JP2006310904A

JP2006310904A - 信号回路及びこれを備える情報処理装置

Info

Publication number: JP2006310904A
Application number: JP2005127315A
Authority: JP
Inventors: Masato Kijima; 正人木島; Osamu Hikino; 治比企野; Takashi Shiba; 芝　　隆司
Original assignee: Hitachi Media Electronics Co Ltd
Current assignee: Hitachi Media Electronics Co Ltd
Priority date: 2005-04-26
Filing date: 2005-04-26
Publication date: 2006-11-09
Also published as: WO2006118136A1; DE112006001040T5; US20090067103A1; CN101167260A

Abstract

【課題】
小型で安価なESD保護回路を用いることで，ESD耐性に優れた高周波機器，特に，マルチバンド高周波スイッチ機能を有するアンテナ共用器を提供する。
【解決手段】
第一の周波数帯域の信号と前記第一の周波数帯域よりも低周波である第二の周波数帯域の信号とを分離する信号分離部と、前記信号分離部から出力された前記第一の周波数帯域の信号が入力される第一のSAWフィルタと、前記信号分離部から出力された前記第二の周波数帯域の信号が入力される第二のSAWフィルタと、前記第二の周波数帯域の信号を通過させ、前記第二の周波数帯域よりも低周波の信号の通過を制限し、前記信号分離部と前記第二のSAWフィルタを結ぶ信号線の間に配置されたハイパスフィルタとを備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、信号回路及びこれを備える情報処理装置に関する。

従来、移動体無線機器のアンテナ端子から突入する静電気による内部回路の破壊を防止するための技術が提案されている。

例えば、特許文献１（特開2003-133989号公報）においては、ダイプレクサとアンテナ端子との間にインダクタ及びコンデンサからなるハイパス回路と，インダクタ及びコンデンサからなる共振器を挿入することで回路を保護する技術が開示されている。
また，特許文献２（特開2004-72584号公報）においては、アンテナ端子とフィルタ間の信号ラインにバリスタ及びインダクタを挿入することで回路を保護する技術が開示されている。

また、特許文献３（特開2004-253948号公報）においては、アンテナ端子とフィルタ間の信号ラインに並列共振回路を挿入することで回路を保護する技術が開示されている。

特開2003-133989号公報特開2004-72584号公報特開2004-253948号公報

移動体無線機器のアンテナ端子から進入する静電気破壊を防止するためには、0〜300MHzの帯域の信号を減衰させることが必要である。実際の移動体無線機器で起こる静電気破壊は、人体が帯電した状態でアンテナ端子に接触することが主要因であるが、この場合に発生する信号波形は0〜300MHzの周波数成分が支配的だからである。上記の特許文献でもこのような静電気破壊を想定しているものと思われる。

しかしながら、特許文献１記載の技術は、図１に示すように、ダイプレクサとアンテナ端子との間にインダクタL2，コンデンサC2からなるハイパス回路と，インダクタL3，コンデンサC3からなる共振器を挿入する構成である。インダクタL3，コンデンサC3からなる共振器を使用し静電破壊を起す周波数成分を減衰させようとすると，共振の尖鋭度が急峻であり、減衰させるべき0〜300MHzの帯域を一様に減衰させる事が困難であり、一部の帯域が減衰しきることなく通過してしまうおそれがある。また，共振の尖鋭度を下げるとシステムの通過帯域、即ち通過させるべき900MHz付近での挿入損失が増大してしまう。また、300MHz以下の周波数で共振を起すインダクタ，コンデンサの値が大きくなるため，部品の誘電体基板への内蔵化が困難となり，移動体無線機器に要求される小型化の妨げになるおそれがある。さらに、複数のバンドの整合を維持することが困難である。例えば、EGSMとDCSのデュアルバンドのアンテナ共用器の場合，特にEGSMの帯域となる900MHz帯の挿入損失が増大するおそれがある。

