JP6961367B2 - 物体の構築方法およびそれに関連する粒子ビームシステム - Google Patents

Description

本発明は、例えばイオンビームコラムと電子ビームコラムの２つの粒子ビームコラムを含む粒子ビームシステムを用いて物体を構築する方法と、それに関連する粒子ビームシステムに関する。

２つの粒子ビームコラムを含み、その粒子ビームをある物体の共通の作業領域に誘導できる粒子ビームシステムが従来、物体の構築に使用されてきた。そこでは、一方の粒子ビーム、例えばイオンビームまたは電子ビームが、物体の構造を形成するために使用され、他方の粒子ビーム、例えば電子ビーム顕微鏡の電子ビームが、物体の構築プロセスをモニタするために使用される。物体は、その目的のために使用される粒子ビームを物体の複数の箇所に誘導することにより、物体の表面上に材料を堆積させること、または物体から材料を除去することによって構築される。物体の表面上への材料の堆積と物体からの材料の除去は、プロセスガスの供給で支援できる。イオンビームが物体の構築に使用されるプロセスの一例は、ＴＥＭラメラとして知られるものの製造であり、これはすなわち、基板、例えば製造中の半導体ウェハから、透過型電子顕微鏡を用いた検査に適した試料を切り取ることである。

粒子ビームを使って物体を構築するためのこのようなプロセスには、数分、数十分、または数時間さえかかる可能性がある。この時間中に、粒子ビームが物体に入射する箇所に関するドリフトが発生するかもしれず、これは製造された構造の精度と再現性に不利な影響を与える。ドリフトはまた、温度変化や、粒子ビームコラムまたはその他の動作中に使用される高電圧の変化により引き起こされることもある。

粒子ビームコラムを使って物体を構築するためのプロセスが他の粒子ビームコラムによってモニタされ、構築プロセスがこのモニタに依存して実行されたとしても、最大限の精度を実現することは不可能であり、それは、２つの粒子ビームコラムの相互に関する位置にもまた機械的ドリフトが発生し、２つの粒子ビームにより生成される粒子ビームが物体に異なる角度で入射することから、一方の粒子ビームコラムを使って製造されたすべての構造が他方の粒子ビームコラムにより最適な方法で観察可能とはかぎらないからである。

米国特許第６，８５５，９３８号明細書

したがって、本発明の目的は、より高い精度を可能にする物体の構築方法を提供することである。

本発明の実施形態は、粒子ビームシステムにより物体を構築する方法を提供し、これは２つの粒子ビームコラムを含み、一方の粒子ビームコラムは、材料を堆積させるか、または材料を除去することによって所望のターゲット構造を製造し、所望のターゲット構造の製造中に、構造の上にマークを繰り返し生成するために使用され、他方の粒子ビームコラムは、新たに生成されたマークの位置および／またはそれ以前に生成されたマークの位置を捕捉するために使用される。捕捉されたこれらの位置に基づき、所望のターゲット構造のその後の製造を実行することが可能となる。

マークは、所望のターゲット構造を製造したものと同じ粒子ビームを使って生成されるため、長い工程となりうる所望のターゲット構造の製造プロセス中に、この粒子ビームコラム内に発生するドリフトを検出し、補正することができる。観察に使用される粒子ビームコラムにおけるドリフトまたは、２つの粒子ビームコラムの相互に関する機械的位置決めにおけるドリフトが、これらの方法に与えるマイナスの影響はわずかな程度にすぎず、それは、マークの位置を素早く捕捉でき、その相互に関する位置は、このようなドリフトに関係なく正確に判断できるからである。

