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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 191
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 90
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 29
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 282
- 239000010408 film Substances 0.000 description 233
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 195
- 238000000034 method Methods 0.000 description 46
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 39
- 230000006870 function Effects 0.000 description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 22
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 21
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 17
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 16
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 8
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 8
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 MgAg Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010052128 Glare Diseases 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000002872 contrast media Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000000838 magnetophoresis Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
本実施の形態では、画素部とその周辺に非線形素子を含む保護回路が形成された表示装置の一態様を、図面を参照して説明する。
本実施の形態では、実施の形態1において図4(A)に示した保護回路の作製工程の一様態を図6乃至図7を参照して説明する。図6乃至図7は図4(A)中のQ1−Q2切断線に対応した断面図を表している。
本実施の形態では、本発明の一態様を適用した表示装置として、同一基板上に保護回路と、画素部に配置する薄膜トランジスタを有する電子ペーパーの例を示す。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置の一例である表示装置において、同一基板上に少なくとも保護回路と、駆動回路の一部と、画素部に配置する薄膜トランジスタを作製する例について図11乃至図16を用いて以下に説明する。
本発明の一態様においては非線形素子と共に薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを画素部、さらには駆動回路に用いて表示機能を有する半導体装置(表示装置ともいう)を作製することができる。また、本発明の一態様においては非線形素子と薄膜トランジスタを駆動回路の一部または全体に用い、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。
本発明の一態様においては非線形素子と共に薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを画素部、さらには駆動回路に用いて表示機能を有する半導体装置(表示装置ともいう)を作製することができる。
本発明の一態様の表示装置は、電子ペーパーとして適用することができる。電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍(電子ブック)、ポスター、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる。電子機器の一例を図22、図23に示す。
本発明の一態様に係る半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
11 走査線入力端子
12 信号線入力端子
13 走査線
14 信号線
16 ゲート電極
17 画素部
18 画素
19 画素トランジスタ
20 保持容量部
21 画素電極
22 容量線
23 共通端子
24 保護回路
25 保護回路
26 保護回路
27 容量バス線
28 共通配線
29 共通配線
30 非線形素子
30a 非線形素子
30b 非線形素子
31 非線形素子
31a 非線形素子
31b 非線形素子
100 基板
102 ゲート絶縁膜
105 導電膜
107 層間絶縁膜
111 ゲート電極
113 酸化物半導体層
114 酸化物半導体層
114a 酸化物半導体層
114b 酸化物半導体層
115a 導電層
115b 導電層
117a 配線層
117b 配線層
128 コンタクトホール
131 レジストマスク
170a 非線形素子
170b 非線形素子
581 薄膜トランジスタ
585 絶縁層
587 電極層
588 電極層
589 球形粒子
590a 黒色領域
590b 白色領域
594 キャビティ
595 充填材
650 共通配線
651 走査線
730a 非線形素子
730b 非線形素子
730c 非線形素子
740a 非線形素子
740b 非線形素子
740c 非線形素子
740d 非線形素子
1000 携帯電話機
1001 筐体
1002 表示部
1003 操作ボタン
1004 外部接続ポート
1005 スピーカ
1006 マイク
2600 TFT基板
2601 対向基板
2602 シール材
2603 画素部
2604 表示素子
2605 着色層
2606 偏光板
2607 偏光板
2608 配線回路部
2609 フレキシブル配線基板
2610 冷陰極管
2611 反射板
2612 回路基板
2613 拡散板
2631 ポスター
2632 車内広告
2700 電子書籍
2701 筐体
2703 筐体
2705 表示部
2707 表示部
2711 軸部
2721 電源
2723 操作キー
2725 スピーカ
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 薄膜トランジスタ
4011 薄膜トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子電極
4016 端子電極
4018 FPC
4019 異方性導電膜
4020 絶縁層
4021 絶縁層
4030 画素電極層
4031 対向電極層
4032 絶縁層
4501 基板
4502 画素部
4503a 信号線駆動回路
4504a 走査線駆動回路
4505 シール材
4506 基板
4507 充填材
4509 薄膜トランジスタ
4510 薄膜トランジスタ
4511 発光素子
4512 電界発光層
4513 電極層
4515 接続端子電極
4516 端子電極
4517 電極層
4518a FPC
4519 異方性導電膜
4520 隔壁
5300 基板
5301 画素部
5302 走査線駆動回路
5303 信号線駆動回路
5400 基板
5401 画素部
5402 走査線駆動回路
5403 信号線駆動回路
5404 走査線駆動回路
5501 配線
5502 配線
5503 配線
5504 配線
5505 配線
5506 配線
5543 ノード
5544 ノード
5571 薄膜トランジスタ
5572 薄膜トランジスタ
5573 薄膜トランジスタ
5574 薄膜トランジスタ
5575 薄膜トランジスタ
5576 薄膜トランジスタ
5577 薄膜トランジスタ
5578 薄膜トランジスタ
5601 ドライバIC
5602 スイッチ群
5603a 薄膜トランジスタ
5603b 薄膜トランジスタ
5603c 薄膜トランジスタ
5611 配線
5612 配線
5613 配線
5621 配線
5701 フリップフロップ
5703a タイミング
5703b タイミング
5703c タイミング
5711 配線
5712 配線
5713 配線
5714 配線
5715 配線
5716 配線
5717 配線
5721 信号
5803a タイミング
5803b タイミング
5803c タイミング
5821 信号
6400 画素
6401 スイッチング用トランジスタ
6402 駆動用トランジスタ
6403 容量素子
6404 発光素子
6405 信号線
6406 走査線
6407 電源線
6408 共通電極
7001 TFT
7002 発光素子
7003 陰極
7004 発光層
7005 陽極
7011 駆動用TFT
7012 発光素子
7013 陰極
