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Abstract
Description
、アモルファスシリコン、多結晶シリコンによって作製されている。アモルファスシリコ
ンを用いた薄膜トランジスタは、電界効果移動度が低いもののガラス基板の大面積化に対
応することができ、一方、多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタは電界効果移動度は
高いものの、レーザアニール等の結晶化工程が必要であり、ガラス基板の大面積化には必
ずしも適応しないといった特性を有している。
スに応用する技術が注目されている。例えば、酸化物半導体膜として酸化亜鉛(ZnO)
や、In−Ga−Zn−O系酸化物半導体を用いて薄膜トランジスタを作製し、画像表示
装置のスイッチング素子などに用いる技術が特許文献1及び特許文献2で開示されている
。
いた薄膜トランジスタよりも動作速度が速く、多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタ
よりも製造工程が簡単であるといった特性を有している。すなわち、酸化物半導体を用い
ることによって、300℃以下の低温であっても、電界効果移動度が高い薄膜トランジス
タを作製することが可能である。
切な構成を備えた保護回路等が必要となる。また、酸化物半導体を用いた表示装置の信頼
性を保証することが重要となってくる。
の表示装置において、保護回路の機能を高め動作の安定化を図ることを目的の一とする。
表示装置である。この非線形素子は酸素の含有量が異なる酸化物半導体を組み合わせて構
成されている。
れ、画素電極がマトリクス状に配列する画素部と、該画素部の外側領域に酸化物半導体で
形成された非線形素子を有する表示装置である。画素部は、第1酸化物半導体層にチャネ
ル形成領域が形成される薄膜トランジスタを有する。画素部の薄膜トランジスタは、走査
線と接続するゲート電極と、信号線と接続し第1酸化物半導体層に接する第1配線層と、
画素電極と接続し第1酸化物半導体層に接する第2配線層とを有する。また、基板の周辺
部に配設される信号入力端子と画素部の間には非線形素子が設けられている。非線形素子
は、ゲート電極及び該ゲート電極を被覆するゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上においてゲ
ート電極と端部が重畳し、導電層と第2酸化物半導体層が積層された一対の第1配線層及
び第2配線層と、少なくともゲート電極と重畳しゲート絶縁層と該第1配線層及び該第2
配線層における導電層の側面部と第2酸化物半導体層の側面部及び上面部と接する第1酸
化物半導体層とを有している。非線形素子のゲート電極は走査線又は信号線と接続され、
非線形素子の第1配線層又は第2配線層が、ゲート電極の電位が第1配線層又は第2配線
層に印加されるように第3配線層によってゲート電極に接続されている。
れ、画素電極がマトリクス状に配列する画素部と、該画素部の外側領域に保護回路を有す
る表示装置である。画素部は、第1酸化物半導体層にチャネル形成領域が形成される薄膜
トランジスタを有している。画素部の薄膜トランジスタは、走査線と接続するゲート電極
と、信号線と接続し第1酸化物半導体層に接する第1配線層と、画素電極と接続し第1酸
化物半導体層に接する第2配線層とを有している。また、画素部の外側領域には、走査線
と共通配線を接続する保護回路と、信号線と共通配線を接続する保護回路とが設けられて
いる。保護回路は、ゲート電極及び該ゲート電極を被覆するゲート絶縁層と、ゲート絶縁
層上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層と第2酸化物半導体層が積層された一対
の第1配線層及び第2配線層と、少なくともゲート電極と重畳しゲート絶縁層と該第1配
線層及び該第2配線層における導電層の側面部と第2酸化物半導体層の側面部及び上面部
と接する第1酸化物半導体層とを有する非線形素子を有している。また、非線形素子のゲ
ート電極と、第1配線層又は第2配線層が第3配線層によって接続されている。
れている。すなわち、第1酸化物半導体層は酸素過剰型であり、第2酸化物半導体層は酸
素欠乏型である。第1酸化物半導体層の電気伝導度は第2酸化物半導体層の電気伝導度よ
りも低いものである。第1酸化物半導体層は非晶質構造であり、第2酸化物半導体層は非
晶質構造の中にナノクリスタルを含まれる場合がある。
示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称
を示すものではない。
た半導体膜を「IGZO半導体膜」、半導体層を「IGZO半導体層」とも記す。
より、保護回路として適した構造を有する表示装置を得ることができる。非線形素子の第
1酸化物半導体層と配線層との接続構造において、第1酸化物半導体層よりも電気伝導度
が高い第2酸化物半導体層と接合する領域を設けることで、金属配線のみの場合に比べて
、安定動作をさせることが可能となる。それにより保護回路の機能を高め動作の安定化を
図ることができる。
発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形
態及び詳細をさまざまに変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本
発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。以下に説明
する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。
本形態は、画素部とその周辺に非線形素子を含む保護回路が形成された表示装置の一態様
を図面を参照して説明する。
及び画素部の位置関係を説明する図である。絶縁表面を有する基板10上に走査線13と
信号線14が交差して画素部17が構成されている。
線13と信号線14に接続する画素トランジスタ19、保持容量部20、画素電極21を
含んで構成されている。
と接続し、他方の電極が容量線22と接続する場合を示している。また、画素電極21は
表示素子(液晶素子、発光素子、コントラスト媒体(電子インク)など)を駆動する一方
の電極を構成する。これらの表示素子の他方の電極は共通端子23に接続される。
ている。本形態では複数の保護回路を配設して、走査線13、信号線14及び容量バス線
27に静電気等によりサージ電圧が印加され、画素トランジスタ19などが破壊されない
ように構成されている。そのため、保護回路にはサージ電圧が印加されたときに、共通配
線29又は共通配線28に電荷を逃がすように構成されている。
7側に保護回路26を配設する例を示している。尤も、保護回路の構成はこれに限定され
ない。
線形素子30及び非線形素子31によって構成されている。非線形素子30及び非線形素
子31は、ダイオードのような二端子素子又はトランジスタのような三端子素子で構成さ
れる。例えば、非線形素子は画素部の画素トランジスタと同じ工程で形成することも可能
であり、例えば非線形素子のゲート端子とドレイン端子を接続することによりダイオード
と同様の特性を持たせることができる。
第2端子(ソース)は共通配線29に接続されている。また、非線形素子31の第1端子
(ゲート)と第3端子(ドレイン)は共通配線29に接続され、第2端子(ソース)は走
査線13に接続されている。すなわち、図2で示す保護回路は、走査線13に対して二つ
のトランジスタのそれぞれが、整流方向を互いに逆向きにして、走査線13と共通配線2
9を接続する構成である。言い換えると、走査線13と共通配線29の間に、整流方向が
走査線13から共通配線29に向かうトランジスタと整流方向が共通配線29から走査線
13に向かうトランジスタを接続する構成である。
電した場合、その電荷を打ち消す方向に電流が流れる。例えば、走査線13が正に帯電し
た場合は、その正電荷を共通配線29に逃がす方向に電流が流れる。この動作により、帯
電した走査線13に接続している画素トランジスタ19の静電破壊又はしきい値電圧のシ
フトを防止することができる。また、帯電している走査線13と絶縁層を介して交差する
他の配線との間で、絶縁膜の絶縁破壊を防止することができる。
9に第1端子(ゲート)を接続した非線形素子31、すなわち整流方向が逆向きの二個一
組の非線形素子を用い、それぞれの第2端子(ソース)と第3端子(ドレイン)で共通配
線29と走査線13を並列に接続している。他の構成として、さらに並列して接続する非
線形素子を付加して、保護回路の動作安定性を高めても良い。例えば、図3は走査線13
と共通配線29との間に設けられた、非線形素子30aと非線形素子30b及び非線形素
子31aと非線形素子31bにより構成される保護回路を示す。この保護回路は、共通配
線29に第1端子(ゲート)を接続した二つの非線形素子(30b、31b)と、走査線
13に第1端子(ゲート)を接続した二つの非線形素子(30a、31a)の計四つの非
線形素子を用いている。すなわち、整流方向が互いに逆向きになるよう2つの非線形素子
を接続した一組を、共通配線29と走査線13の間に二組接続している。言い換えると、
走査線13と共通配線29の間に、整流方向が走査線13から共通配線29に向かう2つ
のトランジスタと、整流方向が共通配線29から走査線13に向かう2つのトランジスタ
を接続する構成である。このように、共通配線29と走査線13を四つの非線形素子で接
続することで、走査線13にサージ電圧が印加された場合のみならず、共通配線29静電
気等により帯電した場合であっても、その電荷がそのまま走査線13に流れ込んでしまう
のを防止することができる。なお、図28に、4つの非線形素子740a、740b、7
40c、740dを基板上に配置する場合の一態様を等価回路図と共に示す。また、図2
8において650は走査線、651は共通配線を示す。
図27(A)に、等価回路を図27(B)に示す。この回路では非線形素子730cに対
し、非線形素子730b、非線形素子730aがスイッチング素子として接続している。
このように非線形素子を直列に接続することで、保護回路を構成する非線形素子に加わる
瞬間的な負荷を分散できる。なお、図27において650は走査線、651は共通配線を
示す。
側においても適用することができる。
、図4(A)中に示されるQ1−Q2切断線に対応した断面図を図5に示す。以下の説明
では図4及び図5を参照して保護回路の一構成例を説明する。
15及びゲート電極16を有している。ゲート電極15及びゲート電極16上にはゲート
絶縁層37が形成されている。ゲート絶縁層37上にはゲート電極15上で相対するよう
に第1配線層38及び第2配線層39が設けられている。なお、非線形素子30a及び非
線形素子30bは主要部において同じ構成を有している。
ように設けられている。すなわち第1酸化物半導体層36は、ゲート電極15と重畳し、
ゲート絶縁層37、第1配線層38及び第2配線層39における導電層41の側面部と第
2酸化物半導体層40の側面部及び上面部と接するように設けられている。ここで、第1
配線層38及び第2配線層39は、ゲート絶縁層37側から導電層41と第2酸化物半導
体層40とが積層された構成を有している。ゲート絶縁層37は、酸化シリコン又は酸化
アルミニウムなどの酸化物で形成される。
ている。換言すれば、第1酸化物半導体層36は酸素過剰型であり、第2酸化物半導体層
40は酸素欠乏型である。第1酸化物半導体層36の酸素濃度を高めることでドナー型欠
陥を低減させることができ、キャリアのライフタイムや移動度が向上するといった効果が
得られる。一方、第2酸化物半導体層40は、酸素濃度を第1酸化物半導体層36と比べ
て低くすることでキャリア濃度を高めることができ、ソース領域及びドレイン領域を形成
するために利用することができる。
導体層40は非晶質構造の中にナノクリスタルが含まれている場合がある。そして、第1
酸化物半導体層36は第2酸化物半導体層40よりも電気伝導度が低いという特性を有し
ている。それゆえ、本形態の非線形素子30a及び非線形素子30bにおいて第1配線層
38及び第2配線層39の構成要素として用いられる第2酸化物半導体層40は、トラン
ジスタのソース領域及びドレイン領域と同様の機能を発現する。
酸化亜鉛(ZnO)又は、In、Ga、及びZnを含む酸化物半導体材料によって形成さ
れる。
層36は第1酸化物半導体層36よりも電気伝導度が高い第2酸化物半導体層40と接し
て設けられる。上記のように物性の異なる酸化物半導体層同士の接合構造を非線形素子3
0a及び非線形素子30bに設けることにより、第1配線層38及び第2配線層39が金
属層のみである場合に形成されるショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能
となる。すなわち、金属配線のみの場合に比べて、熱的安定性が増し、安定動作をさせる
ことが可能となる。それにより保護回路の機能を高め動作の安定化を図ることができる。
また、接合リークが低減し、非線形素子30a及び非線形素子30bの特性を向上させる
ことができる。
層に第2酸化物半導体層40を設け、該第2酸化物半導体層40の上面部と第1酸化物半
導体層36が接する構造とすることで、接合部の面積が増大し、非線形素子30aの電流
が流れやすくなる作用がある。それにより、非線形素子30aを保護回路に用いた場合、
信号線等にサージ電圧が印加されても、帯電した電荷をより速く共通配線に流してしまう
ことができる。
化シリコン又は酸化アルミニウムなどの酸化物で形成される。また、酸化シリコン又は酸
化アルミニウム上に窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化窒化シリコン又は酸化窒化ア
