KR20120077546A - 플라즈마 화학 기상 증착장비 - Google Patents

Abstract

본 발명은 이너 자켓 및 에지 프레임을 개선한 플라즈마 화학 기상 증착장비에 관한 것이다. 본 발명의 플라즈마 화학 기상 증착 장비는 가스 주입부와 가스 배출부를 포함하는 챔버를 구비하고, 상기 챔버는, 상기 가스 주입부를 통해 주입된 가스를 균일하게 분산하여 내보내는 샤워 헤드; 상기 가스를 플라즈마 입자들로 분해하기 위해 고주파 전원을 인가하는 고주파 전원부; 박막을 형성할 제1 기판 또는 제2 기판이 안착되는 서셉터; 상기 서셉터에 안착된 제1 기판의 가장자리를 덮는 제1 에지 프레임; 상기 서셉터에 안착된 제2 기판의 가장자리를 덮는 제2 에지 프레임; 및 상기 챔버의 측벽에 설치되어 상기 제1 및 제2 에지 프레임이 위치하는 오목하게 형성된 단턱면을 포함하는 이너 자켓을 포함하고, 상기 제1 기판은 상기 제2 기판보다 큰 것을 특징으로 한다.

Description

플라즈마 화학 기상 증착장비{PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}

본 발명은 이너 자켓 및 에지 프레임을 개선한 플라즈마 화학 기상 증착장비에 관한 것이다.

액정표시장치는 경량, 박형, 저소비 전력구동 등의 특징으로 인해 그 응용범위가 점차 넓어지고 있는 추세에 있다. 액정표시장치는 액정셀에 인가되는 전계를 제어하여 백라이트 유닛으로부터 입사되는 빛을 변조함으로써 화상을 표시한다. 최근 액정표시장치는 액정셀에 인가되는 전계를 제어하기 위한 스위칭 소자로 박막트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)를 사용하고 있다.

액정표시장치의 박막트랜지스터 어레이 기판을 제조하는 공정 중 게이트 절연막, 반도체층, 보호막 등을 증착하는 공정은 플라즈마 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD) 장비를 이용하여 박막을 형성한다. 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD) 장비는 증착시키고자 하는 주입가스를 고주파를 이용하여 이온(ion)과 라디칼(radiacal)을 포함하는 플라즈마 입자들로 분해하고, 분해된 플라즈마 입자들을 기판에 증착되어 박막을 형성한다.

플라즈마 화학 기상 증착(PECVD) 장비는 기판(substrate)의 가장자리를 덮는 에지 프레임(Edge Frame)을 포함한다. 에지 프레임은 플라즈마 입자들이 기판에 증착될 때, 기판의 가장자리를 덮어 플라즈마 입자들이 바로 하부로 이동하는 것을 방지한다. 에지 프레임으로 인하여, 플라즈마 입자들은 이너 자켓과 에지 프레임 사이에 형성된 공간을 통해 천천히 하부로 배출되므로, 기판의 가장자리에서 박막의 균일도를 높일 수 있다. 따라서, 에지 프레임이 없다면, 플라즈마 입자들이 기판의 가장자리에서 바로 하부로 이동하므로, 기판의 가장자리에서 박막의 균일도가 저하된다.

플라즈마 화학 기상 증착(PECVD) 장비는 기판의 크기에 따라 설계된다. 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD) 장비의 설계에 고려된 기판보다 작은 크기의 기판에 박막을 형성하는 경우, 에지 프레임이 기판이 안착되는 서셉터(susceptor)의 가장자리 일부를 덮지 못하므로, 서셉터(susceptor)의 가장자리 일부가 노출된다. 노출된 서셉터(susceptor)의 가장자리 일부는 플라즈마 입자들에 의해 아킹(arcing)이 발생하고, 이로 인해 기생 플라즈마가 발생한다. 따라서, 박막 균일도가 저하될 뿐만 아니라, 심각한 전극 손상을 일으키는 문제가 발생한다.

