JP6708269B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
特許文献1 特開2005−347289号公報
Claims (17)
- 第1導電型のドリフト領域を有する半導体基板と、
前記半導体基板の内部において前記ドリフト領域の上方に設けられた第2導電型のベース領域と、
前記半導体基板の内部において前記ドリフト領域と前記ベース領域の下面との間に設けられ、前記ドリフト領域および前記ベース領域よりも第2導電型のキャリアの移動度が小さい蓄積領域と、
前記半導体基板の上面から前記半導体基板の内部まで形成され、前記ベース領域と接する、前記半導体基板の上面に配列された複数のトレンチ部であって、少なくとも1つのゲートトレンチ部を含む、複数のトレンチ部と、
前記半導体基板の内部において、前記蓄積領域と、前記ゲートトレンチ部との間の少なくとも一部の領域に設けられ、前記蓄積領域よりも第2導電型のキャリアの移動度が大きいキャリア通過領域と、
前記半導体基板の内部において前記ベース領域の上方に形成され、前記ドリフト領域よりも高ドーピング濃度の第1導電型のエミッタ領域と、
前記複数のトレンチ部に挟まれ、前記少なくとも1つのゲートトレンチ部に接するメサ部と
を備え、
前記エミッタ領域および前記ベース領域は、前記メサ部に設けられ、
前記ベース領域は、前記メサ部において前記ゲートトレンチ部の下端よりも下まで設けられており、
前記蓄積領域は、前記メサ部において前記ゲートトレンチ部の下端よりも下に設けられ、前記エミッタ領域の下方において、前記ベース領域に接し、
前記複数のトレンチ部の配列方向において、前記蓄積領域の幅は、前記メサ部の幅と同一か、より大きい、
半導体装置。 - 第1導電型のドリフト領域を有する半導体基板と、
前記半導体基板の内部において前記ドリフト領域の上方に設けられた第2導電型のベース領域と、
前記半導体基板の内部において前記ドリフト領域と前記ベース領域の下面との間に設けられ、前記ドリフト領域および前記ベース領域よりも第2導電型のキャリアの移動度が小さい蓄積領域と、
前記半導体基板の上面から前記半導体基板の内部まで形成され、前記ベース領域と接するゲートトレンチ部と、
前記半導体基板の内部において、前記蓄積領域と、前記ゲートトレンチ部との間の少なくとも一部の領域に設けられ、前記蓄積領域よりも第2導電型のキャリアの移動度が大きいキャリア通過領域と、
前記ゲートトレンチ部に接するメサ部と、
を備え、
前記ベース領域は、前記メサ部に設けられ、前記メサ部において前記ゲートトレンチ部の下端よりも下まで設けられており、
前記蓄積領域は、前記メサ部において前記ゲートトレンチ部の下端よりも下に設けられており、
前記蓄積領域は、前記ベース領域の全体と重なるように設けられる
半導体装置。 - 第1導電型のドリフト領域を有する半導体基板と、
前記半導体基板の内部において前記ドリフト領域の上方に設けられた第2導電型のベース領域と、
前記半導体基板の内部において前記ドリフト領域と前記ベース領域の下面との間に設けられ、前記ドリフト領域および前記ベース領域よりも第2導電型のキャリアの移動度が小さい蓄積領域と、
前記半導体基板の上面から前記半導体基板の内部まで形成され、前記ベース領域と接するゲートトレンチ部と、
前記半導体基板の内部において、前記蓄積領域と、前記ゲートトレンチ部との間の少なくとも一部の領域に設けられ、前記蓄積領域よりも第2導電型のキャリアの移動度が大きいキャリア通過領域と、
前記ゲートトレンチ部に接するメサ部と、
を備え、
前記ベース領域は、前記メサ部に設けられ、前記メサ部において前記ゲートトレンチ部の下端よりも下まで設けられており、
前記蓄積領域は、前記メサ部において前記ゲートトレンチ部の下端よりも下に設けられており、
前記ゲートトレンチ部は、前記半導体基板の上面において予め定められた直線方向に沿って設けられ、
前記半導体基板の内部において前記ベース領域の上方に形成され、前記ドリフト領域よりも高ドーピング濃度の第1導電型のエミッタ領域と、
前記半導体基板の内部において前記ベース領域の上方に形成され、前記ベース領域よりも高ドーピング濃度の第2導電型のコンタクト領域と
を更に備え、
前記半導体基板の上面において、前記直線方向に沿って前記エミッタ領域および前記コンタクト領域が交互に露出しており、
前記キャリア通過領域が、前記コンタクト領域の下方にも設けられている