ルミニウムを積層することで、保護膜としてより機能を高めることができる。
、第1酸化物半導体層36から酸素が引き抜かれ、酸素欠乏型に変質してしまうことを防
ぐことができる。また、第1酸化物半導体層36が窒化物による絶縁層と直接的に接しな
い構成とすることで、窒化物中の水素が拡散して第1酸化物半導体層36に水酸基などに
起因する欠陥を生成するのを防ぐことができる。
形成される走査線13と、非線形素子30aの第三端子(ドレイン)とが接続される。こ
の接続は、画素部の画素電極と同じ材料で形成される第3配線層44で形成される。第3
配線層44は、酸化インジウム・ズズ(ITO:indium tin oxide)、
酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)などの透明電極を形成する材料で形成される
。これにより第3配線層44は、金属材料で形成される配線と比べて高抵抗化することに
なる。このような抵抗成分を含む配線を保護回路に含ませることで、過大な電流が流れて
非線形素子30aが破壊されるのを防ぐことができる。
路を信号線、容量バス線などに適用することができる。
ることにより、保護回路として適した構造を有する表示装置を得ることができる。そして
酸化物半導体用いた非線形素子により保護回路の機能を高め動作の安定化を図ることがで
きる。
本実施の形態は、実施の形態1において図4(A)に示した保護回路の作製工程の一様態
を図6及び図7を参照して説明する。図6及び図7は図4(A)中のQ1−Q2切断線に
対応した断面図を表している。
ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス及びアルミノシリケートガラスなどのガラス基板を用
いることができる。例えば、成分比としてホウ酸(B2O3)よりも酸化バリウム(Ba
O)を多く含み、歪み点が730℃以上のガラス基板を用いると好ましい。酸化物半導体
層を700℃程度の高温で熱処理する場合でも、ガラス基板が歪まないで済むからである
。
、レジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去して配線及び電極(ゲー
ト電極101を含むゲート配線、容量配線、及び端子)を形成する。このとき少なくとも
ゲート電極101の端部にテーパー形状が形成されるようにエッチングする。また、ゲー
ト電極101と同じ層で走査線108を形成する。
や銅(Cu)などの低抵抗導電性材料で形成することが望ましいが、Al単体では耐熱性
が劣り、また腐蝕しやすい等の問題点があるので耐熱性導電性材料と組み合わせて形成す
る。耐熱性導電性材料としては、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、タングステン(W
)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、Nd(ネオジム)から選ばれた元素、または
上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜、または上述した
元素を成分とする窒化物で形成する。なお、この段階の断面図を図6(A)に示す。
2はスパッタ法などを用い、膜厚を50〜250nmとする。
の厚さで形成する。勿論、ゲート絶縁層102はこのような酸化シリコン膜に限定される
ものでなく、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化タンタル
膜などの他の絶縁膜を用い、これらの材料から成る単層または積層構造として形成しても
良い。
する。導電膜の材料としては、Al、Cr、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素、ま
たは上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜等が挙げられ
る。ここでは、導電膜としてTi膜と、そのTi膜上に重ねてアルミニウム(Al)膜を
積層し、さらにその上にTi膜を成膜する3層構造とする。また、導電膜は、2層構造と
してもよく、アルミニウム膜上にチタン膜を積層してもよい。また、導電膜は、シリコン
を含むアルミニウム膜の単層構造や、チタン膜の単層構造としてもよい。
、酸化インジウム(In2O3)と、酸化ガリウム(Ga2O3)と、酸化亜鉛(ZnO
)の組成比を1:1:1(=In2O3:Ga2O3:ZnO)としたターゲットを用い
、成膜室の圧力を0.4Paとし、電力を500Wとし、成膜温度を室温とし、アルゴン
ガス流量40sccmを導入してスパッタ成膜を行う。これにより、第2酸化物半導体膜
として、In、Ga、Zn及び酸素を成分とする半導体膜が形成される。組成比を1:1
:1(=In2O3:Ga2O3:ZnO)としたターゲットを意図的に用いているにも
関わらず、成膜直後で大きさ1nm〜10nmの結晶粒を含む酸化物半導体膜がしばしば
形成される。なお、ターゲットの成分比、成膜圧力(0.1Pa〜2.0Pa)、電力(
250W〜3000W:8インチφ)、温度(室温〜100℃)など、反応性スパッタの
成膜条件を適宜調節することで結晶粒の有無や、結晶流の密度や、直径サイズは、1nm
〜10nmの範囲で調節されうると言える。第2酸化物半導体膜の膜厚は、5nm〜20
nmとする。勿論、膜中に結晶粒が含まれる場合、含まれる結晶粒のサイズが膜厚を超え
る大きさとならない。本実施の形態では第2酸化物半導体膜の膜厚は、5nmとする。
るガス並びに設置するターゲットを適宣切り替えることにより、ゲート絶縁層、導電膜、
及び第2酸化物半導体膜を、大気に触れることなく連続成膜すると、不純物の混入を防止
することができる。また、大気に触れることなく連続成膜する場合、マルチチャンバー方
式の製造装置を用いることが好ましい。
導体膜をエッチングする。ここではITO07N(関東化学社製)を用いたウェットエッ
チングにより、不要な部分を除去して第2酸化物半導体層111a、111bを形成する
。なお、ここでのエッチングは、ウェットエッチングに限定されずドライエッチングを用
いてもよい。
グによりゲート絶縁層上の導電膜の不要な部分を除去してソース電極層105a及びドレ
イン電極層105bを形成する。この際のエッチング方法としてウェットエッチングまた
はドライエッチングを用いる。ここでは、SiCl4とCl2とBCl3の混合ガスを反
応ガスとしたドライエッチングにより、Ti膜とAl膜とTi膜を積層した導電膜をエッ
チングしてソース電極層105a及びドレイン電極層105bを形成する。なお、レジス
トマスクを除去した後の断面図を図6(B)に示す。
マを発生させる逆スパッタを行い、露出しているゲート絶縁層に酸素ラジカル又は酸素を
照射する。こうして、表面に付着しているゴミを除去し、さらにゲート絶縁層表面を酸素
過剰領域に改質する。ゲート絶縁層の表面に酸素ラジカル処理を行い、表面を酸素過剰領
域とすることは、その後の工程での信頼性向上のための熱処理(200℃〜600℃)に
おいて、第1酸化物半導体層界面の改質のための酸素の供給源を作る上で有効である。な
お、この段階での断面図を図6(C)に示す。
電極層105bの側面に酸化膜(図示しない)が形成されるが、本構造においてはソース
電極層105a及びドレイン電極層105bがチャネル形成領域と直接接する構造とする
のではないため問題ないと言える。むしろ、この酸化膜が形成されることにより、ソース
電極層105a及びドレイン電極層105bが第2酸化物半導体層からなるソース領域ま
たはドレイン領域を介してチャネル形成領域と電気的に接続する構造となる。また、ソー
ス電極層及びドレイン電極層上に第2酸化物半導体層からなるソース領域及びドレイン領
域を形成した後にプラズマ処理を行うので、ソース電極層及びドレイン電極層の露出して
いる端部しか酸化されない。他の領域は酸化されないため、ソース電極層及びドレイン電
極層を低抵抗に保つことができる。また、第2酸化物半導体層からなるソース領域及びド
レイン領域と第1半導体層との接触面積が広いため、ソース領域またはドレイン領域は半
導体層と電気的に良好な接続ができる。
プラズマ処理された基板を大気に曝すことなく第1酸化物半導体膜を成膜することにより
、ゲート絶縁層と半導体膜の界面にゴミや水分が付着する不具合を防ぐことができる。こ
こでは、直径8インチのIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体ターゲット(組成比と
して、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1)を用いて、基板とターゲットの間
との距離を170mm、圧力0.4Pa、直流(DC)電源0.5kW、酸素雰囲気下で
成膜する。なお、パルス直流(DC)電源を用いると、ごみが軽減でき、膜厚分布も均一
となるために好ましい。第1酸化物半導体膜の膜厚は、5nm〜200nmとする。本実
施の形態では第1酸化物半導体膜の膜厚は、100nmとする。
半導体膜と異なる組成を有し、一例として第2酸化物半導体膜中の酸素濃度より多くの酸
素を第1酸化物半導体膜中に含ませる。例えば、第2酸化物半導体膜の成膜条件における
酸素ガス流量のアルゴンガス流量に対する比よりも、第1酸化物半導体膜の成膜条件にお
ける酸素ガス流量の比を大きくする。具体的には、第2酸化物半導体膜の成膜条件は、希
ガス(アルゴン、又はヘリウムなど)雰囲気下(または酸素ガス10%以下、アルゴンガ
ス90%以上)とし、第1酸化物半導体膜の成膜条件は、酸素雰囲気下(又は酸素ガス流
量がアルゴンガス流量以上の混合ガス)とする。多くの酸素を第1酸化物半導体膜中に含
ませることによって、第2酸化物半導体膜よりも導電率を低くすることができる。また、
多くの酸素を第1酸化物半導体膜中に含ませることによってオフ電流の低減を図ることが
できるため、オン・オフ比の高い薄膜トランジスタを得ることができる。
いてもよいし、大気に曝すことなく成膜できるのであれば、先に逆スパッタを行ったチャ
ンバーと異なるチャンバーで成膜してもよい。
しい。ここでは炉に入れ、窒素雰囲気下で350℃、1時間の熱処理を行う。この熱処理
によりIGZO半導体膜の原子レベルの再配列が行われる。この熱処理によりキャリアの
移動を阻害する歪が解放されるため、ここでの熱処理(光アニールも含む)は重要である
。なお、熱処理を行うタイミングは、第1酸化物半導体膜の成膜後であれば特に限定され
ず、例えば画素電極形成後に行ってもよい。
より不要な部分を除去して第1酸化物半導体層103を形成する。ここではITO07N
(関東化学社製)を用いたウェットエッチングにより、第1酸化物半導体層103を形成
する。なお、第1酸化物半導体膜と第2酸化物半導体膜は同じエッチャントに溶解するた
め、ここでのエッチングにより第2酸化物半導体膜の一部が除去される。すなわち、レジ
ストマスクと第1酸化物半導体膜で覆われた第2酸化物半導体膜(IGZO半導体膜)は
保護されるが、露呈している第2酸化物半導体膜はエッチングされ、ソース領域104a
及び、ドレイン領域104bが形成される。なお、第1酸化物半導体層103のエッチン
グは、ウェットエッチングに限定されずドライエッチングを用いてもよい。レジストマス
クを除去して、以上の工程で第1酸化物半導体層103をチャネル形成領域とする非線形
素子30aが作製できる。この段階での断面図を図7(A)に示す。
ッタ法などを用いて得られる窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸
化アルミニウム膜、酸化タンタル膜などを用いることができる。
07をエッチングしてドレイン電極層105bに達するコンタクトホール125を形成す
る。さらに、同じレジストマスクを用いてゲート絶縁層102をエッチングしてゲート電
極に達するコンタクトホール126も形成すると、フォトマスクの数を削減できるため好
ましい。レジストマスクを除去し、この段階での断面図を図7(B)に示す。
形成できる。透明導電膜の材料としては、酸化インジウム(In2O3)や酸化インジウ
ム酸化スズ合金(In2O3―SnO2、ITOと略記する)などをスパッタ法や真空蒸
着法などを用いて形成する。このような材料のエッチング処理は塩酸系の溶液により行う
。しかし、特にITOのエッチングは残渣が発生しやすいので、エッチング加工性を改善
するために酸化インジウム酸化亜鉛合金(In2O3―ZnO)を用いても良い。このよ
うに透明導電膜をエッチングして第3配線層128を形成する。
より透明導電膜の不要な部分を除去して、図示していない画素部に画素電極を形成する。
縁層102及び保護絶縁膜107を誘電体として、容量配線と画素電極とで保持容量を形
成する。
子部に形成された透明導電膜を残す。透明導電膜はFPCとの接続に用いられる電極また
は配線や、ソース配線の入力端子として機能する接続用の端子電極などになる。
aのドレイン電極層105bと走査線108をコンタクトホール125および126を介
して接続する。
の非線形素子を有する(本実施の形態では、30aおよび30bの二つの非線形素子を有
する)保護回路を完成させることができる。また、本実施の形態によれば、非線形素子の
形成と共に、同様な方法で複数のTFTを作製できるので、ボトムゲート型のnチャネル
型TFTを有する画素部の作製と保護回路の作製を同時におこなうことができる。すなわ
ち、本実施の形態に示した工程に従えば、保護ダイオードを搭載したアクティブマトリク
ス型の表示装置用基板を作製することができる。
本実施の形態では、実施の形態1において図4(A)に示した保護回路を実施の形態2と
はことなる構造の非線形素子を用いて形成する。すなわち、ソース領域及びドレイン領域
