JP5944429B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 - Google Patents
基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5944429B2 JP5944429B2 JP2014059223A JP2014059223A JP5944429B2 JP 5944429 B2 JP5944429 B2 JP 5944429B2 JP 2014059223 A JP2014059223 A JP 2014059223A JP 2014059223 A JP2014059223 A JP 2014059223A JP 5944429 B2 JP5944429 B2 JP 5944429B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- processing
- mounting table
- space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 303
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 79
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 40
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 21
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 18
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 377
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 47
- 239000010408 film Substances 0.000 description 44
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 29
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 19
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 14
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 6
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 3
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
- C23C16/45504—Laminar flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
基板を処理する処理空間と、
前記基板を載置する基板載置台と、
前記基板載置台を昇降させ前記基板を搬送位置と前記処理空間内の基板処理位置との間で昇降させる昇降機構と、
前記処理空間内にガスを供給するガス供給系と、
前記処理空間の側方周囲を囲むように設けられた空間を持ち、前記処理空間内に供給されたガスが流入する排気バッファ室と、
前記排気バッファ室内に流入したガスを排気するガス排気系と、
前記基板の外周側に配置されるコンダクタンス調整プレートと、を備え、
前記コンダクタンス調整プレートは、
前記基板が前記基板処理位置にあるときは内周側が前記基板載置台によって支持され、前記基板が前記搬送位置にあるときは外周側が前記基板載置台以外の部位によって支持されるように形成されており、
前記処理空間から前記排気バッファ室へのガス流路に面する内周側端縁にR状部分またはテーパ傾斜状部分を有する
基板処理装置が提供される。
基板が載置された基板載置台を上昇させ、前記基板を処理空間の基板処理位置まで上昇させると共に、前記基板の外周側に配置された、内周側端縁にR状部分またはテーパ傾斜状部分を有するコンダクタンス調整プレートの内周側を前記基板載置台で支持する基板載置台上昇工程と、
前記基板の処理空間内にガスを供給するガス供給工程と、
前記処理空間内に供給されたガスを、前記コンダクタンス調整プレートが配置されたガス流路を介し、前記処理空間の側方周囲を囲むように設けられた空間を持つ排気バッファ室に流入させた後に、前記排気バッファ室内から排気するガス排気工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
基板が載置された基板載置台を上昇させ、前記基板を処理空間の基板処理位置まで上昇させると共に、前記基板の外周側に配置された、内周側端縁にR状部分またはテーパ傾斜状部分を有するコンダクタンス調整プレートの内周側を前記基板載置台で支持する基板載置台上昇手順と、
前記基板の処理空間内にガスを供給するガス供給手順と、
前記処理空間内に供給されたガスを、前記コンダクタンス調整プレートが配置されたガス流路を介し、前記処理空間の側方周囲を囲むように設けられた空間を持つ排気バッファ室に流入させた後に、前記排気バッファ室内から排気するガス排気手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
基板が載置された基板載置台を上昇させ、前記基板を処理空間の基板処理位置まで上昇させると共に、前記基板の外周側に配置された、内周側端縁にR状部分またはテーパ傾斜状部分を有するコンダクタンス調整プレートの内周側を前記基板載置台で支持する基板載置台上昇手順と、
前記基板の処理空間内にガスを供給するガス供給手順と、
前記処理空間内に供給されたガスを、前記コンダクタンス調整プレートが配置されたガス流路を介し、前記処理空間の側方周囲を囲むように設けられた空間を持つ排気バッファ室に流入させた後に、前記排気バッファ室内から排気するガス排気手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
以下に、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
本実施形態に係る基板処理装置は、処理対象となる基板に対して一枚ずつ処理を行う枚葉式の基板処理装置として構成されている。
処理対象となる基板としては、例えば、半導体装置(半導体デバイス)が作り込まれる半導体ウエハ基板(以下、単に「ウエハ」という。)が挙げられる。
