JP6332457B2 - ラダー型フィルタ - Google Patents

Description

本発明は、無線通信機器に使用されるラダー型フィルタに関する。

従来、ラダー型フィルタが無線通信機器などにおいて広く用いられている。

例えば、下記の特許文献１に記載のラダー型フィルタでは、並列腕共振子に直列にインダクタンスが接続されている。それによって、通過帯域外減衰量を大きくし得るとされている。

特開平５−１８３３８０号公報

しかしながら、特許文献１のラダー型フィルタにおいては、弾性波共振子からの放熱経路については何ら考慮されていない。従って、充分な放熱性を得ることができないという課題があった。ラダー型フィルタからの放熱が充分でないため、耐電力性が劣化することもあった。

本発明の目的は、放熱性が高められた、ラダー型フィルタを提供することにある。

本発明に係るラダー型フィルタは、圧電基板と、上記圧電基板上に設けられている第１の信号端子、第２の信号端子及びアース端子と、上記圧電基板上に設けられており、複数本の電極指と、上記複数本の電極指の一端がそれぞれ共通接続されている一対のバスバーとを有する複数のＩＤＴ電極とを備える。上記複数のＩＤＴ電極により複数の弾性波共振子が所定の通過帯域を有するように構成されている。上記複数の弾性波共振子は、上記第１の信号端子と上記第２の信号端子とを接続している直列腕に配置されている複数の直列腕共振子と、上記直列腕と上記アース端子とを接続している並列腕に配置されている並列腕共振子とを有する。少なくとも１つの上記バスバーの上に設けられている層間絶縁膜と、上記層間絶縁膜よりも熱伝導率が高い材料からなり、上記層間絶縁膜上に設けられている熱伝導体とがさらに備えられている。上記熱伝導体は、上記第１の信号端子、上記第２の信号端子及び上記アース端子のうちの少なくとも１つに接触している。

本発明に係るラダー型フィルタのある特定の局面では、上記熱伝導体は上記アース端子に接触している。

本発明に係るラダー型フィルタの他の特定の局面では、上記熱伝導体は導電性を有し、上記熱伝導体が上記第１の信号端子、上記第２の信号端子及び上記アース端子のうち上記アース端子のみに接触している。

本発明に係るラダー型フィルタのさらに他の特定の局面では、上記バスバー、上記層間絶縁膜及び上記熱伝導体によりコンデンサが構成されている。

本発明に係るラダー型フィルタのさらに他の特定の局面では、上記熱伝導体が導電性を有さない。

本発明に係るラダー型フィルタの別の特定の局面では、上記複数の弾性波共振子は、上記層間絶縁膜が設けられている上記バスバーを有する弾性波共振子と、上記層間絶縁膜が設けられていない上記バスバーを有する弾性波共振子とを含む。上記層間絶縁膜が設けられている上記バスバーを有する上記弾性波共振子の消費電力は、上記複数の弾性波共振子のうち最小ではない。

本発明に係るラダー型フィルタの別の特定の局面では、上記層間絶縁膜が設けられている上記バスバーを有する上記弾性波共振子の上記ＩＤＴ電極の形成面積は、上記複数の弾性波共振子のうち最大ではない。

本発明に係るラダー型フィルタのさらに別の特定の局面では、上記複数の直列腕共振子が、上記層間絶縁膜が設けられている上記バスバーを有する上記弾性波共振子を含んでいる。

本発明に係るラダー型フィルタのさらに別の特定の局面では、上記複数の直列腕共振子は、上記層間絶縁膜が設けられている上記バスバーを有する直列腕共振子と、上記層間絶縁膜が設けられていない上記バスバーを有する直列腕共振子とを含んでおり、上記層間絶縁膜が設けられている上記バスバーを有する上記直列腕共振子は、上記所定の通過帯域の高周波側の外側の最も近くに配置された減衰極の周波数に最も近い***振周波数を有する。

本発明に係るラダー型フィルタのさらに別の特定の局面では、上記並列腕共振子は、上記層間絶縁膜が設けられている上記バスバーを有する並列腕共振子と、上記層間絶縁膜が設けられていない上記バスバーを有する並列腕共振子とを含んでおり、上記層間絶縁膜が設けられている上記バスバーを有する上記並列腕共振子は、上記所定の通過帯域の低周波側の外側の最も近くに配置された減衰極の周波数に最も近い共振周波数を有する。

