JP6314734B2 - 電力変換装置 - Google Patents

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本発明は、直流電源電圧を高周波交流電圧に変換する電力変換装置に関し、詳しくは、直流電源電圧が変動する場合に有用な電力変換装置に関するものである。
図7は、直流電源電圧を高周波交流電圧に変換し、この交流電圧を変圧器により絶縁して整流、平滑することにより直流電圧を得る電力変換装置であり、例えば特許文献1に記載されているものである。
図7において、直流電源10(その電圧をVinとする)の両端にはコンデンサC,Cが接続されており、これらのコンデンサC,Cは電源電圧Vinをそれぞれ1/2に分圧している。コンデンサC,Cの直列回路には、IGBT等の半導体スイッチング素子S,Sの直列回路と、同じくスイッチング素子S,Sの直列回路とが並列に接続されている。なお、D〜Dは各スイッチング素子S〜Sの還流ダイオードである。
コンデンサC,C同士の接続点と、スイッチング素子S,S同士の接続点との間には、逆耐圧を有するIGBT等の半導体スイッチング素子S1A,S1Bからなる第1の双方向スイッチSが接続され、コンデンサC,C同士の接続点と、スイッチング素子S,S同士の接続点との間には、同じく半導体スイッチング素子S2A,S2Bからなる第2の双方向スイッチSが接続されている。これらのコンデンサC,C、スイッチング素子S〜S及び双方向スイッチS,Sにより、直流電圧を高周波交流電圧に変換する電圧変換回路40が構成される。
また、スイッチング素子S,S同士の接続点とスイッチング素子S,S同士の接続点との間には高周波変圧器(以下、単に変圧器ともいう)TRの一次巻線Nが接続され、その二次巻線Nの両端は、ダイオードD〜D10からなる整流回路50の交流入力端子に接続されている。
整流回路50の直流出力端子間には、平滑用のリアクトルLとコンデンサCとが直列に接続され、コンデンサCの両端には負荷20が接続されている。なお、Vは負荷20に印加される直流出力電圧である。
次に、この電力変換装置の動作を、図8を参照しつつ説明する。
図8は、電圧変換回路40の出力電圧Voutの一例を示している。図7におけるコンデンサC,C同士の接続点(中点)の電位を基準電位とした場合、スイッチング素子S〜S,S1A,S1B,S2A,S2Bの動作により、出力電圧VoutはVin,(1/2)Vin,0,(−1/2)Vin,−Vinからなる5段階の値をとることができる。
これらの5段階の電圧を出力するモードを、図8のようにモード1〜モード5とすると、各モードにおけるスイッチングパターンは次のようになる。
(1)モード1(Vout=Vin):スイッチング素子S,Sをオン。他はオフ。
(2)モード2(Vout=(1/2)Vin):スイッチング素子S,S2Bをオン。他はオフ。あるいは、スイッチング素子S,S1Aをオン。他はオフ。
(3)モード3(Vout=0):スイッチング素子S1A,S2Bをオン。他はオフ。あるいは、スイッチング素子S2A,S1Bをオン。他はオフ。
(4)モード4(Vout=(−1/2)Vin):スイッチング素子S,S2Aをオン。他はオフ。あるいは、スイッチング素子S,S1Bをオン。他はオフ。
(5)モード5(Vout=−Vin):スイッチング素子S,Sをオン。他はオフ。
上記のような動作により、電圧変換回路40の出力電圧Voutは5段階に変化し、整流回路50、リアクトルL及びコンデンサCにより整流、平滑された出力電圧Vは、3段階で変化することになる。
この電力変換装置を一般的な2レベル型電力変換装置と比較すると、スイッチングの際の電圧変化量が小さくなるため、ノイズを低減させることができる。また、各スイッチング素子への印加電圧は2段階で変化するので、スイッチング損失の低減も期待することができる。
