JP6709632B2 - イメージセンサ、及びイメージセンサを含む撮像装置 - Google Patents
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Description
一実施形態において、入射される光を、波長によって選択的に透過させるカラーフィルタをさらに含んでもよい。
一実施形態において、第1センシングピクセル及び第2センシングピクセルから出力される両眼視差映像信号の位相差を基に焦点検出を行う焦点検出部をさらに含んでもよい。
一実施形態において、前記第1センシングピクセル及び前記第3センシングピクセルの前記第2光電変換部の前記中心軸が前記光軸から前記対角線端方向に離隔され、前記第2センシングピクセル及び前記第4センシングピクセルの前記第2光電変換部の前記中心軸が前記光軸から前記対角線反対端方向に離隔される。
一実施形態において、前記複数のセンシングピクセルに連結される配線層をさらに含み、前記第1光電変換部、前記第2光電変換部及び前記配線層は、前記マイクロレンズの下方に順に配置されてもよい。
一実施形態において、第3波長帯域の光を電気的信号に変換する第3光電変換部をさらに含んでもよい。
一実施形態において、前記イメージセンサは、半導体チップに具備される。
本発明の多様な一実施形態で使用された「第1」、「第2」、「最初」または「2番目」というような表現は、多様な一実施形態の多様な構成要素を修飾することができるが、当該構成要素を限定するものではない。例えば、前記表現は、当該構成要素の順序及び/または重要度などを限定するものではない。前記表現は、一構成要素を他の構成要素と区分するために使用される。例えば、第1ユーザ機器と第2ユーザ機器は、いずれもユーザ機器であり、互いに異なるユーザ機器を示す。例えば、本発明の多様な一実施形態の権利範囲を外れずに、第1構成要素は、第2構成要素と命名され、同様に、第2構成要素も第1構成要素と命名される。
異なって定義されない限り、技術的であったり科学的であったりする用語を含み、ここで使用される全ての用語は、本発明の多様な一実施形態が属する技術分野で当業者によって一般的に理解されるところと同一の意味を有している。一般的に使用される既定義のような用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有すると解釈しなければならず、本発明の多様な一実施形態で明白に定義されない限り、理想的であったり、過度に形式的であったりする意味に解釈されるものではない。
図1A及び図1Bを参照すれば、ピクセルPXは、マイクロレンズMLS、第1光電変換部110、第2光電変換部120及び配線層MLを含んでもよい。また、ピクセルPXは、平坦化層PL、絶縁層IL及びカラーフィルタCFをさらに含んでもよい。
一方、図1A及び図1Bでは、第1光電変換部110が第2光電変換部120の上方に積層されているように図示されているが、本発明の技術的思想は、それに制限されるものではない。他の実施形態において、第2光電変換部120が第1光電変換部110の上方に積層されたりもする。
一方、カラーフィルタCFは、光を、波長によって選択的に透過させることができる。本実施形態においてカラーフィルタCFは、補色フィルタであり、第2波長帯域の光と補色関係にある光の波長帯域を反射させるものであり、第2光電変換部120において、第2波長帯域の光が吸収される。
図2Aないし図2Cは、位相差AFを遂行する方法について説明するための図である。図2Aは、合焦状態、図2Bは、フロントフォーカス状態、図2Cはバックフォーカス状態を示す。図2Aないし図2Cにおいて、ピクセル位置は、行方向及び列方向に配置されるピクセルを含むピクセルアレイPXAにおいて、行方向または列方向によるピクセルの位置を示す。
かようなフロントフォーカス状態では、ピクセルアレイPXAにおいて、光軸から第1方向の領域ALでは、第2光信号IS2が主に検出され、第2位相差検出用信号の強度Pが大きい一方、第1位相差検出用信号の強度Pが小さい。光軸から第2方向の領域ARでは、第1光信号IS1が主に検出され、第1位相差検出用信号の強度Pが大きい一方、第2位相差検出用信号の強度Pは、小さく示される。従って、イメージセンサ、またはイメージセンサを含む撮像装置は、光軸から第1方向のピクセルアレイPXAの領域ALでは、第2位相差検出用信号の強度Pが所定の臨界値以上に検出され、第1位相差検出用信号の強度Pは、所定の臨界値未満に検出され、光軸から第2方向のピクセルアレイPXAの領域ARでは、第1位相差検出用信号の強度Pが所定の臨界値以上に検出され、第2位相差検出用信号の強度Pが所定の臨界値未満に検出されれば、フロントフォーカス状態と判断される。
