KR101699602B1 - 정전 용량식 터치 패널 및 그 제조 방법, 입력 디바이스 - Google Patents

정전 용량식 터치 패널 및 그 제조 방법, 입력 디바이스 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 염수 시험 전후에 있어서도 동작 불량의 발생이 억제되어, 수율이 우수한 정전 용량식 터치 패널을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 정전 용량식 터치 패널은, 절연층과, 절연층의 적어도 일방의 주면 상에 배치된 복수의 전극부와, 절연층의 복수의 전극부가 배치된 주면 상에 배치됨과 함께 각각 일단이 대응하는 전극부에 접속된 복수의 인출 배선부와, 인출 배선부의 각각의 타단이 노출되도록, 전극부 및 인출 배선부 상에 배치된 투명 수지층과, 투명 수지층 상에 배치된 기판을 구비하고, 적어도, 절연층과 기판의 사이로부터 노출되어 있는 투명 수지층의 주연부의 표면 상, 및, 인출 배선부의 노출면 상에 봉지층이 배치되고, 봉지층의 수증기 투과도가 20 g/㎡/24 h/atm (25 ℃ 90 %RH, 25 ㎛) 이하이며, 봉지층의 층두께가 1.0 ㎛ 이상이다.

Description

정전 용량식 터치 패널 및 그 제조 방법, 입력 디바이스{CAPACITIVE TOUCH PANEL, METHOD FOR MANUFACTURE OF SAME, AND INPUT DEVICE}
본 발명은, 정전 용량식 터치 패널에 관한 것이며, 특히, 소정의 특성을 갖는 봉지층을 갖는 정전 용량식 터치 패널에 관한 것이다.
또, 본 발명은 정전 용량식 터치 패널의 제조 방법, 및, 입력 디바이스에도 관한 것이다.
터치 패널의 방식으로서는, 저항막 방식, 광 센서 방식 등이 알려져 있지만, 특히, 최근, 용량 변화를 검출하는 정전 용량식의 터치 패널이 보급되고 있다.
한편, 터치 패널은 외부 환경의 영향에 의해 동작 불량을 일으키기 쉽다는 문제가 있고, 예를 들어, 저항막 방식의 경우, 이하와 같은 대책이 취해지고 있다.
특허문헌 1 (특히, 도 6 참조) 에 있어서는, 저항막식 터치 패널의 측단부의 면에 에폭시 수지를 도포하여 측단 강화층 (28) 을 형성하고, 외부로부터의 수분, 약품의 침입을 방지하여, 투명 접착층의 연화를 방지하는 것이 개시되어 있다.
또, 특허문헌 2 (특히, 도 9) 에 있어서는, 터치 패널 중의 상부 전극판 (1) 이나 하부 전극판 (3) 의 단부 주위를 덮도록 시일재를 도포하여 시일층 (21) 을 형성하고, 수분의 침입을 방지하여 점착층 (5) 의 열화를 방지하는 것이 개시되어 있다.
일본 공개특허공보 2004-30317호 일본 공개특허공보 2003-157149호
최근의 터치 패널의 사용 환경의 확대에 수반하여, 정전 용량식 터치 패널에서도 수분의 영향에 의한 동작 불량의 발생을 억제하는 것이 요구됨과 함께, 또한 염수의 영향에 의한 동작 불량의 발생을 억제하는 것도 요구되고 있다.
그러나, 상기 특허문헌 1 및 2 에 기재된 방법에서는, 정전 용량식 터치 패널에 있어서, 염수의 영향을 충분히 억제할 수 없었다.
또, 정전 용량식 터치 패널의 수율에 관해서도, 보다 높은 레벨이 요구되고 있어, 종래의 기술로는 반드시 만족할 수 있는 것은 아니었다.
본 발명은, 상기 실정을 감안하여, 염수 시험 전후에 있어서도 동작 불량의 발생이 억제되어, 수율이 우수한 정전 용량식 터치 패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제에 대해 예의 검토한 결과, 염수 시험 후의 동작 불량이 정전 용량식 터치 패널의 인출 배선부간의 절연 저항의 변동에 의해 야기되는 것을 알아냈다. 특히, 염수 시험에서 사용되는 염수 중의 이온성 물질 (Na+ 나 Cl-) 의 영향이 큰 것을 알아냈다. 그 지견에 기초하여 검토를 진행시켜, 이하의 구성에 의해 상기 목적을 달성할 수 있는 것을 알아냈다.
(1) 절연층과, 절연층의 적어도 일방의 주면 상에 배치된 복수의 전극부와, 절연층의 복수의 전극부가 배치된 주면 상에 배치됨과 함께 각각 일단이 대응하는 전극부에 접속된 복수의 인출 배선부와, 인출 배선부의 각각의 타단이 노출되도록, 전극부 및 인출 배선부 상에 배치된 투명 수지층과, 투명 수지층 상에 배치된 기판을 구비하고,
적어도, 절연층과 기판의 사이로부터 노출되어 있는 투명 수지층의 주연부 (周緣部) 의 표면 상, 및, 인출 배선부의 노출면 상의 각각에 봉지층이 배치되고,
봉지층의 수증기 투과도가 20 g/㎡/24 h/atm (25 ℃ 90 %RH, 25 ㎛) 이하이며, 봉지층의 층두께가 1.0 ㎛ 이상인, 정전 용량식 터치 패널.
(2) 절연층과, 절연층의 표면 상에 배치된 복수의 제 1 전극부와, 절연층의 표면 상에 배치됨과 함께 각각 일단이 대응하는 제 1 전극부에 접속된 복수의 제 1 인출 배선부와, 제 1 인출 배선부의 각각의 타단이 노출되도록, 제 1 전극부 및 제 1 인출 배선부 상에 배치된 제 1 투명 수지층과, 제 1 투명 수지층 상에 배치된 제 1 보호 기판과,
절연층의 이면 상에 배치된 복수의 제 2 전극부와, 절연층의 이면 상에 배치됨과 함께 각각 일단이 대응하는 제 2 전극부에 접속된 복수의 제 2 배선부와, 제 2 인출 배선부의 각각의 타단이 노출되도록, 제 2 전극부 및 제 2 인출 배선부 상에 배치된 제 2 투명 수지층과, 제 2 투명 수지층 상에 배치된 제 2 보호 기판을 가지며,
적어도, 절연층과 제 1 보호 기판의 사이로부터 노출되어 있는 제 1 투명 수지층의 주연부의 표면 상 및 절연층과 제 2 보호 기판의 사이로부터 노출되어 있는 제 2 투명 수지층의 주연부의 표면 상과, 제 1 인출 배선 및 제 2 인출 배선의 노출면 상에 봉지층이 배치되고,
봉지층의 수증기 투과도가 20 g/㎡/24 h/atm (25 ℃ 90 %RH, 25 ㎛) 이하이며, 봉지층의 층두께가 1.0 ㎛ 이상인, (1) 에 기재된 정전 용량식 터치 패널.
(3) 봉지층이, 불소계 수지를 포함하는, (1) 또는 (2) 에 기재된 정전 용량식 터치 패널.
(4) 봉지층이, 불소 원자를 1 질량% 이상 포함하는, (1) ∼ (3) 중 어느 하나에 기재된 정전 용량식 터치 패널.
(5) 봉지층이, 봉지층 형성용 조성물에 의해 형성된 층이며,
봉지층 형성용 조성물의 표면 장력이 20 mN/m 이하이며,
봉지층 형성용 조성물의 점도가 100 cps 이하인, (1) ∼ (4) 중 어느 하나에 기재된 정전 용량식 터치 패널.
(6) (1) ∼ (5) 중 어느 하나에 기재된 정전 용량식 터치 패널을 구비하는 입력 디바이스.
(7) (2) ∼ (5) 중 어느 하나에 기재된 정전 용량식 터치 패널의 제조 방법으로서,
절연층과, 절연층의 표면 상에 배치된 복수의 제 1 전극부와, 절연층의 표면 상에 배치됨과 함께 각각 일단이 대응하는 제 1 전극부에 접속된 복수의 제 1 인출 배선부와, 제 1 인출 배선부의 각각의 타단이 노출되도록 제 1 전극부 및 제 1 인출 배선부 상에 배치된 제 1 투명 수지층과, 제 1 투명 수지층 상에 배치된 제 1 보호 기판과, 제 1 보호 기판의 주면 상에 박리 가능하게 배치된 제 1 보호 필름과, 절연층의 이면 상에 배치된 복수의 제 2 전극부와, 절연층의 이면 상에 배치됨과 함께 각각 일단이 대응하는 제 2 전극부에 접속된 복수의 제 2 배선부와, 제 2 인출 배선부의 각각의 타단이 노출되도록, 제 2 전극부 및 제 2 인출 배선부 상에 배치된 제 2 투명 수지층과, 제 2 투명 수지층 상에 배치된 제 2 보호 기판과, 제 2 보호 기판의 주면 상에 박리 가능하게 배치된 제 2 보호 필름을 갖는 적층체를, 봉지제를 포함하는 봉지층 형성용 조성물에 접촉시키는 공정을 구비하는, 정전 용량식 터치 패널의 제조 방법.
(8) 접촉이, 스프레이 처리, 침지 처리, 또는 디스펜스에 의해 실시되는, (7) 에 기재된 정전 용량식 터치 패널의 제조 방법.
(9) 절연층과, 절연층의 적어도 일방의 주면 상에 배치된 복수의 전극부와, 절연층의 복수의 전극부가 배치된 주면 상에 배치됨과 함께 각각 일단이 대응하는 전극부에 접속된 복수의 인출 배선부와, 인출 배선부의 각각의 타단이 노출되도록, 전극부 및 인출 배선부 상에 배치된 투명 수지층과, 투명 수지층 상에 배치된 기판을 구비하고,
JIS Z 2371 의 염수 분무 시험 24 시간 후에 측정한 이웃하는 인출 배선부간의 직류 저항이 300 kΩ 이상인, 정전 용량식 터치 패널.
