JP4853470B2 - 半導体素子の試験装置及びその試験方法 - Google Patents
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コイルと、
前記コイルを介して半導体素子の第1の端子と第2の端子間に電圧を印加する電源と、
前記電源による前記半導体素子への電圧印加を遮断する遮断手段と、
前記端子間に流れる電流が所定値以上のときに前記遮断手段によって前記電圧印加が遮断された後、前記端子間の電圧がブレイクダウン電圧まで上昇するように前記半導体素子をオフにする駆動手段とを備えることを特徴とする。
コイルを介して半導体素子の第1の端子と第2の端子間に印加される電圧を、前記端子間に流れる電流が所定値以上のときに遮断するステップと、
前記印加される電圧が遮断された後、前記端子間の電圧がブレイクダウン電圧まで上昇するように前記半導体素子をオフにするステップとを備えることを特徴とする。
10 半導体素子
11 駆動部
12 電源
13 ダイオード
14 コイル
20 電流センサ
30 放電回路
Claims (8)
- コイルと、
前記コイルを介して半導体素子の第1の端子と第2の端子間に電圧を印加する電源と、
前記電源による前記半導体素子への電圧印加を遮断する遮断手段と、
前記端子間に流れる電流が所定値以上のときに前記遮断手段によって前記電圧印加が遮断された後、前記端子間の電圧がブレイクダウン電圧まで上昇するように前記半導体素子をオフにする駆動手段とを備える、半導体素子の試験装置。 - 前記遮断手段は、前記端子間に流れる電流の上昇時間に基づいて、前記電圧印加を遮断する、請求項1に記載の半導体素子の試験装置。
- 前記半導体素子のオフ後の前記端子間の電圧に基づいて、前記端子間に流れる電流を遮断する電流遮断手段を備える、請求項1又は2に記載の半導体素子の試験装置。
- 前記半導体素子のオフ後の前記端子間の電圧に基づいて、前記コイルのエネルギーを放電する放電回路を備える、請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体素子の試験装置。
- コイルを介して半導体素子の第1の端子と第2の端子間に印加される電圧を、前記端子間に流れる電流が所定値以上のときに遮断するステップと、
前記印加される電圧が遮断された後、前記端子間の電圧がブレイクダウン電圧まで上昇するように前記半導体素子をオフにするステップとを備える、半導体素子の試験方法。 - 前記端子間に流れる電流の上昇時間に基づいて、前記印加される電圧を遮断する、請求項5に記載の半導体素子の試験方法。
- 前記半導体素子のオフ後の前記端子間の電圧に基づいて、前記端子間に流れる電流を遮断する、請求項5又は6に記載の半導体素子の試験方法。
- 前記半導体素子のオフ後の前記端子間の電圧に基づいて、前記コイルのエネルギーを放電する、請求項5から7のいずれか一項に記載の半導体素子の試験方法。
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