このような基板に対して行う処理としては、エッチング、アッシング、成膜処理等が挙げられるが、本実施形態では特に成膜処理を行うものとする。
図1に示すように、基板処理装置100は処理容器202を備えている。処理容器202は、例えば横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、処理容器202は、例えばアルミニウム(Al)やステンレス(SUS)などの金属材料により構成されている。処理容器202内には、ウエハ200を処理する処理空間201と、ウエハ200を処理空間201に搬送する際にウエハ200が通過する搬送空間203とが形成されている。処理容器202は、上部容器202aと下部容器202bで構成される。上部容器202aと下部容器202bの間には仕切り板204が設けられる。
処理空間201の下部には、ウエハ200を支持する基板支持部210が設けられている。基板支持部210は、ウエハ200を載置する基板載置面211と、基板載置面211を表面に持つ基板載置台212と、基板載置台212に内包された加熱源としてのヒータ213と、を主に有する。基板載置台212には、リフトピン207が貫通する貫通孔214が、リフトピン207と対応する位置にそれぞれ設けられている。
具体的には、基板載置台212をウエハ搬送位置まで下降させた時には、リフトピン207の上端部が基板載置面211の上面から突出して、リフトピン207がウエハ200を下方から支持するようになっている。また、基板載置台212をウエハ処理位置まで上昇させたときには、リフトピン207は基板載置面211の上面から埋没して、基板載置面211がウエハ200を下方から支持するようになっている。なお、リフトピン207は、ウエハ200と直接触れるため、例えば、石英やアルミナなどの材質で形成することが望ましい。
処理空間201の上部(ガス供給方向上流側)には、ガス分散機構としてのシャワーヘッド230が設けられている。シャワーヘッド230の蓋231にはガス導入孔241が設けられ、当該ガス導入孔241には後述するガス供給系が接続される。ガス導入孔241から導入されるガスは、シャワーヘッド230のバッファ空間232に供給される。
シャワーヘッド230の蓋231には、整合器251、高周波電源252が接続されている。そして、高周波電源252、整合器251でインピーダンスを調整することで、シャワーヘッド230、処理空間201にプラズマが生成されるようになっている。
シャワーヘッド230の蓋231に設けられたガス導入孔241には、共通ガス供給管242が接続されている。共通ガス供給管242は、ガス導入孔241への接続によって、シャワーヘッド230内のバッファ空間232に連通することになる。また、共通ガス供給管242には、第一ガス供給管243aと、第二ガス供給管244aと、第三ガス供給管245aと、が接続されている。第二ガス供給管244aは、リモートプラズマユニット(RPU)244eを介して共通ガス供給管242に接続される。
第一ガス供給管243aには、上流方向から順に、原料ガス供給源243b、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)243c、及び開閉弁であるバルブ243dが設けられている。そして、第一ガス供給管243aからは、原料ガスが、MFC243c、バルブ243d、共通ガス供給管242を介して、シャワーヘッド230内に供給される。
第二ガス供給管244aには、上流方向から順に、反応ガス供給源244b、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)244c、及び開閉弁であるバルブ244dが設けられている。第二ガス供給管244aのバルブ244dよりも下流側にはRPU244eが設けられている。そして、第二ガス供給管244aからは、反応ガスが、MFC244c、バルブ244d、RPU244e、共通ガス供給管242を介して、シャワーヘッド230内に供給される。反応ガスは、リモートプラズマユニット244eによりプラズマ状態とされ、ウエハ200上に照射される。
第三ガス供給管245aには、上流方向から順に、パージガス供給源245b、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)245c、及び開閉弁であるバルブ245dが設けられている。そして、第三ガス供給管245aからは、基板処理工程では、パージガスとしての不活性ガスが、MFC245c、バルブ245d、共通ガス供給管242を介して、シャワーヘッド230内に供給される。また、クリーニング工程では、必要に応じて、クリーニングガスのキャリアガス又は希釈ガスとしての不活性ガスが、MFC245c、バルブ245d、共通ガス供給管242を介して、シャワーヘッド230内に供給される。
第三ガス供給管245aのバルブ245dよりも下流側には、クリーニングガス供給管248aの下流端が接続されている。クリーニングガス供給管248aには、上流方向から順に、クリーニングガス供給源248b、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)248c、及び開閉弁であるバルブ248dが設けられている。そして、第三ガス供給管245aからは、クリーニング工程では、クリーニングガスが、MFC248c、バルブ248d、共通ガス供給管242を介して、シャワーヘッド230内に供給される。
処理容器202の雰囲気を排気する排気系は、処理容器202に接続された複数の排気管を有する。具体的には、搬送空間203に接続される排気管(第一排気管)261と、バッファ空間232に接続される排気管(第二排気管)262と、後述する排気バッファ室208に接続される排気管(第三排気管)263と、を有する。また、各排気管261,262,263の下流側には、排気管(第四排気管)264が接続される。
第一排気管261は、搬送空間203の側面あるいは底面に接続される。第一排気管261には、高真空あるいは超高真空を実現する真空ポンプとして、ターボ分子ポンプ(TMP:Turbo Molecular Pump)265が設けられる。第一排気管261において、TMP265の下流側には、バルブ266が設けられる。また、第一排気管261において、TMP265の上流側には、バルブ267が設けられる。また、第一排気管261において、バルブ267の上流側には、バイパス管261aが接続される。バイパス管261aには、バルブ261bが設けられる。バイパス管261aの下流側は、第四排気管264に接続される。
