JP5545653B2 - 窒化物系半導体装置 - Google Patents
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Description
12 ドレイン電極
14 基板
16 ドリフト層
18 ウェル層
19 2DEG層
20 AlGaN層
22 ショットキー電極
23 トレンチ部
24 ゲート絶縁膜
28 ゲート電極
30 ソース電極
Claims (5)
- 第1導電型の基板と、
前記基板の裏面に形成されたドレイン電極と、
前記基板の主面に形成され、かつ一部がメサ形状の凸部を有し、前記基板よりも不純物濃度が低い第1導電型の窒化ガリウム系半導体より成るドリフト層と、
前記ドリフト層上の前記凸部の側面に接触して該凸部を囲むように形成された、第2導電型の窒化ガリウム系半導体より成るウェル層と、
前記ドリフト層と前記ウェル層との上に形成された、AlxGa1−xN(0≦x<1)より成る電子供給層と、
前記電子供給層の表面から前記ウェル層に至る領域に形成されたトレンチの内部を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記ドリフト層の凸部及び前記ウェル層と前記電子供給層との界面の領域に形成され、かつ前記トレンチにより当該領域が切断された2次元電子ガス層と、
前記電子供給層の上に形成されたキャリア輸送用電極と、
前記キャリア輸送用電極の上に形成されたソース電極と、
を備え、
前記キャリア輸送用電極は、前記ソース電極に接続されて前記ソース電極にキャリアを輸送する、
窒化物系半導体装置。 - 前記キャリア輸送用電極は、前記電子供給層とショットキー接合されている、請求項1に記載の窒化物系半導体装置。
- 前記キャリア輸送用電極は、前記ドリフト層にショットキー接触する金属から成る、請求項1に記載の窒化物系半導体装置。
- 前記キャリア輸送用電極は、第2導電型のAlxGa1−xN(0≦x<1)である、請求項1に記載の窒化物系半導体装置。
- 少なくとも前記トレンチの底部の角部分から外周部分に沿って前記ソース電極に至るまでの領域に形成された、高濃度の第1導電型領域を備えた、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の窒化物系半導体装置。
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