図3を参照すれば、イメージセンサ100は、複数のピクセルPXを含み、前記複数のピクセルPXそれぞれは、マイクロレンズMLS、カラーフィルタCF、第1光電変換部110、貫通配線114、ストレージノード115、第2光電変換部120及び配線層MLを含んでもよい。複数のピクセルPXそれぞれは、また平坦化層PL及び絶縁層ILをさらに具備することができる。
カラーフィルタCFは、マイクロレンズMLSを介して入射される光を、波長によって選択的に透過させることができる。カラーフィルタCFは、例えば、補色フィルタであり、第2光電変換部120で吸収される波長の光と補色関係にある光の波長帯域を反射することができる。
ストレージノード115は、基板SUB内で第2光電変換部120と離隔配置され、貫通配線114を介して、前記第1下部電極113から出力される電気信号を臨時に保存することができる。ストレージノード115も、中心軸が光軸MLXに対して離隔される。
第1光電変換部110及び第2光電変換部120で光電変換された電気的信号は、配線層MLに具備されるピクセル回路(pixel circuit)(図示せず)で増幅され、映像信号として出力される。
図3を参照して説明したように、ピクセルPXは、第1光電変換部110及び第2光電変換部120を具備し、波長帯域が異なる少なくとも2つの光を電気的信号に変換して出力する。第1光電変換部110及び第2光電変換部120から電気信号を受信されて出力信号を発生する少なくとも1以上のピクセル回路が配線層ML(図3)に含まれる。
前述のように、第1光電変換部110及び第2光電変換部120は、シリコンフォトダイオードまたは化合物半導体フォトダイオードのような無機フォトダイオードPDまたは有機フォトダイオードOPDからなる。無機フォトダイオードPD(以下、フォトダイオードと指称する)及び有機フォトダイオードOPDに係わるピクセル回路は、それぞれ図4A及び図4Bのように図示される。
図5A及び図5Bに図示されているように、第2光電変換部120は、ピクセルPX内において一方向に偏向されるように配置されてもよい。イメージセンサ100aは、複数のピクセルPXを含んでもよく、行方向、例えば、x1−x2方向に隣接するように配置される第1ピクセルPX1及び第2ピクセルPX2の第2光電変換部120は、互いに反対になる方向に偏向されるように配置されてもよい。
図3を参照して説明したように、ストレージノード115は、同一平面上(例えば、基板SUB内))において、第2光電変換部120と離隔配置され、ピクセルPXのフィルファクタ(fill factor)を考慮し、第2光電変換部120が配置された後、余分の空間に配置されてもよい。従って、第1ピクセルPX1のストレージノード115は、左側に偏向されるように配置され、第2ピクセルPX2のストレージノード115は、右側に偏向されるように配置されてもよい。
このように、第1ピクセルPX1及び第2ピクセルPX2の第2光電変換部120が左右に相反する方向に偏向されるように配置されることにより、左右視差を有する映像信号の獲得が可能である。
第1ピクセルPX1のストレージノード115は、下側(y2方向)に偏向されるように配置され、第2ピクセルPX2のストレージノード115は、上側(y1方向)に偏向されるように配置されてもよい。
このように、第1ピクセルPX1及び第2ピクセルPX2の第2光電変換部120が上下に相反する方向に偏向されるように配置されることにより、上下視差を有する映像信号の獲得が可能である。
図5A及び図5Bを参照して説明したように、少なくとも1対のピクセルPX1,PX2から出力される信号を基に、左右視差及び/または上下視差を有する映像信号が獲得される。
なお、図6では、ピクセルPXが赤色信号または青色信号を出力するように図示されているが、それに制限されるものではない。カラーフィルタの構成は、多様に変形可能である。また、図6、及び前述の説明を基に、上下視差を有する映像を獲得する変形が可能であろう。
図7Aを参照すれば、イメージセンサ100cは、第2光電変換部120が偏向されるように配置された4個のピクセルPX1,PX2,PX3,PX4の組み合わせを含んでもよい。第1ピクセルPX1、第2ピクセルPX2、第3ピクセルPX3及び第4ピクセルPX4の第2光電変換部120は、互いに異なる方向に偏向されるように配置されてもよい。例えば、図示されているように、第2光電変換部120は、対角線に反対になる方向に配置されてもよい。第1ピクセルPX1ないし第4ピクセルPX4に具備される第2光電変換部120は、それぞれ、x1y1方向、x1y2方向、x2y1方向及びx2y2方向に偏向配置されてもよい。一実施形態において、x1y1方向、x1y2方向、x2y1方向及びx2y2方向は、互いに直交する。かような第2光電変換部120の配置により、上下左右の視差による映像信号を獲得することができる。