第二排気管262は、バッファ空間232の上面又は側面に接続される。つまり、第二排気管262は、シャワーヘッド230に接続され、これによりシャワーヘッド230内のバッファ空間232に連通することになる。また、第二排気管262には、バルブ268が設けられる。
第三排気管263は、排気バッファ室208の上面又は側方に接続される。第三排気管263には、排気バッファ室208に連通する処理空間201内を所定の圧力に制御する圧力制御器であるAPC(Auto Pressure Controller)269が設けられる。APC269は、開度調整可能な弁体(図示せず)を有し、後述するコントローラ280からの指示に応じて第三排気管263のコンダクタンスを調整する。第三排気管263において、APC269の上流側には、バルブ271が設けられる。
第三排気管263が接続される排気バッファ室208は、処理空間201内のガスを側方周囲に向かって排出する際のバッファ空間として機能するものである。そのために、排気バッファ室208は、処理空間201の側方周囲を囲むように設けられた空間を持つ。この空間は、上部容器202aによって空間の天井面及び両側壁面が形成され、仕切り板204によって空間の床面が形成され、更に内周側が処理空間201と連通するように形成されている。つまり、排気バッファ室208は、処理空間201の外周側に平面視リング状(円環状)に形成された空間を有している。
処理空間201と排気バッファ室208との間のガス流路には、そのガス流路のコンダクタンスを調整するためのコンダクタンス調整プレート209が配置されている。ここでいう「コンダクタンス」は、ガスの流れやすさを表すもので、具体的にはガス流路をガスが流れるときに生じる抵抗の逆数に相当する。
基板処理装置100は、基板処理装置100の各部の動作を制御するコントローラ280を有している。コントローラ280は、演算部281及び記憶部282を少なくとも有する。コントローラ280は、上記した各構成に接続され、上位コントローラや使用者の指示に応じて記憶部282からプログラムやレシピを呼び出し、その内容に応じて各構成の動作を制御する。具体的には、コントローラ280は、ゲートバルブ205、昇降機構218、ヒータ213、高周波電源252、整合器251、MFC243c〜248c、バルブ243d〜248d、APC269、TMP265、DP272、バルブ266,267,268,271,261b等の動作を制御する。
次に、半導体装置の製造方法の一工程として、基板処理装置100を使用して、ウエハ200上に薄膜を形成する工程について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置100を構成する各部の動作はコントローラ280により制御される。
基板処理装置100では、先ず、基板載置台212をウエハ200の搬送位置まで下降させることにより、基板載置台212の貫通孔214にリフトピン207を貫通させる。その結果、リフトピン207が、基板載置台212表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。続いて、ゲートバルブ205を開いて搬送空間203を移載室(図示せず)と連通させる。そして、この移載室からウエハ移載機(図示せず)を用いてウエハ200を搬送空間203に搬入し、リフトピン207上にウエハ200を移載する。これにより、ウエハ200は、基板載置台212の表面から突出したリフトピン207上に水平姿勢で支持される。
基板搬入・載置工程(S101)の後は、次に、成膜工程(S102)を行う。以下、図3を参照し、成膜工程(S102)について詳細に説明する。なお、成膜工程(S102)は、異なる処理ガスを交互に供給する工程を繰り返すサイクリック処理である。
成膜工程(S102)では、先ず、原料ガス供給工程(S201)を行う。原料ガス供給工程(S201)に際しては、原料(TiCl4)を気化させて原料ガス(すなわちTiCl4ガス)を生成(予備気化)させておく。原料ガスの予備気化は、上述した基板搬入・載置工程(S101)と並行して行ってもよい。原料ガスを安定して生成させるには、所定の時間を要するからである。
原料ガスの供給を停止した後は、第三ガス供給管245aから不活性ガス(N2ガス)を供給し、シャワーヘッド230及び処理空間201のパージを行う。このときも、バルブ271は開状態とされてAPC269によって処理空間201の圧力が所定の圧力となるように制御される。一方、バルブ271以外のガス排気系のバルブは全て閉状態とされる。これにより、原料ガス供給工程(S201)でウエハ200に吸着できなかった原料ガスは、DP272により、排気管263及び排気バッファ室208を介して処理空間201から除去される。
シャワーヘッド230及び処理空間201のパージが完了したら、続いて、反応ガス供給工程(S203)を行う。反応ガス供給工程(S203)では、バルブ244dを開けて、リモートプラズマユニット244e、シャワーヘッド230を介して、処理空間201内への反応ガス(NH3ガス)の供給を開始する。このとき、反応ガスの流量が所定流量となるように、マスフローコントローラ244cを調整する。反応ガスの供給流量は、例えば1000〜10000sccmである。
反応ガスの供給を停止した後は、パージ工程(S204)を行って、シャワーヘッド230及び処理空間201に残留している反応ガスや反応副生成物を除去する。このパージ工程(S204)は、既に説明したパージ工程(S202)と同様に行えばよいため、ここでの説明は省略する。
以上の原料ガス供給工程(S201)、パージ工程(S202)、反応ガス供給工程(S203)、パージ工程(S204)を1サイクルとして、コントローラ280は、このサイクルを所定回数(nサイクル)実施したか否かを判定する(S205)。このサイクルを所定回数実施すると、ウエハ200上には、所望膜厚の窒化チタン(TiN)膜が形成される。
以上の各工程(S201〜S205)からなる成膜工程(S102)の後は、図2に示すように、次に、基板搬出工程(S103)を行う。
ウエハ200の搬出後、コントローラ280は、基板搬入・載置工程(S101)、成膜工程(S102)及び基板搬出工程(S103)の一連の各工程の実施回数が所定の回数に到達したか否かを判定する(S104)。所定の回数に到達したと判断されたら、クリーニング工程(S105)に移行する。所定の回数に到達していないと判断されたら、次に待機しているウエハ200の処理を開始するため、基板搬入・載置工程(S102)に移行する。
