JP6145985B2 - 電界効果トランジスタ - Google Patents
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Description
また、本発明は、簡単な構造で漏洩電流の発生を抑制できる縦型GaN系FETを提供することを第2の目的とする。
第1のIII族窒化物半導体層と、該第1のIII族窒化物半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きい第2のIII族窒化物半導体層と、を含む半導体積層体と、
該半導体積層体の一方の面である第1面側に設けられたソース電極及びゲート電極と、
前記半導体積層体の他方の面である第2面側に設けられたドレイン電極と、
を備え、
前記第1のIII族窒化物半導体層の前記第2のIII族窒化物半導体層側に2次元電子ガス層が形成される電界効果トランジスタであって、
前記半導体積層体は、前記ドレイン電極と前記ソース電極とを結ぶ経路の少なくとも一部を遮断するように、前記第2面から前記2次元電子ガス層に向かって形成された溝を有することを特徴とする。
本発明に係る実施形態1の電界効果トランジスタは、図1に示すように、縦型GaN系HEMTであり、n型GaN層11とAlGaN層12とを含む半導体積層体10を備える。以上の半導体積層体10において、AlGaN層12界面近傍のn型GaN層11に2次元電子ガス層2が形成される。
ソース電極22は半導体積層体10の第1面(一方の面)側に設けられる。また、半導体積層体10の第1面には、ゲート電極21がソース電極22から離れて設けられる。ドレイン電極23は半導体積層体10の第2面(一方の面と反対の面である他方の面)側に設けられる。ここで、ソース電極22、ゲート電極21及びドレイン電極23は、2次元電子ガス層2を利用してチャネルを構成するために、次のような位置関係を満足するように設けられる。尚、以下の説明において、半導体積層体10の第1面及び第2面に直交する方向をZ方向という。
また、溝15は、ソース電極22とドレイン電極23とを結ぶ経路を完全に遮断するように形成されることが好ましく、平面視において、2次元電子ガス層2が形成される領域におけるソース電極22とドレイン電極23とを結ぶ経路を完全に遮断するように設けられることが好ましい。
ここで、図7と図8には本発明に係る異なる形態の電界効果トランジスタを示しており、図7(a)は一形態(第1形態)の平面図であり、図7(b)はその断面図である。図8(a)は他の形態(第2形態)の平面図であり、図8(b)はその断面図である。
また、図7及び図8には、1つの素子領域に形成された1つの電界効果トランジスタを図示しており、例えば、1つの基板上に複数の素子領域を形成する場合には、素子領域ごとに分離された2次元電子ガス層2が形成される。また、1つの基板上における素子領域の分離は、例えば、素子分離溝又はイオン注入によって素子領域の周りに素子分離領域を形成することにより、素子領域毎に2次元電子ガス層2を分離することができる。このようにして形成される素子領域の外周が図7(a)及び図8(a)の外周として示されている。
尚、ゲートコンタクト層を設けることなく、各層のキャリア濃度、組成、膜厚を適宜調整することにより、ノーマリオフ型の電界効果トランジスタとすることもできる。
すなわち、ソース電極22を半導体積層体10の第1面に設け、ドレイン電極23を半導体積層体10の第2面に設けて縦型GaN電界効果トランジスタを構成した場合、制御可能な空乏層13の深さには限界があるため、n型GaN層11が厚い場合には、図3(a)(b)に示すように、オンオフどちらの状態においてもソース−ドレイン間の漏洩電流が生じる。この漏洩電流を防止するために、例えば、特許文献1の縦型GaN系HEMTでは電極構造や半導体層の膜厚を工夫し、特許文献2の縦型GaN系HEMTではチャネルの下にp型GaN層からなるバリア層を設けるなど半導体構造を工夫して、ソース−ドレイン間の漏洩電流を防止していた。
これに対して、本発明に係る実施形態の電界効果トランジスタでは、n型GaN層11に溝15を設けるという簡単な構成により、通常の電界効果トランジスタで利用される程度の空乏層13深さによってソース−ドレイン間の経路を完全に遮断することが可能となる。これによって、ソース−ドレイン間の漏洩電流を防止することができる。
したがって、実施形態1の電界効果トランジスタにより、簡単な構成により漏洩電流が抑制された縦型GaN系HEMTが実現できる。
また、このような電界効果トランジスタであれば、漏洩電流の発生を招くことなく、半導体積層体10を厚膜とし、ソース電極22とドレイン電極23との距離を拡大することができるので、高耐圧化できる。
n型GaN層11は、2次元電子ガス層が形成される層(以下、第1のIII族窒化物半導体層ともいう。)である。