본 발명은 플라즈마 화학 기상 증착 장비의 설계에 고려된 기판보다 작은 크기의 기판에도 균일한 박막을 형성할 수 있는 플라즈마 화학 기상 증착 장비를 제공한다.

본 발명의 플라즈마 화학 기상 증착 장비는 가스 주입부와 가스 배출부를 포함하는 챔버를 구비하고, 상기 챔버는, 상기 가스 주입부를 통해 주입된 가스를 균일하게 분산하여 내보내는 샤워 헤드; 상기 가스를 플라즈마 입자들로 분해하기 위해 고주파 전원을 인가하는 고주파 전원부; 박막을 형성할 제1 기판 또는 제2 기판이 안착되는 서셉터; 상기 서셉터에 안착된 제1 기판의 가장자리를 덮는 제1 에지 프레임; 상기 서셉터에 안착된 제2 기판의 가장자리를 덮는 제2 에지 프레임; 및 상기 챔버의 측벽에 설치되어 상기 제1 및 제2 에지 프레임이 위치하는 오목하게 형성된 단턱면을 포함하는 이너 자켓을 포함하고, 상기 제1 기판은 상기 제2 기판보다 큰 것을 특징으로 한다.

상기 제1 에지 프레임은, 상기 이너 자켓의 단턱면에서 상기 제1 에지 프레임을 지지하는 제1 본체부; 및 상기 제1 본체부의 상단에서 직각으로 형성되어 상기 제1 기판의 가장자리를 덮고, 상기 플라즈마 입자들을 포함한 반응 가스를 하부로 이동시키는 제1 홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 제2 에지 프레임은, 상기 이너 자켓의 단턱면에서 상기 제1 에지 프레임을 지지하는 제2 본체부; 및 상기 제2 본체부의 상단에서 직각으로 형성되어 상기 제2 기판의 가장자리를 덮고, 상기 제1 본체부와 상기 제1 기판 덮개부를 삽입할 수 있는 제2 홀을 포함하는 제2 기판 덮개부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 제1 및 제2 에지 프레임은 가운데가 개방된 사각판 형상으로 형성되며,상기 제1 에지 프레임의 코너들을 제외한 부분에는 상기 제1 홀이 형성되고, 상기 제2 에지 프레임의 코너들을 제외한 부분에는 상기 제2 홀이 형성된 것을 특징으로 한다.

상기 제1 본체부는 상기 제2 본체부보다 상기 서셉터에 가깝게 위치하는 것을 특징으로 한다.

상기 제1 본체부의 두께와 상기 제2 본체부의 두께는 동일하고, 상기 제1 본체부의 두께와 상기 제2 본체부의 두께의 합은 상기 이너 자켓의 단턱면의 두께를 넘지 않는 것을 특징으로 한다.

상기 서셉터는, 상기 제1 기판에 박막을 형성하는 제1 모드의 경우 상기 제1 에지 프레임까지 상승하고, 상기 제2 기판에 박막을 형성하는 제2 모드의 경우 상기 제2 에지 프레임까지 상승하는 것을 특징으로 한다.

플라즈마 화학 기상 증착 장비는 상기 제1 및 상기 제2 모드에 따라 상기 서셉터의 상승을 다르게 제어하는 서셉터 제어부를 더 포함한다.

본 발명은 제1 기판의 가장자리를 덮는 제1 에지 프레임과 제1 기판보다 크기가 작은 제2 기판의 가장자리를 덮는 제2 에지 프레임을 포함하고, 제1 기판에 박막 증착시 제1 에지 프레임을 이용하고, 제2 기판에 박막 증착시 제2 에지 프레임을 이용한다. 그 결과, 본 발명은 플라즈마 화학 기상 증착 장비의 설계에 고려된 기판과 그 기판보다 작은 크기의 기판에 균일한 박막을 형성할 수 있다.