クリーニング工程(S105)では、クリーニングガス供給系のバルブ248dを開け、シャワーヘッド230を介して、クリーニングガスを処理空間201へ供給する。このとき、高周波電源252で電力を印加すると共に整合器251によりインピーダンスを整合させ、シャワーヘッド230及び処理空間201内のクリーニングガスをプラズマ励起する。プラズマ励起されたクリーニングガスは、シャワーヘッド230及び処理空間201内の壁に付着した副生成物を除去する。
次に、上述した一連の基板処理工程のうちの成膜工程(S102)で行うコンダクタンス調整について説明する。
基板処理装置100の処理容器202内において、例えば基板搬入・載置工程(S101)の際には、基板載置台212がウエハ200の搬送位置まで下降している。このとき、平面視リング状(円環状)の板状部材からなるコンダクタンス調整プレート209は、図4(a)に示すように、その外周側部分209aが排気バッファ室208の構成部材、より詳しくは排気バッファ室208の床面を構成する仕切り板204によって支持される。
ところで、処理空間201と排気バッファ室208との間のガス流路のコンダクタンスを調整する場合においては、そのガス流路を流れるガスに部分的な乱流が生じてしまうと、そのためにコンダクタンス調整を所望通りに行えないことが考えられる。このことから、コンダクタンス調整プレート209については、そのプレート形状を以下に述べるように形成する。
コンダクタンス調整プレート209は、排気バッファ室208との位置関係が以下に述べるようになっている。
既述したように、ガス流路209cのコンダクタンス調整は、基板載置台212がコンダクタンス調整プレート209をウエハ200の処理位置まで持ち上げることによって行う。このときの基板載置台212の上昇位置は、固定的なものであってもよいが、任意に可変させ得るものであってもよい。基板載置台212の上昇位置の可変は、コントローラ280による昇降機構218の動作制御によって行えばよい。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果を奏する。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理空間と、
前記基板を載置する基板載置台と、
前記基板載置台を昇降させ前記基板を搬送位置と前記処理空間内の基板処理位置との間で昇降させる昇降機構と、
前記処理空間内にガスを供給するガス供給系と、
前記処理空間の側方周囲を囲むように設けられた空間を持ち、前記処理空間内に供給されたガスが流入する排気バッファ室と、
前記排気バッファ室内に流入したガスを排気するガス排気系と、
前記基板の外周側に配置されるコンダクタンス調整プレートと、を備え、
前記コンダクタンス調整プレートは、
前記基板が前記基板処理位置にあるときは内周側が前記基板載置台によって支持され、前記基板が前記搬送位置にあるときは外周側が前記基板載置台以外の部位によって支持されるように形成されており、
前記処理空間から前記排気バッファ室へのガス流路に面する内周側端縁にR状部分またはテーパ傾斜状部分を有する
基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記基板が前記基板処理位置にあるときの前記コンダクタンス調整プレートの上面高さが、前記基板の上面高さと同じか、または前記基板の上面高さよりも高い
付記1記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記コンダクタンス調整プレートは、外周側端縁が、前記排気バッファ室の内周側端縁と揃う位置まで延び、または前記排気バッファ室の内周側端縁よりも内周側に位置するように形成されている
付記1又は2に記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記コンダクタンス調整プレートは、外周側端縁が前記排気バッファ室内まで延びるように形成されている
付記1又は2に記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記コンダクタンス調整プレートは、
外周側端縁が、前記排気バッファ室の内周側端縁と揃う位置まで延び、または前記排気バッファ室の内周側端縁よりも内周側に位置するように形成されている第一部分と、
前記外周側端縁が前記排気バッファ室内まで延びるように形成されている第二部分と、
を有する付記1又は2に記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記第二部分は、前記ガス排気系の接続箇所の近傍に配置される
付記5記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記コンダクタンス調整プレートは、前記基板よりも質量が大きく形成されている
付記1から6のいずれかに記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記コンダクタンス調整プレートは、石英またはセラミックによって形成されている
付記7記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記昇降機構を制御するコントローラを備え、
前記コントローラは、前記昇降機構を制御し、前記コンダクタンス調整プレートが前記基板載置台によって支持されているときの前記基板載置台の上昇位置を可変させるように構成される
付記1から8のいずれかに記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記コントローラによる前記基板載置台の上昇位置をレシピ設定画面から設定可能にする操作パネル部
を備える付記9記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記コントローラは、前記基板に対する処理中に前記基板載置台の上昇位置を可変させるように前記昇降機構を制御する
付記9又は10記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記コントローラは、前記前記処理空間内に前記ガスを供給しているときの前記基板載置台の上昇位置と前記ガスを供給していないときの前記基板載置台の上昇位置とを相違させるように前記昇降機構を制御する
付記11記載の基板処理装置が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板が載置された基板載置台を上昇させ、前記基板を処理空間の基板処理位置まで上昇させると共に、前記基板の外周側に配置された、内周側端縁にR状部分またはテーパ傾斜状部分を有するコンダクタンス調整プレートの内周側を前記基板載置台で支持する基板載置台上昇工程と、