また，特許文献２記載の技術では、図２に示すように、アンテナ端子とフィルタ間の信号ラインにバリスタ及びインダクタを挿入する構成である。この場合、回路にバリスタを挿入しているため，バリスタの容量とインダクタの共振周波数付近の狭い周波数範囲に帯域が制限され、特許文献１と同様、一部の帯域が減衰しきることなく通過してしまうおそれがある。また、バリスタ自身が高価であること，バリスタと共に直流リーク用の並列接続インダクタが必要であること等から、小型化・コスト低減の妨げにもなってしまうおそれがある。

また、特許文献３記載の技術では、並列共振回路を採用しているため、共振による通過帯域を広くとることができず、特許文献１及び２と同様、一部の帯域が減衰しきることなく通過してしまうおそれがある。さらに、静電気破壊の防止に必要な300MHz以下の帯域のみを減衰させることが困難であるため、デュアルバンドには対応できてもマルチバンドに対応することが困難である。

そこで、本発明は、上記課題を解決し、信頼性の高い信号回路及びこれを用いた情報処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は、第一の周波数帯域の信号と前記第一の周波数帯域よりも低周波である第二の周波数帯域の信号とを分離する信号分離部と、前記信号分離部から出力された前記第一の周波数帯域の信号が入力される第一のSAWフィルタと、前記信号分離部から出力された前記第二の周波数帯域の信号が入力される第二のSAWフィルタと、前記第二の周波数帯域の信号を通過させ、前記第二の周波数帯域よりも低周波の信号の通過を制限し、前記信号分離部と前記第二のSAWフィルタを結ぶ信号線の間に配置されたハイパスフィルタとを備える。

本発明によれば、信頼性の高い信号回路及びこれを用いた情報処理装置を提供することが可能になる。

本発明の実施の形態として、0.8〜2.4GHzのマルチバンド高周波スイッチ機能を有するアンテナ共用器において，特に弾性表面波フィルタ(以下SAWと略す)を搭載した複合モジュールのESD(Electrostatic Discharge：静電気破壊)保護回路を用いた移動体無線機器を例として説明する。先に説明したように、移動体無線機器においては，アンテナ端子から突入する静電気により内部回路が破壊される危険があり、特にアンテナ共用器で使用されるSAW，PIN(Positive-Intrinsic-Negative)ダイオード，GaAs(Gallium Arsenide)スイッチなどの部品をESD破壊に対する保護回路を設けることによって保護する必要がある。

以下，本発明の実施の形態を図を用いて説明する。各実施形態を説明する全図において，同一機能を有するものは同一符号をつけている。以下，本発明に係るマルチバンド高周波スイッチ機能を有するアンテナ共用器の実施形態について図面を参照して説明する。

図３に本発明第一実施例である，EGSM(Extended Global System for Mobile Communications)，DCS(Digital Communication System)対応のデュアルバンドアンテナ共用器のブロック図を示す。

図３において、Antはアンテナ端子，Dipはアンテナ端子Antに接続したダイプレクサであり，ダイプレクサDipはアンテナ端子Antを通過してきたEGSMの880MHz〜960MHz帯の信号と，DCSの1710MHz〜1880MHzの信号を分波する。高周波スイッチSW1はダイプレクサDipで分波された高周波側の信号、即ちDCSの信号1710MHz〜1880MHzを送信側ローパスフィルタLPF1と受信側フィルタSAW1へ切り換える。また，高周波スイッチSW2はダイプレクサDipで分波された低周波側の信号、即ちEGSMの信号を送信側ローパスフィルタであるLPF2と受信側フィルタSAW2へ切り換える。

ダイプレクサDipと高周波スイッチSW2の間の信号ラインには並列に18nHのインダクタンスを有するインダクタL4が接続されている。このインダクタL4の他端側はGND端子に接続されている。また，ダイプレクサと高周波スイッチSW2の信号ライン、言い換えるとインダクタL4と高周波スイッチSW2の間の信号ラインには直列に静電容量15pFを有するコンデンサC4が接続されている。

