JP6691510B2 - 電子デバイスのカプセル化のための装置および技術 - Google Patents

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Description

（優先権の主張）
本願は、以下の各々の優先権の利益を主張するものである：（１）２０１４年１月２１日に出願され、“ＤＩＳＰＬＡＹ ＤＥＶＩＣＥ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ ＵＳＩＮＧ ＩＮＥＲＴ ＥＮＶＩＲＯＮＭＥＮＴ，”と題された、米国仮特許出願第６１／９２９，６６８号；（２）２０１４年２月２６日に出願され、“ＤＩＳＰＬＡＹ ＤＥＶＩＣＥ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ ＵＳＩＮＧ ＩＮＥＲＴ ＥＮＶＩＲＯＮＭＥＮＴ，”と題された、米国仮特許出願第６１／９４５，０５９号；（３）２０１４年３月４日に出願され、“ＤＩＳＰＬＡＹ ＤＥＶＩＣＥ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ ＵＳＩＮＧ ＩＮＥＲＴ ＥＮＶＩＲＯＮＭＥＮＴ，”と題された、米国仮特許出願第６１／９４７，６７１号；（４）２０１４年４月３０日に出願され、“Ｓｙｓｔｅｍｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｉｎｋｊｅｔ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒｓ，”と題された、米国仮特許出願第６１／９８６，８６８号；および（５）２０１４年５月２３日に出願され、“ＤＩＳＰＬＡＹ ＤＥＶＩＣＥ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ ＵＳＩＮＧ ＩＮＥＲＴ
ＥＮＶＩＲＯＮＭＥＮＴ，”と題された、米国仮特許出願第６２／００２，３８４号。これらの各々は、その全体が参照により本明細書中に援用される。
（関連特許出願の引用）
本願は、“ＧＡＳ ＥＮＣＬＯＳＵＲＥ ＡＳＳＥＭＢＬＹ ＡＮＤ ＳＹＳＴＥＭ，”と題された、米国特許出願公開第２０１３／０２５２５３３ Ａ１号 （Ｍａｕｃｋ， ｅｔ ａｌ．）、“ＧＡＳ ＥＮＣＬＯＳＵＲＥ ＡＳＳＥＭＢＬＹ ＡＮＤ ＳＹＳＴＥＭ，”と題された、米国特許出願公開第２０１３／０２０６０５８ Ａ１号 （Ｍａｕｃｋ， ｅｔ ａｌ．）、および“ＭＥＴＨＯＤ ＡＮＤ ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＦＯＲ ＬＯＡＤ−ＬＯＣＫＥＤ ＰＲＩＮＴＩＮＧ，”と題された、米国特許出願公開第ＵＳ ８，３８３，２０２ 号（Ｓｏｍｅｋｈ ｅｔ ａｌ．）に関係しており、これらの各々は、その全体が参照により本明細書中に援用される。
光電子デバイス等の電子デバイスは、有機材料を使用して、具体的には、薄膜処理技法を使用して、加工することができる。そのような有機光電子デバイスは、他のディスプレイ技術と比較して等、増進した電力効率および増進した視覚性能を提供するとともに、それらの比較的薄く平面的な構造により、容量分析的に小型であり得る。ある実施例では、そのようなデバイスは、競合技術と異なり、機械的に可撓性（例えば、折り畳み式または屈曲可能）、または光透過性であり得る。有機光電子デバイスのための用途は、例えば、一般的照明、背景照明源としての使用、または電子発光ディスプレイ内のピクセル光源もしくは他の要素としての使用を含むことができる。一種の有機光電子デバイスは、例えば、小分子、ポリマー、蛍光、またはリン光性材料等の電子発光放射有機材料を使用して、光を生成することができる、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスを含む。
１つのアプローチでは、ＯＬＥＤデバイスは、熱蒸発の技法を使用した基板上への一連の有機薄膜の真空堆積を部分的に介して、加工することができる。しかしながら、このような真空処理は、比較的、（１）複雑であり、概して、そのような真空を維持するように、大型真空チャンバおよびポンプサブシステムを伴う、（２）概して、より多くの材料が基板上に堆積させられるよりも無駄にされるように、そのようなシステム内の材料の大部分が、概して、内部の壁および固定具上に堆積させられるため、有機未加工材料を無駄にする、および（３）壁および固定具を開放して、蓄積した無駄な材料を一掃するように、真空堆積ツールの動作を頻繁に停止することを伴う等、維持することが困難である。さらに、ＯＬＥＤ用途では、有機膜をパターンで堆積させることが望ましくあり得る。
別のアプローチでは、基板を覆ってブランケットコーティングを堆積させることができ、所望のパターン化を達成するために、フォトリソグラフィを考慮することができる。しかし、種々の用途では、具体的にはＯＬＥＤ材料について、そのようなフォトリソグラフィプロセスは、堆積有機膜または基礎的有機膜を損傷し得る。真空堆積技法を使用するときに堆積層を直接パターン化するために、いわゆるシャドウマスクを使用することができる。そのような場合のシャドウマスクは、多くの場合、堆積領域のための切り抜きを伴う金属板として製造される、物理的ステンシルを備える。シャドウマスクは、概して、堆積に先立って、基板と近接または接触して配置され、それに整合させられ、堆積中に定位置で保たれ、次いで、堆積後に除去される。シャドウマスクを介したそのような直接パターン化は、真空ベースの堆積技法に実質的な複雑性を追加し、概して、基板に対して正確にマスクを取り扱って位置付けるように付加的な機構および固定を伴い、（シャドウマスク上に堆積させられる材料からの無駄により）材料の無駄をさらに増加させ、シャドウマスク自体を連続的に一掃して交換する保守の必要性をさらに増加させる。シャドウマスク技法はまた、概して、ディスプレイ用途に必要とされるピクセルスケールパターン化を達成するように、比較的薄いマスクを伴い、そのような薄いマスクは、広い面積にわたって機械的に不安定であり、処理することができる基板の最大サイズを制限する。拡張可能性を向上させることが、ＯＬＥＤ製造にとって主要な課題のままであるため、そのような拡張性への制限が有意であり得る。
ＯＬＥＤデバイスで使用される有機材料はまた、概して、酸素、オゾン、または水等の種々の周囲物質への暴露に高度に敏感である。例えば、電子注入または輸送層、正孔注入または輸送層、遮断層、もしくは発光層を含むような、例えば、ＯＬＥＤデバイスの種々の内部層で使用される有機材料は、種々の劣化機構を受け得る。そのような劣化は、少なくとも部分的に、各膜のバルク材料内、または全体的なデバイススタック内の層の間の界面においてのいずれかで、デバイス構造に化学的または電気的／光学的活性汚染物質を組み込むことによって駆動され得る。経時的に、化学的活性汚染物質は、膜材料を劣化させる化学反応を膜においてトリガし得る。そのような化学反応は、いかなる他のトリガも欠けていると、単純に時間の関数として起こり得るか、または例えば、周囲光学エネルギーもしくは注入電気エネルギーによってトリガすることができる。電気的または光学的活性汚染物質は、動作中にデバイスにおいて導入または生成される電気または光学エネルギーのための寄生電気、もしくは光学経路を作成し得る。そのような経路は、光出力の抑制、または正しくない光出力（例えば、誤ったスペクトルの光出力）の生成をもたらし得る。劣化または損失は、個々のＯＬＥＤディスプレイ要素の故障、ＯＬＥＤ要素のアレイの部分における「黒い」斑点、可視的なアーチファクトまたは電気もしくは光学効率の損失、またはＯＬＥＤ要素のアレイの種々の影響を受けた領域中の演色精度、コントラスト、もしくは輝度の不要な偏差として発現し得る。
印刷技法を使用して、ＯＬＥＤデバイスの１つまたはそれを上回る層を加工する（例えば、堆積させる、またはパターン化する）ことができる。例えば、正孔注入材料、正孔輸送材料、放射材料、電子輸送材料、正孔遮断材料、または電子注入材料等の有機材料を、例えば、担体流体（例えば、溶媒）中に溶解させるか、または別様に懸濁させることができ、パターン化層を提供するように、インクジェット印刷および担体流体の後続の蒸発によって、有機材料を含むＯＬＥＤデバイスの層を形成することができる。例えば、有機薄膜カプセル化材料等の有機材料を、有機化合物の液体混合物として基板上にパターンでインクジェット印刷することができ、パターン化有機層は、基板上に加工される発光デバイスの少なくとも一部分をコーティングし、後に、架橋反応を誘発し、それによって、パターン化固体層を形成するよう、ＵＶ照明によって等、硬化プロセスによって凝固させられる。別のアプローチでは、噴出を通して基板上に堆積させるために、固相有機材料を熱的に蒸発させることができる。さらに別のアプローチでは、有機材料を担体液体中に溶解させるか、または別様に懸濁させることができ、線を形成するように基板上にノズルから流体上の連続流を分注し（いわゆる「ノズル印刷」または「ノズルジェット」）、後に、線パターン化層を提供するように担体を蒸発させることによって、有機材料を含むＯＬＥＤデバイスの層を形成することができる。そのようなアプローチは、概して、印刷システムを使用して行うことができるような有機「印刷」技法と称することができる。
本発明者らは、とりわけ、処理されている基板上に堆積させられるか、または処理されている基板を備える、１つまたはそれを上回る種と最小限に反応性であるか、または非反応性であるガスであって、特定純度レベルを有する、そのようなガスを含む、雰囲気を含むような制御された環境を提供するように構成されるエンクロージャを有する、システムを使用して、印刷技法および他の処理動作を実行できることを認識している。そのような純度レベルはまた、加工中にＯＬＥＤデバイスの劣化を防止するため、または欠陥を阻止もしくは抑制するため等に、酸素または水等の他の種の制御された最大不純物濃度を含むこともできる。制御された環境内で特定粒子状物質レベルを維持するため等に、粒子状物質制御を提供することもできる。エンクロージャの配列は、個別に維持された制御された環境を有する、それぞれのモジュールを含むことができ、もしくはモジュールのうちの１つまたはそれを上回るものは、他のモジュールと制御された環境を共有することができる。ガス精製、温度制御、溶媒排除、または粒子状物質制御等の設備をモジュール間で共有することができるか、もしくは専用の様式で提供することができる。
装填モジュール（例えば、「ロードロック」）、ハンドラを含む移送モジュールのうちの１つまたはそれを上回るものを使用して、または不活性もしくは別様に非反応性のガスカーテンおよびゲート配列等の技法を使用する等して、多くのＯＬＥＤデバイスを含む基板等の加工されているＯＬＥＤデバイスを、他の加工機器に移送することができる。このようにして、加工されているそれぞれの基板の移送は、封入型モジュールの環境を実質的に変化させることなく、または封入型モジュールのパージを必要とすることなく起こり得る。例えば、１００パーツ・パー・ミリオン未満の酸素と、１００パーツ・パー・ミリオン未満の水蒸気とを有する、環境を提供するため等に、封入型モジュールの環境を制御することができる。本発明者らはまた、ロードロック配列の使用は、それぞれのモジュール内の制御された（例えば、非反応性および粒子状物質の制御された）環境を実質的に変化させることなく、または各封入型モジュール内の非反応性ガス体積の時間のかかるパージを必要とすることなく、制御された雰囲気を含有するライン要素が、開放空気または真空プロセスとして等、他の加工プロセスと統合されることを可能にできることも認識している。
本発明者らはまた、とりわけ、基板のアクティブ領域が連続的に支持されず、処理中または後に非一様性または可視的な欠陥を一様に呈し得る、問題が存在することも認識している。例えば、基板は、処理中に定位置で基板を保持するために真空または機械的締め付けを採用する、機械的チャックによって支持することができる。１つのアプローチでは、基板を処理するときに、装填および非装填を促進するよう、チャックに対して基板を上昇または降下させるよう基板の中心領域でリフトピンを使用することができる。真空チャックの場合、概して、基板を定位置で押し下げるために、基板の中心領域中の真空穴または溝が使用される。そのようなアプローチでは、したがって、そのような略利用可能な支持技法が使用されるときに、穴または溝がチャックの中心領域に存在し、そのような穴または溝は、非一様な支持の領域を表すことができる。理論によって拘束されることなく、そのような欠陥は、例えば、基板の表面、または堆積もしくは処置されているコーティングもしくは膜層の反対側の表面にわたる、非一様な温度プロファイルまたは非一様な静電場プロファイルと関連付けられると考えられる。本発明者らは、一様な欠陥のないコーティングを達成するために、そのようなアクティブ領域上またはその反対側の基板の面積中で非一様な支持を回避することを含むこと等の種々の特殊化した一様な支持技法を使用できることを認識している。
例えば、本発明者らは、とりわけ、硬化モジュールにおける紫外線処置の前または間等の印刷動作または他の処理のうちの１つまたはそれを上回るものの間等に、少なくとも部分的にガスクッションを使用して、基板を一様に支持できることを認識している。そのようなガスクッションの使用は、ムラまたは他の可視的欠陥を低減させるか、または最小限にすることによって等、基板上のコーティングまたは膜層の一様性を増進することができる。このようにして、例えば、発光デバイスが位置する基板のアクティブ領域上またはその反対側にガスクッションを含む、支持技法を使用する等して、有機薄膜カプセル化層を印刷および処置することができる。加えて、または代わりに、基板は、アクティブ領域内の一様な物理的接触またはアクティブ領域の外側の非一様な物理的接触のうちの１つまたはそれを上回るものによって、一様に支持することができ、例えば、真空溝および穴ならびにリフトピン穴の全てがアクティブ領域の外側に限定されるように、真空チャックを構成することができる。代替として、基板は、コーティングの一様性が高いレベルで維持されるはずである、これらのアクティブ領域内の一様な物理的接触によって一様に支持し、かつアクティブ領域の外側、またはコーティングの一様性が（例えば、試験デバイスとして、または下級製品で使用するために）高いレベルで維持される必要がない、これらのアクティブ領域内の非一様な物理的接触によって支持することができる。代替として（または加えて）、分散真空領域を使用して基板を保持し、それによって、少なくとも真空保持機構に対して１つまたはそれを上回るアクティブ領域中の基板を支持する構造の熱および電気特性の不連続性を回避するか、または低減させることによって、真空溝および穴の使用を回避することができる。
実施例では、基板上にコーティングを提供するためのコーティングシステムは、基板上にパターン化有機層を堆積させるように構成される、封入型印刷システムであって、パターン化有機層は、基板上に加工される発光デバイスの少なくとも一部分をコーティングする、封入型印刷システムと、基板を収容するように構成され、かつ紫外線処置をパターン化有機層に提供するように構成される、紫外線処置領域を含む、封入型硬化モジュールと、封入型印刷システムまたは封入型硬化モジュールのうちの１つまたはそれを上回るものの環境と異なる大気環境から基板を受容するように構成される、封入型基板移送モジュールとを含むことができる。パターン化有機層は、基板の第１の側面上の基板の堆積領域を占有することができ、封入型硬化モジュールは、ガスクッションを使用して、紫外線処置領域中で基板を一様に支持するように構成することができ、ガスクッションは、第１の側面の反対側の基板の第２の側面に提供され、ガスクッションは、基板とチャックとの間に確立される。
実施例では、方法等の技法は、無機薄膜カプセル化システムから有機薄膜カプセル化システムの移送モジュールへ基板を移送するステップと、基板を封入型印刷システムに移送するステップであって、封入型印刷システムは、基板の第１の側面上の堆積領域中にパターン化有機層を堆積させるように構成され、パターン化有機層は、基板上に加工される発光デバイスの少なくとも一部分をコーティングする、ステップと、堆積領域の反対側の基板の第２の側面に提供される第１のガスクッションを使用して、封入型印刷システム内の基板を一様に支持するステップと、封入型印刷システムを使用して、基板の堆積領域にわたって単量体を印刷するステップと、封入型印刷システムから移送モジュールへ基板を移送するステップと、移送モジュールから封入型硬化モジュールへ基板を移送するステップと、第１の側面の反対側の基板の第２の側面に提供される第２のガスクッションを使用して、封入型硬化モジュール内の基板を一様に支持するステップと、堆積領域中にムラがない重合有機層を提供するように、封入型硬化モジュール内の単量体膜層を処置するステップとを含むことができる。
実施例では、方法等の技法は、無機薄膜カプセル化システムから有機薄膜カプセル化システムの移送モジュールへ基板を移送するステップと、基板を封入型印刷システムに移送するステップであって、封入型印刷システムは、基板の第１の側面上の堆積領域中にパターン化有機層を堆積させるように構成され、パターン化有機層は、基板上に加工される発光デバイスの少なくとも一部分をコーティングする、ステップと、堆積領域の反対側の基板の第２の側面に提供される第１の一様な支持体を使用して、封入型印刷システム内の基板を一様に支持するステップと、封入型印刷システムを使用して、基板の堆積領域にわたって単量体を印刷するステップと、封入型印刷システムから移送モジュールへ基板を移送するステップと、移送モジュールから封入型硬化モジュールへ基板を移送するステップと、第１の側面の反対側の基板の第２の側面に提供される第２の一様な支持体を使用して、硬化モジュール内の基板を一様に支持するステップと、堆積領域中にムラがない重合有機層を提供するように、封入型硬化モジュール内の単量体膜層を処置するステップとを含むことができる。第１または第２の一様な支持領域のうちの１つまたはそれを上回るものは、基板またはガスクッションと物理的に接触している分散真空領域を含むことができる。
実施例では、基板上にコーティングを提供するためのコーティングシステムは、基板上にパターン化有機層を堆積させるように構成される、封入型印刷システムであって、パターン化有機層は、基板上に加工されている発光デバイスの少なくとも一部分をコーティングし、封入型の第１の印刷システムは、第１の処理環境を提供するように構成される、封入型印刷システムと、相互からオフセットされ、それぞれ基板を収容するように構成される、紫外線処置領域の積層構成を含む、封入型硬化モジュールであって、第２の処理環境を提供するように構成される、封入型硬化モジュールと、封入型印刷システムまたは封入型硬化モジュールのうちの１つまたはそれを上回るものの環境と異なる大気環境から基板を受容するように構成されるチャンバを備える、封入型基板移送モジュールとを含むことができる。第１および第２の処理環境は、大気圧またはその付近における制御された環境を含むことができ、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、および酸素含量の特定限界を下回ったままであるように確立される。
本明細書で説明されるシステムおよび技法は、１つまたはそれを上回る光電子デバイスを含むような一連の異なる電子デバイス構成を製造することを支援して、使用することができる。例えば、本明細書で説明されるシステムおよび技法を少なくとも部分的に使用して、フラットパネルディスプレイデバイスを加工することができる。そのようなフラットパネルディスプレイデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）フラットパネルディスプレイを含むことができる。いくつかのＯＬＥＤフラットパネルディスプレイは、基板（または「マザー」ガラス）上で処理することができる。「基板」という言葉、または「加工されている基板」という語句の使用は、概して、ＯＬＥＤデバイスを含むことができる、処理中のアセンブリを指す。本明細書の実施例は、特定のパネル幾何学形状またはサイズに制約される必要はない。例えば、そのようなシステムおよび技法は、約３７センチメートル（ｃｍ）×約４７ｃｍの寸法を含む長方形の幾何学形状を有する等、第２世代（「Ｇｅｎ ２」）サイズを有する、基板上のディスプレイデバイスの加工を支援して、使用することができる。本明細書で説明されるシステムはまた、約６１センチメートル（ｃｍ）×約７２ｃｍの寸法を含む長方形の幾何学形状を有する等、第３．５世代（「Ｇｅｎ ３．５」）基板サイズを有する、基板上のディスプレイデバイスの加工を支援して等、若干大きい基板幾何学形状に使用することもできる。本明細書で説明されるシステムはまた、約１３０ｃｍ×１５０ｃｍの寸法を有する「Ｇｅｎ ５．５」、または約１９５ｃｍ×２２５ｃｍの寸法を有する「Ｇｅｎ ７」もしくは「Ｇｅｎ ７．５」基板に対応する基板サイズを有する、基板上のディスプレイデバイスの加工を支援して等、さらに大きい基板幾何学形状に使用することもできる。例えば、Ｇｅｎ ７またはＧｅｎ ７．５基板は、８枚の４２インチ（対角寸法）または６枚の４７インチ（対角寸法）フラットパネルディスプレイに単体化する（例えば、切断または別様に分離する）ことができる。「Ｇｅｎ ８」基板は、約２１６×２４６ｃｍの寸法を含むことができる。「Ｇｅｎ ８．５」基板は、約２２０ｃｍ×２５０ｃｍの寸法を含むことができ、かつ基板につき６枚の５５インチまたは８枚の４６インチフラットパネルを提供するように単体化することができる。
本明細書で説明されるシステムおよび技法を使用して、Ｇｅｎ ８．５を超える寸法を支持することができる。例えば、本明細書で説明されるシステムおよび技法を少なくとも部分的に使用して、約２８５ｃｍ×３０５ｃｍまたはそれを超える寸法を有する「Ｇｅｎ １０」基板を加工することができる。本明細書で説明されるパネルサイズは、概して、ガラス基板に適用可能であるが、ディスプレイデバイス加工、具体的には、印刷技法を使用して１つまたはそれを上回る層を形成することを含むことができる、ＯＬＥＤディスプレイ加工で使用するために好適な任意の材料の基板に適用することができる。例えば、種々のガラス基板材料、ならびに種々のポリマー基板材料、例えば、ポリイミドを使用することができる。
本概要は、本特許出願の主題の概要を提供することを意図している。本発明の独占的または包括的説明を提供することは意図されていない。本特許出願についてのさらなる情報を提供するように、発明を実施するための形態が含まれる。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
基板上にコーティングを提供するためのコーティングシステムであって、
基板上にパターン化有機層を堆積させるように構成される、封入型印刷システムであって、上記パターン化有機層は、上記基板上に加工される発光デバイスの少なくとも一部分をコーティングする、封入型印刷システムと、
基板を収容するように構成され、かつ紫外線処置を上記パターン化有機層に提供するように構成される、紫外線処置領域を含む、封入型硬化モジュールと、
上記封入型印刷システムまたは上記封入型硬化モジュールのうちの１つまたはそれを上回るものの環境と異なる大気環境から上記基板を受容するように構成される、封入型基板移送モジュールと、
を備え、
上記パターン化有機層は、上記基板の第１の側面上の上記基板の堆積領域を占有するものであり、
上記封入型硬化モジュールは、ガスクッションを使用して、上記紫外線処置領域中で上記基板を一様に支持するように構成され、上記ガスクッションは、上記第１の側面の反対側の上記基板の第２の側面に提供され、上記ガスクッションは、上記基板とチャックとの間に確立される、システム。
（項目２）
上記基板の上記第１の側面上の上記堆積領域は、上記発光デバイスを備える、上記基板のアクティブ領域と重複し、上記ガスクッションは、上記アクティブ領域の反対側の上記基板の上記第２の側面に提供される、項目１に記載のコーティングシステム。
（項目３）
上記チャックは、上記第１の側面の反対側の上記基板の上記第２の側面との物理的接触を使用して、上記基板を支持するように構成され、上記物理的接触は、上記アクティブ領域の外側の領域に対応する面積中にある、項目２に記載のコーティングシステム。
（項目４）
上記チャックは、多孔質セラミック材料を含み、上記ガスクッションは、上記多孔質セラミック材料の上方で上記基板の上記第２の側面を支持するように、上記多孔質セラミック材料を通してガスを推し進めることによって確立される、項目１に記載のコーティングシステム。
（項目５）
上記ガスクッションは、加圧ガスを使用して確立される、項目１に記載のコーティングシステム。
（項目６）
上記ガスクッションは、加圧ガス領域および少なくとも部分的真空領域の組み合わせを使用して確立される、項目１に記載のコーティングシステム。
（項目７）
上記ガスクッションを確立するために使用される加圧ガスまたは排出ガスのうちの少なくとも１つは、回収されて再循環させられる、項目６に記載のコーティングシステム。
（項目８）
上記パターン化有機層は、カプセル化構造の少なくとも一部分を備え、
上記基板は、ガラス板と、発光デバイスとを備え、上記カプセル化構造は、上記ガラス板に対して周囲空気への暴露から上記発光デバイスの少なくとも一部分を密閉するように確立され、
上記封入型硬化モジュールは、（１）上記発光デバイスを覆う上記パターン化有機層の分散のための持続時間にわたって上記基板を静止して保持し、かつ（２）保持および紫外線処置動作の間の上記基板のさらなる移動を必要とすることなく、上記紫外線処置を提供するように構成される、項目１に記載のコーティングシステム。
（項目９）
上記硬化モジュールの上記紫外線処置領域は、ガントリ搭載型紫外線（ＵＶ）源を備え、上記ガントリは、硬化中に上記基板に対して上記ＵＶ源を輸送するように構成される、項目１に記載のコーティングシステム。
（項目１０）
上記封入型印刷システムおよび上記封入型硬化モジュールは、大気圧またはその付近における制御された処理環境を提供するように構成され、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、および酸素含量の特定限界を下回ったままであるように確立される、項目１に記載のコーティングシステム。
（項目１１）
上記堆積領域は、長さ寸法および幅寸法を含み、
上記紫外線処置領域は、ＵＶエミッタのアレイを含む紫外線（ＵＶ）源を備え、上記アレイは、上記長さ寸法または上記幅寸法のうちの少なくとも１つより大きい、少なくとも１次元における距離を有する、項目１に記載のコーティングシステム。
（項目１２）
上記ＵＶエミッタのアレイは、２次元において延在する、項目１１に記載のコーティングシステム。
（項目１３）
上記ＵＶエミッタのアレイは、発光ダイオードのアレイを備える、項目１１に記載のコーティングシステム。
（項目１４）
上記紫外線処置領域は、紫外線（ＵＶ）源と、拡散器とを備え、上記拡散器は、上記ＵＶ源を使用して処置される上記堆積領域の面積にわたって上記ＵＶ源の強度を正規化するように構成される、項目１に記載のコーティングシステム。
（項目１５）
上記封入型硬化モジュールは、上記堆積領域にわたって特定温度一様性を維持する様式で、上記基板の温度を制御するように構成される、項目１に記載のコーティングシステム。
（項目１６）
コーティングを提供するための方法であって、
無機薄膜カプセル化システムから有機薄膜カプセル化システムの移送モジュールへ基板を移送するステップと、
上記基板を封入型印刷システムに移送するステップであって、上記封入型印刷システムは、上記基板の第１の側面上の堆積領域中にパターン化有機層を堆積させるように構成され、上記パターン化有機層は、上記基板上に加工される発光デバイスの少なくとも一部分をコーティングする、ステップと、
上記堆積領域の反対側の上記基板の第２の側面に提供される第１のガスクッションを使用して、上記封入型印刷システム内の上記基板を一様に支持するステップと、
上記封入型印刷システムを使用して、上記基板の上記堆積領域にわたって単量体を印刷するステップと、
上記封入型印刷システムから上記移送モジュールへ上記基板を移送するステップと、
上記移送モジュールから封入型硬化モジュールへ上記基板を移送するステップと、
上記第１の側面の反対側の上記基板の第２の側面に提供される第２のガスクッションを使用して、上記封入型硬化モジュール内の上記基板を一様に支持するステップと、
上記堆積領域中にムラがない重合有機層を提供するように、上記封入型硬化モジュール内の単量体膜層を処置するステップと、
を含む、方法。
（項目１７）
上記基板の上記第１の側面上の上記堆積領域は、上記発光デバイスを備える上記基板のアクティブ領域と重複し、上記第１または第２のガスクッションのうちの少なくとも１つは、上記アクティブ領域の反対側の上記基板の上記第２の側面に提供される、項目１６に記載の方法。
（項目１８）
上記第１の側面の反対側の上記基板の上記第２の側面との物理的接触を使用するステップを含む、上記封入型印刷システムまたは上記封入型硬化モジュール内の上記基板を支持するステップを含み、上記物理的接触は、上記アクティブ領域の外側の領域に対応する面積中にある、項目１７に記載の方法。
（項目１９）
上記単量体層を処置する上記ステップは、紫外線処置を提供するステップを含む、項目１６に記載の方法。
（項目２０）
上記単量体層の堆積後および紫外線処置の前に、特定持続時間にわたって上記封入型硬化モジュール内で上記基板を保持するステップを含む、項目１９に記載の方法。
（項目２１）
上記無機薄膜堆積システムから上記有機薄膜堆積システムの上記移送モジュールへ上記基板を移送するステップは、上記印刷システムまたは上記硬化モジュールのうちの１つまたはそれを上回るものの環境と異なる大気環境から上記基板を受容するステップを含む、項目１６に記載の方法。
（項目２２）
上記第１または第２のガスクッションのうちの少なくとも１つは、上記多孔質セラミック材料の上方で上記基板の上記第２の側面を支持するように、多孔質セラミック材料を通してガスを推し進めることによって、上記多孔質セラミック材料を使用して確立される、項目１６に記載の方法。
（項目２３）
加圧ガスを使用して、上記第１または第２のガスクッションのうちの少なくとも１つを確立するステップを含む、項目１６に記載の方法。
（項目２４）
加圧ガス領域および少なくとも部分的真空領域の組み合わせを使用して、上記第１または第２のガスクッションのうちの少なくとも１つを確立するステップを含む、項目１６に記載の方法。
（項目２５）
上記封入型印刷システムおよび上記封入型硬化モジュールは、大気圧またはその付近における制御された処理環境を提供し、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、および酸素含量の特定限界を下回ったままであるように確立される、項目１６に記載の方法。
（項目２６）
基板上にコーティングを提供するためのコーティングシステムであって、
基板上にパターン化有機層を堆積させるように構成される、封入型印刷システムであって、上記パターン化有機層は、上記基板上に加工されている発光デバイスの少なくとも一部分をコーティングし、上記封入型の第１の印刷システムは、第１の処理環境を提供するように構成される、封入型印刷システムと、
紫外線処置領域の積層構成を含む封入型硬化モジュールであって、上記紫外線処置領域は、相互からオフセットされ、それぞれ基板を収容するように構成され、上記封入型硬化モジュールは、第２の処理環境を提供するように構成される、封入型硬化モジュールと、
上記封入型印刷システムまたは上記封入型硬化モジュールのうちの１つまたはそれを上回るものの上記環境と異なる大気環境から上記基板を受容するように構成されるチャンバを備える、封入型基板移送モジュールと、
を備え、
上記第１および第２の処理環境は、大気圧またはその付近における制御された環境を含み、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、および酸素含量の特定限界を下回ったままであるように確立される、コーティングシステム。
（項目２７）
上記紫外線処置領域のうちのそれぞれの領域は、特定持続時間にわたって上記基板を保持するように構成される、項目２６に記載のコーティングシステム。
（項目２８）
上記紫外線処置領域のうちのそれぞれの領域は、上記パターン化有機層の堆積後および紫外線処置の前に特定持続時間にわたって上記基板を保持するように構成される、項目２６に記載のコーティングシステム。
（項目２９）
大気圧またはその付近における制御された環境を含み、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、および酸素含量の特定限界を下回ったままであるように確立される、第３の処理環境を提供するように構成される、封入型保持モジュールであって、上記基板が上記印刷システムまたは他の場所のうちの１つまたはそれを上回るものから上記封入型保持モジュールに移送されるときに、上記基板を保持するように構成される、封入型保持モジュールを備える、項目２６に記載のコーティングシステム。
（項目３０）
上記基板は、上記基板の上向きの表面上の上記パターン化有機層の堆積のために上向き構成で配向される、項目２６に記載のコーティングシステム。
（項目３１）
上記印刷システムまたは上記硬化モジュールのうちの１つまたはそれを上回るものの上記環境と異なる上記大気環境は、真空である、項目２６に記載のコーティングシステム。
（項目３２）
大気圧を上回る環境に上記基板を遷移させるように、かつ上記基板を上記移送モジュールに提供するように構成される、基板装填モジュールを備える、項目２６に記載のコーティングシステム。
（項目３３）
上記印刷システムは、インクジェット印刷システムを備える、項目２６に記載のコーティングシステム。
（項目３４）
上記第１および第２の処理環境は、上記基板上に堆積させられる種との反応性が最小限であるか、または全くないために特定される、非反応性ガスを含む、項目２６に記載のコーティングシステム。
（項目３５）
上記第１および第２の処理環境は、大気圧を上回る窒素を含む、項目３４に記載のコーティングシステム。
（項目３６）
上記第１および第２の処理環境は、１００パーツ・パー・ミリオン未満の酸素と、１００パーツ・パー・ミリオン未満の水蒸気とを有する、環境を維持するように確立される、項目２６に記載のコーティングシステム。
（項目３７）
粒子状物質汚染レベルは、上記基板によって横断される経路に沿って、またはその近くに位置する、複数のファンフィルタユニットを少なくとも部分的に使用して制御される、項目２６に記載のコーティングシステム。
（項目３８）
上記第１および第２の処理環境は、実質的に同一である、項目２６に記載のコーティングシステム。
図１Ａは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造する際に使用することができる、印刷システムおよび硬化モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部分の平面図の実施例を図示する。
図１Ｂおよび１Ｃは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造する際に使用することができる、印刷システムおよび硬化モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部分の等角図の例証的実施例を図示する。 図１Ｂおよび１Ｃは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造する際に使用することができる、印刷システムおよび硬化モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部分の等角図の例証的実施例を図示する。
図２Ａは、概して、発光デバイス（例えば、ＯＬＥＤデバイス）を製造する際に使用することができるシステムの少なくとも一部分の平面図の実施例を図示する。
図２Ｂは、概して、発光デバイス（例えば、ＯＬＥＤデバイス）を製造する際に使用することができるシステムの少なくとも一部分の等角図を図示する。
図３Ａは、概して、印刷システムおよび他のモジュールを含むようなシステムの少なくとも一部分の等角図を図示する。
図３Ｂは、概して、印刷システムおよび他のモジュールを含むようなシステムの少なくとも一部分の平面図を図示する。
図３Ｃは、概して、印刷システムおよび他のモジュールを含むことができるようなシステムの少なくとも一部分の平面図のさらなる実施例を図示する。
図４Ａおよび４Ｂは、発光デバイス（例えば、ＯＬＥＤデバイスのＯＥＬ）の有機薄膜カプセル化層（ＯＴＦＥＬ）を形成することを含むことができる方法等の技法を図示する。 図４Ａおよび４Ｂは、発光デバイス（例えば、ＯＬＥＤデバイスのＯＥＬ）の有機薄膜カプセル化層（ＯＴＦＥＬ）を形成することを含むことができる方法等の技法を図示する。
図５は、概して、発光デバイスを製造する際に使用することができる紫外線処置システムの一部分を図示する、略図の実施例を図示する。
図６は、概して、発光デバイスを製造する際に使用することができる紫外線処置システムを図示する、略図の実施例を図示する。
図７Ａおよび７Ｂは、概して、発光デバイスを製造する際に使用することができるような紫外線源の線形構成を含むことができる、紫外線処置システムの少なくとも一部分の実施例を図示する。 図７Ａおよび７Ｂは、概して、発光デバイスを製造する際に使用することができるような紫外線源の線形構成を含むことができる、紫外線処置システムの少なくとも一部分の実施例を図示する。
図８Ａおよび８Ｂは、概して、紫外線源の線形構成および光検出器を含むことができる、紫外線処置システムの少なくとも一部分の実施例を図示する。 図８Ａおよび８Ｂは、概して、紫外線源の線形構成および光検出器を含むことができる、紫外線処置システムの少なくとも一部分の実施例を図示する。
図９は、概して、発光デバイスを製造する際に使用することができるような紫外線源の２次元アレイ構成を含むことができる、紫外線処置システムの一部分を図示する、略図の実施例を図示する。
図１０は、概して、紫外線処置システムの一部分として使用することができるような紫外線源の２次元アレイ構成の実施例を図示する。
図１１は、概して、紫外線処置システムの一部分として含むことができるような紫外線源のアレイのための筐体構成の実施例を図示する。
図１２は、概して、逆または正規化フィルタ構成を確立するために使用することができるような送達された紫外線エネルギーの非一様性を示す、強度プロットの例証的実施例を図示する。
図１３Ａおよび図１３Ｂは、概して、図１３Ａでは堆積、保持、材料流動または分散、もしくは硬化プロセスのうちの１つまたはそれを上回るものの間等に基板と接触しているポートまたは溝を含むチャック構成、および図１３Ｂでは基板の層における対応する可視的な非一様性（例えば、ムラ）の例証的実施例を図示する。