前記基板の処理空間内にガスを供給するガス供給工程と、
前記処理空間内に供給されたガスを、前記コンダクタンス調整プレートが配置されたガス流路を介し、前記処理空間の側方周囲を囲むように設けられた空間を持つ排気バッファ室に流入させた後に、前記排気バッファ室内から排気するガス排気工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
好ましくは、
前記基板載置台上昇工程における前記基板載置台の上昇位置がレシピ設定画面から設定可能とされる
付記13記載の半導体装置の製造方法が提供される。
好ましくは、
前記ガス供給工程中に前記基板載置台の上昇位置を可変させる
付記13又は14記載の半導体装置の製造方法が提供される。
好ましくは、
前記ガス供給工程と前記ガス排気工程とで前記基板載置台の上昇位置を相違させる
付記13から15のいずれかに記載の半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板が載置された基板載置台を上昇させ、前記基板を処理空間の基板処理位置まで上昇させると共に、前記基板の外周側に配置された、内周側端縁にR状部分またはテーパ傾斜状部分を有するコンダクタンス調整プレートの内周側を前記基板載置台で支持する基板載置台上昇手順と、
前記基板の処理空間内にガスを供給するガス供給手順と、
前記処理空間内に供給されたガスを、前記コンダクタンス調整プレートが配置されたガス流路を介し、前記処理空間の側方周囲を囲むように設けられた空間を持つ排気バッファ室に流入させた後に、前記排気バッファ室内から排気するガス排気手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板が載置された基板載置台を上昇させ、前記基板を処理空間の基板処理位置まで上昇させると共に、前記基板の外周側に配置された、内周側端縁にR状部分またはテーパ傾斜状部分を有するコンダクタンス調整プレートの内周側を前記基板載置台で支持する基板載置台上昇手順と、
前記基板の処理空間内にガスを供給するガス供給手順と、
前記処理空間内に供給されたガスを、前記コンダクタンス調整プレートが配置されたガス流路を介し、前記処理空間の側方周囲を囲むように設けられた空間を持つ排気バッファ室に流入させた後に、前記排気バッファ室内から排気するガス排気手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
200・・・ウエハ(基板)
201・・・処理空間
208・・・排気バッファ室
209・・・コンダクタンス調整プレート
209c・・・ガス流路
209d・・・R状部分
209e・・・テーパ傾斜状部分
211・・・基板載置面
212・・・基板載置台
218・・・昇降機構
230・・・シャワーヘッド
242・・・共通ガス供給管
262・・・第二排気管
Claims (9)
- 基板を処理する処理空間と、
前記基板を載置する基板載置台と、
前記基板載置台を搬送空間の搬送位置と前記処理空間内の基板処理位置との間で昇降させる昇降機構と、
前記搬送空間と前記処理空間とを仕切る仕切板と、
前記処理空間内にガスを供給するガス供給系と、
前記処理空間の側方周囲を囲むように設けられた空間を持ち、前記処理空間内に供給されたガスが流入する排気バッファ室と、
前記排気バッファ室内に流入したガスを排気するガス排気系と、
前記基板の外周側に、前記処理空間と前記排気バッファ室との間にガス流路を形成するように配置されるコンダクタンス調整プレートと、を備え、
前記コンダクタンス調整プレートは、前記基板が前記基板処理位置にあるときは内周側が前記基板載置台によって支持され、前記基板が前記搬送位置にあるときは外周側が前記仕切板によって支持されるように形成されており、外周側端縁が前記排気バッファ室内まで延びるように構成され、
前記仕切板の内周端は、前記コンダクタンス調整プレートの下方側の位置であって、前記排気バッファ室の内周側端縁を超えて前記コンダクタンス調整プレート上に形成される前記ガス流路まで達する位置に相当する位置まで延びるように構成され、
前記基板載置台は、当該基板載置台の外周端に、前記仕切板の下面側に突き出す突出部を有する
基板処理装置。 - 前記コンダクタンス調整プレートの外周側端縁と前記仕切板の内周端との距離が、前記コンダクタンス調整プレートの下面と前記仕切板の上面との距離よりも長く形成される
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記処理空間内に設けられ前記ガス供給系に接続するシャワーヘッドと、
前記シャワーヘッド内を排気するシャワーヘッド排気系と、
を有する請求項1又は2に記載の基板処理装置。 - 前記昇降機構を制御するコントローラと、
前記処理空間内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記処理空間内にパージガスを供給するパージガス供給系と、を備え、
前記コントローラは、前記処理空間内に前記パージガスを供給する場合または前記処理空間内を排気する場合に、前記コンダクタンス調整プレートの上面の位置を、前記処理空間内に前記処理ガスを供給する場合に比べて下降させるように、前記昇降機構を制御する
請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記コントローラは、前記処理ガスの供給と前記パージガスの供給とを交互に行わせるとともに、前記コンダクタンス調整プレートの上面の位置を前記処理ガスの供給時と前記パージガスの供給時で異ならせるように、前記処理ガス供給系と前記パージガス供給系と前記昇降機構とを制御する
請求項4に記載の基板処理装置。 - 搬送空間の搬送位置で基板が載置された基板載置台を上昇させ、前記基板を処理空間の基板処理位置まで上昇させると共に、前記基板の外周側に配置され、前記基板が前記搬送位置にあるときは外周側が前記搬送空間と前記処理空間とを仕切る仕切板によって支持されるコンダクタンス調整プレートについて、前記基板載置台の上昇により前記基板が前記基板処理位置にあるときは前記コンダクタンス調整プレートの内周側を前記基板載置台で支持する基板載置台上昇工程と、
前記基板の処理空間内にガスを供給するガス供給工程と、