7014 発光層
7015 陽極
7016 遮蔽膜
7017 導電膜
7021 駆動用TFT
7022 発光素子
7023 陰極
7024 発光層
7025 陽極
7027 導電膜
9600 テレビジョン装置
9601 筐体
9603 表示部
9605 スタンド
9607 表示部
9609 操作キー
9610 リモコン操作機
9700 デジタルフォトフレーム
9701 筐体
9703 表示部
9881 筐体
9882 表示部
9883 表示部
9884 スピーカ部
9885 操作キー
9886 記録媒体挿入部
9887 接続端子
9888 センサ
9889 マイクロフォン
9890 LEDランプ
9891 筐体
9893 連結部
9900 スロットマシン
9901 筐体
9903 表示部
Claims (4)
- 基板上に画素部及び保護回路を有し、
前記保護回路は、第1のトランジスタ乃至第4のトランジスタを有し、
前記画素部は、第5のトランジスタと画素電極とを有し、
前記第1のトランジスタの第1の端子と、前記第2のトランジスタの第1の端子と、前記第3のトランジスタの第1の端子と、前記第4のトランジスタの第1の端子とは、それぞれ第1の配線に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第2の端子と、前記第2のトランジスタの第2の端子と、前記第3のトランジスタの第2の端子と、前記第4のトランジスタの第2の端子とは、それぞれ第2の配線に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートと前記第2のトランジスタのゲートとは、それぞれ前記第1の配線に電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートと前記第4のトランジスタのゲートとは、それぞれ前記第2の配線に電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、前記第2の配線に電気的に接続され、
前記第5のトランジスタの第1の端子は、前記画素電極に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタ乃至前記第4のトランジスタは、それぞれ、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層を有し、
前記第1のトランジスタの第1の端子として機能する第1の導電膜は、第1のコンタクトホールを介して、前記第1の配線として機能する第2の導電膜と直接接続し、
前記第2のトランジスタの第1の端子として機能する第3の導電膜は、第2のコンタクトホールを介して、前記第1の配線として機能する前記第2の導電膜と直接接続し、
前記第3のトランジスタのゲートとして機能する第4の導電膜は、第3のコンタクトホールを介して、前記第2の配線として機能する第5の導電膜と直接接続し、
前記第4のトランジスタのゲートとして機能する第6の導電膜は、第4のコンタクトホールを介して、前記第2の配線として機能する前記第5の導電膜と直接接続し、
前記第1の導電膜は前記第2の導電膜と異なる層に位置し、
前記第3の導電膜は前記第2の導電膜と異なる層に位置し、
前記第4の導電膜は前記第5の導電膜と異なる層に位置し、
前記第6の導電膜は前記第5の導電膜と異なる層に位置することを特徴とする表示装置。 - 基板上に画素部及び保護回路を有し、
前記保護回路は、第1のトランジスタ乃至第4のトランジスタを有し、
前記画素部は、第5のトランジスタと画素電極とを有し、
前記第1のトランジスタの第1の端子と、前記第2のトランジスタの第1の端子と、前記第3のトランジスタの第1の端子と、前記第4のトランジスタの第1の端子とは、それぞれ第1の配線に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第2の端子と、前記第2のトランジスタの第2の端子と、前記第3のトランジスタの第2の端子と、前記第4のトランジスタの第2の端子とは、それぞれ第2の配線に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートと前記第2のトランジスタのゲートとは、それぞれ前記第1の配線に電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートと前記第4のトランジスタのゲートとは、それぞれ前記第2の配線に電気的に接続され、
前記第5のトランジスタの第1の端子は、前記画素電極に電気的に接続され、
前記第5のトランジスタの第2の端子は、前記第2の配線に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタ乃至前記第4のトランジスタは、それぞれ、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層を有し、
前記第1のトランジスタの第1の端子として機能する第1の導電膜は、第1のコンタクトホールを介して、前記第1の配線として機能する第2の導電膜と直接接続し、
前記第2のトランジスタの第1の端子として機能する第3の導電膜は、第2のコンタクトホールを介して、前記第1の配線として機能する前記第2の導電膜と直接接続し、
前記第3のトランジスタのゲートとして機能する第4の導電膜は、第3のコンタクトホールを介して、前記第2の配線として機能する第5の導電膜と直接接続し、
前記第4のトランジスタのゲートとして機能する第6の導電膜は、第4のコンタクトホールを介して、前記第2の配線として機能する前記第5の導電膜と直接接続し、
前記第1の導電膜は前記第2の導電膜と異なる層に位置し、
前記第3の導電膜は前記第2の導電膜と異なる層に位置し、
前記第4の導電膜は前記第5の導電膜と異なる層に位置し、
前記第6の導電膜は前記第5の導電膜と異なる層に位置することを特徴とする表示装置。 - 基板上に画素部及び保護回路を有し、
前記保護回路は、第1のトランジスタ乃至第4のトランジスタを有し、
前記画素部は、第5のトランジスタと画素電極とを有し、
前記第1のトランジスタの第1の端子と、前記第2のトランジスタの第1の端子と、前記第3のトランジスタの第1の端子と、前記第4のトランジスタの第1の端子とは、それぞれ第1の配線に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第2の端子と、前記第2のトランジスタの第2の端子と、前記第3のトランジスタの第2の端子と、前記第4のトランジスタの第2の端子とは、それぞれ第2の配線に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートと前記第2のトランジスタのゲートとは、それぞれ前記第1の配線に電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートと前記第4のトランジスタのゲートとは、それぞれ前記第2の配線に電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、前記第2の配線に電気的に接続され、
前記第5のトランジスタの第1の端子は、前記画素電極に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタ乃至前記第4のトランジスタは、それぞれ、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層を有し、
前記第1のトランジスタの第1の端子として機能する第1の導電膜は、第1のコンタクトホールを介して、前記第1の配線として機能する第2の導電膜と直接接続し、
前記第2のトランジスタの第1の端子として機能する第3の導電膜は、第2のコンタクトホールを介して、前記第1の配線として機能する前記第2の導電膜と直接接続し、
前記第3のトランジスタのゲートとして機能する第4の導電膜は、第3のコンタクトホールを介して、前記第2の配線として機能する第5の導電膜と直接接続し、
前記第4のトランジスタのゲートとして機能する第6の導電膜は、第4のコンタクトホールを介して、前記第2の配線として機能する前記第5の導電膜と直接接続し、
前記第1の導電膜は前記第2の導電膜と異なる層に位置し、
前記第3の導電膜は前記第2の導電膜と異なる層に位置し、
前記第4の導電膜は前記第5の導電膜と異なる層に位置し、
前記第6の導電膜は前記第5の導電膜と異なる層に位置し、
前記第1のトランジスタ乃至前記第4のトランジスタがそれぞれ有する前記酸化物半導体層は、Inと、Gaと、Znと、金属とを有し、
前記金属は、InとGaとZnとを含まないことを特徴とする表示装置。 - 基板上に画素部及び保護回路を有し、
前記保護回路は、第1のトランジスタ乃至第4のトランジスタを有し、
前記画素部は、第5のトランジスタと画素電極とを有し、
前記第1のトランジスタの第1の端子と、前記第2のトランジスタの第1の端子と、前記第3のトランジスタの第1の端子と、前記第4のトランジスタの第1の端子とは、それぞれ第1の配線に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第2の端子と、前記第2のトランジスタの第2の端子と、前記第3のトランジスタの第2の端子と、前記第4のトランジスタの第2の端子とは、それぞれ第2の配線に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートと前記第2のトランジスタのゲートとは、それぞれ前記第1の配線に電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートと前記第4のトランジスタのゲートとは、それぞれ前記第2の配線に電気的に接続され、