更に、図7の電力変換装置では、電源電圧Vinの大きさに応じて電圧変換回路40をハーフブリッジ動作またはフルブリッジ動作に切り替えて運転することにより、更なる損失低減が可能である。このように電圧変換回路40の動作を切り替え可能とすることは、例えば、鉄道車両のように電源電圧Vinの変動が大きい電力変換装置にとって有用である。
以下に、ハーフブリッジ動作とフルブリッジ動作との切替運転について説明する。
まず、電源電圧Vinが十分に高いため、出力電圧Vout、言い換えればVがコンデンサC,Cによる分圧値(1/2)Vinにて足りる場合には、電圧変換回路40をハーフブリッジ動作させる。すなわち、スイッチング素子S2A,S2Bをオンさせた状態でスイッチング素子S,Sを交互にオンオフさせる動作モードと、スイッチング素子S1A,S1Bをオンさせた状態でスイッチング素子S,Sを交互にオンオフさせる動作モードとを組み合わせることにより、導通するスイッチング素子を分散させて発生損失を低減することができる。
また、電源電圧Vinの低下により、出力電圧Vが(1/2)Vinでは不足する場合には、電圧変換回路40をフルブリッジ動作させ、スイッチング素子S〜Sのオンオフにより、図8に示した5レベルの電圧Voutによって3レベルの電圧Vを出力させる。
上記のように、電源電圧Vinの大きさに応じてハーフブリッジ動作とフルブリッジ動作とを切り替えれば、全体として大きな損失低減効果を得ることができ、冷却装置の小型化を含めて装置全体の小型化が可能になる。
特開2012−235557号公報(段落[0027]〜[0040]、図1〜図3等)
しかしながら、図7に示した従来の電力変換装置では、スイッチング周波数に比例して損失が増加するのを避けることができない。この問題を回避するためにスイッチング周波数を低下させると、変圧器が大型化してしまい、装置全体の重量も増加するという不都合が生じる。
そこで、本発明の解決課題は、損失の低減及び変圧器等の磁気部品の小型軽量化を可能とした電力変換装置を提供することにある。
上記課題を解決するため、請求項1に係る発明は、直流電源電圧を分圧する2個のコンデンサからなるコンデンサ直列回路と、還流ダイオードが逆並列接続された半導体スイッチング素子を2個直列接続してなる第1のスイッチング素子直列回路と、還流ダイオードが逆並列接続された半導体スイッチング素子を2個直列接続してなる第2のスイッチング素子直列回路と、を全て並列に接続し、
前記2個のコンデンサ同士の接続点と、前記第1のスイッチング素子直列回路を構成するスイッチング素子同士の接続点との間に、第1の双方向スイッチを接続すると共に、
前記2個のコンデンサ同士の接続点と、前記第2のスイッチング素子直列回路を構成するスイッチング素子同士の接続点との間に、第2の双方向スイッチを接続し、
前記第1のスイッチング素子直列回路を構成するスイッチング素子同士の接続点と、前記第2のスイッチング素子直列回路を構成するスイッチング素子同士の接続点との間に、コンデンサとリアクトルからなる共振回路と高周波変圧器の一次巻線とを直列に接続し、
前記コンデンサ直列回路による直流電源電圧の分圧値が、前記高周波変圧器の二次側に接続される負荷の要求する電圧よりも低い場合は、前記第1,第2のスイッチング素子直列回路を構成するスイッチング素子をフルブリッジ動作させると共に前記第1,第2の双方向スイッチをオフさせ、
前記コンデンサ直列回路による直流電源電圧の分圧値が、前記負荷の要求する電圧よりも高い場合は、前記第1,第2のスイッチング素子直列回路を構成するスイッチング素子をハーフブリッジ動作させると共に、前記第1,第2のスイッチング素子直列回路を構成するスイッチング素子のうちオンさせるスイッチング素子から前記共振回路及び前記一次巻線を介した電流経路にある前記第1または第2の双方向スイッチの何れかをオンさせることにより、前記高周波変圧器の二次巻線から高周波交流電圧を出力させることを特徴とする。