インダクタL4のインダクタンスは18nH以下とすることにより，静電破壊を起す静電気除去効果は大きくなる。一方，インダクタンスの値を小さくしすぎると，信号通過帯域の整合が崩れ挿入損失が大きくなるため，保証する静電破壊のレベルを考慮しその定数を選択する。また，コンデンサC4の静電容量は15pF以下とすることにより，静電破壊を起す静電気除去効果は大きくなる。前記インダクタL4のインダクタンスが18nH以下であることから，コンデンサC4の静電容量は静電破壊を起す静電気の周波数成分である0〜300MHzを減衰させるハイパスフィルタを構成する様にその定数を選択する。一方，コンデンサC4の静電容量を小さくしすぎると，信号通過帯域の挿入損失が大きくなるため，保証する静電気破壊のレベルを考慮してその定数を選択する。また，インダクタL4とコンデンサC4は静電気からの保護回路として機能すると同時に，信号通過帯域の整合も合わせて取るため，保証する静電気破壊のレベルを確保し，かつ，挿入損失を最小限に抑えるために整合の取れる定数を選択する。

この様な構成とすることで、0〜300MHzの帯域の信号を十分に減衰させ、かつ、挿入損失の劣化を0.05dB以内に収める事ができ，アンテナ共用器として十分なESD耐性を確保出来る。また、静電気破壊の防止に必要な300MHz以下の帯域のみを減衰させることができるため、デュアルバンドだけでなくトリプルバンド以上のマルチバンドに対応できることもできる。

なお，SAW1は，ダイプレクサDipにおいて0〜300MHzの帯域が十分に抑圧されているため保護回路を必要としない。SAW1にはダイプレクサにてハイパスフィルタを通過した信号が入力されることになるため、0〜300MHzの帯域の信号は減衰されて入力されるためである。一方で、SAW2にはダイプレクサにてローパスフィルタを通過した信号が入力され、0〜300MHzの帯域の信号が減衰されないため、上述したような保護回路を挿入することが必要である。

図４は本発明第二実施例であるEGSM，DCS対応のデュアルバンドアンテナ共用器のブロック図を示す。本発明例の回路構造はSW2とLPF2の間にインダクタL5が付加されている以外は本発明第一実施例と同一の回路構造を有する。ここでインダクタL5のインダクタンスを39nH以下にすればEGSM 送信帯である900MHz帯においてインダクタL5，及び，LPF2で構成される回路のSW2側のインピーダンスは50Ωより低くなる。この様な構造とする事により，Antより印加された静電気が，静電気に対して非常に破壊されやすいSAW2に流入することを回避し，静電気に対し比較的強固なLPF2側に静電気を誘導する事が出来る。本構成により，本発明第一実施例よりも更に大きなESD耐性を得ることが出来る。

図５は本発明第三実施例であるEGSM，DCS対応のデュアルバンドアンテナ共用器のブロック図を示す。本実施例の回路構造はSAW2とSW2の間にインダクタL6，及び，コンデンサC5が付加されている以外は本発明第一実施例と同一の回路構造である。インダクタL6は6nH〜12nHのインダクタンスを有し，コンデンサC5はSAW2の整合を取るために付加され，その容量は2pF〜4pF程度である。本インダクタL6は静電気をGNDにバイパスさせるためESD保護効果を更に高める事が出来る。また，コンデンサC5によりSAW2の整合を最適にすることができるので，EGSM Rxのロス劣化を防ぐ事が出来る。またインダクタL6とコンデンサC5は定数が小さく積層基板内に容易に内層可能であり，サイズあるいはコストの上昇を押さえる事が出来る。