前記第5のトランジスタの第1の端子は、前記画素電極に電気的に接続され、
前記第5のトランジスタの第2の端子は、前記第2の配線に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタ乃至前記第4のトランジスタは、それぞれ、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層を有し、
前記第1のトランジスタの第1の端子として機能する第1の導電膜は、第1のコンタクトホールを介して、前記第1の配線として機能する第2の導電膜と直接接続し、
前記第2のトランジスタの第1の端子として機能する第3の導電膜は、第2のコンタクトホールを介して、前記第1の配線として機能する前記第2の導電膜と直接接続し、
前記第3のトランジスタのゲートとして機能する第4の導電膜は、第3のコンタクトホールを介して、前記第2の配線として機能する第5の導電膜と直接接続し、
前記第4のトランジスタのゲートとして機能する第6の導電膜は、第4のコンタクトホールを介して、前記第2の配線として機能する前記第5の導電膜と直接接続し、
前記第1の導電膜は前記第2の導電膜と異なる層に位置し、
前記第3の導電膜は前記第2の導電膜と異なる層に位置し、
前記第4の導電膜は前記第5の導電膜と異なる層に位置し、
前記第6の導電膜は前記第5の導電膜と異なる層に位置し、
前記第1のトランジスタ乃至前記第4のトランジスタがそれぞれ有する前記酸化物半導体層は、Inと、Gaと、Znと、金属とを有し、
前記金属は、InとGaとZnとを含まないことを特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009229419A JP5534769B2 (ja) | 2008-10-03 | 2009-10-01 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008259060 | 2008-10-03 | ||
JP2008259060 | 2008-10-03 | ||
JP2009229419A JP5534769B2 (ja) | 2008-10-03 | 2009-10-01 | 表示装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014088133A Division JP6258765B2 (ja) | 2008-10-03 | 2014-04-22 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010107977A JP2010107977A (ja) | 2010-05-13 |
JP2010107977A5 JP2010107977A5 (ja) | 2012-02-02 |
JP5534769B2 true JP5534769B2 (ja) | 2014-07-02 |
Family
ID=41467140
Family Applications (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009229419A Active JP5534769B2 (ja) | 2008-10-03 | 2009-10-01 | 表示装置 |
JP2014088133A Active JP6258765B2 (ja) | 2008-10-03 | 2014-04-22 | 半導体装置 |
JP2016184349A Withdrawn JP2017010052A (ja) | 2008-10-03 | 2016-09-21 | 表示装置 |
JP2018145209A Active JP6637554B2 (ja) | 2008-10-03 | 2018-08-01 | 半導体装置 |
JP2019230758A Withdrawn JP2020060782A (ja) | 2008-10-03 | 2019-12-20 | 表示装置 |
JP2021170837A Withdrawn JP2022023881A (ja) | 2008-10-03 | 2021-10-19 | 表示装置 |
JP2023085492A Pending JP2023111926A (ja) | 2008-10-03 | 2023-05-24 | 表示装置 |
Family Applications After (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014088133A Active JP6258765B2 (ja) | 2008-10-03 | 2014-04-22 | 半導体装置 |
JP2016184349A Withdrawn JP2017010052A (ja) | 2008-10-03 | 2016-09-21 | 表示装置 |
JP2018145209A Active JP6637554B2 (ja) | 2008-10-03 | 2018-08-01 | 半導体装置 |
JP2019230758A Withdrawn JP2020060782A (ja) | 2008-10-03 | 2019-12-20 | 表示装置 |
JP2021170837A Withdrawn JP2022023881A (ja) | 2008-10-03 | 2021-10-19 | 表示装置 |
JP2023085492A Pending JP2023111926A (ja) | 2008-10-03 | 2023-05-24 | 表示装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8368066B2 (ja) |
EP (1) | EP2172804B1 (ja) |
JP (7) | JP5534769B2 (ja) |
KR (4) | KR101533222B1 (ja) |
CN (2) | CN104332472B (ja) |
TW (5) | TWI492387B (ja) |
Families Citing this family (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101762112B1 (ko) | 2008-09-19 | 2017-07-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정표시장치 |
KR101273913B1 (ko) | 2008-09-19 | 2013-06-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
WO2010038819A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
EP2172804B1 (en) | 2008-10-03 | 2016-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Display device |
CN101719493B (zh) * | 2008-10-08 | 2014-05-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
JP2010153802A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
WO2011004755A1 (en) | 2009-07-10 | 2011-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101778513B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2017-09-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 표시 장치 및 이를 포함한 전자 기기 |
KR101847656B1 (ko) * | 2009-10-21 | 2018-05-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR101777643B1 (ko) | 2009-12-11 | 2017-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 논리 회로, 및 cpu |
KR101874779B1 (ko) | 2009-12-25 | 2018-07-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 메모리 장치, 반도체 장치, 및 전자 장치 |
US8653514B2 (en) * | 2010-04-09 | 2014-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8766253B2 (en) * | 2010-09-10 | 2014-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8835917B2 (en) * | 2010-09-13 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, power diode, and rectifier |