図１４Ａ、図１４Ｂ、図１４Ｃ、および図１４Ｄは、基板の種々の領域、および１つまたはそれを上回る加圧ガスポート、真空ポート、または真空領域を含むことができる、チャックまたはエンドエフェクタ等の対応する固定具を描写する、例証的実施例を含む。 図１４Ａ、図１４Ｂ、図１４Ｃ、および図１４Ｄは、基板の種々の領域、および１つまたはそれを上回る加圧ガスポート、真空ポート、または真空領域を含むことができる、チャックまたはエンドエフェクタ等の対応する固定具を描写する、例証的実施例を含む。 図１４Ａ、図１４Ｂ、図１４Ｃ、および図１４Ｄは、基板の種々の領域、および１つまたはそれを上回る加圧ガスポート、真空ポート、または真空領域を含むことができる、チャックまたはエンドエフェクタ等の対応する固定具を描写する、例証的実施例を含む。 図１４Ａ、図１４Ｂ、図１４Ｃ、および図１４Ｄは、基板の種々の領域、および１つまたはそれを上回る加圧ガスポート、真空ポート、または真空領域を含むことができる、チャックまたはエンドエフェクタ等の対応する固定具を描写する、例証的実施例を含む。
図１５Ａおよび図１５Ｂは、概して、１本またはそれを上回る機械的支持ピンおよび１つまたはそれを上回る真空領域の組み合わせを含むことができる、チャック構成の例証的実施例を図示する。 図１５Ａおよび図１５Ｂは、概して、１本またはそれを上回る機械的支持ピンおよび１つまたはそれを上回る真空領域の組み合わせを含むことができる、チャック構成の例証的実施例を図示する。
図１６Ａおよび図１６Ｂは、図１３Ａおよび１３Ｂと対照的に、図１６Ａでは堆積（例えば、印刷）、保持、または硬化プロセスのうちの１つまたはそれを上回るものの間等に基板を支持する加圧ガスクッションを確立するように構成されるポートを含むことができるチャック構成、および図１６Ｂでは結果として生じる基板における対応する一様性の例証的実施例を含む。 図１６Ａおよび図１６Ｂは、図１３Ａおよび１３Ｂと対照的に、図１６Ａでは堆積（例えば、印刷）、保持、または硬化プロセスのうちの１つまたはそれを上回るものの間等に基板を支持する加圧ガスクッションを確立するように構成されるポートを含むことができるチャック構成、および図１６Ｂでは結果として生じる基板における対応する一様性の例証的実施例を含む。
図１６Ｃおよび１６Ｄは、図１３Ａおよび１３Ｂと対照的に、概して、図１６Ｅに示されるような結果として生じる基板において一様性を提供する等、堆積（例えば、印刷）、保持、材料流動または分散、もしくは硬化プロセスのうちの１つまたはそれを上回るものの間に分散真空または加圧ガスクッションを確立するため等に、多孔質媒体を含むチャック構成の例証的実施例を図示する。 図１６Ｃおよび１６Ｄは、図１３Ａおよび１３Ｂと対照的に、概して、図１６Ｅに示されるような結果として生じる基板において一様性を提供する等、堆積（例えば、印刷）、保持、材料流動または分散、もしくは硬化プロセスのうちの１つまたはそれを上回るものの間に分散真空または加圧ガスクッションを確立するため等に、多孔質媒体を含むチャック構成の例証的実施例を図示する。
図１６Ｅは、概して、図１６Ｃまたは図１６Ｄに示されるチャック構成を使用して提供することができるような結果として生じる基板の例証的実施例を図示する。
図１７は、概して、発光デバイス（例えば、ＯＬＥＤデバイス）を製造する際に使用される加工機器を収納するエンクロージャ内で制御された環境を確立または維持するため等に、本明細書で説明される１つまたはそれを上回る他の実施例の部分または全体に関して使用することができる、ガス精製方式の概略図を図示する。
図１８Ａおよび１８Ｂは、概して、本明細書の他の場所で説明される他の実施例で参照される制御された環境を確立するために使用することができるような、かつ浮動式テーブルとともに使用するための加圧ガスの供給を含むことができるような非反応性ガスおよび清浄乾燥空気（ＣＤＡ）源を統合および制御するためのガスエンクロージャシステムの実施例を図示する。 図１８Ａおよび１８Ｂは、概して、本明細書の他の場所で説明される他の実施例で参照される制御された環境を確立するために使用することができるような、かつ浮動式テーブルとともに使用するための加圧ガスの供給を含むことができるような非反応性ガスおよび清浄乾燥空気（ＣＤＡ）源を統合および制御するためのガスエンクロージャシステムの実施例を図示する。
図１９Ａおよび１９Ｂは、概して、本明細書の他の場所で説明される他の実施例で参照される制御された環境を確立するために使用することができるような、かつ例えば、浮動式テーブルとともに使用するための加圧ガスおよび少なくとも部分的真空を提供する送風機ループを含むことができるような非反応性ガスおよび清浄乾燥空気（ＣＤＡ）源を統合および制御するためのガスエンクロージャシステムの実施例を図示する。 図１９Ａおよび１９Ｂは、概して、本明細書の他の場所で説明される他の実施例で参照される制御された環境を確立するために使用することができるような、かつ例えば、浮動式テーブルとともに使用するための加圧ガスおよび少なくとも部分的真空を提供する送風機ループを含むことができるような非反応性ガスおよび清浄乾燥空気（ＣＤＡ）源を統合および制御するためのガスエンクロージャシステムの実施例を図示する。
図１９Ｃは、概して、浮動運搬システムの一部分として含まれる浮動制御ゾーンを確立するため等に、１つまたはそれを上回るガスまたは空気源を統合および制御するためのシステムのさらなる実施例を図示する。
図２０Ａ、図２０Ｂ、および図２０Ｃは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造する際に使用することができる、移送モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部分の図を図示する。 図２０Ａ、図２０Ｂ、および図２０Ｃは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造する際に使用することができる、移送モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部分の図を図示する。 図２０Ａ、図２０Ｂ、および図２０Ｃは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造する際に使用することができる、移送モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部分の図を図示する。
図２１Ａおよび図２１Ｂは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造する際に使用することができる、基板処理面積の積層構成を含むことができるようなシステムの図を図示する。 図２１Ａおよび図２１Ｂは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造する際に使用することができる、基板処理面積の積層構成を含むことができるようなシステムの図を図示する。
図２２Ａは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造する際に使用することができる、他のチャンバまたはモジュールに連結される移送モジュールを含むようなシステムの一部分を図示する。
図２２Ｂは、概して、図１２Ａに示されるモジュール内の基板を操作するため等に使用することができる、ハンドラ構成を図示する。
必ずしも一定の縮尺で描かれていない図面では、類似数字が異なる図で類似する構成要素を表し得る。異なる接尾文字を有する類似数字は、類似する構成要素の異なる事例を表し得る。図面は、概して、限定ではないが、一例として、本書で議論される種々の実施形態を図示する。
図１Ａは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造する際に使用することができる、印刷システム２０００および処理モジュール１３００を含むようなシステム１０００Ａの少なくとも一部分の平面図の実施例を図示する。例えば、システム１０００Ａは、１つまたはそれを上回る電子デバイスを含有する基板上に有機薄膜カプセル化層（ＯＴＦＥＬ）を形成するために使用することができる。
本明細書で説明される他の実施例と同様に、システム１０００Ａは、（例えば、基板上に膜カプセル化層を「印刷」する、または別様に堆積させるように）印刷システム２０００を含むことができる。システム１０００Ａは、移送モジュール１４００を含むことができる。処理モジュール１３００等の１つまたはそれを上回る処理モジュールは、移送モジュール１４００に連結することができる。本明細書で説明される他の実施例のように、ほぼ大気圧における、または大気圧を上回る制御された環境（例えば、１つまたはそれを上回る不純物種の特定最大レベルを有する窒素環境）を提供するため等に、印刷システム２０００、移送モジュール１４００、および処理モジュール１３００のそれぞれを封入することができる。装填モジュール１１００を使用する等して、基板をシステム１０００Ａに、またはシステム１０００Ａから移送することができる。このようにして、汚染することなく、またはシステム１０００Ａの中または外への基板の移送中にそのような制御された環境の全体のパージを必要とすることなく、システム１０００Ａの１つまたはそれを上回る他の部分内のそれぞれの制御された環境を維持することができる。処理モジュール１３００は、保持動作、硬化動作（例えば、基板を処置するために、例えば、熱または紫外線放射への暴露を使用する）、緩衝動作、もしくは１つまたはそれを上回る他の動作のうちの１つまたはそれを上回るもの等の１つまたは種々の処理動作を行うように構成することができる。
図１Ａのシステム１０００Ａは、本明細書の他の実施例に示されるように、独立型であり得るか、または他の要素と統合することができる。図１Ａのシステム１０００Ａは、全体としてクラスタまたはインラインモードで動作することができる。例えば、クラスタモードでは、基板を装填モジュール１１００から装填および非装填することができる。例えば、インラインモードでは、基板を印刷システム２０００の左側に装填し、装填モジュール１１００から非装填することができる。
図１Ｂおよび図１Ｃは、概して、図４Ａまたは４Ｂで図示される技法に従って、ＯＬＥＤデバイスのＯＴＦＥＬを加工するため等に、発光デバイス（例えば、ＯＬＥＤデバイス）を製造する際に使用することができる、システム１０００Ａの少なくとも一部分の前向きまたは後ろ向きの等角図の例証的実施例を図示する。システム１０００Ａは、移送モジュール１４００の中に位置するハンドラを使用する等して、システム１０００Ａの１つまたはそれを上回る部分内の制御された環境の中または外への１つまたはそれを上回る基板の移送のために装填モジュール１１００を含むことができる。
システム１０００Ａは、本明細書で説明される他の印刷システムの実施例と同様に、第１の領域２１００、印刷領域２２００、および第２の領域２３００を通って延在するコンベヤを有するような印刷システム２０００を含むことができる。処理される基板は、列に並ばせることができ、または特定保持持続時間を提供して、印刷システム２０００によって基板上に堆積させられる有機材料の流動または分散を可能にするように保持することができる。例えば、印刷前または印刷後に１つまたはそれを上回る基板を保持するために、第１のモジュール１２００、第２のモジュール１３００、または第３のモジュール８５００のうちの１つまたはそれを上回るものを使用することができる。基板パネルサイズについての情報を少なくとも部分的に使用して、１つまたはそれを上回るモジュール１２００、１３００、または８５００の構成を特定することができる。
例証的実施例として、Ｇｅｎ ３．５基板幾何学形状または１／４Ｇｅｎ ５基板幾何学形状のための有機カプセル化層（ＯＥＬ）加工の構成について、第１のモジュール１２００は、本明細書の他の場所で説明される技法のうちの１つまたはそれを上回るものを使用して、基板のための一様な支持を提供する（例えば、ガスクッションを使用する、または別様に、発光デバイスが基板上に形成される「アクティブ」領域の内側の一様な物理的接触を使用して、基板を一様に支持する）等、カプセル化層保持モジュールおよび硬化モジュールとして使用することができる。本発明者らは、とりわけ、印刷、保持、または硬化動作のうちの１つまたはそれを上回るものの間にガス浮動（または代替として、「アクティブ」領域の内側の一様な物理的接触）を含む、以下で説明される一様な支持技法が、ＯＥＬ加工プロセスにおいて可視的な非一様性（例えば、ムラ）の形成を抑制または阻止できることを認識している。
第２のモジュール１３００は、再配向モジュールとして使用することができる。再配向モジュールは、ハンドラが加工されている基板を反転または回転させることができる量を提供することができる。第３のモジュール８５００は、（例えば、図２１Ａまたは図２１Ｂに示されるように）本明細書の他の場所の実施例で例証的に示されるような積層構成において、環境を制御された領域中で基板を格納するため等に、保持モジュールを含むことができる。別の実施例では、より大型の基板幾何学形状のため等に、第３の処理モジュール８５００は、再配向モジュールを提供するように構成することができ、第１の処理モジュール１２００は、カプセル化硬化モジュールを提供するように構成することができ、第２の処理モジュール１３００は、１つまたはそれを上回る環境を制御された領域を有する、保持または緩衝モジュールとして構成することができる。図２Ａまたは２Ｂの実施例で例証的に示されるように、大型パネル幾何学形状とともに、またはスループットを増進するために使用することができるような他の構成を使用することができる。
システムの１つまたはそれを上回る封入部分内の制御された環境は、（１）直径が２マイクロメートルを上回るまたはそれに等しい粒子のためのクラス１０より良好な粒子制御、（２）１０パーツ・パー・ミリオン未満の水および酸素のそれぞれ、または１パーツ・パー・ミリオン未満の水および酸素のそれぞれ、もしくは（３）プラスまたはマイナス摂氏２度以内までの周囲ガス環境の温度制御のうちの１つまたはそれを上回るものを含むような仕様を含むことができる。
図１Ａおよび１Ｂの説明図は、移送モジュール１４００Ａに連結された単一の処理モジュール１２００を示すが、他の構成も可能である。図２Ａは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造する際に使用することができる、印刷システム２０００と、第１および第２の処理モジュール１２００Ａおよび１２００Ｂと、第３の処理モジュール１３００とを含むようなシステム１０００Ｂの少なくとも一部分の平面図の実施例を図示し、図２Ｂは、概して、システム１０００Ｂの少なくとも一部分の等角図の例証的実施例を図示する。
システム１０００Ｂは、印刷システム２０００に連結される第１および第２の移送モジュール１４００Ａおよび１４００Ｂを含むことができる。移送モジュール１４００Ａまたは第２の移送モジュール１４００Ｂを通して等、１つまたはそれを上回る他のモジュールを印刷システム２０００に連結することができる。例えば、第１の処理モジュール１２００Ａは、第１の移送モジュール１４００Ａに連結することができ、第２および第３の処理モジュール１２００Ｂおよび１３００は、第２の移送モジュール１４００Ｂに連結することができる。
第１、第２、または第３の処理モジュール１２００Ａ、１２００Ｂ、または１３００は、保持または緩衝モジュール、硬化モジュール、もしくは１つまたはそれを上回る他のモジュールを含むことができる。第１、第２、または第３の処理モジュールのうちの１つまたはそれを上回るものは、図５、図２１Ａ、または図２１Ｂの実施例で例証的に示されるような積層構成を含むことができる。別のモジュールが基板を受容する準備ができるまで、ある期間にわたってそれを保持すること、または欠陥のある、もしくは損傷した基板を除去することができるまで、それらを保持する場所を提供すること等の基板流管理の目的で基板を単純に保持することに加えて、機能的プロセスフローの一部として、ある期間にわたって基板を保持するために、保持または緩衝モジュールを使用することもできる。
例えば、印刷動作後に、基板は、有機カプセル化層を形成するためのプロセス中等に、基板上に印刷される有機材料の分散または流動のための特定持続時間を提供するため等に、保持モジュール内で保持することができる。そのような保持動作は、特定持続時間を有することができる。別の実施例では、基板は、基板の紫外線または熱処置を可能にする前等に、硬化モジュール内で（例えば、特定持続時間にわたって）保持することができる。そのような時限保持動作は、基板が１つの状態から別の状態に進化することを可能にするように行うことができる。例えば、液体材料が基板上に堆積させられる印刷動作後、および固体膜を形成する硬化動作に先立って、特定持続時間を有する時限保持動作は、熱処置または光学処置を含む硬化動作等の硬化動作を介して膜を固定する前に、液体が流動する、沈殿する、乾燥する、または３つの任意の組み合わせを行うことを可能にするために使用されてもよい。
第１、第２、または第３の処理モジュール１２００Ａ、１２００Ｂ、または１３００は、図２１Ａまたは図２１Ｂで例証的に示されるような積層構成において等、単一の基板または複数の基板を収容することができるような真空乾燥モジュールを含むことができる。そのような真空乾燥モジュールは、印刷を介して基板上に堆積させることができるような液体材料の（大気圧を下回る圧力における）乾燥を提供することができる。実施例では、システム１０００Ｂは、上記で説明されるような種々の機能を提供する保持モジュールと、別個の真空乾燥モジュールとの両方を含むことができる。代替として、（または加えて）、システム１０００Ｂは、ある持続時間中に、大気圧において、またはほぼ大気圧において、保持または緩衝を提供するように、および他の持続時間中に真空乾燥を提供するように構成される、保持モジュールを含むことができる。
制御された処理環境を有するようなシステム１０００Ｂを封入することができる。そのような制御された処理環境は、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、酸素含量、および有機蒸気含量のうちの１つまたはそれを上回るものの特定限界を下回ったままであるように確立することができる。例えば、制御された処理環境は、窒素、またはシステム１０００Ｂを使用して処理されている基板上に堆積させられる種との反応性が最小限であるか、または全くないために特定される、別のガスもしくはガスの混合物を含むことができる。以下の他の実施形態で説明されるように、そのような制御された処理環境は、（例えば、図１７、図１８Ａ、図１８Ｂ、図１９Ａ、図１９Ｂ、または図１９Ｃに示されるように）システム１０００Ｂの種々の部分内に含まれるか、またはそれらに連結されるガス精製システムを少なくとも部分的に使用して、確立することができる。本明細書の他の実施例で示され、説明されるように、システム１０００Ｂに連結されるか、またはシステム１０００Ｂの１つまたはそれを上回るモジュール内に位置する装置を使用する等して、制御された環境の粒子状物質レベルを制御することもできる。
例証的実施例として、第１、第２、または第３の処理モジュール１２００Ａ、１２００Ｂ、または１２００Ｃ、印刷システム２０００、または移送モジュール１４００Ａのうちの１つまたはそれを上回るものは、共有ガス精製設備、単一の専用ガス精製設備、またはシステム１０００Ｂの異なる部分と個別に関連付けられる複数の専用ガス精製設備によって確立される、制御された環境を含むことができる。例えば、種々のモジュールは、システム１０００Ｂの制御された環境の全体がパージされるか、または別様に汚染されることを要求することなく、公称システム動作中または保守中に行われ得るような種々の動作を可能にするように、システム１０００Ｂの他の部分から制御可能に単離されるため等に、ゲートまたは弁を含むことができる。
システム１０００Ｂは、加工されている１つまたはそれを上回る基板のための進入点または退出点を提供するため等に、第１の装填モジュール１１００Ａまたは第２の装填モジュール１１００Ｂのうちの１つまたはそれを上回るもの等の１つまたはそれを上回る装填モジュールを含むことができる。第１または第２の装填モジュール１１００Ａまたは１１００Ｂは、システム１０００Ｂを製造ライン内の他の装置に直接連結する、またはさらに、他の装置へ、もしくはそこから輸送することができる取り外し可能なアセンブリを提供する等、固定することができるか、または取り外し可能であり得る。例えば、第１または第２の装填モジュール１１００Ａまたは１１００Ｂのうちの１つまたはそれを上回るものは、システム１０００Ｂ内の環境と異なる環境へ、またはそこから基板を移送するように構成することができる。
例えば、第１の装填モジュール１１００Ａまたは第２の装填モジュール１１００Ｂは、真空源またはパージ源、もしくは両方に連結することができ、かつシステム１０００Ｂへのインターフェースポートおよび前または次の環境（周囲環境、または別の封入型処理モジュールと関連付けられる制御された環境であり得る）へのインターフェースポートを独立して密閉するために構成することができる。このようにして、第１または第２の装填モジュール１１００Ａまたは１１００Ｂは、それ自体を内部に密閉し、システム１０００Ｂと互換性がないものとシステム１０００Ｂと互換性があるもの（例えば、インターフェースポートを介してシステム１０００Ｂに暴露されたときに、システム１０００Ｂ内の制御された環境の質を実質的に維持するであろう、ほぼ大気圧における、または大気圧を上回る制御された環境）との間で装填モジュール１１００Ａまたは１１００Ｂの内部環境を遷移させることができる。同様に、第１の装填モジュール１１００Ａまたは第２の装填モジュール１１００Ｂは、他の処理に好適な環境（例えば、大気圧またはその付近にあるが、制御された環境と異なる組成を有する、第２の環境、または真空環境）に基板を遷移させるために使用することができる。このようにして、第１または第２の装填モジュール１１００Ａまたは１１００Ｂは、システム１０００Ｂの制御された環境と他の装置との間に移送導管を提供することができる。
上記のように、第１の装填モジュール１１００Ａまたは第２の装填モジュール１１００Ｂは、恒久的に取り付けられた構成、またはカートもしくは他の輸送可能構成を含むことができる。システム１０００Ｂ内に位置するハンドラを使用して、または第１の移送モジュール１４００Ａ内もしくは他の場所に位置する第１のハンドラ（例えば、ロボット）、または第２の移送モジュール１４００Ｂ内もしくは他の場所に位置する第２のハンドラ等の他の場所に位置する１つまたはそれを上回るハンドラを使用する等して、ポートを通して、加工されている基板を装填モジュール１１００Ａまたは１１００Ｂのうちの１つの内側に配置することができる。
実施例では、封入システム１０００Ｂの内部への暴露のための装填モジュール（例えば、第１の装填モジュール１１００Ａまたは第２の装填モジュール１１００Ｂ）の内部領域を準備するように、次いで、１つまたはそれを上回るパージ動作を含むような精製ガス流を使用して、装填モジュール（例えば、第１の装填モジュール１１００Ａまたは第２の装填モジュール１１００Ｂ）に非反応性雰囲気を提供するか、または別様に「充填」することができる。例えば、システム１０００Ｂの他の部分によって画定される封入領域内の制御された処理環境の粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、酸素含量、オゾン含量、および有機蒸気含量の特定限界を超える様式における汚染を回避するために、第１または第２の装填モジュールのうちの１つまたはそれを上回るものの内部領域を少なくとも部分的に排出またはパージすることができる。
同様に、システム１０００Ｂによる処理後に、処理されている基板を第１または第２の装填モジュール１１００Ａまたは１１００Ｂの中に配置することができる。例証として、装填モジュール（例えば、第１の装填モジュール１１００Ａまたは第２の装填モジュール１１００Ｂ）は、真空条件下での後続の処理のために、または別様に、真空条件、周囲条件、もしくはある他の静的な制御された環境下での他の装置または処理への加工されている基板の輸送のために、排出されるように真空源に連結される等、システム１０００Ｂ内の他の場所の非反応性ガス環境から単離することができる。さらなる例証として、第１または第２の装填モジュール１１００Ａまたは１１００Ｂのうちの１つは、封入領域内で、反応性種の濃度を、例えば、１０００パーツ・パー・ミリオン以上上昇させることなく、または同様に、周囲粒子レベルを特定量以上上昇させることなく、もしくは基板の１平方メートルにつき特定サイズの特定数以上の粒子を基板上に堆積させることなく、基板をシステム１０００Ｂ内の制御された処理環境に提供するように構成することができる。
実施例では、第１の装填モジュール１１００Ａは、ポート（例えば、実質的にガス不透過性のシールを有する物理的ゲートを含む）またはガスカーテンによって、移送モジュール１４００Ａに連結することができる。ポートが開放されるとき、第１の移送モジュール１４００Ａの中に位置するハンドラによって、第１の装填モジュール１１００Ａの内部にアクセすることができる。ハンドラは、エンドエフェクタを使用して基板を操作するため等に、種々の自由度を有するロボットアセンブリを含むことができる。そのようなエンドエフェクタは、重力によって基板を支持するように構成されるトレイまたはフレームを含むことができ、またはエンドエフェクタは、上向きまたは下向き構成から１つまたはそれを上回る他の構成への基板の再配向を可能にするため等に、基板をしっかりと把持し、締め付け、または別様に保持することができる。エンドエフェクタの部分を作動させるか、または別様に基板を保持するかのいずれかのために、空気圧または真空操作型特徴を含むような他のエンドエフェクタ構成を使用することができる。ハンドラを含む移送モジュール、および種々のエンドエフェクタ構成のさらなる例証的実施例が、以下で説明される。
全体として、システム１０００Ｂは、いわゆる「クラスタ」および「線形」（またはインライン）モードで操作することができ、これら２つの動作モードは主に、「クラスタ」モードで、同一のチャンバから入り、次いで、そこに戻る基板の流動と、「線形」または「インライン」モードで、１つのチャンバから入り、異なるチャンバへ出て行く基板の流動とによって区別される。本明細書で説明される主題は、「クラスタ」および「線形」または「インライン」構成の両方で含むか、または使用することができる。
実施例では、第１の移送モジュール１４００Ａは、コンベヤ上に位置する等、印刷システムの入力エンクロージャ領域２１００の中に位置するように基板を位置付けることができる。コンベヤは、物理的機械接触の１つまたはそれを上回るものを使用する、または基板を制御可能に浮動させるガスクッション（例えば、「空気ベアリング」テーブル構成）を使用する等して、印刷モジュール内の特定場所に基板を位置付けることができる。浮動型運搬のために含むことができるような浮動制御ゾーンの例証的実施例が、図１９Ｃで図示されている。
加工中に基板上に１つまたはそれを上回る膜層を制御可能に堆積させるために、システム１０００Ｂのプリンタ領域２２００を使用することができる。プリンタ領域２２００はまた、印刷モジュールの出力エンクロージャ領域２３００に連結することもできる。コンベヤは、入力エンクロージャ領域２１００、プリンタ領域２２００、および印刷モジュールの出力エンクロージャ領域２３００に沿って延在することができ、基板４０００は、種々の堆積タスクのために所望に応じて、または単一の堆積動作中に、再配置することができる。入力エンクロージャ領域２１００、プリンタ領域２２００、および出力エンクロージャ領域２３００内の制御された環境は、一般的に共有することができる。
プリンタ領域２２００は、例えば、基板の「上向き」構成で基板上に１つまたはそれを上回る膜層を堆積させるように構成されるような、オーバーヘッドカートリッジに連結されるか、または別様にそれを横断する、ノズル印刷、熱ジェット、またはインクジェット型である、１つまたはそれを上回るプリントヘッドを含むことができる。そのような層は、例えば、電子注入または輸送層、正孔注入または輸送層、遮断層、もしくは発光層のうちの１つまたはそれを上回るものを含むことができる。そのような材料は、１つまたはそれを上回る電気的機能層を提供することができる。加工されている基板のための１つまたはそれを上回るカプセル化層を提供するため等に、本明細書で説明される他の実施例で説明されるように、印刷技法を使用して、単量体またはポリマー材料等の他の材料を堆積させることができる。
基板４０００上への１つまたはそれを上回る層の堆積後、システム１０００は、第１のハンドラ１４１０Ａに類似し得る第２のハンドラ１４１０Ｂを含むような第２の移送モジュール１４００Ｂを含むことができる。基板４０００は、印刷モジュールの出力エンクロージャ領域２３００を使用してアクセスされるような第２のハンドラ１４１０Ｂによって操作することができる。第２のハンドラ１４１０Ｂは、ゲートまたは他の配列を使用する等して、印刷モジュールから単離することができる。制御された環境を有するような第２の処理モジュール１３００は、１つまたはそれを上回る環境を制御された領域を有する緩衝材を提供するため、もしくは加工を支援する１つまたはそれを上回る他の能力を提供するため等に、第２の移送モジュール１４００Ｂに連結することができる。本システムは、第１の装填モジュール１１００Ａに類似するような第２の装填モジュール１１００Ｂを含むことができる。第２の装填モジュールは、印刷モジュールを伴う１回またはそれを上回る堆積動作後に、または他の処理後に、システム１０００から外へ基板を移送するために使用することができる。
種々の実施例によると、第１または第２の処理モジュール１２００または１３００は、乾燥または溶媒蒸発のため等の他の処理を提供することができる。他の実施例は、紫外線暴露、（例えば、より平面的または一様なコーティングを達成するよう、印刷後または硬化前に材料流動または分散を促進するための）基板保持、（例えば、基板４０００を回転させるための）再配向、保持、または緩衝（例えば、列に並べられた様式における等の制御された環境内の処理中の基板の格納）を含むことができる。
印刷または（例えば、材料流動または分散を促進するための）基板保持もしくは膜硬化等の他の処理動作のうちの１つまたはそれを上回るものの間に基板を一様に支持するためのガスクッション配列の使用は、基板のアクティブ領域中の可視的欠陥（例えば、「ムラ」）の形成を低減または抑制することができる。例えば、そのようなアクティブ領域は、発光電子デバイスが加工またはカプセル化されている基板の面積の部分として画定することができる。
図３Ａは、概して、等角図を図示し、図３Ｂは、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）の製造で使用することができる、第１の印刷システム２０００Ａ、第２の印刷システム２０００Ｂ、および他のモジュールを含むようなシステム３０００Ａの少なくとも一部分の平面図を図示する。
システム３０００Ａは、本明細書の他の実施例に関して説明されるような印刷システム等の第１の印刷システム２０００Ａを含むことができる。増加したスループット、冗長性、または複数の処理動作のうちの１つまたはそれを上回るものを提供するために、第２の印刷システム２０００Ｂ等の他の印刷システムを含むことができる。システム３０００Ａはまた、第１の処理モジュール１２００または第２の処理モジュール１３００等の１つまたはそれを上回る他のモジュールを含むこともできる。
上記のように、第１または第２の処理モジュール１２００または１３００は、（例えば、より平面的または一様な膜を達成するため等に、堆積材料層の流動または分散を促進するように）基板を保持すること、もしくは第１または第２の印刷モジュール２０００Ａまたは２０００Ｂのうちの１つまたはそれを上回るものによって堆積させられるような材料の層を（例えば、紫外線または照明を介して）硬化させることのうちの１つまたはそれを上回るもののために、使用することができる。例えば、本明細書の他の場所で説明されるように、流動または分注する、もしくは第１または第２の処理モジュール１２００または１３００を使用して硬化させられる、材料層は、カプセル化層（紫外線光への暴露を介して硬化または処置される有機カプセル材料を含む、薄膜層等）の一部分を含むことができる。第１または第２の処理モジュール１２００または１３００は、積層構成において等、上記で説明されるように基板を保持するために構成することができる。処理モジュール１３００は、代替として（または加えて）、積層構成において等、１つまたはそれを上回る基板を真空乾燥させるために構成することができる。第１または第２の処理モジュール１２００または１３００のうちの１つまたはそれを上回るものが、一度に１つより多くの基板のための真空乾燥モジュールとして機能する場合において、積層構成は、単一のチャンバ内の複数の乾燥スロット、またはそれぞれ単一の乾燥スロットを有する、単離したチャンバのスタックを含むことができる。さらに別の構成では、第１または第２の処理モジュール１２００または１３００のうちの１つまたはそれを上回るものは、基板を保持するために構成することができ、１つまたはそれを上回る基板を真空乾燥させるために、移送モジュール１４００Ａに取り付けられた別の処理モジュールを提供することができる。第１および第２のプリンタ２０００Ａおよび２０００Ｂは、例えば、基板上に同一の層を堆積させるために使用することができ、またはプリンタ２０００Ａおよび２０００Ｂは、基板上に異なる層を堆積させるために使用することができる。
システム３０００Ａは、ロードロックとして、または別様に、システム３０００Ａの１つまたはそれを上回るエンクロージャ内で維持される制御された環境の妨害を実質的に回避する様式で、システム３０００Ａの１つまたはそれを上回るチャンバの内部の中または外への基板４０００の移送を可能にする様式において、使用することができるような、入力または出力モジュール１１０１（例えば、「装填モジュール」）を含むことができる。例えば、図３Ａおよび本明細書で説明される他の実施例に関連して、「妨害を実質的に回避する」とは、１つまたはそれを上回るエンクロージャの中または外への基板４０００の移送動作中または後に、１つまたはそれを上回るエンクロージャ内でそのような種を１０パーツ・パー・ミリオン、１００パーツ・パー・ミリオン、または１０００パーツ・パー・ミリオン以上上昇させることを回避すること等、反応性種の濃度を特定量だけ上昇させることを回避することを指し得る。種々の動作の前、間、または後に基板４０００を操作するために、ハンドラ１４１０Ｂを含むことができるような移送モジュール１４００Ｂを使用することができる。移送モジュール１４００Ｂに使用することができる構成の実施例が、図２２Ａおよび２２Ｂで例証的に示されている。基板を入力または出力モジュール１１０１に提供するため、もしくは入力または出力モジュール１１０１から基板を受容するため等に、１つまたはそれを上回る付加的なハンドラを含むことができる。
図３Ｃは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造する際に使用することができるようなシステム３０００Ｂの少なくとも一部分の平面図のさらなる実施例を図示する。図７Ｃでは、第１および第２の印刷システム２０００Ａおよび２０００Ｂは、（例えば、基板上に異なるまたは類似する層を堆積させるために）図７Ａ、７Ｂの実施例と同様に配列することができる。システム３０００Ｂは、第１および第２の処理モジュール１２００Ａおよび１２００Ｂと、第３および第４の処理モジュール１３００Ａおよび１３００Ｂとを含むように、システム３０００Ａの実施例と比較して拡張することができる。例証的実施例として、処理モジュール１２００Ａ、１２００Ｂ、１３００Ａ、または１３００Ｂは、紫外線処置を提供するように構成される硬化モジュールを含むことができるか、または他の場所で説明される保持機能のうちのいずれかのために１つまたはそれを上回る基板を保持するように構成することができる。他の配列も可能である。例えば、図３Ａ、３Ｂ、および３Ｃの実施例は、概して、２つの印刷システム２０００Ａおよび２０００Ｂを含むことができる構成を図示するが、２つより多くの印刷システムを含むことができる。同様に、付加的な（またはより少ない）処理モジュールを含むことができる。
図４Ａおよび図４Ｂは、発光デバイス（例えば、ＯＬＥＤデバイスのＯＥＬ）の有機薄膜カプセル化層（ＯＴＦＥＬ）を形成するステップを含むことができる方法等の技法を図示する。図４Ａの実施例４１００では、４２００において、無機薄膜カプセル化システムから、本明細書の他の実施例に関して示され、説明されるようなシステム等の有機薄膜カプセル化（ＯＴＦＥ）システムの移送チャンバに基板を移送することができる。基板は、装填モジュール（例えば、「ロードロック」）を使用する等して、移送モジュールの制御された環境と異なる環境から移送することができる。４３００において、基板は、移送モジュール内または封入型印刷システム内に位置するハンドラロボットを少なくとも部分的に使用する等して、封入型印刷システムに移送することができる。４４００において、基板は、印刷動作または他の動作中に可視的欠陥または「ムラ」の形成を低減または阻止する技法および装置を使用する等して、印刷システム内で一様に支持することができる。
例えば、そのような支持は、発光電子デバイス等のアクティブデバイスが形成されている、基板の領域の上または反対側の基板の面積中で一様な物理的接触を提供するように構成されるようなチャック構成（例えば、平面的なチャックまたはトレイ）を含むことができる。しかしながら、これは、一般的に入手可能なチャックが、概して、装填および非装填動作を促進するよう、それを通してリフトピンが基板を上昇または降下させることができる穴を基板の中心領域内に提供するため、種々の課題を提起し得る。これらの穴は、基板との非一様な物理的接触の領域を表し得る。真空チャックの実施例では、それを通して定位置で基板を保持する真空吸引が提供される、溝または穴もあり得、概して、そのような溝または穴特徴のうちのいくつかは、所望の押し下げ性能を達成するように基板の中心領域の中に位置する。
本発明者らは、とりわけ、標的コーティングパターンへの影響を最小限にするか、または排除するチャック特徴を位置付けるよう、支持チャック（または基板を支持するシステムの他の部分）を構成できることを認識している。実施例では、チャックはさらに、発光電子デバイス等のアクティブデバイスが形成されている場所、または発光デバイス等のアクティブデバイス、例えば、試験のためのみに使用されるであろう、または二流製品として製造および販売されるデバイスが形成されているが、厳密な一様性の要件を有していない場所の外側で、基板の領域の上または反対側の基板のある面積に非一様な物理的接触を提供することができる。本実施例では、発光電子デバイスが、１つだけの例証的実施例として使用されるが、同一の支持構造構成を任意のアクティブ電子、光学、または光電子デバイスに適用することができ、アクティブ領域は、カプセル化されているデバイスがその内側に位置する領域を表すことができる。
