JP6760870B2 - 集束イオンビーム装置の制御方法および制御プログラム - Google Patents
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Description
改善の余地について、図12〜図19を用いて説明する。この改善の余地について説明する内容において、FIB加工における材料や寸法などは一例を示すものであり、本実施の形態を限定するものではない。
FIB装置で加工(エッチング、成膜)位置がずれる課題について、図15〜図17を用いて説明する。図15は、基板が加工された溝のSIM画像(a)と、輝度プロファイル(b)との一例を示す説明図である。図16は、大面積成膜の手順の一例を示す説明図である。図17は、FIBで成膜された膜のSIM画像(a)と、輝度プロファイル(b)との一例を示す説明図である。
次に、加工(エッチング、成膜)サイズがずれる課題について、図18〜図19を用いて説明する。図18は、加工サイズのずれの一例として、FIBにより膜を加工した結果の上面SIM画像を示す説明図である。図19は、FIBで成膜された膜の断面SEM画像の一例を示す説明図である。
まず、実施の形態の概要について、図9〜図11を用いて説明する。図9は、周期配列パターンの一例を示す説明図である。図10は、FIBで成膜された膜のSIM画像(a)と、矩形領域で平均化された輝度プロファイル(b)との一例を示す説明図である。図11は、FIBで成膜された膜のSIM画像(a)と、矩形領域で平均化された輝度プロファイル(b)との一例を示す説明図である。
実施の形態1について、図1〜図6を用いて説明する。実施の形態1では、デバイスの一例として、MEMS構造体(MEMS素子)、特にMEMSセンサを説明するが、他の微細構造体や他のセンサなどにも適用できるものである。
実施の形態1におけるデバイス加工装置について、図1〜図3を用いて説明する。図1は、実施の形態1におけるデバイス加工装置の構成の一例を示す構成図である。
実施の形態1におけるデバイス加工方法について、図4〜図6を用いて説明する。図4は、実施の形態1におけるデバイス加工方法の手順の一例を示すフローチャートである。図5〜図6は、図4において、各工程における加工状態の一例を示す説明図である。
実施の形態2について、図7〜図8を用いて説明する。本実施の形態において、デバイス加工装置は、前記実施の形態1(図1、図2)と同じなので、ここでの説明は省略する。本実施の形態2では、前記実施の形態1と異なるデバイス加工方法について主に説明する。
実施の形態2におけるデバイス加工方法について、図7〜図8を用いて説明する。図7は、実施の形態2におけるデバイス加工方法の手順の一例を示すフローチャートである。図8は、図7において、各工程における加工状態の一例を示す説明図である。
2 イオン源
7 イオンビーム
8 FIB鏡筒
9 電子銃
10 電子ビーム
13 試料
14 二次粒子検出器
15 試料ステージ
17 ガス源
21 試料ステージ制御装置
22 マニュピレータ制御装置
23 ガス源制御装置
24 二次粒子検出器制御装置
25 アパーチャ回転制御機構
26 イオン源制御装置
27 レンズ制御装置
31 計算処理装置
32 データベース
32a 構造物ライブラリ
32b CADデータ
32c 加工条件データ
33 モード選択画面
34 モード入力部
35 中央制御部
36 ビーム制御データ
37 ビーム制御部
38 ガス制御データ
41 GUI画面
42 単位図形
43、46 領域
44、47 積算方向
45、48 走査方向
51 第1加工図形
52 第1加工視野
53 第2加工図形
54 第2加工視野
55〜58 加工図形
Claims (9)
- 第1加工視野において集束イオンビームの照射により試料表面に第1加工図形を形成する工程と、
前記第1加工図形の外形寸法に基づいて、次の第2加工視野の位置を決定する工程と、
決定された前記第2加工視野の位置にステージを移動させる工程と、
を有し、
前記第1加工図形の外形寸法は、前記集束イオンビームの照射により得られる二次電子像により計測され、
前記第1加工図形の外形寸法の計測の結果、前記第1加工図形のうち比較的中央部にあってエッチング深さまたは成膜膜厚が均一である第1領域と、前記第1加工図形のうち比較的端部にあってエッチング深さまたは成膜膜厚が不均一である第2領域との寸法がそれぞれ計測される、集束イオンビーム装置の制御方法。 - 請求項1記載の集束イオンビーム装置の制御方法において、
前記第2加工視野において前記集束イオンビームの照射により第2加工図形を形成する工程をさらに有する、集束イオンビーム装置の制御方法。 - 請求項2記載の集束イオンビーム装置の制御方法において、
前記第1加工図形と前記第2加工図形とは合同である、集束イオンビーム装置の制御方法。 - 請求項2記載の集束イオンビーム装置の制御方法において、
前記第1加工図形と前記第2加工図形とは市松格子状に配置される、集束イオンビーム装置の制御方法。 - 請求項1記載の集束イオンビーム装置の制御方法において、
前記集束イオンビームの照射は、成形マスクを用いた投射ビーム方式により行われる、集束イオンビーム装置の制御方法。 - 集束イオンビームの照射により試料表面に形成された第1加工図形の少なくとも一部を含む所定の加工視野において、前記集束イオンビームの照射により二次電子像を取得する工程と、
前記二次電子像の輝度を所定の方向に積算することで前記第1加工図形の端部座標を計測する工程と、
前記第1加工図形の端部座標に基づいて、次の第2加工図形を形成する位置を決定する工程と、
を有する、集束イオンビーム装置の制御方法。 - 請求項6記載の集束イオンビーム装置の制御方法において、
前記第2加工図形を形成する位置の制御は、ビーム光学系の電気的制御により行われる、集束イオンビーム装置の制御方法。 - 請求項6記載の集束イオンビーム装置の制御方法において、
第2加工視野において前記集束イオンビームの照射により前記第2加工図形を形成する工程をさらに有する、集束イオンビーム装置の制御方法。 - 第1加工視野において集束イオンビームの照射により試料表面に第1加工図形を形成する工程と、
前記第1加工図形の外形寸法に基づいて、次の第2加工視野の位置を決定する工程と、
決定された前記第2加工視野の位置にステージを移動させる工程と、
前記第2加工視野において前記集束イオンビームの照射により第2加工図形を形成する工程と、
をコンピュータに実行させ、
前記第2加工図形を形成する工程には、
前記第1加工図形の少なくとも一部を含む所定の加工視野において、前記集束イオンビームの照射により二次電子像を取得する工程と、
前記二次電子像の輝度を所定の方向に積算することで前記第1加工図形の端部座標を計測する工程と、
前記第1加工図形の端部座標に基づいて、前記第2加工図形を形成する位置を決定する工程と、
を含む、集束イオンビーム装置の制御プログラム。
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