半導体装置。 - 第1導電型のドリフト領域を有する半導体基板と、
前記半導体基板の内部において前記ドリフト領域の上方に設けられた第2導電型のベース領域と、
前記半導体基板の内部において前記ドリフト領域と前記ベース領域の下面との間に設けられ、前記ドリフト領域および前記ベース領域よりも第2導電型のキャリアの移動度が小さい蓄積領域と、
前記半導体基板の上面から前記半導体基板の内部まで形成され、前記ベース領域と接するゲートトレンチ部と、
前記半導体基板の内部において、前記蓄積領域と、前記ゲートトレンチ部との間の少なくとも一部の領域に設けられ、前記蓄積領域よりも第2導電型のキャリアの移動度が大きいキャリア通過領域と
を備え、
前記ゲートトレンチ部は、
前記半導体基板の上面に隣接する上側部分と、
前記上側部分の下に設けられ、前記上側部分よりも細い下側部分と
を有し、
前記ベース領域は、前記上側部分に隣接して設けられ、
前記蓄積領域は、前記下側部分と対向する位置に設けられ、
前記キャリア通過領域は、前記蓄積領域と前記下側部分との間に設けられる
半導体装置。 - 第1導電型のドリフト領域を有する半導体基板と、
前記半導体基板の内部において前記ドリフト領域の上方に設けられた第2導電型のベース領域と、
前記半導体基板の内部において前記ドリフト領域と前記ベース領域の下面との間に設けられ、前記ドリフト領域および前記ベース領域よりも第2導電型のキャリアの移動度が小さい蓄積領域と、
前記半導体基板の上面から前記半導体基板の内部まで形成され、前記ベース領域と接するゲートトレンチ部と、
前記半導体基板の内部において、前記蓄積領域と、前記ゲートトレンチ部との間の少なくとも一部の領域に設けられ、前記蓄積領域よりも第2導電型のキャリアの移動度が大きいキャリア通過領域と、
前記ゲートトレンチ部に接するメサ部と、
を備え、
前記ベース領域は、前記メサ部に設けられ、前記メサ部において前記ゲートトレンチ部の下端よりも下まで設けられており、
前記蓄積領域は、前記メサ部において前記ゲートトレンチ部の下端よりも下に設けられており、
前記半導体基板に設けられ、前記半導体基板の下面と隣接する領域に第2導電型のコレクタ領域を有するトランジスタ部と、
前記半導体基板に設けられ、前記半導体基板の下面と隣接する領域に第1導電型のカソード領域を有するダイオード部と
を備え、
前記トランジスタ部は、前記ドリフト領域、前記ベース領域、前記蓄積領域、前記ゲートトレンチ部および前記キャリア通過領域を有し、
前記ダイオード部は、
前記ドリフト領域と、
前記ベース領域と、
前記半導体基板の上面から前記半導体基板の内部まで形成されたダミートレンチ部と
を有する
半導体装置。 - 前記ダイオード部においては、前記ベース領域と前記ドリフト領域との間に前記蓄積領域が設けられていない
請求項5に記載の半導体装置。 - 第1導電型のドリフト領域を有する半導体基板と、
前記半導体基板の内部において前記ドリフト領域の上方に設けられた第2導電型のベース領域と、
前記半導体基板の内部において前記ドリフト領域と前記ベース領域の下面との間に設けられ、前記ドリフト領域および前記ベース領域よりも第2導電型のキャリアの移動度が小さい蓄積領域と、
前記半導体基板の上面から前記半導体基板の内部まで形成され、前記ベース領域と接するゲートトレンチ部と、
前記半導体基板の内部において、前記蓄積領域と、前記ゲートトレンチ部との間の少なくとも一部の領域に設けられ、前記蓄積領域よりも第2導電型のキャリアの移動度が大きいキャリア通過領域と、
前記ゲートトレンチ部に接するメサ部と、
を備え、
前記ベース領域は、前記メサ部に設けられ、前記メサ部において前記ゲートトレンチ部の下端よりも下まで設けられており、
前記蓄積領域は、前記メサ部において前記ゲートトレンチ部の下端よりも下に設けられており、
前記蓄積領域は前記ベース領域と接して設けられており、且つ、前記メサ部における前記ベース領域の全体と重なるように設けられている
半導体装置。 - 第1導電型のドリフト領域を有する半導体基板と、
前記半導体基板の内部において前記ドリフト領域の上方に設けられた第2導電型のベース領域と、
前記半導体基板の内部において前記ドリフト領域と前記ベース領域の下面との間に設けられ、前記ドリフト領域および前記ベース領域よりも第2導電型のキャリアの移動度が小さい蓄積領域と、
前記半導体基板の上面から前記半導体基板の内部まで形成され、前記ベース領域と接するゲートトレンチ部と、
