JP5995139B2 - 双方向dc/dcコンバータ - Google Patents

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Description

本発明は、特に入出力電圧範囲が広い用途、例えばバッテリの充電器に適用される絶縁型かつ共振型の双方向DC/DCコンバータに関するものである。
図4は、従来の絶縁型の双方向DC/DCコンバータを示している。
図4において、1は第1の直流電圧源(その電圧値をVとする)、2は第2の直流電圧源(同じくVとする)、3,4は平滑用コンデンサ、17は絶縁トランス、18は第1のブリッジ回路、19は第2のブリッジ回路、24は平滑用リアクトルである。なお、絶縁トランス17の一次,二次巻線をN,Nとし、それぞれの巻数も同じ符号にて表すものとする。
第1のブリッジ回路18は、パワーフローが直流電圧源1→直流電圧源2のときに直流電力を交流電力に変換し、パワーフローが直流電圧源2→直流電圧源1のときに交流電力を直流電力に変換する半導体スイッチ素子により構成されている。また、第2のブリッジ回路19は、パワーフローが直流電圧源1→直流電圧源2のときに交流電力を直流電力に変換し、パワーフローが直流電圧源2→直流電圧源1のときに直流電力を交流電力に変換する半導体スイッチ素子により構成されている。
第1,第2のブリッジ回路18,19を構成する半導体スイッチ素子には、例えば、ダイオードが逆並列に接続されたIGBTやMOSFET等の逆方向導通型の素子が使用される。
この種の双方向DC/DCコンバータと同等の従来技術は、例えば特許文献1に開示されている。
図4において、第1,第2のブリッジ回路18,19は、交流電力を直流電力に変換する機能と、直流電力を交流電力に変換する機能とをそれぞれ持っている。このため、パワーフローに応じて個別に専用回路を設ける必要がなく、回路の簡略化及び装置の小型化を可能にしている。
ここで、特許文献1に開示されている双方向DC/DCコンバータは、パルス幅変調(PWM)制御によるハード・スイッチングを行っている。このため、例えば、パワーフローが直流電圧源1→直流電圧源2である場合、整流動作している第2のブリッジ回路19の半導体スイッチ素子がオフ(ダイオードが逆回復)する際に、半導体スイッチ素子の両端には直流電圧源2の電圧Vを超えるサージ電圧(V+ΔV)が印加される。このため、第2のブリッジ回路19を構成する半導体スイッチ素子には、一般的に発生損失が大きい高耐圧の素子が必要となり、装置効率が低くなるという問題がある。この問題は、パワーフローが直流電圧源2→直流電圧源1である場合の第1のブリッジ回路18についても同様に生じる。
上記の問題を解決する従来技術として、LC共振回路の共振現象を利用してパルス周波数変調(PFM)制御する共振型双方向DC/DCコンバータが知られており、この種の従来技術は、例えば特許文献2に開示されている。
図5は、従来の共振型双方向DC/DCコンバータの主回路構成図である。図5において、図4に記載した回路要素と同様の機能を有するものには同じ符号を付して説明を省略し、以下では異なる部分を主に説明する。
まず、図5において、13,14は共振用リアクトル、15,16は共振用コンデンサである。また、第1のブリッジ回路18は、ダイオードが逆並列に接続された半導体スイッチ素子としてのIGBT5〜8により構成され、同様に、第2のブリッジ回路19はIGBT9〜12により構成されている。なお、G〜GはIGBT5〜12のゲート(ゲート信号も同じ符号とする)を示す。
図6及び図7は、IGBT5〜12のゲート信号G〜Gを生成する制御手段の構成図である。
図6は、IGBT5〜8のゲート信号G〜Gを生成するための構成であり、直流電圧源2の電圧V及び電流Iを検出する第2の検出回路21と、この検出回路21による検出値を用いてゲート信号G〜Gを生成する第1の制御回路25とを備えている。また、図7は、IGBT9〜12のゲート信号G〜Gを生成するための構成であり、直流電圧源1の電圧V及び電流Iを検出する第1の検出回路20と、この検出回路20による検出値を用いてゲート信号G〜Gを生成する第2の制御回路26とを備えている。
すべてのゲート信号G〜Gは、図示されていないゲート駆動回路を介してIGBT5〜12に与えられる。