請求項2に係る発明は、請求項1に記載した電力変換装置において、前記第1,第2のスイッチング素子直列回路を構成するスイッチング素子をフルブリッジ動作させる時は、各スイッチング素子のオンデューティ比を50%とし、前記第1,第2のスイッチング素子直列回路を構成するスイッチング素子をハーフブリッジ動作させる時は、各スイッチング素子のオンデューティ比を25%としたことを特徴とする。
請求項3に係る発明は、請求項1または2に記載した電力変換装置において、前記高周波変圧器の二次巻線の両端に整流回路を接続し、前記整流回路の直流出力電圧を平滑して負荷に供給することを特徴とする。
本発明によれば、コンデンサ直列回路に並列に接続された第1 ,第2のスイッチング素子直列回路及び第1,第2の双方向スイッチからなる電圧変換回路の交流出力側に共振回路を接続し、いわゆる共振コンバータとして動作させることにより、ゼロ電流・ゼロ電圧スイッチングによってスイッチング素子の損失を低減すると共に、スイッチング周波数の高周波化によって変圧器等の磁気部品の小型軽量化を図ることができる。
また、直流電源電圧の大きさに応じて、スイッチング周波数を変更せずにフルブリッジ動作とハーフブリッジ動作とを切り替えることにより、負荷が要求する一定の電圧を出力させることができる。一般に、直流電源電圧の大きさが変動する場合、出力電圧を一定に制御するにはスイッチング周波数を動的に変化させる必要があるため、制御装置の負担が増す。このため電力変換装置の前段にチョッパ回路を導入して直流電圧を一定にする方式が知られているが、本発明によれば、フルブリッジ動作とハーフブリッジ動作とを切り替えるだけでよく、チョッパ回路が不要になるため、装置の一層の小型化が可能である。
加えて、ハーフブリッジ動作を行う場合には、共振回路の共振周波数がスイッチング周波数の2倍になるため、磁気部品の更なる小型軽量化が可能である。
本発明の実施形態を示す回路図である。 本発明の実施形態におけるフルブリッジ動作時の各部の波形図である。 本発明の実施形態におけるハーフブリッジ動作時の各部の波形図である。 本発明の実施形態におけるフルブリッジ動作により、電圧VoutとしてVinを出力する際の通流経路を示す図である。 本発明の実施形態におけるフルブリッジ動作により、電圧Voutとして(−Vin)を出力する際の通流経路を示す図である。 本発明の実施形態におけるハーフブリッジ動作により、電圧Voutとして(1/2)Vinを出力する際の通流経路を示す図である。 本発明の実施形態におけるハーフブリッジ動作により、電圧Voutとして(1/2)Vinを出力する際の通流経路を示す図である。 本発明の実施形態におけるハーフブリッジ動作により、電圧Voutとして(−1/2)Vinを出力する際の通流経路を示す図である。 本発明の実施形態におけるハーフブリッジ動作により、電圧Voutとして(−1/2)Vinを出力する際の通流経路を示す図である。 従来技術を示す回路図である。 図7の従来技術による電圧変換回路の出力電圧の波形図である。
以下、図に沿って本発明の実施形態を説明する。
図1はこの実施形態に係る電力変換装置を示しており、図7と同一の機能を有するものには同一の参照符号を付してある。
この実施形態に係る電力変換装置は、図7と同様に、直流電源10と、電圧変換回路40を構成するコンデンサC,C、半導体スイッチング素子S〜S及び還流ダイオードD〜Dと、半導体スイッチング素子S1A,S1B,S2A,S2Bからなる第1,第2の双方向スイッチS,Sと、高周波変圧器TRと、ダイオードD〜D10からなる整流回路50と、平滑用のリアクトルL及びコンデンサCと、を備えている。
上記構成において、コンデンサC,Cは請求項におけるコンデンサ直列回路を構成し、スイッチング素子S,Sは第1のスイッチング素子直列回路を構成し、スイッチング素子S,Sは第2のスイッチング素子直列回路を構成している。
