JP6376009B2 - Method for producing reused substrate, method for producing catalyst substrate for producing carbon nanotubes, and method for producing carbon nanotubes - Google Patents

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Description

本発明は、再利用基材の製造方法、カーボンナノチューブ生成用触媒基材の製造方法およびカーボンナノチューブの製造方法に関し、特には、カーボンナノチューブ合成用触媒を担持させる基材として好適に用いられる再利用基材の製造方法、当該再利用基材を用いたカーボンナノチューブ生成用触媒基材の製造方法、および当該再利用基材を用いたカーボンナノチューブの製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for producing a reuse base material, a method for producing a catalyst base material for producing carbon nanotubes, and a method for producing carbon nanotubes, and in particular, a reuse material suitably used as a base material for supporting a catalyst for carbon nanotube synthesis. The present invention relates to a method for producing a base material, a method for producing a catalyst base material for producing carbon nanotubes using the reusable base material, and a method for producing carbon nanotubes using the reusable base material.

カーボンナノチューブ（以下、「ＣＮＴ」と称することがある。）は、力学的強度、光学特性、電気特性、熱特性、分子吸着能等の各種特性に優れており、電子デバイス材料、光学素子材料、導電性材料等の機能性材料としての展開が期待されている。   Carbon nanotubes (hereinafter sometimes referred to as “CNT”) are excellent in various properties such as mechanical strength, optical properties, electrical properties, thermal properties, molecular adsorption ability, electronic device materials, optical element materials, Development as a functional material such as a conductive material is expected.

ここで、ＣＮＴの製造方法の一つとして、化学気相成長法（以下、「ＣＶＤ法」と称することがある。）が知られている。このＣＶＤ法は、高温雰囲気下で原料となる炭素化合物を金属微粒子よりなる触媒と接触させてＣＮＴを合成することを特徴としている。そして、ＣＶＤ法は、ＣＮＴの製造条件（例えば、触媒の種類または配置、炭素化合物の種類、或いは、反応条件など）の自由度が高く、また、単層カーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）と多層カーボンナノチューブ（ＭＷＣＮＴ）とのいずれも製造可能である製造方法として注目されている。   Here, a chemical vapor deposition method (hereinafter sometimes referred to as “CVD method”) is known as one of CNT manufacturing methods. This CVD method is characterized in that a CNT is synthesized by bringing a carbon compound as a raw material into contact with a catalyst made of metal fine particles in a high temperature atmosphere. The CVD method has a high degree of freedom in the CNT production conditions (for example, the type or arrangement of the catalyst, the type of carbon compound, or the reaction conditions), and the single-walled carbon nanotube (SWCNT) MWCNT) is attracting attention as a production method that can be produced.

また、ＣＶＤ法を用いたＣＮＴの製造方法の中でも、ＣＮＴ合成用触媒を担持した基材（以下、「触媒基材」と称することがある。）を用いてＣＮＴを合成する方法は、触媒基材に対して垂直に配向した多数のＣＮＴを大量に製造することができるため、特に注目されている。そのため、触媒基材を使用してＣＶＤ法によりＣＮＴを製造する方法に関し、製造コストの低減などを目的とした様々な提案がなされている。   Among the CNT production methods using the CVD method, a method for synthesizing CNTs using a substrate carrying a catalyst for CNT synthesis (hereinafter sometimes referred to as “catalyst substrate”) is a catalyst substrate. Since many CNTs orientated perpendicularly to the material can be produced in large quantities, it has attracted particular attention. For this reason, various proposals have been made for the purpose of reducing manufacturing costs and the like with respect to methods for producing CNTs by a CVD method using a catalyst substrate.

具体的には、例えば特許文献１では、触媒基材上で形成したＣＮＴを回収した後、使用済みの触媒基材を焼成し、そして焼成した触媒基材をＣＮＴの合成にそのまま再使用することにより、ＣＮＴの製造コストを低減することが提案されている。
また、例えば特許文献２では、触媒基材上に形成したＣＮＴを特定の方法で触媒基材から剥離して回収した後、使用済みの触媒基材について、触媒基材上の炭素成分を燃やして灰化させるアッシング処理や、触媒基材上の触媒成分を除去する酸洗浄を実施してからＣＮＴの合成に再使用することにより、ＣＮＴの製造コストを低減することが提案されている。 Specifically, in Patent Document 1, for example, after collecting the CNTs formed on the catalyst base, the used catalyst base is fired, and the fired catalyst base is reused as it is for the synthesis of CNTs. Thus, it has been proposed to reduce the manufacturing cost of CNTs.
Further, for example, in Patent Document 2, after the CNT formed on the catalyst base material is separated from the catalyst base material and collected by a specific method, the carbon component on the catalyst base material is burned for the used catalyst base material. It has been proposed to reduce the manufacturing cost of CNTs by performing ashing for ashing or acid cleaning for removing catalyst components on the catalyst substrate and then reusing them for CNT synthesis.

特開２００６−２７９４８号公報JP 2006-27948 A 特開２００７−９１４８５号公報JP 2007-91485 A

しかし、特許文献１に記載の技術では、６００〜７５０℃の高温下で焼成した触媒基材を再利用しているため、ＣＮＴの合成を繰り返すと、ＣＮＴ合成用触媒自体やＣＮＴ合成用触媒を担持している基材が劣化し、製造されるＣＮＴの品質が低下する虞があった。
また、特許文献２に記載の技術においても、触媒基材の再利用に際し、高温下でのアッシング処理や、硝酸、塩酸またはフッ酸などを使用した酸洗浄を実施しているため、ＣＮＴの合成を繰り返すと、ＣＮＴ合成用触媒を担持している基材が劣化し、製造されるＣＮＴの品質が低下する虞があった。
一方で、焼成、アッシング処理または酸洗浄などを実施することなく触媒基材の再利用を繰り返すと、基材の表面に残存した炭素成分などの不純物の影響によりＣＮＴの合成不良が発生し、製造されるＣＮＴの品質が低下する虞がある。 However, in the technique described in Patent Document 1, since the catalyst base fired at a high temperature of 600 to 750 ° C. is reused, when the synthesis of CNT is repeated, the CNT synthesis catalyst itself or the CNT synthesis catalyst is used. There is a possibility that the supporting substrate is deteriorated and the quality of the produced CNT is lowered.
In the technique described in Patent Document 2, the ashing process using nitric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, or the like is performed at the time of reusing the catalyst base, so that the synthesis of CNT is performed. If the process is repeated, the base material carrying the catalyst for CNT synthesis deteriorates, and the quality of the produced CNT may be deteriorated.
On the other hand, if the catalyst substrate is reused without firing, ashing or acid cleaning, CNT synthesis failure occurs due to the influence of impurities such as carbon components remaining on the surface of the substrate. There is a possibility that the quality of the CNTs to be deteriorated.

即ち、上記従来の技術には、基材の再利用によるＣＮＴの製造コストの低減と、高品質なＣＮＴの安定的な製造とを両立することができないという問題点があった。   That is, the above-described conventional technique has a problem in that it is impossible to achieve both reduction in CNT production cost by reusing a base material and stable production of high-quality CNT.

そこで、本発明は、高品質なＣＮＴを低コストで安定的に製造することを可能にする技術を提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a technique that makes it possible to stably manufacture high-quality CNTs at a low cost.

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行った。そして、本発明者らは、ＣＮＴの製造に使用した触媒基材を再利用してＣＶＤ法によりＣＮＴを繰り返し合成する際に、ウェットブラスト処理による物理的な洗浄方法を用いて基材を洗浄することで、基材の劣化を抑制しつつ基材の表面に残存している炭素成分などの不純物を良好に除去できることを見出し、本発明を完成させた。   The present inventors have intensively studied to achieve the above object. And when the present inventors recycle | reuse the catalyst base material used for manufacture of CNT and synthesize | combine CNT repeatedly by CVD method, it wash | cleans a base material using the physical washing | cleaning method by a wet blast process. Thus, it was found that impurities such as carbon components remaining on the surface of the base material can be satisfactorily removed while suppressing deterioration of the base material, and the present invention has been completed.

即ち、この発明は、上記課題を有利に解決することを目的とするものであり、本発明の再利用基材の製造方法は、表面からカーボンナノチューブが剥離された使用済み基材を用いた再利用基材の製造方法であって、前記使用済み基材の前記表面を洗浄する初期化工程を含み、前記洗浄が、ウェットブラスト処理による洗浄であることを特徴とする。このように、使用済み基材に対してウェットブラスト処理による洗浄を実施すれば、基材の劣化を抑制しつつ、基材の表面に残存している炭素成分などの不純物を良好に除去することができる。従って、この製造方法を用いて製造した再利用基材にカーボンナノチューブ合成用触媒を担持させて形成した触媒基材をカーボンナノチューブの合成に使用すれば、使用済み基材の再利用によるコストの削減と、高品質なカーボンナノチューブの安定的な製造とを両立することができる。   That is, the present invention aims to advantageously solve the above-described problems, and the method for producing a reuse base material of the present invention is a recycling method using a used base material from which carbon nanotubes have been peeled from the surface. It is a manufacturing method of a utilization base material, Comprising: The initialization process which wash | cleans the said surface of the said used base material is included, The said washing | cleaning is washing | cleaning by wet blast processing, It is characterized by the above-mentioned. In this way, if the used base material is cleaned by wet blasting, it is possible to satisfactorily remove impurities such as carbon components remaining on the surface of the base material while suppressing deterioration of the base material. Can do. Therefore, if a catalyst base formed by supporting a carbon nanotube synthesis catalyst on a reusable base material manufactured using this manufacturing method is used for carbon nanotube synthesis, the cost can be reduced by reusing the used base material. And stable production of high-quality carbon nanotubes.

ここで、本発明の再利用基材の製造方法は、前記初期化工程の後に、前記表面を清掃する清掃工程を更に含むことが好ましい。初期化工程の後に清掃工程を実施すれば、基材の表面に残存している炭素成分などの不純物が十分に除去された再利用基材を製造することができるからである。   Here, it is preferable that the manufacturing method of the reuse base material of this invention further includes the cleaning process which cleans the said surface after the said initialization process. This is because if the cleaning process is performed after the initialization process, a reuse base material from which impurities such as carbon components remaining on the surface of the base material are sufficiently removed can be manufactured.

また、この発明は、上記課題を有利に解決することを目的とするものであり、本発明のカーボンナノチューブ生成用触媒基材の製造方法は、上述した再利用基材の製造方法の何れかにより得られた再利用基材の前記表面側にカーボンナノチューブ合成用触媒を担持させ、前記再利用基材上に触媒層を形成する触媒層形成工程を含むことを特徴とする。このように、上述した再利用基材の製造方法を用いて得られた再利用基材の表面に触媒層を形成してカーボンナノチューブ生成用触媒基材を製造すれば、使用済み基材を再利用しつつ、高品質なカーボンナノチューブを安定的に製造することが可能な触媒基材を提供できる。   Moreover, this invention aims at solving the said subject advantageously, The manufacturing method of the catalyst base material for carbon nanotube production | generation of this invention is based on either of the manufacturing method of the reusable base material mentioned above. A catalyst layer forming step of supporting a carbon nanotube synthesis catalyst on the surface side of the obtained reuse base material and forming a catalyst layer on the reuse base material is included. Thus, if a catalyst layer is formed on the surface of the reused substrate obtained using the method for producing a reused substrate described above to produce a catalyst substrate for producing carbon nanotubes, the used substrate can be recycled. A catalyst base material capable of stably producing high-quality carbon nanotubes while being utilized can be provided.

また、この発明は、上記課題を有利に解決することを目的とするものであり、本発明のカーボンナノチューブの製造方法は、上述した再利用基材の製造方法の何れかにより得られた再利用基材を用いることを特徴とする。このように、上述した再利用基材の製造方法を用いて得られた再利用基材を使用すれば、高品質なカーボンナノチューブを低コストで安定的に製造することがてきる。   Further, the present invention aims to advantageously solve the above-mentioned problems, and the carbon nanotube production method of the present invention is a reuse obtained by any of the above-described reuse substrate production methods. A substrate is used. Thus, if the reuse base material obtained using the manufacturing method of the reuse base material mentioned above is used, a high quality carbon nanotube can be manufactured stably at low cost.

本発明の再利用基材の製造方法によれば、基材の劣化を抑制しつつ、基材の表面に残存している炭素成分などの不純物を良好に除去した再利用基材を製造することができる。また、本発明のカーボンナノチューブ生成用触媒基材の製造方法によれば、使用済み基材を再利用しつつ、高品質なカーボンナノチューブを安定的に製造することが可能な触媒基材を提供することができる。さらに、本発明のカーボンナノチューブの製造方法によれば、使用済みの基材を再利用しつつ、高品質なカーボンナノチューブを安定的に製造することができる。
従って、本発明によれば、使用済み基材の再利用によるコストの削減と、高品質なカーボンナノチューブの安定的な製造とを両立することができる。 According to the method for producing a reuse base material of the present invention, it is possible to produce a reuse base material in which impurities such as carbon components remaining on the surface of the base material are well removed while suppressing deterioration of the base material. Can do. Moreover, according to the method for producing a catalyst substrate for producing carbon nanotubes of the present invention, a catalyst substrate capable of stably producing high-quality carbon nanotubes while reusing a used substrate is provided. be able to. Furthermore, according to the method for producing carbon nanotubes of the present invention, it is possible to stably produce high-quality carbon nanotubes while reusing used substrates.
Therefore, according to the present invention, it is possible to achieve both cost reduction by reusing a used substrate and stable production of high-quality carbon nanotubes.

基材を再利用しつつカーボンナノチューブを繰り返し合成する本発明のカーボンナノチューブの製造方法の一例のフローチャートである。It is a flowchart of an example of the manufacturing method of the carbon nanotube of this invention which synthesize | combines a carbon nanotube repeatedly, reusing a base material. 本発明の再利用基材の製造方法の一例を用いて製造される再利用基材の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the reuse base material manufactured using an example of the manufacturing method of the reuse base material of this invention. （ａ）は、初期化工程を実施する前の使用済み基材の状態を模式的に示す図であり、（ｂ）は、初期化工程を実施した後の使用済み基材の状態を模式的に示す図である。(A) is a figure which shows typically the state of the used base material before implementing an initialization process, (b) is a schematic diagram of the state of the used base material after implementing an initialization process. FIG. 本発明のカーボンナノチューブ生成用触媒基材の製造方法の一例を用いて製造されるカーボンナノチューブ生成用触媒基材の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the catalyst base material for carbon nanotube production | generation manufactured using an example of the manufacturing method of the catalyst base material for carbon nanotube production | generation of this invention. 図４に示すカーボンナノチューブ生成用触媒基材を使用してカーボンナノチューブを合成した後に基材からカーボンナノチューブを剥離して得られる使用済み基材の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the used base material obtained by synthesize | combining a carbon nanotube using the catalyst base material for carbon nanotube production | generation shown in FIG. 4, and peeling a carbon nanotube from a base material. 本発明のカーボンナノチューブ生成用触媒基材の製造方法の一例を用いて製造されるカーボンナノチューブ生成用触媒基材の別の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically another structure of the catalyst base material for carbon nanotube production | generation manufactured using an example of the manufacturing method of the catalyst base material for carbon nanotube production | generation of this invention. カーボンナノチューブ生産装置の一例の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of an example of a carbon nanotube production apparatus. 初期化工程におけるウェットブラスト処理の回数に対して、生成したカーボンナノチューブのＧ／Ｄ比（５回の繰り返し合成により得られた値の平均値）をプロットした散布図である。It is the scatter diagram which plotted the G / D ratio (average value of the value obtained by five repetition synthesis | combination) of the produced | generated carbon nanotube with respect to the frequency | count of the wet blast process in an initialization process. 初期化工程を実施する前の使用済み基材表面のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）画像である。It is a SEM (scanning electron microscope) image of the used base-material surface before implementing an initialization process. 初期化工程（ウェットブラスト処理１回）を実施した後の使用済み基材表面のＳＥＭ画像である。It is a SEM image of the used base-material surface after implementing an initialization process (wet blast process 1 time). 初期化工程（ウェットブラスト処理６回）を実施した後の使用済み基材表面のＳＥＭ画像である。It is a SEM image of the used base-material surface after implementing an initialization process (wet blast process 6 times).