図5において、パワーフローが直流電圧源1→直流電圧源2であるときは、整流動作する半導体スイッチ素子9〜12のダイオードが逆回復する際に印加される電圧が、直流電圧源2の電圧Vにクランプされる。また、パワーフローが直流電圧源2→直流電圧源1であるときは、整流動作する半導体スイッチ素子5〜7のダイオードが逆回復する際に印加される電圧が、直流電圧源1の電圧Vにクランプされる。
このため、半導体スイッチ素子5〜12として、一般的に発生損失の小さい低耐圧素子を使用することができ、図4に示した双方向DC/DCコンバータよりも高い装置効率を得ることが可能である。
上述したように、周波数変調制御される共振型双方向DC/DCコンバータを用いれば、装置効率を向上させることができる。
しかしながら、この場合、特許文献3に指摘されているように、負荷の大小によってスイッチング周波数に対する出力電圧の特性が変化してしまい、特に軽負荷や無負荷の場合には、スイッチング周波数を無限に増加させても出力電圧を一定値以下にすることができないため、バッテリの充電器のように入出力電圧範囲が広い用途に適用することが困難であった。
特開2001−037226号公報(段落[0016]〜[0041]、図2等) 特開2011−120370号公報(段落[0010]〜[0044]、図1,図2等) 特開2002−262569号公報(段落[0002],[0003])
前述の特許文献3に指摘されている問題点を具体的に説明すると、以下のとおりである。
いま、図5に示した共振型双方向DC/DCコンバータの装置仕様として、例えば、第1の直流電圧源1の電圧がVであり、第2の直流電圧源2の電圧をV2(min)〜V2(max)の範囲で制御するものとする。このとき、パワーフローが直流電圧源1→直流電圧源2の動作を基準にして装置を設計すると、前述したように、共振型の双方向DC/DCコンバータでは、軽負荷時や無負荷時に出力電圧を一定値以下にすることができないので、絶縁トランス17の巻数比aは、a=N/N=V/V2(min)となる。
その結果、パワーフローが直流電圧源1→直流電圧源2である場合、第2のブリッジ回路19からの最小出力電圧は、V2(min)=(1/a)×V(その時のIGBT5〜8のスイッチング周波数は、共振用リアクトル13及び共振用コンデンサ15からなるLC回路の共振周波数fに設定する)、最大出力電圧は、V2(max)=(1/a)×V×α(α:スイッチング周波数を共振周波数f以下にしたときの電圧変換ゲイン)となり、V2(min)〜V2(max)の範囲の電圧が出力される。
次に、パワーフローが直流電圧源2→直流電圧源1である場合、第2のブリッジ回路19への入力電圧が最小入力電圧V2(min)である時には、V=a×V2(min)となり、IGBT9〜12のスイッチング周波数を共振周波数fに設定することにより、電圧Vを出力することができる。しかし、第2のブリッジ回路19への入力電圧が最大入力電圧V2(max)である時には、V<a×V2(max)となるため、スイッチング周波数をfよりも増加させる必要がある。
前述したように、共振型の双方向DC/DCコンバータではスイッチング周波数を無限に増加させても出力電圧を一定値以下に制御できないため、軽負荷や無負荷時には、所望の出力電圧Vが得られない恐れがある。
すなわち、パルス周波数変調制御を用いた共振型の双方向DC/DCコンバータは、入出力電圧範囲が広い装置への適用が困難であることがわかる。
そこで、本発明の解決課題は、入出力電圧範囲が広い用途にも適用可能な共振型の双方向DC/DCコンバータを提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明は、請求項1に記載するように、第1の直流電圧源に接続された第1のブリッジ回路と、第2の直流電圧源に接続された第2のブリッジ回路と、第1のブリッジ回路の交流側と第2のブリッジ回路の交流側との間にLC共振回路を介して接続された絶縁トランスと、第1の直流電圧源の電圧及び電流を検出する第1の検出回路と、第2の直流電圧源の電圧及び電流を検出する第2の検出回路と、第1のブリッジ回路の半導体スイッチ素子を制御する第1の制御回路と、第2のブリッジ回路の半導体スイッチ素子を制御する第2の制御回路と、を備えている。
また、第1,第2の制御回路は、前記LC共振回路の共振周波数付近で第1,第2のブリッジ回路の半導体スイッチ素子を固定周波数制御する制御手段と、前記共振周波数よりも低い周波数で第1,第2のブリッジ回路の半導体スイッチ素子を周波数変調制御する制御手段と、をそれぞれ備えている。