(10) 적어도, 절연층과 보호 기판의 사이로부터 노출되어 있는 투명 수지층의 주연부의 표면 상, 및, 인출 배선부의 노출면 상에 봉지층이 배치되고, 봉지층의 수증기 투과도가 20 g/㎡/24 h/atm (25 ℃ 90 %RH, 25 ㎛) 이하이며, 봉지층의 층두께가 1.0 ㎛ 이상인, (9) 에 기재된 정전 용량식 터치 패널.
(11) 인출 배선부가 은을 포함하는, (9) 또는 (10) 에 기재된 정전 용량식 터치 패널.
(12) 전극부가, 금속 산화물로 이루어지는 투명 전극부인, (9) ∼ (11) 중 어느 하나에 기재된 정전 용량식 터치 패널.
(13) 전극부가, 평균 와이어 직경 50 nm 이하이고, 평균 와이어 길이 5 ㎛ 이상인 금속 나노 와이어로 이루어지는 투명 전극부인, (9) ∼ (11) 중 어느 하나에 기재된 정전 용량식 터치 패널.
본 발명에 의하면, 염수 시험 전후에 있어서도 동작 불량의 발생이 억제되어, 수율이 우수한 정전 용량식 터치 패널을 제공할 수 있다.
도 1(A) 는 본 발명의 정전 용량식 터치 패널의 제 1 실시형태의 평면도이며, (B) 는 단면도이다.
도 2 는, 제 1 전극부의 확대 평면도이다.
도 3 은, 본 발명의 정전 용량식 터치 패널의 제 2 실시형태의 단면도이다.
도 4 는, 본 발명의 정전 용량식 터치 패널의 제 3 실시형태의 단면도이다.
도 5(A) 는 본 발명의 정전 용량식 터치 패널의 제 4 실시형태의 단면도이며, (B) 는 일부 평면도이다.
도 6(A) 는 본 발명의 정전 용량식 터치 패널의 제 5 실시형태의 단면도이며, (B) 는 일부 평면도이다.
도 7(A) 는 본 발명의 정전 용량식 터치 패널의 제 6 실시형태의 단면도이며, (B) 는 일부 평면도이다.
도 8 은, 본 발명의 정전 용량식 터치 패널을 포함하는 입력 장치의 단면도이다.
도 9 는, 실시예 11 에서 사용되는 은나노 와이어의 투과형 전자 현미경 사진이다.
도 10(A) 및 (B) 는, 실시예 11 에서 사용되는 은나노 와이어의 와이어 직경 및 와이어 길이의 히스토그램이다.
이하에, 본 발명의 정전 용량식 터치 패널의 바람직한 양태에 대해 도면을 참조하여 설명한다.
<제 1 실시형태>
도 1(A) 및 (B) 에, 본 발명의 정전 용량식 터치 패널의 제 1 실시형태의 모식도를 나타낸다. 도 1(A) 는, 정전 용량식 터치 패널 (100) 의 평면도이며, (B) 는 단면도이다. 또한, 도 1(B) 는, 정전 용량식 터치 패널 (100) 의 층 구성에 대한 이해를 용이하게 하기 위해서 모식적으로 나타낸 것이며, 각 층의 배치를 정확하게 나타낸 도면은 아니다.
도 1(A) 및 (B) 에 나타내는 바와 같이, 정전 용량식 터치 패널 (100) 은, 절연층 (10) 과, 절연층 (10) 의 일방의 주면 상 (표면 상) 에 배치되는 제 1 전극부 (12) 와, 제 1 인출 배선부 (14) 와, 제 1 투명 수지층 (16) 과, 제 1 보호 기판 (18) 과, 절연층 (10) 의 타방의 주면 상 (이면 상) 에 배치되는 제 2 전극부 (20) 와, 제 2 인출 배선부 (22) 와, 제 2 투명 수지층 (24) 과, 제 2 보호 기판 (26) 과, 봉지층 (28) 과, 플렉시블 프린트 배선판 (30) 을 구비한다.
이하에서는, 먼저, 본 발명의 특징점의 하나이기도 한 봉지층 (28) 의 양태에 대해 상세히 서술하고, 그 후 각 부재의 설명을 실시한다.
봉지층 (28) 은, 정전 용량식 터치 패널 (100) 에 대한 염수의 침입을 방지하는 층이다. 봉지층 (28) 을 형성함으로써, 염수 시험 후에 있어서도 제 1 인출 배선부 (14) 간, 및, 제 2 인출 배선부 (22) 간에서의 절연 저항의 변동이 억제되고, 결과적으로 동작 불량이 억제된다. 특히, 후술하는 바와 같이 봉지층 (28) 이, 적어도, 절연층 (10) 과 제 1 보호 기판 (18) 의 사이로부터 노출되어 있는 제 1 투명 수지층 (16) 의 주연부의 표면 상 및 절연층 (10) 과 제 2 보호 기판 (26) 의 사이로부터 노출되어 있는 제 2 투명 수지층 (24) 의 주연부의 표면 상과, 제 1 인출 배선부 (14) 및 제 2 인출 배선부 (22) 의 타단의 노출면 상에 배치됨으로써, 비교적 수분을 흡수하기 쉬운 제 1 투명 수지층 (16) 및 제 2 투명 수지층 (24) 으로부터의 염수의 침입을 억제함과 함께, 제 1 인출 배선부 (14) 와 제 1 투명 수지층 (16) 의 경계부 및 제 2 인출 배선부 (22) 와 제 2 투명 수지층 (24) 의 경계부로부터의 염수의 침입을 억제할 수 있어, 결과적으로 원하는 효과가 얻어진다. 또한, 도 1 에 있어서, 상기 제 1 투명 수지층 (16) 의 주연부 및 상기 제 2 투명 수지층 (24) 의 주연부란, 절연층 (10) 의 일방의 주면 상에 제 1 전극부 (12) 와, 제 1 인출 배선부 (14) 와, 제 1 투명 수지층 (16) 과, 제 1 보호 기판 (18) 을 이 순서로 적층하고, 절연층 (10) 의 타방의 주면 상에 제 2 전극부 (20) 와, 제 2 인출 배선부 (22) 와, 제 2 투명 수지층 (24) 과, 제 2 보호 기판 (26) 을 이 순서로 적층하고, 또한 플렉시블 프린트 배선판 (30) 을 적층한 적층체에 있어서, 외부에 노출되어 있는 제 1 투명 수지층 (16) 의 측면부 및 제 2 투명 수지층 (24) 의 측면부를 의도한다.
도 1 에 있어서, 봉지층 (28) 은, 절연층 (10), 제 1 인출 배선부 (14) 및 플렉시블 프린트 배선판 (30) 상에 배치되는 봉지층 (28a) 과, 절연층 (10), 제 2 인출 배선부 (22) 및 플렉시블 프린트 배선판 (30) 상에 배치되는 봉지층 (28b) 과, 정전 용량식 터치 패널 (100) 의 단면을 덮도록 배치된 봉지층 (28c) 으로 구성된다.
봉지층 (28a 및 28b) 은, 도 1 중의 장척상의 정전 용량식 터치 패널 (100) 의 플렉시블 프린트 배선판 (30) 이 배치되는 측의 한 변 부근에 배치되는 봉지층이다.
봉지층 (28a) 은, 제 1 투명 수지층 (16) 에 의해 덮여있지 않은 제 1 인출 배선부 (14) 의 타단측 (플렉시블 프린트 배선판 (30) 이 있는 측) 의 제 1 투명 수지층 (16) 의 단면 (측면), 그리고, 제 1 투명 수지층 (16) 및 플렉시블 프린트 배선판 (30) 에 의해 덮여있지 않은 제 1 인출 배선부 (14) 의 노출면을 덮도록, 절연층 (10), 제 1 인출 배선부 (14), 및 플렉시블 프린트 배선판 (30) 상에 배치된 층이다.
봉지층 (28b) 은, 제 2 투명 수지층 (24) 에 의해 덮여있지 않은 제 2 인출 배선부 (22) 의 타단측 (플렉시블 프린트 배선판 (30) 이 있는 측) 의 제 2 투명 수지층 (24) 의 단면 (측면), 그리고, 제 2 투명 수지층 (24) 및 플렉시블 프린트 배선판 (30) 에 의해 덮여있지 않은 제 2 인출 배선부 (22) 의 노출면을 덮도록, 절연층 (10), 제 2 인출 배선부 (22), 및 플렉시블 프린트 배선판 (30) 상에 배치된 층이다.
또한, 도 1 중, 봉지층 (28a 및 28b) 은, 제 1 보호 기판 (18) 및 제 2 보호 기판 (26) 의 단면의 일부를 덮도록 배치되어 있지만, 그 형태로 한정되지 않는다. 예를 들어, 제 1 보호 기판 (18) 및 제 2 보호 기판 (26) 의 단면의 전체를 덮도록 배치되어 있어도 된다.
도 1 중의 장척상의 정전 용량식 터치 패널 (100) 의 플렉시블 프린트 배선판 (30) 이 배치되는 측의 한 변 이외의 3 변에 있어서는, 봉지층 (28c) 이 정전 용량식 터치 패널 (100) 의 단면 (주면) 을 덮도록 배치되어 있다. 또한, 후술하는 바와 같이, 도 1 에 있어서, 제 1 전극부 (12) 및 제 1 인출 배선부 (14) 는, 제 1 인출 배선부 (14) 의 타단측의 일부를 제외하고 제 1 투명 수지층 (16) 에 의해 덮여 있고, 제 2 전극부 (20) 및 제 2 인출 배선부 (22) 는, 제 2 인출 배선부 (22) 의 타단측의 일부를 제외하고 제 2 투명 수지층 (24) 에 의해 덮여 있다. 따라서, 도 1 에 있어서, 정전 용량식 터치 패널 (100) 의 단면이란, 제 1 투명 수지층 (16), 절연층 (10), 및, 제 2 투명 수지층 (24) 의 각각의 층의 단면으로 형성되는 단면을 의도한다. 또한, 상기 3 변에 있어서, 제 1 전극부 (12) 및 제 1 인출 배선부 (14) 의 단면, 또는, 제 2 전극부 (20) 및 제 2 인출 배선부 (22) 의 단면이 노출되어 있는 양태에 있어서는, 그들의 단면을 포함하여, 정전 용량식 터치 패널 (100) 의 단면을 형성한다.