도 1a는 박막 증착 전에 플라즈마 화학 기상 증착 장비를 보여주는 단면도이다.
도 1b는 제1 에지 프레임을 이용하여 박막을 증착하는 경우 플라즈마 화학 기상 증착 장비를 보여주는 단면도이다.
도 1c은 제2 에지 프레임을 이용하여 박막을 증착하는 경우 플라즈마 화학 기상 증착 장비를 보여주는 단면도이다.
도 2a는 도 1a의 A 부분을 상세히 보여주는 사시도이다.
도 2b는 도 1b의 B 부분을 상세히 보여주는 사시도이다.
도 2c는 도 1c의 C 부분을 상세히 보여주는 사시도이다.
도 3은 이너 자켓과 제1 및 제2 에지 프레임을 상세히 보여주는 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 제1 및 제2 에지 프레임의 평면도이다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소들의 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것으로, 실제 제품의 명칭과는 상이할 수 있다.

도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 화학 기상 증착 장비를 보여주는 단면도이다. 도 2a 내지 도 2c는 플라즈마 화학 기상 증착 장비의 일부를 보여주는 사시도이다. 도 1a에는 박막 증착 전에 플라즈마 화학 기상 증착 장비가 나타나 있고, 도 1b에는 제1 에지 프레임(108)을 이용하여 박막을 증착하는 경우 플라즈마 화학 기상 증착 장비가 나타나 있으며, 도 1c에는 제2 에지 프레임(109)을 이용하여 박막을 증착하는 경우 플라즈마 화학 기상 증착 장비가 나타나 있다. 도 2a에는 도 1a의 A 부분이 상세히 나타나 있고, 도 2b에는 도 1b의 B 부분이 상세히 나타나 있으며, 도 2c에는 도 1c의 C 부분이 상세히 나타나 있다.

도 1a 내지 도 1c, 및 도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 플라즈마 화학 기상 증착 장비는 가스 주입부(101)와 가스 배출구(106)를 포함하는 챔버(Chamber)(110)로 구성된다. 챔버(110)는 샤워 헤드(Shower Head)(103), 서셉터(Susceptor)(104), 가스 배출구(106), 이너 자켓(Inner Jacket)(107), 제1 에지 프레임(Edge Frame)(108), 및 제2 에지 프레임(109)을 포함한다.

플라즈마 화학 기상 증착 장비의 플라즈마 증착을 위해, 먼저 가스 주입부(101)를 통해 기판에 증착될 물질이 챔버(110) 내의 샤워 헤드(103)로 주입된다. 샤워 헤드(103)는 가스 주입부(101)를 통해 주입된 가스를 챔버(110) 내부에 균일하게 분산하여 내보낸다. 이때, 고주파 전원부(102)는 주입된 가스를 플라즈마 입자들로 분해하기 위한 고주파를 인가한다. 서셉터(104) 상에 안착된 기판에는 플라즈마 입자들이 박막 형태로 증착된다. 가스 배출구(106)는 박막 증착에 사용된 플라즈마 입자들을 포함한 반응 가스를 배출한다.

서셉터(104)에는 제1 기판(105a) 및 제2 기판(105b)이 안착될 수 있다. 제1 기판(105a)의 크기는 제2 기판(105b)보다 크다. 예를 들어, 제1 기판(105a)은 8세대 기판이고, 제2 기판(105b)은 7세대 기판일 수 있다. 8세대 기판은 2200×2500mm이고, 7세대 기판은 1950×2250mm으로 알려져 있다. 서셉터(104)는 상승 또는 하강할 수 있도록 형성된다.

서셉터(104)는 제1 기판(105a)에 박막을 형성하는 제1 모드에서 도 1b 및 도 2b와 같이 제1 에지 프레임(108)까지 상승한다. 서셉터(104)는 제2 기판(105b)에 박막을 형성하는 제2 모드에서 도 1c 및 도 2c와 같이 제2 에지 프레임(109)까지 상승한다.