そして、第1の制御回路は、第1の直流電圧源から第2の直流電圧源に電力を供給するときに、第2の検出回路の検出値によって決まる制御量に基づいて、第1のブリッジ回路に対する固定周波数制御と周波数変調制御とを第1の切替手段によって切り替えると共に、第2の制御回路は、第2の直流電圧源から第1の直流電圧源に電力を供給するときに、第1の検出回路の検出値によって決まる制御量に基づいて、第2のブリッジ回路に対する固定周波数制御と周波数変調制御とを第2の切替手段によって切り替えるものである。
なお、請求項2に記載するように、第1の制御回路は、第2の直流電圧源の電圧を第1のブリッジ回路の固定周波数制御領域で出力可能な最大電圧以上の値に制御する場合に、第1の切替手段を操作して、第1のブリッジ回路の制御を固定周波数制御から周波数変調制御に切り替える。
また、請求項3に記載するように、第2の制御回路は、第1の直流電圧源の電圧を第2のブリッジ回路の周波数変調制御領域で出力可能な最小電圧を下回る値に制御する場合に、第2の切替手段を操作して、第2のブリッジ回路の制御を周波数変調制御から固定周波数制御に切り替える。
ここで、前記固定周波数制御としては、請求項4または請求項5に記載するように、各ブリッジ回路をパルス幅変調制御または位相変調制御することが望ましい。
本発明によれば、第1の直流電圧源と第2の直流電圧源との間で直流電圧を双方向に変換する際に出力可能な電圧範囲を拡大することができ、例えばバッテリの充電器として好適な双方向DC/DCコンバータを実現することができる。
本発明の実施形態に係る双方向DC/DCコンバータの主回路構成図である。 図1における第1のブリッジ回路に対するゲート信号を作成するための制御手段の構成図である。 図1における第2のブリッジ回路に対するゲート信号を作成するための制御手段の構成図である。 従来の双方向DC/DCコンバータの主回路構成図である。 従来の共振型双方向DC/DCコンバータの主回路構成図である。 図5における第1のブリッジ回路に対するゲート信号を作成するための制御手段の構成図である。 図5における第2のブリッジ回路に対するゲート信号を作成するための制御手段の構成図である。
以下、図に沿って本発明の実施形態を説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る共振型双方向DC/DCコンバータの主回路構成図である。この主回路は図5と同一であるが、回路構成を明確にするため、再度説明する。
図1において、第1の直流電圧源1(その電圧値をVとする)と平滑用コンデンサ3との並列接続回路の両端には、第1のブリッジ回路18の一対の直流端子が接続されている。このブリッジ回路18は、ダイオードが逆並列に接続されたIGBT5〜8により構成され、一対の交流端子の間には、共振用リアクトル13と絶縁トランス17の一方の巻線Nと共振用コンデンサ15とが直列に接続されている。
絶縁トランス17の他方の巻線Nの一端は共振用リアクトル14を介して第2のブリッジ回路19の一方の交流端子に接続され、巻線Nの他端は共振用コンデンサ16を介して第2のブリッジ回路19の他方の交流端子に接続されている。
第2のブリッジ回路19は、第1のブリッジ回路18と同様に、ダイオードが逆並列に接続されたIGBT9〜12により構成されている。そして、ブリッジ回路19の一対の直流端子の間には、第2の直流電圧源2(その電圧値をVとする)と平滑用コンデンサ4との並列接続回路が接続されている。
なお、共振用リアクトル13,14のインダクタンス値は等しく、共振用コンデンサ15,16の容量値も等しいものとし、以下では、共振用リアクトル13及び共振用コンデンサ15(共振用リアクトル14及び共振用コンデンサ16)からなるLC回路の共振周波数をfとする。
次に、図2はIGBT5〜8のゲート信号G〜Gを生成する制御手段の構成図であり、図3はIGBT9〜12のゲート信号G〜Gを生成する制御手段の構成図である。
まず、図2に示す制御手段は、直流電圧源2の電圧V及び電流Iを検出する第2の検出回路21と、この検出回路21の出力信号を用いてIGBT5〜8のゲート信号G〜Gを生成する第1の制御回路22とを備えている。
また、図3に示す制御手段は、直流電圧源1の電圧V及び電流Iを検出する第1の検出回路20と、この検出回路20の出力信号を用いてIGBT9〜12のゲート信号G〜Gを生成する第2の制御回路23とを備えている。