以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
ここで、本発明の再利用基材の製造方法は、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の合成に使用された使用済み基材を原材料として使用し、表面にＣＮＴ合成用触媒を担持させることでＣＮＴの合成に再び使用することができる再利用基材を製造する際に用いられる。また、本発明のカーボンナノチューブ生成用触媒基材の製造方法は、本発明の再利用基材の製造方法を用いて製造した再利用基材を使用し、化学気相成長法（ＣＶＤ法）を用いたＣＮＴの合成に良好に使用し得るカーボンナノチューブ生成用触媒基材を製造する際に用いられる。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
Here, the manufacturing method of the reuse base material of this invention uses the used base material used for the synthesis | combination of a carbon nanotube (CNT) as a raw material, and synthesize | combines CNT by carrying | supporting the catalyst for CNT synthesis | combination on the surface. It is used in the production of a recycled substrate that can be used again. Moreover, the manufacturing method of the catalyst base material for carbon nanotube production | generation of this invention uses the reusable base material manufactured using the manufacturing method of the reusable base material of this invention, and uses a chemical vapor deposition method (CVD method). It is used when producing a catalyst substrate for producing carbon nanotubes that can be used favorably for the synthesis of the used CNTs.

さらに、本発明のカーボンナノチューブの製造方法は、本発明の再利用基材の製造方法を用いて得られた再利用基材を使用してＣＶＤ法によりＣＮＴを製造する方法である。そして本発明のカーボンナノチューブの製造方法の好適な態様として、例えば図１に示すような、基材を再利用しつつＣＮＴを繰り返し合成するＣＮＴの製造方法が挙げられる。   Furthermore, the method for producing carbon nanotubes of the present invention is a method for producing CNTs by a CVD method using the reused substrate obtained by using the method for producing a reused substrate of the present invention. And as a suitable aspect of the manufacturing method of the carbon nanotube of this invention, the manufacturing method of CNT which synthesize | combines CNT repeatedly, such as shown in FIG. 1, for example, is mentioned.

（カーボンナノチューブの製造方法）
ここで、図１に示すカーボンナノチューブの製造方法は、基材上に形成したＣＮＴを基材から剥離するＣＮＴ剥離工程と、ＣＮＴ剥離工程において基材からＣＮＴを剥離して得られる使用済み基材を使用し、本発明の再利用基材の製造方法を用いて再利用基材を製造する工程（再利用基材製造工程）と、得られた再利用基材を使用し、本発明のカーボンナノチューブ生成用触媒基材の製造方法を用いてカーボンナノチューブ生成用触媒基材を製造する工程（触媒基材製造工程）と、得られたカーボンナノチューブ生成用触媒基材を使用し、ＣＶＤ法によりカーボンナノチューブ生成用触媒基材上でＣＮＴを合成するＣＮＴ成長工程とを含む。そして、カーボンナノチューブの製造方法では、これらの工程を繰り返し実施し、基材を再利用しつつ低コストでＣＮＴを繰り返し製造する。 (Method for producing carbon nanotube)
Here, the carbon nanotube manufacturing method shown in FIG. 1 includes a CNT peeling step for peeling CNT formed on a base material from the base material, and a used base material obtained by peeling CNT from the base material in the CNT peeling step. The process of manufacturing a reuse base material using the manufacturing method of the reuse base material of the present invention (reuse base material manufacturing process), and using the obtained reuse base material, the carbon of the present invention A process for producing a catalyst base for producing carbon nanotubes using a method for producing a catalyst base for producing nanotubes (catalyst base production process), and using the obtained catalyst base for producing carbon nanotubes, carbon is produced by a CVD method. And a CNT growth step of synthesizing CNTs on the nanotube-producing catalyst substrate. And in the manufacturing method of a carbon nanotube, these processes are repeatedly implemented and CNT is repeatedly manufactured at low cost, reusing a base material.

＜ＣＮＴ剥離工程＞
ＣＮＴ剥離工程では、表面にＣＮＴが形成された基材からＣＮＴを剥離し、表面からＣＮＴが剥離された使用済み基材を得る。
ここで、ＣＮＴ剥離工程においてＣＮＴを基材から剥離する方法としては、物理的、化学的あるいは機械的な剥離方法を例示できる。具体的には、例えば、電場、磁場、遠心力、表面張力等を用いて剥離する方法、機械的に直接基材から剥ぎ取る方法、並びに、圧力または熱を用いて基材から剥離する方法等が適用可能である。また、真空ポンプを用いてＣＮＴを吸引し、基材から剥ぎ取ることも可能である。なお、簡単でＣＮＴを損傷させ難い剥離方法としては、ＣＮＴをピンセットで直接つまんで基材から剥がす方法や、鋭利部を備えたプラスチック製のヘラまたはカッターブレード等の薄い刃物を使用してＣＮＴを基材から剥ぎ取る方法が挙げられる。中でも、剥離方法としては、鋭利部を備えたプラスチック製のヘラまたはカッターブレード等の薄い刃物を使用してＣＮＴを基材から剥ぎ取る方法が好適である。 <CNT peeling process>
In the CNT stripping step, the CNTs are stripped from the base material having the CNTs formed on the surface, and a used base material from which the CNTs are stripped from the surface is obtained.
Here, a physical, chemical, or mechanical peeling method can be exemplified as a method for peeling CNT from the substrate in the CNT peeling step. Specifically, for example, a method of peeling using an electric field, magnetic field, centrifugal force, surface tension, etc., a method of mechanically peeling directly from a substrate, a method of peeling from a substrate using pressure or heat, etc. Is applicable. It is also possible to suck CNTs using a vacuum pump and peel them off from the substrate. In addition, as a peeling method that is easy and difficult to damage the CNTs, the CNTs can be peeled off from the substrate by directly pinching them with tweezers, or a thin blade such as a plastic spatula or a cutter blade having a sharp part is used. The method of peeling off from a base material is mentioned. Among these, as the peeling method, a method of peeling CNT from the base material using a thin blade such as a plastic spatula or a cutter blade provided with a sharp part is preferable.

＜再利用基材製造工程＞
再利用基材製造工程において再利用基材を製造する際に使用する本発明の再利用基材の製造方法の一例は、使用済み基材を洗浄する初期化工程を含み、任意に、初期化工程を経た使用済み基材を清掃する清掃工程を更に含む。 <Reusable substrate manufacturing process>
An example of the method for producing a reused substrate of the present invention used when producing a reused substrate in the reused substrate production process includes an initialization step for cleaning the used substrate, and optionally initialization It further includes a cleaning step of cleaning the used base material that has undergone the step.

［使用済み基材］
ＣＮＴ剥離工程において基材からＣＮＴを剥離して得られる使用済み基材は、一例としてＣＮＴの製造を一度のみ実施した基材からＣＮＴを剥離して得られる使用済み基材の構成を図３（ａ）に示すように、例えば、基材１０と、基材１０の両面に設けられた浸炭防止層１１と、基材１０の主表面側（図３では上側）に位置する浸炭防止層１１の上に設けられた下地層１２と、下地層１２の基材１０側とは反対側の表面に設けられた触媒層１３とを備えている。そして、使用済み基材の、少なくとも触媒層１３側の表面（即ち、ＣＮＴが形成されていた側の表面）には、ＣＮＴの合成時に付着した炭素成分やＣＮＴの剥離時に残存した炭素成分などの不純物１４が残存している。具体的には、使用済み基材の表面には、ＣＮＴの剥離時に取りきれずに残ったＣＮＴ、グラファイト状またはアモルファス状のナノ粒子、薄片状物質等の炭素化合物が残存していると推察される。因みに、使用済み基材の、不純物１４以外の構成、即ち、基材１０、浸炭防止層１１、下地層１２および触媒層１３は、ＣＮＴ剥離工程において基材から剥離されたＣＮＴを合成した際に使用されたものである。従って、例えば触媒層１３は、ＣＮＴの剥離時に剥離されずに残存した微粒子状のＣＮＴ合成用触媒で構成されている。
なお、使用済み基材は、浸炭防止層を備えていなくてもよい。また、使用済み基材は、下地層を備えていなくてもよい。 [Used substrate]
As an example, the used base material obtained by peeling CNT from the base material in the CNT peeling step shows the configuration of the used base material obtained by peeling CNT from the base material that has been manufactured only once in FIG. As shown in a), for example, the base material 10, the carburization prevention layer 11 provided on both surfaces of the base material 10, and the carburization prevention layer 11 located on the main surface side (upper side in FIG. 3) of the base material 10. The base layer 12 provided above and the catalyst layer 13 provided on the surface of the base layer 12 on the side opposite to the base material 10 side are provided. And at least the surface of the used base material on the side of the catalyst layer 13 (that is, the surface on the side where the CNTs are formed) such as the carbon components adhering during the synthesis of CNTs and the carbon components remaining after the CNTs are peeled off, etc. Impurities 14 remain. Specifically, it is inferred that carbon compounds such as CNT, graphite-like or amorphous nanoparticles, flake-like substances, etc. that remain without being completely removed at the time of CNT peeling remain on the surface of the used base material. The Incidentally, the composition of the used base material other than the impurities 14, that is, the base material 10, the carburization preventing layer 11, the underlayer 12, and the catalyst layer 13, were synthesized when the CNT peeled from the base material was synthesized in the CNT stripping step. It is what was used. Therefore, for example, the catalyst layer 13 is composed of a particulate CNT synthesis catalyst that remains without being stripped when the CNTs are stripped.
In addition, the used base material does not need to be provided with the carburization prevention layer. Moreover, the used base material does not need to be provided with the base layer.

[[基材]]
ここで、ＣＮＴの合成に使用された後に使用済み基材の一部を構成する基材１０としては、その表面にＣＮＴ合成用の触媒を担持することが可能であり、後述するウェットブラスト処理による洗浄に対する耐性を有している基材であれば任意の基材が用いられる。具体的には、基材１０としては、ＣＮＴの製造に実績のあるものを、適宜、用いることができる。なお、基材１０は、５００℃以上の高温でも形状を維持できることが好ましい。 [[Base material]]
Here, as the base material 10 constituting a part of the used base material after being used for the synthesis of CNT, it is possible to carry a catalyst for CNT synthesis on the surface thereof, and by wet blasting described later. Any substrate can be used as long as it is resistant to cleaning. Specifically, as the base material 10, a material having a track record in the production of CNTs can be used as appropriate. In addition, it is preferable that the base material 10 can maintain a shape even at a high temperature of 500 ° C. or higher.

ここで、基材１０の材質としては、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、マンガン、コバルト、銅、銀、金、白金、ニオブ、タンタル、鉛、亜鉛、ガリウム、インジウム、ゲルマニウムおよびアンチモンなどの金属、並びに、これらの金属を含む合金および酸化物、或いは、シリコン、石英、ガラス、マイカ、グラファイトおよびダイヤモンドなどの非金属、並びに、セラミックなどを例示できる。これらの中でも、金属は、シリコンおよびセラミックと比較して、低コスト且つ加工が容易であるから好ましく、特に、Ｆｅ−Ｃｒ（鉄−クロム）合金、Ｆｅ−Ｎｉ（鉄−ニッケル）合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｎｉ（鉄−クロム−ニッケル）合金などは好適である。   Here, the material of the base material 10 is iron, nickel, chromium, molybdenum, tungsten, titanium, aluminum, manganese, cobalt, copper, silver, gold, platinum, niobium, tantalum, lead, zinc, gallium, indium, germanium. Examples thereof include metals such as antimony and antimony, and alloys and oxides containing these metals, or nonmetals such as silicon, quartz, glass, mica, graphite and diamond, and ceramics. Among these, metals are preferable because they are low in cost and easy to process as compared with silicon and ceramics. In particular, Fe—Cr (iron-chromium) alloy, Fe—Ni (iron-nickel) alloy, Fe— A Cr—Ni (iron-chromium-nickel) alloy or the like is preferable.

基材１０の形状としては、平板状、薄膜状、ブロック状または粒子状などが挙げられ、ＣＮＴを大量に製造する観点からは、体積の割に表面積を大きくとれる平板状および粒子状が特に有利である。
ここで、基材１０が合金からなる場合、特に形状が平板状のものには、その圧延工程に由来するヘアライン状の凹凸が全面に存在しており、この凹凸部に付着した汚れは一般に除去されにくいと予想される。しかし、本発明ではウェットブラスト処理による洗浄を行うことから、該凹凸部に存在する汚れを効率的に除去できると考えられ、本発明による効果をより顕著に得ることが可能である。 Examples of the shape of the substrate 10 include a flat plate shape, a thin film shape, a block shape, and a particle shape. From the viewpoint of manufacturing a large amount of CNTs, a flat plate shape and a particle shape that can take a large surface area for a volume are particularly advantageous. It is.
Here, when the base material 10 is made of an alloy, the hairline-like unevenness derived from the rolling process is present on the entire surface, particularly in the case of a flat plate shape, and dirt adhering to the uneven portion is generally removed. Expected to be difficult to do. However, since cleaning by wet blasting is performed in the present invention, it is considered that dirt present on the uneven portions can be efficiently removed, and the effects of the present invention can be obtained more remarkably.

なお、平板状の基材１０を使用する場合、基材１０の厚さに特に制限はなく、例えば数μｍ程度の薄膜から数ｃｍ程度までのものを用いることができる。好ましくは、基材１０の厚さは０．０５ｍｍ以上３ｍｍ以下である。基材１０の厚さが３ｍｍ以下であれば、ＣＮＴを合成する際に基材１０を十分に加熱することができ、ＣＮＴの成長不良の発生を抑制することができる。また、基材１０のコストを低減できる。一方、基材１０の厚さが０．０５ｍｍ以上であれば、ＣＮＴ合成時の浸炭による基材１０の変形を抑制することができ、また、基材自体のたわみが起こりにくいため、基材１０の搬送や再利用に有利である。なお、本明細書にいう「浸炭」とは、基材１０に炭素成分が浸透することをいう。
また、平板状の基材１０の形状および大きさに特に制限はないが、形状としては、長方形もしくは正方形のものを用いることができる。また、基材１０の一辺の長さに特に制限はないが、ＣＮＴの量産性の観点からは、一辺の長さは長いほど望ましい。 In addition, when using the flat base material 10, there is no restriction | limiting in particular in the thickness of the base material 10, For example, the thing from about several micrometers thin film to about several cm can be used. Preferably, the thickness of the base material 10 is 0.05 mm or more and 3 mm or less. If the thickness of the base material 10 is 3 mm or less, the base material 10 can be sufficiently heated when synthesizing CNTs, and the occurrence of defective growth of CNTs can be suppressed. Moreover, the cost of the base material 10 can be reduced. On the other hand, if the thickness of the base material 10 is 0.05 mm or more, deformation of the base material 10 due to carburization at the time of CNT synthesis can be suppressed, and the base material itself is less likely to bend. It is advantageous for transportation and reuse. Note that “carburization” in the present specification means that a carbon component penetrates into the substrate 10.
Moreover, there is no restriction | limiting in particular in the shape and magnitude | size of the flat base material 10, As a shape, a rectangular or square thing can be used. Moreover, although there is no restriction | limiting in particular in the length of the one side of the base material 10, from the viewpoint of mass productivity of CNT, the length of one side is so preferable that it is long.