前記処理空間内に供給されたガスを、前記コンダクタンス調整プレートが配置されたガス流路を介し、前記処理空間の側方周囲を囲むように設けられた空間を持つ排気バッファ室に流入させた後に、前記排気バッファ室内から排気すると共に、前記ガス流路に配置された前記コンダクタンス調整プレートを外周側端縁が前記排気バッファ室内まで延びるように構成し、前記仕切板の内周端が前記コンダクタンス調整プレートの下方側の位置であって前記排気バッファ室の内周側端縁を超えて前記コンダクタンス調整プレート上に形成される前記ガス流路まで達する位置に相当する位置まで延びるように構成し、さらに前記基板載置台の外周端に前記仕切板の下面側に突き出す突出部を有するように当該基板載置台を構成しておくガス排気工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記ガス供給工程と前記ガス排気工程とで前記基板載置台の上昇位置を相違させる
請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 搬送空間の搬送位置で基板が載置された基板載置台を上昇させ、前記基板を処理空間の基板処理位置まで上昇させると共に、前記基板の外周側に配置され、前記基板が前記搬送位置にあるときは外周側が前記搬送空間と前記処理空間とを仕切る仕切板によって支持されるコンダクタンス調整プレートについて、前記基板載置台の上昇により前記基板が前記基板処理位置にあるときは前記コンダクタンス調整プレートの内周側を前記基板載置台で支持する基板載置台上昇手順と、
前記基板の処理空間内にガスを供給するガス供給手順と、
前記処理空間内に供給されたガスを、前記コンダクタンス調整プレートが配置されたガス流路を介し、前記処理空間の側方周囲を囲むように設けられた空間を持つ排気バッファ室に流入させた後に、前記排気バッファ室内から排気すると共に、前記ガス流路に配置された前記コンダクタンス調整プレートを外周側端縁が前記排気バッファ室内まで延びるように構成し、前記仕切板の内周端が前記コンダクタンス調整プレートの下方側の位置であって前記排気バッファ室の内周側端縁を超えて前記コンダクタンス調整プレート上に形成される前記ガス流路まで達する位置に相当する位置まで延びるように構成し、さらに前記基板載置台の外周端に前記仕切板の下面側に突き出す突出部を有するように当該基板載置台を構成しておくガス排気手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。 - 搬送空間の搬送位置で基板が載置された基板載置台を上昇させ、前記基板を処理空間の基板処理位置まで上昇させると共に、前記基板の外周側に配置され、前記基板が前記搬送位置にあるときは外周側が前記搬送空間と前記処理空間とを仕切る仕切板によって支持されるコンダクタンス調整プレートについて、前記基板載置台の上昇により前記基板が前記基板処理位置にあるときは前記コンダクタンス調整プレートの内周側を前記基板載置台で支持する基板載置台上昇手順と、
前記基板の処理空間内にガスを供給するガス供給手順と、
前記処理空間内に供給されたガスを、前記コンダクタンス調整プレートが配置されたガス流路を介し、前記処理空間の側方周囲を囲むように設けられた空間を持つ排気バッファ室に流入させた後に、前記排気バッファ室内から排気すると共に、前記ガス流路に配置された前記コンダクタンス調整プレートを外周側端縁が前記排気バッファ室内まで延びるように構成し、前記仕切板の内周端が前記コンダクタンス調整プレートの下方側の位置であって前記排気バッファ室の内周側端縁を超えて前記コンダクタンス調整プレート上に形成される前記ガス流路まで達する位置に相当する位置まで延びるように構成し、さらに前記基板載置台の外周端に前記仕切板の下面側に突き出す突出部を有するように当該基板載置台を構成しておくガス排気手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014059223A JP5944429B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
KR1020140067426A KR20150110246A (ko) | 2014-03-20 | 2014-06-03 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
TW103122668A TWI534866B (zh) | 2014-03-20 | 2014-07-01 | 基板處理裝置,半導體裝置之製造方法及記錄媒體 |
CN201410356571.9A CN104934346B (zh) | 2014-03-20 | 2014-07-24 | 衬底处理装置及半导体装置的制造方法 |
US14/482,447 US9523150B2 (en) | 2014-03-20 | 2014-09-10 | Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device and computer-readable recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014059223A JP5944429B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015183211A JP2015183211A (ja) | 2015-10-22 |
JP5944429B2 true JP5944429B2 (ja) | 2016-07-05 |
Family
ID=54121454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014059223A Active JP5944429B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9523150B2 (ja) |
JP (1) | JP5944429B2 (ja) |
KR (1) | KR20150110246A (ja) |
CN (1) | CN104934346B (ja) |
TW (1) | TWI534866B (ja) |
Families Citing this family (256)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
JP5859583B2 (ja) * | 2014-01-30 | 2016-02-10 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
CN105839074A (zh) * | 2015-02-03 | 2016-08-10 | Lg电子株式会社 | 用于太阳能电池的金属有机化学气相沉积设备 |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