봉지층 (28c) 은, 도 1 중의 장척상의 정전 용량식 터치 패널 (100) 의 플렉시블 프린트 배선판 (30) 이 배치되는 측의 한 변에 있어서는, 절연층 (10) 의 단면을 덮도록 배치되어 있다.
도 1 중, 봉지층 (28c) 은, 제 1 보호 기판 (18) 및 제 2 보호 기판 (26) 의 단면의 일부를 덮도록 배치되어 있지만, 그 형태로 한정되지 않는다. 예를 들어, 제 1 보호 기판 (18) 및 제 2 보호 기판 (26) 의 단면의 전체를 덮도록 배치되어 있어도 된다.
도 1 에 있어서는, 봉지층 (28a, 28b 및 28c) 이 배치되어 있지만 그 형태에는 한정되지 않는다. 예를 들어, 절연층 (10) 과 제 1 투명 수지층 (16) 의 사이로부터 제 1 전극부 (12) 가 노출되어 있고, 및/또는, 절연층 (10) 과 제 2 투명 수지층 (24) 의 사이로부터 제 2 전극부 (20) 의 일부가 노출되어 있는 경우에는, 추가로, 제 1 전극부 (12) 및 제 2 전극부 (20) 의 노출면 상에 봉지층 (28) 을 배치하는 것이 바람직하다.
또, 시인성이 보다 우수함과 함께, 동작 불량의 발생이 보다 억제되는 점에서, 제 1 보호 기판 (18) 및 제 2 보호 기판 (26) 의 각각의 외측의 주면 (18a 및 26a) 이외의 절연층 (10), 제 1 투명 수지층 (16), 제 1 보호 기판 (18), 제 2 투명 수지층 (24), 및 제 2 보호 기판 (26) 의 주연부 (정전 용량식 터치 패널 (100) 의 주연부) 에 봉지층이 배치되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 정전 용량식 터치 패널 (100) 의 전체면 (노출되는 면) 에 봉지층이 배치되어 있어도 된다.
봉지층 (28) 의 수증기 투과도는, 20 g/㎡/24 h/atm (25 ℃ 90 %RH, 25 ㎛) 이하이다. 그 중에서도, 염수 시험 후의 터치 패널의 동작 불량 발생이 보다 억제되는 점에서, 10 g/㎡/24 h/atm 이하가 바람직하고, 5 g/㎡/24 h/atm 이하가 보다 바람직하다. 또한, 하한은 특별히 제한되지 않지만, 통상적으로, 사용되는 재료의 성질에서, 0.1 g/㎡/24 h/atm 이상인 경우가 많다.
한편, 봉지층 (28) 의 수증기 투과도가 20 g/㎡/24 h/atm (25 ℃ 90 %RH, 25 ㎛) 초과의 경우, 터치 패널의 염수에 대한 내성이 저하되고, 염수 시험 후에 인출 배선부간의 절연 저항이 변동하여, 동작 불량이 발생하기 쉬워진다.
또한, 수증기 투과도의 측정 방법으로서는, JIS K 7129 에 준한, 감습 센서법으로 실시한다. 또, 「25 ℃ 90 %RH, 25 ㎛」 란, 수증기 투과도의 측정 조건을 나타내고, 봉지층의 층두께가 25 ㎛ 이고, 25 ℃ 에서 90 %RH 의 환경하에서의 측정 결과인 것을 의도한다. 또, 투과도의 단위 「g/㎡/24 h/atm」 은, 「g/㎡·24 hr·atm」 과 동의이다.
봉지층 (28) 의 두께는, 1.0 ㎛ 이상이다. 그 중에서도, 염수 시험 후의 터치 패널의 동작 불량 발생이 보다 억제되는 점에서, 2.0 ㎛ 이상이 바람직하고, 4.0 ㎛ 이상이 보다 바람직하고, 10.0 ㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 상한은 특별히 제한되지 않지만, 효과가 포화되어, 경제성이 저해되는 점에서, 50 ㎛ 이하가 바람직하다.
한편, 봉지층 (28) 의 두께가 1.0 ㎛ 미만의 경우, 터치 패널의 염수에 대한 내성이 저하되고, 염수 시험 후에 인출 배선부간의 절연 저항이 변동하여, 동작 불량이 발생하기 쉬워진다.
또한, 봉지층 (28) 의 두께는, 봉지층 (28) 의 임의의 20 지점 이상의 장소의 두께를 측정하여, 그것들을 산술 평균한 평균치이다.
봉지층 (28) 은 체적 저항율이 10 의 11 승 Ωcm 이상인 것이 바람직하고, 10 의 12 승 Ωcm 이상인 것이 보다 바람직하고, 10 의 13 승 Ωcm 이상인 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위이면, 동작 불량의 발생이 보다 억제된다. 또한, 상한은 특별히 제한되지 않지만, 사용되는 유기 화합물의 특성에서, 통상적으로, 10 의 18 승 Ωcm 이하의 경우가 많다.
봉지층 (28) 을 구성하는 재료는, 봉지층 (28) 이 상기 서술한 소정의 수증기 투과도를 나타내는 재료이면 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 실리콘계 수지, 불소계 수지를 들 수 있다.
그 중에서도, 염수 시험 후의 터치 패널의 동작 불량 발생이 보다 억제되는 점에서, 불소계 수지가 바람직하고, 특히, (A) 탄소수 1 ∼ 12 의 (퍼)플루오로알킬기 및/또는 (퍼)플루오로폴리에테르기를 가지며, 또한 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 모노머와, (B) 불소를 함유하지 않는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 모노머를 공중합하여 이루어지는 불소계 수지가 보다 바람직하다. 또한, 여기서 (퍼)플루오로알킬기란, 플루오로알킬기 또는 퍼플루오로알킬기의 의미이며, (퍼)플루오로폴리에테르기란, 플루오로폴리에테르기 또는 퍼플루오로폴리에테르기의 의미이다.
(A) 성분으로서는, (메트)아크릴레이트계 모노머 및 비닐계 모노머가 바람직하고, (메트)아크릴레이트계 모노머로서는, 트리플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 퍼플루오로데실에틸(메트)아크릴레이트, 퍼플루오로옥틸에틸(메트)아크릴레이트, 퍼플루오로헥실에틸(메트)아크릴레이트, 퍼플루오로부틸에틸(메트)아크릴레이트, 퍼플루오로폴리에테르(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 비닐계 모노머로서는, 트리플루오로메틸비닐, 퍼플루오로에틸비닐, 퍼플루오로에틸에테르비닐 등을 들 수 있다. 또한, 여기서 (메트)아크릴레이트란, 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트를 의미한다.
또, (A) 성분에 있어서의 관능기는, 퍼플루오로알킬기 또는 퍼플루오로폴리에테르기가 바람직하다. 이들의 기를 가짐으로써 이후에 상세히 서술하는 용제에 대한 용해성이 더욱 향상된다.
상기 (A) 성분은, 1 종을 단독으로, 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있고, 그 함유량은, (A) 성분과 (B) 성분을 공중합하여 이루어지는 불소계 수지를 기준으로, 50 ∼ 95 질량% 의 범위인 것이 바람직하다. (A) 성분이 50 질량% 미만이면, 용제에 대한 용해성이 낮아지고, 또 95 질량% 를 초과하면 봉지층 (28) 이 취약해져, 급격한 온도 변화 등에 의해 용이하게 봉지층 (28) 에 균열이 생겨, 방습성, 절연성, 또는, 내산성을 유지하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 이상의 관점에서 (A) 성분은, 60 ∼ 85 질량% 의 범위인 것이 더욱 바람직하다.
(B) 성분인 불소를 함유하지 않는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 모노머로서는, (메트)아크릴레이트계 모노머, 스티렌계 모노머, 올레핀계 모노머, 또는 비닐계 모노머가 바람직하다.
(메트)아크릴레이트계 모노머로서는, 메틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또, 스티렌계 모노머로서는 스티렌 등이, 올레핀계 모노머로서는, 에틸렌, 프로필렌 등이, 비닐계 모노머로서는, 염화비닐, 염화비닐리덴 등을 들 수 있다.
상기 (B) 성분은, 1 종을 단독으로, 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있고, 그 함유량은, (A) 성분과 (B) 성분을 공중합하여 이루어지는 불소계 수지를 기준으로, 5 ∼ 50 질량% 의 범위인 것이 바람직하다. (B) 성분이 5 질량% 미만이면, 봉지층 (28) 이 취약해지고, 또 50 질량% 를 초과하면 용제에 대한 용해성이 낮아지는 경우가 있다. 이상의 관점에서 (B) 성분은, 10 ∼ 40 질량% 의 범위인 것이 더욱 바람직하다.
상기 불소계 수지는, 상기 (A) 성분과 (B) 성분을 공중합하여 이루어지는 것이 바람직하다. 중합 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 방법을 이용할 수 있다. 또, 그 불소계 수지는, 그 중량 평균 분자량이 50,000 ∼ 800,000 의 범위인 것이 바람직하고, (A) 성분과 (B) 성분은 랜덤상으로 공중합하고 있어도 되고, 또 블록상으로 공중합하고 있어도 된다.
후술하는 바와 같이, 봉지층 (28) 을 형성할 때에는, 상기 불소계 수지를 포함하는 코팅제 (봉지층 형성용 조성물) 를 사용하는 것이 바람직하다.
그 불소계 수지는 코팅제 중에, 8 ∼ 60 질량% 의 범위로 함유되는 것이 바람직하다. 8 질량% 이상이면, 고막두께가 되기 때문에, 높은 방습성이 얻어지고, 한편, 60 질량% 이하이면, 적절한 점성이 있기 때문에, 도포성 및 건조성이 우수하다. 이상의 관점에서, 코팅제에 있어서의 불소계 수지의 함유량은, 10 ∼ 50 질량% 의 범위가 더욱 바람직하다.