US8558960B2 (en) | 2010-09-13 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
CN103299448B (zh) * | 2010-09-29 | 2016-09-07 | Posco公司 | 使用辊形状母基板的柔性电子器件的制造方法、柔性电子器件及柔性基板 |
CN103250255B (zh) | 2010-12-01 | 2015-04-29 | 夏普株式会社 | Tft基板和tft基板的制造方法 |
US9443984B2 (en) * | 2010-12-28 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI621121B (zh) | 2011-01-05 | 2018-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 儲存元件、儲存裝置、及信號處理電路 |
TWI535032B (zh) * | 2011-01-12 | 2016-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JP5859839B2 (ja) | 2011-01-14 | 2016-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子 |
TWI567735B (zh) | 2011-03-31 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體電路,記憶體單元,及訊號處理電路 |
KR102282833B1 (ko) * | 2011-06-17 | 2021-07-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 |
TWI457885B (zh) * | 2012-04-02 | 2014-10-21 | Au Optronics Corp | 顯示裝置 |
KR102113160B1 (ko) * | 2012-06-15 | 2020-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2014021356A1 (en) | 2012-08-03 | 2014-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
DE102013216824A1 (de) | 2012-08-28 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
TWI611511B (zh) | 2012-08-31 | 2018-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR102484987B1 (ko) | 2012-09-13 | 2023-01-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
KR101942489B1 (ko) * | 2012-10-17 | 2019-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
WO2014073374A1 (en) | 2012-11-06 | 2014-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
TWI662698B (zh) | 2012-11-28 | 2019-06-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
TWI627483B (zh) | 2012-11-28 | 2018-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電視接收機 |
KR102370069B1 (ko) | 2012-12-25 | 2022-03-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102241249B1 (ko) | 2012-12-25 | 2021-04-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기 |
US9905585B2 (en) | 2012-12-25 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising capacitor |
KR102112367B1 (ko) | 2013-02-12 | 2020-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
TWI611566B (zh) * | 2013-02-25 | 2018-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置和電子裝置 |
WO2014157019A1 (en) | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6151070B2 (ja) | 2013-04-11 | 2017-06-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置 |
US9915848B2 (en) | 2013-04-19 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US9231002B2 (en) | 2013-05-03 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US9704894B2 (en) | 2013-05-10 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including pixel electrode including oxide |
TWI679772B (zh) | 2013-05-16 | 2019-12-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
TWI649606B (zh) | 2013-06-05 | 2019-02-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
JP6442321B2 (ja) | 2014-03-07 | 2018-12-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその駆動方法、並びに電子機器 |
TWI538177B (zh) * | 2014-04-15 | 2016-06-11 | 友達光電股份有限公司 | 光感應裝置及其製作方法 |
CN103969874B (zh) * | 2014-04-28 | 2017-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶面板及制作方法、半透半反显示装置及显示控制方法 |
WO2016063169A1 (en) | 2014-10-23 | 2016-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
US10680017B2 (en) | 2014-11-07 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device |
CN104716145B (zh) * | 2015-03-27 | 2018-03-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制造方法、显示装置 |
WO2017025835A1 (en) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, information processing device, and driving method of display panel |
TWI745515B (zh) * | 2017-12-22 | 2021-11-11 | 啟耀光電股份有限公司 | 電子裝置與其製造方法 |
KR102029188B1 (ko) * | 2018-05-06 | 2019-10-07 | 주식회사 스포컴 | 광 투과율 조절 아이웨어 |
CN112334606A (zh) * | 2018-06-26 | 2021-02-05 | 株式会社Flosfia | 结晶性氧化物膜 |
JP7315136B2 (ja) * | 2018-12-26 | 2023-07-26 | 株式会社Flosfia | 結晶性酸化物半導体 |
JP2020109449A (ja) * | 2019-01-07 | 2020-07-16 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示パネルおよび液晶表示装置 |
CN210244392U (zh) * | 2019-07-07 | 2020-04-03 | 奕力科技股份有限公司 | 能够侦测一手指的指纹的显示装置与指纹识别芯片 |