本発明の実施形態によれば、物体の構築方法は、基板を第一の粒子ビームコラムおよび第二の粒子ビームコラムの作業領域に配置するステップと、第一の粒子ビームコラムにより生成された第一の粒子ビームを基板の複数の箇所に誘導して、そこに材料を堆積させるか、そこから材料を除去することによって、基板上に所望のターゲット構造を製造するステップと、所望のターゲット構造の製造を繰り返し中断し、第一の粒子ビームを基板上に誘導することによって基板上にマークを生成し、所望のターゲット構造の製造を継続するステップと、第二の粒子ビームコラムにより生成された第二の粒子ビームを基板上のマークへと誘導することによって基板上のマークの位置を捕捉し、プロセス中に基板上に第二の粒子ビームにより生成された粒子または放射を検出するステップと、を含み、第一の粒子ビームコラムにより生成される予定の第一の粒子ビームのビーム偏向は、捕捉されたマークの位置に依存して判断され、それによって第一の粒子ビームが基板の複数の箇所へと誘導される。

物体に材料を堆積させ、または物体から材料を除去することは、第一の粒子ビームが誘導される基板の箇所において何れの時点でも行われる。これらの箇所とその時間的連続は、所望のターゲット構造の形状により決まり、例えば事前に設定できる。基板上の所望の箇所に当たるようにするためには、第一の粒子ビームを第一の粒子ビームコラムによって適切に偏向させなければならない。粒子ビームはここで、いずれの所望の箇所においても所定の期間だけ留まり、所望の各箇所から次の所望の箇所へと素早く動くか、飛ぶことができる。粒子ビームはさらに、連続的な偏向によって所望の箇所に移動させることもできる。例えば、粒子ビームコラムのコントローラは、第一の粒子ビームを適当な箇所に誘導するために生成しなければならない基板箇所の座標とビーム偏向との間の関係を定めるテーブルまたは計算ルールを含むことができる。ここで、ビーム偏向は例えば制御電圧もしくは制御電流または、第一の粒子ビームコラムのビーム偏向器に供給されるその他の制御信号により表すことができる。第一の粒子ビームコラムの中で発生するドリフトまたは第一の粒子ビームコラムに関する基板の位置決めにより、正しいビーム偏向に対する必要が生じ、これは、ドリフトを補償するために、第一の粒子ビームが物体の所望の箇所に入射するように生成されるものとする。すでに決定された所望のビーム偏向または直接測定されたビーム偏向のこのような補正は、例えば捕捉されたマークの位置を考慮してドリフトを補償するために決定できる。

例示的実施形態によれば、所望のターゲット構造は３次元構造である。これは、ターゲット構造が表面上で単に２次元的に延びるのではなく、３次元空間内に延びることを意味する。例示的実施形態によれば、本発明の所望のターゲット構造は２つの表面領域を有し、その表面法線の向きには、５°より大きい、特に１０°より大きい、特に１５°より大きい差がある。

例示的実施形態によれば、方法は、所望のターゲット構造の製造を開始する前に、基板上にマークを生成するステップをさらに含む。それによって、所望のターゲット構造の製造を開始してから所望のターゲット構造の製造の第一の中断および基板へのマークの生成との間に発生するドリフトを捕捉できる。

例示的実施形態によれば、マークは、基板の表面領域に隣接させて生成され、この表面領域の表面法線の向きには５°未満、特に１°未満、および特に０．１°未満の差がある。これは、表面上のマークが全体として２次元構造を有し、その結果、個々のマーク間の距離および、それゆえそれらの位置は、第二の粒子ビームを使って、たとえ前記ビームの基板に入射する角度が第一の粒子ビームの基板に入射する角度と異なっていても、比較的高い精度で測定できる。

例示的実施形態によれば、方法は、基板の表面領域に金属層を堆積させるステップをさらに含み、マークは金属層に生成される。特に薄い金属層は、第一の粒子ビームによって素早く除去してそのようなマークを生成することができ、するとこれは、第二の粒子ビームコラムを使ってその位置を捕捉している間に、高いコントラストを提供する。

例示的実施形態によれば、マークは各々、１本の直線または２本の交差する直線を含む。それゆえ、異なるマーク間の距離は、第二の粒子ビームでそれらを走査することによって簡単に捕捉できる。