[[浸炭防止層]]
浸炭防止層１１は、ＣＮＴを合成する際に基材１０が浸炭されて変形してしまうことを防止するための保護層である。浸炭防止層１１は、基材１０の表面および裏面のいずれか一方のみに形成してもよいが、基材１０の両面に形成することが望ましい。 [[Carburization prevention layer]]
The carburizing prevention layer 11 is a protective layer for preventing the base material 10 from being carburized and deformed when synthesizing CNTs. The carburizing prevention layer 11 may be formed on only one of the front surface and the back surface of the base material 10, but it is desirable to form the carburization prevention layer 11 on both surfaces of the base material 10.

浸炭防止層１１は、金属またはセラミック材料によって構成されることが好ましく、特に浸炭防止効果の高いセラミック材料で構成されることが好ましい。金属としては、銅、アルミニウム等を例示できる。セラミック材料としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、シリカアルミナ、酸化クロム、酸化ホウ素、酸化カルシウム、酸化亜鉛等の酸化物、窒化アルミニウム、及び、窒化ケイ素等の窒化物を例示できる。これらの中でも、浸炭防止効果が高いことから、浸炭防止層１１を構成する材料としては、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素が好ましい。   The carburizing prevention layer 11 is preferably made of a metal or a ceramic material, and particularly preferably made of a ceramic material having a high carburizing prevention effect. Examples of the metal include copper and aluminum. Examples of the ceramic material include aluminum oxide, silicon oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, titanium oxide, silica alumina, chromium oxide, boron oxide, calcium oxide, zinc oxide and other oxides, aluminum nitride, and silicon nitride. Nitride can be exemplified. Among these, since the carburization prevention effect is high, aluminum oxide and silicon oxide are preferable as materials constituting the carburization prevention layer 11.

なお、浸炭防止層１１上には下地層１２または触媒層１３を形成するが、浸炭防止層の材質と下地層１２または触媒層１３の材質とが共通する場合には、浸炭防止層１１を設けることなく、下地層１２や触媒層１３を浸炭防止層１１として機能させてもよい。   In addition, although the base layer 12 or the catalyst layer 13 is formed on the carburizing prevention layer 11, when the material of the carburization prevention layer and the material of the base layer 12 or the catalyst layer 13 are common, the carburization prevention layer 11 is provided. Instead, the underlayer 12 and the catalyst layer 13 may function as the carburization preventing layer 11.

浸炭防止層１１の厚さは、０．０１μｍ以上１．０μｍ以下が望ましい。浸炭防止層の厚さが０．０１μｍ以上であると、浸炭防止効果を充分に得ることができる。一方、浸炭防止層の厚さが１．０μｍ以下であると、基材１０の熱伝導性が変化するのを抑制し、ＣＮＴ合成時に基材１０を十分に加熱してＣＮＴを良好に成長させることができる。浸炭防止層１１の層形成（コーティング）の方法としては、例えば、蒸着、スパッタリング等の物理的方法、ＣＶＤ、塗布等の方法を用いることができる。   The thickness of the carburizing prevention layer 11 is desirably 0.01 μm or more and 1.0 μm or less. When the thickness of the carburization preventing layer is 0.01 μm or more, a carburization preventing effect can be sufficiently obtained. On the other hand, if the thickness of the carburizing prevention layer is 1.0 μm or less, the thermal conductivity of the base material 10 is suppressed from changing, and the base material 10 is sufficiently heated during CNT synthesis to grow CNTs satisfactorily. be able to. As a method for forming (coating) the carburizing prevention layer 11, for example, a physical method such as vapor deposition or sputtering, a method such as CVD, or coating can be used.

[[下地層]]
下地層１２は、「触媒担持層」とも称されるものであり、ＣＮＴ合成用触媒の下地となる層である。そして、下地層１２の材料としては、ＣＮＴ合成用触媒の下地となるものであればさまざまな材料を用いることができ、例えば、アルミナ、チタニア、窒化チタン、酸化シリコンなどのセラミック材料が好適に用いられる。中でも、下地層１２の材料としては、セラミック材料を用いることが好ましい。セラミック材料の方が、基材１０を再利用してＣＮＴを合成したときにＣＮＴが良好に成長するからである。 [[Underlayer]]
The underlayer 12 is also referred to as a “catalyst support layer”, and is a layer that serves as an underlayer for the CNT synthesis catalyst. Various materials can be used as the material for the underlayer 12 as long as they serve as the basis for the catalyst for CNT synthesis. For example, ceramic materials such as alumina, titania, titanium nitride, and silicon oxide are preferably used. It is done. Among them, it is preferable to use a ceramic material as the material for the underlayer 12. This is because the ceramic material grows better when the base material 10 is reused to synthesize the CNT.

なお、下地層１２の厚みは、ＣＮＴの成長が安定して歩留まりが向上する観点からは１０ｎｍ以上であることが好ましく、生産効率の観点からは３０ｎｍ以下であることが好ましい。   The thickness of the underlayer 12 is preferably 10 nm or more from the viewpoint of stable CNT growth and improved yield, and preferably 30 nm or less from the viewpoint of production efficiency.

[[触媒層]]
触媒層１３は、ＣＮＴ合成用触媒の微粒子を含む層である。ここで、触媒層１３を構成するＣＮＴ合成用触媒としては、例えば、これまでのＣＮＴの製造に実績のあるものを、適宜、用いることができる。具体的には、鉄、ニッケル、コバルトおよびモリブデン、並びに、これらの塩化物および合金等をＣＮＴ合成用触媒として例示することができる。 [[Catalyst layer]]
The catalyst layer 13 is a layer containing fine particles of a CNT synthesis catalyst. Here, as the catalyst for synthesizing CNT constituting the catalyst layer 13, for example, a catalyst having a proven record in the production of CNTs so far can be used as appropriate. Specifically, iron, nickel, cobalt and molybdenum, and chlorides and alloys thereof can be exemplified as CNT synthesis catalysts.

なお、触媒層１３の形成に使用するＣＮＴ合成用触媒の量は、例えば、これまでのＣＮＴの製造に実績のある量を使用することができる。具体的には、例えばＣＮＴ合成用触媒として鉄を用いる場合には、触媒層１３の厚さは、０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、０．５ｎｍ以上５ｎｍ以下がさらに好ましく、０．８ｎｍ以上２ｎｍ以下が特に好ましい。   In addition, the quantity of the catalyst for CNT synthesis | combination used for formation of the catalyst layer 13 can use the quantity with a track record in manufacture of the CNT until now, for example. Specifically, for example, when iron is used as a catalyst for CNT synthesis, the thickness of the catalyst layer 13 is preferably 0.1 nm to 100 nm, more preferably 0.5 nm to 5 nm, and 0.8 nm to 2 nm. The following are particularly preferred:

因みに、触媒層１３は、基材１０の表面側および裏面側の両面に形成してもよい。基材１０の両面に触媒層１３を形成すれば、ＣＮＴを基材１０の両面において成長させることができるので、生産効率を向上させることができる。もちろん、生産コストや生産工程上の都合等に応じて、触媒層１３を基材１０の片面のみに設けることは可能である。   Incidentally, the catalyst layer 13 may be formed on both the front surface side and the back surface side of the substrate 10. If the catalyst layer 13 is formed on both surfaces of the substrate 10, CNTs can be grown on both surfaces of the substrate 10, so that production efficiency can be improved. Of course, it is possible to provide the catalyst layer 13 only on one side of the base material 10 in accordance with the production cost and the convenience in the production process.

ここで、上述した下地層１２および触媒層１３の組み合わせとしては、例えば、アルミナ−鉄薄膜、アルミナ−コバルト薄膜、および、アルミナ−鉄−モリブデン薄膜などを例示することができる。   Here, examples of the combination of the base layer 12 and the catalyst layer 13 described above include an alumina-iron thin film, an alumina-cobalt thin film, and an alumina-iron-molybdenum thin film.

なお、例えば、アルミニウム−鉄薄膜、アルミニウム−鉄−モリブデン薄膜などの形態でもＣＮＴの合成は可能であるが、基材の再利用を行なう場合、下地層１２の形成に使用する材料は、セラミック材料の方が好ましい。セラミック材料は、金属材料に比べてＣＶＤ法を用いたＣＮＴの合成中に劣化し難いため、セラミック材料を使用すれば、ＣＶＤ法を用いたＣＮＴの合成を２度以上行なった場合でも、ＣＮＴが良好に成長するからある。   Note that, for example, CNT can be synthesized in the form of an aluminum-iron thin film, an aluminum-iron-molybdenum thin film, or the like. However, when the substrate is reused, the material used for forming the base layer 12 is a ceramic material. Is preferred. Ceramic materials are less likely to deteriorate during the synthesis of CNTs using the CVD method compared to metal materials. Therefore, if ceramic materials are used, the CNTs can be produced even when the CNTs are synthesized twice or more using the CVD method. Because it grows well.

ここで、上述した基材１０、浸炭防止層１１および触媒層１２は、それぞれ、その表面の算術平均粗さＲａが３μｍ以下であることが望ましい。表面の算術平均粗さＲａが３μｍ以下であれば、使用済み基材の表面への炭素成分の付着が防止または抑制され、さらに浸炭されにくくなる。従って、基材を再利用してＣＮＴを合成した際に、高品質のＣＮＴを安定的に高効率で生産することが可能となる。   Here, as for the base material 10, the carburizing prevention layer 11, and the catalyst layer 12 mentioned above, it is desirable that the arithmetic mean roughness Ra of the surface is 3 micrometers or less, respectively. If the arithmetic average roughness Ra of the surface is 3 μm or less, the adhesion of the carbon component to the surface of the used base material is prevented or suppressed, and further, it is difficult to carburize. Therefore, when the base material is reused to synthesize CNTs, it is possible to stably produce high-quality CNTs with high efficiency.

なお、算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００１）に記載の通り、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さＬだけ抜き取って、この抜き取り部分の平均線方向にＸ軸、直交する縦倍率の方向にＹ軸をとったときの表面プロファイルをｙ＝ｆ（ｘ）で表したときに、次式（１）によって求められる。   The arithmetic average roughness Ra is extracted from the roughness curve by the reference length L in the direction of the average line as described in JIS B0601 (2001), and is orthogonal to the average line direction of the extracted portion in the X axis. When the surface profile when the Y axis is taken in the direction of the vertical magnification is expressed by y = f (x), it is obtained by the following equation (1).

［初期化工程］
初期化工程においては、ＣＮＴが剥離された使用済み基材に対し、ウェットブラスト処理による洗浄を実施する。具体的には、初期化工程では、使用済み基材の表面のうち、少なくともＣＮＴが剥離された側の表面に対して、ウェットブラスト処理による洗浄を実施する。そして、図３（ａ）に初期化工程を実施する前の使用済み基材の状態を示し、図３（ｂ）に初期化工程を実施した後の使用済み基材の状態を示すように、初期化工程においては、使用済み基材の表面（図示例では触媒層１３の表面）に残存していた炭素成分などの不純物１４が、ウェットブラスト処理による洗浄により除去される。 [Initialization process]
In the initialization process, the used base material from which the CNT has been peeled is washed by wet blasting. Specifically, in the initialization step, at least the surface of the used base material from which the CNTs have been peeled is cleaned by wet blasting. And as shown in FIG. 3 (a) shows the state of the used base material before carrying out the initialization step, and FIG. 3 (b) shows the state of the used base material after carrying out the initialization step, In the initialization step, impurities 14 such as carbon components remaining on the surface of the used base material (the surface of the catalyst layer 13 in the illustrated example) are removed by washing by wet blasting.

なお、初期化工程後の基材上には、図３（ｂ）に示すように下地層１２および触媒層１３が残存していてもよいし、使用済み基材の下地層１２および触媒層１３は、ウェットブラスト処理による炭素成分の除去に伴って除去されていてもよい。なお、初期化工程において下地層１２および触媒層１３が除去されても、後述する下地層形成工程および触媒層形成工程において下地層および触媒層を再び形成すれば、その後のＣＮＴの生成に悪影響を及ぼすことはない。一方で、初期化工程で炭素成分の除去が不十分であると、その上に下地層および触媒層を形成したとしても、その後のＣＮＴの生成においてＣＮＴの生産量や品質が低下することがある。   As shown in FIG. 3B, the base layer 12 and the catalyst layer 13 may remain on the base material after the initialization process, or the base layer 12 and the catalyst layer 13 of the used base material. May be removed along with the removal of the carbon component by wet blasting. Even if the foundation layer 12 and the catalyst layer 13 are removed in the initialization process, if the foundation layer and the catalyst layer are formed again in the foundation layer formation process and the catalyst layer formation process described later, the subsequent generation of CNTs is adversely affected. There is no effect. On the other hand, if the carbon component is not sufficiently removed in the initialization step, even if an underlayer and a catalyst layer are formed thereon, the production and quality of CNT may be reduced in the subsequent CNT generation. .

ここで、「ウェットブラスト処理による洗浄」とは、研磨材を分散媒中に分散させてなるウェットブラスト処理用スラリーを被洗浄物である使用済み基材の表面に対して衝突させて、使用済み基材の表面を物理的に洗浄する方法である。   Here, “cleaning by wet blasting” means that the slurry for wet blasting, in which the abrasive is dispersed in the dispersion medium, is collided with the surface of the used base material that is the object to be cleaned and used. This is a method of physically cleaning the surface of the substrate.

[[ウェットブラスト処理用スラリー]]
ウェットブラスト処理用スラリーに用いる研磨材としては、アルミナ、炭化珪素、樹脂、ガラス、ジルコニアおよびステンレスなどが挙げられる。これらの中でもアルミナが好ましい。そしてこれらは単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。
研磨材の形状は特に限定されないが、略球状であることが好ましい。そして研磨材の平均粒子径は、１μｍ以上であることが好ましく、２μｍ以上であることがより好ましく、３０μｍ以下であることが好ましく、２５μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以下であることが更に好ましい。平均粒子径が１μｍ以上であれば、使用済み基材上に残存した炭素成分などの不純物を効率よく除去することができ、３０μｍ以下であれば、ウェットブラスト処理後における使用済み基材の表面が過度に荒れることもない。
なお、本発明において研磨材の「平均粒子径」は、ＪＩＳ Ｒ６００１（１９９８、精密研磨用微粉／電気抵抗試験法）に準じて測定された累積高さ５０％の粒子径（ｄS−５０値）をいう。 [[Slurry for wet blasting]]
Examples of the abrasive used for the slurry for wet blasting include alumina, silicon carbide, resin, glass, zirconia, and stainless steel. Among these, alumina is preferable. And these may be used independently and may mix and use 2 or more types.
The shape of the abrasive is not particularly limited, but is preferably substantially spherical. The average particle size of the abrasive is preferably 1 μm or more, more preferably 2 μm or more, preferably 30 μm or less, more preferably 25 μm or less, and further preferably 20 μm or less. preferable. If the average particle size is 1 μm or more, impurities such as carbon components remaining on the used substrate can be efficiently removed, and if it is 30 μm or less, the surface of the used substrate after the wet blasting treatment It will not be overly rough.
In the present invention, the “average particle size” of the abrasive is the particle size (d S −50 value) of 50% cumulative height measured according to JIS R6001 (1998, fine powder for precision polishing / electric resistance test method). ).

