JP6145474B2 - 静電容量式タッチセンシティブデバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1を参照すると、パターン化されたITO層のエッチングされた線の明るさの重みを減らすための方法は主に、以下のものを含む:
ポリエチレンテレフタレート(PET)層11上にIM膜層12を形成する;
IM層12上にITO膜13を形成する;
最後に、パターン化ITO層14を形成するために、ITO層13をパターニングする。
複数の非透明ナノ導体を有している透明ペースト層を透明基板ユニット上に少なくとも1層塗布すること、
互いに離間している複数の被エッチングゾーンを明確にすること、
少なくとも1層の透明絶縁層を形成するために透明ペースト層を硬化させること、
被エッチングゾーン内の非透明なナノ導体を除去するために被エッチングゾーンを物理的または化学的にエッチングすること、
を含んでいてもよく、
前記透明絶縁層中に残存した前記非透明ナノ導体は、少なくとも1層のパターン化された透明導電フィルムを形成するために、複数のセンサラインの中に確定される。
下側及び上側透明基板21、22のそれぞれは、可視ゾーン211、221と、可視ゾーン211、221に隣接するトレースゾーン212、222と、を有する。
図13を再び参照すると、ステップ(e)は、レーザ装置94を用いて、第1の被エッチングゾーン311にレーザーアブレーションを行うことで、第1の被エッチングゾーン311で部分的に下層側透明ペースト層310から露出している非透明ナノ導体323、423は、ガス化され、第1の被エッチングゾーン311にはナノチャネル324、424が形成され、ナノチャネル324、424を通ってガス化した非透明ナノ導体323、423が、下層側の透明ペースト層310から除去される。
再び図15を参照すると、ステップ(h)は、第2のラインパターン97に対応する位置に下層側の透明ペースト層310の残りの部分を硬化させることを含み、これにより、下層側透明絶縁層31と、センシングセグメント421と、第2のセンサライン42の外部端子部422と、を形成する。
この出願は、2014年3月31日に出願された中国特許出願No.201410126878.Xの優先権を主張する。
Claims (10)
- 透明基板ユニットと、
前記透明基板ユニット上に形成された少なくとも1層のパターン化された透明導電性フィルムと、透明絶縁層と複数の前記透明絶縁層に実質的に配置された互いに電気的に絶縁されたセンサラインと、を有し、
前記センサラインのそれぞれは、複数の非透明ナノ導体から実質的に形成され、
前記透明絶縁層は、屈折率接合層が省略されるように、前記センサラインと実質的に同一の屈折率を有し、
前記センサラインのそれぞれは、相互に間隔を置いて配置された複数のセンシングセグメントと、外部端子部と、を有し、
前記外部端子部は、ブラックマトリックスが省略されるように、複数の前記非透明ナノ導体から実質的に形成され、
前記センサラインのそれぞれの前記非透明ナノ導体は、前記センサラインの線方向に沿って複数の列に実質的に配置され、前記複数の列において前記非透明ナノ導体が互いに接触し、
前記パターン化された透明導電性フィルムの少なくとも1層は、下層側のパターン化された透明導電性フィルムを含み、
前記透明基板ユニットは、可視ゾーンと前記可視ゾーンに隣接するトレースゾーンとを有する下層側の透明基板を含み、
前記下層側のパターン化された透明導電性フィルムは、前記下層側の透明基板の上に形成された下層側の透明絶縁層と、複数の第1のセンサラインと複数の第2のセンサラインと、を有し、前記第1および第2のセンサラインは、前記下層側の透明絶縁層の中で実質的に同一平面上に配置され、かつ互いに電気的に絶縁されており、
前記第1および第2のセンサラインは、互いに第1の方向に沿って離間され、
前記第1の方向に対して実質的に垂直な第2の方向に沿って延び、