DE102021001436A1 (de) | 2020-03-30 | 2021-09-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Sensorelement und Gassensor |
Family Cites Families (224)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3819952A (en) | 1973-01-29 | 1974-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63220289A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
DE69107101T2 (de) | 1990-02-06 | 1995-05-24 | Semiconductor Energy Lab | Verfahren zum Herstellen eines Oxydfilms. |
JP2585118B2 (ja) | 1990-02-06 | 1997-02-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
JP3071851B2 (ja) | 1991-03-25 | 2000-07-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置 |
JP3375659B2 (ja) | 1991-03-28 | 2003-02-10 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | 静電放電保護回路の形成方法 |
JPH0563167A (ja) * | 1991-09-04 | 1993-03-12 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JPH0588198A (ja) | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US5233448A (en) | 1992-05-04 | 1993-08-03 | Industrial Technology Research Institute | Method of manufacturing a liquid crystal display panel including photoconductive electrostatic protection |
US5464990A (en) | 1992-09-25 | 1995-11-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Voltage non-linear device and liquid crystal display device incorporating same |
JP3290772B2 (ja) | 1993-08-18 | 2002-06-10 | 株式会社東芝 | 表示装置 |
JPH08179359A (ja) | 1994-12-20 | 1996-07-12 | Casio Comput Co Ltd | アクティブマトリックスパネル |
JPH08179358A (ja) | 1994-12-20 | 1996-07-12 | Casio Comput Co Ltd | アクティブマトリックスパネル |
JPH08179360A (ja) * | 1994-12-20 | 1996-07-12 | Casio Comput Co Ltd | アクティブマトリックスパネル |
JPH08179262A (ja) | 1994-12-20 | 1996-07-12 | Casio Comput Co Ltd | アクティブマトリックスパネルの製造方法 |
JPH08254693A (ja) | 1995-03-16 | 1996-10-01 | Hitachi Ltd | 液晶表示基板およびその製造方法 |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
JPH11505377A (ja) | 1995-08-03 | 1999-05-18 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体装置 |
JP3007025B2 (ja) | 1995-08-25 | 2000-02-07 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
JP3261699B2 (ja) | 1995-10-03 | 2002-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
JPH09127545A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
US5847410A (en) | 1995-11-24 | 1998-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co. | Semiconductor electro-optical device |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH09281525A (ja) * | 1996-02-15 | 1997-10-31 | Hitachi Ltd | 液晶表示基板およびその製造方法 |
JP3629798B2 (ja) | 1996-02-20 | 2005-03-16 | カシオ計算機株式会社 | 配線パターン |
JPH09270514A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及び液晶表示装置 |
JPH1020336A (ja) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
KR100252308B1 (ko) * | 1997-01-10 | 2000-04-15 | 구본준, 론 위라하디락사 | 박막트랜지스터 어레이 |
JP3111944B2 (ja) * | 1997-10-20 | 2000-11-27 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
JPH11183876A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置及びその駆動方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
US6043971A (en) | 1998-11-04 | 2000-03-28 | L.G. Philips Lcd Co., Ltd. | Electrostatic discharge protection device for liquid crystal display using a COG package |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
US7379039B2 (en) | 1999-07-14 | 2008-05-27 | Sony Corporation | Current drive circuit and display device using same pixel circuit, and drive method |
JP2001053283A (ja) | 1999-08-12 | 2001-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
TW457690B (en) | 1999-08-31 | 2001-10-01 | Fujitsu Ltd | Liquid crystal display |
JP4390991B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2009-12-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP2001324725A (ja) | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2001345452A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Nec Kagoshima Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2002026333A (ja) | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Nec Corp | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
KR100386849B1 (ko) | 2001-07-10 | 2003-06-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시장치의 정전방전 방지회로 |
GB0119299D0 (en) | 2001-08-08 | 2001-10-03 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electrostatic discharge protection for pixellated electronic device |