本発明に係るラダー型フィルタのさらに別の特定の局面では、上記複数の弾性波共振子のうち隣り合う２つの弾性波共振子の各一方のバスバーは、電気的に接続されており、かつ上記アース端子に接続されていない。上記各一方のバスバーの双方に至るように上記層間絶縁膜が設けられている。上記層間絶縁膜の上に上記熱伝導体が設けられている。

本発明に係るラダー型フィルタのさらに別の特定の局面では、上記ＩＤＴ電極が電極指交叉部を有し、上記層間絶縁膜が上記電極指交叉部と上記バスバーとの間の領域に至っている。

本発明によれば、放熱性が高められた、ラダー型フィルタを提供することができる。

図１は、本発明の第１の実施形態において、圧電基板上に第１の導電材層を設けた状態を示す略図的平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態において、図１に示した第１の導電材層上に層間絶縁膜を設けた状態を示す略図的平面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態において、第１の導電材層及び層間絶縁膜上に第２の導電材層を設けた状態を示す略図的平面図である。 図４（ａ）は、弾性波共振子を示す略図的平面図であり、図４（ｂ）は、図１〜図３中の弾性波共振子の略図について説明するための略図的平面図である。 図５（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係るラダー型フィルタの部分切欠き平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）中のI−I線に沿うラダー型フィルタの部分切欠き断面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態に係るラダー型フィルタの第１の変形例における弾性波共振子を示す略図的平面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第１の比較例の減衰量周波数特性を示す図である。 図８は、本発明の第１の実施形態に係るラダー型フィルタの等価回路を示す回路図である。 図９は、本発明の第１の比較例及び第２の比較例の減衰量周波数特性を示す図である。 図１０（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係るラダー型フィルタに用いられている圧電基板上の回路構成における第１の導電材層及び層間絶縁膜の配置を示す略図的平面図であり、図１０（ｂ）は、本発明の第２の実施形態における第１の導電材層及び層間絶縁膜上に第２の導電材層を設けた状態を示す略図的平面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

図１は、本発明の第１の実施形態において、圧電基板上に第１の導電材層を設けた状態を示す略図的平面図である。図２は、本発明の第１の実施形態において、図１に示した第１の導電材層上に層間絶縁膜を設けた状態を示す略図的平面図である。図３は、本発明の第１の実施形態において、第１の導電材層及び層間絶縁膜上に第２の導電材層を設けた状態を示す略図的平面図である。

ラダー型フィルタ１は、圧電基板２を有する。圧電基板２はＬｉＴａＯ_３もしくはＬｉＮｂＯ_３などの圧電単結晶からなる。なお、圧電基板２は、圧電セラミックスからなっていてもよく、非圧電体の担体上に圧電単結晶薄膜が設けられた構成でもよい。

圧電基板２には、複数の弾性波共振子が構成されている。複数の弾性波共振子は、後述する直列腕共振子Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ〜Ｓ６及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３を有する。図１〜図３では、弾性波共振子は略図的に示されている。

図４（ａ）及び図４（ｂ）を参照して、弾性波共振子の構造を説明する。

圧電基板２上には、図４（ａ）に示す弾性表面波を送受する一対の櫛歯型電極である第１の電極９ａ及び第２の電極９ｂが設けられている。第１の電極９ａは、複数本の電極指９ａＡと、複数本の電極指９ａＡの一端が共通接続されたバスバー９ａＢとを有する。第２の電極９ｂは、複数本の電極指９ｂＡと、複数本の電極指９ｂＡが共通接続されたバスバー９ｂＢとを有する。第１の電極９ａ及び第２の電極９ｂのそれぞれの複数本の電極指９ａＡ，９ｂＡは互いに間挿し合っている。それによって、ＩＤＴ電極９が構成されている。