をソース電極層及びドレイン電極層の上下に設ける非線形素子の例である。実施の形態2
と異なる構造を有する薄膜トランジスタ及びその作製工程について、図8及び図9を用い
て説明する。
には同じ符号を用い、同じ工程の繰り返しの説明は省略して以下に説明する。
ラフィー工程を行い、レジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去して
配線及び電極(ゲート電極101を含むゲート配線、容量配線、及び第1の端子)を形成
する。この段階での断面図が図8(A)である。
する。ゲート絶縁層102はスパッタ法などを用い、膜厚を50〜250nmとする。例
えば、ゲート絶縁層102としてスパッタ法により酸化シリコン膜を用い、110nmの
厚さで形成する。
酸化インジウム(In2O3)と、酸化ガリウム(Ga2O3)と、酸化亜鉛(ZnO)
の組成比を1:1:1(=In2O3:Ga2O3:ZnO)としたターゲットを用い、
成膜条件は、圧力を0.4Paとし、電力を500Wとし、成膜温度を室温とし、アルゴ
ンガス流量40sccmを導入してスパッタ成膜を行う。組成比を1:1:1(=In2
O3:Ga2O3:ZnO)としたターゲットを意図的に用いているにも関わらず、成膜
直後で大きさ1nm〜10nmの結晶粒を含むIGZO半導体膜が形成されることがある
。なお、ターゲットの成分比、成膜圧力(0.1Pa〜2.0Pa)、電力(250W〜
3000W:8インチφ)、温度(室温〜100℃)、反応性スパッタの成膜条件などを
適宜調節することで結晶粒の有無や、結晶粒の密度や、直径サイズは、1nm〜10nm
の範囲で調節されうると言える。第3酸化物半導体膜の膜厚は、5nm〜20nmとする
。勿論、膜中に結晶粒が含まれる場合、含まれる結晶粒のサイズが膜厚を超える大きさと
ならない。本実施の形態では第3酸化物半導体膜としてのIGZO半導体膜の膜厚は、5
nmとする。
する。導電膜の材料としては、Al、Cr、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素、ま
たは上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜等が挙げられ
る。ここでは、導電膜としてシリコンを含むアルミニウム膜の単層構造とする。また、導
電膜は、積層構造としてもよく、アルミニウム膜上にチタン膜を積層してもよい。また、
導電膜としてTi膜と、そのTi膜上に重ねてアルミニウム(Al)膜を積層し、さらに
その上にTi膜を成膜する3層構造としてもよい。
は、第3酸化物半導体膜と同じ成膜条件を用いて形成することができる。第3酸化物半導
体膜と同様な条件で成膜した第2酸化物半導体膜は、成膜直後で大きさ1nm〜10nm
の結晶粒を含むIGZO半導体膜が形成されることがある。第2酸化物半導体膜の膜厚は
、5nm〜20nmとする。本実施の形態では第2酸化物半導体膜の膜厚は、5nmとす
る。
、チャンバーに導入するガス並びに設置するターゲットを適宣切り替えることにより、ゲ
ート絶縁層、第3酸化物半導体膜、導電膜、及び第2酸化物半導体膜を大気に触れること
なく連続成膜することができる。大気に触れることなく連続成膜すると、不純物の混入を
防止することができる。大気に触れることなく連続成膜する場合、マルチチャンバー方式
の製造装置を用いることが好ましい。
を形成し、エッチングにより第3酸化物半導体膜、導電膜、及び第2酸化物半導体膜の不
要な部分を除去して第1のソース領域106a及び第1のドレイン領域106b、ソース
電極層105a及びドレイン電極層105b、第2酸化物半導体層111a、111bを
形成する。この際のエッチング方法としてウェットエッチングまたはドライエッチングを
用いる。ここでは、ITO07N(関東化学社製)を用いたウェットエッチングにより、
第2酸化物半導体層111a及び111bを形成した後、SiCl4とCl2とBCl3
の混合ガスを反応ガスとしたドライエッチングにより、シリコンを含むアルミニウム膜か
らなる導電膜をエッチングしてソース電極層105a及びドレイン電極層105bを形成
する。その後、同じレジストマスクを用いてITO07N(関東化学社製)を用いたウェ
ットエッチングにより、第1のソース領域106a及び第1のドレイン領域106bを形
成する。レジストマスクを除去した後の断面図を図8(B)に示す。
。また、端子部においては、第3酸化物半導体層が残存する。
マを発生させる逆スパッタを行い、露出しているゲート絶縁層に酸素ラジカル又は酸素を
照射する。こうして、表面に付着しているゴミを除去し、さらにゲート絶縁層表面を酸素
過剰領域に改質する。ゲート絶縁層の表面にプラズマ処理を行い、表面を酸素過剰領域と
することは、その後の工程での信頼性向上のための熱処理(200℃〜600℃)におい
て、第1酸化物半導体層界面の改質のための酸素の供給源を作る上で有効である。この段
階での断面図を図8(C)に示す。
a及び第1のドレイン領域106bが設けられているため、第1のソース領域106a及
び第1のドレイン領域106bが受けるプラズマダメージが低減される。また、ソース電
極層105a及びドレイン電極層105bの上に第2酸化物半導体層111a及び111
bが設けられているため、ソース電極層105a及びドレイン電極層105bの酸化によ
る配線抵抗の増大を抑えることができる。
電極層105bの側面は酸化膜(図示しない)が形成されるが、本構造においてはソース
電極層105a及びドレイン電極層105bがチャネル形成領域と直接接する構造ではな
いため問題ないと言える。むしろ、この酸化膜の存在により、ソース電極層105a及び
ドレイン電極層105bがソース領域またはドレイン領域を介してチャネル形成領域と電
気的に接続する構造となる。
プラズマ処理された基板を大気に曝すことなく第1酸化物半導体膜を成膜することにより
、ゲート絶縁層と半導体膜の界面にゴミや水分が付着する不具合を防ぐことができる。こ
こでは、直径8インチのIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体ターゲット(組成比と
して、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1)を用いて、基板とターゲットの間
との距離を170mm、圧力0.4Pa、直流(DC)電源0.5kW、酸素雰囲気下で
成膜する。なお、パルス直流(DC)電源を用いると、ごみが軽減でき、膜厚分布も均一
となるために好ましい。第1酸化物半導体膜の膜厚は、5nm〜200nmとする。本実
施の形態では第1酸化物半導体膜の膜厚は、100nmとする。
2及び第3酸化物半導体膜と異なる組成を有し、一例として第2及び第3酸化物半導体膜
の膜中の酸素濃度より多くの酸素を第1酸化物半導体膜中に含ませる。例えば、第2及び
第3酸化物半導体膜の成膜雰囲気に占める酸素ガスの比率よりも第1酸化物半導体膜の成
膜雰囲気に占める酸素ガスの比率が高い条件とする。
ムなど)雰囲気下(または酸素ガス10%以下、アルゴンガス90%以上)とし、第1酸
化物半導体膜の成膜条件は、酸素雰囲気下(又は酸素ガス流量がアルゴンガス流量以上で
あって、その比が1:1以上)とする。
第2及び第3酸化物半導体膜としてのIGZO半導体膜よりも導電率を低くすることがで
きる。また、多くの酸素を第1酸化物半導体膜としてのIGZO半導体膜中に含ませるこ
とによってオフ電流の低減を図ることができる。その結果、オン・オフ比の高い薄膜トラ
ンジスタを得ることができる。
いてもよいし、大気に曝すことなく成膜できるのであれば、先に逆スパッタを行ったチャ
ンバーと異なるチャンバーで成膜してもよい。
しい。ここでは炉に入れ、窒素雰囲気下で350℃、1時間の熱処理を行う。この熱処理
によりIGZO半導体膜の原子レベルの再配列が行われる。この熱処理によりキャリアの
移動を阻害する歪が解放されるため、ここでの熱処理(光アニールも含む)は重要である
。なお、熱処理を行うタイミングは、第1酸化物半導体膜の成膜後であれば特に限定され
ず、例えば画素電極形成後に行ってもよい。
より不要な部分を除去して第1酸化物半導体層103を形成する。ここではITO07N
(関東化学社製)を用いたウェットエッチングにより、第1酸化物半導体膜の不要な部分
を除去して第1酸化物半導体層103を形成する。なお、第1酸化物半導体膜、第2酸化
物半導体膜、及び第3酸化物半導体膜は同じエッチャントに溶解するため、ここでのエッ
チングにより第2酸化物半導体膜の一部及び第3酸化物半導体膜の一部が除去される。レ
ジストマスクと第1酸化物半導体膜で覆われ、残存した第2酸化物半導体膜は、第2のソ
ース領域104a、及び第2のドレイン領域104bとなる。また、第3酸化物半導体膜
の第1酸化物半導体膜で覆われた側面は保護されるが、図9(A)に示すように、第3酸
化物半導体膜のもう一方の側面は露呈しているため、若干エッチングされて端面の形状が
変化する。なお、第1酸化物半導体層103のエッチングは、ウェットエッチングに限定
されずドライエッチングを用いてもよい。以上の工程で第1酸化物半導体層103をチャ
ネル形成領域とする非線形素子30aが作製できる。この段階での断面図を図9(A)に
示す。
態2と同一であるため、ここでは簡略な説明のみとする。
クを形成し、保護絶縁膜107のエッチングによりコンタクトホール125及び126を
形成する。レジストマスクを除去した後の断面図を図9(B)に示す。
スクを形成する。エッチングにより透明導電膜の不要な部分を除去して図示されていない
画素電極を形成する。
aのドレイン電極層105bと走査線108をコンタクトホール125および126を介
して接続する。この段階での断面図を図9(C)に示す。
の非線形素子を有する(本実施の形態では、30aおよび30bの二つの非線形素子を有
する)保護回路を完成させることができる。また、本実施の形態によれば、非線形素子の
形成と共に、同様な方法で複数のTFTを作製できるので、ボトムゲート型のnチャネル
型TFTを有する画素部の作製と保護回路の作製を同時におこなうことができる。すなわ
ち、本実施の形態に示した工程に従えば、薄膜の剥がれに起因する保護回路の不良の少な
い保護ダイオードを搭載したアクティブマトリクス型の表示装置用基板を作製することが
できる。
ン領域106bの接着は良好であり、薄膜の剥がれが生じにくい。すなわち、ゲート絶縁
層102に接してアルミニウムなどの金属配線を直接形成する場合に比べて、ソース電極
層105a及びドレイン電極層105bの密着性が向上するので、薄膜の剥がれに起因す
る保護回路の不良を防止することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様を適用した表示装置として、保護回路と画素部に配置
するTFTを同一基板上に有する電子ペーパーの例を示す。
ペーパーを示す。表示装置に用いられる薄膜トランジスタ581としては、実施の形態2
で示す非線形素子と同様に作製できる。薄膜トランジスタ581は、プラズマ処理された
ゲート絶縁層と、酸素欠乏のIGZO半導体膜からなるソース領域及びドレイン領域と、
ソース領域及びドレイン領域に接するソース電極層及びドレイン電極層と、ソース領域及
びドレイン領域に接する酸素過剰のIGZO半導体層を有する電気特性の高い薄膜トラン
ジスタである。
トボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層であ
る第1の電極層及び第2の電極層の間に配置し、第1の電極層及び第2の電極層に電位差
を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。
はドレイン電極層が第1の電極層587と、絶縁層585に形成される開口で接して電気
的に接続している。第1の電極層587と第2の電極層588との間には黒色領域590
aと白色領域590bと、黒色領域590aと白色領域590bの周りに設けられ液体で
満たされているキャビティ594とを有する球形粒子589が設けられており、球形粒子
589の周囲は樹脂等の充填材595で充填されている(図10参照。)。なお、図10
において580は基板、583は層間絶縁層、584は保護膜、596は基板である。
と、正に帯電した白い微粒子と負に帯電した黒い微粒子とを封入した直径10μm〜20
0μm程度のマイクロカプセルを用いる。第1の電極層と第2の電極層との間に設けられ
るマイクロカプセルは、第1の電極層と第2の電極層によって、電場が与えられると、白
い微粒子と、黒い微粒子が逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる。この
原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子であり、一般的に電子ペーパーとよばれてい
る。電気泳動表示素子は、液晶表示素子に比べて反射率が高いため、補助ライトは不要で
あり、また消費電力が小さく、薄暗い場所でも表示部を認識することが可能である。また
、表示部に電源が供給されない場合であっても、一度表示した像を保持することが可能で
ある。従って、例えば電源供給源となる電波発信源から表示機能付き半導体装置(単に表
示装置、又は表示装置を具備する半導体装置ともいう)を遠ざけた場合であっても、表示
された像を保存しておくことが可能となる。
り、保護回路として適した構造を有する表示装置を得ることができる。非線形素子の第1
酸化物半導体層と配線層との接続構造において、第1酸化物半導体層よりも電気伝導度が
高い第2酸化物半導体層と接合する領域を設けることで、金属配線のみの場合に比べて、
安定動作をさせることが可能となる。それにより保護回路の機能を高め動作の安定化を図