US7492505B2 (en) | 2001-08-17 | 2009-02-17 | Sipix Imaging, Inc. | Electrophoretic display with dual mode switching |
TW550529B (en) | 2001-08-17 | 2003-09-01 | Sipix Imaging Inc | An improved electrophoretic display with dual-mode switching |
US7038670B2 (en) | 2002-08-16 | 2006-05-02 | Sipix Imaging, Inc. | Electrophoretic display with dual mode switching |
JP2003069028A (ja) | 2001-08-27 | 2003-03-07 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタパネル |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3810725B2 (ja) | 2001-09-21 | 2006-08-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電子機器 |
EP1443130B1 (en) | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP3989763B2 (ja) | 2002-04-15 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
US7002176B2 (en) | 2002-05-31 | 2006-02-21 | Ricoh Company, Ltd. | Vertical organic transistor |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7038656B2 (en) | 2002-08-16 | 2006-05-02 | Sipix Imaging, Inc. | Electrophoretic display with dual-mode switching |
US7271947B2 (en) | 2002-08-16 | 2007-09-18 | Sipix Imaging, Inc. | Electrophoretic display with dual-mode switching |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
TW200410034A (en) | 2002-11-28 | 2004-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Display device and manufacturing method thereof |
KR100951840B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2010-04-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
JP2004246202A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Koninkl Philips Electronics Nv | 静電放電保護回路を有する電子装置 |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
KR100951351B1 (ko) | 2003-04-22 | 2010-04-08 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 전기 영동 표시장치 |
JP4239873B2 (ja) * | 2003-05-19 | 2009-03-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
JP2005108912A (ja) | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Quanta Display Japan Inc | 液晶表示装置とその製造方法 |
JP4574158B2 (ja) | 2003-10-28 | 2010-11-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置及びその作製方法 |
KR101030056B1 (ko) * | 2003-11-14 | 2011-04-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정표시장치 제조방법 |
US7372513B2 (en) * | 2003-12-30 | 2008-05-13 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
WO2005088726A1 (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
JP2005340802A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-12-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び表示装置の作製方法 |
US7259110B2 (en) | 2004-04-28 | 2007-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of display device and semiconductor device |
JP5089027B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2012-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
TWI229933B (en) | 2004-06-25 | 2005-03-21 | Novatek Microelectronics Corp | High voltage device for electrostatic discharge protective circuit and high voltage device |
JP2006065284A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-03-09 | Seiko Epson Corp | 発光装置及び電子機器 |
EP1624333B1 (en) | 2004-08-03 | 2017-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, manufacturing method thereof, and television set |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
JP4610285B2 (ja) | 2004-09-30 | 2011-01-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
JP4698998B2 (ja) | 2004-09-30 | 2011-06-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
JP4754918B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4801406B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
JP2006108249A (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
CN101057333B (zh) * | 2004-11-10 | 2011-11-16 | 佳能株式会社 | 发光器件 |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
JP5118812B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
EP2455975B1 (en) | 2004-11-10 | 2015-10-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor with amorphous oxide |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