ＩＤＴ電極９の弾性表面波の伝搬方向の両側には、反射器１０が設けられている。それによって、１ポート型の弾性波共振子１１が構成されている。図４（ｂ）は、この弾性波共振子１１を略図的に示している。図１〜図３では、複数の弾性波共振子である直列腕共振子Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ〜Ｓ６及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３は、それぞれ、図４（ｂ）に示すような略図で記載されている。

図１に戻り、圧電基板２上には、第１の信号端子であるアンテナ端子３、第２の信号端子である送信端子４、アース端子５ａ，５ｂ及び複数のＩＤＴ電極が設けられている。アンテナ端子３、送信端子４、アース端子５ａ，５ｂ及び複数のＩＤＴ電極は、圧電基板２上に設けられた第１の導電材層である。アンテナ端子３、送信端子４、アース端子５ａ，５ｂ及び複数のＩＤＴ電極を形成するに際しては、例えばＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ）蒸着またはスパッタリングにより、ＡｌもしくはＡｌ系合金などの金属膜を成膜する。次に、露光、現像及びエッチングの一連のフォトリソグラフィ工程により上記金属膜をパターニングする。

図１に示されている直列腕共振子Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ〜Ｓ６及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３は、上記のように圧電基板２上にＩＤＴ電極を形成することにより構成される。なお、ＩＤＴ電極の形成と同時に図４（ａ）に示した反射器１０も形成する。

図２に示されているように、第１の導電材層上には層間絶縁膜７が設けられている。層間絶縁膜７を形成するに際しては、例えば、まず全面にフォトリソグラフィ工程により絶縁膜を成膜する。次に、層間絶縁膜７を必要とする部分に、レジストをマスクとして塗布する。次に、ドライエッチングもしくはウェットエッチングにより不要部分の絶縁膜を除去する。しかる後、レジストを除去すればよい。層間絶縁膜７は、樹脂にフィラーを混錬した材料により形成することができる。なお、層間絶縁膜７は、ＳｉＯ_２またはＺｎＯなどの適宜の無機酸化物からなっていてもよい。

図３に示すように、上記第１の導電材層及び層間絶縁膜７上には第２の導電材層Ｅが設けられている。第２の導電材層Ｅは第１の導電材層におけるＩＤＴ電極のバスバー、アンテナ端子３、送信端子４及びアース端子５ａ，５ｂなどに相当する部分の上に設けられている。第２の導電材層Ｅを形成するに際しては、例えば、まずレジストを圧電基板２上に塗布する。次に、露光、現像、エッチングの一連のフォトリソグラフィ工程により、レジストをマスクとしてパターニングする。次に、ＥＢ蒸着またはスパッタリングにより、ＡｌもしくはＡｌ系合金などの金属膜を成膜する。しかる後、レジストを除去することにより、第２の導電材層Ｅを形成することができる。

なお、後述する熱伝導体８は本実施形態においては導電性を有し、第２の導電材層Ｅを形成する際に同時に形成される。

次に、本実施形態の構造についてより具体的に説明する。

図１に示すように、アンテナ端子３と送信端子４とを接続している直列腕に直列腕共振子Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ〜Ｓ６が配置されている。直列腕共振子Ｓ１ｂと直列腕共振子Ｓ２とを接続している配線と、アース端子５ａとを接続している第１の並列腕には、並列腕共振子Ｐ１が配置されている。直列腕共振子Ｓ３と直列腕共振子Ｓ４とを接続している配線と、アース端子５ａとを接続している第２の並列腕には、並列腕共振子Ｐ２が配置されている。直列腕共振子Ｓ５と直列腕共振子Ｓ６とを接続している配線と、アース端子５ｂとを接続している第３の並列腕には、並列腕共振子Ｐ３が配置されている。

アンテナ端子３、送信端子４及びアース端子５ａ，５ｂの一点鎖線Ａ〜Ｄに示す部分には、バンプが形成される。ラダー型フィルタ１はバンプを介して回路基板などに実装される。

図５（ａ）及び図５（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係るラダー型フィルタの部分切欠き平面図及び図５（ａ）中のI−I線に沿うラダー型フィルタの部分切欠き断面図である。

