JP5181702B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
1 コア基板
2a 実装用ランド
2b ビアランド
2b1 乱反射面
2b2 凸部
2b3 球面部
7 回路部品
10 樹脂層
11 ビアホール
11a 拡径部
12 導電性ペースト
13a ビアランド
Claims (5)
- 基材上に、乱反射加工が施されたビアランドを含む配線パターンを形成する工程と、
前記基材上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層にレーザーを照射することにより前記ビアランドに至るビアホールを形成すると同時に、前記ビアランドでレーザーを前記ビアホールの内壁に向かって乱反射させることにより、前記ビアホールの底部を拡径させる工程と、
前記ビアホールに導電部を形成し、当該導電部を前記ビアランドと導通させる工程と、を備え、
前記ビアランドは前記樹脂層に向かって凸形状を有していることを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記ビアランドは球面状であることを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。
- 前記導電部は、前記ビアホールおよび前記拡径部に導電材料を充填することにより形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の配線基板の製造方法。
- 前記導電部は、前記ビアホールおよび前記拡径部の表面に導電性めっきを施すことにより形成され、その後、前記ビアホール及び前記拡径部に樹脂材料が充填されることを特徴とする請求項1又は2に記載の配線基板の製造方法。
- 前記樹脂層を形成する工程の前に、前記基材上の配線パターンに回路部品を実装する工程を有し、
前記樹脂層を形成する工程において、前記基材上に未硬化の樹脂層を圧着することにより、前記樹脂層に前記回路部品を埋設することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法。
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