図8を参照すれば、イメージセンサ200は、複数のピクセルPXを含み、これら複数のピクセルPXそれぞれは、マイクロレンズMLS、カラーフィルタCF、第1光電変換部110、貫通配線114、ストレージノード115、第2光電変換部120及び配線層MLを含んでもよい。また、複数のピクセルPXそれぞれは、平坦化層PL及び絶縁層170をさらに具備することができる。
第2光電変換部120の中心軸CXは、光軸MLXと一方向に離隔される。
それにより、マイクロレンズMLSを介して入射される光のうち第1波長帯域の光が、第1光電変換部110で光電変換され、第1波長帯域の光を除いた残りの波長帯域の光のうち一部波長帯域の光が、カラーフィルタCFを透過することができる。カラーフィルタCFを透過した光成分は、第2光電変換部120で光電変換される。
図9を参照すれば、イメージセンサ300は、複数のピクセルPXを含み、これら複数のピクセルPXそれぞれは、マイクロレンズMLS、第1光電変換部110、第1貫通配線114、第1ストレージノード115、第2光電変換部120、第3光電変換部130、第3貫通配線134、第3ストレージノード135及び配線層MLを含んでもよい。また、複数のピクセルPXそれぞれは、平坦化層PL及び絶縁層ILをさらに具備することができる。また、複数のピクセルPXそれぞれは、カラーフィルタ(図示せず)をさらに具備することもできる。
図示されているように、第3光電変換部130、第1光電変換部110及び第2光電変換部120がマイクロレンズMLSの下方に順に積層される場合、第2光電変換部120は、マイクロレンズMLSを介して入射される光のうち第1波長帯域及び第3波長帯域の光を除いた残りの光を吸収することができる。例えば、第2光電変換部120は、第2波長帯域の光を電気的信号に変換することができる。一実施形態において、第2波長帯域の光を選択的に吸収するために、マイクロレンズMLSと第2光電変換部120との間にカラーフィルタ(図示せず)が介在されてもよい。
図10を参照すれば、イメージセンサ400は、複数のピクセルPXを含み、これら複数のピクセルPXそれぞれは、マイクロレンズMLS、カラーフィルタCF、第1光電変換部110、貫通配線114、ストレージノード115、第2光電変換部120及び配線層MLを含んでもよい。また、複数のピクセルPXそれぞれは、平坦化層PL及び絶縁層ILをさらに具備することができる。
図10を参照すれば、第2光電変換部120は、第1光電変換素子121及び第2光電変換素子122を含んでもよい。第1光電変換素子121及び第2光電変換素子122は、シリコンフォトダイオードまたは化合物半導体フォトダイオードのような無機フォトダイオードでもある。第1光電変換素子121及び第2光電変換素子122は、基板SUB内に形成される。
それにより、第2光電変換部120は、第2波長帯域の光に係わる、少なくとも2つの電気的信号を出力することができ、それに基づいて視差映像信号が獲得される。
一方、イメージセンサ400は、複数のピクセルPX1,PX2を含んでもよい。隣接する第1ピクセルPX1及び第2ピクセルPX2は、異種光または同種光に対するカラーフィルタCFを具備することができる。しかし、それに制限されるものではない。一実施形態において、複数のピクセルPXは、カラーフィルタCFを具備しないこともある。
ストレージノード115は、余裕空間に配置され、x1方向またはx2方向に偏向されるように配置されてもよい。図11Bにおいて、第1ピクセルPX1のストレージノード115は、x2方向に偏向配置され、第2ピクセルPX2のストレージノード115は、x1方向に偏向配置されるように図示されている。しかし、それは一例であり、第1ピクセルPX1及び第2ピクセルPX2のストレージノード115は、同じ方向、例えば、いずれもx1方向にまたはx2方向に偏向配置されてもよい。
図11Cを参照すれば、ストレージノード115ピクセルPXの対角線方向、例えば、x1y1方向、x1y2方向、x2y1方向及びx2y2方向に偏向配置されてもよい。図11Cに図示されているように、隣接する4つのピクセルPX1ないしPX4のストレージノード115は、4つのピクセルPX1ないしPX4の中心に向けて偏向されるように配置されてもよい。しかし、それは一例であるのみ、ピクセルPXのストレージノード115は、x1y1方向、x1y2方向、x2y1方向及びx2y2方向のうち少なくとも1つの方向に配置される。また、ピクセルPXのストレージノード115は、いずれも同一方向に偏向配置されてもよい。