例示的実施形態によれば、第一の粒子ビーム装置の主軸と第二の粒子ビーム装置の主軸の相互に関する向きは、１０°より大きく、特に２０°より大きく、特に３０°より大きい。第一の粒子ビームはイオンビーム、特にガリウムイオンビームとすることができ、第二の粒子ビームは電子ビームとすることができ、第二の粒子ビームコラムは、電子顕微鏡の粒子ビームコラムとすることができる。

例示的実施形態によれば、方法は、第二の粒子ビームを基板の、ターゲット構造を製造している領域に誘導することによって、製造中のターゲット構造の瞬間的形状を捕捉するステップと、プロセス中に第二の粒子ビームによって基板上に生成された粒子または放射を検出するステップと、を含み、第一の粒子ビームコラムによって生成される予定であり、前記第一の粒子ビームが基板上の複数の箇所に誘導されるような、第一の粒子ビームのビーム偏向はさらに、製造中のターゲット構造の捕捉された瞬間的形状に依存して判断される。

それゆえ、所望のターゲット構造の形成をモニタし、例えば第一の粒子ビームのビーム電流の変化または使用されるプロセスガスの圧力の変化により起因しうる、例えば材料が基板上に堆積される速度または材料が基板から除去される速度におけるドリフトを補正することが可能である。

本発明の実施形態を、下記のような図面に基づいて以下に説明する。

２つの粒子ビームコラムを有する粒子ビームシステムを示す。 物体の構築方法のある実施形態を説明するための、基板上に所望のターゲット構造を製造する間の基板の状態を示す。 物体の構築方法のある実施形態において使用可能なマークの配置を示す。

図式的に簡略化された斜視図において、図１は２つの粒子ビームコラムを有する粒子ビームシステム１を示しており、第一の粒子ビームコラム７は、主軸９を有するイオンビームシステムの粒子ビームコラムであり、第二の粒子ビームコラム３は、主軸５を有する電子顕微鏡システムの粒子ビームコラムである。

電子顕微鏡システム３とイオンビームシステム７の主軸５および９は、２つの粒子ビームコラム３、７の共有の作業領域内の箇所１１に、例えば４５°〜５５°の数値とすることできる角度αで交差し、その結果、表面１５を有する構築予定の物体１３は、イオンビームシステム７の主軸９沿って発せられるイオンビーム１７を使って箇所１１の領域内で処理されるとともに、電子顕微鏡システム３の主軸５に沿って発せられる電子ビーム１９を使って検査されることが可能である。物体を保持するために、図式的に示されているホルダ１６が提供され、これは物体１３を、電子顕微鏡システムまたはイオンビームシステムからのその距離と、それに関する向きに関して調節できる。

このために、電子顕微鏡システム３は、第一の電子ビーム１９を生成するために、電子源２１を含み、これはカソード２３とアノード２７、およびこれら２つの間に配置されたサプレッサ電極２５、およびそこから離して配置された引出し電極２６を含む。電子顕微鏡システム３は、加速電極２７をさらに含み、これはビーム管２９の中へと移行して、トロイダルコイル３３とヨーク３５によって図式的に示されているコリメータ装置３１を通って延びる。第一の電子ビームは、コリメータ装置３１を通過した後、ピンホール開口３７と、第二の電子検出器４１の中心穴３９を通り、すると、第一の電子ビーム１９が電子顕微鏡システム３の対物レンズ４３に入る。対物レンズ４３は、磁気レンズ４５と、第一の電子ビーム１９を集束するための静電レンズ４７と、を含む。図１の図式的な図において、磁気レンズ４５は、トロイダルコイル４９と、内部磁極片５１と、外部磁極片５３と、を含む。静電レンズ４７は、ビーム管２９の下端５５、外部磁極片５３の内側下端、および試料上の位置１１に向かって円錐状にテーパの付けられたトロイダル電極５９によって形成される。図１に図式的に示されている対物レンズ４３は、（特許文献１）により詳しく示されている構成を有することができる。