図６は本発明第四実施例であるEGSM，DCS対応のデュアルバンドアンテナ共用器のブロック図を示す。本実施例の回路構造はSAW2とSW2の間に6nH〜12nHの定数を有するインダクタL6，及び，2pF〜4pF程度の容量を有するコンデンサC5が付加され，且つ，SW2とLPF2の間に39nH以下の定数を有するインダクタL5が付加されている以外は本発明第一実施例と同一の回路構造である。即ち，本実施例は，本発明第二実施例と本発明第三実施例を組み合わせたものである。本実施例によれば，Antより印加された静電気が，静電気に対して非常に破壊されやすいSAW2に流入することを回避し，静電気に対し比較的強固なLPF2側に静電気を誘導する事が出来ると同時に，インダクタL6は静電気をGNDにバイパスさせるためESD保護効果を更に高める事が出来る。また，コンデンサC5によりSAW2の整合を最適にすることができるので，EGSM Rxのロス劣化を防ぐ事が出来る。このため，更に大きなESD耐性を得ることが出来る。

図７は本発明第五実施例であるEGSM，DCS対応のデュアルバンドアンテナ共用器のブロック図を示す。本実施例の回路構造は，SW2とSAW2の間に47pF以下の定数を有するコンデンサC6が付加されている以外は本発明第四実施例と同一の回路構造である。本実施例によれば，インダクタL5によりローパスフィルタLPF2のAnt側より見たインピーダンスが50Ωより低インピーダンスとなるため、Antより印加された静電気が，静電気に対して非常に破壊されやすいSAW2に流入することを回避でき，静電気に対し比較的強固なLPF2側に静電気を誘導する事が出来ると同時に、インダクタL6は静電気をGNDにバイパスさせると共に低周波数帯を抑圧するハイパスフィルタがインダクタL6、及び、コンデンサC6で構成されるためESD保護効果を更に高める事が出来る。また，コンデンサC5によりSAW2の整合を最適にすることができるので，EGSM Rxのロス劣化を防ぐ事が出来る。このため，更に大きなESD耐性を得ることが出来る。つまり、ダイプレクサと高周波スイッチSW2の間の信号ラインにハイパスフィルタを挿入するだけでなく、高周波スイッチSW2とSAW２の間の信号ラインにもハイパスフィルタを挿入することになるため、ESD耐性を大きく向上させることができる。なお、低コスト化、小型化の観点から、高周波スイッチSW2の間の信号ラインにはハイパスフィルタを挿入せず、高周波スイッチSW2とSAW２の間の信号ラインにのみハイパスフィルタを挿入する構成としても良い。

図８は本発明第六実施例であるEGSM，DCS対応のデュアルバンドアンテナ共用器のブロック図を示す。本実施例において高周波スイッチ回路は半導体スイッチであるGaAsスイッチに置き換えられている。GaAsスイッチはSAWと同様にESD耐性が弱い。本実施例ではGaAsスイッチGaAs2の保護回路として，AntとGaAs1の間に第一のESD保護回路として0〜300MHzの低周波数帯を抑圧するハイパスフィルタを構成するインダクタL4とコンデンサC4が付加されている。本回路にてGaAs2のESDが保護される。しかしながら，静電気の一部はGaAs2を通過してSAW2に到達する。本実施例ではGaAs2とSAW2の間に第二のESD保護回路としてインダクタL6，及び，コンデンサC5を有している。本回路構成は本発明第三実施例と同様の回路構造であり，ESD保護効果を高めている。一方GaAs1は，ダイプレクサDipにおいて0〜300MHzの帯域が十分に抑圧されているため保護回路を必要としない。

尚，本実施例においては半導体スイッチ素子としてGaAsを使用したが，その他CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)スイッチ，HEMT(High Electron Mobility Transistor)スイッチ等他の半導体スイッチ素子，または，MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)等を利用したスイッチにも本発明は同様に使用することが可能である。また、インダクタL4とコンデンサC4で構成される第一のESD保護回路で必要とされるESD耐性が確保された場合、インダクタL6，及び，コンデンサC5で構成される第二のESD保護回路は削除することができる。

図９は，本発明のESD保護回路を，ダイプレクサやスイッチ回路，ローパスフィルタを構成する回路，及び，伝送線路等の一部と共に誘電体基板内に内蔵し，一方，PINダイオードやSAW，さらに，抵抗，コンデンサ，インダクタ等のチップ部品を誘電体基板上に実装した本発明第七実施例のアンテナ共用器の構造を模式的に示したものである。