ウェットブラスト処理用スラリーに用いる分散媒としては、研磨材を分散可能であれば特に限定されないが、水を含むことが好ましい。
そして、ウェットブラスト処理用スラリー中の研磨材の濃度は、５体積％以上であることが好ましく、７．５体積％以上であることがより好ましく、１０体積％以上であることが更に好ましく、２５体積％以下であることが好ましく、２２．５体積％以下であることがより好ましく、２０体積％以下であることが更に好ましい。スラリー中の研磨材の濃度が５体積％以上であれば、使用済み基材上に残存した炭素成分などの不純物を効率よく除去することができ、２５体積％以下であれば、研磨材同士の衝突による処理効率の低下を抑制することができる。 The dispersion medium used in the slurry for wet blast treatment is not particularly limited as long as the abrasive can be dispersed, but preferably contains water.
The concentration of the abrasive in the slurry for wet blast treatment is preferably 5% by volume or more, more preferably 7.5% by volume or more, and further preferably 10% by volume or more. It is preferably no greater than volume%, more preferably no greater than 22.5 volume%, and even more preferably no greater than 20 volume%. If the concentration of the abrasive in the slurry is 5% by volume or more, impurities such as carbon components remaining on the used base material can be efficiently removed. A decrease in processing efficiency due to a collision can be suppressed.

[[スラリーの使用済み基材表面への衝突]]
上述したウェットブラスト処理用スラリーを、例えば投射ガンを用いて圧縮空気により加速させて、使用済み基材表面に衝突させる。
ここで圧縮空気の圧力は特に限定されないが、０．０３ＭＰａ以上であることが好ましく、０．０５ＭＰａ以上であることがより好ましく、０．３ＭＰａ以下であることが好ましく、０．２ＭＰａ以下であることがより好ましい。圧縮空気の圧力が上述の範囲内であれば、研磨材を含むスラリーを均一に霧化して、使用済み基材表面を均一に処理することができる。 [[Slurry impinges on used substrate surface]]
The above-mentioned slurry for wet blast treatment is accelerated by compressed air using, for example, a projection gun, and collides with the used substrate surface.
Here, the pressure of the compressed air is not particularly limited, but is preferably 0.03 MPa or more, more preferably 0.05 MPa or more, preferably 0.3 MPa or less, and 0.2 MPa or less. Is more preferable. When the pressure of the compressed air is within the above range, the slurry containing the abrasive can be atomized uniformly to treat the used substrate surface uniformly.

また、投射ガンの投射口から使用済み基材表面までの距離は、５ｍｍ以上であることが好ましく、１０ｍｍ以上であることがより好ましく、１５ｍｍ以上であることが更に好ましく、５０ｍｍ以下であることが好ましく、４５ｍｍ以下であることがより好ましく、４０ｍｍ以下であることが更に好ましい。投射ガンの投射口から使用済み基材表面までの距離が上述の範囲内であれば、使用済み基材表面を効率よくかつ均一に処理することができる。   Further, the distance from the projection port of the projection gun to the used base material surface is preferably 5 mm or more, more preferably 10 mm or more, further preferably 15 mm or more, and preferably 50 mm or less. Preferably, it is 45 mm or less, more preferably 40 mm or less. If the distance from the projection port of the projection gun to the used base material surface is within the above range, the used base material surface can be processed efficiently and uniformly.

また、ウェットブラスト処理用スラリーの投射角度φ（使用済み基材表面に対する角度、０°≦φ≦９０°）は、８０°以上が好ましく、８５°以上がより好ましく、９０°（すなわち、使用済み基材表面と垂直であること）が更に好ましい。投射角度φが８０°以上であれば、使用済み基材表面を効率よくかつ均一に処理することができる。   Further, the projection angle φ of the slurry for wet blasting treatment (angle with respect to the used substrate surface, 0 ° ≦ φ ≦ 90 °) is preferably 80 ° or more, more preferably 85 ° or more, and 90 ° (that is, used). More preferably, it is perpendicular to the substrate surface. If the projection angle φ is 80 ° or more, the used substrate surface can be treated efficiently and uniformly.

そして、ウェットブラスト処理に用いる投射ガンの種類は特に限定されず、ノズル、幅広スリットなどの投射ガンを挙げることができる。
また、投射ガンを用いたウェットブラスト処理の具体的な態様は特に限定されないが、例えば、使用済み基材を水平方向に搬送し、その上側に固定された投射ガンから、搬送されている使用済み基材に対してウェットブラスト処理用スラリーを噴射する態様が好ましい。なお、使用済み基材の搬送速度は特に限定されないが、１０〜１００ｍｍ／秒程度が好ましい。そしてウェットブラスト処理は３回以上行うことが好ましく、６回以上行うことがより好ましく、１０回以上行うことが更に好ましい。ウェットブラスト処理を３回以上行えば、生成されるＣＮＴのＧ／Ｄ比を高めることができる。 And the kind of projection gun used for a wet blast process is not specifically limited, Projection guns, such as a nozzle and a wide slit, can be mentioned.
In addition, the specific mode of wet blasting using a projection gun is not particularly limited, but, for example, a used base material is transported in a horizontal direction and used from a projection gun fixed on the upper side. An embodiment in which the slurry for wet blast treatment is sprayed on the substrate is preferable. In addition, although the conveyance speed of a used base material is not specifically limited, About 10-100 mm / sec is preferable. The wet blast treatment is preferably performed 3 times or more, more preferably 6 times or more, and further preferably 10 times or more. If the wet blast treatment is performed three or more times, the G / D ratio of the produced CNT can be increased.

［清掃工程］
清掃工程においては、初期化工程後の基材上を清掃して、図２に示すような、使用済み基材から炭素成分等の不純物が除去された再利用基材２０を得る。清掃工程では、初期化工程において用いた洗浄方法とは異なる方法、例えば、基材表面を水洗し、布により拭き取る方法や、基材表面を水洗し、エアーを吹き付けて乾燥する方法等により、基材上を清掃する。ウェットブラスト処理による洗浄を実施した後の基材表面には、炭素成分などの不純物が除去しきれずに残存している場合があるが、初期化工程後に基材を清掃することによって、残存する炭素成分などの不純物を十分に取り除くことができる。なお、基材表面に残存する炭素成分等と基材との接着力は、初期化工程におけるウェットブラスト処理による洗浄により低下している。従って、清掃工程では、水洗、拭き取り等によって容易に炭素成分等を取り除くことができる。 [Cleaning process]
In the cleaning process, the base material after the initialization process is cleaned to obtain a reuse base material 20 from which impurities such as carbon components are removed from the used base material as shown in FIG. In the cleaning process, a method different from the cleaning method used in the initialization process, for example, a method of washing the substrate surface with water and wiping with a cloth, a method of washing the substrate surface with water, blowing air and drying, etc. Clean the material. On the surface of the substrate after cleaning by wet blasting, impurities such as carbon components may remain without being removed, but carbon remaining by cleaning the substrate after the initialization process Impurities such as components can be sufficiently removed. In addition, the adhesive force between the carbon component remaining on the surface of the base material and the base material is reduced by washing by wet blasting in the initialization process. Therefore, in the cleaning process, carbon components and the like can be easily removed by washing with water, wiping, or the like.

なお、清掃工程後の基材上には、図２に示すように下地層１２および触媒層１３が残存していてもよいし、下地層１２および触媒層１３は、基材表面の清掃に伴って除去されていてもよい。なお、清掃工程において下地層１２および触媒層１３が除去されても、後述する下地層形成工程および触媒層形成工程において、下地層および触媒層を形成すれば、その後のＣＮＴの生成に悪影響を及ぼすことはない。   In addition, as shown in FIG. 2, the base layer 12 and the catalyst layer 13 may remain on the base material after the cleaning step, and the base layer 12 and the catalyst layer 13 are accompanied by cleaning of the base material surface. May be removed. Even if the base layer 12 and the catalyst layer 13 are removed in the cleaning process, if the base layer and the catalyst layer are formed in the base layer formation process and the catalyst layer formation process described later, the subsequent generation of CNTs is adversely affected. There is nothing.

［再利用基材］
そして、上述した再利用基材製造工程において使用済み基材に対して初期化工程と任意の清掃工程とを実施して得られる再利用基材は、例えば図２に示すような、使用済み基材から炭素成分等の不純物が除去された構成を有している。具体的には、図２に示す再利用基材２０は、基材１０と、基材１０の両面に設けられた浸炭防止層１１と、基材１０の主表面側（図２では上側）に位置する浸炭防止層１１の上に設けられた下地層１２と、下地層１２の基材１０側とは反対側の表面に設けられた触媒層１３とを備えている。なお、下地層１２や触媒層１３が前述した初期化工程および清掃工程において除去された場合には、再利用基材は下地層１２や触媒層１３を有さない構成となる。 [Reuse substrate]
And the reuse base material obtained by implementing the initialization process and arbitrary cleaning processes with respect to a used base material in the reuse base material manufacturing process mentioned above, for example, shows a used base as shown in FIG. It has a configuration in which impurities such as carbon components are removed from the material. Specifically, the reuse base material 20 shown in FIG. 2 includes the base material 10, the carburization prevention layer 11 provided on both surfaces of the base material 10, and the main surface side (upper side in FIG. 2) of the base material 10. The base layer 12 provided on the carburizing prevention layer 11 located is provided, and the catalyst layer 13 provided on the surface on the opposite side to the base material 10 side of the base layer 12 is provided. In addition, when the base layer 12 and the catalyst layer 13 are removed in the initialization process and the cleaning process described above, the reuse base material has a configuration without the base layer 12 and the catalyst layer 13.

ここで、この再利用基材２０の表面からは、前述した初期化工程および清掃工程において炭素成分等が除去されている。従って、再利用基材２０は、後に詳細に説明する触媒基材製造工程において下地層や触媒層を形成してカーボンナノチューブ生成用触媒基材とした後、ＣＮＴの製造に再度使用することができる。即ち、再利用基材２０は、後に詳細に説明する触媒基材製造工程においてカーボンナノチューブ生成用触媒基材を製造する際の原料基材として用いることができる。   Here, carbon components and the like are removed from the surface of the reuse base material 20 in the initialization process and the cleaning process described above. Therefore, the reuse base material 20 can be used again for the production of CNTs after forming an underlayer or a catalyst layer in a catalyst base material production process described in detail later to form a catalyst base material for producing carbon nanotubes. . That is, the reuse base material 20 can be used as a raw material base material when manufacturing a carbon nanotube-generating catalyst base material in a catalyst base material manufacturing process described in detail later.

なお、再利用基材２０をＣＮＴの製造に再度使用する場合、再利用基材２０が炭素成分等の不純物を含んでいると、ＣＮＴの成長が不安定になる、或いは、生成されるＣＮＴの品質が低下する可能性がある。しかし、再利用基材２０を製造する際には、前述した初期化工程および清掃工程において炭素成分等を十分に除去しているので、再利用基材２０を使用すれば、ＣＮＴの成長を安定化することができると共に、高品質なＣＮＴを繰り返し生成することができる。   When the reused substrate 20 is used again for the production of CNTs, if the reused substrate 20 contains impurities such as a carbon component, the growth of CNTs becomes unstable, or the generated CNTs Quality may be degraded. However, when the reuse base material 20 is manufactured, the carbon component and the like are sufficiently removed in the initialization process and the cleaning process described above, so that the use of the reuse base material 20 stabilizes the CNT growth. And high quality CNTs can be repeatedly generated.

ここで、基材に付着した炭素成分などの除去方法としては、高温で加熱して蒸発または灰化させる方法や、酸洗浄する方法等が考えられる。しかし、高温で基材を加熱すると、基材の損傷、基材の反り等の問題が生じ、再利用時にＣＮＴの成長に悪影響を及ぼす場合がある。また、基材を酸洗浄すると、特に基材が金属材料よりなる場合に、基材が腐食され、再利用時にＣＮＴの成長に悪影響を及ぼす可能性がある。   Here, as a method for removing the carbon component adhering to the substrate, a method of evaporating or ashing by heating at a high temperature, a method of acid cleaning, and the like are conceivable. However, when the substrate is heated at a high temperature, problems such as damage to the substrate and warping of the substrate may occur, which may adversely affect CNT growth during reuse. In addition, when the substrate is acid-washed, particularly when the substrate is made of a metal material, the substrate is corroded and may adversely affect the growth of CNTs during reuse.

これに対して、前述した初期化工程では、分散媒（液体）を主成分とするスラリーを用いたウェットブラスト処理による洗浄で炭素成分等を除去しているので、洗浄時の基材の劣化（例えば、損傷、反りおよび腐食の発生など）を抑制することができる。従って、再利用基材２０を使用すれば、ＣＮＴの成長を安定化させ、高品質なＣＮＴを繰り返し生成することができる。
なお、基材の腐食を十分に抑制する観点からは、ウェットブラスト処理による洗浄において使用する水を含む分散媒のｐＨは、４以上１０以下であることが好ましい。 On the other hand, in the initialization process described above, the carbon component and the like are removed by cleaning by wet blasting using a slurry whose main component is a dispersion medium (liquid). For example, the occurrence of damage, warpage, and corrosion can be suppressed. Therefore, if the reuse base material 20 is used, the growth of CNTs can be stabilized and high quality CNTs can be repeatedly generated.
In addition, from the viewpoint of sufficiently suppressing the corrosion of the base material, the pH of the dispersion medium containing water used in the cleaning by the wet blast treatment is preferably 4 or more and 10 or less.

[[再利用基材の性状]]
ここで、上述したとおり、再利用基材２０からは炭素成分等が十分に除去されていることが好ましく、再利用基材２０は炭素成分等が表面に残存していないことが特に好ましい。ここで、再利用基材２０から炭素成分が除去されていることは、例えば基材表面のラマンスペクトル測定により評価することが可能である。ラマンスペクトルにおいて、炭素成分は、１５９３ｃｍ-1付近のグラファイトの振動モード、または、１３５０ｃｍ-1付近の結晶性の低いアモルファス炭素化合物の振動モードとして検出することが可能である。従って、再利用基材２０は、これらのピークが観測されないことが好ましい。 [[Properties of recycled substrate]]
Here, as described above, it is preferable that the carbon component or the like is sufficiently removed from the reuse base material 20, and it is particularly preferable that the carbon component or the like does not remain on the surface of the reuse base material 20. Here, the removal of the carbon component from the reuse base material 20 can be evaluated, for example, by measuring the Raman spectrum of the base material surface. In the Raman spectrum, the carbon component can be detected as a vibration mode of graphite near 1593 cm −1 or a vibration mode of an amorphous carbon compound having low crystallinity near 1350 cm −1 . Therefore, it is preferable that these peaks are not observed in the reuse base material 20.