ることができる。このように、本実施の形態によれば、表示装置として信頼性の高い電子
ペーパーを作製することができる。また、実施の形態3と同様の構成を用いることにより
薄膜の剥がれに起因する不良が起こりにくい非線形素子からなる保護回路を搭載した信頼
性の高い表示装置を作製することができる。
ある。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置の一例である表示装置において、同一基
板上に少なくとも保護回路と、駆動回路の一部と、画素部に配置する薄膜トランジスタを
作製する例について以下に説明する。
成する。また、形成した薄膜トランジスタはnチャネル型TFTであるため、駆動回路の
うち、nチャネル型TFTで構成することができる駆動回路の一部を画素部の薄膜トラン
ジスタと同一基板上に形成する。
ク図の一例を図11(A)に示す。図11(A)に示す表示装置は、基板5300上に表
示素子を備えた画素を複数有する画素部5301と、各画素を選択する走査線駆動回路5
302と、選択された画素へのビデオ信号の入力を制御する信号線駆動回路5303とを
有する。
線S1〜Sm(図示せず。)により信号線駆動回路5303と接続され、走査線駆動回路
5302から行方向に伸張して配置された複数の走査線G1〜Gn(図示せず。)により
走査線駆動回路5302と接続され、信号線S1〜Sm並びに走査線G1〜Gnに対応し
てマトリクス状に配置された複数の画素(図示せず。)を有する。そして、各画素は、信
号線Sj(信号線S1〜Smのうちいずれか一)、走査線Gi(走査線G1〜Gnのうち
いずれか一)と接続される。
は、nチャネル型TFTであり、nチャネル型TFTで構成する信号線駆動回路について
図12を用いて説明する。
02_M、第1の配線5611、第2の配線5612、第3の配線5613及び配線56
21_1〜5621_Mを有する。スイッチ群5602_1〜5602_Mそれぞれは、
第1の薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3の薄膜
トランジスタ5603cを有する。
及び配線5621_1〜5621_Mに接続される。そして、スイッチ群5602_1〜
5602_Mそれぞれは、第1の配線5611、第2の配線5612、第3の配線561
3及びスイッチ群5602_1〜5602_Mそれぞれに対応した配線5621_1〜5
621_Mに接続される。そして、配線5621_1〜5621_Mそれぞれは、第1の
薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3の薄膜トラン
ジスタ5603cを介して、3つの信号線に接続される。例えば、J列目の配線5621
_J(配線5621_1〜配線5621_Mのうちいずれか一)は、スイッチ群5602
_Jが有する第1の薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜トランジスタ5603b及
び第3の薄膜トランジスタ5603cを介して、信号線Sj−1、信号線Sj、信号線S
j+1に接続される。
号が入力される。
、スイッチ群5602_1〜5602_Mは、画素部と同一基板上に形成されていること
が望ましい。したがって、ドライバIC5601とスイッチ群5602_1〜5602_
MとはFPCなどを介して接続するとよい。
照して説明する。なお、図13のタイミングチャートは、i行目の走査線Giが選択され
ている場合のタイミングチャートを示している。さらに、i行目の走査線Giの選択期間
は、第1のサブ選択期間T1、第2のサブ選択期間T2及び第3のサブ選択期間T3に分
割されている。さらに、図12の信号線駆動回路は、他の行の走査線が選択されている場
合でも図13と同様の動作をする。
スタ5603a、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3の薄膜トランジスタ560
3cを介して、信号線Sj−1、信号線Sj、信号線Sj+1に接続される場合について
示している。
1の薄膜トランジスタ5603aのオン・オフのタイミング5703a、第2の薄膜トラ
ンジスタ5603bのオン・オフのタイミング5703b、第3の薄膜トランジスタ56
03cのオン・オフのタイミング5703c及びJ列目の配線5621_Jに入力される
信号5721_Jを示している。
択期間T2及び第3のサブ選択期間T3において、それぞれ別のビデオ信号が入力される
。例えば、第1のサブ選択期間T1において配線5621_Jに入力されるビデオ信号は
信号線Sj−1に入力され、第2のサブ選択期間T2において配線5621_Jに入力さ
れるビデオ信号は信号線Sjに入力され、第3のサブ選択期間T3において配線5621
_Jに入力されるビデオ信号は信号線Sj+1に入力される。さらに、第1のサブ選択期
間T1、第2のサブ選択期間T2及び第3のサブ選択期間T3において、配線5621_
Jに入力されるビデオ信号をそれぞれData_j−1、Data_j、Data_j+
1とする。
aがオンし、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3の薄膜トランジスタ5603c
がオフする。このとき、配線5621_Jに入力されるData_j−1が、第1の薄膜
トランジスタ5603aを介して信号線Sj−1に入力される。第2のサブ選択期間T2
では、第2の薄膜トランジスタ5603bがオンし、第1の薄膜トランジスタ5603a
及び第3の薄膜トランジスタ5603cがオフする。このとき、配線5621_Jに入力
されるData_jが、第2の薄膜トランジスタ5603bを介して信号線Sjに入力さ
れる。第3のサブ選択期間T3では、第3の薄膜トランジスタ5603cがオンし、第1
の薄膜トランジスタ5603a及び第2の薄膜トランジスタ5603bがオフする。この
とき、配線5621_Jに入力されるData_j+1が、第3の薄膜トランジスタ56
03cを介して信号線Sj+1に入力される。
、1ゲート選択期間中に1つの配線5621から3つの信号線にビデオ信号を入力するこ
とができる。したがって、図12の信号線駆動回路は、ドライバIC5601が形成され
る基板と、画素部が形成されている基板との接続数を信号線の数に比べて約1/3にする
ことができる。接続数が約1/3になることによって、図12の信号線駆動回路は、信頼
性、歩留まりなどを向上できる。
択期間それぞれにおいて、ある1つの配線から複数の信号線それぞれにビデオ信号を入力
することができれば、薄膜トランジスタの配置や数、駆動方法などは限定されない。
ぞれにビデオ信号を入力する場合は、薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタを制御する
ための配線を追加すればよい。ただし、1ゲート選択期間を4つ以上のサブ選択期間に分
割すると、1つのサブ選択期間が短くなる。したがって、1ゲート選択期間は、2つ又は
3つのサブ選択期間に分割されることが望ましい。
ジ期間Tp、第1のサブ選択期間T1、第2のサブ選択期間T2、第3のサブ選択期間T
3に分割してもよい。さらに、図14のタイミングチャートは、i行目の走査線Giが選
択されるタイミング、第1の薄膜トランジスタ5603aのオン・オフのタイミング58
03a、第2の薄膜トランジスタ5603bのオン・オフのタイミング5803b、第3
の薄膜トランジスタ5603cのオン・オフのタイミング5803c及びJ列目の配線5
621_Jに入力される信号5821_Jを示している。図14に示すように、プリチャ
ージ期間Tpにおいて第1の薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜トランジスタ56
03b及び第3の薄膜トランジスタ5603cがオンする。このとき、配線5621_J
に入力されるプリチャージ電圧Vpが第1の薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜ト
ランジスタ5603b及び第3の薄膜トランジスタ5603cを介してそれぞれ信号線S
j−1、信号線Sj、信号線Sj+1に入力される。第1のサブ選択期間T1において第
1の薄膜トランジスタ5603aがオンし、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3
の薄膜トランジスタ5603cがオフする。このとき、配線5621_Jに入力されるD
ata_j−1が、第1の薄膜トランジスタ5603aを介して信号線Sj−1に入力さ
れる。第2のサブ選択期間T2では、第2の薄膜トランジスタ5603bがオンし、第1
の薄膜トランジスタ5603a及び第3の薄膜トランジスタ5603cがオフする。この
とき、配線5621_Jに入力されるData_jが、第2の薄膜トランジスタ5603
bを介して信号線Sjに入力される。第3のサブ選択期間T3では、第3の薄膜トランジ
スタ5603cがオンし、第1の薄膜トランジスタ5603a及び第2の薄膜トランジス
タ5603bがオフする。このとき、配線5621_Jに入力されるData_j+1が
、第3の薄膜トランジスタ5603cを介して信号線Sj+1に入力される。
ブ選択期間の前にプリチャージ期間を設けることによって、信号線をプリチャージできる
ため、画素へのビデオ信号の書き込みを高速に行うことができる。なお、図14において
、図13と同様なものに関しては共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な機能を有
する部分の詳細な説明は省略する。
ッファを有している。また場合によってはレベルシフタを有していても良い。走査線駆動
回路において、シフトレジスタにクロック信号(CLK)及びスタートパルス信号(SP
)が入力されることによって、選択信号が生成される。生成された選択信号はバッファに
おいて緩衝増幅され、対応する走査線に供給される。走査線には、1ライン分の画素のト
ランジスタのゲート電極が接続されている。そして、1ライン分の画素のトランジスタを
一斉にONにしなくてはならないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なものが
用いられる。
て説明する。
ップフロップ(フリップフロップ5701_1〜5701_n)で構成される。また、第
1のクロック信号、第2のクロック信号、スタートパルス信号、リセット信号が入力され
て動作する。
目のフリップフロップ5701_i(フリップフロップ5701_1〜5701_nのう
ちいずれか一)は、図16に示した第1の配線5501が第7の配線5717_i−1に
接続され、図16に示した第2の配線5502が第7の配線5717_i+1に接続され
、図16に示した第3の配線5503が第7の配線5717_iに接続され、図16に示
した第6の配線5506が第5の配線5715に接続される。
5712に接続され、偶数段目のフリップフロップでは第3の配線5713に接続され、
図16に示した第5の配線5505が第4の配線5714に接続される。
1の配線5711に接続され、n段目のフリップフロップ5701_nの図16に示す第
2の配線5502は第6の配線5716に接続される。
16を、それぞれ第1の信号線、第2の信号線、第3の信号線、第4の信号線と呼んでも
よい。さらに、第4の配線5714、第5の配線5715を、それぞれ第1の電源線、第
2の電源線と呼んでもよい。
ップフロップは、第1の薄膜トランジスタ5571、第2の薄膜トランジスタ5572、
第3の薄膜トランジスタ5573、第4の薄膜トランジスタ5574、第5の薄膜トラン
ジスタ5575、第6の薄膜トランジスタ5576、第7の薄膜トランジスタ5577及
び第8の薄膜トランジスタ5578を有する。なお、第1の薄膜トランジスタ5571、
第2の薄膜トランジスタ5572、第3の薄膜トランジスタ5573、第4の薄膜トラン
ジスタ5574、第5の薄膜トランジスタ5575、第6の薄膜トランジスタ5576、
第7の薄膜トランジスタ5577及び第8の薄膜トランジスタ5578は、nチャネル型
トランジスタであり、ゲート・ソース間電圧(Vgs)がしきい値電圧(Vth)を上回
ったとき導通状態になるものとする。
が第4の配線5504に接続され、第1の薄膜トランジスタ5571の第2の電極(ソー
ス電極またはドレイン電極の他方)が第3の配線5503に接続される。
薄膜トランジスタ5572第2の電極が第3の配線5503に接続される。
薄膜トランジスタ5573の第2の電極が第2の薄膜トランジスタ5572のゲート電極
に接続され、第3の薄膜トランジスタ5573のゲート電極が第5の配線5505に接続
される。
薄膜トランジスタ5574の第2の電極が第2の薄膜トランジスタ5572のゲート電極
に接続され、第4の薄膜トランジスタ5574のゲート電極が第1の薄膜トランジスタ5
571のゲート電極に接続される。
薄膜トランジスタ5575の第2の電極が第1の薄膜トランジスタ5571のゲート電極
に接続され、第5の薄膜トランジスタ5575のゲート電極が第1の配線5501に接続
される。
薄膜トランジスタ5576の第2の電極が第1の薄膜トランジスタ5571のゲート電極
に接続され、第6の薄膜トランジスタ5576のゲート電極が第2の薄膜トランジスタ5
572のゲート電極に接続される。
薄膜トランジスタ5577の第2の電極が第1の薄膜トランジスタ5571のゲート電極
に接続され、第7の薄膜トランジスタ5577のゲート電極が第2の配線5502に接続
される。第8の薄膜トランジスタ5578の第1の電極が第6の配線5506に接続され
、第8の薄膜トランジスタ5578の第2の電極が第2の薄膜トランジスタ5572のゲ