すべてのゲート信号G〜Gは、図示されていないゲート駆動回路を介してIGBT5〜12に与えられる。
ここで、第1の制御回路22は、共振周波数f付近の固定周波数のキャリアを用いてゲート信号を生成する固定周波数制御手段22aと、共振周波数fよりも低い周波数のキャリアを用いてゲート信号を生成する周波数変調(パルス周波数変調)制御手段22bとを備えている。なお、固定周波数制御手段22aによる制御には、例えばパルス幅変調(PWM)制御や位相変調制御を用いることができる。
そして、検出回路21による電圧V、電流Iの検出値にて決定される制御量22cに基づき、電圧Vの大きさに応じて切替手段22dを操作することにより、固定周波数制御手段22aまたは周波数変調制御手段22bを選択してIGBT5〜8に対するゲート信号G〜Gを生成する。
同様にして、第2の制御回路23は、共振周波数f付近の固定周波数のキャリアを用いてゲート信号を生成する固定周波数制御手段23aと、共振周波数fよりも低い周波数のキャリアを用いてゲート信号を生成する周波数変調(パルス周波数変調)制御手段23bとを備え、検出回路20による電圧V、電流Iの検出値にて決定される制御量23cに基づき、電圧Vの大きさに応じて切替手段23dを操作することにより、固定周波数制御手段23aまたは周波数変調制御手段23bを選択してIGBT9〜12に対するゲート信号G〜Gを生成する。上記の固定周波数制御手段23aも、パルス幅変調制御や位相変調制御を行うものである。
なお、図2の制御量22cは、電圧V及び電流Iの検出値をそれぞれの指令値に一致させ、図3の制御量23cは、電圧V及び電流Iの検出値をそれぞれの指令値に一致させるための制御量である。
いま、装置仕様として、従来技術と同様に、第1の直流電圧源1の電圧がVであるときに第2の直流電圧源2の電圧をV2(min)〜V2(max)の範囲で制御するものとし、パワーフローが直流電圧源1→直流電圧源2である動作を基準に設計することとする。
この場合、図2における固定周波数制御手段22aと周波数変調制御手段22bとを切替手段22dにより切り替える際の電圧Vの大きさを、V2(min)〜V2(max)の中間値V2(mid)に設定する。すなわち、V2(mid)を基準として電圧VがV2(mid)未満であれば固定周波数制御手段22aを選択し、V2(mid)以上であれば周波数変調制御手段22bを選択するものであり、言い換えれば、周波数変調制御手段22bの動作時の最低出力電圧をV2(mid)とする。なお、絶縁トランス17の巻数比aを、a=N/N=V/V2(mid)とする。
これにより、負荷の大小によらず、固定周波数制御手段22aと周波数変調制御手段22bとが切り替わる時の電圧V2(mid)及び周波数が固定され、固定周波数制御時のスイッチング周波数は常に共振周波数fとなり、周波数変調制御時のスイッチング周波数は共振周波数fより低い値で制御されることになる。
つまり、パワーフローが直流電圧源1→直流電圧源2である場合、第1の制御回路22は、制御量22cに応じて、第2の直流電圧源2の電圧をV2(mid)未満の値に制御するときは、第1のブリッジ回路18を固定周波数制御に切り替え、第2の直流電圧源2の電圧をV2(mid)以上の電圧に制御するときは、第1のブリッジ回路18を周波数変調制御(スイッチング周波数<f)に切り替えるように、切替手段22dを操作する。
これにより、第1の直流電圧源1の電圧がVであるときに、第2の直流電圧源2の電圧VをV2(min)〜V2(max)の範囲で変化させることができる。
また、パワーフローが直流電圧源2→直流電圧源1である場合、第2の制御回路23は、制御量23cに応じて、第2の直流電圧源2の電圧VがV2(mid)未満であるときは、第2のブリッジ回路19を周波数変調制御(スイッチング周波数<f)に切り替えて第1の直流電圧源1の電圧をVに制御し、また、第2の直流電圧源2の電圧VがV2(mid)以上であって、目的とする電圧Vが周波数変調制御により出力可能な電圧を下回るときは、第2のブリッジ回路19を固定周波数制御(スイッチング周波数=f)に切り替えて第1の直流電圧源1の電圧をVに制御するように、切替手段23dを操作する。
これにより、第2の直流電圧源2の電圧がV2(min)〜V2(max)の範囲にあるときに、第1の直流電圧源1の電圧をVに制御することができる。