図５（ａ）及び図５（ｂ）は、直列腕共振子Ｓ４の周囲の部分切欠き平面図及び部分切欠き断面図である。アース端子、アンテナ端子及び送信端子に直結されていない複数の弾性波共振子において、直列腕共振子Ｓ４は直列腕の中央にあるため電力集中が発生し、最も発熱量が大きい弾性波共振子である。

直列腕共振子Ｓ４の第２の電極９ｂのバスバー９ｂＢ上には、層間絶縁膜７が設けられている。層間絶縁膜７はアース端子５ａに接触するように設けられている。

なお、層間絶縁膜７はアンテナ端子３、送信端子４及びアース端子５ａ，５ｂのいずれにも接触していなくてもよく、アンテナ端子３、送信端子４及びアース端子５ａ，５ｂの少なくとも１つに接触していてもよい。

層間絶縁膜７よりも熱伝導率が高い熱伝導体８が、層間絶縁膜７上及びアース端子５ａに接触するように設けられている。熱伝導体８は適宜の金属または合金などからなる。バスバー９ｂＢの長手方向と平行な方向を熱伝導体８の長さ方向とし、熱伝導体８の長さ方向に垂直な方向を幅方向とすると、熱伝導体８の幅方向に沿う寸法は層間絶縁膜７の幅方向に沿う寸法よりも小さい。熱伝導体８の幅方向両側線Ｇ，Ｇは層間絶縁膜７の幅方向両側線Ｆ，Ｆよりも内側に位置している。それによって、直列腕共振子Ｓ４の第２の電極９ｂのバスバー９ｂＢと熱伝導体８との短絡が防止されている。

なお、熱伝導体８を形成する材料は、層間絶縁膜７よりも熱伝導率が高い材料であれば適宜の材料でもよく、導電性を有していなくてもよい。

本実施形態の特徴は、発熱量が大きい直列腕共振子Ｓ４のバスバー９ｂＢ上に層間絶縁膜７を介して熱伝導体８が設けられており、かつ該熱伝導体８がアース端子５ａに接触するまで連続して設けられていることにある。熱伝導体８は直列腕共振子Ｓ４で発生した熱を効率的にアース端子５ａに伝導する。アース端子５ａからバンプを介して外部に熱が放出される。このように、熱伝導体８により弾性波共振子から外部への放熱経路が設けられる。さらに、熱伝導体８は層間絶縁膜７よりも熱伝導率が高い。よって、ラダー型フィルタの放熱性を効果的に高めることができる。従って、ラダー型フィルタの耐電力性を効果的に高めることができる。

なお、熱伝導体８が導電性を有しない場合は、熱伝導体８がアンテナ端子及び送信端子に接触していてもよい。それによって、放熱性を効果的に高めることができる。

本実施形態では、最も発熱する直列腕共振子Ｓ４のバスバーに層間絶縁膜７及び熱伝導体８を設けたが、他の弾性波共振子のバスバーに層間絶縁膜７及び熱伝導体８を設けてもよい。

例えば、送信側フィルタと受信側フィルタとを備える分波装置において、所定の通過帯域を有する送信側フィルタが本実施形態のラダー型フィルタであり、所定の通過帯域と異なる別の所定の通過帯域を有する受信側フィルタが縦結合共振子型フィルタであり、送信側フィルタの一端と受信側フィルタの一端とをアンテナ端子に接続してデュプレクサを構成した。

送信側フィルタの通過帯域が、受信側フィルタの通過帯域よりも低周波である場合、送信側フィルタであるラダー型フィルタの直列腕共振子では、通過帯域よりも高周波側で、通過帯域に最も近い減衰極の周波数に近い***振周波数を有する直列腕共振子の発熱量が大きい。従って、直列腕共振子の発熱対策のために、***振周波数が通過帯域の高周波側の外側で、通過帯域に最も近い減衰極の周波数に近い直列腕共振子のバスバーの上に層間絶縁膜を介して熱伝導体を設けてもよい。好ましくは、通過帯域の高周波側の外側で、通過帯域に最も近い減衰極の周波数の最も近くに***振周波数が位置している直列腕共振子のバスバーに層間絶縁膜７を設けることが望ましい。