서셉터 제어부는 제1 및 제2 모드에 따라 서셉터(104)의 상승을 다르게 제어한다. 서셉터 제어부에는 제1 모드에서 제1 에지 프레임(108)까지 서셉터(104)를 상승시키도록 제어하고, 제2 모드에서 미리 설정된 높이인 제2 에지 프레임(109)까지 서셉터(104)를 상승시키도록 제어한다. 서셉터 제어부는 스위치 등으로 구현될 수 있고, 사용자는 서셉터 제어부를 통해 제1 모드와 제2 모드 중 어느 하나를 선택할 수 있다.

이너 자켓(107)은 챔버(110)의 측벽에 설치되어 챔버(110) 측벽을 보호한다. 이너 자켓(107)은 제1 및 제2 에지 프레임(108, 109)이 위치하도록 오목하게 형성된 단턱면(s)을 포함한다. 제1 및 제2 에지 프레임(108, 109)은 이너 자켓(107)의 단턱면(s)에 위치하여 기판의 가장자리를 덮는다.

도 3은 이너 자켓과 제1 및 제2 에지 프레임을 상세히 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하여 이너 자켓(107)과 제1 및 제2 에지 프레임(108, 109)에 대하여 상세히 설명한다.

제1 에지 프레임(108)은 도 3과 같이 제1 본체부(108a)와 제1 기판 덮개부(108b)를 포함한다. 제1 기판 덮개부(108b)의 단면은 제1 본체부(108a)의 상단에서부터 직각으로 형성된다. 제1 본체부(108a)는 이너 자켓(107)의 단턱면에서 제1 에지 프레임(108)을 지지하는 역할을 한다. 제1 기판 덮개부(108b)는 제1 기판(105a)의 가장자리를 덮는 역할을 한다. 제1 개판 덮개부(108b)는 플라즈마 입자들을 포함한 반응 가스를 하부로 이동시키 위한 제1 홀(h1)을 포함한다.

제2 에지 프레임(109)은 도 3과 같이 제2 본체부(109a)와 제2 기판 덮개부(109b)를 포함한다. 제2 기판 덮개부(109b)는 도 1a 내지 도 1c와 같이 제2 본체부(109a)의 상단에서부터 직각으로 형성된다. 제2 본체부(109a)는 이너 자켓(107)의 단턱면에서 제2 에지 프레임(109)을 지지하는 역할을 한다. 제2 기판 덮개부(109b)는 제2 기판(105b)의 가장자리를 덮는 역할을 한다. 제2 기판 덮개부(109b)는 제1 에지 프레임(108)의 제1 본체부(108a) 및 제1 기판 덮개부(108b)가 삽입되는 제2 홀(h2)을 포함한다.

제2 본체부(109a)는 제1 본체부(108a)보다 길게 형성된다. 제2 기판 덮개부(109b)는 제1 기판 덮개부(109a)보다 길게 형성된다. 따라서, 제2 에지 프레임(109)이 제1 에지 프레임(108)보다 서셉터(104)에 안착되는 기판의 가장자리를 더 많이 덮을 수 있다.

또한, 이너 자켓(107)의 단턱면에서 제1 본체부(108a)는 제2 본체부(109a)보다 서셉터(104)에 가깝게 위치한다. 제1 본체부(108a)의 두께(d1)와 제2 본체부(109a)의 두께(d2)는 동일하게 형성될 수 있고, 제1 본체부(108a)의 두께(d1)와 제2 본체부(109a)의 두께(d2)의 합은 단턱면의 두께(ds)를 넘지 않는다.

도 4a 및 도 4b는 제1 및 제2 에지 프레임의 평면도이다. 도 4a 및 도 4b를 참조하여 제1 및 제2 에지 프레임(108, 109)에 대하여 상세히 설명한다.