ート電極に接続され、第8の薄膜トランジスタ5578のゲート電極が第1の配線550
1に接続される。
のゲート電極、第5の薄膜トランジスタ5575の第2の電極、第6の薄膜トランジスタ
5576の第2の電極及び第7の薄膜トランジスタ5577の第2の電極の接続箇所をノ
ード5543とする。さらに、第2の薄膜トランジスタ5572のゲート電極、第3の薄
膜トランジスタ5573の第2の電極、第4の薄膜トランジスタ5574の第2の電極、
第6の薄膜トランジスタ5576のゲート電極及び第8の薄膜トランジスタ5578の第
2の電極の接続箇所をノード5544とする。
504を、それぞれ第1の信号線、第2の信号、第3の信号線、第4の信号線と呼んでも
よい。さらに、第5の配線5505を第1の電源線、第6の配線5506を第2の電源線
と呼んでもよい。
に同様の方法で形成できるnチャネル型TFTのみをつかって作製することも可能である
。実施の形態2又は3で示す非線形素子と共に同様の方法で形成できるnチャネル型TF
Tはトランジスタの移動度が大きいため、駆動回路の駆動周波数を高くすることが可能と
なる。また、実施の形態2又は3で示す非線形素子と共に同様の方法で形成できるnチャ
ネル型TFTはインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸素欠乏酸化物半導体層であるソ
ース領域又はドレイン領域により寄生容量が低減されるため、周波数特性(f特性と呼ば
れる)が高い。例えば、実施の形態2又は3で示す非線形素子と共に同様の方法で形成で
きるnチャネル型TFTを用いた走査線駆動回路は、高速に動作させることが出来るため
、フレーム周波数を高くすること、または、黒画面挿入を実現することなども実現するこ
とが出来る。
駆動回路を配置することなどによって、さらに高いフレーム周波数を実現することが出来
る。複数の走査線駆動回路を配置する場合は、偶数行の走査線を駆動する為の走査線駆動
回路を片側に配置し、奇数行の走査線を駆動するための走査線駆動回路をその反対側に配
置することにより、フレーム周波数を高くすることを実現することが出来る。
示装置を作製する場合、少なくとも一つの画素に複数の薄膜トランジスタを配置するため
、走査線駆動回路を複数配置することが好ましい。アクティブマトリクス型発光表示装置
のブロック図の一例を図11(B)に示す。
る画素部5401と、各画素を選択する第1の走査線駆動回路5402及び第2の走査線
駆動回路5404と、選択された画素へのビデオ信号の入力を制御する信号線駆動回路5
403とを有する。
合、画素はトランジスタのオンとオフの切り替えによって、発光もしくは非発光の状態と
なる。よって、面積階調法または時間階調法を用いて階調の表示を行うことができる。面
積階調法は、1画素を複数の副画素に分割し、各副画素を独立にビデオ信号に基づいて駆
動させることによって、階調表示を行う駆動法である。また時間階調法は、画素が発光す
る期間を制御することによって、階調表示を行う駆動法である。
している。具体的に時間階調法で表示を行なう場合、1フレーム期間を複数のサブフレー
ム期間に分割する。そしてビデオ信号に従い、各サブフレーム期間において画素の発光素
子を発光または非発光の状態にする。複数のサブフレーム期間に分割することによって、
1フレーム期間中に画素が実際に発光する期間のトータルの長さを、ビデオ信号により制
御することができ、階調を表示することができる。
流制御用TFTとの2つを配置する場合、スイッチング用TFTのゲート配線である第1
の走査線に入力される信号を第1走査線駆動回路5402で生成し、電流制御用TFTの
ゲート配線である第2の走査線に入力される信号を第2の走査線駆動回路5404で生成
している例を示しているが、第1の走査線に入力される信号と、第2の走査線に入力され
る信号とを、共に1つの走査線駆動回路で生成するようにしても良い。また、例えば、ス
イッチング素子が有する各トランジスタの数によって、スイッチング素子の動作を制御す
るのに用いられる第1の走査線が、各画素に複数設けられることもあり得る。この場合、
複数の第1の走査線に入力される信号を、全て1つの走査線駆動回路で生成しても良いし
、複数の各走査線駆動回路で生成しても良い。
できる駆動回路の一部を画素部の薄膜トランジスタと同一基板上に形成することができる
。また、信号線駆動回路及び走査線駆動回路を実施の形態2又は3で示す非線形素子と共
に同様の方法で形成できるnチャネル型TFTのみで作製することも可能である。
電気的に接続する素子を利用して電子インクを駆動させる電子ペーパーに用いてもよい。
電子ペーパーは、電気泳動表示装置(電気泳動ディスプレイ)も呼ばれており、紙と同じ
読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利
点を有している。
子と、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に
複数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロ
カプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示す
るものである。なお、第1の粒子または第2の粒子は染料を含み、電界がない場合におい
て移動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの(無色を
含む)とする。
いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。電気泳動ディスプレイは、液晶
表示装置には必要な偏光板、対向基板も必要なく、厚さや重さが半減する。
の電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また
、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
ロカプセルを複数配置すればアクティブマトリクス型の表示装置が完成し、マイクロカプ
セルに電界を印加すれば表示を行うことができる。例えば、実施の形態2又は3で示す非
線形素子と共に同様の方法で形成できる薄膜トランジスタによって得られるアクティブマ
トリクス基板を用いることができる。
半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレク
トロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を
用いればよい。
り、保護回路として適した構造を有する表示装置を得ることができる。非線形素子の第1
酸化物半導体層と配線層との接続構造において、第1酸化物半導体層よりも電気伝導度が
高い第2酸化物半導体層と接合する領域を設けることで、金属配線のみの場合に比べて、
安定動作をさせることが可能となる。それにより保護回路の機能を高め動作の安定化を図
ることができる。このように、本実施の形態によれば、信頼性の高い表示装置を作製する
ことができる。また、実施の形態3と同様の構成を用いることにより薄膜の剥がれに起因
する不良が起こりにくい非線形素子からなる保護回路を搭載した信頼性の高い表示装置を
作製することができる。
である。
本発明の一態様の非線形素子と共に薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを画
素部、さらには駆動回路に用いて表示機能を有する半導体装置(表示装置ともいう)を作
製することができる。また、本発明の一態様の非線形素子と薄膜トランジスタを駆動回路
の一部または全体に用い、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成
することができる。
素子(発光表示素子ともいう)を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によ
って輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機EL(Electr
o Luminescence)、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど、電気
的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
を含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに本発明の一態様は、該表
示装置を作製する過程における、表示素子が完成する前の一形態に相当する素子基板に関
し、該素子基板は、電流を表示素子に供給するための手段を複数の各画素に備える。素子
基板は、具体的には、表示素子の画素電極のみが形成された状態であっても良いし、画素
電極となる導電膜を成膜した後であって、エッチングして画素電極を形成する前の状態で
あっても良いし、あらゆる形態があてはまる。
源(照明装置含む)を指す。また、コネクター、例えばFPC(Flexible pr
inted circuit)もしくはTAB(Tape Automated Bon
ding)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)が取り
付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュ
ール、または表示素子にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回
路)が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
及び断面について、図17を用いて説明する。図17は、非線形素子と共に同様の方法で
作成できる電気特性の高い薄膜トランジスタ4010、4011、及び液晶素子4013
を、第1の基板4001と第2の基板4006との間にシール材4005によって封止し
たパネルの上面図であり、図17(B)は、図17(A1)(A2)のM−Nにおける断
面図に相当する。
ようにして、シール材4005が設けられている。また画素部4002と、走査線駆動回
路4004の上に第2の基板4006が設けられている。よって画素部4002と、走査
線駆動回路4004とは、第1の基板4001と第2の基板4006との間のシール材4
005によって、液晶層4008と共に封止されている。また第1の基板4001上のシ
ール材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単
結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路4003が実装されている
。
ワイヤボンディング方法、或いはTAB方法などを用いることができる。図17(A1)
は、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図17(A2)は、
TAB方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。
薄膜トランジスタを複数有しており、図17(B)では、画素部4002に含まれる薄膜
トランジスタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれる薄膜トランジスタ4011
とを例示している。薄膜トランジスタ4010、4011上には絶縁層4020、402
1が設けられている。
IGZO半導体膜からなるソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域
に接するソース電極層及びドレイン電極層と、ソース領域及びドレイン領域に接する酸素
過剰のIGZO半導体層を有する電気特性の高い薄膜トランジスタであって、実施の形態
2で示す非線形素子と共に同様に作製できる。また、本実施の形態において、薄膜トラン
ジスタ4010、4011はnチャネル型薄膜トランジスタである。
気的に接続されている。そして液晶素子4013の対向電極層4031は第2の基板40
06上に形成されている。画素電極層4030と対向電極層4031と液晶層4008と
が重なっている部分が、液晶素子4013に相当する。なお、画素電極層4030、対向
電極層4031はそれぞれ配向膜として機能する絶縁層4032、4033が設けられ、
絶縁層4032、4033を介して液晶層4008を挟持している。
テンレス)、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックとしては
、FRP(Fiberglass−Reinforced Plastics)板、PV
F(ポリビニルフルオライド)フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィ
ルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやポリエステル
フィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
画素電極層4030と対向電極層4031との間の距離(セルギャップ)を制御するため
に設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するために5重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層4008を
形成する。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が10μs
〜100μsと短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小