코팅제는, 상기 불소계 수지 외에 불연성 불소계 용제를 함유하는 것이 바람직하다. 불연성 불소계 용제는, 구조 중에 불소를 함유함으로써 인화점을 발생하지 않는 물질을 말하며, 상온에서 액체인 것이 바람직하고, 또 코팅제를 도포한 후의 건조성의 관점에서, 비점은 55 ℃ 이상인 것이 바람직하다. 비점이 55 ℃ 이상이면 건조 속도가 너무 빠르지 않아, 평활한 균일 피막을 얻을 수 있다. 비점의 상한에 대해서는, 특별히 제한은 없지만, 높은 생산성으로 피막이 얻어진다는 관점에서 180 ℃ 이하인 것이 바람직하다.
불연성 불소계 용제로서는 상기 물성을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 하이드로플루오로에테르, 퍼플루오로폴리에테르, 퍼플루오로알칸, 하이드로플루오로폴리에테르, 하이드로플루오로카본 등을 들 수 있다. 이들의 불연성 불소계 용제는, 1 종 단독으로, 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
코팅제에 있어서, 불연성 불소계 용제는, 코팅제 중에, 20 ∼ 92 질량% 의 범위로 함유하는 것이 바람직하다. 20 질량% 이상이면, 비인화성을 확보할 수 있기 때문에 안전성이 우수하고, 한편, 92 질량% 이하이면, 상대적으로 수지 성분의 비율이 오르기 때문에 고막두께가 얻어진다. 이상의 관점에서, 코팅제에 있어서의 불연성 불소계 용제의 함유량은, 40 ∼ 90 질량% 의 범위가 더욱 바람직하다.
또, 상기 불연성 불소계 용제에 더하여, 코팅제 전체로서 인화성을 가지지 않는 범위 내이면, 그 밖의 용제를 첨가할 수 있다. 예를 들어, 트리플루오로프로판올, 메타자일렌헥사플로라이드 등의 인화성을 가지는 불소계 용제나 알코올, 파라핀계 용제, 에스테르계 용제 등의 유기 용제를 혼합할 수 있다.
봉지층 (28) 은, 봉지층 전체량에 대해 불소 원자를 1 질량% 이상 포함하는 것이 바람직하고, 3 질량% 이상 포함하는 것이 보다 바람직하고, 5 질량% 이상 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위이면, 동작 불량의 발생이 보다 억제된다. 또한, 상한은 특별히 제한되지 않지만, 사용되는 유기 화합물의 특성에서, 통상적으로, 76 질량% 이하인 경우가 많다.
절연층 (10) 은, 제 1 전극부 (12) 와 제 2 전극부 (20) 사이의 절연성을 담보하기 위한 층이다. 도 1 에 있어서, 절연층 (10) 은 단층이지만, 2 층 이상의 복층이어도 된다.
절연층 (10) 의 두께 (절연층이 2 층 이상의 복층의 경우에는, 그들의 합계 두께) 는 특별히 제한되지 않지만, 5 ∼ 350 ㎛ 인 것이 바람직하고, 30 ∼ 150 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위 내이면 원하는 가시광의 투과율이 얻어지고, 또한, 취급도 용이하다.
절연층 (10) 의 전광선 투과율은, 85 ∼ 100 % 인 것이 바람직하다.
절연층 (10) 으로서는, 투명 절연층인 것이 바람직하다. 그 구체예로서는, 예를 들어, 절연 수지층, 세라믹스층, 유리층 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 인성 (靭性) 이 우수한 이유에서, 절연 수지층인 것이 바람직하다.
절연 수지층을 구성하는 재료로서는, 보다 구체적으로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리아크릴계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리술폰, 폴리아미드, 폴리아릴레이트, 폴리올레핀, 셀룰로오스계 수지, 폴리염화비닐, 시클로올레핀계 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 투명성이 우수한 이유에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 시클로올레핀계 수지, 폴리카보네이트, 트리아세틸셀룰로오스 수지인 것이 바람직하다.
제 1 전극부 (12) 및 제 2 전극부 (20) 는, 정전 용량식 터치 패널 (100) 에 있어서 정전 용량의 변화를 감지하는 센싱 전극이며, 감지부 (센서부) 를 구성한다. 요컨대, 손가락끝을 터치 패널에 접촉시키면, 제 1 전극부 (12) 및 제 2 전극부 (20) 사이의 상호 정전 용량이 변화하고, 이 변화량에 기초하여 손가락끝의 위치를 IC 회로에 의해 연산한다.
제 1 전극부 (12) 는, 제 1 방향 (X 방향) 으로 연장되고, 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향 (Y 방향) 으로 배열된 전극이며, 소정의 패턴을 포함한다. 제 2 전극부 (20) 는, 제 2 방향 (Y 방향) 으로 연장되고, 제 1 방향 (X 방향) 으로 배열된 전극이며, 소정의 패턴을 포함한다. 도 1 에 있어서는, 제 1 전극부 (12) 는 5 개, 제 2 전극부 (20) 는 4 개 형성되어 있지만, 그 수는 특별히 제한되지 않고 복수 있으면 된다.
도 1 중, 제 1 전극부 (12) 및 제 2 전극부 (20) 는, 도전성 세선에 의해 구성된다. 도 2 에, 제 1 전극부 (12) 의 확대 평면도를 나타낸다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 제 1 전극부 (12) 는, 도전성 세선 (36) 에 의해 구성되고, 교차하는 도전성 세선 (36) 에 의한 복수의 격자 (38) 를 포함하고 있다. 또한, 제 2 전극부 (20) 도, 제 1 전극부 (12) 와 마찬가지로, 교차하는 도전성 세선 (36) 에 의한 복수의 격자 (38) 를 포함하고 있다.
또한, 도 1 에 있어서는, 제 1 전극부 (12) 및 제 2 전극부 (20) 는, 모두 장척상의 전극이지만, 그 형상은 그 양태로 한정되지 않고, 다이아 형상이 직렬로 연결된 이른바 다이아몬드 패턴이어도 된다.
도전성 세선 (36) 의 재료로서는, 예를 들어, 금 (Au), 은 (Ag), 구리 (Cu), 알루미늄 (Al) 등의 금속이나 합금, ITO, 산화주석, 산화아연, 산화카드뮴, 산화갈륨, 산화티탄 등의 금속 산화물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도전성 세선 (36) 의 도전성이 우수한 이유에서, 은인 것이 바람직하다.
도전성 세선 (36) 중에는, 도전성 세선 (36) 과 절연층 (10) 의 밀착성의 관점에서, 바인더가 포함되어 있는 것이 바람직하다.
바인더로서는, 도전성 세선 (36) 과 절연층 (10) 의 밀착성이 보다 우수한 이유에서, 수용성 고분자인 것이 바람직하다. 바인더의 종류로서는, 예를 들어, 젤라틴, 카라기난, 폴리비닐알코올 (PVA), 폴리비닐피롤리돈 (PVP), 전분 등의 다당류, 셀룰로오스 및 그 유도체, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리사카라이드, 폴리비닐아민, 키토산, 폴리리신, 폴리아크릴산, 폴리알긴산, 폴리히알루론산, 카르복시셀룰로오스, 아라비아검, 알긴산나트륨 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도전성 세선 (36) 과 절연층 (10) 의 밀착성이 보다 우수한 이유에서, 젤라틴이 바람직하다.
또한, 젤라틴으로서는 석회 처리 젤라틴 외에, 산처리 젤라틴을 사용해도 되고, 젤라틴의 가수 분해물, 젤라틴 효소 분해물, 그 외에 아미노기, 카르복실기를 수식한 젤라틴 (프탈화젤라틴, 아세틸화젤라틴) 을 사용할 수 있다.
도전성 세선 (36) 중에 있어서의 금속과 바인더의 체적비 (금속의 체적/바인더의 체적) 는, 1.0 이상이 바람직하고, 1.5 이상이 더욱 바람직하다. 금속과 바인더의 체적비를 1.0 이상으로 함으로써, 도전성 세선 (36) 의 도전성을 보다 높일 수 있다. 상한은 특별히 제한되지 않지만, 생산성의 관점에서, 4.0 이하가 바람직하고, 2.5 이하가 보다 바람직하다.
또한, 금속과 바인더의 체적비는, 도전성 세선 (36) 중에 포함되는 금속 및 바인더의 밀도로부터 계산할 수 있다. 예를 들어, 금속이 은인 경우, 은의 밀도를 10.5 g/㎤ 로 하고, 바인더가 젤라틴인 경우, 젤라틴의 밀도를 1.34 g/㎤ 로 하여 계산해서 구하는 것으로 한다.
도전성 세선 (36) 의 선폭은 특별히 제한되지 않지만, 저저항의 전극을 비교적 용이하게 형성할 수 있는 관점에서, 30 ㎛ 이하가 바람직하고, 15 ㎛ 이하가 보다 바람직하고, 10 ㎛ 이하가 더욱 바람직하고, 9 ㎛ 이하가 특히 바람직하고, 7 ㎛ 이하가 가장 바람직하고, 0.5 ㎛ 이상이 바람직하고, 1.0 ㎛ 이상이 보다 바람직하다.
도전성 세선 (36) 의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 도전성과 시인성의 관점에서, 0.00001 mm ∼ 0.2 mm 에서 선택 가능하지만, 30 ㎛ 이하가 바람직하고, 20 ㎛ 이하가 보다 바람직하고, 0.01 ∼ 9 ㎛ 가 더욱 바람직하고, 0.05 ∼ 5 ㎛ 가 가장 바람직하다.
격자 (38) 는, 도전성 세선 (36) 으로 둘러싸인 개구 영역을 포함하고 있다. 격자 (38) 의 한 변의 길이 W 는, 800 ㎛ 이하가 바람직하고, 600 ㎛ 이하가 보다 바람직하고, 400 ㎛ 이상인 것이 바람직하다.