JP4308153B2 (ja) * | 2005-01-12 | 2009-08-05 | 勝華科技股▲ふん▼有限公司 | セルテスト機能を具えた静電放電防護整合回路装置 |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI412138B (zh) | 2005-01-28 | 2013-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2006245093A (ja) | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Renei Kagi Kofun Yugenkoshi | 高電圧デバイス並びに静電気保護回路用高電圧デバイス |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
CN101694766A (zh) | 2005-05-02 | 2010-04-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件、以及电子器具 |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
TWI260094B (en) | 2005-06-13 | 2006-08-11 | Au Optronics Corp | Active device matrix substrate |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
US7732330B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method using an ink-jet method of the same |
JP4306654B2 (ja) * | 2005-07-26 | 2009-08-05 | カシオ計算機株式会社 | トランジスタアレイパネル |
US7655566B2 (en) | 2005-07-27 | 2010-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP4039446B2 (ja) | 2005-08-02 | 2008-01-30 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
CN100533238C (zh) * | 2005-08-02 | 2009-08-26 | 爱普生映像元器件有限公司 | 电光装置及电子设备 |
TWI304146B (en) * | 2005-08-08 | 2008-12-11 | Au Optronics Corp | Active matrix substrate and method of repairing thereof |
KR101354109B1 (ko) * | 2005-08-11 | 2014-01-22 | 가부시키가이샤 아데카 | 인돌화합물, 광학필터 및 광학기록 재료 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP2007073705A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP1998375A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP5198066B2 (ja) | 2005-10-05 | 2013-05-15 | 出光興産株式会社 | Tft基板及びtft基板の製造方法 |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101397571B1 (ko) | 2005-11-15 | 2014-05-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 그의 제조방법 |
JP4846348B2 (ja) | 2005-11-18 | 2011-12-28 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
KR100754126B1 (ko) | 2005-11-23 | 2007-08-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액정표시장치 어레이 기판 및 그 제조방법 |
JP5250929B2 (ja) | 2005-11-30 | 2013-07-31 | 凸版印刷株式会社 | トランジスタおよびその製造方法 |
JP5478000B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2014-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
US7692610B2 (en) | 2005-11-30 | 2010-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
WO2007063966A1 (ja) | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Tft基板及びtft基板の製造方法 |
TWI404227B (zh) | 2005-12-20 | 2013-08-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法、以及顯示裝置和電子設備 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) * | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
JP2007212699A (ja) | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 反射型tft基板及び反射型tft基板の製造方法 |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
JP2007272203A (ja) | 2006-03-06 | 2007-10-18 | Nec Corp | 表示装置 |
US7435633B2 (en) | 2006-03-14 | 2008-10-14 | Seiko Epson Corporation | Electroluminescence device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
JP4930704B2 (ja) | 2006-03-14 | 2012-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
JP2007250982A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Canon Inc | 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ及び表示装置 |
JP5110803B2 (ja) | 2006-03-17 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070246778A1 (en) | 2006-04-21 | 2007-10-25 | Meng-Chi Liou | Electrostatic discharge panel protection structure |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP2007310131A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | アクティブマトリクス基板及びアクティブマトリクス表示装置 |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
KR101478810B1 (ko) | 2006-07-28 | 2015-01-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 축전 장치 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4404881B2 (ja) | 2006-08-09 | 2010-01-27 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置 |
JP5216276B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2013-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5116277B2 (ja) | 2006-09-29 | 2013-01-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JP4932415B2 (ja) | 2006-09-29 | 2012-05-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5468196B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2014-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置及び液晶表示装置 |
TWI831616B (zh) | 2006-09-29 | 2024-02-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