さい。
装置でも半透過型液晶表示装置でも適用できる。
着色層、表示素子に用いる電極層という順に設ける例を示すが、偏光板は基板の内側に設
けてもよい。また、偏光板と着色層の積層構造も本実施の形態に限定されず、偏光板及び
着色層の材料や作製工程条件によって適宜設定すればよい。また、ブラックマトリクスと
して機能する遮光膜を設けてもよい。
ジスタの信頼性を向上させるため、実施の形態2で示す非線形素子と、非線形素子と同様
の方法で形成できる薄膜トランジスタを保護膜や平坦化絶縁膜として機能する絶縁層(絶
縁層4020、絶縁層4021)で覆う構成となっている。なお、保護膜は、大気中に浮
遊する有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防ぐためのものであり、緻密な
膜が好ましい。保護膜は、スパッタ法を用いて、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素
膜、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム
膜、又は窒化酸化アルミニウム膜の単層、又は積層で形成すればよい。本実施の形態では
保護膜をスパッタ法で形成する例を示すが、特に限定されず種々の方法で形成すればよい
。
0の一層目として、スパッタ法を用いて酸化珪素膜を形成する。保護膜として酸化珪素膜
を用いると、ソース電極層及びドレイン電極層として用いるアルミニウム膜のヒロック防
止に効果がある。
膜として窒化珪素膜を用いると、ナトリウム等の可動イオンが半導体領域中に侵入して、
TFTの電気特性を変化させることを抑制することができる。
ってもよい。
ミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機
材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)
、シロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等を用いる
ことができる。シロキサン系樹脂は、置換基に水素の他、フッ素、アルキル基、またはア
リール基のうち少なくとも1種を有していてもよい。なお、これらの材料で形成される絶
縁膜を複数積層させることで、絶縁層4021を形成してもよい。
i結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は、置換基に水素の他、フッ素、アルキ
ル基、または芳香族炭化水素のうち、少なくとも1種を有していてもよい。
、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スクリーン
印刷、オフセット印刷等)、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイ
フコーター等を用いることができる。絶縁層4021を材料液を用いて形成する場合、ベ
ークする工程で同時に、IGZO半導体層のアニール(300℃〜400℃)を行っても
よい。絶縁層4021の焼成工程とIGZO半導体層のアニールを兼ねることで効率よく
半導体装置を作製することが可能となる。
、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、
酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)、
インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する
導電性材料を用いることができる。
ともいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形
成した画素電極は、シート抵抗が10000Ω/□以下、波長550nmにおける透光率
が70%以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗
率が0.1Ω・cm以下であることが好ましい。
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、若しくはこれらの2種以上の共重合体などがあげられる。
2に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018から供給されている。
30と同じ導電膜から形成され、端子電極4016は、薄膜トランジスタ4010、40
11のソース電極層及びドレイン電極層と同じ導電膜で形成されている。
て電気的に接続されている。
装している例を示しているが、本実施の形態はこの構成に限定されない。走査線駆動回路
を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部の
みを別途形成して実装しても良い。
として液晶表示モジュールを構成する一例を示している。
ール材2602により固着され、その間にTFT等を含む画素部2603、液晶層を含む
表示素子2604、着色層2605が設けられ表示領域を形成している。着色層2605
はカラー表示を行う場合に必要であり、RGB方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応し
た着色層が各画素に対応して設けられている。TFT基板2600と対向基板2601の
外側には偏光板2606、偏光板2607、拡散板2613が配設されている。光源は冷
陰極管2610と反射板2611により構成され、回路基板2612は、フレキシブル配
線基板2609によりTFT基板2600の配線回路部2608と接続され、コントロー
ル回路や電源回路などの外部回路が組みこまれている。また偏光板と、液晶層との間に位
相差板を有した状態で積層してもよい。
n−Plane−Switching)モード、FFS(Fringe Field S
witching)モード、MVA(Multi−domain Vertical A
lignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alig
nment)、ASM(Axially Symmetric aligned Mic
ro−cell)モード、OCB(Optical Compensated Bire
fringence)モード、FLC(Ferroelectric Liquid C
rystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liquid
Crystal)などを用いることができる。
り、保護回路として適した構造を有する表示装置を得ることができる。非線形素子の第1
酸化物半導体層と配線層との接続構造において、第1酸化物半導体層よりも電気伝導度が
高い第2酸化物半導体層と接合する領域を設けることで、金属配線のみの場合に比べて、
安定動作をさせることが可能となる。それにより保護回路の機能を高め動作の安定化を図
ることができる。このように、本実施の形態によれば、表示装置として信頼性の高い液晶
表示パネルを作製することができる。また、実施の形態3と同様の構成を用いることによ
り薄膜の剥がれに起因する不良が起こりにくい非線形素子からなる保護回路を搭載した信
頼性の高い液晶表示パネルを作製することができる。
である。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置として発光表示装置の例を示す。表示装置
の有する表示素子としては、ここではエレクトロルミネッセンスを利用する発光素子を例
示する。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物である
か、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者は無機
EL素子と呼ばれている。
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明す
る。
可能な画素構成の一例を示す図である。
は実施の形態2又は3で示す非線形素子と同様の方法で形成できるIGZO半導体層をチ
ャネル形成領域に用いるnチャネル型のトランジスタを1つの画素に2つ用いる例を示す
。
発光素子6404及び容量素子6403を有している。スイッチング用トランジスタ64
01はゲートが走査線6406に接続され、第1電極(ソース電極及びドレイン電極の一
方)が信号線6405に接続され、第2電極(ソース電極及びドレイン電極の他方)が駆
動用トランジスタ6402のゲートに接続されている。駆動用トランジスタ6402は、
ゲートが容量素子6403を介して電源線6407に接続され、第1電極が電源線640
7に接続され、第2電極が発光素子6404の第1電極(画素電極)に接続されている。
発光素子6404の第2電極は共通電極6408に相当する。
る。なお、低電源電位とは、電源線6407に設定される高電源電位を基準にして低電源
電位<高電源電位を満たす電位であり、低電源電位としては例えばGND、0Vなどが設
定されていても良い。この高電源電位と低電源電位との電位差を発光素子6404に印加
して、発光素子6404に電流を流して発光素子6404を発光させるため、高電源電位
と低電源電位との電位差が発光素子6404の順方向しきい値電圧以上となるようにそれ
ぞれの電位を設定する。
ことも可能である。駆動用トランジスタ6402のゲート容量については、チャネル領域
とゲート電極との間で容量が形成されていてもよい。
駆動用トランジスタ6402が十分にオンするか、オフするかの二つの状態となるような
ビデオ信号を入力する。つまり、駆動用トランジスタ6402は線形領域で動作させる。
駆動用トランジスタ6402は線形領域で動作させるため、電源線6407の電圧よりも
高い電圧を駆動用トランジスタ6402のゲートにかける。なお、信号線6405には、
(電源線電圧+駆動用トランジスタ6402のVth)以上の電圧をかける。
らせることで、図19と同じ画素構成を用いることができる。
の順方向電圧+駆動用トランジスタ6402のVth以上の電圧をかける。発光素子64
04の順方向電圧とは、所望の輝度とする場合の電圧を指しており、少なくとも順方向し
きい値電圧を含む。なお、駆動用トランジスタ6402が飽和領域で動作するようなビデ
オ信号を入力することで、発光素子6404に電流を流すことができる。駆動用トランジ
スタ6402を飽和領域で動作させるため、電源線6407の電位は、駆動用トランジス
タ6402のゲート電位よりも高くする。ビデオ信号をアナログとすることで、発光素子
6404にビデオ信号に応じた電流を流し、アナログ階調駆動を行うことができる。
にスイッチ、抵抗素子、容量素子、トランジスタ又は論理回路などを追加してもよい。
型の場合を例に挙げて、画素の断面構造について説明する。図20(A)(B)(C)の
半導体装置に用いられる駆動用TFT7001、7011、7021は、実施の形態2で
示す非線形素子と共に同様の方法で形成できる薄膜トランジスタであり、プラズマ処理さ
れたゲート絶縁層と、酸素欠乏のIGZO半導体膜からなるソース領域及びドレイン領域
と、ソース領域及びドレイン領域に接するソース電極層及びドレイン電極層と、ソース領
域及びドレイン領域に接する酸素過剰のIGZO半導体層を有する電気特性の高い薄膜ト
ランジスタである。
して、基板上に薄膜トランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取
り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側の面及び基板とは
反対側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、本発明の一態様の画素構
成はどの射出構造の発光素子にも適用することができる。
陽極7005側(基板とは反対側)に抜ける場合の、画素の断面図を示す。図20(A)
では、発光素子7002の陰極7003と駆動用TFT7001が電気的に接続されてお
り、陰極7003上に発光層7004、陽極7005が順に積層されている。陰極700
3は仕事関数が小さく、なおかつ光を反射する導電膜であれば様々の材料を用いることが
できる。例えば、Ca、Al、CaF、MgAg、AlLi等が望ましい。そして発光層
7004は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていて
もどちらでも良い。複数の層で構成されている場合、陰極7003上に電子注入層、電子
輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層の順に積層する。なおこれらの層を全て設
ける必要はない。陽極7005は光を透過する透光性を有する導電性材料を用いて形成し
、例えば酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム
亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物
、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を
添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性導電膜を用いても良い。
相当する。図20(A)に示した画素の場合、発光素子7002から発せられる光は、矢
印で示すように陽極7005側に射出する。
011がn型で、発光素子7012から発せられる光が陰極7013側(基板側)に射出
する場合の、画素の断面図を示す。図20(B)では、駆動用TFT7011と電気的に