제 1 전극부 (12) 및 제 2 전극부 (20) 에서는, 가시광 투과율의 점에서 개구율은 85 % 이상인 것이 바람직하고, 90 % 이상인 것이 보다 바람직하고, 95 % 이상인 것이 가장 바람직하다. 개구율이란, 소정 영역에 있어서 제 1 전극부 (12) 또는 제 2 전극부 (20) 중의 도전성 세선 (36) 을 제외한 투과성 부분이 전체에서 차지하는 비율에 상당한다.
격자 (38) 는, 대략 마름모꼴의 형상을 가지고 있다. 단, 그 외에, 다각형상 (예를 들어, 삼각형, 사각형, 육각형) 으로 해도 된다. 또, 한 변의 형상을 직선상 외에, 만곡 형상이어도 되고, 원호상으로 해도 된다. 원호상으로 하는 경우에는, 예를 들어, 대향하는 2 변에 대해서는, 외방으로 볼록한 원호상으로 하고, 다른 대향하는 2 변에 대해서는, 내방으로 볼록한 원호상으로 해도 된다. 또, 각 변의 형상을, 외방으로 볼록한 원호와 내방으로 볼록한 원호가 연속된 파선 형상으로 해도 된다. 물론, 각 변의 형상을, 싸인 곡선으로 해도 된다.
또한, 도 2 에 있어서는, 도전성 세선 (36) 은 메시 패턴으로서 형성되어 있지만, 이 양태에는 한정되지 않고, 스트라이프 패턴이어도 된다.
또한, 도 1 에 있어서는, 제 1 전극부 (12) 및 제 2 전극부 (20) 는 도전성 세선 (36) 으로 구성되어 있었지만, 이 양태에는 한정되지 않고, 예를 들어, ITO, ZnO 등의 금속 산화물 박막 (투명 금속 산화물 박막), 은나노 와이어나 구리 나노 와이어 등의 금속 나노 와이어로 네트워크를 구성한 투명 도전막으로 형성되어 있어도 된다. 또, 금속 산화물 입자, 은 페이스트나 구리 페이스트 등의 금속 페이스트로 제조되어도 된다. 그 중에서도 도전성과 투명성이 우수한 점에서, 은나노 와이어가 바람직하다.
또, 전극부의 패터닝은, 전극부의 재료에 따라 선택할 수 있고, 포토리소그래피법이나 레지스트 마스크 스크린 인쇄-에칭법, 잉크젯법, 인쇄법 등을 사용하여도 된다.
제 1 인출 배선부 (14) 는, 제 1 전극부 (12) 와 후술하는 플렉시블 프린트 배선판 (30) 을 접속하기 위한 배선이다. 제 1 인출 배선부 (14) 는, 제 1 전극부 (12) 의 주연부에 배치되고, 그 일단이 대응하는 제 1 전극부 (12) 에 접속되고, 타단이 플렉시블 프린트 배선판 (30) 중의 도시되지 않은 단자와 전기적으로 접속되어 있다. 요컨대, 제 1 인출 배선부 (14) 의 타단은, 후술하는 제 1 투명 수지층 (16) 의 외측에까지 연장되어 있고, 그 연장부 상에 상기 서술한 봉지층 (28) 이 배치되어 있다.
제 2 인출 배선부 (22) 는, 제 2 전극부 (20) 와 후술하는 플렉시블 프린트 배선판 (30) 을 접속하기 위한 배선이다. 제 2 인출 배선부 (22) 는, 제 2 전극부 (20) 의 주연부에 배치되고, 그 일단이 제 2 전극부 (20) 에 접속되고, 타단이 플렉시블 프린트 배선판 (30) 중의 도시되지 않은 단자와 전기적으로 접속되어 있다. 요컨대, 제 2 인출 배선부 (22) 의 타단은, 후술하는 제 2 투명 수지층 (24) 의 외측에까지 연장되어 있고, 그 연장부 상에 상기 서술한 봉지층 (28) 이 배치되어 있다.
또한, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 제 1 인출 배선부 (14) 및 제 2 인출 배선부 (22) 의 각각의 타단은 집합하여, 플렉시블 프린트 배선판 (30) 과 접속하는 타단부를 구성한다. 또, 도 1 에 있어서는, 제 1 인출 배선부 (14) 는 5 개, 제 2 인출 배선부 (22) 는 4 개 기재되어 있지만, 그 수는 특별히 제한되지 않고, 통상적으로, 전극부의 수에 따라 복수 배치된다.
제 1 인출 배선부 (14) 및 제 2 인출 배선부 (22) 를 구성하는 배선의 재료로서는, 예를 들어, 금 (Au), 은 (Ag), 구리 (Cu) 등의 금속이나, 산화주석, 산화아연, 산화카드뮴, 산화갈륨, 산화티탄 등의 금속 산화물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도전성이 우수한 이유에서, 은인 것이 바람직하다. 또, 은 페이스트나 구리 페이스트 등의 금속 페이스트나, 알루미늄 (Al) 이나 몰리브덴 (Mo) 등의 금속이나 합금 박막으로 구성되어 있어도 된다. 금속 페이스트의 경우에는, 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄법으로, 금속이나 합금 박막의 경우에는, 스퍼터막을 포토리소그래피법 등의 패터닝 방법이 바람직하게 이용된다.
상기 서술한 도전성 세선 (36), 그리고, 제 1 인출 배선부 (14) 및 제 2 인출 배선부 (22) 를 구성하는 배선의 재료로서는, 표면 저항값이 ITO 등의 금속 산화물보다 낮고, 또한, 투명한 도전성층을 형성하기 쉽다는 관점에서, 금속 나노 와이어를 사용해도 된다. 금속 나노 와이어로서는, 어스펙트비 (평균 와이어 길이/평균 와이어 직경) 가 30 이상이고, 평균 와이어 직경이 1 nm 이상 150 nm 이하이고, 평균 와이어 직경이 1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하의 금속 미립자가 바람직하다. 금속 나노 와이어의 평균 와이어 직경은, 100 nm 이하가 바람직하고, 30 nm 이하가 보다 바람직하고, 25 nm 이하가 더욱 바람직하다. 금속 나노 와이어의 평균 와이어 직경은, 1 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하가 바람직하고, 3 ㎛ 이상 35 ㎛ 이하가 보다 바람직하고, 5 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하가 더욱 바람직하다.
금속 나노 와이어를 구성하는 금속은, 특별히 제한은 없고, 1 종의 금속만으로 이루어지는 것이어도 되고, 2 종 이상의 금속을 조합하여 사용해도 되고, 합금을 사용하는 것도 가능하다. 구체적으로는, 구리, 은, 금, 백금, 팔라듐, 니켈, 주석, 코발트, 로듐, 이리듐, 철, 루테늄, 오스뮴, 망간, 몰리브덴, 텅스텐, 니오브, 탄탈, 티탄, 비스무트, 안티몬, 납, 또는 이들의 합금 등을 들 수 있다. 은을 질량비로 50 % 이상 함유하는 은나노 와이어가 바람직하다.
금속 나노 와이어는, 어떠한 방법으로 제작해도 된다. 금속 나노 와이어의 제조 방법은, 예를 들어, Adv. Mater. vol. 14, 2002, 833-837, 일본 공개특허공보 2010-084173호, 미국 공개특허공보 2011-0174190에 상세하게 기재되어 있다. 또한, 상기 금속 나노 와이어에 관계되는 문헌으로서는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2010-86714호, 일본 공개특허공보 2010-87105호, 일본 공개특허공보 2010-250109호, 일본 공개특허공보 2010-250110호, 일본 공개특허공보 2010-251611호, 일본 공개특허공보 2011-54419호, 일본 공개특허공보 2011-60686호, 일본 공개특허공보 2011-65765호, 일본 공개특허공보 2011-70792호, 일본 공개특허공보 2011-86482호, 일본 공개특허공보 2011-96813호를 들 수 있다. 본 발명에 있어서는, 적절히 이들의 문헌에 개시된 내용을 조합하여 사용할 수 있다.
제 1 투명 수지층 (16) 및 제 2 투명 수지층 (24) 은, 각각 제 1 전극부 (12) 상 및 제 2 전극부 (20) 상에 배치되고, 제 1 전극부 (12) 와 제 1 보호 기판 (18) 의 사이, 및, 제 2 전극부 (20) 와 제 2 보호 기판 (26) 사이의 밀착성을 담보하기 위한 층 (특히, 점착성 투명 수지층) 이다. 도 1 에 있어서, 제 1 투명 수지층 (16) 은, 제 1 인출 배선부 (14) 의 플렉시블 프린트 배선판 (30) 과 접속하는 타단이 노출되도록, 제 1 인출 배선부 (14) 및 제 1 전극부 (12) 를 덮고 있다. 또, 제 2 투명 수지층 (24) 은, 제 2 인출 배선부 (22) 의 플렉시블 프린트 배선판 (30) 과 접속하는 타단이 노출되도록, 제 2 인출 배선부 (22) 및 제 2 전극부 (20) 를 덮고 있다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 제 1 투명 수지층 (16) 및 제 2 투명 수지층 (24) 의 크기는, 제 1 인출 배선부 (14) 의 타단 및 제 2 인출 배선부 (22) 의 타단이 노출되도록, 통상적으로, 절연층 (10) 보다 작다.
제 1 투명 수지층 (16) 및 제 2 투명 수지층 (24) 의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 5 ∼ 350 ㎛ 인 것이 바람직하고, 30 ∼ 150 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위 내이면 원하는 가시광의 투과율이 얻어지고, 또한, 취급도 용이하다.
제 1 투명 수지층 (16) 및 제 2 투명 수지층 (24) 의 전광선 투과율은, 85 ∼ 100 % 인 것이 바람직하다.
제 1 투명 수지층 (16) 및 제 2 투명 수지층 (24) 을 구성하는 재료로서는, 공지된 점착제를 사용하는 것이 바람직하고, 예를 들어, 고무계 점착성 절연 재료, 아크릴계 점착성 절연 재료, 실리콘계 점착성 절연 재료 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 투명성이 우수한 관점에서, 아크릴계 점착성 절연 재료인 것이 바람직하다.