非アクティブ領域中で基板を物理的に支持することへの上記のアプローチは、単純かつ比較的低費用であるという利益を有するが、殆どの場合において、そのようなアプローチが、最高品質の一様なコーティングのための使用から制約される基板の中心領域の部分を含み、それによって、システムの効果的な生産性を低減させるという欠点に悩まされる。本発明者らはまた、それを通して真空が提供される連続多孔質媒体等の個々の真空溝または穴の代わりに、分散真空領域を使用することによって、そのような欠点に対処できることも認識している。リフトピンと関連付けられるチャック内の残りの穴は、（基板の周辺または基板のアクティブ領域の周辺を画定する表面の反対側の領域を含む）基板の周辺またはアクティブ領域の周辺のうちの１つまたはそれを上回るものに制約することができる。
代替として、例えば、本発明者らはまた、とりわけ、硬化モジュールにおける紫外線処置の前または間等の印刷動作、もしくは他の処理のうちの１つまたはそれを上回るものの間等に、少なくとも部分的にガスクッションを使用して、基板を一様に支持できることも認識している。そのようなガスクッションの使用は、基板上のコーティングまたは膜層の一様性を増進することができる。例えば、物理的基板支持表面の上方に基板を浮動させることによって、基板は、支持された領域の全ての中で一様なガスを受け、物理的基板支持表面上に存在し得るリフトピンまたは他の局在的特徴のための穴の存在に対して感受性が比較的低い。そのような浮動支持実施例では、基板が拡張または後退したリフトピンと物理的に接触しておらず、印刷、保持、または硬化等の処理中にガスクッションによって中心領域中で支持されるため、これらの領域中の膜一様性に影響を及ぼすことなく、基板の中心領域中のリフトピンを支持機構に組み込むことができる。加えて、または代わりに、基板はさらに、基板周辺またはアクティブ領域間の周辺のうちの１つまたはそれを上回るものの中等のそのようなアクティブ領域の外側の領域に制約される物理的接触によって、一様に支持または保持することができる。このようにして、基板面積の全体は、高度に一様なコーティングを提供することができ、浮動面内の定位置で基板を拘束または保持するよう、基板が物理的に接触させられる基板縁における除外ゾーンを潜在的に除いて、生産的に使用することができる。
４５００において、有機カプセル化層を形成する単量体を含むような単量体等の有機材料を、基板の標的堆積領域中に印刷することができる。「堆積領域」という用語は、概して、有機カプセル化層が形成されている領域を指す。４６００において、基板は、印刷システムから移送モジュールに移送することができる。実施例では、基板は、印刷システムによって基板上に堆積させられる有機材料の流動または分散を可能にするように、印刷後の特定保持持続時間にわたって封入型印刷システム内で保持される。４７００において、基板は、移送モジュールから硬化モジュールに移送することができる。
４８００において、基板は、１つまたはそれを上回る特定領域中で一様に支持される等、硬化システム内で支持することができる。基板を支持する様式は、４５００において印刷動作中に使用される基板支持技法と類似するか、異なり得る。しかしながら、概して、基板支持は、印刷、硬化、または保持動作（例えば、硬化に先立って材料が流動または分散する間）中に、一様にコーティングされるこれらのアクティブ領域内で、一様な物理的接触（例えば、分散真空領域を提供するような真空チャック）またはガス浮動を介する等して、一様な支持を再度提供することができる。例えば、チャックは、少なくとも部分的にガスクッションを使用して、基板を支持するように構成される。硬化モジュールは、ムラがないＯＴＦＥ層を提供するため等に、４９００において印刷された有機材料を処置するように構成することができる。例えば、硬化モジュールは、紫外線処置等の光学的処置を印刷された単量体層に提供して、単量体層を重合させるか、または別様に硬化させるように構成することができる。
図４Ｂは、ムラがないＯＴＦＥ層を提供するため等の別の実施例４１５０を図示する。４２００において、図４Ａの実施例のように、基板をＩＴＦＥシステムからＯＴＦＥシステムの移送チャンバに移送することができる。４３５０において、基板は、少なくとも基板の１つまたはそれを上回るアクティブ領域内に基板の一様な支持を提供するため等に、印刷システムの基板支持システムに移送することができる。そのような基板支持システムは、（例えば、堆積材料の分散または流動を促進するよう、硬化に先立って）印刷または保持等の１つまたはそれを上回る動作中にムラ形成を抑制または阻止することに役立つように、上記のような装置または技法を含むことができる。例えば、基板支持システムは、基板を支持するガスクッションを提供するように、空気圧供給型ガスクッション、または空気圧および少なくとも部分的真空供給型領域の組み合わせのうちの１つまたはそれを上回るものを含む、種々の浮動制御ゾーンを有するような浮動式テーブル構成を含むことができる。別の実施例では、少なくとも基板の１つまたはそれを上回るアクティブ領域中で一様な基板の支持を提供するため等に、分散真空領域を使用することができる。４５５０において、標的堆積領域を覆って単量体を印刷することができる。
４６００において、基板は、図４Ａに関して上記のように、移送チャンバの中に位置するハンドラを使用する等して、印刷システムから移送チャンバに移送することができる。４７５０において、基板は、移送チャンバからＯＴＦＥ硬化モジュールの基板支持システムに移送することができる。基板支持システムは、保持動作または硬化動作のうちの１つまたはそれを上回るものの間にムラ形成を抑制または阻止することができる様式で、基板を支持するように構成されるチャックを含むことができる。例えば、他の実施例で説明されるように、基板は、印刷後、および紫外線処置の前等の硬化モジュールによる処置の前に、特定持続時間にわたって保持することができる。４９５０において、単量体層は、ムラがないＯＴＦＥ層を提供するため等に、硬化モジュールによって提供される紫外線処置を使用する等して硬化させることができる。
図４Ａおよび４Ｂに関して記述される基板支持技法は、概して、硬化モジュールまたは印刷システムとの関連で参照される。しかしながら、そのような技法はまた、基板を操作するように構成されるハンドラロボットのためのエンドエフェクタ構成に関連する等して使用することもできる。例えば、ハンドラロボットは、基板の第１の側面上のアクティブ領域、または第１の側面の反対側の基板の第２の側面の対応する部分との非一様な直接物理的接触を回避しながら、基板のための支持を提供するため等に、エンドエフェクタ構成を含むことができる。
図５は、概して、発光デバイスを製造する際に使用することができる、紫外線処置システムの一部分を図示する実施例を図示する。図５の実施例は、装置を含むことができるか、または（例えば、１つまたはそれを上回るＯＬＥＤデバイスを含む基板等の基板の処理を行うための有機カプセル化層加工システムまたは他のシステムを提供するため等に）上記で説明されるもの等の本明細書の組み合わせられた他の実施例であり得る技法を使用することを含むことができる。図５のシステムは、移送モジュール１４００を含むような、非反応性ガス環境等の制御された環境を有するエンクロージャを含むことができる。移送モジュールは、第１の基板４０００Ａ、第２の基板４０００Ｂ、または第３の基板４０００Ｃ等の１つまたはそれを上回る基板を操作するようにエンドエフェクタ１４２２に連結されるようなハンドラ１４１１を含むことができる。例証的実施例として、本システムは、硬化モジュール２３０２を含むことができる。硬化モジュールはまた、（例えば、堆積材料の分散または流動のために）１つの処理状態から別の処理状態への基板の進化を促進するため、または基板の待ち行列のための緩衝を提供するため等に、基板の保持を提供するために使用することもできる。加えて、または代替として、他の処理モジュールが、保持または緩衝能力を提供することができる。環境を制御された領域は、特定ガス純度、温度、または粒子状物質レベルのうちの１つまたはそれを上回るものを含むことができる。
図５の実施例の種々の領域内のガスは、実質的に層流のプロファイルを提供するため等に、基板の表面を横方向に横断して循環させることができる。加えて、または代わりに、ＦＦＵ１５００等の１つまたはそれを上回るファンフィルタユニット（ＦＦＵ）が、ダクト５２０１等の１本またはそれを上回るダクトを通してガスを回収すること等の下降流プロファイルを提供することができる。他の実施例のように、温度コントローラ５６５０を、ＦＦＵ１５００上または内に位置する熱交換器等のシステムの１つまたはそれを上回る他の部分に連結することができる。このようにして、移送モジュール１４００（またはシステムの他の部分）内の温度を制御することができる。本システムは、制御された環境のガス純度レベルを監視または制御するように構成されるガスコントローラ５６００を含むようなガス精製システムを含むことができるか、またはそれに連結することができる。保持モジュールまたは硬化モジュール２３０２等のモジュールは、別個のガス精製ループを含むことができ、またはそのようなモジュールは、制御された環境および精製設備を移送モジュール１４００と共有することができる。
硬化モジュール２３０２は、紫外線ランプ等の１つまたはそれを上回るランプを含むことができる。そのようなランプは、硬化モジュール２３０２内に、または石英（または他の紫外線透過性）窓を通してチャンバに光学的に連結される等、チャンバの外側に位置することができる。
概して、熱的に制御された領域中の基板の１つまたはそれを上回るものは、プレート、フレーム、またはトレイを含むようなチャック構成によって支持することができる。本明細書の他の実施例で記述されるように、そのようなプレート、フレーム、またはトレイは、１本またはそれを上回る格納式リフトピン（例えば、ピン２３２４）を含むことができる。他の実施例のように、１本またはそれを上回る格納式ピンまたは他の機械的支持特徴は、周囲における、または基板上のディスプレイデバイスの間の領域の中に位置することができる。同様に、真空チャックは、基板を支持することができる。真空チャックは、処理動作中に真空吸引を基板の裏側に提供して、その処理動作中に基板の安定性または基板とチャックとの間の熱的接触を向上させるよう、制御可能にオンおよびオフにすることができる、真空ポートおよび真空供給部を装備することができる。種々の実施例では、真空チャックの代わりに、非真空チャックを提供することができ、主に重力および摩擦によって、または主に機械的締め付けによってのいずれかで、基板を定位置で保持することができる。基板は、ハンドラ１４１１のエンドエフェクタ１４２２を使用する等して、種々の位置から配置または除去することができる。
以下でさらに説明されるように、エンドエフェクタによるアクセスのために基板を上昇させるために、リフトピン等の１つまたはそれを上回るピンを使用することができる。上記のように、硬化モジュール２３０２はまた、基板の重力、回転のうちの１つまたはそれを上回るものを使用する、または保持、材料流動または分散、もしくは硬化動作のうちの１つまたはそれを上回るものの間に基板をさらに平らにするために１つまたはそれを上回る真空ポートを使用する等して、より平面的かつ一様なコーティング（例えば、印刷モジュールを使用して印刷されるＯＥＬ層）を達成するため等に、基板上に堆積させられる膜層の分散または流動を促進するために使用することもできる。しかしながら、本発明者らは、保持、材料流動または分散、もしくは紫外線処置のうちの１つまたはそれを上回るものの間に大型ポートを有する真空チャックを使用することが、不要な可視的欠陥または「ムラ」につながり得ることを認識している。図５に示される構成は、ムラ形成を阻止または抑制しながら、有機薄膜カプセル材料層の生成を促進することに役立ち得る。
本明細書の他の場所の実施例で記述されるように、加工されている基板上に堆積させられる１つまたはそれを上回る層を処置するため等に、紫外発光源を使用することができる。例えば、ＯＬＥＤディスプリアアセンブリを含むようなフラットパネルディスプレイアセンブリの製造に関係付けられる、１つまたはそれを上回るプロセスで使用するため等に、基板上に堆積させられる有機層を重合させるか、または別様に処置するために、紫外発光を使用することができる。本明細書で説明される他の実施例の側面と同様に、図５のシステムは、第１の領域２３０１Ａ、第２の領域２３０１Ｂ、および「Ｎ番目の」領域２３０１Ｎ等の１つまたはそれを上回る封入領域（例えば、「セル」またはチャンバ）を含むことができる。例えば、（例えば、図５で例証的に示されるように）３つの領域を含むことができ、別の実施例では、他の数の領域を含むことができる。領域は、図５で例証的に示されるように、システムの垂直軸に沿った「積層」構成で配向することができる。
例証的実施例では、基板上の有機層の堆積後等に、コーティングの平坦化または一様性を向上させるため等に、材料流動および分散動作を行うことができる。材料流動および分散動作の持続時間は、概して、紫外線処置動作の持続時間より長くあり得る。したがって、１つのアプローチでは、硬化モジュール２３０２から分離しており、図２１Ａまたは２１Ｂに示されるように基板を収納するように構成される各領域を伴う積層構成で配列されるような、それぞれの保持モジュールを使用することができる。本アプローチでは、材料流動または分散動作は、アクセスを制約すること、または別様に別個の紫外線処置領域を連携させることなく、進むことができる。しかしながら、本明細書の他の場所で議論されるように、ユーザ低費用源を含むような複数の紫外線源を使用することができる。このようにして、複数の領域が、紫外線処置を提供し、スループットを増進するように構成されるため、紫外線源をアイドリングさせることのスループット影響は、保持動作および紫外線処置動作の両方のための同一の「セル」または領域（例えば、２３０１Ａから２３０１Ｎ）の使用を不可能にする必要がない。そのようなアプローチはまた、たとえ特定の紫外線源が故障するか、または保守を受けていても処理が継続できるように、紫外線源の冗長性を提供することもできる。そのようなアプローチにとってのさらに別の利益としては、基板が、（例えば、平坦化または一様性を向上させるために）印刷有機層を分散または流動させるように材料流動または分散動作を受けることができ、セルからの基板の移動を必要とすることなく紫外線処置を受容すること等、基板を処置することができる。
図５の実施例では、第１の紫外線源２３１０Ａ（例えば、紫外発光ＬＥＤアレイ）は、波長の特定範囲を有する紫外発光２３２８を第１の基板４０００Ａに提供することができる。紫外発光は、窓２３１０Ａ（例えば、石英窓、または正規化フィルタもしくは他のフィルタ、またはコーティングを含むようなアセンブリ）を通して等、封入領域２３１０Ａの内部に連結することができる。図６、図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ、または図８Ｂの実施例のように、領域２３０１Ａ内の環境を制御することができ、かつ第１の紫外線源２３１０Ａを含有する筐体から単離することができる。第２の封入領域２３１０Ｂでは、第２の基板４０００Ｂは、材料流動または分散のため、または他のプロセスの可用性を待つため等に、特定持続時間にわたって保持することができる。特定保持持続時間中に、第２の紫外線源２３１０Ｂを無効にすることができる。
本明細書の他の場所の実施例では、基板の運搬、支持、または保持のうちの１つまたはそれを上回るものを行うため等に、基板の少なくとも一部分に接触するようなチャックを使用することができる。本発明者らは、とりわけ、堆積有機層の流動または分散を提供することに関するようないくつかの動作または材料システムについて、基板が非一様的に支持されるときに、可視的欠陥が基板４０００Ａのディスプレイ領域中で誘発され得ることを認識している。例えば、後退したリフトピンと関連付けられるチャック内のピン、支持フレーム、穴、または基板４０００Ａの下のチャック内の真空開口は、図１５Ａおよび１５Ｂで例証的に示されるように、完成したデバイスにおいて可視的欠陥を誘発し得る。
理論によって拘束されることなく、そのような欠陥は、例えば、材料流動または分散動作中に、または基板４０００Ａとシステムの他の部分との間の接触による影響を受け得るような、基板４０００Ａとシステムの他の部分との間の静電相互作用から、基板４０００Ａの温度の局所勾配を生成し得る、熱伝導度の局在的変動に起因し得ると考えられる。実施例では、例えば、局所領域に隣接する、または局所領域内の温度の偏差が制限されるように、特定温度一様性を基板の局所領域中で維持することができる。例えば、基板にわたる有意な温度変動に耐えることができるが、そのような変動は、温度が基板に沿った短い距離にわたって有意に変動しないように、制限された勾配を有することができる。このようにして、完成したディスプレイの可視的特性の急激な変化を回避することができ、そのような段階的変化は、気付かれる、またはさらに検出可能である可能性が低い。
他の場所で記述されるように、１つのアプローチでは、（例えば、図１３Ａ、図１３Ｂ、または図１３Ｃで例証的に示されるように）基板４０００Ａを支持するために、基板の発光またはディスプレイ領域の外側の領域を使用することができる。しかしながら、基板４０００Ａの大部分が、概して、実際のディスプレイ領域の発光領域または部分を含むため、そのような領域の周辺のみで基板を支持することは、そのような支持が、基板４０００Ａを横断する他の場所で許容できない機械力または応力を誘発し、基板４０００Ａの歪曲または破砕のいずれかを行い得るため、非実用的である。
したがって、本発明者らはまた、ガスクッションを提供するために加圧ガス２３０４Ａを少なくとも部分的に使用する等して、紫外線処置動作中等に基板４０００Ａをチャック２３２０Ａによって支持できることも認識している。種々の実施例によると、基板４０００Ａは、基板４０００Ａを「浮動させる」ため等に、加圧ガス２３０４Ａの制御された配列によって独占的に支持することができる。別の実施例では、基板４０００Ａは、基板のアクティブ領域の下で、または別様に、非一様性によって誘発される欠陥が許容できないと見なされるであろう領域中で、一様な真空領域を使用して支持することができる。格納式リフトピンが、図１５Ａまたは１５Ｂで例証的に示されるように、基板の装填または非装填を促進するため等に、基板の周囲における、またはアクティブ領域の間の領域の中に位置することができる。
別のアプローチでは、基板４０００Ａは、基板４０００Ａの第１の表面に影響する加圧ガス２３０４Ａによって支持することができ、基板４０００Ａの対向面に接触するか、もしくは１つまたはそれを上回る場所で横方向に基板に接触するように配列される、機械的停止部２３１２によって等、対抗する力を提供することができる。概して、ガスクッションが基板を支持するために使用される実施例では、有機カプセル化が基板の頂面上にあり、ガスクッションが底面上で提供される「上向き」実施例のように、アクティブ領域または有機カプセル化層を含む表面の反対側の基板の表面の間に提供されるガスクッションによって、基板を支持することができる。
第２のチャック２３２０Ｂを第２のセル（例えば、領域２３０１Ｂ）の一部分として提供することができ、「Ｎ番目の」チャック２３２０Ｎを「Ｎ番目の」セル（例えば、領域２３０１Ｎ）の一部分として提供することができる。同様に、上昇ハンドラ１４１１（または本明細書の他の実施形態で説明されるようなハンドラロボット）は、加圧ガスを少なくとも部分的に使用して基板を支持するように、加圧ガス配列を含むテーブル（または対応するエンドエフェクタ１４２２）を含むことができる。コンベヤ１４３０または他の装置はまた、システム内の他の場所（またはシステムの外部）の領域２１０１から領域２３０１Ｎ等の所望のセルまでの経路２４４０に沿って、基板（例えば、基板４０００Ｃ）を運搬することができるように、そのような加圧ガス配列を含むこともできる。例えば、コンベヤ１４３０、エフェクタ１４２２、または第１から「Ｎ番目の」チャック２３２０Ａから２３２０Ｎのうちの１つまたはそれを上回るものは、それぞれ「浮動ゾーン」を画定することができる。第１のチャック２３２０Ａによって確立されるゾーンの中等の浮動ゾーンのうちの１つまたはそれを上回るものの中で、基板４０００Ａを部分的または完全に支持するガスクッションを確立するために、ポート２３０６Ａ等のポートの配列（例えば、アレイ）を使用することができる。
基板４０００Ａがガスクッションによって独占的に支持される実施例では、ポートの配列を通して、ガス陽圧および真空の組み合わせを印加することができる。圧力および真空制御の両方を有する、そのようなゾーンは、チャック２３２０Ａと基板との間に流体ばねを効果的に提供することができる。陽圧および真空制御の組み合わせは、双方向剛性を伴う流体ばねを提供することができる。基板（例えば、基板４０００Ａ）と表面（例えば、第１のチャック２３２０Ａ）との間に存在する間隙は、「飛行高さ」と称することができ、そのような高さは、陽圧および真空ポート状態を制御することによって、制御するか、または別様に確立することができる。このようにして、保持動作、材料流動または分散動作、もしくは紫外線処置動作のうちの１つまたはそれを上回るもののため等に、基板配向を慎重に制御することができる。
飛行高さが正確に制御される必要がない場所等の他の場所で、圧力単独浮動ゾーンを、コンベヤ１４３０に沿って、または他の場所等に提供することができる。コンベヤ１４３０に沿って、テーブル１４２２に沿って、または他の場所等で、圧力対真空ノズルまたは面積の比が段階的に増加または減少する場所等の「遷移」ゾーンを提供することができる。例証的実施例では、許容差内で、３つのゾーンが本質的に１つの平面内に位置することができるように、圧力・真空ゾーン、遷移ゾーン、および圧力単独ゾーンの間に本質的に一様な高さがあり得る。他の場所の圧力単独ゾーンにわたる基板の飛行高さは、基板が圧力単独ゾーン内で浮動式テーブルと衝突しないように、十分な高さを可能にするため等に、圧力・真空ゾーンにわたる基板の飛行高さより大きくあり得る。例証的実施例では、ＯＬＥＤパネル基板は、圧力単独ゾーンの上方約１５０マイクロメートル（μ）〜約３００μ、次いで、圧力・真空ゾーンの上方約３０μ〜約５０μの飛行高さを有することができる。例証的実施例では、コンベヤ１４３０、テーブル１４２２、またはチャック２３２０Ａから２３２０Ｎのうちの１つまたはそれを上回る部分は、ＮｅｗＷａｙ（Ｒ） Ａｉｒ Ｂｅａｒｉｎｇｓ（Ａｓｔｏｎ， Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ， Ｕｎｉｔｅｄ Ｓｔａｔｅｓ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ）によって提供される「空気ベアリング」アセンブリを含むことができる。基板のガス加圧支持の実施例が図５に関して議論されるが、本明細書で説明される他のシステム実施例に関するような、かつ図１９Ｃに関して議論されるような他の運搬または支持アプローチに加えて、またはその代わりに、そのような技法を使用することができる。
実施例では、基板がガスクッションによって支持されている間に、基板の横方向平行移動を制約するために、ピンまたはフレーム等の機械的保持技法を使用することができる。そのような保持技法は、基板が保持されている間に、基板の側面に入射する瞬発力を低減させるため等に、ばね荷重構造を使用することを含むことができる。これは、横方向に平行移動する基板と保持手段との間の高い力の影響が、基板の欠け、またはさらに壊滅的な破損を引き起こし得るため、有益であり得る。
領域２３０１Ａから２３０１Ｎのそれぞれは、１つまたはそれを上回るガス精製ループを共有することができるか、またはそれぞれのガス精製ループによってそれぞれサービス提供することができるかのいずれかである。同様に、１つまたはそれを上回るＦＦＵは、領域２３０１Ａから２３０１Ｎのそれぞれの中の基板の表面と平行な層流空気流を提供するように位置することができる。領域２３０１Ａから２３０１Ｎはそれぞれ、移送モジュール１４００から、または相互から、各封入領域２３０１Ａから２３０１Ｎの制御された環境を単離するため等に、弁またはゲートを含むことができる。例えば、紫外線源２３１０Ａから２３１０Ｎは、領域２３０１Ａから２３０１Ｎの内部から単離されるエンクロージャの中に収納される必要はない。したがって、保守中等に、特定の領域は、弁またはゲートを使用して、その制御された環境を残りの封入領域から単離させることができる。
温度コントローラ５６５０を使用する等して、本明細書の他の実施例で広範囲にわたって説明されるように、封入型移送モジュール１４００内またはシステムの他の部分内の温度を制御することができる。温度コントローラ５６５０は、ＦＦＵ１５００、もしくは他の場所の１つまたはそれを上回るＦＦＵに連結することができる。温度コントローラ５６５０または他の技法は、チャック２３２０Ａから２３２０Ｎ、テーブル１４２２、またはコンベヤ１４３０のうちの１つまたはそれを上回るものによって供給されるガスの温度を制御するため等に使用することができる。図６、図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ、または図８Ｂに関して記述されるように、システムの他の部分から単離された１つまたはそれを上回る冷却ループを含むような、液体または循環ガスを使用して、紫外線源２３１０Ａから２３１０Ｎのうちの１つまたはそれを上回るものを冷却することができる。
図６は、概して、発光デバイスを製造する際に使用することができる紫外線処置システムを図示する、略図の実施例を図示する。処置システムは、硬化モジュールとして使用するため（または例えば、複合硬化および保持モジュールとして使用するため）等に、本明細書で説明される他のシステムまたは技法の一部分として含むことができる。紫外線処置システムは、紫外線エネルギーを基板４０００の表面に連結するように構成されるような紫外線源アセンブリ９１２を含むことができる。他の実施例のように、硬化モジュール８３１４は、粒子状物質または反応性汚染物質の特定最大レベルを有する環境を提供するため等に、１つまたはそれを上回るガス精製ループによって提供され、１つまたはそれを上回るファンフィルタユニット（ＦＦＵ）に連結されるような制御された環境を含むことができる。
基板４０００は、隣接移送モジュール１４００から、またはロードロック等の別のチャンバもしくはアセンブリを通して、硬化モジュール８３１４にアクセスすることができる、ハンドラ１４１０およびエンドエフェクタ１４２０を使用する等して、硬化モジュール８３１４の中へ装填するか、またはチャンバ８３１４から除去することができる。基板を定位置で保持するために物理的接触および真空を使用する、または他の実施例で記述されるようなガスクッション配列を使用する等して、基板４０００を支持するために、チャック９２０を使用することができる。図１５Ａまたは１５Ｂで例証的に示されるように、基板４０００をエンドエフェクタ１４２０によって操作することができるように、基板４０００を上昇させるため等に、１本またはそれを上回るリフトピンを使用することができる。
紫外線源９１０Ａから９１０Ｎ等の紫外線源のアレイは、約３５０ナノメートル〜約４００ナノメートルの範囲から選択される波長を含むような紫外線エネルギーを提供することができる。例えば、約３８５ナノメートルまたは約３９５ナノメートルの波長を使用することができる。紫外線源は、図７Ａの実施例に示されるように比較的少数の高出力源を使用する、または図９、図１０、もしくは図１１で例証的に示されるように比較的低い出力源のアレイを使用する等の種々の構成を含むことができる。紫外線源は、紫外線放射発光ダイオード（ＵＶ ＬＥＤ）等の一般的に入手可能な紫外線エミッタ、もしくは１つまたはそれを上回る水銀アーク源等の１つまたはそれを上回る水銀ベースのデバイスを含むことができる。
実施例では、紫外線源アセンブリ９１２の基板または筐体９１８を液体または空気冷却することができる。例えば、紫外線源アセンブリ９１２の一部分を横断して、またはそれを通して空気を推し進める送風機９１５等の１つまたはそれを上回る送風機を有するようなプレナム９１４を提供することができる。そのような冷却ループは、例えば、硬化モジュール８３１４または移送モジュール１４００内の制御された環境から分離することができる。紫外線源９１０Ａから９１０Ｎを包囲する環境は、硬化モジュール８３１４の制御された環境を含むことができ、または紫外線源９１０Ａから９１０Ｎを包囲する環境は、紫外線エネルギーが紫外線源エンクロージャから硬化モジュール８３１４へ通過することを可能にする窓９１６を有するような別個のエンクロージャを形成することができる。このようにして、紫外線源エンクロージャの保守が、硬化モジュール８３１４内の制御された環境を妨害する必要はない。
以下の実施例で議論されるように、窓９１６は、一様に透過型である必要はない。例えば、窓は、紫外線エネルギーを収束する、分散する、または平行にする光学部を含むことができるか、またはそれらに連結することができる。別の実施例では、窓９１６は、基板の特定領域内等の基板４０００の面内の送達された紫外線エネルギーの非一様な電力密度を逆転させるか、または別様に補償するため等に、窓の面積にわたって特定様式で変動する、透過特性を含むことができる。図６の実施例では、窓および紫外線源９１０Ａから９１０Ｎは、平面的な構成で配列されるものとして示されているが、円筒形、放物線、または球形構成等の他の構成も可能である。実施例では、紫外線源９１０Ａから９１０Ｎは、基板４０００の一部分として加工されている有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイデバイスをカプセル化するように、１つまたはそれを上回る有機材料層を処置するために使用することができる。そのような処置は、概して、波長の特定範囲内の紫外線エネルギーの特定線量を提供することと、基板４０００の特定面積にわたって特定一様性を有することとを含む。
処置プロセスは、概して、単位面積当たりのエネルギー（例えば、１平方センチメートルあたりのジュール）に関して特定されるような紫外線暴露の所望の線量または線量範囲に関して確立することができる。線量は、入射電力密度を暴露持続時間で乗算することによって等、計算することができる。トレードオフが、強度（例えば、入射電力）と暴露持続時間との間に存在し得る。例えば、比較的高い電力源を使用することができ、比較的短い暴露持続時間を使用して、所望のＵＶ線量を達成することができ、これが有益に処理時間を短縮する。しかしながら、そのような高出力ＵＶ照射が、ディスプレイアセンブリの他の部分を損傷または劣化し得るため、そのような損傷または劣化を回避するため等に、紫外線源によって基板において提供される電力密度に関して限界が存在し得る。
上記のように、基板４０００の表面にわたる無機カプセル化層特性の変動を回避するため等に、送達された紫外線エネルギーの一様性も制御することができる。一実施例では、そのような一様性は、基板４０００の特定硬化面積にわたって最高から最低の入射電力または線量のわずか２０％変動の値を有する、もしくは基板４０００の特定硬化面積にわたって最高から最低の入射電力または線量のわずか５０％変動を有する、もしくは基板４０００の特定硬化面積にわたって最高から最低の入射電力または線量のわずか１０％変動を有するような、入射電力または送達されたＵＶ線量に関して特定することができる。
種々のＵＶ源構成を紫外線源９１０Ａから９１０Ｎに使用することができる。例えば、図７Ａの構成８３１５で示されるように、線形アレイまたは「バー」源を使用することができる。そのようなバー構成は、基板４０００に向かった方向へ紫外線エネルギーを集束するか、または平行にするため等に、精密反射体を含むことができる。別の実施例では、そのようなバー構成は、本明細書の他の実施例に関して議論されるように、拡散器または透過型フィルタのうちの１つまたはそれを上回るものを含むことができる。
図９、図１０、または図１１の構成８３１６から８３１８で例証的に示されるように、２次元アレイ構成を使用することができる。１つまたはそれを上回る反射体を含むような、図１２の実施例で図示される電力密度を提供することができるような高強度源の低密度アレイを使用することができる。これらの紫外線源構成のうちの１つまたはそれを上回るものは、機械的に固定することができるか、または基板の表面を横断してスキャンすることができる。そのような実施例では、基板４０００または紫外線源９１０Ａから９１０Ｎのいずれか一方または両方をスキャンすることができる。例えば、紫外線源９１０Ａから９１０Ｎを固定することができ、基板４０００と紫外線源９１０Ａから９１０Ｎとの間の相対運動を生成してスキャンを達成するため等に、基板４０００を再配置することができる。
図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ、および図８Ｂは、概して、発光デバイスを製造する際に使用することができるような紫外線源の線形アレイ構成９１０を含むことができる、紫外線処置システム８３１５の一部分を図示する、実施例を図示する。線形アレイ９１０は、単量体が堆積させられており、かつ紫外線光を用いて硬化させられるか、または別様に処置されるものである、領域の中等で、基板４０００の特定領域を横断して紫外発光ビーム９２２を掃引するように、少なくとも１つの軸においてスキャンすることができる。そのようなスキャンは、紫外線処置中等に、基板４０００または線形アレイ９１０のいずれか一方または両方の再配置を通して達成することができる。線形アレイ９１０が基板４０００を収納するチャンバ８３１４から分離しているエンクロージャの中に位置するとき等に、窓９１６を使用することができる。そのような窓９１６は、図１２または他の実施例に関して以下で議論されるように、光学部またはフィルタのうちの１つまたはそれを上回るものを含むことができるか、またはそれに連結することができる。
線形アレイ９１０は、より少ない紫外線源（例えば、例証的実施例では約５〜約１０個のＬＥＤ源）の利点を提供することができる。しかし、そのような線形面積９１０は、基板４０００の特定硬化面積の全体に暴露を提供するために機械的スキャンが使用される、付加的なシステム複雑性をもたらし得る。機械的スキャンは、部分的に、スキャンが直交軸（例えば、図７Ａおよび８Ａで矢印によって示されるような軸等）のみで使用されるように、線形アレイ９１０が少なくとも基板の１つの軸と同じくらい幅広いか、または長いことを特定することによって単純化することができる。このようにして、図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ、および図８Ｂで例証的に示されるように、単一の軸のみで線形アレイ９１０「ガントリ」をスキャンしながら、基板４０００の全幅または全長をＵＶ放射で処置することができる。線形アレイ９１０は、上記のような精密反射体構成を含むことができる。例証的実施例として、線形アレイ９１０によって照射される照射野の一様性を増進する反射体構成を含むような、３９５ｎｍ波長またはその付近における光を供給する高出力ＵＶ ＬＥＤライトバーが、Ｐｈｏｓｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（Ｈｉｌｌｓｂｏｒｏ， Ｏｒｅｇｏｎ， ＵＳＡ）から入手可能である。そのような精密反射体に加えて、またはその代りに、窓９１６の近くに静的に構成されるか、または窓９１６の一部分として含まれるようなフィルタまたは拡散器のうちの１つまたはそれを上回るものを使用することができる。別の実施例では、フィルタまたは拡散器のうちの１つまたはそれを上回るものは、線形アレイ９１０の一部分として機械的にスキャンされるような、線形アレイ９１０アセンブリの一部分として含むことができる。実施例では、線形ＵＶ源によって供給される電力密度は、２０ｍＷ／ｃｍ２〜４００ｍＷ／ｃｍ２である。
本発明者らはまた、１つまたはそれを上回る紫外線源の劣化または故障によって、紫外線照射の一様性が損なわれ得ることも認識している。図８Ａおよび８Ｂの説明図では、線形アレイ９１０の健全性を監視するために、紫外線感受性光度計等の光学センサ９１７を使用することができる。例えば、線形アレイ９１０に沿って含まれる１つまたはそれを上回る光源の状態に関して情報を得ることができるように、光学センサ９１７を線形アレイ９１０と平行な軸において機械的にスキャンすることができる。別の実施例では、光学センサ９１７は、光学センサ９１７の機械的スキャンの必要性を取り除くような、線形アレイ９１０と平行な軸に沿って配置された複数のセンサを含むことができる。以下の他の実施例に関して記述されるような光学センサの他の構成を使用することができる。本明細書で議論される他の実施例のように、ファンまたはファンフィルタユニットのための搭載場所を提供するため、もしくはチャンバ８３１４へのダクトの連結を促進するため等にチャンバ８３１４内で使用される非反応性ガスの入口または出口のための場所を提供するため等に、１つまたはそれを上回る開口をチャンバ８３１４内に提供することができる。
基板４０００の上向きの部分からの線形アレイ９１０源の高さは、「Ｈ」によって表すことができ、アレイ９１０によって放出される光学エネルギーと基板との間の相対速度は、「Ｖ」によって表すことができる。速度は、ガスのクッション上で基板を浮動させることによって、または基板を支持するチャック９２０を移動させることによってのいずれか等で、基板４０００に対するアレイ９１０（例えば、アレイを機械的にスキャンする）またはアレイに対する基板４０００のうちの１つまたはそれを上回るものを移動させることによって、確立することができる。照射幅は、「Ｗ」によって表すことができ、そのような幅は、Ｈが増加すると増加し、Ｈが減少すると減少する。線量モデリングのために、アレイ９１０によって照射される基板４０００の面積を推定するように、アレイ９１０の幅を照射幅Ｗで乗算することができる。
概して、本明細書で説明される実施例によって収容することができる大規模な基板４０００を考慮して、スループットが考慮事項である。したがって、１つの目的は、適切な線量が短いまたは最小限の時間量で送達され、また、光源からのエネルギーへの暴露を低減させるか、または最小限にすることを通して、もしくは基板が処理されている時間を短縮するか、または最小限にすることを通してのいずれかで、基板４０００の他の部分を損傷する可能性も低減させ得る様式で、紫外線線量を提供することであり得る。しかしながら、速度、エネルギーの線量、および光源高さＨが、概して、任意に確立されないように、種々の処理パラメータの間にトレードオフが存在し得る。
図９は、概して、基板４０００の特定面積を処置するための紫外線処置システムの一部分として使用することができるような紫外線源９１０Ａから９１０Ｎの２次元アレイ構成８３１６を含むことができる、紫外線処置システムの一部分を図示する、略図の実施例を図示する。図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ、および図８Ｂに関して説明される例証的実施例と対照的に、低出力紫外線源の高密度２次元アレイを使用することができる。そのような低出力紫外線源は、概して、水銀アークデバイスより費用効率的で信頼性がある、低出力ＵＶ ＬＥＤを含むことができる。そのような低出力ＵＶ ＬＥＤはまた、概して、広い基板４０００面積を覆うために使用される多数のデバイスにより、高出力ＵＶ ＬＥＤが非常に高価になるであろう場合等の大型基板４０００幾何学形状（例えば、１メートル×１メートルを超える）に使用することもできる。
