JP5207992B2 - 導電性ナノファイバーシート及びその製造方法 - Google Patents
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Description
3 導電性ナノファイバー
4 絶縁材料
5 絶縁パターン層
6 導電パターン層
7 微小ピンホール
8 タッチパネル
9 狭小溝
10 基体シート
11 エッチングレジスト層
20 フォトマスク
25 位置検知マーク
33 樹脂バインダー
50 レーザー照射機の先端
51 レーザー照射光
52 保護板
53 液晶表示装置
Claims (12)
- 基体シートと、
前記基体シート上に形成され、導電性ナノファイバーを含み、その導電性ナノファイバーを介して導通可能である導電パターン層とを備え、
前記導電パターン層は、目視により認識することができない幅の狭小溝により、複数の領域に分割され、その狭小溝により隣り合う前記導電パターン層同士が絶縁されるように
設定され、
前記狭小溝には、深さの一部又は全部にわたって絶縁材料が埋められた、導電性ナノファイバーシート。 - 基体シートと、
前記基体シート上に形成され、導電性ナノファイバーを含み、その導電性ナノファイバーを介して導通可能である導電パターン層と、
前記基体シート上の前記導電パターン層が形成されていない部分に形成され、前記導電性ナノファイバーを含み、前記導電パターン層から絶縁された絶縁パターン層とを備え、
前記絶縁パターン層は、目視により認識することができない幅の狭小溝を有し、その狭小溝により、前記導電パターン層から絶縁されると共に複数の島状に形成され、
前記狭小溝には、深さの一部又は全部にわたって絶縁材料が埋められた、導電性ナノファイバーシート。 - 前記絶縁材料が埋められた後の前記狭小溝の深さが0〜1μmである、請求項1又は請求項2記載の導電性ナノファイバーシート。
- 前記導電パターン層の厚みが1〜5μmである、請求項1から請求項3のいずれかに記載の導電性ナノファイバーシート。
- 前記絶縁パターン層の厚みが1〜5μmである、請求項2又は請求項3記載の導電性ナノファイバーシート。
- 前記導電パターン層は、光硬化性材料により形成されている、請求項1から請求項3のいずれかに記載の導電性ナノファイバーシート。
- 前記絶縁パターン層は、光硬化性材料により形成されている、請求項2又は請求項3記載の導電性ナノファイバーシート。
- 基体シート上に、導通可能となるように導電性ナノファイバーを含む、光硬化性材料により構成される導電パターン層を全面に形成する形成工程と、
前記形成された導電パターン層の一部を感光により硬化させる工程と、
前記一部が硬化された導電パターン層の硬化されていない部分を現像除去することにより、前記導電パターン層から絶縁された絶縁パターン層を形成すると共に前記絶縁パターン層を島状にする、目視により認識することができない幅の狭小溝を形成する工程と、
前記形成された狭小溝に絶縁材料を塗布する工程とを備えた、導電性ナノファイバーシートの製造方法。 - 基体シート上に、導通可能となるように導電性ナノファイバーを含む導電パターン層を全面に形成する形成工程と、
前記形成された導電パターン層の一部にエネルギー線を照射して前記導電パターン層の一部を除去することにより、前記導電パターン層から絶縁された絶縁パターン層を形成すると共に前記絶縁パターン層を島状にする、目視により認識することができない幅の狭小溝を形成する工程と、
前記形成された狭小溝に絶縁材料を塗布する工程とを備えた、導電性ナノファイバーシートの製造方法。 - 基体シート上に、導通可能となるように導電性ナノファイバーを含む導電パターン層を全面に形成する工程と、
前記形成された導電パターン層上の一部にエッチングレジスト層を形成する工程と、
前記エッチングレジスト層が形成された前記導電パターン層の全面をエッチングして、前記エッチングレジスト層が形成されていない部分の導電パターン層を除去することにより、前記導電パターン層から絶縁された絶縁パターン層を形成すると共に前記絶縁パターン層を島状にする、目視により認識することができない幅の狭小溝を形成する工程と、
前記形成された狭小溝に絶縁材料を塗布する工程とを備えた、導電性ナノファイバーシートの製造方法。 - 前記狭小溝に前記絶縁材料を塗布する方法が、ダイコート、インクジェット及びディッピングのいずれかである、請求項8から請求項10のいずれかに記載の導電性ナノファイバーシートの製造方法。
- 請求項1から請求項7のいずれかに記載の導電性ナノファイバーシートを電極として用いた、タッチパネル。
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