また、この再利用基材２０は、表面（触媒層１３側の表面）の水に対する接触角が８０°以下であることが好ましく、７７°以下であることが更に好ましい。再利用基材２０の表面の接触角が大きい場合、ＣＮＴの製造に再度使用した際にＣＮＴの成長に悪影響を及ぼす可能性があるからである。
なお、接触角は、再利用基材の触媒層側の表面に純水を２マイクロリットル滴下し、５秒後の液滴から、θ／２法を用いて算出することができる。 In addition, the reuse base material 20 has a contact angle with water on the surface (surface on the catalyst layer 13 side) of preferably 80 ° or less, and more preferably 77 ° or less. This is because when the contact angle of the surface of the reuse base material 20 is large, there is a possibility of adversely affecting the growth of the CNT when it is used again for the production of the CNT.
The contact angle can be calculated by using the θ / 2 method from 2 microliters of pure water dropped on the surface of the recycled substrate on the catalyst layer side and 5 seconds later.

＜触媒基材製造工程＞
再利用基材製造工程で得られた再利用基材を使用し、触媒基材製造工程においてカーボンナノチューブ生成用触媒基材を製造する際に使用する本発明のカーボンナノチューブ生成用触媒基材の製造方法の一例は、再利用基材の表面にＣＮＴ合成用触媒を担持させ、再利用基材上に触媒層を形成する触媒層形成工程を少なくとも含む。なお、触媒基材製造工程は、任意に、ＣＮＴ合成用触媒の下地となる下地層を再利用基材の表面に形成する下地層形成工程を触媒層形成工程の前に含んでいてもよい。 <Catalyst substrate manufacturing process>
Production of the catalyst substrate for carbon nanotube production of the present invention used when producing the catalyst substrate for producing carbon nanotubes in the catalyst substrate production process using the reused substrate obtained in the reuse substrate production process An example of the method includes at least a catalyst layer forming step of loading a catalyst for CNT synthesis on the surface of the reused substrate and forming a catalyst layer on the reused substrate. Note that the catalyst base material manufacturing step may optionally include a base layer forming step for forming a base layer serving as a base for the CNT synthesis catalyst on the surface of the reuse base material before the catalyst layer forming step.

ここで、再利用基材をＣＮＴの合成に使用する場合、触媒層１３が最表面にある再利用基材２０をそのまま用いて２度目のＣＮＴの合成を行なうことも考えられる。しかし、再利用基材２０をそのまま用いた場合、ＣＮＴの成長が不安定になったり、生成されるＣＮＴの品質が低下したりする場合がある。考えられる原因としては、触媒層１３中の触媒微粒子の密度や直径が、１度目のＣＮＴ合成時とは異なる状態なっていることや、初期化工程や清掃工程において触媒層１３中の触媒微粒子が除去されたこと等が挙げられる。
そのため、触媒基材製造工程では、再利用基材の表面にＣＮＴ合成用触媒を再び担持させ、再利用基材上に触媒層を再び形成する。なお、触媒層を再び形成する前に再利用基材上に下地層を形成すれば、使用済みの触媒層と、次のＣＮＴの合成に使用する触媒層とを下地層で分離し、触媒層を良好に形成することができる。従って、触媒基材製造工程では、下地層形成工程を実施することが好ましい。 Here, when using a reuse base material for the synthesis | combination of CNT, it is also considered to synthesize | combine CNT for the second time using the reuse base material 20 with the catalyst layer 13 in the outermost surface as it is. However, when the reuse base material 20 is used as it is, the growth of the CNTs may become unstable or the quality of the produced CNTs may deteriorate. Possible causes are that the density and diameter of the catalyst fine particles in the catalyst layer 13 are different from those at the first CNT synthesis, and that the catalyst fine particles in the catalyst layer 13 are in the initialization process and cleaning process. It has been removed.
Therefore, in the catalyst base material manufacturing process, the catalyst for CNT synthesis is again supported on the surface of the reuse base material, and the catalyst layer is formed again on the reuse base material. If the base layer is formed on the reused substrate before the catalyst layer is formed again, the used catalyst layer and the catalyst layer used for the synthesis of the next CNT are separated by the base layer, and the catalyst layer Can be formed satisfactorily. Therefore, in the catalyst base material manufacturing process, it is preferable to carry out the underlayer forming process.

なお、当業者であれば、再利用基材の表面に下地層や触媒層を新たに設けるのであれば、使用済み基材に対して初期化工程や清掃工程を実施することなく、使用済み基材をそのまま用いてもよいと考えるであろう。しかし、本発明者らは、初期化工程を行わずに使用済み基材を再利用した場合、ＣＮＴが生成しない場合があることを見出した。このことから、使用済み基材の再利用にあたり、初期化工程は、ＣＮＴの成長の安定性を向上させる役割、若しくは、ＣＮＴの成長を促進する役割があることを見出し、本発明に至ったのである。   If a person skilled in the art newly provides a base layer or a catalyst layer on the surface of a reused substrate, the used substrate is not subjected to an initialization process or a cleaning process. You may think that the material can be used as is. However, the present inventors have found that when a used base material is reused without performing an initialization step, CNT may not be generated. From this, in reusing the used base material, it was found that the initialization process has a role of improving the stability of CNT growth, or a role of promoting the growth of CNT, and has led to the present invention. is there.

［下地層形成工程］
再利用基材２０の触媒層１３上への下地層の形成には、ウェットプロセスまたはドライプロセス（スパッタリング蒸着法など）のいずれを用いてもよい。成膜装置の簡便さ、スループットの速さ、原材料費の安さなどの観点からは、ウェットプロセスを用いるのが好ましい。
以下、一例として、ウェットプロセスにより下地層を形成する場合について説明する。 [Underlayer forming process]
Either a wet process or a dry process (such as a sputtering vapor deposition method) may be used to form the underlayer on the catalyst layer 13 of the reuse base material 20. It is preferable to use a wet process from the viewpoint of the simplicity of the film forming apparatus, the speed of throughput, the low cost of raw materials, and the like.
Hereinafter, as an example, a case where the base layer is formed by a wet process will be described.

下地層を形成するウェットプロセスは、下地層となる元素を含んだ金属有機化合物および／または金属塩を有機溶剤に溶解してなる塗工液Ａを基材上へ塗布する工程と、その後加熱する工程から成る。塗工液Ａには金属有機化合物および金属塩の過度な縮合重合反応を抑制するための安定剤を添加してもよい。   The wet process for forming the underlayer includes a step of applying a coating liquid A obtained by dissolving a metal organic compound and / or a metal salt containing an element serving as the underlayer on an organic solvent, and then heating. It consists of a process. A stabilizer for suppressing an excessive condensation polymerization reaction of the metal organic compound and the metal salt may be added to the coating liquid A.

ここで、例えば、アルミナ膜を下地層として用いる場合、アルミナ膜を形成するための金属有機化合物および／または金属塩としては、アルミニウムトリメトキシド、アルミニウムトリエトキシド、アルミニウムトリ−ｎ−プロポキシド、アルミニウムトリ−ｉ−プロポキシド、アルミニウムトリ−ｎ−ブトキシド、アルミニウムトリ−ｓｅｃ−ブトキシド、アルミニウムトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシド等のアルミニウムアルコキシドを用いることができる。アルミナ膜を形成するための金属有機化合物としては他に、トリス（アセチルアセトナト）アルミニウム（ＩＩＩ）などの錯体が挙げられる。金属塩としては、硫酸アルミニウム、塩化アルミニウム、硝酸アルミニウム、臭化アルミニウム、よう化アルミニウム、乳酸アルミニウム、塩基性塩化アルミニウム、塩基性硝酸アルミニウム等が挙げられる。これらのなかでも、アルミニウムアルコキシドを用いることが好ましい。これらは、それぞれ単独で、または２種以上の混合物として用いることができる。   Here, for example, when an alumina film is used as the underlayer, examples of the metal organic compound and / or metal salt for forming the alumina film include aluminum trimethoxide, aluminum triethoxide, aluminum tri-n-propoxide, Aluminum alkoxides such as aluminum tri-i-propoxide, aluminum tri-n-butoxide, aluminum tri-sec-butoxide, aluminum tri-tert-butoxide can be used. Other examples of the metal organic compound for forming the alumina film include complexes such as tris (acetylacetonato) aluminum (III). Examples of the metal salt include aluminum sulfate, aluminum chloride, aluminum nitrate, aluminum bromide, aluminum iodide, aluminum lactate, basic aluminum chloride, basic aluminum nitrate and the like. Among these, it is preferable to use aluminum alkoxide. These can be used singly or as a mixture of two or more.

安定剤としては、β−ジケトン類およびアルカノールアミン類からなる群より選ばれる少なくとも一つを用いることが好ましい。これらの化合物は単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。β−ジケトン類としては、アセチルアセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ベンゾイルアセトン、ジベンゾイルメタン、ベンゾイルトリフルオルアセトン、フロイルアセトンおよびトリフルオルアセチルアセトンなどを用いることができるが、特にアセチルアセトン、アセト酢酸エチルを用いることが好ましい。アルカノールアミン類としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエタノール、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミンなどを用いることができるが、第２級または第３級アルカノールアミンを用いることが好ましい。   As the stabilizer, it is preferable to use at least one selected from the group consisting of β-diketones and alkanolamines. These compounds may be used alone or in combination of two or more. Examples of β-diketones include acetylacetone, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, benzoylacetone, dibenzoylmethane, benzoyltrifluoroacetone, furoylacetone, and trifluoroacetylacetone. Is preferably used. Examples of the alkanolamines include monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N-methyldiethanolamine, N-ethyldiethanolamine, N, N-dimethylaminoethanol, diisopropanolamine, and triisopropanolamine. A secondary or tertiary alkanolamine is preferably used.

有機溶剤としては、アルコール、グリコール、ケトン、エーテル、エステル類、炭化水素類等種々の有機溶剤が使用できるが、金属有機化合物および金属塩の溶解性が良いことから、アルコールまたはグリコールを用いることが好ましい。これらの有機溶剤は単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。アルコールとしては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどが、取り扱い性、保存安定性といった点で好ましい。   As the organic solvent, various organic solvents such as alcohols, glycols, ketones, ethers, esters, hydrocarbons and the like can be used. However, since the solubility of metal organic compounds and metal salts is good, alcohol or glycol is used. preferable. These organic solvents may be used alone or in combination of two or more. As the alcohol, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, and the like are preferable in terms of handling properties and storage stability.

塗工液Ａ中の金属有機化合物および／または金属塩の量は特に限定されないが、有機溶剤１００ｍＬ当たり、好ましくは０．１ｇ以上、より好ましくは０．５ｇ以上であり、好ましくは３０ｇ以下、より好ましくは５ｇ以下である。
また、塗工液Ａ中の安定剤の量は特に限定されないが、有機溶剤１００ｍＬ当たり、好ましくは０．０１ｇ以上、より好ましくは０．１ｇ以上であり、好ましくは２０ｇ以下、より好ましくは３ｇ以下である。 The amount of the metal organic compound and / or metal salt in the coating liquid A is not particularly limited, but is preferably 0.1 g or more, more preferably 0.5 g or more, and preferably 30 g or less, per 100 mL of the organic solvent. Preferably it is 5 g or less.
Further, the amount of the stabilizer in the coating liquid A is not particularly limited, but is preferably 0.01 g or more, more preferably 0.1 g or more, preferably 20 g or less, more preferably 3 g or less per 100 mL of the organic solvent. It is.

塗工液Ａの塗布方法としては、スプレー、ハケ塗り等により塗布する方法、スピンコーティング、ディップコーティング等のいずれの方法を用いてもよいが、生産性および膜厚制御の観点からは、ディップコーティングが好ましい。   As a coating method of the coating liquid A, any method such as spray coating, brush coating, spin coating, dip coating, etc. may be used. From the viewpoint of productivity and film thickness control, dip coating is possible. Is preferred.

塗工液Ａを塗布した後の加熱は、下地層の種類に応じ、５０℃以上４００℃以下の温度範囲で、５分以上３時間以下の時間に亘って行なうことができる。加熱することで塗布された金属有機化合物および／または金属塩の加水分解および縮重合反応が開始され、金属水酸化物および／または金属酸化物を含む硬化皮膜（下地層）が再利用基材の表面に形成される。   The heating after applying the coating liquid A can be performed in a temperature range of 50 ° C. or more and 400 ° C. or less over a period of 5 minutes or more and 3 hours or less, depending on the type of the underlayer. The hydrolysis and polycondensation reaction of the applied metal organic compound and / or metal salt is started by heating, and the cured film (underlayer) containing the metal hydroxide and / or metal oxide becomes a reusable substrate. Formed on the surface.

［触媒層形成工程］
触媒層の形成には、下地層と同様に、ウェットプロセスまたはドライプロセス（スパッタリング蒸着法など）のいずれを用いてもよい。成膜装置の簡便さ、スループットの速さ、原材料費の安さなどの観点からは、ウェットプロセスを用いるのが好ましい。
以下、一例として、ウェットプロセスにより触媒層を形成する場合について説明する。 [Catalyst layer forming step]
For the formation of the catalyst layer, any of a wet process or a dry process (such as a sputtering deposition method) may be used as in the case of the underlayer. It is preferable to use a wet process from the viewpoint of the simplicity of the film forming apparatus, the speed of throughput, the low cost of raw materials, and the like.
Hereinafter, the case where a catalyst layer is formed by a wet process will be described as an example.

触媒層を形成するウェットプロセスは、ＣＮＴ合成用触媒となる元素を含んだ金属有機化合物および／または金属塩を有機溶剤に溶解してなる塗工液Ｂを基材上へ塗布する工程と、その後加熱する工程から成る。塗工液Ｂには金属有機化合物および金属塩の過度な縮合重合反応を抑制するための安定剤を添加してもよい。   The wet process for forming the catalyst layer includes a step of applying a coating liquid B obtained by dissolving a metal organic compound and / or metal salt containing an element serving as a catalyst for CNT synthesis in an organic solvent, and thereafter It consists of a heating process. A stabilizer for suppressing an excessive condensation polymerization reaction of the metal organic compound and the metal salt may be added to the coating liquid B.

ここで、例えば、鉄をＣＮＴ合成用触媒として用いる場合、触媒層となる鉄薄膜を形成するための金属有機化合物および／または金属塩としては、鉄ペンタカルボニル、フェロセン、アセチルアセトン鉄（ＩＩ）、アセチルアセトン鉄（ＩＩＩ）、トリフルオロアセチルアセトン鉄（ＩＩ）、トリフルオロアセチルアセトン鉄（ＩＩＩ）等を用いることができる。金属塩としては、例えば、硫酸鉄、硝酸鉄、リン酸鉄、塩化鉄、臭化鉄等の無機酸鉄、酢酸鉄、シュウ酸鉄、クエン酸鉄、乳酸鉄等の有機酸鉄等が挙げられる。これらのなかでも、有機酸鉄を用いることが好ましい。これらは、それぞれ単独で、または２種以上の混合物として用いることができる。   Here, for example, when iron is used as a catalyst for CNT synthesis, the metal organic compound and / or metal salt for forming an iron thin film as a catalyst layer may be iron pentacarbonyl, ferrocene, acetylacetone iron (II), acetylacetone. Iron (III), trifluoroacetylacetone iron (II), trifluoroacetylacetone iron (III) and the like can be used. Examples of the metal salt include inorganic acid irons such as iron sulfate, iron nitrate, iron phosphate, iron chloride, and iron bromide, and organic acid irons such as iron acetate, iron oxalate, iron citrate, and iron lactate. It is done. Among these, it is preferable to use organic acid iron. These can be used singly or as a mixture of two or more.