何百もの個々のエミッタの高密度アレイは、他のアプローチと比較して、基板４０００表面において、送達された電力の増進した一様性を提供することができる。アレイ８３１６と基板４０００との間の拡散板または他のフィルタ、もしくは光学部を使用する等して、残存する非一様性に対処することができる。図８Ａまたは８Ｂの実施例のように、紫外線源９１０Ａから９１０Ｎのうちの１つまたはそれを上回るものの劣化または故障は、非一様な紫外線暴露野をもたらし得る。そのような非一様な暴露野は、基板４０００の１つまたはそれを上回る層内の可視的欠陥または不要な変動につながり得る。したがって、そのような劣化または故障を感知するために、１つまたはそれを上回る光学センサ９１７Ａから９１７Ｎ（例えば、測光センサ）を使用することができる。図９の説明図に示されるように、光学センサ９１７Ａから９１７Ｎのそれぞれは、個別光源の故障を検出することができるように、特定の行または列内の光源および対応する光学センサ位置への１：１対応を提供するように、整合させることができるが、その必要はない。別のアプローチでは、空間的平均化または空間的累積特定強度を合格／不合格基準として使用することができ、より少ないセンサを使用することができる。個別光源の故障は、光源アレイの修理または交換をトリガするか、または別様にさらなる処理を停止させる等、光学センサのうちの１つまたはそれを上回るものにおいて検出される平均強度または累積強度を低減させ得る。
例えば、紫外線源９１０Ａから９１０Ｎの出力をサンプリングするため等に、紫外線源９１０Ａから９１０Ｎのアレイ８３１６または光学センサ９１７Ａのうちの１つまたはそれを上回るものを機械的にスキャンすることができる。検出された劣化または故障の場合、アレイ８３１６が修理または交換されるまで、さらなる処理を停止させることができる。実施例では、アレイ８３１６は、紫外線源９１０Ａから９１０Ｎの間に冗長源を含むことができる。劣化または故障の場合、１つまたはそれを上回る欠陥がある紫外線源の組み合わせの使用を抑制することができ、他の冗長紫外線源の組み合わせを代わりに使用することができる。
図１０は、概して、基板４０００の特定面積を処置するための紫外線処置システムの一部分として使用することができるようなＵＶ ＬＥＤ源１７１０Ａから１７１０Ｎの２次元アレイ構成８３１７の実施例を図示する。図１０に示される２次元アレイ８３１７は、そのようなアレイが、概して、大型反射体を使用することなく所望の方向へＵＶ放射を提供するため、精密反射体の使用を排除することができる。低出力ＵＶ ＬＥＤの使用はまた、約２０ミリ秒の精度まで持続時間制御を可能にする等、（デューティサイクル変調または電流変調を通した）強度および暴露持続時間の精密制御を可能にすることもできる。アレイ８３１７の基板１７１８は、アレイ８３１７内の個々の光源１７１０Ａから１７１０Ｎから熱を奪うことを支援するため等に、ヒートシンク材料を含むことができる。基板１７１８は、構造支持フレームを含むことができるか、またはそれに連結することができる。個々の光源１７１０Ａから１７１０Ｎはそれぞれ、個々の光源１７１０Ａから１７１０Ｎのそれぞれのための収束、分散、または平行紫外線ビームを提供するため等に、レンズ構造を含むことができる。
図１１は、概して、紫外線処置システムの一部分として含むことができるような紫外線源のアレイのための筐体構成８３１８の実施例を図示する。筐体は、開口１８１５Ａから１８１５Ｄによって示されるような１つまたはそれを上回るファンを使用する等して、強制空気循環を含むことができる。ＵＶ ＬＥＤ１８１０Ａ等のＵＶ ＬＥＤのアレイを筐体１８１２内に含むことができる。支柱１８２４Ａから１８２４Ｄのうちの１つまたはそれを上回るもの等の１つまたはそれを上回る整合または支持支柱を含むことができる。
図１２は、概して、ＵＶ源および基板からの既知の距離に対応する、送達された紫外線エネルギーの非一様性を示す、強度プロット１９００の例証的実施例を図示する。そのような強度プロットは、逆または正規化フィルタ構成を確立するために使用することができる。図７Ａで例証的に示されるような１つのアプローチでは、反射体に沿って、基板４０００の所望の硬化面積を照射するような少数の固定された高出力ランプを使用することができる。しかしながら、機械的に単純であるが、そのようなアプローチは、欠点を有し得る。
例えば、図１２の例証的実施例では、約０．６５０メートル×約０．７２５メートルの面積を照射するために、４つの高出力ＬＥＤが使用される。そのようなアプローチは、プロット１９００の中心等の比較的低い入射電力の面積とともに、面積１９０２等の比較的高い入射電力の面積を提供することができる。より多数の個々の高出力ＬＥＤを使用するという代償を払うが、光源の密度を増加させることによって、一様性を増進することができる。本発明者らは、とりわけ、依然として低密度のアレイまたは比較的少数のＵＶ源を使用しながら、所望の硬化面積にわたって一様な強度または電力分布を提供する反転フィルタを確立するために、プロット１９００で示されるような強度マップについての情報を使用できることを認識している。
例えば、プロット１９００を最小強度領域に正規化することができ、次いで、プロット１９００を反転させることができる。逆表現は、透過性フィルタを確立するために使用することができ、それによって、プロット１９００の最小強度領域は、他の領域と比較して、最小、より少ない、または全くないフィルタリングを有し、より強力な領域は、これらのより強力な領域中で比例的にフィルタを通してエネルギーの透過を低減させ、それによって、それらの透過を最小強度領域に類似する値と平等にするようにフィルタにかけられる。このようにして、一様な面積照射を基板上で達成することができる。そのような反転および透過は、連続的に変動している必要はなく、いくつかの実施例では、全ての面積をある程度フィルタにかけることができる。実施例では、透過型フィルタは、ＵＶ源の逆強度パターンに対応するフィルタの表面にわたって透過強度の範囲を提供するため等に、不透明材料（例えば、ドットまたは他の領域のアレイ）のハーフトーンまたは他のディザリングパターンを含むことができる。
透過型フィルタは、他の実施例で議論されるように窓の一部分として含むことができるか、または窓に連結することができる。例えば、吸収コーティングを、可撓性膜上で、またはガラスもしくは石英等の剛性媒体上でパターン化することができる。例証的実施例では、透過型フィルタは、基板４０００とＵＶ源との間の特定場所において、石英窓または透明支持板に連結される。別の例証的実施例では、透過型フィルタは、膜上でパターン化され、基板４０００とＵＶ源との間の特定場所においてフレームによって構造的に支持される。
別のアプローチでは（または上記で説明される透過型フィルタアプローチと組み合わせて）、より一様な照射野を提供するために、拡散器を使用することができる。拡散器は、光学的に不透明な領域を有する、透過型フィルタよりも効率的であり得る。透過型フィルタの本非効率性は、基板の照射の一様性を達成するため等に、照射野内のより明るい領域（例えば、「ホットスポット」）が、概して、透過型フィルタによって反射または吸収（例えば、遮断）されるため、起こり得る。対照的に、拡散器は、半透明材料を備える等、屈折、回折、または散乱のうちの１つまたはそれを上回るものを使用して、伝搬する光の再指向によって、より一様な照射を提供することを支援することができる。
例えば、図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ、または図８Ｂのうちの１つまたはそれを上回るものにおける窓領域９１６、もしくは本明細書の他の実施例は、透過型フィルタに関して上記で議論される実施例に類似するプレートまたは膜を含むような拡散器を含むことができる。例えば、拡散器は、ホログラフ的に刻み込まれたプレートまたは膜を含むことができる。そのような拡散器は、ＵＶ光源が静的である実施例（例えば、図９、図１０、または図１１に示されるようなアレイ光源）で使用することができる。そのような拡散器はまた、ＵＶ光源が基板に対して機械的にスキャンされるか、または逆も同様である、実施例で使用することもできる（例えば、図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ、または図８Ｂ）。拡散器の実施例は、ホログラフ的に記録された表面レリーフ微小構造を含む、マイクロ拡散器を含むことができるような、ＷａｖｅＦｒｏｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ．（Ｐａｒａｍｏｕｎｔ， Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ， Ｕｎｉｔｅｄ Ｓｔａｔｅｓ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ）から入手することができるような１つまたはそれを上回る光管理膜を含むことができる。例えば、ビーズ構造または柱状構造を含むことができるような、他の拡散器技術を使用することができる。別の実施例では、Ｌｕｍｉｎｉｔ， ＬＬＣ（Ｔｏｒｒａｎｃｅ， Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ， Ｕｎｉｔｅｄ Ｓｔａｔｅｓ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ）から入手可能であるような均質化拡散器を使用することができる。
そのような拡散器配列は、ＵＶ源が基板から大きく分離して搭載され、より一様な照射野を平行にするか、または別様に提供することを支援するために、大型反射体が使用されるアプローチと比較して、大型反射体を排除し、個々のＵＶ源（例えば、ＬＥＤ）と基板との間の距離を圧縮することによって等、より空間効率的なＵＶ暴露装置を提供することができる。例証的実施例では、拡散器は、１５％より良好な照射野一様性を有する（例えば、照射野を画定する特定領域の最低強度部分から、照射野を画定する特定領域の最高強度部分まで、強度が１５％以上変動しない一様性を有する）ＵＶ照射を提供するため等に、８０パーセント以上、または９０パーセント以上の透過効率を提供することができる。
図１３Ａおよび図１３Ｂは、概して、図１３Ａでは堆積、保持、材料流動または分散、もしくは硬化プロセスのうちの１つまたはそれを上回るものの間等に基板４００６Ａと接触しているポートまたは溝を含むチャック構成２４２０Ａ、および図１３Ｂでは基板の層における対応する可視的な非一様性（例えば、ムラ）の例証的実施例を図示する。図１３Ａの実施例では、チャック２４２０Ａは、（例えば、真空に連結されるか、または別の目的で含まれる）溝４００８、後退したリフトピン４０１６、大型真空ポート４０１４、真空溝４０１２、もしくは１つまたはそれを上回る他の特徴のうちの１つまたはそれを上回るものを含むことができる。例証的実施例では、チャック２４２０Ａは、有機薄膜カプセル材料の堆積中、または（例えば、より一様または平面的なコーティングを達成するように）堆積カプセル材料層の流動または分散を提供すること等の他の動作中、もしくはそのようなカプセル材料層の熱または紫外線処置中等の処理中に、基板４００６Ａを保持するために使用することができる。図１３Ｂでは、基板４００６Ａ上の結果として生じる層の一様性は、溝４０１６に対応する欠陥４０１８、後退したリフトピン４０１６に対応する欠陥４０２６、真空溝４０１２に対応する欠陥４０２２、および真空ポート４０１４に対応する欠陥４０２４等の可視的欠陥を呈し得る。そのような欠陥は、図１３Ｂに示される形状の可視的輪郭を生成する様々な色の一様性、またはディスプレイ輝度または演色がそのような領域中で一貫していない影を有する、虹色干渉パターンとして発現し得る。理論によって拘束されることなく、たとえそのような変動が堆積側の反対側の基板の側面（例えば、裏側）に接触する特徴に関して起こったとしても、そのような変動は、基板２４２０Ａと接触している熱環境の変動によって少なくとも部分的に引き起こされ得ると考えられる。上記で議論されるように、本発明者らは、とりわけ、本明細書の以下および他の場所で説明されるような種々の一様な支持技法を使用して、そのようなムラを抑制または阻止できることを認識している。
ムラを抑制する一様な支持技法の使用はまた、粒子状物質汚染等の他の劣化源を有益に低減させることもできる。そのような劣化は、少なくとも部分的に、各膜のバルク材料内、または全体的なデバイススタック内の層の間の界面においてのいずれかで、デバイス構造に化学的または電気的／光学的汚染物質を組み込むことによって駆動され得る。経時的に、化学的活性汚染物質は、膜材料を劣化させる化学反応を膜においてトリガし得る。そのような化学反応は、いかなる他のトリガも欠けていると、単純に時間の関数として起こり得るか、または例えば、周囲光学エネルギーもしくは注入電気エネルギーによってトリガすることができる。電気的または光学的活性汚染物質は、動作中にデバイスにおいて導入または生成される電気または光学エネルギーのための寄生電気または光学経路を作成し得る。そのような経路は、光出力の抑制、または正しくない光出力（例えば、誤ったスペクトルの光出力）の生成をもたらし得る。劣化または損失は、個々のＯＬＥＤディスプレイ要素の故障、ＯＬＥＤ要素のアレイの部分における「黒い」斑点、可視的なアーチファクトまたは電気もしくは光学効率の損失、またはＯＬＥＤ要素のアレイの種々の影響を受けた領域中の演色精度、コントラスト、もしくは輝度の不要な偏差として発現し得る。
図１４Ａ、図１４Ｂ、図１４Ｃ、および図１４Ｄは、基板の種々の領域、および１つまたはそれを上回る加圧ガスポート、真空ポート、または真空領域を含むことができる、チャックまたはエンドエフェクタ等の対応する固定具を描写する、例証的実施例を含む。本明細書の他の場所で記述されるように、基板４０００は、ガラス材料、もしくは１つまたはそれを上回る他の材料を含むことができる。概して、フラットパネルディスプレイの生産のために、基板４０００は、単一の大型ディスプレイ、もしくは基板４０００から単体化することができる２つまたはそれを上回るより小型のディスプレイのいずれかを含むことができる。図１４Ａの例証的実施例では、４つのディスプレイ領域４００２Ａ、４００２Ｂ、４００２Ｃ、および４００２Ｄが示されている。これらは、例えば、「アクティブ領域」または「発光領域」と称することができる。本実施例での「アクティブ」という用語の使用は、そのような領域が処理中に実際に光学的放射性であることを何らかの形で示唆しないが、代わりに、発光するように構成されるデバイスを含むことができる領域、またはエンドユーザに可視的であるディスプレイの放射性または透過型部分を別様に形成する領域を指す。概して、領域４００２Ａから４００２Ｄ中の可視的欠陥は、エンドユーザによって許容できないと見なされ、したがって、領域４００２Ａから４００２Ｄの可視的な一様性を増進するため等に、種々の技法を使用することができる。基板４０００のパネル構成における他の変形例が可能である。例えば、基板４０００は、ＯＬＥＤデバイスの単一のディスプレイまたはアレイを含むことができる。他の実施例では、基板４０００は、支持のための対応する周辺を確立する等、または本明細書の他の実施例で記述されるように対応する分散多孔質媒体領域を有する等、２つ、４つ、または８つの領域に分割することができる。他の光学、電気、または光電子デバイスが基板上にあり、コーティングされている、他の製造実施例については、「アクティブ」の定義は、これらのデバイスに対応する領域を好適に包含するように調節することができる。
基板４０００が直接物理的接触によって支持される実施例では、支持は、ディスプレイ領域４００２Ａから４００２Ｄのそれぞれの内側では一様であり得、かつ全体として基板４０００の周囲に延在する領域４００４内では非一様であり得、ディスプレイ領域４００２Ａから４００２Ｄのそれぞれの間の内部空間の中へ延在する。そのような領域４００４は、ディスプレイの発光またはアクティブ要素がそのような非一様な支持領域がない状態で保たれるべきである（または逆も同様である）ことを示す、「侵入禁止」領域と称することができる。例えば、１つまたはそれを上回る「リフトピン」は、第１の領域２１２４Ａ、（例えば、ディスプレイ領域４００２Ａおよび４００２Ｂの間の場所における）第２の領域２１２４Ｂ、および「Ｎ番目の」領域２１２４Ｎ中等、図１４Ａで例証的に示されるような領域中に位置することができ、基板がチャック上に降下させられ、したがって、そのようなリフトピンが後退位置になった後、リフトピンが後退させられる穴は、基板の物理的支持内の間隙領域を表すであろう。代替として、または加えて、アレイ内の場所のうちの１つまたはそれを上回るものは、基板を定位置で保持し、それを平坦かつ水平にチャック表面と物理的接触して保つため等に、真空ポートを代わりに含むことができる。例えば、処理前または後にチャックに対して基板を上昇または降下させるために、１本またはそれを上回るリフトピンを使用することができ、処理中に基板を保持するために、１つまたはそれを上回る真空ポートを使用することができる。
他の実施例のように、基板は、ガスのクッションによって支持することができる。例えば、図１４Ａでは、チャックは、小型圧力開口の連続アレイ、またはその上で基板が浮動することができる加圧ガスの連続流を提供する連続多孔質プレートを備えてもよい。例えば、（後退させられたときにチャック表面の下方に位置する）リフトピンのために、２１２４Ａおよび２１２４Ｂ等の穴を依然としてチャック表面内に提供することができるが、基板がチャック表面の上方で浮動するため、そのような穴を覆うコーティング内のムラまたは非一様性の存在を低減または排除することができる。このようにして、領域４００２Ａから４００２Ｄの間の内部領域さえも、アクティブ領域として利用され、生産性を向上させ、より大型の連続アクティブデバイスの製造を可能にし得る。さらに他の実施例のように、図１４Ｂから１４Ｄの例証的実施例に示されるように、加圧ポートおよび真空ポートの組み合わせを使用することができる。例えば、図１４Ｂの上面図または図１４Ｃの側面図では、図１４Ｂの領域４００４で示されるような領域２１２４Ａから２１２４Ｎの中等で、１つまたはそれを上回る真空ポート（例えば、円形ポート、または例えば、スロット）によって等、基板４０００を保持することができる。そのような領域４００４は、再度、基板４０００の周囲を含むことができる。例証的実施例では、基板４０００と任意の固定具との間の物理的接触は、概して、堆積動作（例えば、基板４０００の材料の印刷）、保持動作、材料流動または分散動作、もしくは熱または紫外線処置動作のうちの１つまたはそれを上回るものの間等のある処理動作中に、そのような周囲領域４００４に制約することができる。そのような動作は、基板４０００が不完全性または可視的欠陥の生成の影響を受けやすくあり得る、薄膜カプセル化（ＴＦＥ）プロセスの少なくとも一部分として含むことができる。
そのような領域４００４は、例えば、１００ミリメートルまたは２００ミリメートルだけ基板の縁から内向きに延在することができる。他の場所では、基板は、１つまたはそれを上回る加圧ポート２１０６Ａから２１０６Ｎを使用して、少なくとも部分的に領域４００２中で支持することができる。基板を周囲領域４００４中で物理的に支持し、かつ中心領域４００２中で少なくとも部分的に加圧ガスによって支持することができるため、真空ポートおよび加圧ポートのそのような組み合わせは、大型基板４０００に必要以上の応力を付与することを回避することができる。このようにして、基板４０００が、加工されている単一の大型ディスプレイを含むか、またはいくつかのより小型のディスプレイを含むかどうかは問題ではない。したがって、共通固定具２１２０構成が、加圧ガスを用いて他の場所で（例えば、中心で）基板４０００を支持しながら、接触を基板４０００の周囲領域４００４に制約することができるため、そのような固定具２１２０を種々の異なるディスプレイ構成に使用することができる。固定具２１２０がチャックとしての機能を果たす実施例では、領域２１２４Ａから２１２４Ｎのうちの１つまたはそれを上回るものは、基板４０００を持ち上げて、ハンドラによる操作のための基板の下の隙間を可能にするため等に、真空ポートの代わりに、または真空ポートに加えて、リフトピンを含むことができる。加えて、操作のためまたは操作中に基板を支持すること、または持ち上げることを支援するため等に、ガスポート２１０６Ａから２１０６Ｎのうちの１つまたはそれを上回るものにおいて加圧ガス流を変調することができる。別のアプローチでは、ガスポート２１０６Ａから２１０６Ｎの組み合わせは、他の実施例で記述されるように、他の機器へ運搬するために基板を「浮動させること」を支援するために使用することができる。
図１４Ｄは、概して、加圧ガスおよび真空ポートの組み合わせが、図１４Ｂに示されるような静的チャック構成に制約される必要がないことを図示する。例えば、ハンドラのエンドエフェクタは、加圧ポート２１０６Ａから２１０６Ｎ、および領域２１２４Ａから２１２４Ｎ中の真空ポートの組み合わせを含むことができる。図１４Ｃの側面図はまた、図１４Ｄに示されるフォーク状エンドエフェクタ構成の「タイン」のうちの１つの側面図を表すこともできる。そのようなエンドエフェクタは、領域４００４以外の領域中で基板４０００に物理的に接触することなく基板４０００を操作するために、使用することができる。
代替として、または上記の実施例に加えて、基板４０００の平面的構成を保持または維持することを支援するために、図１５Ａおよび１５Ｂの例証的実施例で示され、議論されるように、図１４Ａから１４Ｃの領域４００２Ａから４００２Ｄまたは４００２のうちの１つまたはそれを上回るものと整合させられるような分散真空領域を確立することができる。以下で議論されるように、そのような分散真空領域は、炭素またはセラミック材料、焼結ガラス、もしくは直径が１マイクロメートル未満またはさらに０．５マイクロメートル未満の細孔径を含むことができるような、ある他の材料を使用することを含むことができる。そのような小さい細孔径は、上記の図１４Ａおよび１４Ｂに関して、および本明細書の他の場所で議論されるように、大型真空ポートが領域４００２Ａから４００２Ｄで使用された場合に別様に存在するであろう、可視的なムラの形成を抑制することができる。図５に関して記述されるような別の実施例では、保持、材料流散または分散動作、もしくは紫外線処置動作中、または他の生産プロセス中に、可視的欠陥の形成を回避するため等に、ディスプレイ領域４００２Ａから４００２Ｄ内等で基板を少なくとも部分的に支持するために、加圧ガスによって確立されるガスクッションを使用することができる。そのような実施例は、概して、図１６Ａおよび１６Ｂで図示されている。
図１５Ａおよび図１５Ｂは、概して、１本またはそれを上回る機械的支持ピンおよび１つまたはそれを上回る真空領域の組み合わせを含むことができる、チャック構成の例証的実施例を図示する。図１４Ａの実施例および本明細書の他の場所で議論される他の実施例と同様に、チャック２２２０は、（例えば、拡張したリフトピン２２２４Ａを含む）１本またはそれを上回る機械的支持ピンを含むことができる。機械的支持ピンは、空気圧で、油圧で、または電気的に作動させられるような、拡張構成および後退構成を含むことができる。図１４Ａに関して、および他の場所で議論されるように、機械的支持ピンは、基板が物理的接触を介して支持される場合において、１つまたはそれを上回るディスプレイのアクティブ領域以外の領域の中に位置することができる（一方で対照的に、浮動支持機構を使用することの利益のうちの１つは、リフトピン穴さえも覆ってムラがないコーティングを達成する能力である）。図１５Ａの実施例では、拡張したリフトピン２２２４Ａを含む、機械的支持ピンは、概して、基板４０００を垂直に変位させる等の拡張構成を図示することができる。そのような構成は、フォーク状エンドエフェクタ１４２０等の１つまたはそれを上回るエンドエフェクタによる基板の操作に適応するため等に、基板４０００の下の間隙を可能にすることができる。エンドエフェクタ１４２０は、溝、スロット、他の特徴を含むことができ、または別様に、ピンが拡張構成であるときに機械的支持ピンのうちの１本またはそれを上回るものとの干渉を回避するように定寸および成形することができる。
基板４０００が定位置に操作された後、１本またはそれを上回る機械的支持ピンは、後退したリフトピン２２２４Ｂを含む、図１５Ｂに示されるように、チャック２２２０の表面と同一平面または同一表面の下方の場所等まで後退させることができる。いくつかの実施例では、基板４０００はさらに、さらなる保持または固着を伴わずに処理することができる。しかしながら、基板４０００の有機カプセル化層（または他の層）の堆積、保持動作、材料流動／分注動作、または他の処置（例えば、紫外線処置）のうちの１つまたはそれを上回るものの間等のある動作中に、平面的構成で基板を維持することを支援するため等に、真空ポートまたは分散真空領域のうちの１つまたはそれを上回るものを使用することができる。例えば、領域２２０６Ａ、２２０６Ｂ、２２０６Ｃ、および２２０６Ｄを含むような、１つまたはそれを上回る分散（例えば、多孔質）真空領域を、チャック２２２０の一部分として含むことができる。より大型の真空ポートまたは機械的支持ピンと異なり、そのような領域２２０６Ａから２２０６Ｄは、「アクティブ」または「発光」領域が加工されている基板４０００の部分の直接下方に位置することができる。そのような分散真空領域が、図１３Ａおよび１３Ｂに関して上記で議論されるような他の種類の構造によって提示される熱的特性（例えば、熱伝導度）の急激な変化を回避するため、そのような分散真空領域は、基板４０００上に堆積させられているか、または別に形成されている１つまたはそれを上回る層内の可視的欠陥の形成を低減または抑制することができる。理論によって拘束されることなく、多孔質媒体によって提供される分散真空領域等の本明細書で示されるチャック構造の使用はまた、基板４０００と多孔質領域２２０６Ａ、２２０６Ｂ、２２０６Ｃ、および２２０６Ｄとの間に一様な静電結合または静電電界を提供する等、基板４０００上に堆積させられるコーティングまたは膜層の一様性を増進することもできると考えられる。
上記のように、１つのアプローチでは、リフトピンまたは真空ポート等の機械的特徴は、基板４００６Ａに含まれる個々のディスプレイのアクティブまたは発光領域の周囲の領域に限定することができる。しかしながら、そのようなアプローチは、不利点を有し得る。例えば、処理機器が、複数の基板形状、サイズ、およびディスプレイ構成に使用される場合、「侵入禁止」領域の配列に応じて、チャック２４２０Ａのツール交換が必要であり得る。図１６Ａおよび図１６Ｂは、図１３Ａおよび１３Ｂと対照的に、図１６Ａでは堆積、保持動作、材料分注または流動動作、もしくは硬化プロセスのうちの１つまたはそれを上回るものの間等に基板４００６Ｂを支持する加圧ガスクッションを確立するように構成されるポートを含むチャック２４２０Ｂ構成、および図１６Ｂでは結果として生じる基板における対応する一様性の例証的実施例を含む。本アプローチでは、基板４００６Ｂが、種々のプロセス中にチャック２４２０Ｂの熱的に非一様な特徴に接触するように要求されないため、図１６Ｂに示されるような基板４００６Ｂは、図１３Ａに示される特徴によって生成される、大きく高度に可視的なムラを回避することができる。領域２４０６Ａ中に第１のポート密度および領域２４０６Ｂ中に第２のポート密度を有するような、異なるポート構成を使用することができる。本明細書の他の実施例で記述されるように、領域２４０６Ａおよび２４０６Ｂのアレイの中等で真空および加圧ポートの組み合わせを使用することによって等、飛行高さ「ｈ」を確立することができる。例えば、ポートの各行において、ポートは、交互に真空ポートまたは加圧ガスポートとして割り当てることができる。このようにして、高さｈの精密制御を確立することができ、基板４００６Ｂをチャック表面に対してｚ次元で安定させることができる。本明細書の他の実施例のように、機械的固着および加圧ガスの組み合わせを使用することもできる。例えば、１つまたはそれを上回る側方停止部またはバンパを使用することによって等、（例えば、チャックの表面と平行な方向への）基板４００６Ｂの横移動を制限することができる。
図１６Ｃおよび１６Ｄは、図１３Ａおよび１３Ｂと対照的に、概して、図１６Ｅに示されるような結果として生じる基板において一様性を提供する等、堆積、保持動作、材料分注または流動動作、もしくは硬化プロセスのうちの１つまたはそれを上回るものの間に（図１６Ｃでは）分散真空または分散圧力を確立するため等に、多孔質媒体１９０６を含むチャック構成の実施例を図示する。本明細書の他の実施例に関して記述されるように、チャック２４２０Ｃの一部分に連結されるか、または一部分として含まれるような多孔質媒体１９０６「プレート」は、図１３Ａに示されるような大型開口を使用すること等なく、処理中に基板４００６Ｃをしっかりと保持する「分散」真空、または基板４００６Ｃを支持する加圧ガスクッションを提供することができ、ムラまたは他の可視的欠陥の形成を低減させているか、または最小限にしている、図１６Ｅに示されるような基板４００６Ｃを提供する。本明細書の他の実施例に関して記述されるように、チャック２４２０Ｃの一部分に連結されるか、または一部分として含まれるような多孔質媒体１９０６「プレート」は、図１６Ａに示されるような個々の開口を使用すること等なく、処理中に基板４００６Ｃを一様に浮動させるように「分散」圧力を提供することができる。
基板４００６Ｃの全体を占有するように特定される物理的寸法、またはディスプレイ領域もしくはディスプレイ領域の外側の領域等の基板の特定領域を有するような、図１５Ａ、１６Ｃ、１６Ｄに関して記述されるような多孔質媒体１９０６、または本明細書の他の場所で記述されるような類似分散圧力もしくは真空領域は、Ｎａｎｏ ＴＥＭ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．（Ｎｉｉｇａｔａ， Ｊａｐａｎ）等から入手することができる。そのような多孔質媒体は、保持、硬化、または材料分散もしくは流動動作中等にムラまたは他の可視的欠陥形成を低減または排除しながら、特定面積にわたって所望の真空保持力を提供するように特定される、細孔径を含むことができる。記述されるように、理論によって拘束されることなく、多孔質媒体の使用は、基板の表面にわたる、またはコーティングもしくは膜層の反対側の表面上の非一様な温度プロファイルまたは静電界プロファイルと関連付けられるムラまたは他の可視的欠陥を低減させるか、または最小限にすることによって等、基板４００６Ｃ上のコーティングまたは膜層の一様性を増進することができると考えられる。代替として、ガスクッションを提供するため等に、多孔質媒体を空気圧供給部に連結することができ、図１９Ｃで記述される１つまたはそれを上回る特定ゾーンの中等で、制御された「飛行高さ」を有するガスクッションを提供するために、種々の多孔質媒体領域を、空気圧供給部および真空供給部にそれぞれ連結することができる。そのような多孔質媒体が、分散真空を提供してチャック表面上の基板を押し下げるために利用されるとき、リフトピンのための穴の存在が、依然として非一様性を提供し得、したがって、基板のアクティブ領域に影響を及ぼすことを回避するよう、そのような穴の配置を含むことができる。そのような多孔質媒体が、分散圧力供給部を提供してチャック表面の上方で基板を浮動させるために使用されるとき、リフトピンのための（例えば、後退したリフトピンのための）穴の存在が、非一様性を引き起こす必要がなく、したがって、基板のさらに大部分をアクティブ領域のために利用可能にする。
図５、図６、図１４Ａ、図１４Ｂ、図１４Ｃ、図１４Ｄ、図１５Ａ、図１６Ａ、１６Ｃ、１６Ｄの実施例、および本明細書の他の実施例で議論されるチャック構成は、種々の動作で使用することができる。例えば、そのようなチャック構成は、封入型印刷モジュール、保持モジュール、移送モジュール、１つまたはそれを上回る紫外線処置領域を含むような硬化モジュールの一部分として、または特定粒子状物質汚染レベルおよび特定反応性種汚染レベルを有する環境内等でそのような動作の組み合わせを行うように構成されるモジュールの中に含むことができる。
本明細書で示され、説明される他の実施例のように、システム１０００Ａ、１０００Ｂ、３０００Ａ、または３０００Ｂで、もしくは他の実施例で示されるモジュールのうちの１つまたはそれを上回るものは、共有または専用ガス精製および監視設備、温度制御設備、または粒子状物質制御設備を含むことができる。例えば、各モジュールは、１つまたはそれを上回るガス精製ループ、ファンフィルタユニット、または温度コントローラを含むことができる。それぞれのモジュール内の制御された環境は、隣接モジュールに連続的であり得（例えば、流体的に連結される）、またはモジュールは、ガス純度、温度、粒子状物質レベル、または特定のモジュールの保守の増進した制御のため等に相互から単離することができる、制御された環境を含むことができる。
冗長性または保守のために、そのようなシステムは、他のモジュールに含有される制御された環境の処分またはパージを必要とすることなく、もしくは他のモジュールに含有される環境を実質的に変化させることなく、温度制御、ガス精製、溶媒排除、または粒子状物質制御システムの保守を促進するため等、１つまたはそれを上回る他のモジュールから１つまたはそれを上回るモジュール内の環境を単離するため等に、弁またはゲートを含むことができる。
本明細書で本書の他の場所において議論される加工システム内にある、またはそれを包囲する環境は、加工で使用される材料または加工されているデバイスの劣化を回避または抑制するように選択される、照射を含むことができる。また、本書で説明される種々の実施例は、特定温度、不純物レベル、または粒子状物質レベルのうちの１つまたはそれを上回るものを有する、制御された環境を提供するようなガス充填エンクロージャを指すことができる。
種々の実施例によると、本明細書で示され、説明されるシステムの内部を照射するため、またはオペレータもしくは機械視覚システムによるシステムの部分の可視化のため等に他の領域を照射するために、異なる光源を照明要素で使用することができる。いくつかの照明要素またはグループは、本明細書の他の場所で示され、説明されるようなシステム内で、またはそれらを包囲して使用するために、種々の様式で選択することができる。例えば、１つまたはそれを上回る照明要素は、平坦に、または種々の照明位置もしくは照射角を提供する調節可能な様式で搭載することができる。照明要素の配置は、天井の場所に制限される必要はなく、そのような照明要素は、本明細書で示され、説明されるシステムの他の内面または外面上に位置することができる。
照明要素は、任意の数、種類、または組み合わせの光、例えば、ハロゲンライト、白色光、白熱電灯、アークランプ、または発光ダイオードもしくはデバイス（ＬＥＤ）を備えることができる。例証的実施例では、照明要素は、１個のＬＥＤ〜約１００個のＬＥＤ、約１０個のＬＥＤ〜約５０個のＬＥＤ、または１００個以上のＬＥＤを含むことができる。ＬＥＤまたは他の照明デバイスは、可視的な色のスペクトル内、可視的な色のスペクトルの外側、またはそれらの組み合わせの任意の色または色の組み合わせを放射することができる。
印刷システムの中等のＯＬＥＤデバイス加工で使用することができる、いくつかの材料は、いくつかの光の波長に敏感であり得る。したがって、ＯＬＥＤ加工システムの中に設置されるか、またはＯＬＥＤ加工システムを照射するために使用される、照明要素のための光の波長は、処理中に材料劣化を抑制または排除するように選択することができる。例えば、４ＸクールホワイトＬＥＤを使用することができ、４Ｘ黄色ＬＥＤを使用することができ、またはそれらの任意の組み合わせである。４ＸクールホワイトＬＥＤの実施例は、ＩＤＥＣ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｓｕｎｎｙｖａｌｅ， Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）から入手可能な部品番号ＬＦ１Ｂ−Ｄ４Ｓ−２ＴＨＷＷ４を含むことができる。４Ｘ黄色ＬＥＤの実施例は、同様にＩＤＥＣ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手可能な部品番号ＬＦ１Ｂ−Ｄ４Ｓ−２ＳＨＹ６を含むことができる。ＬＥＤまたは他の照明要素は、天井フレームの任意の内部上、またはＯＬＥＤ加工システムの別の表面上の任意の位置に位置付けるか、またはそこから吊り下げることができる。照明要素は、ＬＥＤに限定されず、他の種類の照明要素または照明要素の組み合わせを使用することができる。
図１７は、概して、発光デバイス（例えば、ＯＬＥＤデバイス）を製造する際に使用される加工機器を収納するエンクロージャ内で制御された環境を確立または維持するため等に、本明細書で説明される１つまたはそれを上回る他の実施例の部分または全体に関して使用することができる、ガス精製方式の概略図を図示する。例えば、ガスエンクロージャシステム５０２は、ガスエンクロージャアセンブリ１００（例えば、制御された環境を有するエンクロージャ）と、ガスエンクロージャアセンブリ１００と流体連通しているガス精製ループ１３０と、（例えば、本明細書の他の実施例では、温度コントローラと称することができるような）熱調整システム１４０とを含むことができる。
システム５０２は、ＯＬＥＤ印刷システムのため等の基板浮動式テーブルまたは他の加圧ガスデバイス等の種々のデバイスを操作するためのガスを供給することができる、加圧ガス再循環システム３００を含むことができる。加圧ガス再循環システム３００は、圧縮機、送風機、または両方を含むか、または使用することができる。加えて、ガスエンクロージャシステム５０２は、ガスエンクロージャシステム５０２の内部に循環および濾過システム（例えば、本明細書の他の実施例で説明されるような１つまたはそれを上回るファンフィルタユニット（ＦＦＵ））を有することができる。
１つまたはそれを上回るダクトまたはバッフルが、ガスエンクロージャアセンブリの種々の実施形態のために、別様に濾過され、内部で循環させられる非反応性ガスから、ガス精製ループ１３０を通して循環させられる非反応性ガスを分離することができる。例えば、ガス精製ループ１３０は、ガスエンクロージャアセンブリ１００からの出口ライン１３１を含むことができる。溶媒排除のために、溶媒除去構成要素１３２を提供することができ、精製されるガスを溶媒除去構成要素１３２からガス精製システム１３４へ送ることができる。溶媒、ならびにオゾン、酸素、および水蒸気のうちの１つまたはそれを上回るもの等の他の反応性ガス種が精製されたガスは、入口ライン１３３を通して等、ガスエンクロージャアセンブリ１００に戻して循環させることができる。