イオンビームシステム７は、引出し電極６５と、コリメータ６７と、ストッパ６９と、偏向電極７１と、集光レンズ７３と、を含み、これらはイオンビーム１７を生成し、それがイオンビームシステム７の筐体７５から出る。ホルダ１６の縦軸９’は垂直線５’に関して、この例においては粒子ビームの方向５と９との間の角度αに対応する角度だけ傾斜している。しかしながら、方向５’および９’は、粒子ビームの方向５および９と一致している必要はなく、それらが取り囲む角度は粒子ビーム間の角度αとマッチする必要はない。

粒子ビームシステム１は、コントローラ７７をさらに含み、これは粒子ビームシステム１の動作を制御する。コントローラ７７は、特に、電子ビーム１９とイオンビーム１７およびイオンビームコラム７のビーム偏向器７１と電子ビームコラム３のビーム偏向器（図１では示さず）のオンオフを制御して、イオンビームコラム７または電子ビームコラム３の主軸９、５に関して粒子ビームを偏向することにより、物体１３上の共有作業領域内の選択的な箇所にビームを誘導する。コントローラはプログラム可能であり、図２に関して後述するように、物体１３の構築方法を実行できる。

物体１３は、例えば半導体基板であり、製造中、その中にリソグラフィステップによって構造が提供され、この構造は電子回路の構成要素を形成する。これらの構造は、透過型電子顕微鏡を使って検査されるものと仮定する。この目的のために、基板の所望の場所で材料サンプルを取る必要があり、この材料サンプルは透過型電子顕微鏡を使った検査に適したものである。このようなサンプルは、ＴＥＭラメラとも呼ばれ、基板の塊から例えば１００ｎｍ以下の厚さの薄い立方体の板を切り出し、その後、例えば別の粒子ビームを使って、板の平面で材料を除去することによってさらに薄くされる。この目的のために必要な作業ステップは実質的に、基板１３の材料を除去するステップを含み、イオンビームエッチングによって実行され、その中で、イオンビームコラム７により生成されるイオンビーム１７が基板１３の選択的な箇所に誘導されて、薄板８１が基板１３から切り離される。次に、マイクロマニピュレータを使って、基板からその薄板８１を取り除き、そこに別の作業ステップを提供し、最終的にそれを透過型電子顕微鏡のサンプルホルダに取り付けることができる。

図２は、イオンビーム１７を使って基板１３から薄板８１を切り離すステップ中の中間段階を示している。薄板８１はこの中間段階において部分的に切り離され、これはまず、薄板８１の両側から始め、イオンビーム１７を使って基板１３から材料を除去して溝８５を作ることによって行われる。図２に示される中間段階では、薄板８１はまだ、その端と溝８５の底により基板１３の残りの部分とつながったままである。これらの材料のつながりはその後、イオンビームを使って分離でき、その結果、薄板８１を完全に切り離し、マイクロマニピュレータより把持して、基板１３から取り外すことができる。図２に示されている中間段階では、溝８５と、それらの間に配置され、その前端と溝の底によって基板１３とつながっている薄板８１が、物体１３の構築方法における所望のターゲット構造を形成する。ターゲット構造は３次元の範囲を有し、薄板８１のｘ軸方向への範囲は例えば１０μｍであり、溝８５のｚ方向への深さは例えば５μｍであり、基板１３の表面８３における溝８５の各々はｙ方向に例えば８μｍの幅を有する。ターゲット構造の３次元構造はまた、ターゲット構造の表面における、溝８５の壁および薄板８１の表面等の垂直ベクトル８７がなす角度が５°より大きく、特に１０°より大きく、特に１５°より大きいこという事実からもわかる。