図11D及び図11Fに図示されているように、複数のピクセルPXに具備されるそれぞれのストレージノード115は、x1y1方向、x1y2方向、x2y1方向及びx2y2方向のうち1つの方向に、いずれも同一方向に偏向されるように配置されてもよい。
図12を参照すれば、前記複数のピクセルPXそれぞれは、マイクロレンズMLS、カラーフィルタCF、第1光電変換部110、第1ストレージノード115a及び第2ストレージノード115b、第2光電変換部120、並びに配線層MLを含んでもよい。また、複数のピクセルPXそれぞれは、平坦化層PL及び絶縁層ILをさらに具備することができる。
マイクロレンズMLS、平坦化層PL、カラーフィルタCF、第1光電変換部110、第2光電変換部120及び配線層MLは、マイクロレンズMLSの下方に順に積層される。しかし、それに制限されるものではなく、第1光電変換部110及び第2光電変換部120の位置は変更されてもよい。第1光電変換部110が第2光電変換部120の下方に配置されもする。
図12を参照すれば、第1光電変換部110は、上部電極111、カラー選択層112、第1下部電極113a及び第2下部電極113bを含んでもよい。第1下部電極113a及び第2下部電極113bは、光軸MLXを中心に離隔配置されてもよい。そのように、第1光電変換部110が離隔配置される第1下部電極113a及び第2下部電極113bを含むことにより、第1光電変換部110は、互いに異なる電気的信号を出力する2つの光電変換素子を含むと見ることができる。
また、第2光電変換部120が互いに偏向配置される第1光電変換素子121及び第2光電変換素子122を含むが、第1下部電極113a及び第1光電変換素子121から出力される2つの電気的信号が組み合わされ、第1映像信号(例えば、左目映像信号)を構成し、第2下部電極113b及び第2光電変換素子122から出力される2つの電気的信号が組み合わされ、第2映像信号(例えば、右目映像信号)を構成することができる。
第1ストレージノード115a及び第2ストレージノード115bは、ピクセルPX内の余裕空間に配置されてもよい。第1ストレージノード115a及び第2ストレージノード115bも、x1−x2方向に互いに偏向されるように離隔配置されてもよい。
第1ストレージノード115a及び第2ストレージノード115bは、ピクセルPX内の余裕空間に配置されてもよい。第1ストレージノード115a及び第2ストレージノード115bも、y1−y2方向に互いに偏向されるように離隔配置されてもよい。
第1光電変換素子121及び第2光電変換素子122は、左右方向、例えば、x1−x2方向に偏向されるように互いに離隔配置されてもよい。
第1ストレージノード115a及び第2ストレージノード115bは、ピクセルPX内の余裕空間に配置され、x1−x2方向に偏向されるように互いに離隔配置されてもよい。
一実施形態において、三角形の第1光電変換素子121及び第2光電変換素子122、並びに第1ストレージノード115a及び第2ストレージノード115bが、上下方向、例えば、y1−y2方向に偏向されるように互いに離隔配置されることも可能である。
第1ストレージノード115aないし第4ストレージノード115dは、ピクセルPX内の余裕空間に配置され、ピクセルPXの対角線方向、例えば、x1y1方向、x1y2方向、x2y1方向及びx2y2方向に偏向配置されてもよい。
図14を参照すれば、イメージセンサ600に含まれる複数のピクセルPXそれぞれは、マイクロレンズMLS、カラーフィルタCF、第1光電変換部110、第1ストレージノード115a及び第2ストレージノード115b、第2光電変換部120、並びに配線層MLを含んでもよい。また、複数のピクセルPXそれぞれは、平坦化層PL及び絶縁層をさらに具備することができる。
一方、第1光電変換部110は、上部電極111、カラー選択層112、第1下部電極113a及び第2下部電極113bを含んでもよい。第1下部電極113a及び第2下部電極113bは、光軸MLXを中心に離隔配置されてもよい。そのように、第1光電変換部110が離隔配置される第1下部電極113a及び第2下部電極113bを含むことにより、第1光電変換部110は、互いに異なる電気的信号を出力する2つの光電変換素子を含むと見ることができる。
第1下部電極113a及び第2下部電極113bから出力される2つの電気的信号に基づいて視差映像信号が獲得される。