ガス精製ループ１３０は、監視または制御デバイスと連動するため等に、適切な導管および接続を含むことができる。例えば、オゾン、酸素、水蒸気、または溶媒蒸気センサを含むことができる。ファン、送風機、または他の配列等のガス循環ユニットは、別々に提供するか、またはガス精製ループ１３０を通してガスを循環させるため等に、例えば、ガス精製システム１３４に組み込むことができる。図１７の説明図では、溶媒除去構成要素１３２およびガス精製システム１３４は、別個のユニットとして示されている。しかしながら、溶媒除去構成要素１３２およびガス精製システム１３４は、単一のユニットとしてともに収納することができる。
図１７のガス精製ループ１３０は、ガスエンクロージャアセンブリ１００から循環させられるガスが、出口ライン１３１を介する等して、溶媒除去構成要素１３２を通過することができるように、ガス精製システム１３４の上流に配置される溶媒除去構成要素１３２を有することができる。実施例では、溶媒除去構成要素１３２は、溶媒除去構成要素１３２を通過するガスから溶媒蒸気を吸着することに基づく、溶媒閉じ込めシステムを含むことができる。例えば、活性炭、分子篩、または同等物等の１つまたは複数の吸着床が、多種多様な有機溶媒蒸気を効果的に除去することができる。別の実施例では、溶媒除去構成要素１３２の一部分として溶媒蒸気を除去するために、冷却トラップ技術を使用することができる。ガスエンクロージャシステム５０２等のガスエンクロージャシステムを通して連続的に循環するガスからのそのような種の除去を監視するために、オゾン、酸素、水蒸気、および溶媒蒸気センサ等のセンサを使用することができる。例えば、そのようなセンサまたは他のデバイスから得られる情報は、例えば、１つまたは複数の吸着床を再生または交換することができるように、活性炭、分子篩、または同等物等の吸着剤が、容量に達した、または別様にあまり効果的でなくなったときを示すことができる。
分子篩の再生は、分子篩を加熱すること、分子篩をフォーミングガスと接触させること、それらの組み合わせ、または同等物を伴うことができる。例えば、オゾン、酸素、水蒸気、または溶媒を含む、種々の種を閉じ込めるように構成される分子篩は、加熱およびフォーミングガスへの暴露によって再生することができる。例証的実施例では、そのようなフォーミングガスは、水素を含むことができ、例えば、フォーミングガスは、約９６％窒素および約４％水素を含み、該割合は、体積または重量によるものである。活性炭の物理的再生は、制御された環境下で加熱の手順を使用して行うことができる。
ガス精製ループ１３０のガス精製システム１３４の一部分は、例えば、例えば、ＭＢＲＡＵＮ Ｉｎｃ．（Ｓｔａｔｈａｍ， Ｎｅｗ Ｈａｍｐｓｈｉｒｅ）またはＩｎｎｏｖａｔｉｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（Ａｍｅｓｂｕｒｙ， Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓ）から入手可能なシステムを含むことができる。ガス精製システム１３４は、ガスエンクロージャシステム５０２内の１つまたはそれを上回るガスを精製するため、例えば、ガスエンクロージャアセンブリ内のガス雰囲気全体を精製するために使用することができる。上記のように、ガス精製ループ１３０を通してガスを循環させるために、ガス精製システム１３４は、例えば、ファンまたは送風機等のガス循環ユニットを有することができる。ガス精製システムは、ガス精製システムを通して非反応性ガスを移動させるための体積流速を定義することができる、エンクロージャの容積に応じて選択または構成することができる。例証的実施例では、ガスエンクロージャアセンブリを有するガスエンクロージャシステムは、約４立方メートルの容積を含むことができ、毎時約８４立方メートルを移動させることができるガス精製システムを使用することができる。別の例証的実施例では、ガスエンクロージャアセンブリを有するガスエンクロージャシステムは、約１０立方メートルの容積を含むことができ、毎時約１５５立方メートルを移動させることができるガス精製システムを使用することができる。さらに別の例証的実施例では、約５２〜約１１４立方メートルの容積を有するガスエンクロージャアセンブリ、１つより多くのガス精製システムを使用することができる。
ガスフィルタ、乾燥機、または他の精製デバイスをガス精製システム１３４に含むことができる。例えば、ガス精製システム１３４は、デバイスのうちの１つを保守のためにラインから取り出し、中断なくシステム動作を継続させるために、他のデバイスのうちの１つまたはそれを上回るものを使用することができるように、並列構成であるか、または別様に配列されるような、２つまたはそれを上回る精製デバイスを含むことができる。例えば、ガス精製システム１３４は、分子篩のうちの１つが不純物で飽和するか、または別様に十分効率的に動作していないと見なされるときに、飽和した、または非効率的な分子篩を再生しながら、本システムが他の分子篩に切り替えることができるように、少なくとも第１の分子篩および第２の分子篩等の１つまたはそれを上回る分子篩を備えることができる。各分子篩の動作効率を判定するため、異なる分子篩の動作を切り替えるため、１つまたはそれを上回る子篩を再生するため、またはそれらの組み合わせのために、制御ユニットを提供することができる。前述のように、分子篩を再生および再利用することができる。
図１７の熱調整システム１４０は、ガスエンクロージャアセンブリの中へ冷却剤を循環させるための流体出口ライン１４１と、冷却剤を冷却装置に戻すための流体入口ライン１４３とを有することができる、少なくとも１つの冷却装置１４２を含むことができる。少なくとも１つの流体冷却装置１４２は、ガスエンクロージャシステム５０２内のガス雰囲気を冷却するために提供することができる。例えば、流体冷却装置１４２は、冷却された流体をエンクロージャ内の熱交換器に送達することができ、ガスは、エンクロージャの内部の濾過システムを通り越させることができる。少なくとも１つの流体冷却装置はまた、ガスエンクロージャシステム５０２内に封入された装置から発生する熱を冷却するように、ガスエンクロージャシステム５０２に提供することもできる。例証的実施例では、流体冷却装置はまた、ＯＬＥＤ印刷システムから発生する熱を冷却するように、ガスエンクロージャシステム５０２のために提供することもできる。熱調整システム１４０は、熱交換またはペルチェデバイスを含むことができ、かつ種々の冷却能力を有することができる。例えば、冷却装置は、約２キロワット（ｋＷ）〜約２０ｋＷの容量の冷却能力を提供することができる。種々の実施例によると、ガスエンクロージャシステム５０２は、１つまたはそれを上回る流体を冷却することができる、複数の流体冷却装置を有することができる。流体冷却装置は、熱伝達媒体として、例えば、水、不凍剤、冷媒、またはそれらの組み合わせ等の種々の流体を使用することができる。関連導管およびシステム構成要素を接続する際に、漏出がない係止接続を使用することができる。
上記の実施例は、冷却能力および冷却用途を記述するが、上記の実施例はまた、制御された環境内で基板の緩衝を含む用途に、または加工されている基板からの不要な熱伝達を回避するため、または基板を横断する、もしくは基板の間の温度一様性の妨害を回避するため等に、システムの他の部分に類似する温度で循環ガスを維持することができる用途に適用することもできる。
図１８Ａおよび１８Ｂは、概して、本明細書の他の場所で説明される他の実施例で参照される制御された環境を確立するために使用することができるような、かつ浮動式テーブルとともに使用するための加圧ガスの供給を含むことができるような非反応性ガスおよび清浄乾燥空気（ＣＤＡ）源を統合および制御するためのガスエンクロージャシステムの実施例を図示する。図１９Ａおよび１９Ｂは、概して、本明細書の他の場所で説明される他の実施例で参照される制御された環境を確立するために使用することができるような、かつ例えば、浮動式テーブルとともに使用するための加圧ガスおよび少なくとも部分的真空を提供する送風機ループを含むことができるような非反応性ガスおよび清浄乾燥空気（ＣＤＡ）源を統合および制御するためのガスエンクロージャシステムの実施例を図示する。図１９Ｃは、概して、浮動運搬システムの一部分として含まれる浮動制御ゾーンを確立するため等に、１つまたはそれを上回るガスまたは空気源を統合および制御するためのシステムのさらなる実施例を図示する。
本明細書で説明される種々の実施例は、環境を制御することができる封入型モジュールを含む。エンクロージャアセンブリおよび対応する支持機器は、「ガスエンクロージャシステム」と称することができ、そのようなエンクロージャアセンブリは、ガスエンクロージャアセンブリの内部容積を低減させるか、または最小限にし、同時に、本明細書で説明される堆積（例えば、印刷）、保持、装填、または処置モジュール等のＯＬＥＤ加工システム構成要素の種々の設置面積に適応するための作業容積を提供する、輪郭様式で構築することができる。例えば、本教示による輪郭ガスエンクロージャアセンブリは、例えば、Ｇｅｎ ３．５〜Ｇｅｎ １０の基板サイズを対象とする、本教示のガスエンクロージャアセンブリの種々の実施例について、約６ｍ３〜約９５ｍ３のガスエンクロージャ容積を有することができる。本教示による輪郭ガスエンクロージャアセンブリの種々の実施例は、例えば、Ｇｅｎ ５．５〜Ｇｅｎ ８．５基板サイズまたは他の基板サイズのＯＬＥＤ印刷に有用であり得る、例えば、約１５ｍ３〜約３０ｍ３のガスエンクロージャ容積を有することができるが、それに限定されない。補助エンクロージャの種々の実施例は、ガスエンクロージャアセンブリの一部として構築し、制御された実質的に低粒子の環境を必要とするプロセスのためにそのような環境を持続することができるガスエンクロージャシステムを形成するように、ガス循環および濾過、ならびに精製構成要素と容易に統合することができる。
図１８Ａおよび図１９Ａに示されるように、ガスエンクロージャシステムの種々の実施例は、加圧非反応性ガス再循環システムを含むことができる。加圧ガス再循環ループの種々の実施例は、圧縮機、送風機、およびそれらの組み合わせを利用することができる。本教示によると、ガスエンクロージャシステム内の加圧ガス再循環システムの種々の実施例を提供するために、いくつかの工学的課題が対処された。第１に、加圧非反応性ガス再循環システムを伴わないガスエンクロージャシステムの典型的な動作の下で、任意の漏出がガスエンクロージャシステム内で発生する場合、外部ガスまたは空気が内部に進入することを防ぐために、外部圧力に対してわずかに正の内部圧力で（例えば、大気圧を上回って）ガスエンクロージャシステムを維持することができる。例えば、典型的な動作の下で、本教示のガスエンクロージャシステムの種々の実施例について、ガスエンクロージャシステムの内部は、例えば、エンクロージャシステムの外部の周辺雰囲気に対する少なくとも２ｍｂａｒｇの圧力で、例えば、少なくとも４ｍｂａｒｇの圧力で、少なくとも６ｍｂａｒｇの圧力で、少なくとも８ｍｂａｒｇの圧力で、またはより高い圧力で維持することができる。
ガスエンクロージャシステム内で加圧ガス再循環システムを維持することは、同時に加圧ガスをガスエンクロージャシステムに連続的に導入しながら、ガスエンクロージャシステムのわずかな内部陽圧を維持することに関して、動的な進行中のバランスを取った行為を提示するため、困難であり得る。さらに、種々のデバイスおよび装置の可変要求は、本教示の種々のガスエンクロージャアセンブリおよびシステムのための不規則な圧力プロファイルを生成し得る。そのような条件下で外部環境に対してわずかな陽圧で保たれるガスエンクロージャシステムのための動的圧力平衡を維持することにより、進行中のＯＬＥＤ加工プロセスの完全性を提供することができる。ガスエンクロージャシステムの種々の実施例については、本教示による加圧ガス再循環システムは、圧縮機、アキュムレータ、および送風機、ならびにそれらの組み合わせのうちの少なくとも１つを利用することができる、加圧ガスループの種々の実施例を含むことができる。加圧ガスループの種々の実施例を含む、加圧ガス再循環システムの種々の実施例は、安定した定義された値において、本教示のガスエンクロージャシステム内の非反応性ガスの内部圧力を提供することができる、特別に設計された圧力制御型迂回ループを有することができる。ガスエンクロージャシステムの種々の実施例では、加圧ガス再循環システムは、加圧ガスループのアキュムレータ内のガスの圧力が事前設定された閾値圧力を超えるときに、圧力制御型迂回ループを介して加圧ガスを再循環させるように構成することができる。閾値圧力は、例えば、約２５ｐｓｉｇ〜約２００ｐｓｉｇの範囲内、より具体的には、約７５ｐｓｉｇ〜約１２５ｐｓｉｇの範囲内、またはより具体的には、約９０ｐｓｉｇ〜約９５ｐｓｉｇの範囲内であり得る。その点に関して、特別に設計された圧力制御型迂回ループの種々の実施例を伴う加圧ガス再循環システムを有する、本教示のガスエンクロージャシステムは、密封ガスエンクロージャ内に加圧ガス再循環システムを有することの平衡を維持することができる。
本教示によると、種々のデバイスおよび装置は、ガスエンクロージャシステムの内部に配置することができ、かつ加圧ガス再循環システムの種々の実施例と流体連通し得る。本教示のガスエンクロージャおよびシステムの種々の実施例については、種々の空気圧動作型デバイスおよび装置の使用は、低粒子生成性能を提供することができるとともに、維持するのにあまり手がかからない。ガスエンクロージャシステムの内部に配置することができ、かつ種々の加圧ガスループと流体連通し得る、例示的なデバイスおよび装置は、空気圧ロボット、基板浮動式テーブル、空気ベアリング、空気ブッシング、圧縮ガスツール、空気圧アクチュエータ、およびそれらの組み合わせのうちの１つまたはそれを上回るものを含むが、それらに限定されない。基板浮動式テーブル、ならびに空気ベアリングは、本教示のガスエンクロージャシステムの種々の実施例によると、ＯＬＥＤ印刷システムを操作する種々の側面に使用することができる。例えば、プリントヘッドチャンバ内の定位置に基板を輸送するため、ならびにＯＬＥＤ印刷プロセス中に基板を支持するために、空気ベアリング技術を利用する基板浮動式テーブルを使用することができる。
例えば、図１８Ａ、図１８Ｂ、図１９Ａ、および図１９Ｂに示されるように、ガスエンクロージャシステム５０３およびガスエンクロージャシステム５０４の種々の実施例は、ガスエンクロージャシステム５０３およびガスエンクロージャシステム５０４の動作の種々の側面で使用するために非反応性ガス源３２０１および清浄乾燥空気（ＣＤＡ）源３２０３を統合して制御するための外部ガスループ３２００を有することができる。ガスエンクロージャシステム５０３およびガスエンクロージャシステム５０４はまた、以前に説明されたように、内部粒子濾過およびガス循環システムの種々の実施形態、ならびに外部ガス精製システムの種々の実施例も含むことができる。ガスエンクロージャシステムのそのような実施例は、ガスから種々の反応種を精製するためのガス精製システムを含むことができる。不活性ガスのいくつかの一般的に使用されている非限定的実施例は、窒素、希ガスのうちのいずれか、およびそれらの任意の組み合わせを含むことができる。本教示によるガス精製システムの種々の実施例は、水蒸気、酸素、オゾン等の種々の反応性大気ガス、ならびに有機溶媒蒸気を含む、種々の反応種の各種のレベルを、１０００ｐｐｍまたはそれより低く、例えば、１００ｐｐｍまたはそれより低く、例えば、１０ｐｐｍまたはそれより低く、１．０ｐｐｍまたはそれより低く、もしくは０．１ｐｐｍまたはそれより低く維持することができる。ガス源３２０１およびＣＤＡ源３２０３を統合して制御するための外部ループ３２００に加えて、ガスエンクロージャアセンブリ５０３およびガスエンクロージャシステム５０４は、ガスエンクロージャシステム５０３およびガスエンクロージャシステム５０４の内部に配置することができる種々のデバイスおよび装置を操作するためのガスを供給することができる、圧縮機ループ３２５０を有することができる。弁３２７４が開放位置にあるときにライン３２７２を通してガスエンクロージャアセンブリ１００５と連通するような、真空システム３２７０を提供することもできる。
図１８Ａの圧縮機ループ３２５０は、流体連通するように構成される、圧縮機３２６２と、第１のアキュムレータ３２６４と、第２のアキュムレータ３２６８とを含むことができる。圧縮機３２６２は、ガスエンクロージャアセンブリ１００５から引き出されるガスを所望の圧力に圧縮するように構成することができる。圧縮機ループ３２５０の入口側は、弁３２５６および逆止弁３２５８を有するライン３２５４を通して、ガスエンクロージャアセンブリ出口３２５２を介してガスエンクロージャアセンブリ１００５と流体連通することができる。圧縮機ループ３２５０は、外部ガスループ３２００を介して、圧縮機ループ３２５０の出口側でガスエンクロージャアセンブリ１００５と流体連通することができる。アキュムレータ３２６４は、圧縮機３２６２と、外部ガスループ３２００との圧縮機ループ３２５０の接合部との間に配置することができ、５ｐｓｉｇまたはそれより高い圧力を生成するように構成することができる。第２のアキュムレータ３２６８は、約６０Ｈｚでの圧縮機ピストン循環による減退変動を提供するために、圧縮機ループ３２５０の中にあり得る。圧縮機ループ３２５０の種々の実施例について、第１のアキュムレータ３２６４が、約８０ガロン〜約１６０ガロンの間の容量を有することができる一方で、第２のアキュムレータは、約３０ガロン〜約６０の間の容量を有することができる。ガスエンクロージャシステム５０３の種々の実施例によると、圧縮機３２６２は、ゼロ進入圧縮機であり得る。種々の種類のゼロ進入圧縮機は、本教示のガスエンクロージャシステムの種々の実施例の中へ大気ガスを漏出させることなく動作することができる。ゼロ進入圧縮機の種々の実施例は、例えば、圧縮ガスを必要とする種々のデバイスおよび装置の使用を利用して、ＯＬＥＤ加工プロセス中に連続的に実行することができる。
アキュムレータ３２６４は、圧縮機３２６２から圧縮ガスを受容して蓄積するように構成することができる。アキュムレータ３２６４は、ガスエンクロージャアセンブリ１００５の中で必要に応じて圧縮ガスを供給することができる。例えば、アキュムレータ３２６４は、限定されないが、空気圧ロボット、基板浮動式テーブル、空気ベアリング、空気ブッシング、圧縮ガスツール、空気圧アクチュエータ、およびそれらの組み合わせのうちの１つまたはそれを上回るもの等のガスエンクロージャアセンブリ１００５の種々の構成要素のための圧力を維持するように、ガスを提供することができる。ガスエンクロージャシステム５０３について図１８Ａに示されるように、ガスエンクロージャアセンブリ１００５は、その中に封入されたＯＬＥＤ印刷システム２０００を有することができる。図１８Ａで概略的に描写されるように、インクジェット印刷システム２０００は、花崗岩ステージであり得る、印刷システム基部２１５０によって支持することができる。印刷システム基部２１５０は、チャック、例えば、限定されないが、真空チャック、圧力ポートを有する基板浮動式チャック、ならびに真空および圧力ポートを有する基板浮動式チャック等の基板支持装置を支持することができる。本教示の種々の実施例では、基板支持装置は、基板浮動式テーブル印刷領域２２５０等の基板浮動式テーブルであり得る。基板浮動式テーブル印刷領域２２５０は、基板の無摩擦支持に使用することができる。低粒子生成浮動式テーブルに加えて、基板の無摩擦Ｙ軸運搬のために、印刷システム２０００は、空気ブッシングを利用するＹ軸運動システムを有することができる。
加えて、印刷システム２０００は、低粒子生成Ｘ軸空気ベアリングアセンブリによって提供される運動制御とともに、少なくとも１つのＸ、Ｚ軸キャリッジアセンブリを有することができる。例えば、種々の粒子生成線形機械ベアリングシステムの代わりに、Ｘ軸空気ベアリングアセンブリ等の低粒子生成運動システムの種々の構成要素を使用することができる。本教示のガスエンクロージャおよびシステムの種々の実施例について、種々の空気動作型デバイスおよび装置の使用は、低粒子生成性能を提供することができるとともに、維持するのにあまり手がかからない。圧縮機ループ３２５０は、加圧ガスをガスエンクロージャシステム５０３の種々のデバイスおよび装置に連続的に供給するように構成することができる。加圧ガスの供給に加えて、空気ベアリング技術を利用するインクジェット印刷システム２０００の基板浮動式テーブル印刷領域２２５０はまた、弁３２７４が開放位置にあるときに、ライン３２７２を通してガスエンクロージャアセンブリ１００５と流体連通している、真空システム３２７０も利用する。
本教示による加圧ガス再循環システムは、使用中に加圧ガスの可変要求を補うように作用し、それによって、本教示のガスエンクロージャシステムの種々の実施形態のための動的平衡を提供する、圧縮機ループ３２５０について図１８Ａに示されるような圧力制御バイパスループ３２６０を有することができる。本教示によるガスエンクロージャシステムの種々の実施形態について、バイパスループが、エンクロージャ１００５内の圧力を乱すこと、または変化させることなく、アキュムレータ３２６４内で一定の圧力を維持することができる。バイパスループ３２６０は、バイパスループ３２６０が使用されない限り閉鎖される、バイパスループの入口側の第１のバイパス入口弁３２６１を有することができる。バイパスループ３２６０はまた、第２の弁３２６３が閉鎖されるときに使用することができる、背圧調節器３２６６を有することもできる。バイパスループ３２６０は、バイパスループ３２６０の出口側に配置された第２のアキュムレータ３２６８を有することができる。ゼロ進入圧縮機を利用する圧縮機ループ３２５０の実施例について、バイパスループ３２６０は、ガスエンクロージャシステムの使用中に経時的に発生し得る、圧力のわずかな偏差を補償することができる。バイパスループ３２６０は、バイパス入口弁３１６１が開放位置にあるときに、バイパスループ３２６０の入口側で圧縮機ループ３２５０と流体連通することができる。バイパス入口弁３２６１が開放されたとき、圧縮機ループ３２５０からのガスが、ガスエンクロージャアセンブリ１００５の内部内で要求されていない場合、バイパスループ３２６０を通して分流されるガスを圧縮機に再循環させることができる。圧縮機ループ３２５０は、アキュムレータ３２６４内のガスの圧力が事前設定された閾値圧力を超えるときに、バイパスループ３２６０を通してガスが分流するように構成される。アキュムレータ３２６４の事前設定された閾値圧力は、少なくとも約１立方フィート／分（ｃｆｍ）の流速で約２５ｐｓｉｇ〜約２００ｐｓｉｇの間、または少なくとも約１立方フィート／分（ｃｆｍ）の流速で約５０ｐｓｉｇ〜約１５０ｐｓｉｇの間、または少なくとも約１立方フィート／分（ｃｆｍ）の流速で約７５ｐｓｉｇ〜約１２５ｐｓｉｇの間、または少なくとも約１立方フィート／分（ｃｆｍ）の流速で約９０ｐｓｉｇ〜約９５ｐｓｉｇの間であり得る。
圧縮機ループ３２５０の種々の実施例は、可変速度圧縮機、またはオンもしくはオフ状態のいずれか一方であるように制御することができる圧縮機等のゼロ進入圧縮機以外の種々の圧縮機を利用することができる。以前に議論されたように、ゼロ進入圧縮機は、いかなる大気反応種もガスエンクロージャシステムに導入できないことを確実にする。したがって、大気反応種がガスエンクロージャシステムに導入されることを防止する、任意の圧縮機構成を圧縮機ループ３２５０に利用することができる。種々の実施例によると、ガスエンクロージャシステム５０３の圧縮機３２６２は、例えば、限定されないが、密封筐体の中に収納することができる。筐体内部は、ガス源、例えば、ガスエンクロージャアセンブリ１００５のためのガス雰囲気を形成する同一のガスと流体連通して構成することができる。圧縮機ループ３２５０の種々の実施例について、圧縮機３２６２は、一定の圧力を維持するように、一定の速度で制御することができる。ゼロ進入圧縮機を利用しない圧縮機ループ３２５０の他の実施例では、圧縮機３２６２は、最大閾値圧力に達したときにオフにし、最小閾値圧力に達したときにオンにすることができる。
ガスエンクロージャシステム５０４の図１９Ａでは、真空送風機３２９０を利用する送風機ループ３２８０が、ガスエンクロージャアセンブリ１００５に収納されるインクジェット印刷システム２０００の基板浮動式テーブル印刷領域２２５０の動作のために示されている。圧縮機ループ３２５０について以前に議論されたように、送風機ループ３２８０は、加圧ガスを印刷システム２０００の基板浮動式テーブル印刷領域２２５０に連続的に供給するように構成することができる。
加圧ガス再循環システムを利用することができるガスエンクロージャシステムの種々の実施例は、圧縮機、送風機、およびそれらの組み合わせのうちの少なくとも１つ等の種々の加圧ガス源を利用する、種々のループを有することができる。ガスエンクロージャシステム５０４の図１９Ａでは、圧縮機ループ３２５０は、高消費マニホールド３２２５、ならびに低消費マニホールド３２１５のためのガスの供給に使用することができる、外部ガスループ３２００と流体連通することができる。ガスエンクロージャシステム５０４について図１９Ａに示されるような本教示によるガスエンクロージャシステムの種々の実施例によると、限定されないが、基板浮動式テーブル、空気圧ロボット、空気ベアリング、空気ブッシング、および圧縮ガスツール、ならびにそれらの組み合わせのうちの１つまたはそれを上回るもの等の種々のデバイスおよび装置にガスを供給するために、高消費マニホールド３２２５を使用することができる。本教示によるガスエンクロージャシステムの種々の実施例について、低消費３２１５は、限定されないが、アイソレータ、および空気圧アクチュエータ、ならびにそれらの組み合わせのうちの１つまたはそれを上回るもの等の種々の装置およびデバイスにガスを供給するために使用することができる。
図１９Ａおよび１９Ｂのガスエンクロージャシステム５０４の種々の実施例については、加圧ガスを基板浮動式テーブル印刷領域２２５０の種々の実施例に供給するために、送風機ループ３２８０を利用することができる。加圧ガスの供給に加えて、空気ベアリング技術を利用する、ＯＬＥＤインクジェット印刷システム２０００の基板浮動式テーブル印刷領域２２５０はまた、弁３２９４が開放位置にあるときに、ライン３２９２を通してガスエンクロージャアセンブリ１００５と連通している送風機真空３２９０も利用する。送風機ループ３２８０の筐体３２８２は、ガスの加圧源を基板浮動式テーブル印刷領域２２５０に供給するための第１の送風機３２８４、およびガスエンクロージャアセンブリ１００５内のガス環境に収納される基板浮動式テーブル印刷領域２２５０のための真空源の役割を果たす、第２の送風機３２９０を維持することができる。基板浮動式テーブルの種々の実施例のための加圧ガスまたは真空源のいずれか一方として使用するために送風機を好適にすることができる属性は、例えば、それらが高い信頼性を有する、それらを維持するのにあまり手がかからなくする、可変速度制御を有する、広範囲の流量を有する、約１００ｍ3／時間〜約２，５００ｍ3／時間の間の流速を提供することが可能な種々の実施例を含むが、それらに限定されない。送風機ループ３２８０の種々の実施例は、加えて、圧縮機ループ３２８０の入口端部に第１の隔離弁３２８３、ならびに送風機ループ３２８０の出口端部に逆止弁３２８５および第２の隔離弁３２８７を有することができる。送風機ループ３２８０の種々の実施例は、例えば、限定されないが、ゲート、バタフライ、針、またはボール弁であり得る、調節可能な弁３２８６、ならびに規定温度で送風機ループ３２８０から基板浮動式テーブル印刷領域２２５０へのガスを維持するための熱交換器３２８８を有することができる。
図１９Ａは、図１８Ａのガスエンクロージャシステム５０３および図１９Ａのガスエンクロージャシステム５０４の動作の種々の側面で使用するために、ガス源３２０１および清浄乾燥空気（ＣＤＡ）源３２０３を統合して制御するための図１８Ａでも示されるような外部ガスループ３２００を描写する。図１８Ａおよび図１９Ａの外部ガスループ３２００は、少なくとも４つの機械弁を含むことができる。これらの弁は、第１の機械弁３２０２と、第２の機械弁３２０４と、第３の機械弁３２０６と、第４の機械弁３２０８とを含む。これらの種々の弁は、非反応性ガスおよび清浄乾燥空気（ＣＤＡ）等の空気源の両方の制御を可能にする、種々の流動ラインの中の位置に位置する。本教示によると、非反応性ガスは、定義された一式の条件下で化学反応を受けない、任意のガスであってもよい。非反応性のガスのいくつかの一般的に使用されている非限定的実施例は、窒素、希ガスのうちのいずれか、およびそれらの任意の組み合わせを含むことができる。内蔵ガス源３２０１から、内蔵ガスライン３２１０が延在する。内蔵ガスライン３２１０は、低消費マニホールド３２１５と流体連通している、低消費マニホールドライン３２１２として直線的に延在し続ける。交差線の第１の区分３２１４は、内蔵ガスライン３２１０、低消費マニホールドライン３２１２、および交差線の第１の区分３２１４の交点に位置する、第１の流動接合点３２１６から延在する。交差線の第１の区分３２１４は、第２の流動接合点３２１８まで延在する。圧縮機ガスライン３２２０は、圧縮機ループ３２５０のアキュムレータ３２６４から延在し、第２の流動接合点３２１８で終端する。ＣＤＡライン３２２２は、ＣＤＡ源３２０３から延在し、高消費マニホールド３２２５と流体連通している高消費マニホールドライン３２２４として継続する。第３の流動接合点３２２６は、交差線の第２の区分３２２８、清浄乾燥空気ライン３２２２、および高消費マニホールドライン３２２４の交点に位置付けられる。交差線の第２の区分３２２８は、第２の流動接合点３２１８から第３の流動接合点３２２６まで延在する。高消費マニホールド３２２５を用いて、高消費である種々の構成要素を保守中にＣＤＡに供給することができる。弁３２０４、３２０８、および３２３０を使用して圧縮機を隔離することにより、オゾン、酸素、および水蒸気等の反応種が、圧縮機およびアキュムレータ内のガスを汚染することを防止することができる。
図１８Ａおよび１９Ａと対照的に、図１８Ｂおよび１９Ｂは、概して、圧力モニタＰに連結される弁を使用して等、ガスエンクロージャアセンブリ１００５の内側のガスの圧力を所望または特定範囲内で維持することができ、弁は、圧力モニタから得られる情報を使用して、ガスが別のエンクロージャ、システム、またはガスエンクロージャアセンブリ１００５を包囲する領域に排出されることを可能にする、構成を図示する。そのようなガスは、本明細書で説明される他の実施例のように、回収して再処理することができる。上記のように、加圧ガスも同時にガスエンクロージャシステムに導入されるため、そのような調整は、ガスエンクロージャシステムのわずかな内部陽圧を維持することを支援することができる。種々のデバイスおよび装置の可変要求は、本教示の種々のガスエンクロージャアセンブリおよびシステムのための不規則な圧力プロファイルを生成し得る。したがって、エンクロージャを包囲する環境に対してわずかな陽圧で保たれるガスエンクロージャシステムのための動的圧力平衡を維持することを支持するため等に、本明細書で説明される他のアプローチに加えて、またはその代りに、図１８Ｂおよび１９Ｂに示されるアプローチを使用することができる。
図１９Ｃは、概して、浮動運搬システムの一部分として含まれる浮動制御ゾーンを確立するため等に、１つまたはそれを上回るガスまたは空気源を統合および制御するためのシステム５０５のさらなる実施例を図示する。図１９Ａおよび１９Ｂの実施例と同様に、図１９Ｃは、概して、浮動式テーブル印刷領域２２５０を図示する。加えて、図１９Ｃの例証的実施例には、入力領域２１００および出力領域２３００が示されている。領域２１００、２２００、２３００は、例証のみのために、入力、印刷、および出力と称される。そのような領域は、基板の運搬、もしくは１つまたはそれを上回る他のモジュール内の基板の保持、乾燥、または硬化のうちの１つまたはそれを上回るものの間の基板の支持等の他の処理ステップに使用することができる。図１９Ｃの説明図では、第１の送風機３２８４Ａは、浮動式テーブル装置の入力または出力領域２１００または２３００のうちの１つまたはそれを上回るものの中に加圧ガスを提供するように構成される。そのような加圧ガスは、第１の熱交換器１５０２Ａに連結された第１の冷却装置１４２Ａを使用して等、温度制御することができる。そのような加圧ガスは、第１のフィルタ１５０３Ａを使用して、濾過することができる。温度モニタ８７０１Ａを、第１の冷却装置１４２（または他の温度コントローラ）に連結することができる。
同様に、第２の送風機３２８４Ｂを、浮動式テーブルの印刷領域２２００に連結することができる。別個の冷却装置１４２Ｂを、第２の熱交換器１５０２Ｂおよび第２のフィルタ１５０３Ｂを含むループに連結することができる。第２の送風機３２８４Ｂによって提供される加圧ガスの温度の独立した調整を提供するために、第２の温度モニタ８７０１Ｂを使用することができる。本例証的実施例では、入力および出力領域２１００および２３００は、陽圧を供給されるが、印刷領域２２００は、基板位置に対する精密制御を提供するように、陽圧および真空制御の組み合わせの使用を含むことができる。例えば、陽圧および真空制御のそのような組み合わせを使用して、基板は、印刷領域２２００によって画定されるゾーン内でシステム５０４によって提供される浮動ガスクッションを使用して独占的に制御することができる。真空は、第３の送風機３２９０によって確立することができ、したがって、送風機筐体３２８２内の第１および第２の送風機３２８４Ａまたは３２８４Ｂのためのメイクアップガスの少なくとも一部分も提供される。
図２０Ａ、図２０Ｂ、および図２０Ｃは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造する際に使用することができる、移送モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部分の図を図示する。システムの種々のエンクロージャ内の制御された環境は、制御された粒子状物質レベルを含むことができる。粒子状物質は、ファンフィルタユニット（ＦＦＵ）と称することができるような空気循環ユニットおよびフィルタを使用することによって等、低減させるか、または最小限にすることができる。ＦＦＵのアレイは、処理中に基板によって横断される経路に沿って位置することができる。ＦＦＵは、空気流の下降流方向を提供する必要はない。例えば、基板の表面にわたって横方向へ実質的に層流の流動を提供するように、ＦＦＵまたは配管を位置付けることができる。横方向へのそのような層流は、粒子状物質制御を増進するか、または別様に提供することができる。
図２０Ａ、図２０Ｂ、および図２０Ｃの実施例では、粒子状物質または汚染物質の制御されたレベルを有する、移送モジュール１４００Ａ内の環境を維持することを支援するために、ＦＦＵ１５００Ａから１５００Ｆ等の１つまたはそれを上回るファンフィルタユニット（ＦＦＵ）を使用することができる。図２０Ｂおよび図２０Ｃの下降流実施例で示されるような帰還空気経路を提供するため等に、第１および第２のダクト５２０１Ａまたは５２０１Ｂ等のダクトを使用することができる。１つまたはそれを上回る熱交換器１５０２に連結されるような温度コントローラ８７００を少なくとも部分的に使用して、制御された温度を維持することができる。基板または基板の近くの領域を温度の特定範囲内で維持することを支援するフィードバックを提供するように、温度モニタ８７０１等の１つまたはそれを上回る温度モニタを特定の場所に（例えば、基板またはエンドエフェクタの上または近くに）配置することができる。実施例では、以下で議論されるように、温度モニタは、センサによってサンプリングされる表面温度を示す情報を提供するように構成される、赤外線温度モニタ等の非接触センサであり得る。図２１Ｂで例証的に示されるようなチャンバの下部分の中の帰還空気ダクト内に、またはその近くに熱交換器を配置することを含むことができるような、他の構成が可能である。
図２０Ｃでは、円は、概して、ハンドラ１４１０の掃引の外側寸法限界を表し、角に示される領域は、精製されたガス（例えば、窒素）が移送モジュール１４００Ａの底部から捕捉され、次いで、移送モジュール１４００Ａの最上部に位置する１つまたはそれを上回るＦＦＵ１５００Ａから１５００Ｆを通した再注入のため等に、再循環または洗浄されるための帰還経路を提供するため等に、ダクト５２０１Ａ、５２０１Ｂ、５２０１Ｃ、または５２０１Ｄとして使用することができる。
図２１Ａおよび図２１Ｂは、概して、基板４０００処理面積の積層構成を含むことができるようなシステムの少なくとも一部分の図を図示する。処理モジュール１２００のポートは、ドア３３０１等の１つまたはそれを上回るドアまたはハッチを含むことができる。例えば、そのようなドアは、他の場所またはシステム内の対応するドアが閉鎖されない限り、加工システムの外部にアクセス可能なドアを開放することができないように、機械的または電気的に連動させることができる。例えば、保守を行うためにドア３３０１を使用することができる一方で、処理モジュール１２００は、別様に、加工システムの他の封入型部分内の不活性環境、または粒子状物質もしくは汚染物質を制御された環境から単離される。
上記のように、少なくとも部分的に１つまたはそれを上回るＦＦＵ１５００を使用して、そのような粒子状物質または汚染物質を制御された環境を維持することができる。図２１Ｂの実施例では、基板を含むことができる１つまたはそれを上回るセル３３５０のうちのそれぞれを横断する実質的に層流のガス（例えば、非反応性ガス）流を維持するため等に、直行流構成が使用される。熱交換器１５０２は、ＦＦＵ１５００の一部分の付近に、または一部分として位置することができるが、その必要はない。例えば、熱交換器１５０２は、帰還ダクト５２０１の一部分内に、または一部分として含まれるように、基板取扱面積の下方に位置することができる。温度センサ８７０１に連結されるような温度コントローラ８７００によって、温度を制御することができる。ダクト５２０１の部分の曲線状外形は、処理モジュール１２００内の特定流動特性（例えば、層流）を維持するため等に、少なくとも部分的に計算流体力学的技法を使用して特定することができる。
基板を列に並ばせることに加えて（または基板を列に並ばせる代わりに）、次のモジュールがそのような基板を受容する準備ができるまで等、処理モジュール１２００は、例えば、乾燥機能を提供することによって、または基板が１つの状態から別の状態に進化することを可能にするよう、特定持続時間にわたって（または特定基準が満たされるまで）基板を保持することによって、基板加工プロセスに機能的に参加することができる。基板を進化させる目的で保持する場合において、例えば、液体が沈殿または流動することを可能にするよう、基板を保持することができる。そのような進化中の基板の温度は、図２１Ｂに示されるように、基板の面を横断して流動するように提供することができる、層流等の基板表面を横断する温度制御されたガス流の制御された適用を通して制御することができる。
一般に、保持モジュール温度は、他のシステムモジュール、例えば、印刷モジュールまたは基板取扱モジュールの中、またはそれを包囲する環境の温度と同一である必要はない。別の実施例では、基板は、（印刷、保持、または紫外線処置を含む硬化動作等の硬化動作のうちの１つまたはそれを上回るもののためのガスの浮動クッションを使用して、基板が支持される場合等の、本明細書で説明される他の実施例と同様に）温度制御されたガスのクッション上に静置することができる。