JP5210594B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2013-06-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101363714B1 (ko) * | 2006-12-11 | 2014-02-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막트랜지스터, 그 제조 방법, 이를 이용한 정전기방지 소자, 액정표시장치 및 그 제조 방법 |
EP2096188B1 (en) | 2006-12-13 | 2014-01-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target |
JP5325415B2 (ja) | 2006-12-18 | 2013-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8058675B2 (en) * | 2006-12-27 | 2011-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device using the same |
KR100993420B1 (ko) | 2006-12-29 | 2010-11-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR101312259B1 (ko) * | 2007-02-09 | 2013-09-25 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US8129714B2 (en) * | 2007-02-16 | 2012-03-06 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Semiconductor, semiconductor device, complementary transistor circuit device |
KR100858088B1 (ko) | 2007-02-28 | 2008-09-10 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
CN101256332A (zh) * | 2007-03-02 | 2008-09-03 | 元太科技工业股份有限公司 | 电子墨水显示装置及主动组件阵列基板 |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
JP4727684B2 (ja) | 2007-03-27 | 2011-07-20 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP2008259060A (ja) | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Sharp Corp | デジタル放送受信装置 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
US8274078B2 (en) | 2007-04-25 | 2012-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal oxynitride semiconductor containing zinc |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR101508639B1 (ko) | 2007-11-29 | 2015-04-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시장치 및 전자기기 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
KR101555496B1 (ko) | 2008-01-15 | 2015-09-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
TWI413260B (zh) | 2008-07-31 | 2013-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
WO2010029866A1 (en) | 2008-09-12 | 2010-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR101829673B1 (ko) | 2008-09-12 | 2018-02-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
KR101273913B1 (ko) | 2008-09-19 | 2013-06-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
KR101762112B1 (ko) | 2008-09-19 | 2017-07-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정표시장치 |
EP2172804B1 (en) * | 2008-10-03 | 2016-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Display device |
WO2010038819A1 (en) | 2008-10-03 | 2010-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
CN101719493B (zh) | 2008-10-08 | 2014-05-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
-
2009
- 2009-09-23 EP EP09171106.9A patent/EP2172804B1/en active Active
- 2009-09-28 CN CN201410429433.9A patent/CN104332472B/zh active Active
- 2009-09-28 CN CN200910205211.8A patent/CN101713897B/zh active Active
- 2009-09-30 TW TW098133205A patent/TWI492387B/zh active
- 2009-09-30 TW TW104113525A patent/TWI545778B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-09-30 TW TW107101720A patent/TWI655781B/zh active
- 2009-09-30 TW TW105107028A patent/TWI583002B/zh active
- 2009-09-30 TW TW106105104A patent/TWI655779B/zh active
- 2009-10-01 KR KR1020090093761A patent/KR101533222B1/ko active IP Right Grant
- 2009-10-01 JP JP2009229419A patent/JP5534769B2/ja active Active
- 2009-10-01 US US12/571,549 patent/US8368066B2/en active Active
-
2012
- 2012-12-31 US US13/731,649 patent/US9082688B2/en active Active
-
2014
- 2014-04-16 KR KR1020140045199A patent/KR20140062007A/ko active Search and Examination
- 2014-04-22 JP JP2014088133A patent/JP6258765B2/ja active Active
-
2015
- 2015-07-09 US US14/795,602 patent/US9570470B2/en active Active
-
2016
- 2016-09-21 JP JP2016184349A patent/JP2017010052A/ja not_active Withdrawn
- 2016-10-31 KR KR1020160143180A patent/KR101794754B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-02-09 US US15/428,340 patent/US10367006B2/en active Active
- 2017-11-01 KR KR1020170144564A patent/KR20170125307A/ko not_active Application Discontinuation
-
2018
- 2018-08-01 JP JP2018145209A patent/JP6637554B2/ja active Active
-
2019
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