第1ストレージノード115aないし第4ストレージノード115dは、ピクセルPX内の余裕空間に配置され、ピクセルPXの対角線方向、例えば、x1y1方向、x1y2方向、x2y1方向及びx2y2方向に偏向配置されてもよい。
図16を参照すれば、イメージセンサ700は、複数のピクセルPXを含み、これら複数のピクセルPXそれぞれは、マイクロレンズMLS、第1光電変換部110、貫通配線114、第1ストレージノード115a、第2ストレージノード115b及び第3ストレージノード135、第2光電変換部120、第3光電変換部130、並びに配線層MLを含んでもよい。複数のピクセルPXそれぞれは、平坦化層PL及び絶縁層ILをさらに具備することができる。また、複数のピクセルPXそれぞれは、カラーフィルタ(図示せず)をさらに具備することもできる。
図示されているように、第3光電変換部130、第1光電変換部110及び第2光電変換部120がマイクロレンズMLSの下方に順に積層される場合、第2光電変換部120は、マイクロレンズMLSを介して入射される光のうち、第1波長帯域及び第3波長帯域の光を除いた残りの光を吸収することができる。例えば、第2光電変換部120は、第2波長帯域の光を電気的信号に変換することができる。このとき、第2波長帯域の光を選択的に吸収するために、マイクロレンズMLSと第2光電変換部120との間に、カラーフィルタ(図示せず)が介在されてもよい。
第1下部電極113a及び第2下部電極113bは、光軸MLXを中心に互いに異なる方向から入射される光に対応する電気的信号を出力することができる。例えば、第1下部電極113aは、x2方向、例えば、左側方向から入射される光に対応する電気的信号を出力し、第2下部電極113bは、x1方向、例えば、右側方向から入射される光に対応する電気的信号を出力することができる。
第1下部電極113a及び第2下部電極113bから出力される2つの電気的信号に基づいて、視差映像信号が獲得される。
図17を参照すれば、イメージセンサ700aは、複数のピクセルPXを含み、前記複数のピクセルPXそれぞれは、マイクロレンズMLS、第1光電変換部110、第2光電変換部120、第3光電変換部130、貫通配線114、ストレージノード115a,115b,135a,135b及び配線層MLを含んでもよい。また、複数のピクセルPXそれぞれは、平坦化層PL及び絶縁層IL1,IL2をさらに具備することができる。また、複数のピクセルPXそれぞれは、カラーフィルタ(図示せず)をさらに具備することもできる。
図17を参照すれば、第3光電変換部130は、上部電極131、カラー選択層132及び下部電極133a,133bを含んでもよい。第1下部電極113a及び第2下部電極113bは、光軸MLXを中心に離隔配置されてもよい。そのように、第3光電変換部130が離隔配置される第1下部電極133a及び第2下部電極133bを含むことにより、第3光電変換部130は、互いに異なる電気的信号を出力する2つの光電変換素子を含むと見ることができる。
第1下部電極133a及び第2下部電極133bは、光軸MLXを中心に互いに異なる方向から入射される光に対応する電気的信号を出力することができる。例えば、第1下部電極は113aは、x2方向、例えば、左側方向から入射される光に対応する電気的信号を出力し、第2下部電極113bは、x1方向、例えば、右側方向から入射される光に対応する電気的信号を出力することができる。第1下部電極113a及び第2下部電極113bから出力される2つの電気的信号に基づいて視差映像信号が獲得される。
図18を参照すれば、イメージセンサ700bは、複数のピクセルPXを含み、これら複数のピクセルPXそれぞれは、マイクロレンズMLS、第1光電変換部110、第2光電変換部120a、第3光電変換部130、貫通配線114、ストレージノード115a,115b,125a,135及び配線層MLを含んでもよい。また、複数のピクセルPXそれぞれは、平坦化層PL及び絶縁層IL1,IL2をさらに具備することができる。
第1光電変換部110は、第1波長帯域の光を吸収し、電気的信号に変換し、第2光電変換部120aは、第2波長帯域の光を吸収して電気的信号に変換し、第3光電変換部130は、第3波長帯域の光を吸収して電気的信号に変換することができる。
第1下部電極113a及び第2下部電極113bは、光軸MLXを中心に互いに異なる方向から入射される光に対応する電気的信号を出力することができる。第1下部電極113a及び第2下部電極113bから出力される2つの電気的信号に基づいて、視差映像信号が獲得される。