상기 점착성 절연 재료의 바람직한 양태인 아크릴계 점착성 절연 재료는, 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 반복 단위를 갖는 아크릴계 폴리머를 주성분으로 한 것이다. 또한, (메트)아크릴레이트는, 아크릴레이트 및/또는 메타크릴레이트를 말한다. 아크릴계 점착성 절연 재료 중에서도, 점착성이 보다 우수한 점에서, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 12 정도인 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 반복 단위를 갖는 아크릴계 폴리머인 것이 바람직하고, 상기 탄소수의 알킬메타크릴레이트 유래의 반복 단위 및 상기 탄소수의 알킬아크릴레이트 유래의 반복 단위를 갖는 아크릴계 폴리머가 보다 바람직하다.
상기 아크릴계 폴리머 중의 반복 단위 중에는, (메트)아크릴산 유래의 반복 단위가 포함되어 있어도 된다.
제 1 보호 기판 (18) 및 제 2 보호 기판 (26) 은, 각각 제 1 투명 수지층 (16) 및 제 2 투명 수지층 (24) 상에 배치되는 기판이며, 외부 환경으로부터 제 1 전극부 (12) 나 제 2 전극부 (20) 를 보호하는 기판이며, 통상적으로, 일방의 보호 기판의 주면은 터치면을 구성한다.
제 1 보호 기판 (18) 및 제 2 보호 기판 (26) 으로서, 투명 기판인 것이 바람직하고, 플라스틱 필름, 플라스틱판, 유리판 등이 사용된다. 층의 두께는 각각의 용도에 따라 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
상기 플라스틱 필름 및 플라스틱판의 원료로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN) 등의 폴리에스테르류 ; 폴리에틸렌 (PE), 폴리프로필렌 (PP), 폴리스티렌, EVA 등의 폴리올레핀류 ; 비닐계 수지 ; 그 외에, 폴리카보네이트 (PC), 폴리아미드, 폴리이미드, 아크릴 수지, 트리아세틸셀룰로오스 (TAC), 시클로올레핀계 수지 (COP) 등을 사용할 수 있다.
또, 제 1 보호 기판 (18) 및 제 2 보호 기판 (26) 으로서, 액정 디스플레이나 편광판, 원편광판 등을 사용해도 된다.
플렉시블 프린트 배선판 (30) 은, 기판 상에 복수의 배선 및 단자가 형성된 판이며, 제 1 인출 배선부 (14) 의 각각의 타단 및 제 2 인출 배선부 (22) 의 각각의 타단에 접속되고, 정전 용량식 터치 패널 (100) 과 외부의 장치 (예를 들어, 액정 표시 장치) 를 접속하는 역할을 완수한다. 플렉시블 프린트 배선판 (30) 은, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 제 1 인출 배선부 (14), 절연층 (10) 및 제 2 인출 배선부 (22) 를 협지하도록 배치된다.
정전 용량식 터치 패널 (100) 을 JIS Z 2371 의 염수 분무 시험에 노출시키고, 24 시간 후에 측정한 이웃하는 제 1 인출 배선부 (14) 간 및 제 2 인출 배선부 (22) 간의 직류 저항은 300 kΩ 이상이다. 그 중에서도, 500 kΩ 이상이 바람직하고, 1 MΩ 이상이 보다 바람직하다. 상기 범위 내이면, 정전 용량식 터치 패널의 수율이 향상된다.
또한, 도 1 에 있어서는, 절연층의 양면에 전극부가 배치되는 정전 용량식 터치 패널에 봉지층을 형성하는 양태를 나타냈지만, 후술하는 바와 같이 이것에는 한정되지 않는다. 예를 들어, 절연층과 절연층 표면에 배치된 전극부를 갖는 전극부가 형성된 절연층을 2 매 준비하고, 전극부끼리가 마주보도록, 또는, 일방의 전극부가 형성된 절연층의 절연층과 타방의 전극부가 형성된 절연층의 전극부가 마주보도록, 투명 수지층을 개재하여 첩합 (貼合) 하여 얻어지는 정전 용량식 터치 패널에서 봉지층을 갖는 양태도 들 수 있다. 또, 나아가서는, 절연층의 일방의 주면 상에 제 1 전극부 및 제 2 전극부를 형성하여 얻어지는 정전 용량식 터치 패널에서 봉지층을 갖는 양태도 들 수 있다.
정전 용량식 터치 패널 (100) 의 제조 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다.
절연층 (10) 상에 제 1 전극부 (12) 및 제 1 인출 배선부 (14), 그리고, 제 2 전극부 (20) 및 제 2 인출 배선부 (22) 를 형성하는 방법으로서는, 예를 들어, 절연층 (10) 의 양 주면 상에 형성된 금속박 상의 포토레지스트막을 노광, 현상 처리하여 레지스트 패턴을 형성하고, 레지스트 패턴으로부터 노출되는 금속박을 에칭하는 방법을 들 수 있다.
또는, 절연층 (10) 의 양 주면 상에 금속 미립자 또는 금속 나노 와이어를 포함하는 페이스트를 인쇄하고, 페이스트에 금속 도금을 실시하는 방법을 들 수 있다.
또, 절연층 (10) 상에 스크린 인쇄판 또는 그라비아 인쇄판에 의해 인쇄 형성하는 방법, 또는, 잉크젯에 의해 형성하는 방법도 들 수 있다.
또한, 상기 방법 이외에 할로겐화 은을 사용한 방법을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 절연층 (10) 의 양면에 각각, 할로겐화 은과 바인더를 함유하는 할로겐화 은 유제층 (이후, 간단히 감광성층이라고도 칭한다) 을 형성하는 공정 (1), 감광성층을 노광한 후, 현상 처리함으로써 제 1 전극부 (12) 및 제 1 인출 배선부 (14), 그리고, 제 2 전극부 (20) 및 제 2 인출 배선부 (22) 를 형성하는 공정 (2) 를 갖는 방법을 들 수 있다.
이하에, 각 공정에 관해서 설명한다.
[공정 (1) : 감광성층 형성 공정]
공정 (1) 은, 절연층 (10) 의 양면에, 할로겐화 은과 바인더를 함유하는 감광성층을 형성하는 공정이다.
감광성층을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않지만, 생산성의 점에서, 할로겐화 은 및 바인더를 함유하는 감광성층 형성용 조성물을 절연층 (10) 에 접촉시켜, 절연층 (10) 의 양면 상에 감광성층을 형성하는 방법이 바람직하다.
이하에, 상기 방법에서 사용되는 감광성층 형성용 조성물의 양태에 대해 상세히 서술한 후, 공정의 순서에 대해 상세히 서술한다.
감광성층 형성용 조성물에는, 할로겐화 은 및 바인더가 함유된다.
할로겐화 은에 함유되는 할로겐 원소는, 염소, 브롬, 요오드 및 불소 중 어느 것이어도 되고, 이들을 조합해도 된다. 할로겐화 은으로서는, 예를 들어, 염화 은, 브롬화 은, 요오드화 은을 주체로 한 할로겐화 은이 바람직하게 사용되고, 또한 브롬화 은이나 염화 은을 주체로 한 할로겐화 은이 바람직하게 사용된다.
사용되는 바인더의 종류는, 상기 서술한 바와 같다. 또, 바인더는 라텍스의 형태로 감광성층 형성용 조성물 중에 포함되어 있어도 된다.
감광성층 형성용 조성물 중에 포함되는 할로겐화 은 및 바인더의 체적비는 특별히 제한되지 않고, 상기 서술한 도전성 세선 (36) 중에 있어서의 금속과 바인더의 바람직한 체적비의 범위가 되도록 적절히 조정된다.
감광성층 형성용 조성물에는, 필요에 따라, 용매가 함유된다.
사용되는 용매로서는, 예를 들어, 물, 유기 용매 (예를 들어, 메탄올 등의 알코올류, 아세톤 등의 케톤류, 포름아미드 등의 아미드류, 디메틸술폭시드 등의 술폭시드류, 아세트산에틸 등의 에스테르류, 에테르류 등), 이온성 액체, 또는 이들의 혼합 용매를 들 수 있다.
사용되는 용매의 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 할로겐화 은 및 바인더의 합계 질량에 대해, 30 ∼ 90 질량% 의 범위가 바람직하고, 50 ∼ 80 질량% 의 범위가 보다 바람직하다.
(공정의 순서)
감광성층 형성용 조성물과 절연층 (10) 을 접촉시키는 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 감광성층 형성용 조성물을 절연층 (10) 에 도포하는 방법이나, 감광성층 형성용 조성물 중에 절연층 (10) 을 침지하는 방법 등을 들 수 있다.
형성된 감광성층 중에 있어서의 바인더의 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 0.3 ∼ 5.0 g/㎡ 가 바람직하고, 0.5 ∼ 2.0 g/㎡ 가 보다 바람직하다.
또, 감광성층 중에 있어서의 할로겐화 은의 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 도전성 세선 (36) 의 도전 특성이 보다 우수한 점에서, 은 환산으로 1.0 ∼ 20.0 g/㎡ 가 바람직하고, 5.0 ∼ 15.0 g/㎡ 가 보다 바람직하다.
또한, 필요에 따라, 감광성층 상에 바인더로 이루어지는 보호층을 추가로 형성해도 된다. 보호층을 형성함으로써, 촬상 방지나 역학 특성의 개량이 이루어진다.
[공정 (2) : 노광 현상 공정]
공정 (2) 는, 상기 공정 (1) 에서 얻어진 감광성층을 패턴 노광한 후, 현상 처리함으로써 제 1 전극부 (12) 및 제 1 인출 배선부 (14), 그리고, 제 2 전극부 (20) 및 제 2 인출 배선부 (22) 를 형성하는 공정이다.
먼저, 이하에서는, 패턴 노광 처리에 대해 상세히 서술하고, 그 후 현상 처리에 대해 상세히 서술한다.
(패턴 노광)
감광성층에 대해 패턴상의 노광을 실시함으로써, 노광 영역에 있어서의 감광성층 중의 할로겐화 은이 잠상을 형성한다. 이 잠상이 형성된 영역은, 후술하는 현상 처리에 의해 도전성 세선을 형성한다. 한편, 노광이 이루어지지 않은 미노광 영역에서는, 후술하는 정착 처리 시에 할로겐화 은이 용해되어 감광성층으로부터 유출되고, 투명한 막이 얻어진다.