n型不純物としては、例えばSiを用いる。2次元電子ガス層が形成される層としてn型GaN層を採用する場合は、n型不純物濃度を約2.2×1016/cm3かそれよりも小さくし、膜厚は約6.7μmかそれよりも小さくすることで、高耐圧(例えば1000V級)の電界効果トランジスタとすることができる。
なお、2次元電子ガス層が形成される層を構成する材料は、GaNに限定されるものではなく、III族窒化物半導体から選択することができ、InxAlyGa1−x−yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)を用いることができる。また、2次元電子ガス層が形成される層は、ドレイン電極23が直接形成される層である場合にはn型層であることが好ましいが、ドレイン電極23との間に別の層(別のn型層)を設ける場合は、2次元電子ガス層が形成される層をアンドープの層とすることもできる。
第1のIII族窒化物半導体層がGaN層である場合には、AlGaN層を用いることが好ましく、AlGaN層12としては、AlaGa1−aN(0<a<1)を用いることができる。好ましくは、0<a<0.4とする。Al混晶比aが0.4未満の範囲であると、結晶性の良好なAlGaN層が形成可能なため、移動度を高いものできる。さらに好ましくは0.1<a<0.3とする。高耐圧化のためには、アンドープの層であることが好ましい。
なお、上述のように、第1のIII族窒化物半導体層がGaN層である場合は第2のIII族窒化物半導体層をAlGaN層とすることが好ましいが、第2のIII族窒化物半導体層を第1のIII族窒化物半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きい層とし、第1のIII族窒化物半導体層に2次元電子ガス層が形成される構成であればよく、第1,2のIII族窒化物半導体層としては種々の材料を採用することができる。
半導体積層体10は、第1,2のIII族窒化物半導体層(例えばn型GaN層11とAlGaN層12)の他に、例えば実施例に示す以下のような層を含んでいてもよい。
AlN層16は、AlGaN層12よりも薄膜で設けられる。AlN層16を設けることで、AlGaN層12のみの場合よりもチャネルにおけるキャリア移動度を向上させることができる。AlN層を用いる場合は、2nm以下の膜厚とすると、結晶性よく形成でき好ましく、特に0.5〜1nm程度の膜厚とすることが好ましい。
この層は、ドレイン電極23との間のオーミック接触を良好にするものであり、この層を形成することによりオン抵抗を低くできる。
実施例では高濃度Siドープn型GaN層を用いたが、このような層としては、2次元電子ガスが形成される層(実施例ではn型GaN層11)よりも高濃度にn型不純物がドープされた層であればよく、GaN層に限るものではない。好ましくは、ドレイン電極から2次元電子ガス層までの半導体層は同じ材料で形成する。異なる材料を用いると、ピエゾ分極や自発分極により異なる材料の界面で空乏し、高抵抗化する場合があるため、これを避けることが好ましい。n型不純物としては、実施例ではSiを用いた。
縦型のGaN系FETは、例えば、成長用基板(例えばサファイア基板)の上に半導体層を積層し、成長用基板を除去することで形成される。この場合、成長用基板が除去された側がドレイン電極形成面(第2面)となるが、成長用基板除去の際に半導体層もある程度(例えば1μm)の膜厚が除去されるため、少なくとも1μmよりも厚くすることが好ましい。2μm程度が好ましい。
また、このような製造方法において、半導体層は成長用基板とは異なる支持基板(例えばSi基板)に接着され、接着材として共晶材料等の低融点材料が用いられる場合には、ドレイン電極の形成後に高温での熱処理を行うことができないため、n型不純物の濃度は、熱処理無しでオーミック接触が可能な程度に高濃度とすることが好ましい。一方で、n型不純物の濃度が高くなると結晶性が悪化するため、約1×1018/cm3〜1×1019/cm3程度とすることが好ましい。
エッチングストッパー層18は、溝15の底面の位置を規定するものであり、例えば、第1のIII族窒化物半導体層としてGaN層を用いる場合には、エッチングストッパー層18としてAlGaN層を用いる。エッチングストッパー層18は、エッチングストッパーとしての役割のためには、Al混晶比や膜厚はある程度大きいことが必要である。
しかしながら、GaN層中にAlGaN層を挟むことで、GaN層とAlGaN層との界面が空乏するため、Al混晶比や膜厚を大きくするとオン抵抗が増大する。したがって、オン抵抗を増大させないように、膜厚及び組成を決定する必要がある。具体的には、10nmより小さい膜厚とすることが好ましく、例えば1nm程度とする。
Al混晶比は、AlbGa1−bN(0<b<0.2)とすることが好ましく、例えばAl0.1Ga0.9Nとする。
なお、実施例のようにGaN層中に設けるエッチングストッパー層はAlGaN層が好ましいが、他の材料を用いることもでき、例えばInGaN層中にGaNからなるエッチングストッパー層を設けることもできる。