なお、塗工液Ｂの安定剤および有機溶剤としては、上述の塗工液Ａと同様のものを用いることができる。また、それらの含有量も、塗工液Ａと同様の量とすることができる。   In addition, as a stabilizer and organic solvent of the coating liquid B, the same thing as the above-mentioned coating liquid A can be used. Moreover, those contents can also be made into the same quantity as the coating liquid A.

更に、塗工液Ｂの塗布方法としては、塗工液Ａと同様の方法を用いることができる。また、塗工液Ｂを塗布した後の加熱も、塗工液Ａと同様にして行なうことができる。   Furthermore, as a coating method of the coating liquid B, the same method as the coating liquid A can be used. The heating after applying the coating liquid B can be performed in the same manner as the coating liquid A.

この触媒層形成工程により、触媒層が再利用基材の表面に形成されてなるカーボンナノチューブ生成用触媒基材が形成される。   By this catalyst layer forming step, a catalyst substrate for producing carbon nanotubes is formed by forming a catalyst layer on the surface of the reused substrate.

［カーボンナノチューブ生成用触媒基材］
そして、上述した触媒基材製造工程において再利用基材２０に対して下地層形成工程と触媒層形成工程とを実施して得られるカーボンナノチューブ生成用触媒基材は、例えば図４に示すような、再利用基材２０の触媒層１３側に新たな下地層２２および触媒層２３が順次積層された構成を有している。具体的には、図４に示すカーボンナノチューブ生成用触媒基材１は、基材１０、浸炭防止層１１、下地層１２および触媒層１３を有する再利用基材２０と、再利用基材２０の触媒層１３側の表面に新たに設けられた下地層２２と、下地層２２の再利用基材２０側とは反対側の表面に新たに設けられた触媒層２３とを備えている。 [Catalyst substrate for carbon nanotube production]
And the catalyst base material for carbon nanotube production | generation obtained by implementing a base layer formation process and a catalyst layer formation process with respect to the reuse base material 20 in the catalyst base material manufacturing process mentioned above, for example, as shown in FIG. In addition, a new base layer 22 and a catalyst layer 23 are sequentially stacked on the catalyst layer 13 side of the reuse base material 20. Specifically, the catalyst substrate 1 for generating carbon nanotubes shown in FIG. 4 includes a reuse substrate 20 having a substrate 10, a carburization prevention layer 11, an underlayer 12 and a catalyst layer 13, and a reuse substrate 20. A base layer 22 newly provided on the surface on the catalyst layer 13 side and a catalyst layer 23 newly provided on the surface of the base layer 22 opposite to the reuse base material 20 side are provided.

このカーボンナノチューブ生成用触媒基材１は、再利用基材２０の上に下地層２２および触媒層２３を新たに形成しているので、以下に詳細に説明するＣＮＴ成長工程においてＣＮＴを合成する際に好適に用いることができる。   Since this carbon nanotube-generating catalyst base material 1 is newly formed with a base layer 22 and a catalyst layer 23 on a reusable base material 20, when synthesizing CNTs in the CNT growth step described in detail below, Can be suitably used.

＜ＣＮＴ成長工程＞
ＣＮＴ成長工程では、触媒基材製造工程において得られたカーボンナノチューブ生成用触媒基材を使用し、ＣＶＤ法等の既知の手法を用いてカーボンナノチューブ生成用触媒基材上でＣＮＴを合成する。なお、ＣＮＴ成長工程では、再利用基材の上に下地層や触媒層を新たに形成してなるカーボンナノチューブ生成用触媒基材を使用しているので、高品質のＣＮＴを安定的に合成することができる。 <CNT growth process>
In the CNT growth step, the carbon nanotube production catalyst substrate obtained in the catalyst substrate production step is used, and CNTs are synthesized on the carbon nanotube production catalyst substrate using a known method such as a CVD method. In the CNT growth process, a carbon nanotube generation catalyst substrate is used, in which a base layer and a catalyst layer are newly formed on the reused substrate, so that high-quality CNTs are stably synthesized. be able to.

具体的には、ＣＮＴ成長工程では、特に限定されることなく、カーボンナノチューブ生成用触媒基材上のＣＮＴ合成用触媒を還元するフォーメーション工程と、ＣＮＴを成長させる成長工程と、ＣＮＴが成長した基材を冷却する冷却工程とを順次実施して、カーボンナノチューブ生成用触媒基材上にＣＮＴを成長させることができる。   Specifically, the CNT growth step is not particularly limited, and includes a formation step for reducing the CNT synthesis catalyst on the carbon nanotube production catalyst base, a growth step for growing CNT, and a group on which the CNT has grown. The cooling step of cooling the material can be sequentially performed to grow CNTs on the catalyst substrate for carbon nanotube generation.

［ＣＮＴ生産装置］
なお、ＣＮＴ成長工程は、特に限定されることなく、カーボンナノチューブ生成用触媒基材を受容する合成炉（反応チャンバ）および加熱手段を備える既知のＣＮＴ生産装置を用いて実施することができる。具体的には、例えば、熱ＣＶＤ炉、熱加熱炉、電気炉、乾燥炉、恒温槽、雰囲気炉、ガス置換炉、マッフル炉、オーブン、真空加熱炉、プラズマ反応炉、マイクロプラズマ反応炉、ＲＦプラズマ反応炉、電磁波加熱反応炉、マイクロ波照射反応炉、赤外線照射加熱炉、紫外線加熱反応炉、ＭＢＥ反応炉、ＭＯＣＶＤ反応炉、レーザ加熱装置等の、公知のＣＮＴ生産装置をいずれも使用できる。このような生産装置の例として、図７に示すＣＶＤ装置が挙げられる。 [CNT production equipment]
The CNT growth step is not particularly limited, and can be carried out using a known CNT production apparatus including a synthesis furnace (reaction chamber) that receives a carbon nanotube-producing catalyst base material and heating means. Specifically, for example, a thermal CVD furnace, a thermal heating furnace, an electric furnace, a drying furnace, a constant temperature bath, an atmospheric furnace, a gas replacement furnace, a muffle furnace, an oven, a vacuum heating furnace, a plasma reactor, a microplasma reactor, RF Any known CNT production apparatus such as a plasma reaction furnace, an electromagnetic wave heating reaction furnace, a microwave irradiation reaction furnace, an infrared irradiation heating furnace, an ultraviolet heating reaction furnace, an MBE reaction furnace, an MOCVD reaction furnace, or a laser heating apparatus can be used. An example of such a production apparatus is a CVD apparatus shown in FIG.

図７に示すＣＶＤ装置は、カーボンナノチューブ生成用触媒基材１１０を受容する、石英ガラスからなる管状の反応チャンバ１２０と、反応チャンバ１２０を囲んで設けられた加熱コイル１３０と、原料ガス１４０並びに雰囲気ガス１５０を供給すべく反応チャンバ１２０の一端に接続された供給管と、反応チャンバ１２０の他端に接続された排気管１６０と、触媒賦活剤１７０を供給すべく供給管の中間部に接続された触媒賦活剤供給管１８０とを備えている。
また、このＣＶＤ装置は、極めて微量の触媒賦活剤を高精度に制御して供給するために、原料ガス１４０および雰囲気ガス１５０の供給管に、原料ガス１４０および雰囲気ガス１５０から触媒賦活剤を除去するための純化装置１９０を備えている。さらに図示していないが、ＣＶＤ装置には、流量制御弁や圧力制御弁などを含む制御装置が適所に付設されている。 The CVD apparatus shown in FIG. 7 includes a tubular reaction chamber 120 made of quartz glass that receives a catalyst substrate 110 for generating carbon nanotubes, a heating coil 130 provided surrounding the reaction chamber 120, a source gas 140, and an atmosphere. A supply pipe connected to one end of the reaction chamber 120 to supply the gas 150, an exhaust pipe 160 connected to the other end of the reaction chamber 120, and an intermediate portion of the supply pipe to supply the catalyst activator 170. And a catalyst activator supply pipe 180.
In addition, this CVD apparatus removes the catalyst activator from the source gas 140 and the atmosphere gas 150 to the supply pipe of the source gas 140 and the atmosphere gas 150 in order to control and supply an extremely small amount of the catalyst activator with high accuracy. A purifier 190 is provided. Although not shown, the CVD apparatus is provided with a control device including a flow rate control valve and a pressure control valve at appropriate positions.

そして、ＣＮＴ成長工程では、カーボンナノチューブ生成用触媒基材上でＣＮＴが合成され、多数のＣＮＴが特定の方向（通常は、基材に垂直な方向）に配向してなるＣＮＴ配向集合体がカーボンナノチューブ生成用触媒基材上に形成される。   In the CNT growth step, CNTs are synthesized on the carbon nanotube production catalyst substrate, and an aligned CNT aggregate formed by aligning a number of CNTs in a specific direction (usually a direction perpendicular to the substrate) is carbon. It is formed on a catalyst substrate for producing nanotubes.

［ＣＮＴ配向集合体の性状］
なお、形成されるＣＮＴ配向集合体は、例えば以下の性状を有していることが好ましい。 [Properties of aligned CNT aggregate]
In addition, it is preferable that the aligned CNT aggregate to be formed has the following properties, for example.

即ち、ＣＮＴ配向集合体の好ましいＢＥＴ比表面積は、ＣＮＴが主として未開口のものにあっては、６００ｍ2／ｇ以上であり、より好ましくは、８００ｍ2／ｇ以上である。ＢＥＴ比表面積が高いほど、金属や炭素などの不純物の量をＣＮＴの質量の数十パーセント（４０％程度）より低く抑えることができる。 That is, the preferred BET specific surface area of the aligned CNT aggregate is 600 m 2 / g or more, more preferably 800 m 2 / g or more when the CNT is mainly unopened. As the BET specific surface area is higher, the amount of impurities such as metal and carbon can be kept lower than several tens percent (about 40%) of the mass of CNT.

また、ＣＮＴ配向集合体の重量密度は０．００２ｇ／ｃｍ3以上、０．２ｇ／ｃｍ3以下であることが好ましい。重量密度が０．２ｇ／ｃｍ3以下であれば、ＣＮＴ配向集合体を構成するＣＮＴ同士の結びつきが弱くなるので、ＣＮＴ配向集合体を溶媒などに攪拌した際に、均質に分散させることが容易になる。つまり、重量密度を０．２ｇ／ｃｍ3以下とすることで、均質な分散液を得ることが容易となる。また、重量密度が０．００２ｇ／ｃｍ3以上であれば、ＣＮＴ配向集合体の一体性を向上させ、バラけることを抑制できるため取扱いが容易になる。 The weight density of the aligned CNT aggregate is preferably 0.002 g / cm 3 or more and 0.2 g / cm 3 or less. If the weight density is 0.2 g / cm 3 or less, the CNTs constituting the aligned CNT aggregate are weakly linked, so it is easy to uniformly disperse the aligned CNT aggregate in a solvent or the like. become. That is, it becomes easy to obtain a homogeneous dispersion by setting the weight density to 0.2 g / cm 3 or less. Further, if the weight density is 0.002 g / cm 3 or more, the integrity of the aligned CNT aggregate can be improved and the variation can be suppressed, so that handling becomes easy.

更に、特定方向に配向したＣＮＴ配向集合体は、高い配向度を有していることが好ましい。ここで、高い配向度を有するとは、以下の１．から３．の少なくともいずれか１つ以上を満たすことを指す。
１．ＣＮＴの長手方向に平行な第１方向と、第１方向に直交する第２方向とからＸ線を入射してＸ線回折強度を測定（θ−２θ法）した場合に、第２方向からの反射強度が第１方向からの反射強度より大きくなるθ角と反射方位とが存在し、且つ、第１方向からの反射強度が第２方向からの反射強度より大きくなるθ角と反射方位とが存在する。
２．ＣＮＴの長手方向に直交する方向からＸ線を入射して得られた２次元回折パターン像でＸ線回折強度を測定（ラウエ法）した場合に、異方性の存在を示す回折ピークパターンが出現する。
３．ヘルマンの配向係数が、θ−２θ法又はラウエ法で得られたＸ線回折強度を用いると０より大きく１以下、より好ましくは０．２５以上、１未満である。 Furthermore, the aligned CNT aggregate oriented in a specific direction preferably has a high degree of orientation. Here, having a high degree of orientation means that the following 1. To 3. It means satisfying at least one of the following.
1. When X-ray diffraction intensity is measured by incident X-rays from a first direction parallel to the longitudinal direction of the CNT and a second direction orthogonal to the first direction (θ-2θ method), There is a θ angle and a reflection direction in which the reflection intensity is greater than the reflection intensity from the first direction, and a θ angle and a reflection direction in which the reflection intensity from the first direction is greater than the reflection intensity from the second direction. Exists.
2. A diffraction peak pattern showing the presence of anisotropy appears when X-ray diffraction intensity is measured (Laue method) using a two-dimensional diffraction pattern image obtained by X-ray incidence from a direction perpendicular to the longitudinal direction of CNT. To do.
3. If the X-ray diffraction intensity obtained by the θ-2θ method or the Laue method is used, the Herman orientation coefficient is greater than 0 and less than or equal to 1, more preferably between 0.25 and less than 1.

なお、ＣＮＴ配向集合体は、前述のＸ線回折において、単層ＣＮＴ間のパッキングに起因する（ＣＰ）回折ピーク及び（００２）ピークの回折強度と、単層ＣＮＴを構成する炭素六員環構造に起因する（１００）、（１１０）ピークの平行（第１方向）と垂直（第２方向）との各入射方向の回折ピーク強度との度合いが互いに異なることも好ましい。   Note that the aligned CNT aggregate includes the (CP) diffraction peak and (002) peak diffraction intensity caused by the packing between the single-walled CNTs in the above-mentioned X-ray diffraction, and the carbon six-membered ring structure constituting the single-walled CNTs. It is also preferable that the degrees of the diffraction peak intensities in the respective incident directions of the parallel (first direction) and the vertical (second direction) of the (100) and (110) peaks are different from each other.

更に、ＣＮＴ配向集合体が高い配向性および高いＢＥＴ比表面積を示すためには、ＣＮＴ配向集合体の高さ（長さ）は１０μｍ以上、１０ｃｍ以下の範囲にあることが好ましい。高さが１０μｍ以上であると、配向性が向上する。また高さが１０ｃｍ以下であると、生成を短時間で行なえるため炭素系不純物の付着を抑制でき、ＢＥＴ比表面積を向上できる。   Furthermore, in order for the aligned CNT aggregate to exhibit high orientation and a high BET specific surface area, the height (length) of the aligned CNT aggregate is preferably in the range of 10 μm to 10 cm. When the height is 10 μm or more, the orientation is improved. Further, when the height is 10 cm or less, the production can be performed in a short time, so that adhesion of carbon impurities can be suppressed and the BET specific surface area can be improved.