接続された透光性を有する導電膜7017上に、発光素子7012の陰極7013が成膜
されており、陰極7013上に発光層7014、陽極7015が順に積層されている。な
お、陽極7015が透光性を有する場合、陽極上を覆うように、光を反射または遮蔽する
ための遮蔽膜7016が成膜されていてもよい。陰極7013は、図20(A)の場合と
同様に、仕事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただし
その膜厚は、光を透過する程度(好ましくは、5nm〜30nm程度)とする。例えば2
0nmの膜厚を有するアルミニウム膜を、陰極7013として用いることができる。そし
て発光層7014は、図20(A)と同様に、単数の層で構成されていても、複数の層が
積層されるように構成されていてもどちらでも良い。陽極7015は光を透過する必要は
ないが、図20(A)と同様に、透光性を有する導電性材料を用いて形成することができ
る。そして遮蔽膜7016は、例えば光を反射する金属等を用いることができるが、金属
膜に限定されない。例えば黒の顔料を添加した樹脂等を用いることもできる。
に相当する。図20(B)に示した画素の場合、発光素子7012から発せられる光は、
矢印で示すように陰極7013側に射出する。
では、駆動用TFT7021と電気的に接続された透光性を有する導電膜7027上に、
発光素子7022の陰極7023が成膜されており、陰極7023上に発光層7024、
陽極7025が順に積層されている。陰極7023は、図20(A)の場合と同様に、仕
事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしその膜厚は
、光を透過する程度とする。例えば20nmの膜厚を有するAlを、陰極7023として
用いることができる。そして発光層7024は、図20(A)と同様に、単数の層で構成
されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。陽極70
25は、図20(A)と同様に、光を透過する透光性を有する導電性材料を用いて形成す
ることができる。
22に相当する。図20(C)に示した画素の場合、発光素子7022から発せられる光
は、矢印で示すように陽極7025側と陰極7023側の両方に射出する。
L素子を設けることも可能である。
発光素子が電気的に接続されている例を示したが、駆動用TFTと発光素子との間に電流
制御用TFTが接続されている構成であってもよい。
本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
いう)の外観及び断面について、図21を用いて説明する。図21(A)は、本発明の一
態様の非線形素子と共に同様の方法で第1の基板上に作製できる電気特性の高い薄膜トラ
ンジスタ及び発光素子を第1の基板と第2の基板との間にシール材によって封止したパネ
ルの上面図であり、図21(B)は、図21(A)のH−Iにおける断面図に相当する。
3b、及び走査線駆動回路4504a、4504bを囲むようにして、シール材4505
が設けられている。また画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503b、及び
走査線駆動回路4504a、4504bの上に第2の基板4506が設けられている。よ
って画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503b、及び走査線駆動回路45
04a、4504bは、第1の基板4501とシール材4505と第2の基板4506と
によって、充填材4507と共に密封されている。このように外気に曝されないように気
密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム(貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィル
ム等)やカバー材でパッケージング(封入)することが好ましい。
4503b、及び走査線駆動回路4504a、4504bは、薄膜トランジスタを複数有
しており、図21(B)では、画素部4502に含まれる薄膜トランジスタ4510と、
信号線駆動回路4503aに含まれる薄膜トランジスタ4509とを例示している。
のIGZO半導体膜からなるソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領
域に接するソース電極層及びドレイン電極層と、ソース領域及びドレイン領域に接する酸
素過剰のIGZO半導体層を有する電気特性の高い薄膜トランジスタであって、実施の形
態2で示す非線形素子と共に同様に作製できる。また、本実施の形態において、薄膜トラ
ンジスタ4509、4510はnチャネル型薄膜トランジスタである。
層4517は、薄膜トランジスタ4510のソース電極層またはドレイン電極層と電気的
に接続されている。なお発光素子4511の構成は、第1の電極層4517、電界発光層
4512、第2の電極層4513の積層構造であるが、本実施の形態に示した構成に限定
されない。発光素子4511から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子4511の
構成は適宜変えることができる。
特に感光性の材料を用い、第1の電極層4517上に開口部を形成し、その開口部の側壁
が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
されていてもどちらでも良い。
4513及び隔壁4520上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化珪素膜、
窒化酸化珪素膜、DLC膜等を形成することができる。
、または画素部4502に与えられる各種信号及び電位は、FPC4518a、4518
bから供給されている。
517と同じ導電膜から形成され、端子電極4516は、薄膜トランジスタ4509、4
510が有するソース電極層及びドレイン電極層と同じ導電膜から形成されている。
して電気的に接続されている。
ればならない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたは
アクリルフィルムのような透光性を有する材料を用いる。
脂または熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、
ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEV
A(エチレンビニルアセテート)を用いることができる。本実施の形態は充填材として窒
素を用いる。
位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜によって形成された駆動回
路で実装されていてもよい。また、信号線駆動回路のみ、或いは一部、又は走査線駆動回
路のみ、或いは一部のみを別途形成して実装しても良く、本実施の形態は図21の構成に
限定されない。
り、保護回路として適した構造を有する表示装置を得ることができる。非線形素子の第1
酸化物半導体層と配線層との接続構造において、第1酸化物半導体層よりも電気伝導度が
高い第2酸化物半導体層と接合する領域を設けることで、金属配線のみの場合に比べて、
安定動作をさせることが可能となる。それにより保護回路の機能を高め動作の安定化を図
ることができる。このように、本実施の形態によれば、表示装置として信頼性の高い発光
表示装置(表示パネル)を作製することができる。また、実施の形態3と同様の構成を用
いることにより薄膜の剥がれに起因する不良が起こりにくい非線形素子からなる保護回路
を搭載した信頼性の高い発光表示装置(表示パネル)を作製することができる。
である。
本発明の一態様の表示装置は、電子ペーパーとして適用することができる。電子ペーパー
は、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。例
えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍(電子ブック)、ポスター、電車などの乗り物の
車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる。電
子機器の一例を図22、図23に示す。
の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、本発明の一態様を適用
した電子ペーパーを用いれば短時間で広告の表示を変えることができる。また、表示も崩
れることなく安定した画像が得られる。なお、ポスターは無線で情報を送受信できる構成
としてもよい。
紙の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、本発明の一態様を適
用した電子ペーパーを用いれば人手を多くかけることなく短時間で広告の表示を変えるこ
とができる。また表示も崩れることなく安定した画像が得られる。なお、社内広告は無線
で情報を送受信できる構成としてもよい。
筐体2701および筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701および筐
体2703は、軸部2711により一体とされており、該軸部2711を軸として開閉動
作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能
となる。
込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成として
もよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とするこ
とで、例えば右側の表示部(図23では表示部2705)に文章を表示し、左側の表示部
(図23では表示部2707)に画像を表示することができる。
701において、電源2721、操作キー2723、スピーカ2725などを備えている
。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキー
ボードやポインティングディバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や
側面に、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUSB
ケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える構成
としてもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持たせた構成とし
てもよい。
電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすること
も可能である。
れた保護回路を有する表示装置を電子機器に搭載することにより、信頼性の高い電子機器
を提供できる。また、実施の形態3と同様の構成を用いることにより、薄膜の剥がれに起
因する不良が起こりにくい非線形素子からなる保護回路を搭載した信頼性の高い表示装置
を搭載した電子機器を作製することができる。
である。
本発明の一態様に係る半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用するこ
とができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョ
ン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカ
メラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯
型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げら
れる。
00は、筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映
像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601
を支持した構成を示している。
コン操作機9610により行うことができる。リモコン操作機9610が備える操作キー
9609により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9603に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機9610に、当該リモコン操作機
9610から出力する情報を表示する表示部9607を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向
(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
ルフォトフレーム9700は、筐体9701に表示部9703が組み込まれている。表示
部9703は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影
した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。
Bケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える構
成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に
備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒
体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像デー