処理モジュール１２００内の基板を乾燥させる場合において、制御された環境は、蒸気トラップまたはガス再循環、および精製システムを介して、蒸発した蒸気の連続除去を提供することができ、乾燥プロセスはさらに、図２１Ｂに示されるように、基板の面を横断して流動するように提供することができる、層流等の基板表面を横断するガス流の制御された適用を通して制御することができる。実施例では、処理モジュール１２００は、乾燥モジュールを含み、システムの他の部分は、乾燥モジュール内の雰囲気を少なくとも部分的に排出またはパージして、印刷動作の後等の乾燥動作を促進するように構成することができる。
図２２Ａは、概して、電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）を製造する際に使用することができる、他のチャンバまたはモジュールに連結される移送モジュールを含むようなシステムの少なくとも一部分を図示する。図２２Ｂは、概して、図１２Ａに示されるモジュール内の基板を操作するため等に使用することができる、ハンドラ構成を図示する。
図２０Ａの実施例のように、移送モジュール１４００Ｂは、１５００Ａから１５００Ｎ等の１つまたはそれを上回るファンフィルタユニット（ＦＦＵ）（例えば、１４個のＦＦＵ）を含むことができる。図２２Ｂは、概して、図２１Ａに示されるモジュール１４００Ｂ内の基板４０００を操作するため等に使用することができる、ハンドラ２７３２構成を図示する。図２１Ａの移送モジュール１４００Ａのハンドラ１４１０Ａと対照的に、図２２Ｂのハンドラ１４１０Ｂは、概して、軸においてハンドラ２７３２の直線平行移動を提供するため等に、トラック２７３４またはレール構成を使用できることを図示する。このようにして、単一の点から放射状に広がる様式で各他のモジュールまたはチャンバが連結されることを要求することなく、クラスタ化構成等において、広範囲の他のチャンバまたはモジュールを移送モジュール１４００Ｂに連結することができる。図２０Ｃの実施例のように、１つまたはそれを上回るダクトが、ハンドラ１４１０Ｂの運動のレーストラック状範囲の外側の領域中で移送モジュール１４００Ｂの部分の中に位置することができる。例えば、他の実施例に示されるように、移送モジュール１４００Ｂの下部分からＦＦＵアレイの上方のプレナムへ上向きにガス（例えば、窒素）を運ぶ帰還ダクトを提供するために、そのような場所を使用することができる。
図２０Ｃまたは２２Ｂに示されるハンドラのエンドエフェクタは、ムラがない有機カプセル化層の形成を促進するため等に、本明細書の他の場所で説明されるチャックおよびエンドエフェクタ構成の種々の実施例に類似する、一様な基板支持システムを含むことができる。
（種々の注釈および実施例）
実施例１は、基板上にコーティングを提供するためのコーティングシステムを含むか、または使用することができるような主題（行為を行うための装置、方法、または手段、もしくはデバイスによって行われたときに、デバイスに行為を行わせることができる命令を含む、デバイス可読媒体等）を含むか、または使用することができ、本システムは、基板上にパターン化有機層を堆積させるように構成される、封入型印刷システムであって、パターン化有機層は、基板上に加工される発光デバイスの少なくとも一部分をコーティングする、封入型印刷システムと、基板を収容するように構成され、かつ紫外線処置をパターン化有機層に提供するように構成される、紫外線処置領域を含む、封入型硬化モジュールと、封入型印刷システムまたは封入型硬化モジュールのうちの１つまたはそれを上回るものの環境と異なる大気環境から基板を受容するように構成される、封入型基板移送モジュールとを備える。実施例１では、パターン化有機層は、基板の第１の側面上の基板の堆積領域を占有するものであり、封入型硬化モジュールは、ガスクッションを使用して、紫外線処置領域中で基板を一様に支持するように構成され、ガスクッションは、第１の側面の反対側の基板の第２の側面に提供され、ガスクッションは、基板とチャックとの間に確立される。
実施例２は、発光デバイスを備える、基板のアクティブ領域と重複する、基板の第１の側面上の堆積領域を含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１の主題と組み合わせることができ、ガスクッションは、アクティブ領域の反対側の基板の第２の側面に提供される。
実施例３は、第１の側面の反対側の基板の第２の側面との物理的接触を使用して、基板を支持するように構成される、チャックを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例２の主題と組み合わせることができ、物理的接触は、アクティブ領域の外側の領域に対応する面積中にある。
実施例４は、多孔質セラミック材料を含むチャックを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１から３のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができ、ガスクッションは、多孔質セラミック材料の上方で基板の第２の側面を支持するように、多孔質セラミック材料を通してガスを推し進めることによって確立される。
実施例５は、加圧ガスを使用して確立されるガスクッションを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１から４のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例６は、加圧ガス領域および少なくとも部分的真空領域の組み合わせを使用して確立されるガスクッションを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１から５のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例７は、回収されて再循環させられる、ガスクッションを確立するために使用される加圧ガスまたは排出ガスのうちの少なくとも１つを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例６の主題と組み合わせることができる。
実施例８は、カプセル化構造の少なくとも一部分を備える、パターン化有機層を含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１から７のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができ、基板は、ガラス板と、発光デバイスとを備え、カプセル化構造は、ガラス板に対して周囲空気への暴露から発光デバイスの少なくとも一部分を密閉するように確立され、封入型硬化モジュールは、（１）発光デバイスを覆うパターン化有機層の分散のための持続時間にわたって基板を静止して保持し、かつ（２）保持および紫外線処置動作の間の基板のさらなる移動を必要とすることなく、紫外線処置を提供するように構成される。
実施例９は、ガントリ搭載型紫外線（ＵＶ）源を備える、硬化モジュールの紫外線処置領域を含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１から８のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができ、ガントリは、硬化中に基板に対してＵＶ源を輸送するように構成される。
実施例１０は、大気圧またはその付近における制御された処理環境を提供するように構成され、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、および酸素含量の特定限界を下回ったままであるように確立される、封入型印刷システムおよび封入型硬化モジュールを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１から９のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例１１は、長さ寸法および幅寸法を含む、堆積領域と、ＵＶエミッタのアレイであって、長さ寸法または幅寸法のうちの少なくとも１つより大きい、少なくとも１次元における距離を有する、アレイを含む、紫外線（ＵＶ）源を備える、紫外線処置領域とを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１から１０のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例１２は、２次元において延在する、ＵＶエミッタのアレイを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１１の主題と組み合わせることができる。
実施例１３は、発光ダイオードのアレイを備える、ＵＶエミッタのアレイを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１１の主題と組み合わせることができる。
実施例１４は、紫外線（ＵＶ）源と、拡散器とを備える、紫外線処置領域を含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１から１３のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができ、拡散器は、ＵＶ源を使用して処置される堆積領域の面積にわたってＵＶ源の強度を正規化するように構成される。
実施例１５は、堆積領域にわたって特定温度一様性を維持する様式で、基板の温度を制御するように構成される、封入型硬化モジュールを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１から１４のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例１６は、無機薄膜カプセル化システムから有機薄膜カプセル化システムの移送モジュールへ基板を移送するステップと、基板を封入型印刷システムに移送するステップであって、封入型印刷システムは、基板の第１の側面上の堆積領域中にパターン化有機層を堆積させるように構成され、パターン化有機層は、基板上に加工される発光デバイスの少なくとも一部分をコーティングする、ステップと、堆積領域の反対側の基板の第２の側面に提供される第１のガスクッションを使用して、封入型印刷システム内の基板を一様に支持するステップと、封入型印刷システムを使用して、基板の堆積領域にわたって単量体を印刷するステップと、封入型印刷システムから移送モジュールへ基板を移送するステップと、移送モジュールから封入型硬化モジュールへ基板を移送するステップと、第１の側面の反対側の基板の第２の側面に提供される第２のガスクッションを使用して、封入型硬化モジュール内の基板を一様に支持するステップと、堆積領域中にムラがない重合有機層を提供するように、封入型硬化モジュール内の単量体膜層を処置するステップとを含む、コーティングを提供するステップを含むことができるような、主題（行為を行うための装置、方法、手段、または機械によって行われたときに、機械に行為を行わせることができる命令を含む、機械可読媒体等）を含むことができ、または随意に、それを含むように、実施例１から１５のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例１７は、発光デバイスを備える基板のアクティブ領域と重複する、基板の第１の側面上の堆積領域を含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１６の主題と組み合わせることができ、第１または第２のガスクッションのうちの少なくとも１つは、アクティブ領域の反対側の基板の第２の側面に提供される。
実施例１８は、第１の側面の反対側の基板の第２の側面との物理的接触を使用するステップを含む、封入型印刷システムまたは封入型硬化モジュール内の基板を支持するステップのうちの少なくとも１つを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１７の主題と組み合わせることができ、物理的接触は、アクティブ領域の外側の領域に対応する面積中にある。
実施例１９は、紫外線処置を提供するステップを含む、単量体層を処置するステップを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１６から１８のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例２０は、単量体層の堆積後および紫外線処置の前に、特定持続時間にわたって封入型硬化モジュール内で基板を保持するステップを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１９の主題と組み合わせることができる。
実施例２１は、印刷システムまたは硬化モジュールのうちの１つまたはそれを上回るものの環境と異なる大気環境から基板を受容するステップを含む、無機薄膜堆積システムから有機薄膜堆積システムの移送モジュールへ基板を移送するステップを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１６から２０のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例２２は、多孔質セラミック材料の上方で基板の第２の側面を支持するように、多孔質セラミック材料を通してガスを推し進めることによって、多孔質セラミック材料を使用して確立される、第１または第２のガスクッションのうちの少なくとも１つを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１６から２１のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例２３は、加圧ガスを使用して、第１または第２のガスクッションのうちの少なくとも１つを確立するステップを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１６から２２のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例２４は、加圧ガス領域および少なくとも部分的真空領域の組み合わせを使用して、第１または第２のガスクッションのうちの少なくとも１つを確立するステップを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１６から２２のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例２５は、大気圧またはその付近における制御された処理環境を提供し、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、および酸素含量の特定限界を下回ったままであるように確立される、封入型印刷システムおよび封入型硬化モジュールを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例１６から２４のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例２６は、基板上にコーティングを提供するためのコーティングシステムであって、基板上にパターン化有機層を堆積させるように構成される、封入型印刷システムであって、パターン化有機層は、基板上に加工されている発光デバイスの少なくとも一部分をコーティングし、封入型の第１の印刷システムは、第１の処理環境を提供するように構成される、封入型印刷システムと、紫外線処置領域であって、相互からオフセットされ、それぞれ基板を収容するように構成される、紫外線処置領域の積層構成を含む、封入型硬化モジュールであって、第２の処理環境を提供するように構成される、封入型硬化モジュールと、封入型印刷システムまたは封入型硬化モジュールのうちの１つまたはそれを上回るものの環境と異なる大気環境から基板を受容するように構成されるチャンバを備える、封入型基板移送モジュールとを備える、システムを含むことができるような主題（行為を行うための装置、方法、手段、または機械によって行われたときに、機械に行為を行わせることができる命令を含む、機械可読媒体等）を含むことができ、または随意に、それを含むように、実施例１から２５のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。実施例２６では、第１および第２の処理環境は、大気圧またはその付近における制御された環境を含み、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、および酸素含量の特定限界を下回ったままであるように確立される。
実施例２７は、特定持続時間にわたって基板を保持するように構成される、紫外線処置領域のうちのそれぞれの領域を含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例２６の主題と組み合わせることができる。
実施例２８は、パターン化有機層の堆積後および紫外線処置の前に、特定持続時間にわたって基板を保持するように構成される、紫外線処置領域のうちのそれぞれの領域を含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例２６または２７のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例２９は、大気圧またはその付近における制御された環境を含み、粒子状物質汚染レベル、水蒸気含量、および酸素含量の特定限界を下回ったままであるように確立される、第３の処理環境を提供するように構成される、封入型保持モジュールであって、基板が印刷システムまたは他の場所のうちの１つまたはそれを上回るものから封入型保持モジュールに移送されるときに、基板を保持するように構成される、封入型保持モジュールを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例２６から２８のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例３０は、基板の上向きの表面上のパターン化有機層の堆積のために上向き構成で配向される、基板を含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例２６から２９のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例３１は、真空を含む、印刷システムまたは硬化モジュールのうちの１つまたはそれを上回るものの環境と異なる大気環境を含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例２６から３０のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例３２は、大気圧を上回る環境に基板を遷移させるように、かつ基板を移送モジュールに提供するように構成される、基板装填モジュールを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例２６から３１のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例３３は、インクジェット印刷システムを備える、印刷システムを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例２６から３２のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例３４は、基板上に堆積させられる種との反応性が最小限であるか、または全くないために特定される、非反応性ガスを含む、第１および第２の処理環境を含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例２６から３３のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例３５は、大気圧を上回る窒素を含む、第１および第２の処理環境を含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例２６から３４のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例３６は、１００パーツ・パー・ミリオン未満の酸素と、１００パーツ・パー・ミリオン未満の水蒸気とを有する、環境を維持するように確立される、第１および第２の処理環境を含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例２６から３５のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例３７は、基板によって横断される経路に沿って、またはその近くに位置する、複数のファンフィルタユニットを少なくとも部分的に使用して制御される、粒子状物質汚染レベルを含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例２６から３６のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
実施例３８は、実質的に同一である、第１および第２の処理環境を含むことができ、または随意に、それを含むように、随意に、実施例２６から３７のうちの１つまたは任意の組み合わせの主題と組み合わせることができる。
本明細書で説明される非限定的実施例のそれぞれは、自立することができ、または他の実施例のうちの１つまたはそれを上回るものとの種々の順列または組み合わせで組み合わせることができる。
上記の発明を実施するための形態は、発明を実施するための形態の一部を形成する、添付図面の参照を含む。図面は、例証として、本発明を実践することができる具体的実施形態を示す。これらの実施形態はまた、本明細書では「実施例」とも称される。そのような実施例は、示される、または説明されるものに加えて、要素を含むことができる。しかしながら、本発明者らはまた、示される、または説明される、これらの要素のみが提供される実施例も考慮する。また、本発明者らはまた、特定の実施例（もしくはその１つまたはそれを上回る側面）に関して、または本明細書で示され、もしくは説明される他の実施例（もしくはそれらの１つまたはそれを上回る側面）に関してのいずれかで、示される、または説明されるこれらの要素（もしくはそれらの１つまたはそれを上回る側面）の任意の組み合わせまたは順列を使用する実施例も考慮する。本書と、参照することによりそのように組み込まれる任意の書面との間の一貫性のない使用法の場合においては、本書における使用法が優先する。
本書では、「１つの（「ａ」または「ａｎ」）」という用語は、「少なくとも１つの」もしくは「１つまたはそれを上回る」という任意の他の事例または使用法から独立している、１つ、または１つより多くを含むために、特許文書で一般的であるように使用される。本書では、「または」という用語は、別様に指示されない限り、「ＡまたはＢ」が、「ＢではなくＡ」、「ＡではなくＢ」、ならびに「ＡおよびＢ」を含むように、非排他的な「または」を指すために使用される。本書では、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」および「〜である（ｉｎ ｗｈｉｃｈ）」という用語は、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」および「〜である（ｗｈｅｒｅｉｎ）」というそれぞれの用語の平易な英語の均等物として使用される。また、以下の請求項では、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」および「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という用語は、非制約的であり、つまり、請求項の中でそのような用語の後に記載されるものに加えて要素を含む、システム、デバイス、部品、組成物、調合物、またはプロセスは、依然として、その請求項の範囲内に入ると見なされる。また、以下の請求項では「第１の」、「第２の」、および「第３の」等の用語は、単に標識として使用され、それらの目的に数値的要求を課すことを意図していない。
本明細書で説明される方法の実施例は、少なくとも部分的に、機械またはコンピュータ実装することができる。いくつかの実施例は、上記の実施例で説明されるような方法を行うように電子デバイスを構成するように動作可能である命令で符号化される、コンピュータ可読媒体または機械可読媒体を含むことができる。そのような方法の実装は、マイクロコード、アセンブリ言語コード、高次言語コード、または同等物等のコードを含むことができる。そのようなコードは、種々の方法を行うためのコンピュータ可読命令を含むことができる。コードは、コンピュータプログラム製品の部分を形成してもよい。さらに、実施例では、コードは、実行中または他の時間等に、揮発性、非一過性、または不揮発性の有形コンピュータ可読媒体のうちの１つまたはそれを上回るものの上に明白に記憶することができる。これらの有形コンピュータ可読媒体の実施例は、ハードディスク、リムーバブル磁気ディスク、リムーバブル光ディスク（例えば、コンパクトディスクおよびデジタルビデオディスク）、磁気カセット、メモリカードまたはスティック、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読取専用メモリ（ＲＯＭ）、および同等物を含むことができるが、それらに限定されない。
上記の説明は、制限的ではなく、例証的であることを意図している。例えば、上記の実施例（もしくはそれらの１つまたはそれを上回る側面）は、相互と組み合わせて使用されてもよい。上記の説明を再検討することにより当業者によって等、他の実施形態を使用することができる。要約は、読者が技術的開示の性質を迅速に確認することを可能にするために、３７ Ｃ．Ｆ．Ｒ． §１．７２（ｂ）に準拠するように提供される。これは、請求項の範囲または意味を解釈または制限するために使用されないであろうという理解のもとで提出される。また、上記の発明を実施するための形態では、種々の特徴が、本開示を効率化するようにともにグループ化されてもよい。これは、請求されていない開示された特徴が任意の請求項に不可欠であることを意図するものとして解釈されるべきではない。むしろ、発明の主題は、特定の開示された実施形態の全てに満たない特徴にあり得る。したがって、以下の請求項は、これによって実施例または実施形態として発明を実施するための形態に組み込まれ、各請求項は別個の実施例として自立し、そのような実施形態を種々の組み合わせまたは順列で相互と組み合わせることができることが考慮される。本発明の範囲は、そのような請求項が享有できる均等物の全範囲とともに、添付の請求項を参照して判定されるべきである。

Claims (18)

  1. 基板上にコーティングを提供するためのコーティングシステムであって、前記システムは、
    基板の表面上に加工された発光デバイスの少なくとも一部分の上に有機材料を堆積させるように構成されたインクジェット印刷システムと、
    複数の光硬化領域の積層構成を含む硬化モジュールであって、前記複数の光硬化領域は、互いにオフセットされており、前記複数の光硬化領域のそれぞれは、前記基板上に加工された発光デバイスの少なくとも前記一部分の上に有機層を形成するために前記有機材料を硬化させるように前記基板を受容するように定寸されており、前記硬化モジュールは、前記複数の光硬化領域のうちのいずれか１つに受容されている基板上に紫外線光を向かわせるように配置された紫外線エネルギー源をさらに含む、硬化モジュールと
    を含み、
    前記インクジェット印刷システムおよび前記硬化モジュールは、大気圧または大気圧の付近における制御された処理環境を提供するようにエンクロージャ内に収納されている、コーティングシステム。
  2. 前記硬化モジュールは、前記基板が前記複数の光硬化領域のうちのいずれか１つに受容されている場合、特定継続時間にわたって、前記基板を保持するように構成されている、請求項１に記載のコーティングシステム。
  3. 前記硬化モジュールは、前記有機層を形成するために、前記有機材料の堆積後かつ前記有機材料の光硬化前の特定継続時間にわたって、前記基板を保持するように構成されている、請求項１に記載のコーティングシステム。
  4. 前記制御された処理環境は、前記基板上に堆積させられる前記有機材料と反応しない制御されたガス環境を含む、請求項１に記載のコーティングシステム。
  5. 前記制御された処理環境は、窒素を含む、請求項４に記載のコーティングシステム。
  6. 前記制御された処理環境は、１つ以上の反応性種を特定限界以下に維持する、請求項１に記載のコーティングシステム。
  7. 前記１つ以上の反応性種は、オゾン、酸素、水蒸気、有機溶媒蒸気のうちの１つ以上を含む、請求項６に記載のコーティングシステム。
  8. 前記特定限界は、１００ｐｐｍである、請求項７に記載のコーティングシステム。
  9. 前記エンクロージャは、粒子汚染の特定限界以下に前記制御された処理環境を維持するように構成されている、請求項１に記載のコーティングシステム。
  10. 前記特定限界は、直径が２ミクロン以上の粒子に対するクラス１０の仕様よりも良い、請求項９に記載のコーティングシステム。
  11. 前記コーティングシステムは、基板移送モジュールをさらに含み、前記基板移送モジュールは、チャンバを含み、前記チャンバは、前記印刷システムおよび前記硬化モジュールの前記制御された処理環境とは異なる環境から前記基板を受容するように構成されている、請求項１に記載のコーティングシステム。
  12. 前記インクジェット印刷システムおよび前記硬化モジュールのうちの少なくとも１つは、基板支持装置をさらに含み、前記基板支持装置は、前記基板と前記基板支持装置との間に加圧ガスクッションを確立するためのものである、請求項１に記載のコーティングシステム。
  13. 前記基板支持装置は、多孔質セラミック材料を含む、請求項１２に記載のコーティングシステム。
  14. 前記エンクロージャは、大気圧に対して２ｍｂａｒ〜８ｍｂａｒの間の圧力に維持される制御された処理環境を提供するように構成されている、請求項１に記載のコーティングシステム。
  15. 前記インクジェット印刷システムおよび前記硬化モジュールのうちの少なくとも１つの空気圧構成要素に加圧ガスを供給するように動作可能に結合された加圧ガスループを含むガス再循環システムをさらに含む、請求項１に記載のコーティングシステム。
  16. 前記加圧ガスループは、圧力制御バイパスループを含み、前記圧力制御バイパスループは、前記制御された処理環境を大気圧または大気圧の付近に維持するために、前記空気圧構成要素に供給される前記加圧ガスの可変要求を補償するように構成されている、請求項１５に記載のコーティングシステム。
  17. 前記複数の光硬化領域は、垂直に積層された構成である、請求項１に記載のコーティングシステム。
  18. 各光硬化領域は、前記有機層を形成するために前記有機材料を硬化させるための照射源を含む、請求項１に記載のコーティングシステム。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
US8899171B2 (en) 2008-06-13 2014-12-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US11975546B2 (en) 2008-06-13 2024-05-07 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US10468279B2 (en) 2013-12-26 2019-11-05 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for thermal treatment of electronic devices
EP3624175B1 (en) 2014-01-21 2021-12-22 Kateeva, Inc. Method for electronic device encapsulation
US9343678B2 (en) 2014-01-21 2016-05-17 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for electronic device encapsulation
KR102390045B1 (ko) 2014-04-30 2022-04-22 카티바, 인크. 가스 쿠션 장비 및 기판 코팅 기술
KR20200008041A (ko) * 2014-11-26 2020-01-22 카티바, 인크. 환경적으로 제어되는 코팅 시스템
EP3328650A4 (en) * 2015-07-31 2019-03-27 Kateeva, Inc. INK DISPENSING SYSTEMS AND METHODS
US10180248B2 (en) 2015-09-02 2019-01-15 ProPhotonix Limited LED lamp with sensing capabilities
CN107331230A (zh) * 2016-10-28 2017-11-07 湖南机电职业技术学院 一种面向金属片状工艺品加工的智能制造产学研平台
EP3361316A1 (de) 2017-02-14 2018-08-15 VAT Holding AG Pneumatische stifthubvorrichtung und pneumatischer hubzylinder
CN109817841B (zh) * 2017-12-04 2020-11-03 苏州迈创信息技术有限公司 一种用于输送oled面板的制造设备
KR102059127B1 (ko) * 2018-03-02 2019-12-24 주식회사 아이엔티코리아 공정챔버의 압력 관리장치
CN108465621B (zh) * 2018-04-28 2019-07-30 江苏灵氟隆环境工程有限公司 一种滤袋针眼涂胶装置及其涂胶方法
CN111483235A (zh) * 2019-06-21 2020-08-04 广东聚华印刷显示技术有限公司 发光器件的喷墨印刷方法和喷墨印刷装置
CN117983435A (zh) * 2020-01-21 2024-05-07 株式会社 尼康 成膜装置、成膜方法、导电膜的制造装置和制造方法
JP7106607B2 (ja) * 2020-08-06 2022-07-26 芝浦メカトロニクス株式会社 有機膜形成装置
CN111967108A (zh) * 2020-08-28 2020-11-20 广西玉柴机器股份有限公司 一种发动机模块化油底壳设计方法及***
CN112151418B (zh) * 2020-09-11 2024-04-05 安徽龙芯微科技有限公司 一种硅基转接板的封装机构及其封装方法
US20220143657A1 (en) * 2020-11-06 2022-05-12 Jelight Company, Inc. Ultraviolet specimen cleaning apparatus
CN113347834B (zh) * 2021-06-17 2023-06-20 广州国显科技有限公司 亮度补偿装置及亮度补偿设备

Family Cites Families (394)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3251139A (en) 1965-03-10 1966-05-17 Us Dynamics Mfg Corp Dynamic insulating systems
US3632374A (en) 1968-06-03 1972-01-04 Eastman Kodak Co Method of making photographic elements
US4003786A (en) 1975-09-16 1977-01-18 Exxon Research And Engineering Company Thermal energy storage and utilization system
US4226897A (en) 1977-12-05 1980-10-07 Plasma Physics Corporation Method of forming semiconducting materials and barriers
JPS57135184A (en) 1981-02-17 1982-08-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Printer
US4409889A (en) 1981-11-02 1983-10-18 Burleson Maurice L Modular clean room
NL8203318A (nl) 1982-08-24 1984-03-16 Integrated Automation Inrichting voor processing van substraten.
US5202659A (en) 1984-04-16 1993-04-13 Dataproducts, Corporation Method and apparatus for selective multi-resonant operation of an ink jet controlling dot size
JPS6144034A (ja) 1984-08-07 1986-03-03 Omron Tateisi Electronics Co 車両のスイツチ制御装置
JPS6172947A (ja) 1984-09-18 1986-04-15 Takasago Thermal Eng Co Ltd クリ−ンル−ムの形成法およびこの方法に使用する空気調和設備ユニツト
US4721121A (en) 1984-11-16 1988-01-26 Adams Charles R Combination pressing comb dryer and blow dryer
JPH037588Y2 (ja) 1985-12-13 1991-02-25
US4676144A (en) 1985-12-30 1987-06-30 Smithkline Beckman Corporation Clean room system
US4751531A (en) 1986-03-27 1988-06-14 Fuji Xerox Co., Ltd. Thermal-electrostatic ink jet recording apparatus
JPH0790665B2 (ja) 1986-08-27 1995-10-04 株式会社日立製作所 熱転写方法及びこれに用いる熱転写用インクシート
DE3715533C2 (de) 1987-05-09 1997-07-17 Krieger Gmbh & Co Kg Vorrichtung zum Schwebendführen von Materialbahnen
