JP6372881B2 - 不純物導入方法及び半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
2 半導体基板
2a 第1の半導体領域
6 レーザ光
C オーミックコンタクト電極層
Claims (5)
- SiCの半導体基板の表面上に、不純物元素の分子単体の液相を形成する工程と、
前記液相を介して前記半導体基板の表面にレーザ光を照射する工程と、
を含み、前記半導体基板の内部の一部に前記不純物元素を導入することを特徴とする不純物導入方法。 - 前記不純物元素の分子単体として、沸点が常温より低い温度の不純物元素の分子単体を用いることを特徴とする請求項1に記載の不純物導入方法。
- 前記不純物元素の分子単体として、窒素分子単体を用いることを特徴とする請求項2に記載の不純物導入方法。
- SiCの半導体基板の表面上に、不純物元素の分子単体の液相を形成する工程と、
前記液相を介して前記半導体基板の表面にレーザ光を照射して、前記半導体基板の内部の一部に前記不純物元素を導入し、第1の半導体領域を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記半導体基板の第1の半導体領域以外の領域にオーミックコンタクト電極層を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体素子の製造方法。
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