노광 시에 사용되는 광원은 특별히 제한되지 않고, 가시광선, 자외선 등의 광, 또는, X 선 등의 방사선 등을 들 수 있다.
패턴 노광을 실시하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 포토마스크를 이용한 면 노광으로 실시해도 되고, 레이저 빔에 의한 주사 노광으로 실시해도 된다. 또한, 패턴의 형상은 특별히 제한되지 않고, 형성하고자 하는 도전성 세선의 패턴에 맞추어 적절히 조정된다.
(현상 처리)
현상 처리의 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 은염 사진 필름, 인화지, 인쇄 제판용 필름, 포토마스크용 에멀션 마스크 등에 사용되는 통상적인 현상 처리의 기술을 이용할 수 있다.
현상 처리 시에 사용되는 현상액의 종류는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, PQ 현상액, MQ 현상액, MAA 현상액 등을 사용할 수도 있다. 시판품에서는, 예를 들어, 후지 필름사 처방의 CN-16, CR-56, CP45X, FD-3, 파피톨, KODAK 사 처방의 C-41, E-6, RA-4, D-19, D-72 등의 현상액, 또는 그 키트에 포함되는 현상액을 사용할 수 있다. 또, 리스 현상액을 사용할 수도 있다.
현상 처리는, 미노광 부분의 은염을 제거하여 안정화시키는 목적으로 실시되는 정착 처리를 포함할 수 있다. 정착 처리는, 은염 사진 필름이나 인화지, 인쇄 제판용 필름, 포토마스크용 에멀션 마스크 등에 사용되는 정착 처리의 기술을 이용할 수 있다.
정착 공정에 있어서의 정착 온도는, 약 20 ℃ ∼ 약 50 ℃ 가 바람직하고, 25 ∼ 45 ℃ 가 보다 바람직하다. 또, 정착 시간은 5 초 ∼ 1 분이 바람직하고, 7 초 ∼ 50 초가 보다 바람직하다.
현상 처리 후의 노광부 (도전성 세선) 에 포함되는 금속 은의 질량은, 노광 전의 노광부에 포함되어 있던 은의 질량에 대해 50 질량% 이상의 함유율인 것이 바람직하고, 80 질량% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 노광부에 포함되는 은의 질량이 노광 전의 노광부에 포함되어 있던 은의 질량에 대해 50 질량% 이상이면, 높은 도전성을 얻을 수 있기 때문에 바람직하다.
상기 공정 이외에 필요에 따라, 이하의 하도층 형성 공정, 안티 할레이션층 형성 공정, 또는 가열 처리를 실시해도 된다.
(하도층 형성 공정)
절연층과 할로겐화 은 유제층의 밀착성이 우수한 이유에서, 상기 공정 (1) 의 전에, 절연층의 양면에 상기 바인더를 포함하는 하도층을 형성하는 공정을 실시하는 것이 바람직하다.
사용되는 바인더는 상기 서술한 바와 같다. 하도층의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 밀착성과 상호 정전 용량의 변화율이 보다 억제되는 점에서, 0.01 ∼ 0.5 ㎛ 가 바람직하고, 0.01 ∼ 0.1 ㎛ 가 보다 바람직하다.
(안티 할레이션층 형성 공정)
도전성 세선의 세선화의 관점에서, 상기 공정 (1) 의 전에, 절연층의 양면에 안티 할레이션층을 형성하는 공정을 실시하는 것이 바람직하다.
안티 할레이션층에 사용하는 재료에 대해서는, 일본 공개특허공보 2009-188360호의 단락 0029 내지 0032 의 기재를 참조할 수 있다.
상호 정전 용량의 변화율이 보다 억제되고, 또, 전극부간의 내마이그레이션성이 우수한 이유에서, 안티 할레이션층에는 가교제가 함유되는 것이 바람직하다. 가교제로서는, 유기 경막제, 무기 경막제 모두 사용할 수 있지만, 경막 제어의 관점에서 유기 경막제가 바람직하고, 구체예로서는, 예를 들어, 알데히드류, 케톤류, 카르복실산 유도체, 술폰산에스테르, 트리아진류, 활성 올레핀류, 이소시아네이트, 카르보디이미드를 들 수 있다.
(공정 (3) : 가열 공정)
공정 (3) 은, 상기 현상 처리 후에 가열 처리를 실시하는 공정이다. 본 공정을 실시함으로써, 바인더간에 융착이 일어나, 도전성 세선의 경도가 보다 상승한다. 특히, 감광성층 형성용 조성물 중에 바인더로서 폴리머 입자를 분산하고 있는 경우 (바인더가 라텍스 중의 폴리머 입자의 경우), 본 공정을 실시함으로써, 폴리머 입자간에 융착이 일어나, 원하는 경도를 나타내는 도전성 세선이 형성된다.
가열 처리의 조건은 사용되는 바인더에 의해 적절히 바람직한 조건이 선택되지만, 40 ℃ 이상인 것이 폴리머 입자의 조막 (造膜) 온도의 관점에서 바람직하고, 50 ℃ 이상이 보다 바람직하고, 60 ℃ 이상이 더욱 바람직하다. 또, 절연층의 컬 등을 억제하는 관점에서, 150 ℃ 이하가 바람직하고, 100 ℃ 이하가 보다 바람직하다.
가열 시간은 특별히 한정되지 않지만, 절연층의 컬 등을 억제하는 관점, 및, 생산성의 관점에서, 1 ∼ 5 분간인 것이 바람직하고, 1 ∼ 3 분간인 것이 보다 바람직하다.
또한, 이 가열 처리는, 통상적으로, 노광, 현상 처리 후에 실시되는 건조 공정과 겸할 수 있기 때문에, 폴리머 입자의 조막을 위해서 새로운 공정을 증가시킬 필요가 없어, 생산성, 비용 등의 관점에서 우수하다.
또한, 상기 공정을 실시함으로써, 도전성 세선간에는 바인더를 포함하는 광 투과성부가 형성된다. 광 투과성부에 있어서의 투과율은, 380 ∼ 780 nm 의 파장 영역에 있어서의 투과율의 최소치로 나타내는 투과율이 90 % 이상, 바람직하게는 95 % 이상, 더욱 바람직하게는 97 % 이상이며, 보다 더 바람직하게는 98 % 이상이며, 가장 바람직하게는 99 % 이상이다.
광 투과성부에는 상기 바인더 이외의 재료가 포함되어 있어도 되고, 예를 들어, 은 난용제 등을 들 수 있다.
광 투과성부에 은 난용제가 포함됨으로써, 도전성 세선간에 있어서의 금속의 이온 마이그레이션을 보다 억제할 수 있다. 은 난용제로서는, pKsp 가 9 이상인 것이 바람직하고, 10 ∼ 20 인 것이 보다 바람직하다. 은 난용제로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, TTHA (트리에틸렌테트라민 6 아세트산) 등을 들 수 있다.
또한, 은의 용해도적 Ksp 는 이들 화합물의 은이온과의 상호 작용의 세기의 기준이 된다. Ksp 의 측정 방법은 「사카구치 요시카타·키쿠치 신이치, 일본 사진 학회지, 13, 126, (1951)」 과 「A. Pailliofet and J. Pouradier, Bull. Soc. chim. 프랑스, 1982, I-445 (1982)」 를 참조하여 측정할 수 있다.
제 1 투명 수지층 (16) 및 제 2 투명 수지층 (24) 을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 투명 수지 필름을 접착시키는 방법이나, 투명 수지층을 형성하는 투명 수지층 형성용 조성물을 도포하여 층을 형성하는 방법 등을 들 수 있다.
또한, 제 1 투명 수지층 (16) 및 제 2 투명 수지층 (24) 을 형성할 때에는, 제 1 인출 배선부 (14) 의 제 1 전극부 (12) 와 접합하고 있는 일단과는 반대측의 타단, 및, 제 2 인출 배선부 (22) 의 제 2 전극부 (20) 와 접합하고 있는 일단은 반대측의 타단이, 각각 노출되도록 각 층이 형성된다.
제 1 보호 기판 (18) 및 제 2 보호 기판 (26) 을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 제 1 투명 수지층 (16) 및 제 2 투명 수지층 (24) 상에 각각 보호 기판을 접착시키는 방법을 들 수 있다.
그 후, 플렉시블 프린트 배선판 (30) 의 도시되지 않은 단자와, 노출되어 있는 제 1 인출 배선부 (14) 및 제 2 인출 배선부 (22) 의 타단을 접속시키고, 플렉시블 프린트 배선판 (30) 을 배치하여, 적층체를 얻는다.
봉지층 (28) 의 형성 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 봉지층 (28) 을 형성하는 봉지층 형성용 조성물 (예를 들어, 상기 서술한 불소계 수지를 포함하는 코팅제) 을 소정 위치에 도포하는 방법을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 그 조성물 중에 상기 적층체를 침지하는 방법이나, 상기 적층체의 소정의 위치에 조성물을 스프레이 코팅하는 방법 등을 들 수 있다.
예를 들어, 제 1 보호 기판 (18) 및 제 2 보호 기판 (26) 의 각각의 주면 (18a 및 26a) 이외의 전체면에 봉지층을 배치하는 경우에는, 상기에서 얻어진 적층체의 제 1 보호 기판 (18) 및 제 2 보호 기판 (26) 의 각각의 주면 (18a 및 26a) 상에 박리 가능한 보호 필름을 배치하여, 얻어진 적층체를 봉지층 형성용 조성물과 접촉시키고 (바람직하게는, 봉지층 형성용 조성물 중에 침지), 그 후 보호 필름을 벗김으로써, 원하는 정전 용량식 터치 패널을 제조할 수 있다.
또한, 상기 서술한 코팅제는, 건조성이 높기 때문에, 상온에서 방치함으로써 용이하게 건조시킬 수 있어, 피막을 얻을 수 있지만, 필요에 따라 가열하여 건조시켜도 된다.