US5041161A (en) 1988-02-24 1991-08-20 Dataproducts Corporation Semi-solid ink jet and method of using same
US5065169A (en) 1988-03-21 1991-11-12 Hewlett-Packard Company Device to assure paper flatness and pen-to-paper spacing during printing
US5141918A (en) 1988-04-22 1992-08-25 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Method of forming an oxide superconducting thin film of a single phase having no carbonate
JP2575205B2 (ja) 1989-01-13 1997-01-22 キヤノン株式会社 インクタンク
DE3901042A1 (de) 1989-01-14 1990-07-26 Nukem Gmbh Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines halbleiter-schichtsystems
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
JP2836749B2 (ja) 1989-05-09 1998-12-14 株式会社リコー 液体噴射記録ヘッド
US5029518A (en) 1989-10-16 1991-07-09 Clean Air Technology, Inc. Modular clean room structure
KR960007979B1 (ko) 1991-04-17 1996-06-17 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 클리인공간시스템
JP2943427B2 (ja) 1991-08-16 1999-08-30 富士電機株式会社 モータの可逆運転装置
JPH05218176A (ja) 1992-02-07 1993-08-27 Tokyo Electron Tohoku Kk 熱処理方法及び被処理体の移載方法
US5314377A (en) 1992-10-05 1994-05-24 Airo Clean Inc. Clean air isolation enclosure
US6189989B1 (en) 1993-04-12 2001-02-20 Canon Kabushiki Kaisha Embroidering using ink jet printing apparatus
US5896154A (en) 1993-04-16 1999-04-20 Hitachi Koki Co., Ltd. Ink jet printer
DK85093D0 (da) 1993-07-16 1993-07-16 Landsforeningen Til Kraeftens Method and apparatus for performing operations
US5344365A (en) * 1993-09-14 1994-09-06 Sematech, Inc. Integrated building and conveying structure for manufacturing under ultraclean conditions
US5405710A (en) 1993-11-22 1995-04-11 At&T Corp. Article comprising microcavity light sources
US5623292A (en) 1993-12-17 1997-04-22 Videojet Systems International, Inc. Temperature controller for ink jet printing
US5633133A (en) 1994-07-14 1997-05-27 Long; David M. Ligation with hammerhead ribozymes
US5801721A (en) 1994-09-09 1998-09-01 Signtech U.S.A. Ltd. Apparatus for producing an image on a first side of a substrate and a mirror image on a second side of the substrate
US5574485A (en) 1994-10-13 1996-11-12 Xerox Corporation Ultrasonic liquid wiper for ink jet printhead maintenance
JPH08118641A (ja) 1994-10-20 1996-05-14 Canon Inc インクジェットヘッド、インクジェットヘッドカートリッジ、インクジェット装置およびインクが再注入されたインクジェットヘッドカートリッジ用インク容器
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
JP3575103B2 (ja) 1995-02-17 2004-10-13 ソニー株式会社 記録方法
US5651625A (en) 1995-04-10 1997-07-29 Security Operating Systems, Inc. Printer enclosure and controller unit
US6086196A (en) 1995-04-14 2000-07-11 Sony Corporation Printing device
KR100310249B1 (ko) 1995-08-05 2001-12-17 엔도 마코토 기판처리장치
US6586763B2 (en) 1996-06-25 2003-07-01 Northwestern University Organic light-emitting diodes and methods for assembly and emission control
US6013982A (en) 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US6049167A (en) 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
JP3460500B2 (ja) 1997-03-14 2003-10-27 株式会社荏原製作所 気体の清浄装置とそれを用いた密閉空間の清浄方法及び密閉空間
US5956051A (en) 1997-05-29 1999-09-21 Pitney Bowes Inc. Disabling a mailing machine when a print head is not installed
US5951770A (en) 1997-06-04 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Carousel wafer transfer system
US6095630A (en) 1997-07-02 2000-08-01 Sony Corporation Ink-jet printer and drive method of recording head for ink-jet printer
US5898179A (en) 1997-09-10 1999-04-27 Orion Equipment, Inc. Method and apparatus for controlling a workpiece in a vacuum chamber
US20030166104A1 (en) 1997-09-18 2003-09-04 Genentech, Inc. Secreted and transmembrane polypeptides and nucleic acids encoding the same
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
KR100232852B1 (ko) 1997-10-15 1999-12-01 윤종용 잉크젯 프린터 헤드 및 이의 제조방법
US6086679A (en) 1997-10-24 2000-07-11 Quester Technology, Inc. Deposition systems and processes for transport polymerization and chemical vapor deposition
US6453810B1 (en) 1997-11-07 2002-09-24 Speedline Technologies, Inc. Method and apparatus for dispensing material in a printer
US5947022A (en) 1997-11-07 1999-09-07 Speedline Technologies, Inc. Apparatus for dispensing material in a printer
US6065825A (en) 1997-11-13 2000-05-23 Eastman Kodak Company Printer having mechanically-assisted ink droplet separation and method of using same
US6337102B1 (en) 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
JPH11312640A (ja) 1998-02-25 1999-11-09 Canon Inc 処理装置および該処理装置を用いたデバイス製造方法
US6326224B1 (en) 1998-04-27 2001-12-04 Motorola, Inc. Method of purifying a primary color generated by an OED
US6089282A (en) 1998-05-08 2000-07-18 Aeronex, Inc. Method for recovery and reuse of gas
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
US6086195A (en) 1998-09-24 2000-07-11 Hewlett-Packard Company Filter for an inkjet printhead
GB9822963D0 (en) 1998-10-20 1998-12-16 Agner Erik Improvements in or relating to chromatography
TW442891B (en) 1998-11-17 2001-06-23 Tokyo Electron Ltd Vacuum processing system
US6250747B1 (en) 1999-01-28 2001-06-26 Hewlett-Packard Company Print cartridge with improved back-pressure regulation
JP2000223548A (ja) 1999-01-28 2000-08-11 Toshiba Corp 表示装置の製造装置
US6228171B1 (en) 1999-01-29 2001-05-08 Tokyo Electron Ltd. Heat processing apparatus
IES20000264A2 (en) * 1999-04-07 2000-11-15 Mv Res Ltd A system and method for the inspection of dielectric materials
US6203151B1 (en) 1999-06-08 2001-03-20 Hewlett-Packard Company Apparatus and method using ultrasonic energy to fix ink to print media
TW504941B (en) 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
US6444400B1 (en) 1999-08-23 2002-09-03 Agfa-Gevaert Method of making an electroconductive pattern on a support
JP2001107272A (ja) 1999-10-08 2001-04-17 Hitachi Ltd 試料の処理方法および処理装置並びに磁気ヘッドの製作方法
TW471011B (en) 1999-10-13 2002-01-01 Semiconductor Energy Lab Thin film forming apparatus
US6294398B1 (en) 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
JP4827294B2 (ja) * 1999-11-29 2011-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置及び発光装置の作製方法
US6312083B1 (en) 1999-12-20 2001-11-06 Xerox Corporation Printhead assembly with ink monitoring system
US6276782B1 (en) 2000-01-11 2001-08-21 Eastman Kodak Company Assisted drop-on-demand inkjet printer
US6375304B1 (en) 2000-02-17 2002-04-23 Lexmark International, Inc. Maintenance mist control
JP2004502923A (ja) 2000-02-22 2004-01-29 ジェノスペクトラ，インコーポレイティド マイクロアレイの製造方法と製造装置
JP2001298068A (ja) 2000-04-18 2001-10-26 Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti 局所清浄化法及び局所清浄化加工処理装置
JP2001326162A (ja) 2000-05-17 2001-11-22 Canon Inc 半導体製造装置および半導体デバイス製造方法
US6604810B1 (en) 2000-05-23 2003-08-12 Silverbrook Research Pty Ltd Printhead capping arrangement
US6663219B2 (en) 2000-06-01 2003-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Inkjet recording apparatus
KR100408269B1 (ko) 2000-07-20 2003-12-01 삼성전자주식회사 잉크제트 프린트헤드
US6755519B2 (en) 2000-08-30 2004-06-29 Creo Inc. Method for imaging with UV curable inks
JP2002069650A (ja) 2000-08-31 2002-03-08 Applied Materials Inc 気相堆積方法及び装置並びに半導体装置の製造方法及び装置
JP2002093878A (ja) 2000-09-12 2002-03-29 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
US6781684B1 (en) 2000-11-07 2004-08-24 Donald L. Ekhoff Workpiece levitation using alternating positive and negative pressure flows
US6601936B2 (en) 2000-11-14 2003-08-05 Cypress Semiconductor Corp. Real time adaptive inkjet temperature regulation controller
JP3939101B2 (ja) 2000-12-04 2007-07-04 株式会社荏原製作所 基板搬送方法および基板搬送容器
DE10061628B4 (de) 2000-12-11 2006-06-08 Leica Microsystems Wetzlar Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Ergreifen und Transportieren von Wafern
US6646284B2 (en) 2000-12-12 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
ATE402017T1 (de) 2001-02-09 2008-08-15 Seiko Epson Corp Tintenstrahlaufzeichnungsvorrichtung, steuerungs- und tintennachfüllsverfahren in der vorrichtung ausgeführt, tintenversorgungssystem in der vorrichtung, und verwaltungsverfahren der von dem system versorgt tintenmenge
US6629756B2 (en) 2001-02-20 2003-10-07 Lexmark International, Inc. Ink jet printheads and methods therefor
US6688798B2 (en) 2001-02-27 2004-02-10 Incumed, Inc. Adjustable locking mount and methods of use
KR100746828B1 (ko) * 2001-05-15 2007-08-07 엘지전자 주식회사 유기 전계발광 소자의 봉지장치 및 방법
US6472962B1 (en) 2001-05-17 2002-10-29 Institute Of Microelectronics Inductor-capacitor resonant RF switch
JP2003007800A (ja) 2001-06-21 2003-01-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2003017543A (ja) 2001-06-28 2003-01-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および搬送装置
FR2827682B1 (fr) 2001-07-20 2004-04-02 Gemplus Card Int Regulation de pression par transfert d'un volume de gaz calibre
US6824262B2 (en) 2001-08-10 2004-11-30 Seiko Epson Corporation Ink set and ink jet recording method
US6878636B2 (en) 2001-08-27 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Method for enhancing substrate processing
US7404862B2 (en) 2001-09-04 2008-07-29 The Trustees Of Princeton University Device and method for organic vapor jet deposition
US7431968B1 (en) 2001-09-04 2008-10-07 The Trustees Of Princeton University Process and apparatus for organic vapor jet deposition
WO2003025245A1 (en) 2001-09-14 2003-03-27 University Of Delaware Multiple-nozzle thermal evaporation source
US6644149B2 (en) 2001-09-17 2003-11-11 Newfrey Llc Extraction tool for tanged helically coiled inserts with improved removability
JP2003088798A (ja) * 2001-09-19 2003-03-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd ベーク装置及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法
TW529317B (en) 2001-10-16 2003-04-21 Chi Mei Electronic Corp Method of evaporating film used in an organic electro-luminescent display
US6733734B2 (en) 2001-10-31 2004-05-11 Matheson Tri-Gas Materials and methods for the purification of hydride gases
US6460972B1 (en) 2001-11-06 2002-10-08 Eastman Kodak Company Thermal actuator drop-on-demand apparatus and method for high frequency
JP3868280B2 (ja) 2001-12-04 2007-01-17 株式会社美和製作所 有機電界発光素子の製造装置
US6939212B1 (en) 2001-12-21 2005-09-06 Lam Research Corporation Porous material air bearing platen for chemical mechanical planarization
JP2003257654A (ja) * 2001-12-25 2003-09-12 Hitachi Ltd 画像表示装置およびその製造方法
TWI222423B (en) 2001-12-27 2004-10-21 Orbotech Ltd System and methods for conveying and transporting levitated articles
JP4066661B2 (ja) 2002-01-23 2008-03-26 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造装置および液滴吐出装置
US6582875B1 (en) 2002-01-23 2003-06-24 Eastman Kodak Company Using a multichannel linear laser light beam in making OLED devices by thermal transfer
US7098069B2 (en) * 2002-01-24 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same
JP3979113B2 (ja) 2002-02-12 2007-09-19 セイコーエプソン株式会社 チャンバ装置の大気置換方法、チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機ｅｌ装置
US20030168174A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Foree Michael Todd Gas cushion susceptor system
US7081912B2 (en) * 2002-03-11 2006-07-25 Seiko Epson Corporation Optical writing head such as organic EL array exposure head, method of manufacturing the same, and image forming apparatus using the same
JP2003270417A (ja) * 2002-03-13 2003-09-25 Fuji Xerox Co Ltd 屈折率周期構造体およびその製造方法
JP3925257B2 (ja) 2002-03-15 2007-06-06 セイコーエプソン株式会社 気密チャンバにおける接続ラインの貫通構造およびこれを備えた吐出装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、ｐｄｐ装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機ｅｌの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法
JP3979135B2 (ja) 2002-03-20 2007-09-19 セイコーエプソン株式会社 チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機ｅｌ装置
US7133905B2 (en) 2002-04-09 2006-11-07 Akamai Technologies, Inc. Method and system for tiered distribution in a content delivery network
US8900366B2 (en) * 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
JP4543617B2 (ja) 2002-04-22 2010-09-15 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造装置、電気光学装置の製造装置、及び電気機器の製造装置
US7427329B2 (en) * 2002-05-08 2008-09-23 Asm International N.V. Temperature control for single substrate semiconductor processing reactor
US20040035360A1 (en) 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP4954434B2 (ja) * 2002-05-17 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
DE10224128A1 (de) 2002-05-29 2003-12-18 Schmid Rhyner Ag Adliswil Verfahren zum Auftrag von Beschichtungen auf Oberflächen
JP4354675B2 (ja) 2002-06-04 2009-10-28 ローツェ株式会社 薄板状電子部品クリーン移載装置および薄板状電子製品製造システム
CN100375925C (zh) 2002-06-10 2008-03-19 精工爱普生株式会社 调色剂的制造方法、调色剂及调色剂制造装置
US20030230980A1 (en) 2002-06-18 2003-12-18 Forrest Stephen R Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
US6705608B2 (en) 2002-07-01 2004-03-16 Heidelberger Druckmaschinen Ag Sheet material conveying apparatus with adjustable top grippers for pockets
US7008209B2 (en) 2002-07-03 2006-03-07 Therics, Llc Apparatus, systems and methods for use in three-dimensional printing
US20040009304A1 (en) 2002-07-09 2004-01-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ogh Process and tool with energy source for fabrication of organic electronic devices
US6811896B2 (en) 2002-07-29 2004-11-02 Xerox Corporation Organic light emitting device (OLED) with thick (100 to 250 nanometers) porphyrin buffer layer
JP3690380B2 (ja) 2002-08-02 2005-08-31 セイコーエプソン株式会社 材料の配置方法、電子装置の製造方法、電気光学装置の製造方法
JP4008387B2 (ja) 2002-08-02 2007-11-14 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
US7086917B2 (en) 2002-08-12 2006-08-08 National Research Council Of Canada Photoresist mask/smoothing layer ensuring the field homogeneity and better step-coverage in OLED displays
US20060008491A1 (en) 2002-09-03 2006-01-12 Leach David N Eremophilone and eremophilone derivatives for pest control
US20040050325A1 (en) 2002-09-12 2004-03-18 Samoilov Arkadii V. Apparatus and method for delivering process gas to a substrate processing system
JP4440523B2 (ja) 2002-09-19 2010-03-24 大日本印刷株式会社 インクジェット法による有機ｅｌ表示装置及びカラーフィルターの製造方法、製造装置
JP2004146369A (ja) 2002-09-20 2004-05-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置および発光装置の作製方法
CN100459220C (zh) 2002-09-20 2009-02-04 株式会社半导体能源研究所 制造***以及发光元件的制作方法
US6911671B2 (en) 2002-09-23 2005-06-28 Eastman Kodak Company Device for depositing patterned layers in OLED displays
US7067170B2 (en) 2002-09-23 2006-06-27 Eastman Kodak Company Depositing layers in OLED devices using viscous flow
GB0222360D0 (en) 2002-09-26 2002-11-06 Printable Field Emitters Ltd Creating layers in thin-film structures
TW555652B (en) 2002-10-25 2003-10-01 Ritdisplay Corp Ink jet printing device and method
US6666548B1 (en) 2002-11-04 2003-12-23 Eastman Kodak Company Method and apparatus for continuous marking
JP4313026B2 (ja) 2002-11-08 2009-08-12 株式会社ヒラノテクシード 毛管現象による塗工ノズルを用いた有機ｅｌパネルの製造装置及び製造方法
WO2004045252A1 (ja) * 2002-11-11 2004-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 発光装置の作製方法
KR100486690B1 (ko) * 2002-11-29 2005-05-03 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치및 방법
US6975067B2 (en) 2002-12-19 2005-12-13 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device and encapsulation method
JP4378950B2 (ja) 2002-12-24 2009-12-09 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
US6896346B2 (en) 2002-12-26 2005-05-24 Eastman Kodak Company Thermo-mechanical actuator drop-on-demand apparatus and method with multiple drop volumes
US6861800B2 (en) 2003-02-18 2005-03-01 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
JP2004247111A (ja) 2003-02-12 2004-09-02 Seiko Epson Corp 長尺体配設構造、液滴吐出装置、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
KR100505061B1 (ko) 2003-02-12 2005-08-01 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈
JP2004253332A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Toshiba Corp 塗布用基板、インク塗布システム及びその塗布方法並びにそれを用いたデバイス製造装置
JP2004291456A (ja) 2003-03-27 2004-10-21 Seiko Epson Corp 液滴吐出装置用チューブ、液滴吐出装置
JP4294360B2 (ja) 2003-04-11 2009-07-08 大日本スクリーン製造株式会社 ニス塗布方法、ニス塗布装置および印刷機
US20040206307A1 (en) 2003-04-16 2004-10-21 Eastman Kodak Company Method and system having at least one thermal transfer station for making OLED displays
US7390438B2 (en) 2003-04-22 2008-06-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids
JP2004363560A (ja) * 2003-05-09 2004-12-24 Seiko Epson Corp 基板、デバイス、デバイス製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
JP4407164B2 (ja) 2003-06-03 2010-02-03 セイコーエプソン株式会社 チャンバ装置およびこれを備えたワーク処理設備
JP3544543B2 (ja) * 2003-08-04 2004-07-21 株式会社リコー 液状樹脂噴射装置及び樹脂構造物
US7077019B2 (en) 2003-08-08 2006-07-18 Photon Dynamics, Inc. High precision gas bearing split-axis stage for transport and constraint of large flat flexible media during processing
US6917159B2 (en) 2003-08-14 2005-07-12 Eastman Kodak Company Microcavity OLED device
US8123862B2 (en) 2003-08-15 2012-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition apparatus and manufacturing apparatus
JP2005074299A (ja) 2003-08-29 2005-03-24 Seiko Epson Corp ドラフトチャンバ、ヘッド洗浄設備、ヘッド保管設備および液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
US20050079278A1 (en) * 2003-10-14 2005-04-14 Burrows Paul E. Method and apparatus for coating an organic thin film on a substrate from a fluid source with continuous feed capability
KR101035850B1 (ko) * 2003-11-17 2011-05-19 삼성전자주식회사 박막 형성용 프린팅 설비
MXPA06005649A (es) 2003-11-18 2006-08-17 3M Innovative Properties Co Dispositivos electroluminiscentes y metodos para su fabricacion incluyendo un elemento de conversion de color.