図1ないし図18を参照して説明した実施形態によるピクセル、言い換えれば、位相差映像信号を出力するピクセルを焦点ピクセルと指称する。前述の実施形態において、焦点ピクセルは、ピクセルアレイに全体的に配置されるように図示されている。しかし、本発明の技術的思想は、それに制限されるものではない。
図19A及び図19Bに図示されているように、焦点ピクセルFPXは、ピクセルアレイPXAa内の少なくとも一地点以上に配置される。
図19Bを参照すれば、少なくとも1つの焦点ピクセルFPXは、ピクセルアレイPXAbの行方向、例えば、x1−x2方向、または列方向、例えば、y1−y2方向に配置される。
FPXは、焦点ピクセルを示し、GPXは、一般ピクセルを示す。図20A及び図20Bに図示されているように、焦点ピクセルFPXは、対角線方向に配置されてもよい。また、図20C及び図20Dに図示されているように、焦点ピクセルFPXは、行方向または列方向に配置されてもよい。また、図20Eに図示されているように、複数個の焦点ピクセルFPXがマトリックス状に配置されてもよい。
かような、焦点ピクセルFPXの配列は、図19A及び図19Bに図示されているように、ピクセルアレイPXAa,PXAb内の少なくとも一地点以上に配置されてもよい。
本発明の一実施形態によるデジタル撮像装置1000は、撮像部1110、イメージセンサ1120、メモリ1130、保存/判読制御部1140、データ保存部1142、プログラム保存部1150、表示駆動部1162、表示部1164、CPU(central processing unit)/DSP(digital signal processor)1170及び操作部1180を含んでもよい。
CPU/DSP 1170、信号処理部1123、制御部1122及び保存/判読制御部1140は、プロセッサ及びメモリ(図示せず)を含んでもよい。
メモリ1130、データ保存部1142及びプログラム保存部1150は、揮発性メモリ、例えば、SRAM(static random access memory)、DRAM(dynamic random access memory)などを含んでもよい。
レンズ1111は、複数のレンズを具備することができる。レンズ1111は、レンズ駆動部1112によってその位置が調節される。レンズ駆動部1112は、CPU/DSP 1170から提供された制御信号によって、レンズ1111の位置を調節する。
絞り1113は、絞り駆動部1115によって、その開閉程度が調節され、ピクセル1118に入射される光量を調節する。
イメージセンサ1120は、入射される光を映像信号に変換することができる。イメージセンサ1120は、ピクセルアレイ1121、制御部1122及び信号処理部1123を含んでもよい。
信号処理部1123は、ピクセルアレイ1121から供給されたアナログ信号に対して、ノイズ低減処理、ゲイン調整、波形整形化、アナログ−デジタル変換処理などを行うことができる。また、信号処理部1123は、位相差AFのための信号処理を行うことができる。
表示駆動部1162は、表示部1164に駆動信号を提供する。
本発明の一実施形態によるCPU/DSP 1170aは、AF信号抽出部71、撮像信号処理部72、位相差AF処理部73、AFマイコン75及びコーデック76を含んでもよい。また、CPU/DSP 1170aは、コントラストAF処理部74をさらに含んでもよい。ピクセルアレイ1121は、図1ないし図20Eを参照して説明したピクセル構造及びピクセル配置を有することができる。
メモリは、コンピュータで判読可能なコード、言い換えれば、プロセッサによって実行され、プロセッサを、特定の目的のコンピュータとして設定するコードを含んでもよい。例えば、コードは、撮像信号処理部72を、ピクセルアレイ1121から出力されるイメージ信号に対するイメージ処理を行うように設定することができる。
位相差AF処理部74は、第1位相差検出用信号及び第2位相差検出用信号を利用して位相差AFを遂行する。位相差AF処理部74は、図2Aないし図2Cを参照して説明した方法によって、位相差AFを遂行することができる。
一例として、コントラストAF処理部74は、YCC信号に変換された撮像信号からY成分、すなわち、輝度成分を利用してコントラストAFを遂行することができる。
一方、図22においては、位相差AFとコントラストAFとを共に遂行する実施形態を図示したが、本発明は、それに限定されるものではなく、位相差AF処理部73で遂行された位相差AF結果のみを利用して、AFを遂行することもできる。