EP3162914A1 (en) * | 2015-11-02 | 2017-05-03 | IMEC vzw | Apparatus and method for delivering a gaseous precursor to a reaction chamber |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
JP6710603B2 (ja) * | 2016-08-05 | 2020-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置方法及び基板載置装置 |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
CN106591941A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-04-26 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种硅外延反应腔室 |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) * | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
JP6960830B2 (ja) | 2017-11-17 | 2021-11-05 | 株式会社日立ハイテク | 真空処理装置および真空処理装置の運転方法 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
KR20200108016A (ko) | 2018-01-19 | 2020-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
WO2019182260A1 (ko) * | 2018-03-23 | 2019-09-26 | 홍잉 | 인라인 박막 프로세싱 장치 |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) * | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
TWI815915B (zh) | 2018-06-27 | 2023-09-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
KR20200057951A (ko) * | 2018-11-19 | 2020-05-27 | 주식회사 엔씨디 | 대면적 기판용 수평형 원자층 증착장치 |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
CN111593319B (zh) | 2019-02-20 | 2023-05-30 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
JP7236953B2 (ja) * | 2019-08-05 | 2023-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
TW202129068A (zh) | 2020-01-20 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR20210145080A (ko) | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220006455A (ko) | 2020-07-08 | 2022-01-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
JP2022139625A (ja) * | 2021-03-12 | 2022-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置および傾き調整方法 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
CN115643817A (zh) * | 2021-05-17 | 2023-01-24 | 株式会社日立高新技术 | 等离子体处理装置 |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN117867474B (zh) * | 2024-03-12 | 2024-05-10 | 上海谙邦半导体设备有限公司 | 一种薄膜沉积设备 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5983906A (en) | 1997-01-24 | 1999-11-16 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for a cleaning process in a high temperature, corrosive, plasma environment |
KR19980071011A (ko) * | 1997-01-24 | 1998-10-26 | 조셉 제이. 스위니 | 고온 및 고 흐름 속도의 화학적 기상 증착 장치 및 관련증착 방법 |
US6189482B1 (en) * | 1997-02-12 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | High temperature, high flow rate chemical vapor deposition apparatus and related methods |
JP3972970B2 (ja) * | 1998-08-06 | 2007-09-05 | 株式会社エフオーアイ | プラズマリアクタ |
JP2002353207A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-12-06 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置のプロセスチャンバ構造および半導体製造装置 |
US6777352B2 (en) * | 2002-02-11 | 2004-08-17 | Applied Materials, Inc. | Variable flow deposition apparatus and method in semiconductor substrate processing |