ソース電極21、ゲート電極22、ドレイン電極23等の電極は、例えばTi、Al、Cu、W、Au、Ag、Mo、Ni、Pt、In、Rh、Ir、Cr等導電性に優れた材質で構成される。また金属材料に限定せず、導電性酸化物、導電性を有する導電性プラスチック等も利用できる。さらに電極は単一元素の材料のみならず、合金化、共晶化、混晶等、複数の元素で構成し、例えばITOや酸化亜鉛(ZnO)等が利用できる。さらにまた2層以上の層構造も採用できる。好ましくは、AlGaN系やGaN系半導体層に対するオーミック電極の一例として、Ti/Al系電極、ショットキー電極の一例としてNi/Au系材料からなる電極が採用される。また、各電極とワイヤとの密着性等を考慮して、パッド電極を形成してもよい。なお、本明細書において、例えばTi/Alとは、半導体側からTiとAlが順に積層された構造を指す。
溝15の深さは、少なくとも2次元電子ガス層2に達しない程度とする。溝15とGaN層11(第1のIII族窒化物半導体層)の上端(ゲート電極21側の端面)との距離は、空乏層13が到達する程度とする。また、後述するように溝15の表面から表面空乏層が形成されている場合は、空乏層13および表面空乏層によってチャネルが閉じられる程度とする。具体的には、空乏層13や表面空乏層のサイズによるが、10nm以上1μm以下とでき、例えば100nm程度とする。
後述するように保護膜(パッシベーション膜)を設ける場合は、溝15の幅(図中の左右方向)は1μm以上であることが好ましい。上限は、ゲート電極直下に収まる程度が好ましい。
溝15は、ゲート電極21の直下に設けられていることが好ましく、ゲート電極の下に拡がる空乏層13と溝15とによって電流を遮断しているので、平面視においてゲート電極21からソース電極22側及びドレイン電極23側にはみ出さず完全に収まるように配置されることが好ましい。また、実施形態2において後述するように、溝15からの表面空乏層14を利用して2次元電子ガス層2を空乏化させる場合には、ゲート電極21の電圧を増大させることで表面空乏層を後退させ、ソース電極22とドレイン電極23との間に電流を流すことできるが、ゲート電極21の電圧印加によって空乏層が制御できる範囲は、ゲート電極21直下およびそのごく近傍に限られており、それ以外の領域ではゲート電極21の電圧によって空乏層が制御できない。このため、溝15はゲート電極21の直下からはみ出さないことが好ましい。
本発明に係る実施形態2の電界効果トランジスタは、溝15の表面に沿って形成された表面空乏層14を利用して構成されたノーマリオフ型の縦型GaN系HEMTであり、溝15の内部と半導体積層体10の第2面とに保護膜32を設けたこと以外は、実施形態1の電解効果トランジスタと同様に構成される。
すなわち、実施形態2の電界効果トランジスタでは、溝15の内部に、負に帯電した界面準位を形成する保護膜(パッシベーション膜)32を形成することにより、溝15内部の半導体層表面(n型GaN層11の表面)を負に帯電させている。この負に帯電した表面により、n型GaN層11のキャリアである電子は電気的反発力により、表面から離れる方向に移動して、保護膜32が形成されているn型GaN層11表面が空乏化する。
ここで、負に帯電した界面準位を持った保護膜32は、例えば、保護膜32を形成する際に、成膜条件である原料ガスの混合比や流量比を制御することにより負の固定電荷を持たせることができる。
尚、保護膜32を形成しない場合でも、表面空乏層は形成されるが、好ましくは、保護膜32を形成して、その成膜条件により表面空乏層の厚さを調整する。このように成膜条件により負に帯電した界面準位を持つ保護膜32の材料としては、例えば、SiO2、SiN、Al2O3などを用いることができる。
また、表面空乏層の厚さLは、次の式1により設定することができる。
ここで、εは、n型GaN層11の誘電率、qは、素電荷量、VSは、表面障壁電位、NDは、キャリア濃度(ドナー濃度)である。
式1から、空乏層を厚くする場合には、表面障壁電位を大きくするか、キャリア濃度を低くすればよいことが理解される。なお、表面障壁電位は表面負電荷のバンド内分布や濃度で決まる。
例えば、キャリア濃度1×1016/cm3の場合、表面空乏層の厚さLの障壁電位依存性を図7に示す。
尚、キャリア濃度1×1016/cm3は、高耐圧素子として求められる耐圧1000Vが達成できる目安の値である。また、表面障壁電位は表面処理や保護膜の材料・成膜条件等により0.5eV〜1.5eVの範囲で設定することができる。
また、実施形態2の電界効果トランジスタによれば、実施形態1の電界効果トランジスタと同様、層の構成、各層のキャリア濃度、組成、膜厚を適宜調整することにより、ノーマリオン型又はノーマリオフ型の電界効果トランジスタを提供することができる。