図23に図示されているように、イメージセンサ2100は、ピクセルアレイ2110、コントローラ2130、ロウドライバ2120、ピクセル信号読取り部2140及び信号処理部2150を含んでもよい。ピクセルアレイ2110は、以上で説明された本発明の例示的実施形態によるピクセルを含んでもよい。ピクセルは、有機光電変換部または無機光電変換部を含むマルチレイヤ構造を含み、さらに有機光電変換部だけで積層されたマルチレイヤ構造のピクセルでもある。それを介して、イメージを出力するための単位ピクセルの大きさを小さくすることができ、さらに鮮かなイメージを出力することができるようになる。また、ピクセルは、位相差AFのための視差映像信号が出力可能となる。
メモリは、コンピュータで判読可能なコード、言い換えれば、プロセッサによって実行され、プロセッサを、特定の目的のコンピュータとして設定するコードを含んでもよい。例えば、コードは、信号処理部2150を、バッファ2146から出力されるピクセルデータに対するイメージ処理を行う特定の目的のコンピュータとして設定することができる。
バッファ2146は、揮発性メモリ装置、例えば、SRAM、DRAMなどでもある。
アナログ−デジタルコンバータ2144は、相関二重サンプラ2142から受信するレベルに対応するアナログ信号を、デジタル信号に変換することができる。バッファ2146は、デジタル信号をラッチ(latch)することができ、ラッチされた信号は、順次に信号処理部2150またはイメージセンサ2100の外部に出力される。
図24を参照すれば、システム2200は、中央処理装置(CPU)(または、プロセッサ)2210、不揮発性メモリ2220、イメージセンサ2230、入出力装置(I/O)2240及びRAM 2250を含んでもよい。中央処理装置2210は、バス2260を介して、不揮発性メモリ2220、イメージセンサ2230、入出力装置2240及びRAM 2250と通信することができる。イメージセンサ2230は、独立した半導体チップによって具現されもし、中央処理装置2210と結合し、1つの半導体チップによって具現されもする。図24に図示されたシステムに含まれたイメージセンサ2230は、本発明の例示的実施形態によって以上で説明されたピクセルを含んでもよい。
図25を参照すれば、電子システム3000は、MIPI(mobile industry processor interface)を使用または支援することができるデータ処理装置、例えば、移動電話機、PDA(personal digital assistant)、PMP(portable multimedia player)またはスマートフォンに具現される。電子システム3000は、アプリケーション・プロセッサ3010、イメージセンサ3040及びディスプレイ3050を含んでもよい。
電子システム3000は、GPS(global position system)3020、ストレージ3070、マイク3080、DRAM 3085及びスピーカ3090をさらに含んでもよく、電子システム3000は、Wimax 3030、WLAN(wireless local area network)3100及びUWB(ultra wideband)3110などを利用して通信することができる。
図26を参照すれば、カメラ4000は、ボディ4100、イメージセンサ4200、レンズ部4300、ディスプレイ4400及びビューファインダ4500を含んでもよい。
レンズ部4300は、被写体からの光を集め、光を、ボディ4100内に配置されるイメージセンサ4300に導くための撮像光学系として機能する。レンズ部4300は、複数のレンズからなるレンズ群31を含む。レンズ群31には、焦点調節のためのフォーカスレンズ、及び変倍を行うためのズームレンズを含んでもよい。それぞれ光軸方向に駆動され、変倍や焦点調節を行う。
110 第1光電変換部
120,120a 第2光電変換部
130 第3光電変換部
CF カラーフィルタ
ML 配線層
MLS マイクロレンズ
PX ピクセル
PXA,PXAa,PXAb ピクセルアレイ
Claims (13)
- 複数のセンシングピクセルを含む、多層センサ構造のイメージセンサにおいて、
前記複数のセンシングピクセルそれぞれは、
光を集光するマイクロレンズと、
第1波長帯域の光を電気的信号に変換する第1光電変換部と、
基板上に形成され、前記第1波長帯域外部の少なくとも1つの広帯域の光を電気的信号に変換する第2光電変換部と、を含み、
前記第2光電変換部の中心軸は、前記マイクロレンズの光軸と離隔され、
前記第2光電変換部は、前記基板上において、前記第2光電変換部と離隔配置され、前記第1光電変換部から出力される電気信号を保存するストレージノードをさらに含み、
