JP6663813B2 - 半導体スイッチ制御装置 - Google Patents
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Description
また、前記電源と前記負荷部との間に流れる電流を検出する電流検出部と、前記電流検出部により検出された検出電流値が予め設定された電流基準値を超える場合、前記制御部による過電流の判定よりも早く異常であることを検知し前記放電用の第1半導体スイッチをオフにする異常検知部と、を備えることが好ましい。
電気自動車やハイブリッド電気自動車等の車両電源システム100は、図1に示すように、モータ等の負荷部2と、当該負荷部2を駆動するための電源であるバッテリ3とが搭載され、保安を目的としてバッテリ3から負荷部2に流れる電流を通電又は遮断する半導体スイッチ制御装置1が設けられている。
次に、実施形態1の変形例について説明する。電流検出部40は、ホール式の電流センサである例について説明したが、これに限定されない。例えば、電流検出部40は、図5に示すように、シャント式の電流センサ(電流検出部40A)であってもよい。この場合、電流検出部40Aは、シャント抵抗器41と、差動増幅回路42とを備え、シャント抵抗器41の抵抗で発生する電圧降下を差動増幅回路42により増幅し、増幅された電圧降下から電流を検出する。また、電流検出部40は、図6に示すように、VDS式電流センサ(電流検出部40B)であってもよい。この場合、電流検出部40Bは、FET11で発生する電圧降下を差動増幅回路43により増幅し、増幅された電圧降下から電流を検出する。
実施形態1の参考例として、FET11、FET12は、バイポーラトランジスタを用いることも考えられる。この場合、バッテリ3の陰極と負荷部2との間に設置される電流調整用のバイポーラトランジスタ(実施形態1のFET12に相当するバイポーラトランジスタ)は、ベース端子とエミッタ端子との間に電圧が印加されてベース電流を流し、当該ベース電流によりコレクタ端子とエミッタ端子との間に流れるコレクタ電流の電流値を電流制限値Ithとするように制御される。
次に、実施形態2に係る半導体スイッチ制御装置1Aについて説明する。実施形態2に係る半導体スイッチ制御装置1Aは、実施形態1に係る半導体スイッチ制御装置1と同様の構成には同一符号を付し、詳細な説明を省略する。半導体スイッチ制御装置1Aは、FET12のON抵抗を少なくするために、通常、FET12のゲート電圧を大きく設定しておき、短絡等の発生時に第1ドレイン電流の電流値を電流制限値Ithに設定する制限ゲート電圧VGSに変更する点で実施形態1と異なる。
次に、実施形態3に係る半導体スイッチ制御装置1Bについて説明する。実施形態3に係る半導体スイッチ制御装置1Bは、実施形態1に係る半導体スイッチ制御装置1と同様の構成には同一符号を付し、詳細な説明を省略する。半導体スイッチ制御装置1Bは、図8に示すように、高電圧の回路に適用するものであり、負荷部としての高電圧負荷部2Aから電源としての高電圧バッテリ3Aに電力を充電する充電経路を有する点で実施形態1と異なる。
2 負荷部
2A 高電圧負荷部(負荷部)
3 バッテリ(電源)
3A 高電圧バッテリ(電源)
11、11a、11b FET(第1半導体スイッチ)
12、12a、12b FET(第2半導体スイッチ)
60 制御部
Ie 異常電流値
Im 最大電流値
Ith 電流制限値
Id 検出電流値(電流値)
VGS 制限ゲート電圧
Claims (4)
- 電源の陽極と負荷部との間に設置され、前記電源から前記負荷部に流れる電流を通電又は遮断する放電用の第1半導体スイッチ、及び、前記電源の陽極と前記負荷部との間に設置され、前記負荷部から前記電源に電流が流れる電流を通電又は遮断する充電用の第1半導体スイッチを有する第1半導体スイッチ群と、
前記負荷部と前記電源の陰極との間に設置され、印加される放電用の設定ゲート電圧に応じて前記負荷部から前記電源に流れる電流を調整し、前記放電用の第1半導体スイッチに流れる電流を制限する放電用の第2半導体スイッチ、及び、前記負荷部と前記電源の陰極との間に設置され、印加される充電用の設定ゲート電圧に応じて前記電源から前記負荷部に流れる電流を調整し、前記充電用の第1半導体スイッチに流れる電流を制限する充電用の第2半導体スイッチを有する第2半導体スイッチ群と、
