JP2010171057A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板10をレーザアニールする工程では、第1、第2レーザ光源から発振されるレーザの間に時間差を設定する。そして、第1、第2レーザ光源から発振されるレーザのエネルギーを1.6〜2.4J/cm2とし、半導体基板10に、フィールドストップ層13を構成する不純物を活性化させてフィールドストップ層13を形成すると共に、半導体基板10のうち電極層形成予定領域を溶融させた後再結晶化させることにより電極層11、12を構成する不純物を活性化させて電極層11、12を形成する。また、第1、第2レーザ光源から発振されるレーザの間の時間差を600nsec以下とする。
【選択図】図2
Description
本発明の第1実施形態について説明する。図1は本実施形態の半導体装置の製造方法を適用して製造された半導体装置の断面構成を示す図である。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置の製造方法は、第1実施形態に対して、n−型基板10をレーザアニールする際に、第1、第2レーザ光源から発振されるレーザを変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
上記各実施形態において、さらに、IGBT形成領域およびFWD形成領域にライフタイム層を形成する工程を行うこともできる。例えば、図2(c)におけるn−型基板10に、p+型コレクタ層11、n+型カソード層12およびFS層13を形成する工程の後に、n−型基板10の裏面側から電子線照射を行うことで結晶欠陥を誘起し、アニール処理によりこの結晶欠陥を所要量だけ回復させてライフタイム層を形成する工程を行うことができる。また、電子線照射の代わりに、例えば、ヘリウムやプロトンを照射してライフタイム層を形成することもできる。このようにライフタイム層を形成する工程を行うことにより、FWDの逆回復(リカバリ)時にFWD形成領域中の過剰キャリアを再結合によって早く消滅させることができるライフタイム層を備えた半導体装置を製造することができる。
11 p+型コレクタ層
12 n+型カソード層
13 FS層
14 p型ベース領域
15 ゲート用とレンチ
16 n+型エミッタ領域
17 ボデーp層
21 コンタクト用トレンチ
22 上部電極
23 下部電極
Claims (10)
- シリコンを主成分とする半導体基板(10)を用意する工程と、
前記半導体基板(10)のうち一面側からフィールドストップ層(13)を構成する不純物をイオン注入する工程と、
前記フィールドストップ層(13)を構成する不純物をイオン注入する工程を行った後、前記半導体基板(10)のうち前記一面側から電極層(11、12)を構成する不純物をイオン注入する工程と、
前記半導体基板(10)の前記一面側からレーザを照射してレーザアニールを行うことにより前記不純物を活性化させて前記フィールドストップ層(13)および前記電極層(11、12)を形成する工程と、を有し、
前記半導体基板(10)をレーザアニールする工程では、パルスレーザを発振する複数のレーザ光源を用いて行い、第1レーザ光源から発振されるパルスレーザが前記半導体基板(10)の局所領域を照射するタイミングと、第2レーザ光源から発振されるパルスレーザが前記局所領域を照射するタイミングとの間には時間差が設定されており、前記第1、第2レーザ光源から発振されるパルスレーザのエネルギーを1.6〜2.4J/cm2とし、前記半導体基板(10)に、前記フィールドストップ層(13)を構成する前記不純物を活性化させて前記フィールドストップ層(13)を形成すると共に、前記半導体基板(10)のうち前記電極層形成予定領域を溶融させた後再結晶化させることにより前記電極層(11、12)を構成する前記不純物を活性化させて前記電極層(11、12)を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板(10)をレーザアニールする工程では、前記時間差を600nsec以下として行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- シリコンを主成分とする半導体基板(10)を用意する工程と、
前記半導体基板(10)のうち一面側からフィールドストップ層(13)を構成する不純物をイオン注入する工程と、
前記フィールドストップ層(13)を構成する不純物をイオン注入する工程を行った後、前記半導体基板(10)のうち前記一面側から電極層(11、12)を構成する不純物をイオン注入する工程と、
前記半導体基板(10)の前記一面側からレーザを照射してレーザアニールを行うことにより前記不純物を活性化させて前記フィールドストップ層(13)および前記電極層(11、12)を形成する工程と、を有し、
前記半導体基板(10)をレーザアニールする工程では、パルスレーザを発振する複数のレーザ光源を用いて行い、第1レーザ光源から発振されるパルスレーザが前記半導体基板(10)の局所領域を照射するタイミングと、第2レーザ光源から発振されるパルスレーザが前記局所領域を照射するタイミングとの間に600nsec以下の時間差を設定し、前記半導体基板(10)に、前記フィールドストップ層(13)を構成する前記不純物を活性化させて前記フィールドストップ層(13)を形成すると共に、前記半導体基板(10)のうち前記電極層形成予定領域を溶融させた後再結晶化させることにより前記電極層(11、12)を構成する前記不純物を活性化させて前記電極層(11、12)を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記フィールドストップ層(13)を構成する前記不純物をイオン注入する工程ではドーズ量を1×1014/cm2以下として行い、前記電極層(11、12)を構成する前記不純物をイオン注入する工程ではドーズ量を5×1016/cm2以下として行うことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板(10)を用意する工程と、