イオンビームによって基板１３の材料を除去することによる図２によって示される所望のターゲット構造の製造には、例えば３０分等、かなりの時間がかかる。薄板８１の厚さは非常に薄く、例えば１００ｎｍまたはそれより小さいため、例えば薄板８１から意図せず材料が取り除かれて、使えなくなることがないように、イオンビームを基板上の予定の箇所に、相応に高い精度で確実に誘導できるようにしなければならない。イオンビームコラム７と、基板１３をイオンビームコラム７に関して保持するホルダの動作中に不可避的に発生するドリフトによって、この必要な精度を保つことがより難しくなる。例えば、このような不可避的に発生するドリフトによって、物体へのイオンビームの入射位置は、５分間で１００ｎｍ変化する可能性がある。

この理由から、基板１３の構築方法では、所望のターゲット構造を製造するためのプロセスを繰り返し中断して、表面領域８９の中でターゲット構造の隣にイオンビーム１７を使ってマークを生成することが想定されている。すると、電子ビーム顕微鏡３を使ってこれらのマークを検査し、例えば電子ビーム顕微鏡３によって表面領域８９の電子顕微鏡画像を取得する。この電子顕微鏡の画像から、マークの相互に関する位置を捕捉でき、すると、所望のターゲット構造を生成するその後のプロセスを、捕捉されたマークの位置に基づいて制御できる。

所望のターゲット構造の製造プロセスを開始する前に、基板１３の表面８３上の表面領域８９に薄い金属層を堆積させることができる。表面領域８９の中の金属層のための金属の堆積は、今度はイオンビーム１７によって生成でき、これは表面領域８９内の個所に体系的に誘導され、同時に適当なプロセスガスが供給される。プロセスガスは、例えばＣ_９Ｈ_１６Ｐｔとすることができ、これはイオンビームによって励起され、基板１３のイオンビームが入射する瞬間箇所に金属プラチナ（Ｐｔ）が堆積される。この金属層の厚さは、例えば５０ｎｍとすることができる。

表面領域８９内の金属層ができたら、金属層に第一のマーク９１_０を設け、これはｘ方向に延びる長い線の形状を有する。マーク９１_０はイオンビームを使って生成される。

その後、基板１３に所望のターゲット構造を製造するプロセスを開始する。所望のターゲット構造を製造するプロセスの継続時間全体と比較して短い、例えば２分後に、所望のターゲット構造を製造するプロセスを中断して、イオンビームによりマーク９１_１を表面領域８９に生成し、このマークは、図２に示されている例においては、ｘ軸に延びる短い線であり、マーク９１_０から距離ｌ１だけ離れている。この時点で、２つのマーク９１_０および９１_１が表面領域８９に設けられる。その後、電子顕微鏡３を使って表面領域８９の電子顕微鏡画像を取得し、画像内で２つのマーク９１_０および９１_１間の位置を測定する。特に、２つのマーク９１_０および９１_１間のｙ方向の実際の距離ｌ１を測定できる。この距離は、電子ビーム顕微鏡３の座標系で測定される。しかしながら、マーク９１_０および９１_１は、イオンビームコラム７の座標系の中でイオンビームを偏向させることによって生成されたものである。それゆえ、電子顕微鏡画像を評価することにより、マーク９１_０および９１_１の相互に関する位置を、そのマークを生成したシステムから独立したシステムを使って検査することが可能である。２つのマーク９１_０および９１_１の相互からの距離ｌ１の測定結果がマーク形成中にイオンビーム１７のビーム偏向から得られた所望の距離と異なる場合、所望のターゲット構造を製造するその後のプロセスで使用されるイオンビーム１７の偏向を相応に補正することができる。