また、送信側フィルタの通過帯域が、受信側フィルタの通過帯域よりも高周波である場合、送信側フィルタであるラダー型フィルタの並列腕共振子では、通過帯域の低周波側の外側で、通過帯域に最も近い減衰極の周波数に近い共振周波数を有する並列腕共振子の発熱量が大きい。従って、当該並列腕共振子の発熱対策のために、共振周波数が通過帯域の低周波側の外側で、通過帯域に最も近い減衰極の周波数に近い並列腕共振子のバスバーの上に層間絶縁膜を介して熱伝導体を設けてもよい。好ましくは、通過帯域の低周波側の外側で、通過帯域に最も近い減衰極の周波数の最も近くに共振周波数が位置している並列腕共振子のバスバーに層間絶縁膜７を設けることが望ましい。

それによって、ラダー型フィルタの放熱性を効果的に高めることができる。

なお、受信側フィルタは、縦結合共振子型フィルタに代えて、ラダー型フィルタによって構成されてもよい。

ところで、消費電力が大きい弾性波共振子は発熱量が大きい。よって、消費電力が大きい弾性波共振子のバスバーに層間絶縁膜を設けてもよい。好ましくは、複数の弾性波共振子の消費電力のうち、消費電力が最小ではない弾性波共振子のバスバーに層間絶縁膜を設けることが望ましい。言い換えれば、他の弾性波共振子の少なくとも１つよりも消費電力が大きい弾性波共振子のバスバーに層間絶縁膜を設けることが望ましい。より好ましくは、最も消費電力が大きい弾性波共振子のバスバーに層間絶縁膜を設けることが望ましい。それによって、ラダー型フィルタの放熱性を効果的に高めることができる。

本実施形態では、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示したように、層間絶縁膜７は弾性波共振子のバスバー９ｂＢ上に設けられており、電極指９ｂＡ上には至っていない。なお、図６の第１の変形例に示すように、バスバー９ｂＢ上に設けられた層間絶縁膜２７はバスバー９ｂＢから電極指交叉部Ｈとバスバー９ｂＢとの間の領域に至るように形成されていてもよい。層間絶縁膜２７がバスバー９ｂＢから電極指交叉部Ｈに至っていなければ、層間絶縁膜２７が電極指９ｂＡ上に至っていても弾性表面波への影響は小さい。なお、熱伝導体２８も層間絶縁膜２７を介して電極指９ｂＡ上に至っていてもよい。その場合、熱伝導体２８の幅を大きくすることができ、放熱性をさらに高めることができる。

次に、本願発明者は、第１の実施形態のラダー型フィルタと第１の比較例のラダー型フィルタとを作製した。第１の比較例は、層間絶縁膜及び熱伝導体が設けられていない点以外は第１の実施形態と同一とした。第１の実施形態及び第１の比較例のラダー型フィルタの温度上昇について定格電力を印加して評価した。

第１の実施形態のラダー型フィルタの温度上昇は第１の比較例に対し、５％の温度上昇抑制効果が確認できた。よって、本実施形態により、ラダー型フィルタの温度上昇を効果的に抑制できていることがわかる。

図７は、本発明の第１の実施形態に係るラダー型フィルタ及び第１の比較例の減衰量周波数特性を示す図である。実線は第１の実施形態の減衰量周波数特性を示し、破線は第１の比較例の減衰量周波数特性を示す。ラダー型フィルタは所定の通過帯域を有し、通過帯域の周波数範囲は８８０ＭＨｚ〜９１５ＭＨｚである。

図７に示されているように、本実施形態により、通過帯域よりも高域側において、減衰量をより一層大きくし得ることがわかる。通過帯域よりも低域側においても、減衰量をより一層大きくし得ることがわかる。

図８は、本発明の第１の実施形態に係るラダー型フィルタの等価回路を示す回路図である。

本実施形態のように、熱伝導体が導電性を有する場合には、放熱性をより効果的に高めることができるだけではなく、さらに、通過帯域外減衰量をより一層大きくすることができる。これは、熱伝導体とアース端子とが層間絶縁膜を介して、直列腕共振子に並列に静電容量Ｊを付与したものと等価の回路を形成していることによる。

