JP6623941B2 - 多層基板の製造方法 - Google Patents
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Description
一面(12a)とその反対側の他面(12b)とを有し、一面と他面のうち一面のみに導体パターン(18)が形成された絶縁基材(12)を用意することと、
絶縁基材を用意した後、絶縁基材に対して、他面側に開口を有するとともに導体パターンを底とするビアホール(20)を形成することと、
ビアホールを形成した後、ビアホールの内部に、複数の金属粒子を含むビア形成材料(22)を充填することと、
ビア形成材料を充填した後、絶縁基材を複数枚積層して積層体(24)を形成することと、
積層体を形成した後、積層体を加圧しながら加熱することで、複数枚の絶縁基材を一体化させるとともに、複数の金属粒子を焼結させてビア(26)を形成することとを備え、
絶縁基材を用意することにおいては、導体パターンはCu元素で少なくとも構成され、かつ、導体パターンの絶縁基材側の表面に、Cu元素およびビア形成材料を構成する金属元素と比較して活性化エネルギーが高い金属元素で少なくとも構成された表面金属層(16)を有する絶縁基材を用意し、
さらに、ビアホールを形成するときを含み、ビアホールを形成するときからビア形成材料を充填するときよりも前までの期間内に、導体パターンのうち底となる範囲に位置する表面金属層を除去することを備え、
積層体を加圧しながら加熱することにおいては、ビアを形成することに加えて、導体パターンとビアとの間に、Cu元素とビア形成材料を構成する金属元素とを含む拡散層(28)を形成し、
ビア形成材料を充填することにおいては、拡散層が形成されても、ビアが所定の金属組成となるように、ビア形成材料が含む複数の金属粒子の組成比を調整する。
図1、2を用いて、本実施形態の多層基板の製造方法について説明する。
第1実施形態では、ビアホール20を形成する工程において、Ni層16を除去していた。これに対して、本実施形態では、ビアホール20を形成する工程と、Ni層16を除去する工程とを別々に行う。
(1)上記した各実施形態では、導体パターン18は、Cu元素の純金属で構成されていたが、これに限定されない。導体パターン18は、Cu元素で少なくとも構成されていればよい。
上記各実施形態の一部または全部で示された第1の観点によれば、多層基板の製造方法は、ビア形成材料を充填するときよりも前までの期間内に、導体パターンのうち底となる範囲に位置する表面金属層を除去することを備える。積層体を加圧しながら加熱することにおいては、ビアを形成することに加えて、導体パターンとビアとの間に、Cu元素とビア形成材料を構成する金属元素とを含む拡散層を形成する。
16 Ni層
18 導体パターン
20 ビアホール
22 導電ペースト
24 積層体
26 ビア
28 拡散層
Claims (5)
- 多層基板の製造方法であって、
一面(12a)とその反対側の他面(12b)とを有し、前記一面と前記他面のうち前記一面のみに導体パターン(18)が形成された絶縁基材(12)を用意することと、
前記絶縁基材を用意した後、前記絶縁基材に対して、前記他面側に開口を有するとともに前記導体パターンを底とするビアホール(20)を形成することと、
前記ビアホールを形成した後、前記ビアホールの内部に、複数の金属粒子を含むビア形成材料(22)を充填することと、
前記ビア形成材料を充填した後、前記絶縁基材を複数枚積層して積層体(24)を形成することと、
前記積層体を形成した後、前記積層体を加圧しながら加熱することで、複数枚の前記絶縁基材を一体化させるとともに、前記複数の金属粒子を焼結させてビア(26)を形成することとを備え、
前記絶縁基材を用意することにおいては、前記導体パターンはCu元素で少なくとも構成され、かつ、前記導体パターンの前記絶縁基材側の表面に、Cu元素および前記ビア形成材料を構成する金属元素と比較して活性化エネルギーが高い金属元素で少なくとも構成された表面金属層(16)を有する前記絶縁基材を用意し、
さらに、前記ビアホールを形成するときを含み、前記ビアホールを形成するときから前記ビア形成材料を充填するときよりも前までの期間内に、前記導体パターンのうち前記底となる範囲に位置する前記表面金属層を除去することを備え、
前記積層体を加圧しながら加熱することにおいては、前記ビアを形成することに加えて、前記導体パターンと前記ビアとの間に、Cu元素と前記ビア形成材料を構成する金属元素とを含む拡散層(28)を形成し、
前記ビア形成材料を充填することにおいては、前記拡散層が形成されても、前記ビアが所定の金属組成となるように、前記ビア形成材料が含む前記複数の金属粒子の組成比を調整する、多層基板の製造方法。 - 前記ビア形成材料を充填することにおいては、前記複数の金属粒子として、複数のAg粒子と複数のSn粒子とを用い、
前記積層体を加圧しながら加熱することにおいては、前記拡散層として、Cu元素とSn元素とを含む層を形成する請求項1に記載の多層基板の製造方法。 - 前記ビア形成材料を充填することにおいては、前記複数の金属粒子として、複数のAg粒子を用い、
前記積層体を加圧しながら加熱することにおいては、前記拡散層として、Cu元素とAg元素とを含む層を形成する請求項1に記載の多層基板の製造方法。 - 前記ビア形成材料を充填することにおいては、前記複数の金属粒子として、複数のCu粒子と複数のSn粒子を用い、
前記積層体を加圧しながら加熱することにおいては、前記拡散層として、Cu元素とSn元素とを含む層を形成する請求項1に記載の多層基板の製造方法。 - 前記絶縁基材を用意することにおいては、前記表面金属層として、Ni、Co、P、WおよびMoから選ばれる1種以上の金属元素で構成された層を用いる請求項2ないし4のいずれか1つに記載の多層基板の製造方法。
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