タを取り込み、取り込んだ画像データを表示部9703に表示させることができる。
。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。
れており、連結部9893により、開閉可能に連結されている。筐体9881には表示部
9882が組み込まれ、筐体9891には表示部9883が組み込まれている。また、図
25(A)に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部9884、記録媒体挿入部988
6、LEDランプ9890、入力手段(操作キー9885、接続端子9887、センサ9
888(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、
化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振
動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン9889)等を備え
ている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも本発明の
一態様に係る半導体装置を備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構
成とすることができる。図25(A)に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されている
プログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通
信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図25(A)に示す携帯型遊技機が有す
る機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
マシン9900は、筐体9901に表示部9903が組み込まれている。また、スロット
マシン9900は、その他、スタートレバーやストップスイッチなどの操作手段、コイン
投入口、スピーカなどを備えている。もちろん、スロットマシン9900の構成は上述の
ものに限定されず、少なくとも本発明の一態様に係る半導体装置を備えた構成であればよ
く、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。
1に組み込まれた表示部1002の他、操作ボタン1003、外部接続ポート1004、
スピーカ1005、マイク1006などを備えている。
力ことができる。また、電話を掛ける、或いはメールを打つなどの操作は、表示部100
2を指などで触れることにより行うことができる。
示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示
モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部1002の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好
ましい。
有する検出装置を設けることで、携帯電話機1000の向き(縦か横か)を判断して、表
示部1002の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
ボタン1003の操作により行われる。また、表示部1002に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
部1002のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
02に掌や指を触れることで、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことがで
きる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシ
ング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
れた保護回路を有する表示装置を電子機器に搭載することにより、信頼性の高い電子機器
を提供できる。また、実施の形態3と同様の構成を用いることにより、薄膜の剥がれに起
因する不良が起こりにくい非線形素子からなる保護回路を搭載した信頼性の高い表示装置
を搭載した電子機器を作製することができる。
である。
11 走査線入力端子
12 信号線入力端子
13 走査線
14 信号線
15 ゲート電極
16 ゲート電極
17 画素部
18 画素
19 画素トランジスタ
20 保持容量部
21 画素電極
22 容量線
23 共通端子
24 保護回路
25 保護回路
26 保護回路
27 容量バス線
28 共通配線
29 共通配線
30 非線形素子
30a 非線形素子
30b 非線形素子
31 非線形素子
31a 非線形素子
31b 非線形素子
36 酸化物半導体層
37 ゲート絶縁層
38 配線層
39 配線層
40 酸化物半導体層
41 導電層
42 層間絶縁層
43 コンタクトホール
44 配線層
100 基板
101 ゲート電極
102 ゲート絶縁層
103 酸化物半導体層
104a ソース領域
104b ドレイン領域
105a ソース電極層
105b ドレイン電極層
106a ソース領域
106b ドレイン領域
107 保護絶縁膜
108 走査線
111a 酸化物半導体層
125 コンタクトホール
126 コンタクトホール
128 配線層
580 基板
581 薄膜トランジスタ
583 層間絶縁膜
584 絶縁層
585 絶縁層
587 電極層
588 電極層
589 球形粒子
590a 黒色領域
590b 白色領域
594 キャビティ
595 充填材
596 基板
650 走査線
651 共通配線
730a 非線形素子
730b 非線形素子
730c 非線形素子
740a 非線形素子
740b 非線形素子
740c 非線形素子
740d 非線形素子
1000 携帯電話機
1001 筐体
1002 表示部
1003 操作ボタン
1004 外部接続ポート
1005 スピーカ
1006 マイク
2600 TFT基板
2601 対向基板
2602 シール材
2603 画素部
2604 表示素子
2605 着色層
2606 偏光板
2607 偏光板
2608 配線回路部
2609 フレキシブル配線基板
2610 冷陰極管
2611 反射板
2612 回路基板
2613 拡散板
2631 ポスター
2632 車内広告
2700 電子書籍
2701 筐体
2703 筐体
2705 表示部
2707 表示部
2711 軸部
2721 電源
2723 操作キー
2725 スピーカ
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 薄膜トランジスタ
4011 薄膜トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子電極
4016 端子電極
4018 FPC
4019 異方性導電膜
4020 絶縁層
4021 絶縁層
4030 画素電極層
4031 対向電極層
4032 絶縁層
4033 絶縁層
4035 スペーサ
4501 基板
4502 画素部
4503a 信号線駆動回路
4503b 信号線駆動回路
4504a 走査線駆動回路
4503b 信号線駆動回路
4505 シール材
4506 基板
4507 充填材
4509 薄膜トランジスタ
4510 薄膜トランジスタ
4511 発光素子
4512 電界発光層
4513 電極層
4515 接続端子電極
4516 端子電極
4517 電極層
4518a FPC
4518b FPC
4519 異方性導電膜
4520 隔壁
5300 基板
5301 画素部
5302 走査線駆動回路
5303 信号線駆動回路
5400 基板
5401 画素部
5402 走査線駆動回路
5403 信号線駆動回路
5404 走査線駆動回路
5501 配線
5502 配線
5503 配線
5504 配線
5505 配線
5506 配線
5543 ノード
5544 ノード
5571 薄膜トランジスタ
5572 薄膜トランジスタ
5573 薄膜トランジスタ
5574 薄膜トランジスタ
5575 薄膜トランジスタ
5576 薄膜トランジスタ
5577 薄膜トランジスタ
5578 薄膜トランジスタ
5601 ドライバIC
5602 スイッチ群
5603a 薄膜トランジスタ
5603b 薄膜トランジスタ
5603c 薄膜トランジスタ
5611 配線
5612 配線
5613 配線
5621 配線
5701 フリップフロップ
5703a タイミング
5703b タイミング
5703c タイミング
5711 配線
5712 配線
5713 配線
5714 配線
5715 配線
5716 配線
5717 配線
5721 信号
5803a タイミング
5803b タイミング
5803c タイミング
5821 信号
6400 画素
6401 スイッチング用トランジスタ
6402 駆動用トランジスタ
6403 容量素子
6404 発光素子
6405 信号線
6406 走査線
6407 電源線
6408 共通電極
7001 駆動用TFT
7002 発光素子
7003 陰極
7004 発光層
7005 陽極
7011 駆動用TFT
7012 発光素子
7013 陰極
7014 発光層
7015 陽極
7016 遮蔽膜
7017 導電膜
7021 駆動用TFT
7022 発光素子
7023 陰極
7024 発光層
7025 陽極
7027 導電膜
9600 テレビジョン装置
9601 筐体
9603 表示部
9605 スタンド
9607 表示部
9609 操作キー
9610 リモコン操作機
9700 デジタルフォトフレーム
9701 筐体
9703 表示部
9881 筐体
9882 表示部
9883 表示部
9884 スピーカ部
9885 操作キー
9886 記録媒体挿入部
9887 接続端子
9888 センサ
9889 マイクロフォン
9890 LEDランプ
9891 筐体
9893 連結部
9900 スロットマシン
9901 筐体
9903 表示部
Claims (3)
- 画素部と、前記画素部の外側に保護回路とを有し、
前記保護回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第1の配線と、第2の配線とを有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第1の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、前記第1の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第1の配線と電気的に接続され、
上面視において、前記第1のトランジスタのチャネルが形成される第1の酸化物半導体膜及び前記第2のトランジスタのチャネルが形成される第2の酸化物半導体膜は、前記第1の配線に対して同じ側に配置され、
前記第1の配線は、前記第1の酸化物半導体膜側及び前記第2の酸化物半導体膜側へ突出した第1の領域乃至第3の領域を有し、
前記第1の領域は、前記第1の酸化物半導体膜と重なる領域であり、
前記第2の領域は、前記第2の酸化物半導体膜と重なる領域であり、
前記第3の領域は、前記第1の配線と前記第2のトランジスタのゲートとが電気的に接続するコンタクトホールと重なる領域である、表示装置。 - 画素部と、前記画素部の外側に保護回路とを有し、
前記保護回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第1の配線と、第2の配線とを有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第1の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、前記第1の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第1の配線と電気的に接続され、
上面視において、前記第1のトランジスタのチャネルが形成される第1の酸化物半導体膜及び前記第2のトランジスタのチャネルが形成される第2の酸化物半導体膜は、前記第1の配線に対して同じ側に配置され、
前記第1の酸化物半導体膜及び前記第2の酸化物半導体膜はそれぞれ、In、Ga、及びZn、を有し、
前記第1の配線は、前記第1の酸化物半導体膜側及び前記第2の酸化物半導体膜側へ突出した第1の領域乃至第3の領域を有し、
前記第1の領域は、前記第1の酸化物半導体膜と重なる領域であり、
前記第2の領域は、前記第2の酸化物半導体膜と重なる領域であり、
前記第3の領域は、前記第1の配線と前記第2のトランジスタのゲートとが電気的に接続するコンタクトホールと重なる領域である、表示装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第1のトランジスタは、前記第1の酸化物半導体膜と前記ソース電極との間に位置する第3の酸化物半導体膜、及び前記第1の酸化物半導体膜と前記ドレイン電極との間に位置する第4の酸化物半導体膜を有し、
前記第2のトランジスタは、前記第2の酸化物半導体膜と前記ソース電極との間に位置する第5の酸化物半導体膜、及び前記第2の酸化物半導体膜と前記ドレイン電極との間に位置する第6の酸化物半導体膜を有し、
前記第3の酸化物半導体膜乃至前記第6の酸化物半導体膜は、Znを有する、表示装置。
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