US7759127B2 (en) 2003-12-05 2010-07-20 Massachusetts Institute Of Technology Organic materials able to detect analytes
US7792489B2 (en) * 2003-12-26 2010-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device
JP4801346B2 (ja) * 2003-12-26 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TWI225008B (en) 2003-12-31 2004-12-11 Ritdisplay Corp Ink-jet printing apparatus
JP2005218899A (ja) 2004-02-03 2005-08-18 Toshiba Corp 塗布装置及びこれを備えた表示装置製造装置
CN101189271A (zh) 2004-02-13 2008-05-28 北卡罗来纳大学查珀尔希尔分校 制造微流体设备的功能材料和新型方法
KR100590545B1 (ko) 2004-02-27 2006-06-19 삼성전자주식회사 잉크젯 프린트헤드의 구동 방법
US7061586B2 (en) * 2004-03-02 2006-06-13 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7410240B2 (en) 2004-03-04 2008-08-12 Fujifilm Corporation Inkjet recording head and inkjet recording apparatus
JP2005254038A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Neomax Co Ltd リニアモータ駆動ステージ及びそれを用いた機能性薄膜用製造装置、並びにｚ軸リニアモータ
WO2005086588A2 (en) * 2004-03-17 2005-09-22 Coreflow Scientific Solutions Ltd. Non-contact thermal platforms
GB2412088B (en) 2004-03-19 2007-09-19 Zipher Ltd Liquid supply system
JP4423082B2 (ja) 2004-03-29 2010-03-03 京セラ株式会社 ガスノズルおよびその製造方法とそれを用いた薄膜形成装置
CN1938447B (zh) 2004-03-29 2010-06-09 大见忠弘 成膜装置及成膜方法
US7585371B2 (en) 2004-04-08 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Substrate susceptors for receiving semiconductor substrates to be deposited upon
JP4767251B2 (ja) * 2004-04-14 2011-09-07 コアフロー サイエンティフィック ソリューションズ リミテッド 光学検査装置を平坦な対象物の接面に対して焦点合わせする方法
US7354845B2 (en) 2004-08-24 2008-04-08 Otb Group B.V. In-line process for making thin film electronic devices
US7247394B2 (en) 2004-05-04 2007-07-24 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
US7023013B2 (en) 2004-06-16 2006-04-04 Eastman Kodak Company Array of light-emitting OLED microcavity pixels
JP2006002972A (ja) 2004-06-16 2006-01-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd クリーンルーム、局所クリーン化システム、その使用方法及びクリーンルームセキュリティシステム
TWI250559B (en) 2004-07-09 2006-03-01 Innolux Display Corp Coating apparatus and coating method using the same
JP4805555B2 (ja) 2004-07-12 2011-11-02 株式会社東芝 塗布装置及び塗布方法
KR100659057B1 (ko) 2004-07-15 2006-12-21 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 유기 전계 발광표시장치
US7431435B2 (en) 2004-08-06 2008-10-07 Matthew Grant Lopez Systems and methods for varying dye concentrations
JP4802467B2 (ja) 2004-09-09 2011-10-26 ブラザー工業株式会社 インクジェットプリンタ
JP2006085933A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置の製造方法及び製造装置
KR100718555B1 (ko) * 2004-10-11 2007-05-15 두산디앤디 주식회사 잉크젯 프린팅과 저분자 유기증착 방법을 겸용하는 대면적 유기 박막 증착장치
JP2006120382A (ja) 2004-10-20 2006-05-11 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造装置及び方法、並びに電気光学装置及び電子機器
US7374984B2 (en) 2004-10-29 2008-05-20 Randy Hoffman Method of forming a thin film component
KR100668309B1 (ko) 2004-10-29 2007-01-12 삼성전자주식회사 노즐 플레이트의 제조 방법
US7657368B2 (en) 2004-11-08 2010-02-02 General Motors Company System and method for large route data handling within a telematics communication system
WO2006052919A1 (en) 2004-11-08 2006-05-18 New Way Machine Components, Inc. Non-contact porous air bearing and glass flattening device
KR20060044265A (ko) 2004-11-11 2006-05-16 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시소자의 제조장치
US8128753B2 (en) 2004-11-19 2012-03-06 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
US20080308037A1 (en) 2007-06-14 2008-12-18 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for thermal jet printing
JP4459037B2 (ja) 2004-12-01 2010-04-28 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッド
US7288469B2 (en) 2004-12-03 2007-10-30 Eastman Kodak Company Methods and apparatuses for forming an article
JP4691975B2 (ja) 2004-12-08 2011-06-01 セイコーエプソン株式会社 ワークギャップ調整方法、ワークギャップ調整装置、液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
CN101095084A (zh) 2004-12-14 2007-12-26 拉多韦有限公司 形成用于光刻转印的准直uv光线的方法和设备
KR100629599B1 (ko) * 2004-12-17 2006-09-27 엘지전자 주식회사 실링제 경화 장치
US7883832B2 (en) 2005-01-04 2011-02-08 International Business Machines Corporation Method and apparatus for direct referencing of top surface of workpiece during imprint lithography
KR100685806B1 (ko) 2005-01-17 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 증착 장치
JP4413789B2 (ja) 2005-01-24 2010-02-10 東京エレクトロン株式会社 ステージ装置および塗布処理装置
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7406761B2 (en) 2005-03-21 2008-08-05 Honeywell International Inc. Method of manufacturing vibrating micromechanical structures
DE202005005902U1 (de) 2005-04-07 2005-06-16 M + W Zander Facility Engineering Gmbh Gerät zur Handhabung und/oder Behandlung von Erzeugnissen
JP4642533B2 (ja) 2005-04-08 2011-03-02 キヤノン株式会社 画像形成システムおよび該システムの記録制御方法
US7910166B2 (en) 2005-04-26 2011-03-22 First Solar, Inc. System and method for depositing a material on a substrate
US8007927B2 (en) 2007-12-28 2011-08-30 Universal Display Corporation Dibenzothiophene-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
US20060273713A1 (en) 2005-06-02 2006-12-07 Eastman Kodak Company Process for making an organic light-emitting device
US20070021050A1 (en) 2005-06-16 2007-01-25 Kennedy Michael A System for providing and managing a laminar flow of clean air
US7522258B2 (en) 2005-06-29 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing movement of clean air to reduce contamination
US20070026151A1 (en) * 2005-07-13 2007-02-01 Higginson John A Fluid Deposition Cluster Tool
CN101243543A (zh) * 2005-07-13 2008-08-13 富士胶片迪麦提克斯公司 流体沉积组合设备工具
JP2007030464A (ja) 2005-07-29 2007-02-08 Fujifilm Holdings Corp 画像形成装置
WO2007016688A1 (en) 2005-08-02 2007-02-08 New Way Machine Components, Inc. A method and a device for depositing a film of material or otherwise processing or inspecting, a substrate as it passes through a vacuum environment guided by a plurality of opposing and balanced air bearing lands and sealed by differentially pumped groves and sealing lands in a non-contact manner
JP2007050565A (ja) 2005-08-16 2007-03-01 Fujifilm Corp インク供給装置、インクジェット記録装置及びインクカートリッジ
EP1757373B1 (en) 2005-08-24 2012-04-11 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Film forming apparatus, film forming method and method for manufacturing piezoelectric actuator
KR100729089B1 (ko) 2005-08-26 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
US20070059459A1 (en) 2005-09-12 2007-03-15 Haixin Yang Ink jet printable hydrogel for sensor electrode applications
JP2007076168A (ja) 2005-09-14 2007-03-29 Fujifilm Corp 液体吐出ヘッド及び画像形成装置
US7857121B2 (en) 2005-09-15 2010-12-28 Coreflow Scientific Solutions Ltd. System and method for enhancing conveying performance of conveyors
JP4396607B2 (ja) 2005-09-28 2010-01-13 セイコーエプソン株式会社 膜形成方法、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネセンス装置及び電子機器
KR100710482B1 (ko) 2005-10-18 2007-04-24 두산디앤디 주식회사 Ｒｇｂ 패턴 형성용 질소 인클루저 및 질소가스 회수방법
US20070098891A1 (en) 2005-10-31 2007-05-03 Eastman Kodak Company Vapor deposition apparatus and method
US7657390B2 (en) 2005-11-02 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Reclaiming substrates having defects and contaminants
US7677690B2 (en) 2005-11-22 2010-03-16 Fujifilm Corporation Liquid ejection apparatus and liquid agitation method
US20070134512A1 (en) 2005-12-13 2007-06-14 Eastman Kodak Company Electroluminescent device containing an anthracene derivative
KR100916966B1 (ko) * 2005-12-28 2009-09-14 주식회사 에이디피엔지니어링 엘씨디 제조 장치
KR20070079834A (ko) 2006-02-03 2007-08-08 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP4926530B2 (ja) 2006-04-27 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 シール部材、減圧容器、減圧処理装置、減圧容器のシール機構、および減圧容器の製造方法
KR20070106472A (ko) 2006-04-29 2007-11-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 분사 메커니즘을 갖는 파킹 구조물을 사용하여 잉크젯 인쇄헤드를 유지하기 위한 방법 및 장치
TW200803606A (en) 2006-06-13 2008-01-01 Itc Inc Ltd The fabrication of full color OLED panel using micro-cavity structure
KR100790557B1 (ko) 2006-06-23 2008-01-02 세메스 주식회사 선입선출을 하는 버퍼 시스템
JP5144041B2 (ja) * 2006-07-26 2013-02-13 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス発光装置及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置
JP2008047340A (ja) 2006-08-11 2008-02-28 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5148088B2 (ja) 2006-08-25 2013-02-20 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
US7690881B2 (en) 2006-08-30 2010-04-06 Asm Japan K.K. Substrate-processing apparatus with buffer mechanism and substrate-transferring apparatus
US7524226B2 (en) 2006-10-10 2009-04-28 Eastman Kodak Company OLED display device with adjusted filter array
KR100739309B1 (ko) 2006-10-13 2007-07-12 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기 전계발광표시장치
WO2008069259A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus, film formation method, manufacturing apparatus, and method for manufacturing light-emitting device
US20080156679A1 (en) * 2006-12-08 2008-07-03 Bonora Anthony C Environmental isolation system for flat panel displays
KR101308750B1 (ko) 2006-12-26 2013-09-12 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법
WO2009030981A2 (en) 2006-12-28 2009-03-12 Universal Display Corporation Long lifetime phosphorescent organic light emitting device (oled) structures
CN100553013C (zh) * 2006-12-29 2009-10-21 清华大学 一种有机电致发光器件
KR101098859B1 (ko) 2007-02-21 2011-12-26 울박, 인크 표시 장치, 표시 장치용 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US20080206036A1 (en) 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Magnetic media processing tool with storage bays and multi-axis robot arms
US20080259101A1 (en) 2007-03-23 2008-10-23 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for minimizing the number of print passes in flat panel display manufacturing
US20080238310A1 (en) 2007-03-30 2008-10-02 Forrest Stephen R OLED with improved light outcoupling
US20090326703A1 (en) 2007-04-30 2009-12-31 Presley Bryan S Integrated miniature microelectronic device factory
US8057602B2 (en) * 2007-05-09 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber
WO2008142966A1 (ja) 2007-05-16 2008-11-27 Ulvac, Inc. 有機ｅｌ装置の製造装置
US7612971B2 (en) 2007-06-15 2009-11-03 General Electric Company Micro-electromechanical system based switching in heating-ventilation-air-conditioning systems
US7966743B2 (en) 2007-07-31 2011-06-28 Eastman Kodak Company Micro-structured drying for inkjet printers
JP4400656B2 (ja) 2007-08-02 2010-01-20 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
US9023249B2 (en) 2010-05-06 2015-05-05 Immunolight, Llc Adhesive bonding composition and method of use
US20090056116A1 (en) * 2007-08-07 2009-03-05 Micro Foundry Inc. Integrated miniature device factory
KR100899423B1 (ko) 2007-08-16 2009-05-27 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
JP4561795B2 (ja) 2007-08-30 2010-10-13 セイコーエプソン株式会社 吸引装置およびこれを備えた液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法
US8398770B2 (en) 2007-09-26 2013-03-19 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
US8182608B2 (en) 2007-09-26 2012-05-22 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
JP2009112889A (ja) 2007-11-02 2009-05-28 Nakan Corp 液状原料塗工装置、液状原料塗工方法、およびそれを用いた基体
KR101404546B1 (ko) 2007-11-05 2014-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4600483B2 (ja) 2008-01-28 2010-12-15 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置、吐出方法、カラーフィルタの製造方法、有機ｅｌ装置の製造方法
US20090220680A1 (en) 2008-02-29 2009-09-03 Winters Dustin L Oled device with short reduction
JP2009248918A (ja) 2008-04-10 2009-10-29 Autonetworks Technologies Ltd 画像表示装置、画像表示方法及びコンピュータプログラム
EP2283934B1 (en) 2008-04-22 2018-11-28 Vladislav Yurievich Mirchev Method for curing a substance, device for carrying out said method and ink
US20090295857A1 (en) 2008-05-28 2009-12-03 Toshiba Tec Kabushiki Kaisha Ink jet printing apparatus
KR101005880B1 (ko) 2008-06-04 2011-01-06 세메스 주식회사 컨베이어 타입의 다단 베이크 유닛을 구비하는 기판 처리장치 및 그의 처리 방법
JP5658858B2 (ja) 2008-06-10 2015-01-28 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
US20090308860A1 (en) 2008-06-11 2009-12-17 Applied Materials, Inc. Short thermal profile oven useful for screen printing
US8899171B2 (en) * 2008-06-13 2014-12-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US10442226B2 (en) 2008-06-13 2019-10-15 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US9604245B2 (en) 2008-06-13 2017-03-28 Kateeva, Inc. Gas enclosure systems and methods utilizing an auxiliary enclosure
US9048344B2 (en) 2008-06-13 2015-06-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
US8383202B2 (en) * 2008-06-13 2013-02-26 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
US20100018548A1 (en) * 2008-07-23 2010-01-28 Applied Materials, Inc. Superimposition of rapid periodic and extensive post multiple substrate uv-ozone clean sequences for high throughput and stable substrate to substrate performance
US20090324368A1 (en) 2008-06-27 2009-12-31 Applied Materials, Inc. Processing system and method of operating a processing system
WO2010010855A1 (ja) * 2008-07-22 2010-01-28 昭和電工株式会社 封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4954162B2 (ja) 2008-08-29 2012-06-13 東京エレクトロン株式会社 処理システム
KR20100026655A (ko) 2008-09-01 2010-03-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기전계발광 소자의 제조방법
JP4720890B2 (ja) 2008-09-26 2011-07-13 ブラザー工業株式会社 液体吐出装置
JP2010134315A (ja) 2008-12-08 2010-06-17 Seiko Epson Corp 液状体吐出装置
KR101052886B1 (ko) * 2008-12-31 2011-07-29 엘아이지에이디피 주식회사 자외선 경화장치
US20120056923A1 (en) 2009-01-05 2012-03-08 Kateeva, Inc. Control systems and methods for thermal-jet printing
US20100188457A1 (en) 2009-01-05 2010-07-29 Madigan Connor F Method and apparatus for controlling the temperature of an electrically-heated discharge nozzle
KR101574147B1 (ko) 2009-01-20 2015-12-04 삼성디스플레이 주식회사 잉크젯 헤드 및 그 잉크 공급 방법
US20100195083A1 (en) 2009-02-03 2010-08-05 Wkk Distribution, Ltd. Automatic substrate transport system
CN102349132B (zh) 2009-03-09 2014-09-17 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
JP2010231001A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Toppan Printing Co Ltd パターン形成体の製造方法および製造装置、カラーフィルタの製造方法、インクジェット印刷装置
CN102414863B (zh) 2009-05-01 2015-06-03 卡帝瓦公司 用于有机蒸汽印刷的方法和设备
JP2010267399A (ja) 2009-05-12 2010-11-25 Panasonic Corp 塗布装置
CN201446232U (zh) 2009-07-10 2010-05-05 西北工业大学 一种封闭循环净化惰性气氛控制装置
US8714731B2 (en) 2009-07-31 2014-05-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Inkjet ink and intermediate transfer medium for inkjet printing
JP5421687B2 (ja) * 2009-08-04 2014-02-19 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板の分断方法および分断用テーブル
AU2010283968B2 (en) 2009-08-21 2013-11-28 Memjet Technology Limited Continuous web printer with short media feed path
GB0914856D0 (en) 2009-08-25 2009-09-30 Ark Therapeutics Ltd Compounds
JP2011065967A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ用加熱乾燥装置
KR101104185B1 (ko) 2009-10-09 2012-01-09 주식회사 프로텍 웨이퍼 후면 코팅 장치
US8967772B2 (en) 2009-10-22 2015-03-03 Memjet Technology Ltd. Inkjet printhead having low-loss contact for thermal actuators
JP2011088101A (ja) 2009-10-26 2011-05-06 Seiko Epson Corp 液滴吐出装置
US20110097494A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid conveyance system including flexible retaining mechanism
JP5548426B2 (ja) 2009-10-29 2014-07-16 株式会社日立製作所 インクジェット塗布装置及び方法
KR101995704B1 (ko) 2009-11-20 2019-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101099729B1 (ko) 2009-11-25 2011-12-28 세메스 주식회사 선회류 유닛을 이용한 에어 플로팅 스테이지 장치
US20110293818A1 (en) 2009-11-27 2011-12-01 Kateeva Inc. Method and Apparatus for Depositing A Film Using A Rotating Source
JP5577685B2 (ja) * 2009-12-15 2014-08-27 三菱化学株式会社 有機電界発光素子の製造方法、有機電界発光素子、有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ照明
US20110148985A1 (en) 2009-12-23 2011-06-23 Ulvac, Inc. Parallel motion system for industrial printing
KR101099555B1 (ko) 2010-01-12 2011-12-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP5423706B2 (ja) 2010-03-15 2014-02-19 三菱化学株式会社 有機電界発光素子の製造方法、有機電界発光素子、有機ｅｌ照明、及び有機ｅｌ表示装置
CN102821869B (zh) 2010-03-26 2015-06-24 夏普株式会社 成膜装置和成膜方法
JP2011225355A (ja) 2010-04-22 2011-11-10 Sumitomo Heavy Ind Ltd エア浮上ユニット、ステージ装置、検査システム、露光システム及び塗布システム
JP5062339B2 (ja) 2010-05-12 2012-10-31 パナソニック株式会社 インクジェット装置
US9150034B2 (en) 2010-05-17 2015-10-06 Memjet Technology Ltd. Apparatus for assisting printing having proximal wick
UY33403A (es) 2010-06-17 2011-12-30 Novartis Ag Compuestos orgánicos con novedosas isoxazolinas, sus n-óxidos, s-óxidos y sales
US20110318503A1 (en) 2010-06-29 2011-12-29 Christian Adams Plasma enhanced materials deposition system
KR101208262B1 (ko) 2010-06-30 2012-12-04 (주)에이티엘 글래스 검사 장치
WO2012001741A1 (ja) 2010-06-30 2012-01-05 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネルとその製造方法
WO2012003440A2 (en) 2010-07-01 2012-01-05 The Regents Of The University Of Michigan Gas cushion control of ovjp print head position
JP2012024731A (ja) * 2010-07-27 2012-02-09 Seiko Epson Corp 紫外線照射装置、液滴吐出装置
KR101137700B1 (ko) 2010-09-01 2012-04-25 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지의 제조 장치 및 제조 방법
JP2012074370A (ja) 2010-09-03 2012-04-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
CN201812332U (zh) 2010-09-27 2011-04-27 杭州杰马电子有限公司 自助式银行回单打印机
JP5560155B2 (ja) 2010-09-30 2014-07-23 富士フイルム株式会社 組成物、並びに、該組成物を用いた膜、電荷輸送層、有機電界発光素子、及び電荷輸送層の形成方法
WO2012050131A1 (ja) 2010-10-13 2012-04-19 株式会社朋インターナショナル 水電解処理装置
KR101182172B1 (ko) * 2010-10-18 2012-09-12 에이피시스템 주식회사 플렉서블 액정 디스플레이 제조장치
EP2638396B1 (en) 2010-11-12 2017-03-01 incellDX, Inc. Methods and systems for predicting whether a subject has a cervical intraepithelial neoplasia (cin) lesion from a suspension sample of cervical cells
WO2012075384A2 (en) 2010-12-04 2012-06-07 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of forming same
US9487010B2 (en) * 2010-12-15 2016-11-08 Electronics For Imaging, Inc. InkJet printer with controlled oxygen levels
KR101114916B1 (ko) 2010-12-27 2012-02-14 주식회사 엘지화학 유기발광소자용 기판 및 그 제조방법
JP5716752B2 (ja) 2010-12-27 2015-05-13 コニカミノルタ株式会社 ガスバリアフィルムの製造方法、ガスバリアフィルムおよび電子デバイス
JP2012170846A (ja) 2011-02-18 2012-09-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 塗布装置
JP5741078B2 (ja) * 2011-03-09 2015-07-01 セイコーエプソン株式会社 印刷装置
KR101807196B1 (ko) * 2011-05-18 2017-12-12 주식회사 탑 엔지니어링 평판디스플레이용 패널이송장치
US8414688B1 (en) 2011-06-15 2013-04-09 Kla-Tencor Corporation Recirculation high purity system for protecting optical modules or inspection system during storage, transport and shipping
US9012892B2 (en) * 2011-06-21 2015-04-21 Kateeva, Inc. Materials and methods for controlling properties of organic light-emitting device
JP5520258B2 (ja) 2011-06-29 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 色素吸着装置及び色素吸着方法
US20130005076A1 (en) 2011-06-29 2013-01-03 Kateeva, Inc. Thermal jet printhead
KR101864055B1 (ko) 2011-07-01 2018-06-01 카티바, 인크. 잉크로부터 캐리어 액체 증기를 분리하기 위한 장치 및 방법
KR101903921B1 (ko) * 2011-08-09 2018-10-02 카티바, 인크. 하향 인쇄 장치 및 방법
US9120344B2 (en) 2011-08-09 2015-09-01 Kateeva, Inc. Apparatus and method for control of print gap
CN102983289B (zh) * 2011-09-06 2016-12-21 应用材料公司 用于无掩模封装的方法
CN102328317A (zh) 2011-09-08 2012-01-25 杭州泰林生物技术设备有限公司 一种软舱体隔离器
CN103843146B (zh) 2011-09-29 2016-03-16 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
JP2013109836A (ja) * 2011-11-17 2013-06-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 有機ｅｌパネルの製造方法及び有機ｅｌパネルの封止装置
DE102012100825A1 (de) * 2011-12-01 2013-06-06 solar-semi GmbH Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrats und Verfahren hierzu
KR20230069251A (ko) * 2011-12-22 2023-05-18 카티바, 인크. 가스 엔클로저 시스템
CN106274054B (zh) * 2011-12-22 2018-04-17 科迪华公司 气体封闭***
KR20130079682A (ko) * 2011-12-30 2013-07-11 엘아이지에이디피 주식회사 전자종이 표시소자 제조방법 및 제조장치
US9449825B2 (en) * 2012-02-03 2016-09-20 SCREEN Holdings Co., Ltd. Heat treatment apparatus for heating substrate by irradiation with flashes of light, and heat treatment method
TWI629743B (zh) 2012-02-10 2018-07-11 布魯克斯自動機械公司 基材處理設備
JP5874427B2 (ja) * 2012-02-14 2016-03-02 セイコーエプソン株式会社 部品検査装置、及び、ハンドラー
JP2013206858A (ja) 2012-03-29 2013-10-07 Shibaura Mechatronics Corp 紫外線硬化膜の形成方法及び装置
US8840218B2 (en) 2012-05-02 2014-09-23 Eastman Kodak Company Multi-zone condensation control method
JP5304922B1 (ja) 2012-05-09 2013-10-02 デクセリアルズ株式会社 画像表示装置の製造方法
JP5830440B2 (ja) * 2012-06-20 2015-12-09 東京エレクトロン株式会社 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6181358B2 (ja) 2012-07-25 2017-08-16 東京エレクトロン株式会社 ベーク処理システム及び有機ｅｌ素子の有機機能膜の積層体の製造方法
JP5529220B2 (ja) 2012-08-16 2014-06-25 東京エレクトロン株式会社 デバイス製造方法
KR20220124282A (ko) 2012-11-30 2022-09-13 카티바, 인크. 산업용 프린팅 시스템의 유지 방법
CN105818540B (zh) 2012-12-19 2018-06-05 科迪华公司 气体封闭组件和***
US9033480B2 (en) 2013-03-06 2015-05-19 E I Du Pont De Nemours And Company System and process for liquid replenishment for a printing apparatus for depositing a liquid composition on a backplane
KR102470120B1 (ko) 2013-03-13 2022-11-22 카티바, 인크. 가스 인클로저 시스템 및 보조 인클로저를 이용하는 방법
JP6328434B2 (ja) 2013-03-14 2018-05-23 東京エレクトロン株式会社 乾燥装置及び乾燥処理方法
JP2014191337A (ja) 2013-03-28 2014-10-06 Toppan Printing Co Ltd 画像表示体および物品
JP5880485B2 (ja) 2013-05-13 2016-03-09 住友金属鉱山株式会社 成膜装置およびこれを用いた金属化樹脂フィルムの製造方法
US10468279B2 (en) 2013-12-26 2019-11-05 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for thermal treatment of electronic devices
US9343678B2 (en) 2014-01-21 2016-05-17 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for electronic device encapsulation
EP3624175B1 (en) 2014-01-21 2021-12-22 Kateeva, Inc. Method for electronic device encapsulation
KR102390045B1 (ko) 2014-04-30 2022-04-22 카티바, 인크. 가스 쿠션 장비 및 기판 코팅 기술
KR101749973B1 (ko) * 2014-05-23 2017-06-23 엠에스티코리아(주) Ｏｌｅｄ 봉지용 박막 경화 시스템
EP3170211B1 (en) 2014-07-18 2019-04-17 Kateeva, Inc. Gas enclosure systems and methods utilizing cross-flow gas circulation and filtration
JP2019505750A (ja) 2015-11-16 2019-02-28 カティーバ， インコーポレイテッド 基板の熱処理のためのシステムおよび方法
KR20180121907A (ko) 2016-03-08 2018-11-09 가부시끼 가이샤 나노템 반송용 패드 및 그것을 이용하는 반송 장치, 반송 방법
JP6968243B2 (ja) 2016-10-14 2021-11-17 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
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