前記第1および第2のセンサラインのそれぞれは、前記第2の方向に沿って互いに離間している複数のセンシングセグメントと、
前記センシングセグメントを相互接続するために前記第2の方向に沿って延びる連結セグメントと、
前記連結セグメントに接続された外部端子部と、
下層側の透明基板の前記可視ゾーンに配置されている前記第1および第2のセンサラインの前記センシングセグメントと前記連結セグメントと、
下層側の透明基板の前記トレースゾーンに配置されている前記第1および第2のセンサラインの前記外部端子部とを、有しており、
前記第1のセンサラインのそれぞれの前記センシングセグメントと前記第2のセンサラインの隣接する1個の前記センシングセグメントとは、形状が相互に補完するものである、
静電容量式タッチセンシティブデバイス。 - 前記非透明ナノ導体は球体、ワイヤまたはディスクとして形成されている、
請求項1に記載の静電容量式タッチセンシティブデバイス。 - 前記非透明ナノ導体は銀ナノワイヤであり、前記透明絶縁層は高分子材料で形成されている、
請求項2に記載の静電容量式タッチセンシティブデバイス。 - 複数の非透明ナノ導体を有している透明ペースト層を透明基板ユニット上に少なくとも1層塗布すること、
互いに離間している複数の被エッチングゾーンを明確にすること、
少なくとも1層の透明絶縁層を形成するために透明ペースト層を硬化させること、
被エッチングゾーン内の非透明なナノ導体を除去するために被エッチングゾーンを物理的または化学的にエッチングすること、を含み、
前記透明絶縁層中に残存した前記非透明ナノ導体は、少なくとも1層のパターン化された透明導電フィルムを形成するために、複数の第1のセンサラインと複数の第2のセンサラインの中に確定され、
前記第1および第2のセンサラインは、互いに第1の方向に沿って離間され、
前記第1の方向に対して実質的に垂直な第2の方向に沿って延び、
前記第1および第2のセンサラインのそれぞれは、前記第2の方向に沿って互いに離間している複数のセンシングセグメントと、
前記センシングセグメントを相互接続するために前記第2の方向に沿って延びる連結セグメントと、を有するようにし、
前記第1のセンサラインのそれぞれの前記センシングセグメントと前記第2のセンサラインの隣接する1個の前記センシングセグメントとは、形状が相互に補完され、
前記透明絶縁層は、屈折率接合層が省略されるように、前記センサラインと実質的に同一の屈折率を有し、
前記センサラインのそれぞれは、相互に間隔を置いて配置された複数のセンシングセグメントと、外部端子部と、を有し、
前記外部端子部は、ブラックマトリックスが省略されるように、複数の前記非透明ナノ導体から実質的に形成される、
静電容量式タッチセンシティブデバイスを製造する方法。 - 透明ペースト層において複数の行に非透明ナノ導体を配置するために電界または磁界を与えること、をさらに含み、
前記複数の行において、非透明ナノ導体が互いに接触し、前記センサラインの線方向に沿って配置されている、
請求項4に記載の方法。 - 前記非透明ナノ導体は球体、ワイヤまたはディスクとして形成されている、
請求項5に記載の方法。 - 前記非透明ナノ導体は、銀ナノワイヤーとして形成されており、
前記電界を与えた後に、前記非透明ナノ導体を部分的に透明ペースト層から露出させるように、前記透明ペースト層は十分な所定の厚さを有する、
請求項6に記載の方法。 - 前記物理的なエッチングはレーザーアブレーションであり、前記化学的なエッチングは選択的ウェットエッチングである、
請求項7に記載の方法。 - 前記エッチングするステップは、前記被エッチングゾーン内で前記非透明ナノ導体をガス化するために、および前記被エッチングゾーン内のナノスケールの複数のチャネルを形成するためにレーザーアブレーションにより行われる、
請求項8に記載の方法。 - 前記レーザーアブレーションは、5W〜8Wの範囲のレーザパワーで行われる、
請求項9に記載の方法。
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