実施例1では、図4に示すように、n型GaN層11とAlGaN層12の間に、0.9nmのアンドープi型AlN層16を形成し、n型GaN層11の第2面側には、n型GaN層11より高濃度にSiをドープした厚さが2μmでSiドープ量が5×1018/cm3に設定されたn型GaN層19を形成した4層構造の半導体積層体10aを用いて、電解効果トランジスタを作製した。また、実施例1では、n型GaN層11を、厚さが6μmでSiドープ量が1×1016/cm3に設定されたn型GaN層により構成し、AlGaN層12を、厚さが7nmのアンドープi型Al0.23Ga0.77N層により構成した。
このp型GaN層17は、効果的にしきい値を上げノーマリオフ化するために形成するものであり、成膜時のMg/Gaのモル比は、6×10−3に設定した。ソース電極22は、Ti(10nm)/Al(300nm)とし、ドレイン電極23もTi(10nm)/Al(300nm)とした。また、半導体積層体10aの第1面には、ゲート電極21及びソース電極22の接続用表面を除き保護膜31を形成し、第2面にはドレイン電極23の接続用表面を除き保護膜32を形成した。保護膜31、32として、SiO2を厚さが600nmに形成した。
溝15は、溝15の底面からi型AlN層16までの距離Wが100nmとなるような深さに2μm幅で形成した。尚、溝15の内部にも保護膜32が形成されている。また、溝15は、図7(a)に示すように、半導体積層体10aを完全に横断するように形成した。
実施例2では、実施例1において、溝15をエッチングにより形成する際、溝15の深さを規定するエッチングストッパー層として1nmの厚さのアンドープi型Al0.1Ga0.9N層18をさらに形成した以外は実施例1と同様に作製した。
すなわち、実施例2では、図5に示すように、n型GaN層11bを介してアンドープi型Al0.1Ga0.9N層18を形成し、さらに100nmの厚さのn型GaN層11aを形成した。
以上のように作製した実施例2の電解効果トランジスタは、実施例1と同様、簡単な構造で漏洩電流の発生を抑制することができ、さらにエッチングストッパー層を形成したことにより、溝の深さの制御性に優れ、歩留りの点で優れていた。
10 半導体積層体
11 n型GaN層
12 AlGaN層
13 空乏層
14 表面空乏層
15 溝
16 アンドープi型AlN層
17 p型GaN層
18 エッチングストッパー層
19 高濃度Siドープn型GaN層
21 ゲート電極
22 ソース電極
23 ドレイン電極
Claims (7)
- 第1のIII族窒化物半導体層と、該第1のIII族窒化物半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きい第2のIII族窒化物半導体層と、を含む半導体積層体と、
該半導体積層体の一方の面である第1面側に設けられたソース電極及びゲート電極と、
前記半導体積層体の他方の面である第2面側に設けられたドレイン電極と、
を備え、
前記第1のIII族窒化物半導体層の前記第2のIII族窒化物半導体層側に2次元電子ガス層が形成される電界効果トランジスタであって、
前記半導体積層体は、前記ドレイン電極と前記ソース電極とを結ぶ経路の少なくとも一部を遮断するように、前記第2面から前記2次元電子ガス層に向かって形成された溝を有し、前記溝は平面視において前記ソース電極側及び前記ドレイン電極側にはみ出すことなく前記ゲート電極の直下に設けられ、前記ゲート電極は、平面視において、前記ドレイン電極の少なくとも一部と重なっていることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記2次元電子ガス層が形成される領域の一端側及び他端側にそれぞれ配置されており、
前記溝は、平面視において前記2次元電子ガス層が形成される領域を横断する溝である請求項1記載の電界効果トランジスタ。 - 前記ソース電極は、前記ドレイン電極を囲むように配置されており、
前記溝は、平面視において前記ドレイン電極を囲む溝であり、前記ゲート電極は、前記ドレイン電極及び前記溝の直上に配置されている請求項1記載の電界効果トランジスタ。 - 前記溝の表面に沿って表面空乏層が形成されている請求項1〜3のうちのいずれか1つに記載の電界効果トランジスタ。
- 前記溝に、前記溝と界面において負に帯電した界面準位を持つ保護膜が設けられた請求項1〜4のうちのいずれか1つに記載の電解効果トランジスタ。
- 前記半導体積層体は、前記第1のIII族窒化物半導体層と前記ドレイン電極の間に前記第1のIII族窒化物半導体層よりn型不純物が多くドープされたn型III族窒化物半導体からなる第3のIII族窒化物半導体層を前記ドレイン電極に接して有する請求項1〜5のうちのいずれか1つに記載の電界効果トランジスタ。
- 前記第1のIII族窒化物半導体層はn型GaN層であり、前記第2のIII族窒化物半導体層はAlGaN層である請求項1〜6のうちのいずれか1つに記載の電界効果トランジスタ。
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