図９に示すように，1は誘電体基板であり，誘電体層2と導体パターン3を交互に積層することにより各素子や端子を接続している。また，誘電体基板1を形成する際，導体パターン3をらせん状に積層することでインダクタを，導体パターン3を複数対向させて積層することでコンデンサを誘電体基板1内に形成し，回路の一部を誘電体基板1内に内蔵している。また，誘電体基板1の上面には導体パターンによってSAW4，ダイオード5，および，抵抗，コンデンサ，インダクタ等のチップ部品6を実装するためのランド電極，さらに，基板上面を覆う金属カバー7を搭載するためのランド電極を形成している。一方，誘電体基板1の底面には導体パターン3によってアンテナ端子，送信端子，高周波スイッチ、コントロール端子を形成している。

このようなESD保護回路、及びESD保護回路を用いた移動体無線機器では、ESD耐性が高いため、その信頼性を向上させることが可能である。

なお、上記各実施例においては，EGSM，DCSに対応したデュアルシステムを例に説明したが，本発明はこれに限定されるものではなく，PCS(Personal Communication Services)やGSM850(Global System for Mobile Communications 850) を組合せたトリプルバンドシステム，或いはこれら全てを含めたクアッドバンドシステムにも適用できる。さらに，PDC(Personal Digital Cellular)やPHS(Personal Handyphone System)，GPS(Global Positioning System)，Bluetooth，W-CDMA(Wideband Code Division Multiple Access)，cdma2000などのシステムを複数組み合わせたアンテナ共用器においても，アンテナから突入する静電気に対する保護回路として，アンテナと高周波スイッチの間に並列にインダクタを挿入し，さらに直列にコンデンサを挿入することにより同様の効果が得られるものである。

以上をまとめると、次のようになる。

上述した実施例では、アンテナ端子と接続しているダイプレクサと，送信系ローパスフィルタ，及び，SAWと接続している高周波スイッチとの間に並列にインダクタを挿入し，さらに直列にコンデンサを挿入した構成を採る。

このような構成により、アンテナ端子に接続された通過帯域の異なる信号を分波するダイプレクサと，前記ダイプレクサで分波された低周波数側に第一の保護回路となる並列接続インダクタで静電破壊を起す静電気の直流成分をGNDへ吸収することにより高周波スイッチ以降の回路を保護する事が出来る。さらに，第一の保護回路であるインダクタの直後に第二の保護回路となるコンデンサを直列に接続することで，より効果的に第一の保護回路であるインダクタへ静電破壊を起す静電気の直流成分を吸収させると共に，ハイパスフィルタを構成することにより静電破壊を起す静電気の周波数成分を減衰させ，高周波スイッチ以降の回路を保護する事が出来る。

また，特に、インダクタンスが18nH以下のインダクタを用れば，より確実に回路の保護を行うことができる。また，特に、コンデンサの静電容量が15pF以下とすれば，より確実に回路の保護を行うことができる。さらに，インダクタンスとコンデンサの定数を小さくしても，ダイプレクサの，本インダクタとコンデンサの付加される側のインピーダンスを調整することで整合を取ることが可能であるため，挿入損失の増大を最小に抑えることができる。また，並列インダクタ，及び，直列コンデンサの定数が小さくなるため，回路の一部，及び，全部を積層基板内に内蔵することが可能となり，小型，低背で安価な保護回路が出来る。

以上のように、本発明の実施の形態により、アンテナから流入したESDを，アンテナ端子と接続しているダイプレクサと，送信系ローパスフィルタ，及び，SAWと接続している高周波スイッチとの間に並列に挿入されたインダクタと，直列に挿入されたコンデンサにより効率的に抑圧することにより，小型，且つ，安価な構成でESDによる素子の破壊を回避することができる。