電子顕微鏡画像の評価中、マークの相互に関するこれらの位置だけが評価され、画像中の、例えば電子顕微鏡画像のそれぞれの中心点等の適切な基準点に関するマーク位置は評価されない。電子ビーム顕微鏡内のドリフトは固定された基準点の位置、例えば中心点にしか影響を与えず、電子顕微鏡画像の倍率の不確定の変化が発生しないため、マークの相対位置を評価することにより、電子顕微鏡画像内で発生するイオンビームコラムのドリフトを高い信頼性で確認することが可能となり、このようにして確認された測定値は、電子ビーム顕微鏡のドリフトにより歪められていない。

このような補正を考慮して、所望のターゲット構造の製造方法では続いて、イオンビーム１７を使って基板から溝８５の領域の材料をさらに除去する。例えば、さらに２分後に、所望のターゲット構造の製造プロセスを再び中断して、表面領域８９に別のマーク９１_２を生成し、このマークはマーク９１_１と同様で、ｘ方向に短い線の形態で延びるが、マーク９１_０から距離ｌ２だけ離れている。再び、表面領域８９の電子顕微鏡画像を取得し、そこからマーク９１_０および９１_２の位置を測定し、この場合、その後の所望のターゲット構造の製造プロセスのためのイオンビームのビーム偏向に関する現在の補正量を、最後に設けられたマーク９１_２と最初に提供されたマーク９１_０との間の距離ｌ２から得ることができる。その後、所望のターゲット構造のこの製造プロセスを継続し、何度か中断して、その都度、表面領域８９に新しいマークを設けて、それらの位置から後のプロセスにおけるイオンビーム偏向のためのその時点で更新された補正量を判断する。

図２に示されている中間段階では、さらに別のマーク９１_３、９１_４、９１_５、および９１_６が表面領域８９に設けられ、マーク９１_６が最後に設けられたマークである。

図２において、製造される所望のターゲット構造は薄板８１であり、これは後にＴＥＭラメラとなる予定であり、これはｘ方向に延びるが、ｙ方向には非常に薄くすることが意図される。この理由から、ｙ軸方向にイオンビームを高い精度で位置付けられることが特に重要である。この理由から、マーク９１_０、９１_１、．．．、は各々、ｘ方向に延びる直線であり、その結果、ｙ方向におけるマークの相互の位置を高い精度で測定できる。しかしながら、異なる形状のマークを使用することも可能である。その一例が図３に示されており、ここでは、各マークの形状は十字形で、それによってマークの２つの独立した方向（ｘ、ｙ）への相互に関する位置を測定することが容易となる。マークには他の形状も使用できる。

図２に関して説明した例において、マーク９１_１、９１_２、．．．、が最初に設けられたマーク９１_０から設けられる距離ｌ１、ｌ２、．．．、は均一に増大する。しかしながら、これは必要ではない。所望のターゲット構造の製造プロセスを中断している間に毎回、新しいマークは、最後に設けられるマークが既存のマークの中で識別可能であるかぎり、原則として表面領域８９のあらゆる所望の点に生成できる。

前述の例示的実施形態において、２つの溝８５は、それらが複数のサイクルで生成され、各サイクルが２つの溝の各々からの材料の除去と別のマーク９１の設置を含んでいるとい点で、薄板８１の両側で同時に生成される。しかしながら、２つの溝はまた、まず一方の溝を、複数のサイクルの中の各々において前記溝から材料を除去することによって生成し、第一の溝が実質的に完全に生成されるまで別のマークを生成し、その後、第二の溝を同様に生成することにより、１つずつ生成することもできる。ここで、相互から物理的に離れた２つの別の金属層を提供でき、各金属層が１つの溝に割り当てられ、その製造中にマークが前記金属層に設けられる。

１ 粒子ビームシステム
３ 第二の粒子ビームコラム
７ 第一の粒子ビームコラム
１３ 基板
１５ 表面
１７ イオンビーム
１９ 第一の電子ビーム
８５ 溝
８９ 表面領域
９１ マーク

Claims (12)