以上のように、この実施形態によれば、パワーフローが直流電圧源1→直流電圧源2,直流電圧源2→直流電圧源1となるどちらの動作においても、ブリッジ回路の制御方式として固定周波数制御と周波数変調制御とを切り替えることにより、第1の直流電圧源1の電圧をVとし、第2の直流電圧源2の電圧をV2(min)〜V2(max)とする入出力電圧の関係を保つことができる。
上記実施形態では、第1,第2のブリッジ回路18,19を構成する半導体スイッチ素子としてIGBTを用いた場合を説明したが、半導体スイッチ素子としてMOSFETを用いた場合でも同様な効果が得られることは言うまでもない。
1,2:直流電圧源
3,4:平滑用コンデンサ
5〜12:半導体スイッチ
13,14:共振用リアクトル
15,16:共振用コンデンサ
17:絶縁トランス
18,19:ブリッジ回路
20,21:検出回路
22,23:制御回路
22a,23a:固定周波数制御手段
22b,23b:周波数変調制御手段
22c,23c:制御量
22d,23d:切替手段

Claims (5)

  1. 絶縁トランスを介して第1の直流電圧源と第2の直流電圧源との間で相互に電力を供給可能な双方向DC/DCコンバータにおいて、
    第1の直流電圧源に接続された複数の半導体スイッチ素子からなる第1のブリッジ回路と、第2の直流電圧源に接続された複数の半導体スイッチ素子からなる第2のブリッジ回路と、第1のブリッジ回路の交流側と第2のブリッジ回路の交流側との間に接続された前記絶縁トランスと、第1,第2のブリッジ回路のうち少なくとも一つのブリッジ回路の交流側と前記絶縁トランスとの間に接続されたリアクトル及びコンデンサからなるLC共振回路と、第1の直流電圧源の電圧及び電流を検出する第1の検出回路と、第2の直流電圧源の電圧及び電流を検出する第2の検出回路と、第1のブリッジ回路の半導体スイッチ素子を制御する第1の制御回路と、第2のブリッジ回路の半導体スイッチ素子を制御する第2の制御回路と、を備え、
    第1の制御回路は、前記LC共振回路の共振周波数付近で第1のブリッジ回路の半導体スイッチ素子を固定周波数制御する制御手段と、前記共振周波数よりも低い周波数で第1のブリッジ回路の半導体スイッチ素子を周波数変調制御する制御手段と、を備え、
    第2の制御回路は、前記LC共振回路の共振周波数付近で第2のブリッジ回路の半導体スイッチ素子を固定周波数制御する制御手段と、前記共振周波数よりも低い周波数で第2のブリッジ回路の半導体スイッチ素子を周波数変調制御する制御手段と、を備えると共に、
    第1の制御回路は、第1の直流電圧源から第2の直流電圧源に電力を供給するときに、第2の検出回路の検出値によって決まる制御量に基づいて、第1のブリッジ回路に対する固定周波数制御と周波数変調制御とを切り替える第1の切替手段を有し、
    第2の制御回路は、第2の直流電圧源から第1の直流電圧源に電力を供給するときに、第1の検出回路の検出値によって決まる制御量に基づいて、第2のブリッジ回路に対する固定周波数制御と周波数変調制御とを切り替える第2の切替手段を有することを特徴とする双方向DC/DCコンバータ。
  2. 請求項1に記載した双方向DC/DCコンバータにおいて、
    第1の制御回路は、第2の直流電圧源の電圧を第1のブリッジ回路の固定周波数制御領域で出力可能な最大電圧以上の値に制御する場合に、第1の切替手段を操作して、第1のブリッジ回路の制御を固定周波数制御から周波数変調制御に切り替えることを特徴とする双方向DC/DCコンバータ。
  3. 請求項1または2に記載した双方向DC/DCコンバータにおいて、
    第2の制御回路は、第1の直流電圧源の電圧を第2のブリッジ回路の周波数変調制御領域で出力可能な最小電圧を下回る値に制御する場合に、第2の切替手段を操作して、第2のブリッジ回路の制御を周波数変調制御から固定周波数制御に切り替えることを特徴とする双方向DC/DCコンバータ。
  4. 請求項1〜3の何れか1項に記載した双方向DC/DCコンバータにおいて、
    前記固定周波数制御として、半導体スイッチ素子をパルス幅変調制御することを特徴とする双方向DC/DCコンバータ。
  5. 請求項1〜3の何れか1項に記載した双方向DC/DCコンバータにおいて、
    前記固定周波数制御として、半導体スイッチ素子を位相変調制御することを特徴とする双方向DC/DCコンバータ。
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