700)은 저면이 커버(120)의 하단과 동일 높이에 위치할 수 있다. 유전판(700)의 측부는 상단이 하단보다 큰 반경을 갖도록 단차진다. 유전판(700)의 상단은 커버(120)의 단차진 하단부에 놓인다. 유전판(700)의 하단은 커버(120)의 하단부보다 작은 반경을 가지며, 커버(120)의 하단부와 소정 간격을 유지한다. 마이크로파는 유전판(700)을 거쳐 공정 챔버(100) 내부로 방사된다. 방사된 마이크로파의 전계에 의하여 공정 챔버(100) 내에 공급된 공정 가스는 플라스마 상태로 여기된다. 실시 예에 의하면, 지파판(600), 안테나 판(500) 그리고 유전판(700)은 서로 밀착될 수 있다.
도 4는 배기 배플(800)을 나타낸 평면도이다. 도 2 및 도 4를 참조하면, 배기 배플(800)은 링 형상의 판형으로 제공된다. 배기홀(810)들은 배기 배플(800)의 외측 영역에 상하 방향으로 통하도록 제공된다. 배기 배플(800)은 기판 지지 유닛(200)을 둘러싸도록 공정 챔버(100) 내측면에 고정된다. 기판 지지 유닛(200)은 배기 배플(800)의 중심부를 관통하여 상하 이동할 수 있도록 제공된다.
도 5는 갭 브래킷(910)의 일부를 절단한 사시도이다. 도 2 및 도 5를 참조하면, 갭 브래킷(910)은 링 형상으로 제공된다. 갭 브래킷(910)은 바디(912) 및 돌출부(916)을 포함한다. 바디(912)의 하면은 배기 배플(800)의 상면 내측 영역과 대향되도록 제공된다. 돌출부(916)는 링 형상을 가진다. 돌출부(916)는 바디(912)의 내측면의 상단을 둘러싸도록 고정되어 제공된다. 돌출부(916)는 그 하단이 지지 플레이트(210)의 상면 가장자리 영역에 대향되도록 제공된다. 따라서 기판 지지 유닛(200)이 일정 높이 이상 상승 하는 경우, 돌출부(916)는 그 하단이 지지 플레이트(210)의 상면의 가장자리 영역에 지지되어 상승한다. 갭 브래킷(910)은 기판 지지 유닛(200)과 배기 배플(800)간의 갭(Gap)의 상부에 제공됨으로써 공정 가스가 그 갭(Gap)을 통하여 공정 챔버(100) 외부로 배출 되는 것을 방지한다.
도 6은 가이드 링(920)이 제공된 배기 배플(800)을 일부 절단한 사시도이다. 도 2 및 도 6을 참조하면, 가이드 링(920)은 링 형상으로 제공된다. 가이드 링(920)은 그 내측면이 갭 브래킷(910)의 외측면에 인접되고, 갭 브래킷(910)을 둘러싸도록 배기 배플(800) 상면에 고정된다. 가이드 링(920)은 갭 브래킷(910)의 상하 이동을 가이드한다. 가이드 링(920)은 갭 브래킷(910)이 상승하여 바디(912)의 하면과 배기 배플(800)의 상면간 갭(Gap)이 발생된 경우, 가스가 그 갭(Gap)을 통하여 공정 챔버(100) 외부로 배출 되는 것을 방지한다.