前記第1半導体スイッチ群及び前記第2半導体スイッチ群を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記放電用の第1半導体スイッチに流れる電流である放電用の第1半導体入力電流が過電流であることを示す放電用の異常電流値より大きく、かつ、前記放電用の異常電流値より大きく前記放電用の第1半導体スイッチが許容することができる電流の最大電流値より小さい電流値を放電用の電流制限値とした場合、
前記放電用の第1半導体入力電流の電流値を前記放電用の電流制限値に設定する放電用の制限ゲート電圧を前記放電用の設定ゲート電圧として前記放電用の第2半導体スイッチに印加し、前記放電用の第1半導体入力電流が前記放電用の異常電流値に到達した時点から前記放電用の第1半導体スイッチの遮断を判定するまでの放電用の遮断判定時間において前記放電用の第1半導体入力電流が前記放電用の異常電流値以下にならなかった場合、前記放電用の第1半導体スイッチをオフし、前記放電用の第1半導体入力電流が前記放電用の異常電流値に到達し、前記放電用の遮断判定時間が経過する前に前記放電用の第1半導体入力電流が前記放電用の異常電流値以下になった場合、前記放電用の第1半導体スイッチをオフにせず、
前記充電用の第1半導体スイッチに流れる電流である充電用の第1半導体入力電流が過電流であることを示す充電用の異常電流値より大きく、かつ、前記充電用の異常電流値より大きく前記充電用の第1半導体スイッチが許容することができる電流の最大電流値より小さい電流値を充電用の電流制限値とした場合、
前記充電用の第1半導体入力電流の電流値を前記充電用の電流制限値に設定する充電用の制限ゲート電圧を前記充電用の設定ゲート電圧として前記充電用の第2半導体スイッチに印加し、前記充電用の第1半導体入力電流が前記充電用の異常電流値に到達した時点から前記充電用の第1半導体スイッチの遮断を判定するまでの充電用の遮断判定時間において前記充電用の第1半導体入力電流が前記充電用の異常電流値以下にならなかった場合、前記充電用の第1半導体スイッチをオフし、前記充電用の第1半導体入力電流が前記充電用の異常電流値に到達し、前記充電用の遮断判定時間が経過する前に前記充電用の第1半導体入力電流が前記充電用の異常電流値以下になった場合、前記充電用の第1半導体スイッチをオフにしないことを特徴とする半導体スイッチ制御装置。 - 前記放電用の第1半導体スイッチは、印加されるゲート電圧に応じて前記電源から前記負荷部に流れる電流を調整可能であり、通電電流に制限がかからないゲート電圧が印加され、
前記充電用の第1半導体スイッチは、印加されるゲート電圧に応じて前記電源から前記負荷部に流れる電流を調整可能であり、通電電流に制限がかからないゲート電圧が印加される請求項1に記載の半導体スイッチ制御装置。 - 前記制御部は、
前記放電用の第1半導体入力電流の電流値が前記放電用の異常電流値以下である場合、前記放電用の第1半導体スイッチに印加されるゲート電圧と同等のゲート電圧を前記放電用の第2半導体スイッチに印加し、
前記放電用の第1半導体入力電流の電流値が前記放電用の異常電流値より大きい場合、前記放電用の制限ゲート電圧を前記放電用の第2半導体スイッチに印加し、
前記充電用の第1半導体入力電流の電流値が前記充電用の異常電流値以下である場合、前記充電用の第1半導体スイッチに印加されるゲート電圧と同等のゲート電圧を前記充電用の第2半導体スイッチに印加し、
前記充電用の第1半導体入力電流の電流値が前記充電用の異常電流値より大きい場合、前記充電用の制限ゲート電圧を前記充電用の第2半導体スイッチに印加する請求項1又は2に記載の半導体スイッチ制御装置。 - 前記電源と前記負荷部との間に流れる電流を検出する電流検出部と、
前記電流検出部により検出された検出電流値が予め設定された電流基準値を超える場合、前記制御部による過電流の判定よりも早く異常であることを検知し前記放電用の第1半導体スイッチをオフにする異常検知部と、を備える請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体スイッチ制御装置。
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