複数のセンシングピクセルは、前記マイクロレンズの光軸に垂直の第1軸上において隣接して配置された第1センシングピクセル及び第2センシングピクセルを含み、
前記第1センシングピクセルの前記第2光電変換部の前記中心軸は、前記第1軸上において、前記光軸と第1方向に離隔され、前記第2センシングピクセルの前記第2光電変換部の前記中心軸は前記第1軸上において、前記光軸と第2方向に離隔され、前記第2方向は前記第1方向の反対方向であり、
前記第1センシングピクセルの前記ストレージノードは、前記第1軸上において前記光軸と前記第2方向に離隔され、前記第2センシングピクセルの前記ストレージノードは前記第1軸上において前記光軸と前記第1方向に離隔されることを特徴とするイメージセンサ。 - 前記第1光電変換部は、有機フォトダイオードを含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記第2光電変換部は、シリコンフォトダイオードまたは化合物半導体フォトダイオードを含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記光を、波長を基に選択的に透過させるカラーフィルタをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記第1センシングピクセルは、前記第1波長帯域の光に対応する第1電気信号、及び第2波長帯域の光に対応する第2電気信号を出力し、
前記第2センシングピクセルは、前記第1波長帯域の光に対応する前記第1電気信号、及び第3波長帯域の光に対応する第3電気信号を出力することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記第1センシングピクセル及び第2センシングピクセルから出力される両眼視差映像信号の位相差を基に焦点検出を行う焦点検出部をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記複数のセンシングピクセルは、前記マイクロレンズの光軸及び前記第1軸にそれぞれ垂直の第2軸上において隣接して配置された第3センシングピクセル及び第4センシングピクセルをさらに含み、
前記第3センシングピクセルないし第4センシングピクセルは、それぞれ前記第2光電変換部を具備し、前記第1センシングピクセルないし第4センシングピクセルそれぞれの前記第2光電変換部の中心軸は、該当する前記マイクロレンズの光軸と異なる方向に離隔され、
前記それぞれの第2光電変換部は、前記第1センシングピクセル乃至第4センシングピクセル集合に内接する四角形の2つの対角線それぞれの両側方向に配置され、
前記第1センシングピクセルないし第4センシングピクセルそれぞれの前記ストレージノードは、前記第2光電変換部の配置方向とは反対の前記対角線が交差する位置に近接して配置されることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記異なる方向は、互いに直交することを特徴とする請求項7に記載のイメージセンサ。
- 前記第1センシングピクセル及び前記第3センシングピクセルの前記第2光電変換部の前記中心軸が前記光軸から前記対角線端方向に離隔され、前記第2センシングピクセル及び前記第4センシングピクセルの前記第2光電変換部の前記中心軸が前記光軸から前記対角線反対端方向に離隔されることを特徴とする請求項7に記載のイメージセンサ。
- 前記複数のセンシングピクセルに連結される配線層をさらに含み、
前記第1光電変換部、前記第2光電変換部及び前記配線層は、前記マイクロレンズの下方に順に配置されることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 第3波長帯域の光を、前記電気的信号に変換する第3光電変換部をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記イメージセンサは、半導体チップによって具現されることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 被写体から反射する光を集めるレンズと、
複数のピクセルを含むピクセルアレイを具備する、多層センサ構造のイメージセンサと、を含み、
複数のピクセルのうち少なくとも一つは、焦点ピクセルであり、
前記焦点ピクセルは、請求項1に記載のセンシングピクセルであることを特徴とする撮像装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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