도 7 및 도 8은 기판 지지 유닛(200)이 상하 이동하는 경우 공정 가스가 기판 지지 유닛(200)과 배기 배플(800)간 갭(Gap)을 통하여 공정 챔버(100) 외부로 배출되는 것을 방지하는 것을 설명하기 위한 도면들이다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 기판 지지 유닛(200)은 제 1 위치와 제 2 위치간에 상하 이동할 수 있도록 제공된다. 제 1 위치는 배기 배플(800)보다 아래에 위치되고, 제 2 위치는 배기 배플(800)보다 높은 위치에 위치된다.
도 7은 기판 지지 유닛(200)이 제 1 위치에 위치하는 경우를 설명하기 위한 도면이다. 도 7을 참조하면, 기판 지지 유닛(200)이 제 1 위치에 위치하는 경우, 지지 플레이트(210)의 상면은 기판 유입구(106)보다 아래에 위치하게 된다. 따라서 기판(W)은 기판 유입구(106)를 통하여 기판 제공홈(212)에 제공될 수 있다. 이경우 공정 가스는 유입되지 않고, 갭 브래킷(910)은 배기 배플(800)의 상면에 놓여진다.
도 8은 기판 지지 유닛(200)이 제 2 위치에 위치하는 경우를 설명하기 위한 도면이다. 도 8을 참조하면, 제 2 위치는 제 1 위치보다 높은 위치이다. 마이크로파의 전자 온도는 유전판(700)과 멀어질수록 약해지므로 유전판(700)과 가까운 곳의 플라즈마 밀도가 높게 제공된다. 따라서, 플라즈마에 의한 기판(W) 처리를 위해 기판 지지 유닛(200)은 제 2 위치까지 상승한다. 기판 지지 유닛(200)이 제 2 위치에 위치하는 경우, 지지 플레이트(210)의 상면 가장자리 영역은 돌출부(916)의 하단을 지지한다. 따라서, 기판 지지 유닛(200)의 상하 이동에 의해 갭 브래킷(910)이 상하 이동하게 된다. 이 경우, 갭 브래킷(910)의 상승으로 인해 갭 브래킷(910)과 배기 배플(800) 사이에 갭(Gap)이 발생된다. 따라서, 갭 브래킷(910)은 그 하면이 가이드 링(920)의 상단보다 높지 않도록 제공됨으로써, 가이드 링(920)은 공정 가스가 갭 브래킷(910)과 배기 배플(800) 사이에 갭(Gap)으로 배출되는 것을 방지한다. 또한, 갭 브래킷(910)은 공정 가스의 흐름을 배기홀(810)로 유도하여 공정 가스가 갭 브래킷(910)과 배기 배플(800) 사이에 갭(Gap)으로 배출되는 것을 방지한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
W: 기판
100: 공정 챔버
200: 기판 지지 유닛
300: 가스 공급 유닛
400: 마이크로파 인가 유닛
500: 안테나 판
600: 지파판
700: 유전판
800: 배기 배플
910: 갭 브래킷
920: 가이드 링