US7408225B2 (en) * | 2003-10-09 | 2008-08-05 | Asm Japan K.K. | Apparatus and method for forming thin film using upstream and downstream exhaust mechanisms |
JP4564498B2 (ja) | 2004-10-15 | 2010-10-20 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 |
JP4777173B2 (ja) * | 2006-07-24 | 2011-09-21 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
TWI498988B (zh) * | 2008-02-20 | 2015-09-01 | Tokyo Electron Ltd | A gas supply device, a film forming apparatus, and a film forming method |
WO2011114940A1 (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP2013067844A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 成膜装置 |
-
2014
- 2014-03-20 JP JP2014059223A patent/JP5944429B2/ja active Active
- 2014-06-03 KR KR1020140067426A patent/KR20150110246A/ko not_active IP Right Cessation
- 2014-07-01 TW TW103122668A patent/TWI534866B/zh active
- 2014-07-24 CN CN201410356571.9A patent/CN104934346B/zh active Active
- 2014-09-10 US US14/482,447 patent/US9523150B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015183211A (ja) | 2015-10-22 |
CN104934346A (zh) | 2015-09-23 |
KR20150110246A (ko) | 2015-10-02 |
TWI534866B (zh) | 2016-05-21 |
US20150267294A1 (en) | 2015-09-24 |
CN104934346B (zh) | 2018-01-09 |
TW201537625A (zh) | 2015-10-01 |
US9523150B2 (en) | 2016-12-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5944429B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 | |
JP5941491B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びにプログラム | |
JP5764228B1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 | |
JP6001131B1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム | |
JP5762602B1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
JP5800969B1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム、記録媒体 | |
KR101611202B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
JP5800964B1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 | |
KR101882774B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
KR101576135B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
US9508546B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
JP5800957B1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 | |
JP2016146393A (ja) | 基板処理装置、ガス整流部、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
JP6001015B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 | |
JPWO2015097871A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び記録媒体 | |
JP5808472B1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 | |
JP5885870B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 | |
JP2020063470A (ja) | パターニングスペーサ用酸化チタン膜を成膜する方法およびパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160517 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160525 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5944429 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |