JP6708250B2 - 弾性波装置 - Google Patents

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Description

本発明は、弾性波装置に関する。
従来、異なる周波数帯域を利用した複数の通信信号を共通アンテナで送受信する弾性波装置が各種提案されている。
下記の特許文献1には、複数のデュプレクサを有する弾性波装置の一例が開示されている。この弾性波装置は、アンテナと複数のデュプレクサとの接続状態を切り替えるスイッチを有する。アンテナとスイッチとの間には、整合回路が接続されている。スイッチと各デュプレクサとの間には、インピーダンス整合を改善するために、それぞれ表面実装型のインダクタ素子が接続されている。
国際公開第2012/043430号
特許文献1の弾性波装置においては、スイッチと各デュプレクサとの間に、それぞれ表面実装型のインダクタ素子が接続されているため、小型化を図ることが困難であった。小型化のため、表面実装型のインダクタ素子を、実装基板上に設けられた配線パターンに置き換えたとしても、Q値が劣化し、フィルタ特性が劣化する。
そこで、本発明の目的は、フィルタ特性の劣化を招くことなく、小型化を図ることができる、弾性波装置を提供することにある。
本発明に係る弾性波装置のある広い局面では、一方端と他方端とを有するインピーダンス整合素子と、前記インピーダンス整合素子の前記他方端に接続されている第1のスイッチ端子と、複数の第2のスイッチ端子とを有し、前記第1のスイッチ端子と前記複数の第2のスイッチ端子との接続状態を切り替えるスイッチと、前記複数の第2のスイッチ端子にそれぞれ接続されている複数のマルチプレクサと、基板と、前記基板上に設けられており、かつ前記インピーダンス整合素子よりもインダクタンスが小さい、少なくとも1つのインダクタとを備え、少なくとも1つの前記第2のスイッチ端子と、少なくとも1つの前記マルチプレクサとが、前記インダクタを介して接続されている。
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記スイッチが、前記第1のスイッチ端子と、少なくとも1つの前記マルチプレクサとの間に接続されている、少なくとも1つのコンデンサを含む。この場合には、小型化をより一層進めることができる。
本発明に係る弾性波装置の他の広い局面では、一方端と他方端とを有するインピーダンス整合素子と、前記インピーダンス整合素子の前記他方端に接続されている第1のスイッチ端子と、複数の第2のスイッチ端子とを有し、前記第1のスイッチ端子と前記複数の第2のスイッチ端子との接続状態を切り替えるスイッチと、前記複数の第2のスイッチ端子にそれぞれ接続されている複数のマルチプレクサとが備えられており、前記スイッチが、前記第1のスイッチ端子と、少なくとも1つの前記マルチプレクサとの間に接続されている、少なくとも1つのコンデンサを含む。
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、基板と、前記基板上に設けられており、かつ前記インピーダンス整合素子よりもインダクタンスが小さい、少なくとも1つのインダクタとをさらに備え、少なくとも1つの前記第2のスイッチ端子と、少なくとも1つの前記マルチプレクサとが、前記インダクタを介して接続されている。この場合には、小型化をより一層進めることができる。
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記インダクタのうち少なくとも1つが、前記基板上に設けられた配線パターンを含む第1のインダクタである。この場合には、小型化をより一層進めることができる。
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記第1のインダクタが接続されている前記第2のスイッチ端子と前記マルチプレクサとの距離よりも長い配線パターンにより、前記第1のインダクタが構成されている。この場合には、小型化を効果的に進めることができる。
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記第1のインダクタが、ミアンダ状の形状の配線パターンを含む。
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記基板上に積層された少なくとも1つの積層基板をさらに備え、前記第1のインダクタが、前記基板上及び前記積層基板上に形成された配線パターンからなる配線パターン部と、前記配線パターン部に接続されており、かつ前記積層基板を貫通しているビア電極部とを有する。
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第1のインダクタが、前記基板及び前記積層基板のうち少なくとも一方に設けられたスパイラル状の形状の配線パターンを含む。
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記インダクタのうち少なくとも1つが、表面実装型インダクタ部品である第2のインダクタであり、少なくとも1つの前記マルチプレクサが、前記第2のインダクタを介さずに前記インピーダンス整合素子に接続されている。この場合には、Q値を高めることができる。
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記インピーダンス整合素子、前記スイッチ、前記インダクタ及び前記複数のマルチプレクサが前記基板上に設けられている。この場合には、小型化をより一層進めることができる。
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、基板がさらに備えられており、前記インピーダンス整合素子、前記スイッチ及び前記複数のマルチプレクサが前記基板上に設けられている。この場合には、小型化をより一層進めることができる。
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、少なくとも1つの前記第2のスイッチ端子と少なくとも1つの前記マルチプレクサとが、コンデンサを介して接続されている。
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、少なくとも1つの前記第2のスイッチ端子及び少なくとも1つの前記マルチプレクサとグラウンド電位との間に、インダクタ及びコンデンサのうち少なくとも一方が接続されている。
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記インピーダンス整合素子と前記スイッチとが、インダクタ及びコンデンサのうち少なくとも一方を介して接続されている。
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記インピーダンス整合素子及び前記スイッチとグラウンド電位との間に、インダクタ及びコンデンサのうち少なくとも一方が接続されている。
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記スイッチにおいて、前記第1のスイッチ端子が1つの前記第2のスイッチ端子に接続される。
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記スイッチにおいて、前記第1のスイッチ端子が前記複数の第2のスイッチ端子に接続される。
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記インピーダンス整合素子の前記一方端がアンテナに接続される。
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記インピーダンス整合素子が前記アンテナと前記第1のスイッチ端子の間に接続される。
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記インピーダンス整合素子の前記一方端が増幅器に接続される。
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記インピーダンス整合素子が前記増幅器と前記第1のスイッチ端子の間に接続される。
本発明に係る弾性波装置によれば、フィルタ特性の劣化を招くことなく、小型化を図ることができる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。 図2は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の略図的正面図である。 図3は、第1の比較例の弾性波装置の模式図である。 図4は、第2の比較例の弾性波装置の模式図である。 図5は、本発明の第1の実施形態における第1のインダクタにおける配線パターンの形状の一例を示す模式的平面図である。 図6は、本発明の第1の実施形態の第1の変形例における第1のインダクタ付近の模式的断面図である。 図7は、本発明の第1の実施形態の第2の変形例における第1のインダクタ付近の模式的平面図である。 図8は、本発明の第1の実施形態の第3の変形例におけるインピーダンス整合素子及びスイッチ付近を示す模式図である。 図9は、本発明の第1の実施形態の第4の変形例におけるインピーダンス整合素子及びスイッチ付近を示す模式図である。 図10は、本発明の第1の実施形態の第5の変形例におけるインピーダンス整合素子及びスイッチ付近を示す模式図である。 図11は、本発明の第1の実施形態の第6の変形例に係る弾性波装置の模式図である。 図12は、本発明の第1の実施形態の第7の変形例に係る弾性波装置の模式図である。 図13は、本発明の第2の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。 図14は、本発明の第2の実施形態の第1の変形例に係る弾性波装置の模式図である。 図15は、本発明の第2の実施形態の第2の変形例に係る弾性波装置の模式図である。 図16は、本発明の第3の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。 図17は、本発明の第4の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。図2は、第1の実施形態に係る弾性波装置の略図的正面図である。
図1に示すように、弾性波装置1は、本発明における基板としての実装基板3を有する。実装基板3上には、第1〜第4のマルチプレクサとしての第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dが設けられている。第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dは、それぞれ受信フィルタ及び送信フィルタを有する。第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dは、例えば、携帯電話機における互いに異なるBandに用いられる。
第1のデュプレクサ2Aは、入力端子2Aa及び出力端子2Abを有する。入力端子2Aaは送信端子であり、出力端子2Abは受信端子である。同様に、第2〜第4のデュプレクサ2B〜2Dも、入力端子2Ba〜2Da及び出力端子2Bb〜2Dbを有する。
他方、弾性波装置1は、端子4を有する。本実施形態では、端子4は、アンテナに接続されるアンテナ端子である。端子4は、表面実装型(SMD型)インダクタであるインピーダンス整合素子5に接続されている。より具体的には、インピーダンス整合素子5は、一方端と他方端とを有する。端子4は、インピーダンス整合素子5の一方端に接続されている。図2に示すように、インピーダンス整合素子5は、チップ部品である。インピーダンス整合素子5は、例えば、半田などを介して実装基板3上に実装されている。
図1に戻り、インピーダンス整合素子5の他方端はスイッチ6に接続されている。スイッチ6は、第1のスイッチ端子6aと、複数の第2のスイッチ端子6bA〜6bDとを有する。第1のスイッチ端子6aが、インピーダンス整合素子5に接続されている。
複数の第2のスイッチ端子6bA〜6bDは、それぞれ第1〜第4の配線9A〜9Dを介して上記第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dに接続されている。本実施形態では、端子4、インピーダンス整合素子5、スイッチ6、第1〜第4の配線9A〜9D及び第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dは、実装基板3上に設けられている。
弾性波装置1は第1のインダクタ8aB,8aDを有する。第1のインダクタ8aBは第2の配線9B上に設けられている。第1のインダクタ8aDは第4の配線9D上に設けられている。第1のインダクタ8aB,8aDのインダクタンスは、いずれもインピーダンス整合素子5のインダクタンスよりも小さい。第1のインダクタ8aB,8aDは、実装基板3上に設けられた配線パターンからなる。なお、本明細書において、例えば、第1のインダクタ8aBが第2の配線9B上に設けられているとは、第2のスイッチ端子6bBとデュプレクサ2Bとが第1のインダクタ8aBを介して接続されていることをいう。
インピーダンス整合素子5及び第1のインダクタ8aB,8aDは、第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dの、アンテナ側におけるインピーダンス整合を行う。なお、本実施形態では、第1,第3の配線9A,9C上には、インダクタは接続されていない。
本実施形態の特徴は、以下の構成にある。1)端子4とスイッチ6との間に表面実装型インダクタ部品であるインピーダンス整合素子5が接続されていること。2)インピーダンス整合素子5よりもインダクタンスが小さく、かつ配線パターンからなる第1のインダクタ8aB,8aDが、第2,第4の配線9B,9D上に設けられていること。それによって、フィルタ特性の劣化を招くことなく、弾性波装置1の小型化を図ることができる。これを以下において説明する。
本実施形態の第1のデュプレクサ2Aにおいては、インピーダンス整合に要するインダクタンスは8nHである。第2のデュプレクサ2Bにおいてインピーダンス整合に要するインダクタンスは10nHである。第3及び第4のデュプレクサ2C及び2Dにおいてインピーダンス整合に要するインダクタンスは、それぞれ8nH及び9nHである。なお、これらのインダクタンスは一例であり、特に限定されない。
インピーダンス整合素子5は、スイッチ6を介して第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dに接続されている。インピーダンス整合素子5は、第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dの共通のインピーダンス整合素子である。インピーダンス整合素子5のインダクタンスは、第1,第3のデュプレクサ2A,2Cがインピーダンス整合に要するインダクタンスである8nHである。よって、第1,第3のデュプレクサ2A,2Cは、インピーダンス整合素子5以外のインダクタに接続されていなくとも、インピーダンス整合を良好とすることができる。
第1のインダクタ8aB及び8aDのインダクタンスはそれぞれ2nH及び1nHである。第2のデュプレクサ2Bは、第1のインダクタ8aBを介してインピーダンス整合素子5に接続されている。第4のデュプレクサ2Dは、第1のインダクタ8aDを介してインピーダンス整合素子5に接続されている。よって、第2,第4のデュプレクサ2B,2Dのインピーダンス整合を良好とすることができる。
以下において、本実施形態と第1,第2の比較例とを比較する。
図3は、第1の比較例の弾性波装置の模式図である。
弾性波装置51は、端子4とスイッチ6との間にインピーダンス整合素子が接続されていない点で、第1の実施形態と異なる。弾性波装置51においては、スイッチ6と、全てのデュプレクサである第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dとの間に、それぞれ第2のインダクタ48bA〜48bDが接続されている。この点においても、第1の実施形態と異なる。
第2のインダクタ48bA〜48bDは、表面実装型インダクタ部品である。そのため、実装基板3上に設けられた配線パターンからなるインダクタよりも、大型のインダクタである。このような第2のインダクタ48bA〜48bDが第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dと同数設けられているため、弾性波装置51の小型化を図ることは困難である。
これに対して、図1に示す本実施形態においては、インピーダンス整合素子5以外のインダクタは、いずれも実装基板3上に設けられた配線パターンからなる。加えて、第1,第3のデュプレクサ2A,2Cとスイッチ6との間にはインダクタは接続されていない。従って、インピーダンス整合などのフィルタ特性の劣化を招くことなく、弾性波装置の小型化を図ることができる。
図4は、第2の比較例の弾性波装置の模式図である。
弾性波装置61は、端子4とスイッチ6との間にインピーダンス整合素子が接続されていない点で、第1の実施形態と異なる。弾性波装置61においては、スイッチ6と、全てのデュプレクサである第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dとの間に、それぞれ第1のインダクタ8aA〜8aDが接続されている。この点においても、第1の実施形態と異なる。
弾性波装置61においては、実装基板3上に設けられた配線パターンからなる第1のインダクタ8aA〜8aDのみにより、第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dのインピーダンス整合を行っている。そのため、Q値が劣化し、フィルタ特性が劣化する。
これに対して、図1に示す本実施形態の弾性波装置1は、表面実装型インダクタ部品であり、Q値が高いインピーダンス整合素子5を有する。さらに、本実施形態においては、インピーダンス整合素子5のインダクタンスよりも第1のインダクタ8aB,8aDのインダクタンスは小さい。よって、Q値の劣化によるフィルタ特性の劣化を招くことなく、弾性波装置1の小型化を図ることができる。
加えて、第1,第3のデュプレクサ2A,2Cにおいては、インピーダンス整合素子5のみによりインピーダンス整合が行われている。よって、フィルタ特性がより一層劣化し難い。
なお、弾性波装置1は、第1のインダクタを少なくとも1つ有していればよい。例えば、第1〜第4の配線9A〜9D上の全てに、第1のインダクタが設けられていてもよい。
上述したように、本実施形態では、端子4、インピーダンス整合素子5、スイッチ6、第1〜第4の配線9A〜9D、第1のインダクタ8aB,8aD及び第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dが実装基板3上に設けられている。なお、上記各素子は、それぞれ異なる基板上に設けられていてもよい。なお、この場合には、第1〜第4の配線9A〜9Dの少なくとも一部が、第1のインダクタ8aB,8aDが設けられた基板上に設けられていればよい。
上述したように、本実施形態では、第1のインダクタ8aB,8aDは実装基板3上に設けられた配線パターンからなる。より具体的には、第1のインダクタ8aBが接続されている第2のスイッチ端子6bBとデュプレクサ2Bとの距離よりも長い配線パターンにより、第1のインダクタ8aBが構成されている。第1のインダクタ8aDも同様に構成されている。下記の図5に、第1のインダクタ8aBを構成している配線パターンの例を示す。
図5は、第1の実施形態における第1のインダクタにおける配線パターンの形状の一例を示す模式的平面図である。
図5に示すように、第1のインダクタ8aBは、ミアンダ状の形状の配線パターンを含んでいてもよい。これにより、第1のインダクタ8aBのインピーダンスを大きくすることができる。なお、必要とするインピーダンスが小さい場合は、ミアンダ状の形状などを含まず、かつ第2のスイッチ端子とデュプレクサとの距離よりも長い配線パターンにより第1のインダクタ8aBが構成されていてもよい。この場合には、例えば、第1のインダクタ8aBは、屈曲した部分を含む配線パターンからなっていてもよい。
第1のインダクタは、立体的に形成されていてもよい。この例を、以下において示す。
図6は、第1の実施形態の第1の変形例における第1のインダクタ付近の模式的断面図である。図7は、第1の実施形態の第2の変形例における第1のインダクタ付近の模式的平面図である。
図6に示すように、第1の変形例においては、弾性波装置は、実装基板3上に積層されている積層基板73を有する。第1のインダクタ78aは、積層基板73上に設けられている複数の配線パターン部78X及び積層基板73上に設けられている複数の配線パターン部78Zを有する。第1のインダクタ78aは、積層基板73を貫通している複数のビア電極部78Yを有する。実装基板3上の配線パターン部78Xと積層基板73上の配線パターン部78Zとは、ビア電極部78Yにより接続されている。より具体的には、第1の変形例においては、実装基板3上の配線パターン部78Xの端部付近と、積層基板73上の配線パターン部78Zの端部付近とが、ビア電極部78Yにより接続されている。これにより、第1のインダクタ78aの図6に示す断面形状がミアンダ状になっている。
なお、第1のインダクタ78aが立体的に形成されている場合においては、積層基板73上の配線パターン78Zは、少なくとも1つ設けられていればよい。弾性波装置は積層基板73を複数有していてもよい。この場合には、複数の積層基板73が積層されていてもよい。
図7に示すように、第2の変形例においては、実装基板3上の配線パターン部88Xは、スパイラル状の形状を有する。なお、第1のインダクタ88aにおいては、積層基板73上に設けられた配線パターン部78Zがスパイラル状の形状であってもよい。あるいは、弾性波装置が積層基板73を複数有する場合には、複数の配線パターン部78Zが複数のビア電極部78Yにより接続されることにより、スパイラル状の形状が立体的に形成されていてもよい。
図1に戻り、本実施形態では、スイッチ6においては、第1のスイッチ端子6aは複数の第2のスイッチ端子6bA〜6bDのうち1つの第2のスイッチ端子に接続される。他方、図8に示す第1の実施形態の第3の変形例では、スイッチ96において、第1のスイッチ端子6aは、2つの第2のスイッチ端子に接続される。このように、スイッチ6においては、第1のスイッチ端子6aは2つ以上の第2のスイッチ端子に接続されてもよい。
下記の図9〜図12に示す第1の実施形態の第4〜第7の変形例においても、第1の実施形態と同様に、フィルタ特性の劣化を招くことなく、小型化を図ることができる。なお、図9〜図12においては、後述するコンデンサ及びグラウンド電位は回路記号により示す。
図9に示す第4の変形例では、インピーダンス整合素子5とスイッチ6とが、インダクタ108を介して接続されている。さらに、インピーダンス整合素子5及びスイッチ6とグラウンド電位との間に、コンデンサ107が接続されている。
本変形例では、インダクタ108は、上記第1のインダクタと同様に、実装基板3上に設けられた配線パターンからなるインダクタである。なお、インダクタ108は、上述した第1〜第3の変形例のように、立体的に形成されていてもよく、あるいは、表面実装型インダクタ部品であってもよい。もっとも、インダクタ108は、実装基板3に設けられた配線パターンからなることが好ましい。この場合には、弾性波装置の小型化を効果的に進めることができる。
図10に示す第5の変形例では、インピーダンス整合素子5とスイッチ6とが、コンデンサ107を介して接続されている。さらに、インピーダンス整合素子5及びスイッチ6とグラウンド電位との間に、インダクタ108が接続されている。
第4の変形例及び第5の変形例のように、インピーダンス整合素子5とスイッチ6との間には、インダクタ108及びコンデンサ107のうち少なくとも一方が接続されていてもよい。インピーダンス整合素子5及びスイッチ6とグラウンド電位との間には、インダクタ108及びコンデンサ107のうち少なくとも一方が接続されていてもよい。
図11に示す第6の変形例では、第2のスイッチ端子6bDとデュプレクサ2Dとが、インダクタ108を介して接続されている。さらに、第2のスイッチ端子6bD及びデュプレクサ2Dとグラウンド電位との間に、コンデンサ107が接続されている。
図12に示す第7の変形例では、第2のスイッチ端子6bDとデュプレクサ2Dとが、コンデンサ107を介して接続されている。さらに、第2のスイッチ端子6bD及びデュプレクサ2Dとグラウンド電位との間に、インダクタ108が接続されている。
図11に示した第6の変形例のように、上記第1のインダクタに接続されていない少なくとも1つの第2のスイッチ端子とデュプレクサとが、インダクタ108を介して接続されていてもよい。図12に示した第7の変形例のように、少なくとも1つの第2のスイッチ端子とデュプレクサとが、コンデンサ107を介して接続されていてもよい。第7の変形例においては、コンデンサ107は、第1のインダクタに接続されていない第2のスイッチ端子6bDとデュプレクサ2Dとの間に接続されている。
第6の変形例及び第7の変形例のように、少なくとも1つの第2のスイッチ端子及び少なくとも1つのマルチプレクサとグラウンド電位との間には、インダクタ108及びコンデンサ107のうち少なくとも一方が接続されていてもよい。この場合、インダクタ108は、第1のインダクタに接続されていない第2のスイッチ端子及びデュプレクサと、グラウンド電位との間に接続されていればよい。
上述したように、図1に示す本実施形態の弾性波装置1は、第1〜第4のマルチプレクサとして、第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dを有する。なお、弾性波装置1は、例えば、第1のデュプレクサ2Aのアンテナ端と第2のデュプレクサ2Bのアンテナ端とが接続されたマルチプレクサを有していてもよい。この場合には、第1のデュプレクサ2A及び第2のデュプレクサ2Bのアンテナ端が第1のインダクタ8aBに共通接続されていてもよい。
弾性波装置1においては、デュプレクサ2A〜2Dのアンテナ端側のインピーダンスは50Ωであってもよく、あるいは、50Ω以外であってもよい。同様に、デュプレクサ2A〜2Dの入力端子2Aa〜2Da側及び出力端子2Ab〜2Db側のインピーダンスは50Ωであってもよく、あるいは、50Ω以外であってもよい。上記のいずれの場合においても、本実施形態においては、インピーダンス整合を良好とすることができる。
図13は、第2の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。
弾性波装置11は、スイッチ16がコンデンサ17A,17Cを含む点及び第1のインダクタの個数が、第1の実施形態と異なる。インピーダンス整合素子5のインダクタンスも第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、弾性波装置11は、第1の実施形態の弾性波装置1と同様の構成を有する。
コンデンサ17Aは、スイッチ16の第のスイッチ端子6bAと第1のデュプレクサ2Aとの間に接続されている。コンデンサ17Cは、スイッチ16ののスイッチ端子6bCと第3のデュプレクサ2Cとの間に接続されている。第1〜第4の配線9A〜9Dのうち、第2の配線9B上のみに、第1のインダクタ8aBが設けられている。
本実施形態においては、インピーダンス整合素子5のインダクタンスは9nHである。コンデンサ17Aの容量は−1nHに相当する。コンデンサ17Cの容量は−1nHに相当する。第1のインダクタ8aBのインダクタンスは1nHである。第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dがインピーダンス整合に要するインダクタンスは、第1の実施形態と同様である。
第1のデュプレクサ2Aは、コンデンサ17Aを介してインピーダンス整合素子5に接続されているため、インピーダンス整合を良好とすることができる。同様に、第2及び第3のデュプレクサ2B及び2Cは、それぞれ第1のインダクタ8aB及びコンデンサ17Cを介してインピーダンス整合素子5に接続されているため、インピーダンス整合を良好とすることができる。
本実施形態においても、フィルタ特性の劣化を招くことなく、弾性波装置11の小型化を図ることができる。
なお、スイッチ16は、少なくとも1つのコンデンサを含んでいればよい。
第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dがインピーダンス整合に要するインダクタンス、インピーダンス整合素子5のインダクタンスやコンデンサ17A,17Cの容量の値により、図14に示す第2の実施形態の第1の変形例のような構成としてもよい。あるいは、図15に示す第2の実施形態の第2の変形例のような構成としてもよい。
図14に示す第2の実施形態の第1の変形例の弾性波装置31においては、インピーダンス整合素子5以外のインダクタは設けられていない。第2の実施形態と同様に、スイッチ16はコンデンサ17A,17Cを含む。
図15に示す第2の実施形態の第2の変形例では、第2の配線9B上に設けられているインダクタが、表面実装型インダクタ部品である第2のインダクタ48bBである。なお、第2のインダクタは複数設けられていてもよい。この場合には、少なくとも1つのデュプレクサが、第2のインダクタを介さずにインピーダンス整合素子5に接続されていればよい。この場合においても、表面実装型インダクタ部品の個数を減らすことができ、弾性波装置41の小型化を図ることができる。加えて、Q値を高めることもできる。
図16は、第3の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。
弾性波装置21においては、端子4が、アンテナではなく、破線で示す増幅器Aに接続される。インピーダンス整合素子5の一方端は、端子4を介して増幅器Aに接続される。スイッチ26には、第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dの送信フィルタ側の端子である、入力端子2Aa〜2Daが接続されている。他方、受信フィルタ側の端子である出力端子2Ab〜2Dbは、スイッチ26に接続されていない。なお、スイッチ26は、入力端子2Aa〜2Daにそれぞれ接続されている複数の第2のスイッチ端子26bを有する。
本実施形態においては、インピーダンス整合素子5及び第1のインダクタ8aB,8aDは、第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dにおける送信フィルタの、増幅器A側におけるインピーダンス整合を行う。
第1のデュプレクサ2Aは、送信フィルタと受信フィルタとが共通接続されている共通端子2Acを有する。同様に、第2〜第4のデュプレクサ2B〜2Dも共通端子2Bc〜2Dcを有する。共通端子2Ac〜2Dcは、アンテナに接続される。共通端子2Ac〜2Dcは、例えば、アンテナと共通端子2Ac〜2Dcの接続状態を切り替えるスイッチに接続されていてもよい。
本実施形態においても、弾性波装置21は、少なくとも1つのデュプレクサと、スイッチ26との間に接続されている少なくとも1つの第1のインダクタを有する。従って、インピーダンス整合の劣化を招くことなく、弾性波装置21の小型化を図ることができる。
図17は、第4の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。
本実施形態においては、スイッチ26に第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dの受信フィルタ側の端子である、出力端子2Ab〜2Dbが接続されている点において、第3の実施形態と異なる。なお、入力端子2Aa〜2Daは、スイッチ26に接続されていない。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は、第3の実施形態の弾性波装置21と同様の構成を有する。
本実施形態においては、インピーダンス整合素子5及び第1のインダクタ8aB,8aDは、第1〜第4のデュプレクサ2A〜2Dにおける受信フィルタの、増幅器A側におけるインピーダンス整合を行う。
本実施形態においても、第3の実施形態と同様に、インピーダンス整合の劣化を招くことなく、弾性波装置の小型化を図ることができる。
なお、本発明においては、マルチプレクサはデュプレクサに限定されず、トリプレクサなどであってもよい。
1,1A〜1D…弾性波装置
2A〜2D…第1〜第4のデュプレクサ
2Aa〜2Da…入力端子
2Ab〜2Db…出力端子
2Ac〜2Dc…共通端子
3…実装基板
4…端子
5…インピーダンス整合素子
6…スイッチ
6a…第1のスイッチ端子
6bA〜6bD…第2のスイッチ端子
8aA〜8aD…第1のインダクタ
9A〜9D…第1〜第4の配線
11…弾性波装置
16…スイッチ
17A,17C…コンデンサ
21…弾性波装置
26…スイッチ
26b…第2のスイッチ端子
31…弾性波装置
41…弾性波装置
48bA〜48bD…第2のインダクタ
51…弾性波装置
61…弾性波装置
73…積層基板
78a…第1のインダクタ
78X…配線パターン部
78Y…ビア電極部
78Z…配線パターン部
88a…第1のインダクタ
88X…配線パターン部
96…スイッチ
107…コンデンサ
108…インダクタ

Claims (18)

  1. 一方端と他方端とを有し、表面実装型部品であるインピーダンス整合素子と、
    前記インピーダンス整合素子の前記他方端に接続されている第1のスイッチ端子と、複数の第2のスイッチ端子と、を有し、前記第1のスイッチ端子と前記複数の第2のスイッチ端子との接続状態を切り替えるスイッチと、
    前記複数の第2のスイッチ端子にそれぞれ接続されている複数のマルチプレクサと、 基板と、
    前記基板上に設けられており、かつ前記インピーダンス整合素子よりもインダクタンスが小さい、少なくとも1つのインダクタと、
    を備え、
    少なくとも1つの前記第2のスイッチ端子と、少なくとも1つの前記マルチプレクサとの間に、前記インダクタが接続されており、
    前記インダクタのうち少なくとも1つが、前記基板上に設けられた配線パターンを含む第1のインダクタであり、
    前記スイッチが、前記第1のスイッチ端子と、少なくとも1つの前記マルチプレクサとの間に接続されている、少なくとも1つのコンデンサを含む、弾性波装置。
  2. 一方端と他方端とを有するインピーダンス整合素子と、
    前記インピーダンス整合素子の前記他方端に接続されている第1のスイッチ端子と、複数の第2のスイッチ端子と、を有し、前記第1のスイッチ端子と前記複数の第2のスイッチ端子との接続状態を切り替えるスイッチと、