具体的には、図５（ａ）に示すように、直列腕共振子Ｓ４のバスバー９ｂＢ上に層間絶縁膜７を介して導電性を有する熱伝導体８が設けられている。熱伝導体８はアース端子５ａに電気的に接続されている。それによって、図８に示されているように、直列腕共振子Ｓ４とアース電位との間に静電容量Ｊを有するコンデンサが構成されている。

図９は、第１の比較例及び第２の比較例の減衰量周波数特性を示す図である。実線は第２の比較例の減衰量周波数特性を示し、破線は第１の比較例の減衰量周波数特性を示す。なお、第２の比較例は、第１の比較例の直列腕とアース電位との間に静電容量を付与し、かつ並列腕共振子の静電容量を増加させたラダー型フィルタである。

第２の比較例の通過帯域外減衰量は、第１の比較例の通過帯域外減衰量よりも大きいことがわかる。第２の比較例は並列腕共振子のＩＤＴ電極の形成面積を１０％大きくすることにより、並列腕共振子の静電容量を大きくしている。それによって、第１の比較例よりも通過帯域外減衰量が大きくなっている。

図７及び図９から明らかなように、第１の実施形態の減衰量周波数特性と第２の比較例の減衰量周波数特性とはほぼ同様である。しかしながら、第１の実施形態における並列腕共振子のＩＤＴ電極の形成面積は、第２の比較例の並列腕共振子のＩＤＴ電極の形成面積よりも１０％程度小さい。よって、第１の実施形態では並列腕共振子の面積が小さくても、効果的に通過帯域外減衰量を大きくすることができることがわかる。従って、ラダー型フィルタの小型化を図ることができることがわかる。

本実施形態では、図５（ａ）及び図５（ｂ）並びに図８に示したように、直列腕共振子Ｓ４のバスバー９ｂＢに層間絶縁膜７及び熱伝導体８を設けることにより静電容量Ｊを付与したが、ＩＤＴ電極の形成面積が小さい他の弾性波共振子のバスバーに層間絶縁膜を設けてもよい。好ましくは、他の少なくとも１つの弾性波共振子よりもＩＤＴ電極の形成面積が小さい弾性波共振子のバスバーに層間絶縁膜を設けることが望ましい。より好ましくは、最もＩＤＴ電極の形成面積が小さい弾性波共振子のバスバーに層間絶縁膜及び導電体の熱伝導体を設けることが望ましい。上記弾性波共振子はＩＤＴ電極の形成面積が小さいため、静電容量が小さい。静電容量が小さい弾性波共振子に層間絶縁膜及び導電体の熱伝導体による静電容量を付与することにより、通過帯域外減衰量を効果的に大きくすることができる。

なお、本実施形態では、直列腕からアース端子に接続する静電容量を付与することにより、並列腕共振子とアース端子との間にある伸長インダクタの有無によらずに、通過帯域外減衰量を大きくすることができる。従って、ラダー型フィルタのより一層の小型化を図ることができる。

図１０（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係るラダー型フィルタに用いられている圧電基板上の回路構成における第１の導電材層及び層間絶縁膜の配置を示す略図的平面図であり、図１０（ｂ）は、本発明の第２の実施形態における第１の導電材層及び層間絶縁膜上に第２の導電材層を設けた状態を示す略図的平面図である。

ラダー型フィルタ３１の層間絶縁膜３７及び熱伝導体３８は直列腕共振子Ｓ１ｂ〜Ｓ６のバスバーの上に設けられている。このように、層間絶縁膜３７及び熱伝導体３８は複数の弾性波共振子のバスバーの上に設けられていてもよい。それによって、複数の弾性波共振子が放熱経路を有するようにできる。従って、ラダー型フィルタの放熱性をより一層高めることができる。

隣り合う２つの直列腕共振子Ｓ１ｂ，Ｓ２の各一方のバスバー３９ｂＢ，３９ａＢは、電気的に接続されており、かつアンテナ端子３、送信端子４及びアース端子５ａ，５ｂのいずれにも接続されていない。直列腕共振子Ｓ１ｂ、Ｓ２の上記各一方のバスバー３９ｂＢ，３９ａＢの双方に至るように層間絶縁膜３７及び熱伝導体３８が設けられている。なお、上記各一方のバスバー３９ｂＢ，３９ａＢは共通化されている。このように、層間絶縁膜３７及び熱伝導体３８は、各弾性波共振子のバスバー毎に設けられずともよい。よって、ラダー型フィルタの設計の自由度を高めることができる。従って、ラダー型フィルタの小型化を図ることができる。