제1 에지 프레임(108)은 도 4a와 같이 가운데에 개방부를 가지는 사각판 형상이다. 제1 에지 프레임(108)의 사각 코너(c1)들을 제외한 부분에는 제1 에지 프레임(108)을 삽입할 수 있는 제1 홀(h1)이 형성된다. 박막 증착 공정 전에, 제1 에지 프레임(108)은 도 1a 및 도 2a와 같이 이너 자켓(107)의 단턱면(s)에 위치한다. 제1 기판(105a)을 박막 증착하는 경우, 서셉터(104)가 제1 에지 프레임(108)까지 상승하므로, 제1 에지 프레임(108)은 도 1b 및 도 2b와 같이 제1 기판(105a)의 가장자리를 덮는다. 제2 기판(105b)을 박막 증착하는 경우, 서셉터(104)가 제2 에지 프레임(108)까지 상승하므로, 제1 에지 프레임(108)은 도 1c 및 도 2c와 같이 서셉터(104)에 의해 상승하여 제2 에지 프레임(109)의 제2 홀(h2)에 삽입된다.

서셉터(104)에 제1 기판(105a)이 안착하는 경우, 제1 에지 프레임(108)은 제1 기판(105a)의 가장자리를 덮어 플라즈마 입자들을 포함한 반응 가스가 바로 하부로 이동하는 것을 방지한다. 따라서, 플라즈마 입자들을 포함한 반응 가스는 제1 에지 프레임(108)의 제1 기판 덮개부(108a)에 형성된 제1 홀(h1)을 통해 천천히 하부로 배출되므로, 제1 기판(105a)의 가장자리에서 박막의 균일도를 높일 수 있다.

제2 에지 프레임(109)은 도 4b와 같이 가운데에 개방부를 가지는 사각판 형상이다. 제2 에지 프레임(109)의 사각 코너(c2)들을 제외한 부분에는 제1 에지 프레임(108)을 삽입할 수 있는 제2 홀(h2)이 형성된다. 박막 증착 공정 전에, 제2 에지 프레임(109)은 도 1a 및 도 2a와 같이 이너 자켓(107)의 단턱면(s)에 위치한다. 제1 기판(105a)을 박막 증착하는 경우에도, 서셉터(104)가 제1 에지 프레임(108)까지만 상승하므로, 제2 에지 프레임(109)은 도 1b 및 도 2b와 같이 이너 자켓(107)의 단턱면(s)에 위치한다. 제2 기판(105b)을 박막 증착하는 경우, 서셉터(104)가 제2 에지 프레임(108)까지 상승하므로, 제2 에지 프레임(109)은 도 1c 및 도 2c와 같이 제1 기판(105a)의 가장자리를 덮는다. 이때, 제1 에지 프레임(108)은 서셉터(104)에 의해 상승하여 제2 에지 프레임(109)의 제2 홀(h2)에 삽입된다.

서셉터(104)에 제2 기판(105b)이 안착하는 경우, 제2 에지 프레임(109)은 제2 기판(105b)의 가장자리를 덮어 플라즈마 입자들을 포함한 반응 가스가 바로 하부로 이동하는 것을 방지한다. 플라즈마 입자들을 포함한 반응 가스가 제1 에지 프레임(108)의 제1 기판 덮개부(108a)에 형성된 제1 홀(h1)을 통해 천천히 하부로 배출되므로, 제2 기판(105b)의 가장자리에서 박막의 균일도를 높일 수 있다.

또한, 서셉터(104)에 제2 기판(105b)이 안착하는 경우라도, 제2 에지 프레임(109)이 서셉터(susceptor)의 가장자리 일부를 덮지 못하는 경우가 발생하지 않는다. 따라서, 노출된 서셉터(susceptor)의 가장자리 일부에 플라즈마 입자들에 의해 아킹(arcing)이 발생하고, 이로 인해 기생 플라즈마가 발생함으로써, 박막 균일도가 저하되고, 심각한 전극 손상을 일으키는 문제가 더이상 발생하지 않는다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 제1 기판의 가장자리를 덮는 제1 에지 프레임과 제1 기판보다 크기가 작은 제2 기판의 가장자리를 덮는 제2 에지 프레임을 포함한다. 본 발명은 제1 기판에 박막 증착시 제1 에지 프레임을 이용하고, 제2 기판에 박막 증착시 제2 에지 프레임을 이용한다. 그 결과, 본 발명은 플라즈마 화학 기상 증착 장비의 설계에 고려된 기판과 그 기판보다 작은 크기의 기판에 균일한 박막을 형성할 수 있다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