前記半導体基板の内部において、前記蓄積領域と、前記ゲートトレンチ部との間の少なくとも一部の領域に設けられ、前記蓄積領域よりも第2導電型のキャリアの移動度が大きいキャリア通過領域と、
前記ゲートトレンチ部に接するメサ部と、
を備え、
前記ベース領域は、前記メサ部に設けられ、前記メサ部において前記ゲートトレンチ部の下端よりも下まで設けられており、
前記蓄積領域は、前記メサ部において前記ゲートトレンチ部の下端よりも下に設けられており、
前記メサ部において前記ベース領域の上方に形成され、前記ドリフト領域よりも高ドーピング濃度の第1導電型のエミッタ領域を備え、
前記蓄積領域は、前記メサ部の下方に設けられ、且つ、当該メサ部における前記ベース領域の全体と重なるように設けられる
半導体装置。 - 前記蓄積領域は、前記ドリフト領域よりも高ドーピング濃度の第1導電型の領域である
請求項1から8のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記蓄積領域は、酸化領域、窒化領域および炭化領域のうちの少なくとも一種類の高抵抗領域を含有する
請求項1から9のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記キャリア通過領域は、前記ドリフト領域の一部である
請求項1から10のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記蓄積領域は、前記ゲートトレンチ部の下面の一部と更に重なるように設けられる
請求項1から11のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の上面から前記半導体基板の内部まで形成され、前記ベース領域と接するダミートレンチ部を備え、
前記ダミートレンチ部と前記蓄積領域との間には、前記キャリア通過領域が設けられていない
請求項1から12のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の上面から前記半導体基板の内部まで形成されたダミートレンチ部を備え、
前記ゲートトレンチ部に接するメサ部は、前記ゲートトレンチ部および前記ダミートレンチ部に挟まれ、
前記ベース領域は、前記メサ部に設けられ、且つ、前記ダミートレンチ部および前記ゲートトレンチ部の両方に隣接して設けられ、
前記メサ部において前記ダミートレンチ部に隣接する前記ベース領域は、当該メサ部において前記ゲートトレンチ部に隣接する前記ベース領域よりも、前記半導体基板の上面から見て深くまで形成されている
請求項1から13のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の上面から前記半導体基板の内部まで形成されたダミートレンチ部を備え、
前記ベース領域は、前記ダミートレンチ部および前記ゲートトレンチ部の両方に隣接して設けられ、
前記ダミートレンチ部は、
トレンチ内壁に形成されたダミー絶縁膜と、
前記ダミー絶縁膜に囲まれたダミー導電部と
を有し、
前記ダミー絶縁膜は、前記ダミートレンチ部の底部の少なくとも一部には形成されておらず、
前記ダミー導電部は、前記ダミートレンチ部の底部において、前記半導体基板と接触する
請求項1から14のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記ゲートトレンチ部は、前記半導体基板の上面において予め定められた直線方向に沿って設けられ、
前記半導体基板の内部において前記ベース領域の上方に形成され、前記ドリフト領域よりも高ドーピング濃度の第1導電型のエミッタ領域と、
前記半導体基板の内部において前記ベース領域の上方に形成され、前記ベース領域よりも高ドーピング濃度の第2導電型のコンタクト領域と
を更に備え、
前記半導体基板の上面において、前記直線方向に沿って前記エミッタ領域および前記コンタクト領域が交互に露出しており、
前記キャリア通過領域が、前記エミッタ領域の下方にも設けられている
請求項1から15のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記蓄積領域は、前記半導体基板の深さ方向において前記ベース領域と離れて設けられている
請求項1から16のいずれか一項に記載の半導体装置。
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