層間絶縁膜３７及び熱伝導体３８は、並列腕共振子Ｐ２のバスバーの上にも設けられている。並列腕共振子Ｐ２の第２の電極はアース端子５ａに電気的に接続されているため、放熱経路は確保されているが、さらに、並列腕共振子Ｐ２の放熱経路を確保することができている。それによって、ラダー型フィルタの放熱性をより一層高めることができる。

１…ラダー型フィルタ
２…圧電基板
３…アンテナ端子
４…送信端子
５ａ，５ｂ…アース端子
７…層間絶縁膜
８…熱伝導体
９…ＩＤＴ電極
９ａ…第１の電極
９ｂ…第２の電極
９ａＡ，９ｂＡ…電極指
９ａＢ，９ｂＢ…バスバー
１０…反射器
１１…弾性波共振子
２７…層間絶縁膜
２８…熱伝導体
３１…ラダー型フィルタ
３７…層間絶縁膜
３８…熱伝導体
３９ａＢ，３９ｂＢ…バスバー
Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ〜Ｓ６…直列腕共振子
Ｐ１〜Ｐ３…並列腕共振子

Claims (10)

1. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられている第１の信号端子、第２の信号端子及びアース端子と、
   前記圧電基板上に設けられており、複数本の電極指と、前記複数本の電極指の一端がそれぞれ共通接続されている一対のバスバーとを有する複数のＩＤＴ電極とを備え、
   前記複数のＩＤＴ電極により複数の弾性波共振子が所定の通過帯域を有するように構成されており、前記複数の弾性波共振子が、前記第１の信号端子と前記第２の信号端子とを接続している直列腕に配置されている複数の直列腕共振子と、前記直列腕と前記アース端子とを接続している並列腕に配置されている並列腕共振子とを有し、
   少なくとも１つの前記バスバーの上に設けられている層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜よりも熱伝導率が高い材料からなり、前記層間絶縁膜上に設けられる熱伝導体とをさらに備え、
   前記熱伝導体が、前記第１の信号端子、前記第２の信号端子及び前記アース端子のうちの少なくとも１つに接触しており、
   前記複数の弾性波共振子は、前記層間絶縁膜が設けられている前記バスバーを有する弾性波共振子と、前記層間絶縁膜が設けられていない前記バスバーを有する弾性波共振子とを含んでおり、
   前記層間絶縁膜が設けられている前記バスバーを有する前記弾性波共振子の消費電力が、前記複数の弾性波共振子のうち最小ではなく、
   前記層間絶縁膜が設けられている前記バスバーを有する前記弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極の形成面積は、前記複数の弾性波共振子のうち最大ではない、ラダー型フィルタ。
2. 前記複数の直列腕共振子は、前記層間絶縁膜が設けられている前記バスバーを有する前記弾性波共振子を含んでいる、請求項１に記載のラダー型フィルタ。
3. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられている第１の信号端子、第２の信号端子及びアース端子と、
   前記圧電基板上に設けられており、複数本の電極指と、前記複数本の電極指の一端がそれぞれ共通接続されている一対のバスバーとを有する複数のＩＤＴ電極とを備え、
   前記複数のＩＤＴ電極により複数の弾性波共振子が所定の通過帯域を有するように構成されており、前記複数の弾性波共振子が、前記第１の信号端子と前記第２の信号端子とを接続している直列腕に配置されている複数の直列腕共振子と、前記直列腕と前記アース端子とを接続している並列腕に配置されている並列腕共振子とを有し、
   少なくとも１つの前記バスバーの上に設けられている層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜よりも熱伝導率が高い材料からなり、前記層間絶縁膜上に設けられる熱伝導体とをさらに備え、
   前記熱伝導体が、前記第１の信号端子、前記第２の信号端子及び前記アース端子のうちの少なくとも１つに接触しており、
   前記複数の直列腕共振子は、前記層間絶縁膜が設けられている前記バスバーを有する直列腕共振子と、前記層間絶縁膜が設けられていない前記バスバーを有する直列腕共振子とを含んでおり、