また、ＣＮＴのＧ／Ｄ比は好ましくは３以上、より好ましくは４以上である。Ｇ／Ｄ比とはＣＮＴの品質を評価するのに一般的に用いられている指標である。ラマン分光装置によって測定されるＣＮＴのラマンスペクトルには、Ｇバンド（１６００ｃｍ-1付近）とＤバンド（１３５０ｃｍ-1付近）と呼ばれる振動モードが観測される。ＧバンドはＣＮＴの円筒面であるグラファイトの六方格子構造由来の振動モードであり、Ｄバンドは非晶箇所に由来する振動モードである。よって、ＧバンドとＤバンドのピーク強度比（Ｇ／Ｄ比）が高いものほど、結晶性の高いＣＮＴと評価できる。 The G / D ratio of CNT is preferably 3 or more, more preferably 4 or more. The G / D ratio is an index generally used for evaluating the quality of CNTs. The Raman spectra of CNT measured by Raman spectroscopy system, the vibration mode is observed, called G band (1600 cm -1 vicinity) and D-band (1350 cm around -1). The G band is a vibration mode derived from a hexagonal lattice structure of graphite, which is a cylindrical surface of CNT, and the D band is a vibration mode derived from an amorphous part. Therefore, a higher peak intensity ratio (G / D ratio) between the G band and the D band can be evaluated as CNT having higher crystallinity.

そして、このカーボンナノチューブの製造方法では、図１に示すように、ＣＮＴ成長工程においてカーボンナノチューブ生成用触媒基材上に形成したＣＮＴを、次のＣＮＴ剥離工程で剥離し、基材を再利用する。   In this carbon nanotube manufacturing method, as shown in FIG. 1, the CNTs formed on the carbon nanotube-producing catalyst base material in the CNT growth step are peeled off in the next CNT peeling step, and the base material is reused. .

ここで、図４に示すカーボンナノチューブ生成用触媒基材１の上に形成したＣＮＴをＣＮＴ剥離工程で剥離した場合、得られる使用済み基材は、図５に示すような構成となる。この使用済み基材は、ＣＮＴを合成する際のフォーメーション工程の実施などにより触媒層２３を構成するＣＮＴ合成用触媒の微粒子化が進んでいる点、および、触媒層２３の表面（即ち、ＣＮＴが形成されていた側の表面）にＣＮＴの合成時に付着した炭素成分やＣＮＴの剥離時に残存した炭素成分などの不純物２４が残存している点を除き、図４に示すカーボンナノチューブ生成用触媒基材１と同様の構成を有している。   Here, when the CNTs formed on the carbon nanotube production catalyst substrate 1 shown in FIG. 4 are peeled off in the CNT peeling step, the obtained used base material has a structure as shown in FIG. This used base material is characterized in that the formation of fine particles of the catalyst for synthesizing CNT constituting the catalyst layer 23 is progressed by performing a formation process when synthesizing CNT, and the surface of the catalyst layer 23 (that is, CNT 4 except for the point that impurities 24 such as the carbon component adhering during the synthesis of CNT and the carbon component remaining during the exfoliation of the CNT remain on the surface of the formed side). 1 has the same configuration.

そして、このカーボンナノチューブの製造方法では、前述したようにして使用済み基材の再利用を繰り返し、低コストで高品質のＣＮＴを繰り返し製造する。なお、使用済み基材の再利用を繰り返した場合、カーボンナノチューブ生成用触媒基材は、積層された下地層および触媒層の一部を省略して図６に示すように、両面に浸炭防止層１１が設けられた基材の上に下地層および触媒層が繰り返し積層された構成となる。   In this carbon nanotube manufacturing method, the reuse of the used base material is repeated as described above, and high-quality CNTs are repeatedly manufactured at low cost. In addition, when the reuse of the used base material is repeated, the catalyst base material for carbon nanotube generation omits a part of the laminated base layer and the catalyst layer, and as shown in FIG. 11 is a structure in which a base layer and a catalyst layer are repeatedly laminated on a substrate provided with 11.

以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
なお、実施例および比較例において、Ｇ／Ｄ比、ＢＥＴ比表面積および算術平均粗さは、それぞれ以下の方法を使用して評価した。 EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
In Examples and Comparative Examples, the G / D ratio, BET specific surface area, and arithmetic average roughness were evaluated using the following methods, respectively.

＜Ｇ／Ｄ比＞
ＣＮＴ配向集合体を試料とし、顕微レーザラマンシステム（サーモフィッシャーサイエンティフィック（株）製、ＮｉｃｏｌｅｔＡｌｍｅｇａ ＸＲ）を用い、基材中心部付近のＣＮＴについて測定した。
＜ＢＥＴ比表面積＞
ＢＥＴ比表面積測定装置（（株）マウンテック製、ＨＭ ｍｏｄｅｌ−１２１０）を用いて測定した。
＜算術平均粗さ＞
レーザ顕微鏡（キーエンス製、ＶＫ−９７００）を用いて、対物倍率５０倍で測定した。 <G / D ratio>
Using the aligned CNT aggregate as a sample, CNT near the center of the substrate was measured using a microscopic laser Raman system (NicoletAlmega XR manufactured by Thermo Fisher Scientific Co., Ltd.).
<BET specific surface area>
The measurement was performed using a BET specific surface area measuring device (manufactured by Mountec Co., Ltd., HM model-1210).
<Arithmetic mean roughness>
Using a laser microscope (manufactured by Keyence, VK-9700), measurement was performed at an objective magnification of 50 times.

（実施例１）
＜使用済み基材の準備＞
アルミニウム化合物としてのアルミニウムトリ−ｓｅｃ−ブトキシド１．９ｇを、有機溶剤としての２−プロパノール１００ｍＬに溶解させた。さらに、安定剤としてのトリイソプロパノールアミン０．９ｇを加えて溶解させて、塗工液Ａを調製した。
また、鉄化合物としての酢酸鉄１７４ｍｇを有機溶剤としての２−プロパノール１００ｍＬに溶解させた。さらに、安定剤としてのトリイソプロパノールアミン１９０ｍｇを加えて溶解させて、塗工液Ｂを調製した。
基材としてのＦｅ−Ｃｒ合金ＳＵＳ４３０基板（ＪＦＥスチール株式会社製、４０ｍｍ×１００ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ、Ｃｒ１８％、算術平均粗さＲａ≒０．５９μｍ）の表面に、室温２５℃、相対湿度５０％の環境下でディップコーティングにより、上述の塗工液Ａを塗布した。具体的には、基材を塗工液Ａに浸漬後、２０秒間保持して、１０ｍｍ／秒の引き上げ速度で基材を引き上げた。その後、５分間風乾し、３００℃の空気環境下で３０分間加熱後、室温まで冷却することにより、基材上に膜厚４０ｎｍのアルミナ薄膜（下地層）を形成した。
次いで、室温２５℃、相対湿度５０％の環境下で、基材に設けられたアルミナ薄膜の上に、ディップコーティングにより上述の塗工液Ｂを塗布した。具体的には、アルミナ薄膜を備える基材を塗工液Ｂに浸漬後、２０秒間保持して、３ｍｍ／秒の引き上げ速度でアルミナ薄膜を備える基材を引き上げた。その後、５分間風乾（乾燥温度４５℃）することにより、膜厚３ｎｍの鉄薄膜（触媒層）を形成した。
次に、図７に示すＣＶＤ装置（反応チャンバのサイズ：直径３０ｍｍ、加熱長３６０ｍｍ）を用いて基材上にＣＮＴ配向集合体を形成した。具体的には、作製した基材を、炉内温度：７５０℃、炉内圧力：１．０２×１０5Ｐａに保持されたＣＶＤ装置の反応チャンバ内に設置し、この反応チャンバ内に、Ｈｅ：１００ｓｃｃｍ、Ｈ2：９００ｓｃｃｍを６分間導入した。これにより、ＣＮＴ合成用触媒（鉄）は還元されて微粒子化が促進され、単層ＣＮＴの成長に適した状態（下地層上にナノメートルサイズの触媒微粒子が多数形成された状態）となった（フォーメーション工程）。なお、このときの触媒微粒子の密度は、１×１０12〜１×１０14個／ｃｍ2に調整した。その後、炉内温度：７５０℃、炉内圧力：１．０２×１０5Ｐａに保持された状態の反応チャンバ内に、Ｈｅ：８５０ｓｃｃｍ、Ｃ2Ｈ4：５９ｓｃｃｍ、Ｈ2Ｏ：Ｈ2Ｏ濃度が３００ｐｐｍとなる量を５分間供給した。これにより、単層ＣＮＴが各触媒微粒子から成長した（ＣＮＴ成長工程）。
そして、ＣＮＴ成長工程の終了後、反応チャンバ内にＨｅ：１０００ｓｃｃｍのみを供給し、残余の原料ガスや触媒賦活剤を排除した。これにより、カーボンナノチューブ配向集合体が表面に形成された基材が得られた。
その後、得られた基材の表面から、基材上に成長したＣＮＴ配向集合体を剥離した。具体的には、鋭利部を備えたプラスチック製のヘラを使用し、ＣＮＴ配向集合体を剥離した。剥離時には、ヘラの鋭利部をＣＮＴ配向集合体と基材との境界に当て、基材からＣＮＴ配向集合体をそぎ取るように、基材面に沿って鋭利部を動かした。これにより、ＣＮＴ配向集合体を基材から剥ぎ取り、使用済み基材を得た。 Example 1
<Preparation of used base material>
1.9 g of aluminum tri-sec-butoxide as an aluminum compound was dissolved in 100 mL of 2-propanol as an organic solvent. Furthermore, 0.9 g of triisopropanolamine as a stabilizer was added and dissolved to prepare a coating solution A.
Moreover, 174 mg of iron acetate as an iron compound was dissolved in 100 mL of 2-propanol as an organic solvent. Furthermore, 190 mg of triisopropanolamine as a stabilizer was added and dissolved to prepare a coating liquid B.
Fe-Cr alloy SUS430 substrate (40 mm × 100 mm, thickness 0.3 mm, Cr 18%, arithmetic average roughness Ra≈0.59 μm) as a base material, room temperature 25 ° C., relative humidity The above-mentioned coating liquid A was applied by dip coating in a 50% environment. Specifically, the substrate was dipped in the coating liquid A and then held for 20 seconds, and the substrate was pulled up at a pulling rate of 10 mm / second. Thereafter, it was air-dried for 5 minutes, heated in an air environment at 300 ° C. for 30 minutes, and then cooled to room temperature, thereby forming an alumina thin film (underlayer) having a thickness of 40 nm on the substrate.
Subsequently, the above-mentioned coating liquid B was apply | coated by the dip coating on the alumina thin film provided in the base material in the environment of room temperature 25 degreeC and 50% of relative humidity. Specifically, the substrate provided with the alumina thin film was dipped in the coating solution B, then held for 20 seconds, and the substrate provided with the alumina thin film was pulled up at a lifting speed of 3 mm / second. Then, an iron thin film (catalyst layer) having a film thickness of 3 nm was formed by air drying for 5 minutes (drying temperature: 45 ° C.).
Next, an aligned CNT aggregate was formed on the substrate using the CVD apparatus (reaction chamber size: diameter 30 mm, heating length 360 mm) shown in FIG. Specifically, the prepared base material was placed in a reaction chamber of a CVD apparatus maintained at a furnace temperature: 750 ° C. and a furnace pressure: 1.02 × 10 5 Pa. : 100 sccm and H 2 : 900 sccm were introduced for 6 minutes. As a result, the catalyst for CNT synthesis (iron) was reduced to promote the formation of fine particles, and became a state suitable for the growth of single-walled CNTs (a state in which many nanometer-sized catalyst fine particles were formed on the underlayer). (Formation process). In addition, the density of the catalyst fine particles at this time was adjusted to 1 × 10 12 to 1 × 10 14 particles / cm 2 . Thereafter, in a reaction chamber maintained at a furnace temperature: 750 ° C. and a furnace pressure: 1.02 × 10 5 Pa, He: 850 sccm, C 2 H 4 : 59 sccm, H 2 O: H 2 O concentration An amount of 300 ppm was supplied for 5 minutes. Thereby, single-walled CNT grew from each catalyst fine particle (CNT growth process).
And after completion | finish of a CNT growth process, only He: 1000sccm was supplied in the reaction chamber, and the remaining raw material gas and catalyst activator were excluded. Thereby, the base material with the carbon nanotube alignment aggregate formed on the surface was obtained.
Thereafter, the aligned CNT aggregates grown on the substrate were peeled from the surface of the obtained substrate. Specifically, a plastic spatula provided with a sharp part was used to peel off the aligned CNT aggregate. At the time of peeling, the sharp part of the spatula was applied to the boundary between the aligned CNT aggregate and the substrate, and the sharp part was moved along the substrate surface so as to scrape the aligned CNT aggregate from the substrate. Thereby, the aligned CNT aggregate was peeled off from the base material to obtain a used base material.

＜再利用基材の調製＞
次に、得られた使用済み基材に対し、幅広スリット式投射ガンを備えたウェットブラスト装置（マコー（株）社製ＰＦＥ３００）を用いてウェットブラスト処理による洗浄を行い、再利用基材を得た（初期化工程）。
ここで、ウェットブラスト処理に用いるウェットブラスト処理用スラリーは、平均粒子径が７μｍ（ＪＩＳ Ｒ６００１（１９９８、精密研磨用微粉／電気抵抗試験法）に規定された粒度♯２０００に相当）であるアルミナからなる研磨材（砥粒）を、分散媒としての水中に分散させて調製した。なお、研磨材の濃度は１５体積％であった。またウェットブラスト処理は、投射ガンの下を５０ｍｍ／秒で水平方向に搬送される使用済み基材に対して、以下の条件で１回行った。
投射ガンの圧縮空気圧力：０．０９ＭＰａ
投射ガンの投射口から使用済み基材表面までの距離：３０ｍｍ
投射角度φ：９０° <Preparation of reusable base material>
Next, the used substrate thus obtained is washed by wet blasting using a wet blasting device (PFE300 manufactured by Macau Corporation) equipped with a wide slit projection gun to obtain a reused substrate. (Initialization process).
Here, the slurry for wet blasting used for the wet blasting is made of alumina having an average particle size of 7 μm (corresponding to particle size # 2000 defined in JIS R6001 (1998, fine powder for precision polishing / electric resistance test method)). An abrasive (abrasive grain) to be prepared was dispersed in water as a dispersion medium. The concentration of the abrasive was 15% by volume. In addition, the wet blast treatment was performed once on the used base material conveyed in the horizontal direction under the projection gun at 50 mm / sec under the following conditions.
Compressed air pressure of the projection gun: 0.09 MPa
Distance from the projection port of the projection gun to the used substrate surface: 30 mm
Projection angle φ: 90 °

その後、ウェットブラスト処理後の基材の表面を水洗して、更にエアーを吹きつけて乾燥した（清掃工程）。そして、洗浄を実施する前後での基材の表面の水に対する接触角を協和界面化学社製自動接触角計ＤＭｓ−６０１にて測定したところ、洗浄前は８０°であったのに対し、洗浄後は７５°となっており、基材上の汚れが除去できていることが確認された。
なお、清掃工程後の使用済み基材の算術平均粗さＲａは０．５９μｍであった。 Thereafter, the surface of the base material after the wet blast treatment was washed with water and further dried by blowing air (cleaning step). And when the contact angle with respect to the water of the surface of the base material before and after carrying out washing was measured with Kyowa Interface Chemical Co., Ltd. automatic contact angle meter DMs-601, it was 80 ° before washing. After that, it was 75 °, and it was confirmed that the stain on the base material could be removed.
In addition, arithmetic mean roughness Ra of the used base material after a cleaning process was 0.59 micrometer.