Claims (8)

  1. 내부에 공간이 형성된 공정 챔버와;
    상기 공정 챔버 내에 배치되며, 기판을 지지하는, 상하 방향 이동이 가능한 기판 지지 유닛과;
    상기 공정 챔버 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛을 감싸도록 제공되며, 복수개의 배기홀들이 형성된 배기 배플과;
    상기 배기 배플의 상면 내측 영역에 제공되고, 상기 기판 지지 유닛과 상기 배기 배플 사이로의 공정 가스의 흐름을 방지하는 갭 브래킷을 포함하되,
    상기 갭 브래킷은,
    상기 기판 지지 유닛과 함께 상하 방향 이동이 가능하도록 제공되며,
    상기 갭 브래킷은,
    상기 배기 배플의 상면 내측 영역과 대향되는 그리고 상기 배기 배플의 상면에 안착되는 바디와;
    상기 기판 지지 유닛의 상면 가장자리 영역과 대향되도록 상기 바디로부터 돌출되고 상기 기판 지지 유닛이 상방향으로 이동될 때 상기 기판 지지 유닛의 상면에 안착되는 돌출부가 제공되는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 지지 유닛의 상부에 배치되며, 복수의 슬롯들이 형성된 안테나 판과;
    상기 안테나 판으로 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 내부에 공간이 형성된 공정 챔버와;
    상기 공정 챔버 내에 배치되며, 기판을 지지하는, 상하 방향 이동이 가능한 기판 지지 유닛과;
    상기 공정 챔버 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛을 감싸도록 제공되며, 복수개의 배기홀들이 형성된 배기 배플과;
    상기 배기 배플의 상면 내측 영역에 제공되고, 상기 기판 지지 유닛과 상기 배기 배플 사이로의 공정 가스의 흐름을 방지하는 갭 브래킷을 포함하되,
    상기 갭 브래킷은,
    상기 기판 지지 유닛과 함께 상하 방향 이동이 가능하도록 제공되며,
    상기 배기 배플의 상면 내측 영역과 대향되는 바디와;
    상기 기판 지지 유닛의 상면의 가장자리 영역과 대향되도록 상기 바디로부터 돌출된 돌출부와;
    상기 갭 브래킷의 상하 이동을 가이드 하는, 가이드 링을 포함하되,
    상기 가이드 링은, 상기 갭 브래킷에 인접되도록 제공되고, 상기 배기 배플의 상면에 고정되는 기판 처리 장치,
  4. 제3항에 있어서,
    상기 갭 브래킷과 상기 가이드 링은, 각각 링 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 기판 지지 유닛은 제 1 위치와 상기 제 1 위치보다 높은 위치인 제 2 위치간에 상하 이동이 가능하되,
    상기 제 1 위치는 상기 배기 배플보다 아래 위치이고,
    상기 제 2 위치는 상기 배기 배플보다 높은 위치인 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제 1 위치는 상기 기판 지지 유닛의 상면에 기판이 유입되는 위치이고,
    상기 제 2 위치는 플라스마에 의해 기판이 공정 처리 되는 위치인 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제 2 위치는 상기 갭 브래킷의 하면이 상기 가이드 링의 상단보다 높지 않은 위치인 기판 처리 장치.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 기판 지지 유닛이 상기 제 1 위치에 위치하는 경우, 상기 기판 지지 유닛의 상면에 기판을 제공할 수 있도록 상기 챔버의 측벽에 제공된 기판 유입구;를 더 포함하는 기판 처리 장치.
KR1020130168180A 2013-12-31 2013-12-31 기판 처리 장치 KR102175082B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130168180A KR102175082B1 (ko) 2013-12-31 2013-12-31 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130168180A KR102175082B1 (ko) 2013-12-31 2013-12-31 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150078635A KR20150078635A (ko) 2015-07-08
KR102175082B1 true KR102175082B1 (ko) 2020-11-05

Family

ID=53791133

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130168180A KR102175082B1 (ko) 2013-12-31 2013-12-31 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102175082B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102467055B1 (ko) * 2015-10-13 2022-11-15 세메스 주식회사 지지 유닛 및 이를 포함하는 베이크 장치
JP6861570B2 (ja) * 2017-04-27 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR102037168B1 (ko) 2017-11-06 2019-10-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 지지 유닛
CN112233962B (zh) * 2020-09-17 2023-08-18 北京北方华创微电子装备有限公司 套装于基座上的收集组件及半导体腔室

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000311798A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Tokyo Electron Ltd マイクロ波プラズマ装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5324026B2 (ja) * 2006-01-18 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の制御方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000311798A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Tokyo Electron Ltd マイクロ波プラズマ装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150078635A (ko) 2015-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20160002543A (ko) 기판 처리 장치
US20150118416A1 (en) Substrate treating apparatus and method
KR102175082B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101757816B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR102175080B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102493574B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102108318B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102240923B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101528457B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102344527B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102278075B1 (ko) 유전판 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101966810B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101966807B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102189872B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101736839B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101736842B1 (ko) 유전판 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101681182B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101991800B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101570170B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101736840B1 (ko) 안테나 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20230073897A (ko) 기판 처리 장치
KR101934983B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101543697B1 (ko) 안테나 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101927918B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20230001336A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right