   前記層間絶縁膜が設けられている前記バスバーを有する前記直列腕共振子は、前記所定の通過帯域の高周波側の外側の最も近くに配置された減衰極の周波数に最も近い***振周波数を有する、ラダー型フィルタ。
4. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられている第１の信号端子、第２の信号端子及びアース端子と、
   前記圧電基板上に設けられており、複数本の電極指と、前記複数本の電極指の一端がそれぞれ共通接続されている一対のバスバーとを有する複数のＩＤＴ電極とを備え、
   前記複数のＩＤＴ電極により複数の弾性波共振子が所定の通過帯域を有するように構成されており、前記複数の弾性波共振子が、前記第１の信号端子と前記第２の信号端子とを接続している直列腕に配置されている複数の直列腕共振子と、前記直列腕と前記アース端子とを接続している並列腕に配置されている並列腕共振子とを有し、
   少なくとも１つの前記バスバーの上に設けられている層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜よりも熱伝導率が高い材料からなり、前記層間絶縁膜上に設けられる熱伝導体とをさらに備え、
   前記熱伝導体が、前記第１の信号端子、前記第２の信号端子及び前記アース端子のうちの少なくとも１つに接触しており、
   前記並列腕共振子は、前記層間絶縁膜が設けられている前記バスバーを有する並列腕共振子と、前記層間絶縁膜が設けられていない前記バスバーを有する並列腕共振子とを含んでおり、
   前記層間絶縁膜が設けられている前記バスバーを有する前記並列腕共振子は、前記所定の通過帯域の低周波側の外側の最も近くに配置された減衰極の周波数に最も近い共振周波数を有する、ラダー型フィルタ。
5. 前記複数の弾性波共振子のうち隣り合う２つの弾性波共振子の各一方のバスバーが、電気的に接続されており、かつ前記アース端子に接続されておらず、前記各一方のバスバーの双方に至るように前記層間絶縁膜が設けられており、前記層間絶縁膜の上に前記熱伝導体が設けられている、請求項１〜４のいずれか１項に記載のラダー型フィルタ。
6. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられている第１の信号端子、第２の信号端子及びアース端子と、
   前記圧電基板上に設けられており、複数本の電極指と、前記複数本の電極指の一端がそれぞれ共通接続されている一対のバスバーとを有する複数のＩＤＴ電極とを備え、
   前記複数のＩＤＴ電極により複数の弾性波共振子が所定の通過帯域を有するように構成されており、前記複数の弾性波共振子が、前記第１の信号端子と前記第２の信号端子とを接続している直列腕に配置されている複数の直列腕共振子と、前記直列腕と前記アース端子とを接続している並列腕に配置されている並列腕共振子とを有し、
   少なくとも１つの前記バスバーの上に設けられている層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜よりも熱伝導率が高い材料からなり、前記層間絶縁膜上に設けられる熱伝導体とをさらに備え、
   前記熱伝導体が、前記第１の信号端子、前記第２の信号端子及び前記アース端子のうちの少なくとも１つに接触しており、
   前記ＩＤＴ電極が電極指交叉部を有し、前記層間絶縁膜が前記電極指交叉部と前記バスバーとの間の領域に至っている、ラダー型フィルタ。
7. 前記熱伝導体が前記アース端子に接触している、請求項１〜６のいずれか１項に記載のラダー型フィルタ。
8. 前記熱伝導体が導電性を有し、前記熱伝導体が前記第１の信号端子、前記第２の信号端子及び前記アース端子のうち前記アース端子のみに接触している、請求項７に記載のラダー型フィルタ。
9. 前記バスバー、前記層間絶縁膜及び前記熱伝導体によりコンデンサが構成されている、請求項８に記載のラダー型フィルタ。
10. 前記熱伝導体が導電性を有さない、請求項１〜８のいずれか１項に記載のラダー型フィルタ。

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