更に、この実施形態では、スイッチング素子S,S同士の接続点と変圧器TRの一次巻線Nの一端との間に、コンデンサCとリアクトルLとを直列接続した共振回路30が接続されている。この共振回路30は、スイッチング素子S,S同士の接続点と変圧器Tの一次巻線Nの他端との間に接続しても良い。
次に、この実施形態の動作を、図2〜図6Bを参照しつつ説明する。
この実施形態では、スイッチング素子S1A,S1B,S2A,S2B,S〜Sを高周波にてスイッチングし、共振回路30の共振作用によって電圧変換回路40から高周波交流電圧を出力させる。そして、この交流電圧を変圧器Tにより絶縁して整流回路50により直流電圧に変換し、リアクトルL及びコンデンサCにより平滑して負荷20に供給するものである。
まず、図1において、電源電圧Vinが低下し、出力電圧VがコンデンサC,Cによる分圧値(1/2)Vinでは不足する場合には、電圧変換回路40をフルブリッジ動作させる。
図2は、フルブリッジ動作時における(a)スイッチング状態(各スイッチング素子のゲート-ソース間電圧)、(b)電圧変換回路40の出力電圧Vout、(c)共振電流I及び変圧器Tの励磁電流ILmを示している。また、図4Aは、電圧VoutとしてVinを出力する際の通流経路、図4Bは、電圧Voutとして(−Vin)を出力する際の通流経路をそれぞれ示している。図4A,4Bにおいて、実線で表示したスイッチング素子はオン状態を示し、破線で表示したスイッチング素子はオフ状態を示している(図5A,5B,6A,6Bにおいても同様)。
図2及び図4A,図4Bより、スイッチング素子S,Sがオンした時には出力電圧Vout=Vinとなり(図8のモード1に相当)、スイッチング素子S,Sがオンした時には出力電圧Vout=−Vinとなる(図8のモード5に相当)ことが分かる。ここで、スイッチング素子S〜Sのオンデューティ比はすべて50%である。なお、双方向スイッチS,Sはオフ状態のままで良い。
この場合、図2に示すように、スイッチング素子S〜Sを共振電流I及び励磁電流ILmがほぼ0の時点でスイッチングすることにより、ゼロ電流スイッチングを可能にしている。
次に、電源電圧Vinが十分高く、出力電圧VがコンデンサC,Cによる分圧値(1/2)Vinであっても十分に足りる場合には、電圧変換回路40をハーフブリッジ動作させる。
図3は、ハーフブリッジ動作時における(a)スイッチング状態、(b)電圧変換回路40の出力電圧Vout、(c)共振電流I及び変圧器Tの励磁電流ILmを示している。また、図5A,図5Bは、電圧Voutとして(1/2)Vinを出力する際の通流経路、図6A,図6Bは、電圧Voutとして(−1/2)Vinを出力する際の通流経路をそれぞれ示している。
図3及び図5A,図5Bに示すように、スイッチング素子S,S2Bがオンした時、または、スイッチング素子S,S1Aがオンした時に、出力電圧Vout=(1/2)Vinとなる(図8のモード2に相当)。また、図3によれば、スイッチング素子S,Sのスイッチング周波数と出力電圧Voutの周波数とを比較すると、Voutの周波数がスイッチング周波数の2倍になっていることがわかる。
なお、このようにハーフブリッジ動作させる場合には、オンさせるスイッチング素子SまたはSから、共振回路30及び一次巻線Nを介した電流経路にある第2の双方向スイッチS(スイッチング素子S2A,S2B)または第1の双方向スイッチS(スイッチング素子S1A,S1B)をそれぞれオンさせることが必要である。
同様にして、図6A,図6Bに示すごとく、スイッチング素子S,S1Bがオンした時、または、スイッチング素子S,S2Aがオンした時には、出力電圧Vout=(−1/2)Vinとなることがわかる。
この実施形態では、図3から明らかなように、スイッチング素子S,S1Aについては、オンデューティ比を25%/75%にてオンさせ、スイッチング素子S,S2Bについても、オンデューティ比を25%/75%にてオンさせることになる。このオンデューティ比は、スイッチング素子S,S2A、またはスイッチング素子S,S1Bの関係においても同様である。このため、ハーフブリッジ動作させるスイッチング素子S〜Sについては、オンデューティ比が何れも25%となる。