    前記複数の第2のスイッチ端子にそれぞれ接続されている複数のマルチプレクサと、
    を備え、
    前記スイッチが、前記第1のスイッチ端子と、少なくとも1つの前記マルチプレクサとの間に接続されている、少なくとも1つのコンデンサを含む、弾性波装置。
  3. 基板と、
    前記基板上に設けられており、かつ前記インピーダンス整合素子よりもインダクタンスが小さい、少なくとも1つのインダクタと、
    をさらに備え、
    前記インダクタのうち少なくとも1つが、第1のインダクタであり、
    少なくとも1つの前記第2のスイッチ端子と、少なくとも1つの前記マルチプレクサとが、前記第1のインダクタを介して接続されている、請求項に記載の弾性波装置。
  4. 前記第1のインダクタが接続されている前記第2のスイッチ端子と前記マルチプレクサとの距離よりも長い配線パターンにより、前記第1のインダクタが構成されている、請求項1又は3に記載の弾性波装置。
  5. 前記第1のインダクタが、ミアンダ状の形状の配線パターンを含む、請求項に記載の弾性波装置。
  6. 前記基板上に積層された少なくとも1つの積層基板をさらに備え、
    前記第1のインダクタが、前記基板上及び前記積層基板上に形成された配線パターンからなる配線パターン部と、前記配線パターン部に接続されており、かつ前記積層基板を貫通しているビア電極部と、を有する、請求項1又は3に記載の弾性波装置。
  7. 前記第1のインダクタが、前記基板及び前記積層基板のうち少なくとも一方に設けられたスパイラル状の形状の配線パターンを含む、請求項に記載の弾性波装置。
  8. 前記インダクタのうち少なくとも1つが、表面実装型インダクタ部品である第2のインダクタであり、
    少なくとも1つの前記マルチプレクサが、前記第2のインダクタを介さずに前記インピーダンス整合素子に接続されている、請求項1、3〜7のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  9. 前記インピーダンス整合素子、前記スイッチ、前記インダクタ及び前記複数のマルチプレクサが前記基板上に設けられている、請求項1、3〜8のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  10. 基板をさらに備え、
    前記インピーダンス整合素子、前記スイッチ及び前記複数のマルチプレクサが前記基板上に設けられている、請求項に記載の弾性波装置。
  11. 少なくとも1つの前記第2のスイッチ端子と少なくとも1つの前記マルチプレクサとが、コンデンサを介して接続されている、請求項1〜10のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  12. 少なくとも1つの前記第2のスイッチ端子及び少なくとも1つの前記マルチプレクサとグラウンド電位との間に、インダクタ及びコンデンサのうち少なくとも一方が接続されている、請求項1〜11のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  13. 前記インピーダンス整合素子と前記スイッチとが、インダクタ及びコンデンサのうち少なくとも一方を介して接続されている、請求項1〜12のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  14. 前記インピーダンス整合素子及び前記スイッチとグラウンド電位との間に、インダクタ及びコンデンサのうち少なくとも一方が接続されている、請求項1〜13のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  15. 前記スイッチにおいて、前記第1のスイッチ端子が1つの前記第2のスイッチ端子に接続される、請求項1〜14のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  16. 前記スイッチにおいて、前記第1のスイッチ端子が前記複数の第2のスイッチ端子に接続される、請求項1〜14のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  17. 外部のアンテナに接続される弾性波装置であって、
    前記アンテナに接続される端子をさらに備え、
    前記インピーダンス整合素子の前記一方端が、前記端子に接続されている、請求項1〜16のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  18. 外部の増幅器に接続される弾性波装置であって、
    前記増幅器に接続される端子をさらに備え、
    前記インピーダンス整合素子の前記一方端が、前記端子に接続されている、請求項1〜16のいずれか1項に記載の弾性波装置。
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