101: 가스 주입부 102: 고주파 전원부
103: 샤워 헤드 104: 서셉터
105a: 제1 기판 105b: 제2 기판
106: 가스 배출구 107: 이너 자켓
108: 제1 에지 프레임 108a: 제1 본체부
108b: 제1 기판 덮개부 109: 제2 에지 프레임
109a: 제2 본체부 109b: 제2 기판 덮개부
110: 챔버

Claims (8)

1. 가스 주입부와 가스 배출부를 포함하는 챔버를 구비하고,
   상기 챔버는,
   상기 가스 주입부를 통해 주입된 가스를 균일하게 분산하여 내보내는 샤워 헤드;
   상기 가스를 플라즈마 입자들로 분해하기 위해 고주파 전원을 인가하는 고주파 전원부;
   박막을 형성할 제1 기판 또는 제2 기판이 안착되는 서셉터;
   상기 서셉터에 안착된 제1 기판의 가장자리를 덮는 제1 에지 프레임;
   상기 서셉터에 안착된 제2 기판의 가장자리를 덮는 제2 에지 프레임; 및
   상기 챔버의 측벽에 설치되어 상기 제1 및 제2 에지 프레임이 위치하는 오목하게 형성된 단턱면을 포함하는 이너 자켓을 포함하고,
   상기 제1 기판은 상기 제2 기판보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장비.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 제1 에지 프레임은,
   상기 이너 자켓의 단턱면에서 상기 제1 에지 프레임을 지지하는 제1 본체부; 및
   상기 제1 본체부의 상단에서 직각으로 형성되어 상기 제1 기판의 가장자리를 덮고, 상기 플라즈마 입자들을 포함한 반응 가스를 하부로 이동시키는 제1 홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장비.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 제2 에지 프레임은,
   상기 이너 자켓의 단턱면에서 상기 제1 에지 프레임을 지지하는 제2 본체부; 및
   상기 제2 본체부의 상단에서 직각으로 형성되어 상기 제2 기판의 가장자리를 덮고, 상기 제1 본체부와 상기 제1 기판 덮개부를 삽입할 수 있는 제2 홀을 포함하는 제2 기판 덮개부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장비.
4. 제 3 항에 있어서,
   상기 제1 및 제2 에지 프레임은 가운데가 개방된 사각판 형상으로 형성되며,
   상기 제1 에지 프레임의 코너들을 제외한 부분에는 상기 제1 홀이 형성되고, 상기 제2 에지 프레임의 코너들을 제외한 부분에는 상기 제2 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장비.
5. 제 3 항에 있어서,
   상기 제1 본체부는 상기 제2 본체부보다 상기 서셉터에 가깝게 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장비.
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 제1 본체부의 두께와 상기 제2 본체부의 두께는 동일하고, 상기 제1 본체부의 두께와 상기 제2 본체부의 두께의 합은 상기 이너 자켓의 단턱면의 두께를 넘지 않는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장비.
7. 제 1 항에 있어서,
   상기 서셉터는,
   상기 제1 기판에 박막을 형성하는 제1 모드의 경우 상기 제1 에지 프레임까지 상승하고, 상기 제2 기판에 박막을 형성하는 제2 모드의 경우 상기 제2 에지 프레임까지 상승하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장비.
8. 제 7 항에 있어서,
   상기 제1 및 상기 제2 모드에 따라 상기 서셉터의 상승을 다르게 제어하는 서셉터 제어부를 더 포함하는 플라즈마 화학 기상 증착 장비.

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