前述したように図2は電源電圧Vinが低い場合の動作を示し、図3は電源電圧Vinが高い場合の動作を示しているので、例えば、図2の(b)VoutにおけるVinの大きさと、図3の(b)Voutにおける(1/2)Vinの大きさとが等しい場合もあり得る。
すなわち、この実施形態によれば、電源電圧Vinが変動したとしても、フルブリッジ動作とハーフブリッジ動作とを切り替えるだけで、負荷20に対して一定の電圧を出力することが可能である。
本発明は、スイッチング電源やDC−DCコンバータ、無停電電源装置等に適用することができる。
10:直流電源
20:負荷
30:共振回路
40:電圧変換回路
50:整流回路
,C,C,C:コンデンサ
1A,S1B,S2A,S2B,S〜S:半導体スイッチング素子
,S:双方向スイッチ
:リアクトル
〜D:還流ダイオード
〜D10:ダイオード
TR:高周波変圧器
:一次巻線
:二次巻線

Claims (3)

  1. 直流電源電圧を分圧する2個のコンデンサからなるコンデンサ直列回路と、還流ダイオードが逆並列接続された半導体スイッチング素子を2個直列接続してなる第1のスイッチング素子直列回路と、還流ダイオードが逆並列接続された半導体スイッチング素子を2個直列接続してなる第2のスイッチング素子直列回路と、を全て並列に接続し、
    前記2個のコンデンサ同士の接続点と、前記第1のスイッチング素子直列回路を構成するスイッチング素子同士の接続点との間に、第1の双方向スイッチを接続すると共に、
    前記2個のコンデンサ同士の接続点と、前記第2のスイッチング素子直列回路を構成するスイッチング素子同士の接続点との間に、第2の双方向スイッチを接続し、
    前記第1のスイッチング素子直列回路を構成するスイッチング素子同士の接続点と、前記第2のスイッチング素子直列回路を構成するスイッチング素子同士の接続点との間に、コンデンサとリアクトルからなる共振回路と高周波変圧器の一次巻線とを直列に接続し、
    前記コンデンサ直列回路による直流電源電圧の分圧値が、前記高周波変圧器の二次側に接続される負荷の要求する電圧よりも低い場合は、前記第1,第2のスイッチング素子直列回路を構成するスイッチング素子をフルブリッジ動作させると共に前記第1,第2の双方向スイッチをオフさせ、
    前記コンデンサ直列回路による直流電源電圧の分圧値が、前記負荷の要求する電圧よりも高い場合は、前記第1,第2のスイッチング素子直列回路を構成するスイッチング素子をハーフブリッジ動作させると共に、前記第1,第2のスイッチング素子直列回路を構成するスイッチング素子のうちオンさせるスイッチング素子から前記共振回路及び前記一次巻線を介した電流経路にある前記第1または第2の双方向スイッチの何れかをオンさせることにより、
    前記高周波変圧器の二次巻線から高周波交流電圧を出力させることを特徴とする電力変換装置。
  2. 請求項1に記載した電力変換装置において、
    前記第1,第2のスイッチング素子直列回路を構成するスイッチング素子をフルブリッジ動作させる時は、各スイッチング素子のオンデューティ比を50%とし、
    前記第1,第2のスイッチング素子直列回路を構成するスイッチング素子をハーフブリッジ動作させる時は、各スイッチング素子のオンデューティ比を25%としたことを特徴とする電力変換装置。
  3. 請求項1または2に記載した電力変換装置において、
    前記高周波変圧器の二次巻線の両端に整流回路を接続し、前記整流回路の直流出力電圧を平滑して負荷に供給することを特徴とする電力変換装置。
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