JP5604892B2 - 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ - Google Patents
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Description
(特徴1)IGBTは、複数のトレンチゲートと複数のダミートレンチとボディコンタクト領域を備えている。トレンチゲートは、平面視したときに、素子領域の一端から他端まで第1方向に沿って連続して伸びている。複数のトレンチゲートは、平面視したときに、第1方向に直交する第2方向に間隔を置いて設けられており、ストライプ状に配置されている。複数のダミートレンチは、平面視したときに、第1方向に沿って間隔を置いて配置されている。ボディコンタクト領域の少なくとも一部は、第1方向に隣り合うダミートレンチ間に設けられている。
(特徴2)ダミートレンチの深さとトレンチゲート電極の深さが同じである。
(特徴3)第1ボディコンタクト領域の不純物濃度と第2ボディコンタクト領域の不純物濃度が同じである。
10:ボディ領域
16:エミッタ電極
23:ダミートレンチ
26:絶縁ゲート
30,230:第1ボディコンタクト領域
32:第2ボディコンタクト領域
36,236:繰返し部
100,200,300:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)
Claims (5)
- 絶縁ゲートバイポーラトランジスタであって、
第1導電型のドリフト領域と、
ドリフト領域上に設けられている第2導電型のボディ領域と、
ボディ領域を貫通してドリフト領域に接しており、平面視したときに第1方向に沿って間隔を置いて配置されている複数のダミートレンチと、
平面視したときに前記第1方向に直交する第2方向に沿って間隔を置いて配置されており、前記ダミートレンチを間に置いて設けられている複数の絶縁ゲートと、
ボディ領域上に設けられており、平面視したときに前記第1方向に隣り合う前記ダミートレンチ間に配置されており、前記ボディ領域よりも不純物濃度が濃い第2導電型の第1ボディコンタクト領域と、
前記ボディ領域上に設けられており、平面視したときに前記第2方向で前記第1ボディコンタクト領域に隣接して配置されており、前記ボディ領域よりも不純物濃度が濃い第2導電型の第2ボディコンタクト領域と、
第1ボディコンタクト領域に接触するエミッタ電極と、を備えており、
前記第2ボディコンタクト領域は、平面視したときに前記第1方向に隣り合う前記ダミートレンチ間に配置されておらず、
前記第1方向に隣り合う前記ダミートレンチは、平面視したときに前記第1ボディコンタクト領域の下方において連結している絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。 - 前記第1ボディコンタクト領域は、前記第2ボディコンタクト領域よりも深い請求項1に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
- 前記第1方向に沿って前記第1ボディコンタクト領域と前記ダミートレンチが繰返す繰返し部が、前記第2方向に沿って間隔を置いて複数設けられており、
前記第2方向に隣り合う前記繰返し部の前記第1ボディコンタクト領域が前記第2ボディコンタクト領域を介して連結している請求項1又は2に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。 - 前記ダミートレンチが前記エミッタ電極に電気的に接続されている請求項1〜3のいずれか一項に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
- 前記絶縁ゲートは、前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト領域に接するトレンチ型であり、
前記絶縁ゲートは、平面視したときに、前記第1方向に沿って伸びている請求項1〜4のいずれか一項に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
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