従来のESD保護回路構成である。従来のESD保護回路構成である。本発明第一実施例であるESD保護回路構成である。本発明第ニ実施例であるESD保護回路構成である。本発明第三実施例であるESD保護回路構成である。本発明第四実施例であるESD保護回路構成である。本発明第五実施例であるESD保護回路構成である。本発明第六実施例であるESD保護回路構成である。本発明第七実施例のアンテナ共用器の構造。

符号の説明

Ant；アンテナ、Dip；ダイプレクサ、LPF1，LPF2；ローパスフィルタ、SW1，SW2；スイッチ、SAW1，SAW2；SAWフィルタ、GaAs1；GaAsスイッチ、L1〜L11；伝送線路またはインダクタ、C1〜C10；容量、D101〜D104；ダイオード、R1〜R2；抵抗、X101〜X104；SAWフィルタ、1；誘電体基板、2；誘電体層、3；導体パターン、4；SAW、 5；ダイオード、6；チップ部品、7；金属カバー。

Claims

第一の周波数帯域の信号と、前記第一の周波数帯域よりも低周波である第二の周波数帯域の信号とを分離する信号分離部と、
前記信号分離部から出力された前記第一の周波数帯域の信号が入力される第一のSAWフィルタと、
前記信号分離部から出力された前記第二の周波数帯域の信号が入力される第二のSAWフィルタと、
前記第二の周波数帯域の信号を通過させ、前記第二の周波数帯域よりも低周波の信号の通過を制限し、前記信号分離部と前記第二のSAWフィルタを結ぶ信号線の間に配置されたハイパスフィルタと、を備えることを特徴とする信号回路。
第一の周波数帯域の信号と、前記第一の周波数帯域よりも低周波である第二の周波数帯域の信号とを分離する信号分離部と、
前記信号分離部から出力された前記第一の周波数帯域の信号を送信側と受信側とで切り替える第一の切替回路と、
前記第一の切替回路の受信側に接続された第一のSAWフィルタと、
前記第一の切替回路の送信側に接続された第一のローパスフィルタと、
前記信号分離部から出力された前記第二の周波数帯域の信号を送信側と受信側とで切り替える第二の切替回路と、
前記第二の切替回路の受信側に接続された第二のSAWフィルタと、
前記第二の切替回路の送信側に接続された第二のローパスフィルタと、
前記第二の周波数帯域の信号を通過させ、前記第二の周波数帯域よりも低周波の信号の通過を制限するハイパスフィルタと、を備え、
前記ハイパスフィルタは、前記信号分離部と前記第二の切替回路を結ぶ信号線の間に配置されたことを特徴とする信号回路。
請求項１又は２記載の信号回路において、
前記ハイパスフィルタは、前記第二のSAWフィルタの保護回路として働くことを特徴とする信号回路。
請求項１又は２記載の信号回路において、
前記ハイパスフィルタは、前記第二のSAWフィルタの第一の保護回路部として働く並列接続インダクタと、前記第二のSAWフィルタの前記並列接続インダクタの後段に配置され、第二の保護回路として働く直列接続コンデンサとを備えることを特徴とする信号回路。
請求項２記載の信号回路において、
前記第二の切替回路と前記第二のローパスフィルタとの間に並列接続インダクタを配置したことを特徴とする信号回路。
請求項２記載の信号回路において、
前記第二の切替回路と前記第二のSAWフィルタとの間に並列接続インダクタおよび並列接続コンデンサを配置したことを特徴とする信号回路。
請求項２記載の信号回路において、
前記第二の切替回路と前記第二のSAWフィルタとの間に並列接続インダクタ、並列接続コンデンサ、および、直列接続コンデンサを配置したことを特徴とする信号回路。
第一の周波数帯域の信号、前記第一の周波数帯域よりも低周波である第二の周波数帯域の信号、および、前記第二の周波数帯域よりも低周波である第三の周波数帯域の信号を分離する信号分離部と、