＜カーボンナノチューブ生成用触媒基材の調製＞
再利用基材の表面に、上記と同様の条件で、ディップコーティングにより厚さ４０ｎｍのアルミナ薄膜（下地層）と、厚さ３．０ｎｍの鉄薄膜（触媒層）を製膜してカーボンナノチューブ生成用触媒基材を製造した。 <Preparation of catalyst substrate for carbon nanotube production>
Carbon nanotubes are produced by depositing a 40 nm thick alumina thin film (underlayer) and a 3.0 nm thick iron thin film (catalyst layer) by dip coating on the surface of the recycled substrate under the same conditions as above. A catalyst substrate was prepared.

＜ＣＮＴの繰り返し合成＞
得られたカーボンナノチューブ生成用触媒基材を使用して、ＣＶＤ装置によるＣＮＴ配向集合体の成長、ＣＮＴ配向集合体の剥離、再利用基材の調製、及び、カーボンナノチューブ生成用触媒基材の調製を、５回繰り返した。 <Repetitive synthesis of CNT>
Using the obtained catalyst substrate for carbon nanotube generation, growth of aligned CNT aggregates by CVD apparatus, separation of aligned CNT aggregates, preparation of reusable base material, and preparation of catalyst base material for carbon nanotube generation Was repeated 5 times.

その結果、５回生成したＣＮＴ配向集合体はいずれも、Ｇ／Ｄ比が３〜４、ＢＥＴ比表面積が８５０〜９５０ｍ2／ｇの範囲内であった。このように、ＣＮＴを剥離した後にウェットブラスト処理を用いた初期化工程を実施して再利用基材を製造することによって、基材を繰り返し使用しても品質に優れるＣＮＴの合成が可能であることが確認できた。 As a result, all of the aligned CNT aggregates produced 5 times had a G / D ratio of 3 to 4 and a BET specific surface area of 850 to 950 m 2 / g. In this way, by performing an initialization process using wet blasting after peeling off the CNTs and manufacturing a reused base material, it is possible to synthesize CNTs with excellent quality even when the base material is repeatedly used. I was able to confirm.

（実施例２〜４）
再利用基材の調製時に、ウェットブラスト処理の処理回数を１回からそれぞれ３、６、１０回に変更した以外は実施例１と同様にして、使用済み基材の準備、再利用基材およびカーボンナノチューブ生成用触媒基材の調製、ＣＮＴの繰り返し合成を行なった。なお、実施例２〜４において５回生成したＣＮＴ配合集合体のＧ／Ｄ比およびＢＥＴ比表面積は、それぞれ以下の範囲内であり、ウェットブラスト処理を用いた初期化工程を実施して再利用基材を製造することによって、基材を繰り返し使用しても品質に優れるＣＮＴの合成が可能であることが確認できた。
実施例２：Ｇ／Ｄ比：３〜５、ＢＥＴ比表面積９００〜１０００ｍ2／ｇ
実施例３：Ｇ／Ｄ比：４〜５、ＢＥＴ比表面積９００〜１０００ｍ2／ｇ
実施例４：Ｇ／Ｄ比：５〜６、ＢＥＴ比表面積９５０〜１０５０ｍ2／ｇ (Examples 2 to 4)
In the same manner as in Example 1 except that the number of wet blasting treatments was changed from 1, to 3, 6, and 10 at the time of preparation of the reused substrate, preparation of the used substrate, reused substrate, and Preparation of a catalyst substrate for producing carbon nanotubes and repeated synthesis of CNTs were performed. In addition, the G / D ratio and the BET specific surface area of the CNT-blended aggregate generated five times in Examples 2 to 4 are within the following ranges, respectively, and are reused by performing an initialization process using wet blasting. By producing the base material, it was confirmed that it was possible to synthesize CNTs with excellent quality even when the base material was repeatedly used.
Example 2: G / D ratio: 3 to 5, BET specific surface area 900 to 1000 m 2 / g
Example 3: G / D ratio: 4-5, BET specific surface area 900-1000 m 2 / g
Example 4: G / D ratio: 5-6, BET specific surface area 950-1050 m 2 / g

ここで、図８に、実施例１〜４におけるウェットブラスト処理の処理回数に対して、得られるＣＮＴのＧ／Ｄ比（５回の繰り返し合成により得られた値の平均値）をプロットした散布図を示す。この図から、初期化工程におけるウェットブラスト処理の回数を増やすほどＧ／Ｄ比が向上し、即ち結晶性の高いＣＮＴが得られることがわかる。
また、図９〜１１に、ウェットブラスト処理による初期化工程を実施する前の使用済み基材、ウェットブラスト処理（１回）による初期化工程を実施した後の使用済み基材（実施例１）、およびウェットブラスト処理（６回）による初期化工程を実施した後の使用済み基材（実施例３）のそれぞれの表面を、ＳＥＭにより観察して得られる画像を示す。これらの画像から、ウェットブラスト処理による初期化工程を実施して再利用基材を製造することで、基材表面がＣＮＴ合成に適した状態に粗面化されていることがわかる。 Here, in FIG. 8, the dispersion in which the G / D ratio of CNT obtained (average value obtained by repeated synthesis of 5 times) is plotted against the number of wet blast treatments in Examples 1 to 4. The figure is shown. From this figure, it can be seen that the G / D ratio is improved as the number of wet blast treatments in the initialization process is increased, that is, CNTs with high crystallinity can be obtained.
9-11, the used base material before implementing the initialization process by wet blasting, the used base material after implementing the initialization process by wet blasting (once) (Example 1) , And an image obtained by observing each surface of the used base material (Example 3) by SEM after performing the initialization process by wet blasting (6 times). From these images, it can be seen that the substrate surface is roughened to a state suitable for CNT synthesis by carrying out an initialization step by wet blasting to produce a reused substrate.

（比較例１）
再利用基材の調製時に、ウェットブラスト処理による洗浄に替えて、水中において使用済み基材をロールブラシ（材質ナイロン、繊維径０．２ｍｍ）でブラッシングする洗浄を１分間実施した以外は実施例１と同様にして、使用済み基材の準備、再利用基材の調製、カーボンナノチューブ生成用触媒基材の調製、ＣＮＴの繰り返し合成を行なった。なお、再利用基材の調製時に洗浄前後での基材の水に対する接触角を測定したところ、洗浄前は７９°であったのに対し、洗浄後は８０°となっており、接触角の変化はみられなかった。 (Comparative Example 1)
Example 1 except that cleaning for brushing a used base material in water with a roll brush (material nylon, fiber diameter 0.2 mm) was performed for 1 minute instead of cleaning by wet blasting when preparing the reusable base material. In the same manner as above, preparation of a used base material, preparation of a reuse base material, preparation of a catalyst base material for producing carbon nanotubes, and repeated synthesis of CNTs were performed. In addition, when the contact angle with respect to the water of the base material before and after cleaning was measured at the time of preparing the reuse base material, it was 79 ° before the cleaning, but it was 80 ° after the cleaning. There was no change.

ＣＮＴの繰り返し合成の結果、生成されたＣＮＴは、Ｇ／Ｄ比が０．５〜１．５（平均値：１．１）、ＢＥＴ比表面積が６００〜７００ｍ2／ｇ（平均値：６５０ｍ2／ｇ）であり、実施例１〜４と比較してＧ／Ｄ比およびＢＥＴ比表面積の大幅な低下が見られた。 As a result of repeated synthesis of CNT, the produced CNT has a G / D ratio of 0.5 to 1.5 (average value: 1.1) and a BET specific surface area of 600 to 700 m 2 / g (average value: 650 m 2). / G), and the G / D ratio and the BET specific surface area were significantly reduced as compared with Examples 1 to 4.

（比較例２）
再利用基材の調製時に、ウェットブラスト処理による洗浄に替えて、２％塩酸水溶液中に使用済み基材を１時間浸漬する酸洗浄を実施した以外は実施例１と同様にして、使用済み基材の準備、再利用基材の調製、カーボンナノチューブ生成用触媒基材の調製、ＣＮＴの繰り返し合成を行なった。なお、再利用基材の調製時に洗浄前後での基材の水に対する接触角を測定したところ、洗浄前は７９°であったのに対し、洗浄後は７３°となっており、基材上の汚れが除去できていることが確認された。 (Comparative Example 2)
In the same manner as in Example 1 except that, in the preparation of the reusable base material, instead of cleaning by wet blast treatment, acid cleaning was performed by immersing the used base material in a 2% aqueous hydrochloric acid solution for 1 hour. Preparation of materials, preparation of reusable base materials, preparation of catalyst base materials for carbon nanotube generation, and repeated synthesis of CNTs were performed. In addition, when the contact angle with respect to the water of the base material before and after washing | cleaning was measured at the time of preparation of a reuse base material, it was 79 degrees before washing | cleaning, but it was 73 degrees after washing | cleaning. It was confirmed that the dirt was removed.

ＣＮＴの繰り返し合成の結果、生成されたＣＮＴは、Ｇ／Ｄ比が０．５〜１．５（平均値：１．１）、ＢＥＴ比表面積が６００〜７００ｍ2／ｇ（平均値：６４０ｍ2／ｇ）であり、実施例１〜４と比較してＧ／Ｄ比およびＢＥＴ比表面積の大幅な低下が見られた。 As a result of repeated synthesis of CNT, the produced CNT has a G / D ratio of 0.5 to 1.5 (average value: 1.1) and a BET specific surface area of 600 to 700 m 2 / g (average value: 640 m 2). / G), and the G / D ratio and the BET specific surface area were significantly reduced as compared with Examples 1 to 4.

（比較例３）
再利用基材の調製時に、ウェットブラスト処理による洗浄に替えて、空気雰囲気下、約８００℃の温度で５分間使用済み基材を熱処理した以外は実施例１と同様にして、使用済み基材の準備、再利用基材の調製、カーボンナノチューブ生成用触媒基材の調製、ＣＮＴの繰り返し合成を行なった。なお、再利用基材の調製時に熱処理前後での基材の水に対する接触角を測定したところ、熱処理前は７９°であったのに対し、熱処理後は７２°となっており、基材上の汚れが除去できていることが確認された。 (Comparative Example 3)
Used base material in the same manner as in Example 1 except that the used base material was heat-treated at a temperature of about 800 ° C. for 5 minutes in an air atmosphere instead of washing by wet blasting when preparing the reuse base material. Preparation, reuse base material preparation, carbon nanotube production catalyst base material preparation, and CNT repetitive synthesis. In addition, when the contact angle with respect to the water of the base material before and after the heat treatment was measured at the time of preparing the reuse base material, it was 79 ° before the heat treatment and 72 ° after the heat treatment. It was confirmed that the dirt was removed.

ＣＮＴの繰り返し合成の結果、生成されたＣＮＴは、Ｇ／Ｄ比が０．５〜１．２（平均値：０．９）、ＢＥＴ比表面積が４００〜５００ｍ2／ｇ（平均値：４５０ｍ2／ｇ）であり、実施例１〜４と比較してＧ／Ｄ比およびＢＥＴ比表面積の大幅な低下が見られた。 As a result of repeated synthesis of CNT, the produced CNT has a G / D ratio of 0.5 to 1.2 (average value: 0.9), and a BET specific surface area of 400 to 500 m 2 / g (average value: 450 m 2). / G), and the G / D ratio and the BET specific surface area were significantly reduced as compared with Examples 1 to 4.

本発明の再利用基材の製造方法によれば、基材の劣化を抑制しつつ、基材の表面に残存している炭素成分などの不純物を良好に除去した再利用基材を製造することができる。また、本発明のカーボンナノチューブ生成用触媒基材の製造方法によれば、使用済み基材を再利用しつつ、高品質なカーボンナノチューブを安定的に製造することが可能な触媒基材を提供することができる。さらに、本発明のカーボンナノチューブの製造方法によれば、使用済みの基材を再利用しつつ、高品質なカーボンナノチューブを安定的に製造することができる。   According to the method for producing a reuse base material of the present invention, it is possible to produce a reuse base material in which impurities such as carbon components remaining on the surface of the base material are well removed while suppressing deterioration of the base material. Can do. Moreover, according to the method for producing a catalyst substrate for producing carbon nanotubes of the present invention, a catalyst substrate capable of stably producing high-quality carbon nanotubes while reusing a used substrate is provided. be able to. Furthermore, according to the method for producing carbon nanotubes of the present invention, it is possible to stably produce high-quality carbon nanotubes while reusing used substrates.

１０ 基材
１１ 浸炭防止層
１２，２２，９２ 下地層
１３，２３，９３ 触媒層
１４，２４ 不純物
２０ 再利用基材
１１０ カーボンナノチューブ生成用触媒基材
１２０ 反応チャンバ
１３０ 加熱コイル
１４０ 原料ガス
１５０ 雰囲気ガス
１６０ 排気管
１７０ 触媒賦活剤
１８０ 触媒賦活剤供給管
１９０ 純化装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Base material 11 Carburization prevention layer 12, 22, 92 Base layer 13, 23, 93 Catalyst layer 14, 24 Impurity 20 Reuse base material 110 Carbon nanotube production catalyst base material 120 Reaction chamber 130 Heating coil 140 Source gas 150 Atmosphere gas 160 Exhaust pipe 170 Catalyst activator 180 Catalyst activator supply pipe 190 Purifier

Claims (4)

表面からカーボンナノチューブが剥離された使用済み基材を用いた再利用基材の製造方法であって、
前記使用済み基材の前記表面を洗浄する初期化工程を含み、
前記洗浄が、ウェットブラスト処理による洗浄である、再利用基材の製造方法。 A method for producing a reusable base material using a used base material from which carbon nanotubes have been peeled from the surface,
Including an initialization step of cleaning the surface of the used substrate;
A method for producing a reuse base material, wherein the cleaning is cleaning by wet blasting. 前記初期化工程の後に、前記表面を清掃する清掃工程を更に含む、請求項１に記載の再利用基材の製造方法。   The manufacturing method of the reuse base material of Claim 1 which further includes the cleaning process of cleaning the said surface after the said initialization process. 請求項１又は２に記載の再利用基材の製造方法により得られた再利用基材の前記表面側にカーボンナノチューブ合成用触媒を担持させ、前記再利用基材上に触媒層を形成する触媒層形成工程を含む、カーボンナノチューブ生成用触媒基材の製造方法。   The catalyst which carries the catalyst for carbon nanotube synthesis | combination on the said surface side of the reuse base material obtained by the manufacturing method of the reuse base material of Claim 1 or 2, and forms a catalyst layer on the said reuse base material The manufacturing method of the catalyst base material for carbon nanotube production | generation including a layer formation process. 請求項１また２に記載の再利用基材の製造方法により得られた再利用基材を用いる、カーボンナノチューブの製造方法。   The manufacturing method of a carbon nanotube using the reuse base material obtained by the manufacturing method of the reuse base material of Claim 1 or 2.
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