前記半導体基板(10)のうち一面側からフィールドストップ層(13)を構成する不純物をイオン注入する工程と、
前記フィールドストップ層(13)を構成する不純物をイオン注入する工程を行った後、前記半導体基板(10)のうち前記一面側から電極層(11、12)を構成する不純物をイオン注入する工程と、
前記半導体基板(10)の前記一面側からレーザを照射してレーザアニールを行うことにより前記不純物を活性化させて前記フィールドストップ層(13)および前記電極層(11、12)を形成する工程と、を有し、
前記半導体基板(10)をレーザアニールする工程では、レーザを発振する単一のレーザ光源を用いて行い、前記半導体基板(10)に、前記フィールドストップ層(13)を構成する前記不純物を活性化させて前記フィールドストップ層(13)を形成すると共に、前記半導体基板(10)のうち前記電極層形成予定領域を溶融させた後再結晶化させることにより前記電極層(11、12)を構成する前記不純物を活性化させて前記電極層(11、12)を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板(10)を用意する工程と、
前記半導体基板(10)のうち一面側からフィールドストップ層(13)を構成する不純物をイオン注入する工程と、
前記フィールドストップ層(13)を構成する不純物をイオン注入する工程を行った後、前記半導体基板(10)のうち前記一面側から電極層(11、12)を構成する不純物をイオン注入する工程と、
前記半導体基板(10)の前記一面側からレーザを照射してレーザアニールを行うことにより前記不純物を活性化させて前記フィールドストップ層(13)および前記電極層(11、12)を形成する工程と、を有し、
前記半導体基板(10)をレーザアニールする工程では、CWレーザを発振する複数のレーザ光源を用いて行い、前記レーザ光源から発振される前記CWレーザの波長をそれぞれ同じ波長とし、前記半導体基板(10)に、前記フィールドストップ層(13)を構成する前記不純物を活性化させて前記フィールドストップ層(13)を形成すると共に、前記半導体基板(10)のうち前記電極層形成予定領域を溶融させた後再結晶化させることにより前記電極層(11、12)を構成する前記不純物を活性化させて前記電極層(11、12)を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板(10)を用意する工程と、
前記半導体基板(10)のうち一面側からフィールドストップ層(13)を構成する不純物をイオン注入する工程と、
前記フィールドストップ層(13)を構成する不純物をイオン注入する工程を行った後、前記半導体基板(10)のうち前記一面側から電極層(11、12)を構成する不純物をイオン注入する工程と、
前記半導体基板(10)の前記一面側からレーザを照射してレーザアニールを行うことにより前記不純物を活性化させて前記フィールドストップ層(13)および前記電極層(11、12)を形成する工程と、を有し、
前記半導体基板(10)をレーザアニールする工程では、レーザを発振する複数のレーザ光源を用いて行い、第1レーザ光源から発振されるレーザとして前記半導体基板(10)のうち電極層形成予定領域に吸収される波長を有するレーザを用い、第2レーザ光源から発振されるレーザとして前記半導体基板(10)のうち前記フィールドストップ層形成予定領域に吸収される波長を有するレーザを用い、前記半導体基板(10)に、前記フィールドストップ層(13)を構成する前記不純物を活性化させて前記フィールドストップ層(13)を形成すると共に、前記半導体基板(10)のうち前記電極層形成予定領域を溶融させた後再結晶化させることにより前記電極層(11、12)を構成する前記不純物を活性化させて前記電極層(11、12)を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1、第2レーザ光源から発振されるレーザがCWレーザもしくはパルスレーザであるか、前記第1、第2レーザ光源から発振されるレーザのうち一方のレーザがパルスレーザであり、他方のレーザがCWレーザであることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板(10)を用意する工程の後に、前記半導体基板(10)の内部にライフタイム層を形成する工程を含んでいることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板(10)と、
前記半導体基板(10)の一面に備えられた電極層(11、12)と、
前記電極層(11、12)を挟んで前記半導体基板(10)における前記一面と反対側に備えられたフィールドストップ層(13)と、を備えた半導体装置であって、
前記フィールドストップ層(13)は、前記半導体基板(10)に不純物がイオン注入された後前記半導体基板(10)をレーザアニールして前記不純物を活性化させることにより形成され、
前記電極層(11、12)は、前記半導体基板(10)に不純物がイオン注入された後前記半導体基板(10)をレーザアニールし、前記半導体基板(10)のうち前記電極層形成予定領域を溶融させた後に再結晶化することにより前記電極層(11、12)を構成する前記不純物を活性化させて形成され、前記電極層(11、12)の不純物濃度が前記半導体基板(10)の前記一面から前記電極層(11、12)のうち前記不純物をイオン注入したときのピーク濃度となる領域に向かって高くなっていくことを特徴する半導体装置。
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