前記信号分離部から出力された前記第一の周波数帯域の信号が入力される第一のSAWフィルタと、
前記信号分離部から出力された前記第二の周波数帯域の信号が入力される第二のSAWフィルタと、
前記信号分離部から出力された前記第三の周波数帯域の信号が入力される第三のSAWフィルタと、
前記第三の周波数帯域の信号を通過させ、前記第三の周波数帯域よりも低周波の信号の通過を制限し、前記信号分離部と前記第三のSAWフィルタを結ぶ信号線の間に配置されたハイパスフィルタと、を備えることを特徴とする信号回路。
第一の周波数帯域の信号と、前記第一の周波数帯域よりも低周波である第二の周波数帯域の信号とを分離し、前記第一の周波数帯域の信号及び前記第二の周波数帯域の信号を出力する信号分離部と、
前記信号分離部における前記第二の周波数帯域の信号の出力側に、並列接続インダクタ及び前記並列接続インダクタの後段に配置された直列接続コンデンサとからなる回路部と、を備えたことを特徴とする信号回路。
第一の周波数帯域の信号と、前記第一の周波数帯域よりも低周波である第二の周波数帯域の信号とを分離し、前記第一の周波数帯域の信号及び前記第二の周波数帯域の信号を出力する信号分離部と、
前記信号分離部における前記第二の周波数帯域の信号の出力側に、前記第二の周波数帯域よりも低周波帯域の信号の通過を制限し、前記第二の周波数帯域及び第二の周波数帯域よりも高周波の信号を通過させる回路部と、を備えたことを特徴とする信号回路。
第一の周波数帯域の信号と、前記第一の周波数帯域よりも低周波である第二の周波数帯域の信号とを分離する信号分離部と、
前記信号分離部から出力された前記第一の周波数帯域の信号が入力される第一の回路部と、
前記信号分離部から出力された前記第二の周波数帯域の信号が入力される第二の回路部と、
前記第二の周波数帯域よりも低周波帯域の信号の通過を制限し、前記第二の周波数帯域及び第二の周波数帯域よりも高周波の信号を通過させる第三の回路部と、を備えたことを特徴とする信号回路。
アンテナ端子に接続された通過帯域の異なる信号を分波するダイプレクサと，
前記ダイプレクサで分波された低周波数側に第一の保護回路となる並列接続インダクタと，
前記インダクタの後段に第二の保護回路となる直列接続コンデンサを有することを特徴とするESD保護回路。
前記ダイプレクサで分波された低周波数側の信号を切り換える高周波数スイッチ回路と，
前記高周波数スイッチ回路と送信端子との間に接続されたローパスフィルタと，
前記高周波数スイッチ回路とローパスフィルタの間に第三の保護回路となる並列接続インダクタと、を有することを特徴とする請求項１２に記載のESD保護回路。
前記高周波数スイッチ回路とSAWフィルタの間に第四の保護回路となる並列接続インダクタと並列接続コンデンサと、を有することを特徴とする請求項１３に記載のESD保護回路。
前記高周波数スイッチ回路とSAWフィルタの間に第四の保護回路となる並列接続インダクタと並列接続コンデンサと、
前記高周波数スイッチ回路とSAWフィルタの間に第五の保護回路となる直列接続コンデンサと、を有することを特徴とする請求項１４に記載のESD保護回路。
前記高周波数スイッチ回路をPINダイオードで構成したことを特徴とする請求項１２から１５のいずれか記載のESD保護回路。
前記高周波数スイッチ回路を半導体スイッチで構成したことを特徴とする請求項１２から１６のいずれか記載のESD保護回路。
前記ESD保護回路を構成するインダクタとコンデンサの少なくとも一部を誘電体基板内に内蔵したことを特徴とする請求項１２から１７のいずれか記載のESD保護回路。
請求項１２から１８のいずれか記載のESD保護回路を搭載したことを特徴とするアンテナ共用器。
請求項１から１１のいずれか記載の信号回路はESD保護回路であり、該信号回路を備えたことを特徴とする情報処理装置。