1. 物体を構築する方法において、
   基板を第一の粒子ビームコラムおよび第二の粒子ビームコラムの作業領域に配置するステップと、
   前記第一の粒子ビームコラムにより生成された第一の粒子ビームを前記基板の複数の箇所に誘導して、そこに材料を堆積させるか、そこから材料を除去することによって、前記基板上に所望のターゲット構造を製造するステップと、
   前記所望のターゲット構造の製造を繰り返し中断し、前記第一の粒子ビームを前記基板上に誘導することによって前記基板上にマークを生成し、前記所望のターゲット構造の製造を継続するステップと、
   前記第二の粒子ビームコラムにより生成された第二の粒子ビームを前記基板上の前記マークへと誘導することによって前記基板上の前記マークの位置を捕捉し、前記マークの前記位置を補足するプロセス中に前記基板上に前記第二の粒子ビームにより生成された粒子または放射を検出するステップと、
   を含み、
   前記第一の粒子ビームコラムにより生成される予定の前記第一の粒子ビームのビーム偏向は、前記捕捉されたマークの位置に依存して判断され、それによって前記第一の粒子ビームが前記基板の前記複数の箇所へと誘導される方法。
2. 前記所望のターゲット構造は２つの表面領域を有し、前記２つの表面領域の表面法線の向きには、５°より大きい、特に１０°より大きい、特に１５°より大きい差がある、請求項１に記載の方法。
3. 前記所望のターゲット構造の製造を開始する前に、前記基板の上にマークを生成するステップをさらに含む、請求項１または２に記載の方法。
4. 前記マークは前記基板の表面領域に隣接させて生成され、任意の２つの互いに隣接する前記マークの位置での前記表面領域の表面法線の向きには、５°未満、特に１°未満、および特に０．１°未満の差がある、請求項１〜３の何れか１項に記載の方法。
5. 前記基板の表面領域に金属層を堆積させるステップをさらに含み、前記マークは前記金属層に生成される、請求項１〜４の何れか１項に記載の方法。
6. 前記マークは各々、１本の直線または２本の交差する直線を含む、請求項１〜５の何れか１項に記載の方法。
7. 前記第一の粒子ビームコラムの主軸と前記第二の粒子ビームコラムの主軸の相互に関して、１０°より大きく、特に２０°より大きく、特に３０°より大きい角度で向き付けられる、請求項１〜６の何れか１項に記載の方法。
8. 前記基板上の前記マークの位置を捕捉するステップは、少なくとも１対のマークの相互からの距離を測定するステップを含む、請求項１〜７の何れか１項に記載の方法。
9. 前記第二の粒子ビームを前記基板の、前記ターゲット構造を製造している領域に誘導することによって、製造中の前記ターゲット構造の瞬間的形状を捕捉するステップと、前記ターゲット構造の前記瞬間的形状を捕捉するプロセス中に前記第二の粒子ビームによって前記基板上に生成された粒子または放射を検出するステップと、をさらに含み、
   前記第一の粒子ビームコラムによって生成される予定であり、前記第一の粒子ビームが前記基板上の複数の箇所に誘導されるような、前記第一の粒子ビームの前記ビーム偏向はさらに、製造中の前記ターゲット構造の前記捕捉された瞬間的形状に依存して判断される、
   請求項１〜８の何れか１項に記載の方法。
10. 前記第一の粒子ビームコラムにより生成される前記第一の粒子ビームはイオンビーム、特にガリウムイオンビームであり、前記第二の粒子ビームコラムにより生成される前記第二の粒子ビームは電子ビームである、請求項１〜９の何れか１項に記載の方法。
11. 前記物体がＴＥＭラメラである、請求項１〜１０の何れか１項に記載の方法。
12. 第一の粒子ビームコラムと、第二の粒子ビームコラムと、コントローラと、を含む粒子ビームシステムにおいて、
    前記コントローラは、前記粒子ビームシステムを、それが請求項１〜１１の何れか１項に記載の方法を実行するように制御するように構成された粒子ビームシステム。
    

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