또한, 봉지층 형성용 조성물의 표면 장력은, 20 mN/m 이하가 바람직하고, 15 mN/m 이하가 보다 바람직하다. 또, 봉지층 형성용 조성물의 점도는, 100 cps 이하가 바람직하고, 50 cps 이하가 보다 바람직하다. 상기 범위이면, 동작 불량의 발생이 보다 억제된다.
<제 2 실시형태>
도 3 에, 본 발명의 정전 용량식 터치 패널의 제 2 실시형태의 단면도를 나타낸다. 또한, 도 3 은, 정전 용량식 터치 패널 (200) 의 층 구성에 대한 이해를 용이하게 하기 위해서 모식적으로 나타낸 것이며, 각 층의 배치를 정확하게 나타낸 도면은 아니다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 정전 용량식 터치 패널 (200) 은, 제 1 절연층 (40) 과, 제 1 절연층 (40) 의 일방의 주면 상에 배치되는 제 1 전극부 (12) 및 제 1 인출 배선부 (14) 와, 제 1 투명 수지층 (16) 과, 제 2 전극부 (20) 및 제 2 인출 배선부 (22) 와, 제 2 절연층 (42) 과, 제 2 투명 수지층 (24) 과, 보호 기판 (44) 과, 봉지층 (28) 과, 플렉시블 프린트 배선판 (30) 을 구비한다.
도 3 에 나타내는 정전 용량식 터치 패널 (200) 은, 각 층의 순번이 상이한 점을 제외하고, 도 1 에 나타내는 정전 용량식 터치 패널 (200) 과 동일한 층을 갖는 것이므로, 동일한 구성 요소에는 동일한 참조 부호를 부여하고, 그 설명을 생략 한다. 또한, 제 1 절연층 (40) 및 제 2 절연층 (42) 은, 도 1 에 나타내는 절연층 (10) 과 동일한 층이며, 그 정의는 상기 서술한 바와 같다. 또, 보호 기판 (44) 은, 도 1 에 나타내는 제 1 보호 기판 (18) 및 제 2 보호 기판 (26) 과 동일한 층이며, 그 정의는 상기 서술한 바와 같다.
또, 도 3 중의 제 1 전극부 (12) 와 제 2 전극부 (20) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이 각각 복수 사용되고 있고, 양자는 도 1 에 나타내는 바와 같이 서로 직교하도록 배치되어 있다.
또한, 제 1 투명 수지층 (16) 은, 제 1 인출 배선부 (14) 및 제 2 인출 배선부 (22) 의 각각의 타단이 노출되도록, 제 1 전극부 (12) 및 제 1 인출 배선부 (14) 상, 그리고, 제 2 전극부 (20) 및 제 2 인출 배선부 (22) 상에 배치된다.
도 3 에 나타내는, 정전 용량식 터치 패널 (200) 은, 절연층과 절연층 표면에 배치된 전극부 및 인출 배선부를 갖는 전극부가 형성된 절연층을 2 매 준비하고, 전극부끼리가 마주보도록, 투명 수지층을 개재하여 첩합하여 얻어지는 정전 용량식 터치 패널에 해당한다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 봉지층 (28) 은, 제 1 절연층 (40) 과 제 2 절연층 (42) 의 사이로부터 노출되어 있는 제 1 투명 수지층 (16) 의 주연부를 포함하는 정전 용량식 터치 패널 (200) 의 주연부의 표면 상, 제 1 인출 배선부 (14) 의 제 1 투명 수지층 (16) 및 플렉시블 프린트 배선판 (30) 으로 덮여 있지 않은 노출면 상, 및, 제 2 인출 배선부 (22) 의 제 1 투명 수지층 (16) 및 플렉시블 프린트 배선판 (30) 으로 덮여 있지 않은 노출면 상에 각각에 배치되어 있다.
<제 3 실시형태>
도 4 에, 본 발명의 정전 용량식 터치 패널의 제 3 실시형태의 단면도를 나타낸다. 또한, 도 4 는, 정전 용량식 터치 패널 (300) 의 층 구성에 대한 이해를 용이하게 하기 위해서 모식적으로 나타낸 것이며, 각 층의 배치를 정확하게 나타낸 도면은 아니다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 정전 용량식 터치 패널 (300) 은, 제 1 절연층 (40) 과 제 1 절연층 (40) 의 일방의 주면 상에 배치되는 제 1 전극부 (12) 및 제 1 인출 배선부 (14) 와, 제 1 투명 수지층 (16) 과, 제 2 절연층 (42) 과, 제 2 전극부 (20) 및 제 2 인출 배선부 (22) 와, 제 2 투명 수지층 (24) 과, 보호 기판 (44) 과, 봉지층 (28) 과, 플렉시블 프린트 배선판 (30) 을 구비한다.
도 4 에 나타내는 정전 용량식 터치 패널 (300) 은, 각 층의 순번이 상이한 점을 제외하고, 도 3 에 나타내는 정전 용량식 터치 패널 (300) 과 동일한 층을 갖는 것이므로, 동일한 구성 요소에는 동일한 참조 부호를 부여하여, 그 설명을 생략 한다.
또한, 도 4 중의 제 1 전극부 (12) 와 제 2 전극부 (20) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이 각각 복수 사용되고 있고, 양자는 도 1 에 나타내는 바와 같이 서로 직교하도록 배치되어 있다.
또한, 제 1 투명 수지층 (16) 은, 제 1 인출 배선부 (14) 의 타단이 노출되도록, 제 1 전극부 (12) 및 제 1 인출 배선부 (14) 상에 배치된다. 또, 제 2 투명 수지층 (24) 은, 제 2 인출 배선부 (22) 의 타단이 노출되도록, 제 2 전극부 (20) 및 제 2 인출 배선부 (22) 상에 배치된다.
도 4 에 나타내는, 정전 용량식 터치 패널 (300) 은, 절연층과 절연층 표면에 배치된 전극부 및 인출 배선부를 갖는 전극부가 형성된 절연층을 2 매 준비하고, 일방의 전극부가 형성된 절연층의 절연층과 타방의 전극부가 형성된 절연층의 전극부가 마주보도록, 투명 수지층을 개재하여 첩합하여 얻어지는 정전 용량식 터치 패널에 해당한다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 봉지층 (28) 은, 제 1 절연층 (40) 과 제 2 절연층 (42) 의 사이로부터 노출되어 있는 제 1 투명 수지층 (16) 의 주연부의 표면 상 및 제 2 절연층 (42) 과 보호 기판 (44) 의 사이로부터 노출되어 있는 제 2 투명 수지층 (24) 의 주연부의 표면 상을 포함하는 정전 용량식 터치 패널 (300) 의 주연부의 표면 상, 제 1 인출 배선부 (14) 의 제 1 투명 수지층 (16) 및 플렉시블 프린트 배선판 (30) 으로 덮여 있지 않은 노출면 상, 및, 제 2 인출 배선부 (22) 의 제 2 투명 수지층 (24) 및 플렉시블 프린트 배선판 (30) 으로 덮여 있지 않은 노출면 상에 각각에 배치되어 있다.
<제 4 실시형태>
도 5(A) 및 (B) 에, 본 발명의 정전 용량식 터치 패널의 제 4 실시형태의 모식도를 나타낸다. 도 5(A) 는, 정전 용량식 터치 패널 (400) 의 단면도이며, (B) 는 일부 평면도이다. 또한, 도 5 는, 정전 용량식 터치 패널 (400) 의 층 구성에 대한 이해를 용이하게 하기 위해서 모식적으로 나타낸 것이며, 각 층의 배치를 정확하게 나타낸 도면은 아니다.
정전 용량식 터치 패널 (400) 은, 제 1 절연층 (40) 의 표면에, 복수의 점퍼 (46) 와, 제 2 절연층 (42) 과, 제 1 전극부 (12) 와, 도시되지 않은 제 1 인출 배선부와, 제 2 전극부 (20) 와, 도시되지 않은 제 2 인출 배선부와, 투명 수지층 (48) 과, 보호 기판 (44) 과, 도시되지 않은 봉지층 (28) 과, 도시되지 않은 플렉시블 프린트 배선판을 구비한다.
또한, 투명 수지층 (48) 은, 상기 서술한 제 1 투명 수지층 (16) 및 제 2 투명 수지층 (24) 과 동일한 층이며, 그 정의는 상기 서술한 바와 같다.
점퍼 (46) 는, 도전성 재료로 형성되고, 제 1 절연층 (40) 의 표면에 X 축 방향 및 Y 축 방향으로 행렬상으로 배열되어 있다. 점퍼 (46) 의 각각은, X 축 방향으로 정렬하는 제 2 전극부 (20) 를 X 축 방향으로 접속하기 위한 것이다. 점퍼 (46) 는, 예를 들어, 메탈 (MAM, APC 외) 이나 ITO (Indium Tin Oxide : 산화인듐주석), PEDOT (폴리에틸렌디옥시티오펜) 등의 도전성 고분자로 형성할 수 있다. 여기서, MAM 은, Mo (몰리브덴)/Al (알루미늄)/Mo 의 약칭으로 3 층 구조의 도전 재료이다. 또, APC 는 은/팔라듐/구리의 합금이다.
제 2 절연층 (42) 은, 점퍼 (46) 및 제 1 절연층 (40) 의 표면 전체를 덮도록 적층함으로써 형성된다. 제 1 전극부 (12) 와 점퍼 (46) 가 서로 겹치는 부분의 제 2 절연층 (42) 에는, 점퍼 (46) 의 표면에까지 도달하는 스루홀 (50) 이 형성된다.
도 5(B) 에 나타내는 바와 같이, 정전 용량식 터치 패널 (400) 은, 동일 레이어 내에, X 축 방향 및 이것과 직교하는 Y 축 방향으로 간헐적으로 배열되는 제 2 전극부 (20) 와, X 축 방향 및 Y 축 방향으로 배열됨과 함께 각각이 제 2 전극부 (20) 의 행간 및 열간에 배치되는 제 1 전극부 (12) 를 구비한다. X 축 방향으로 정렬하는 제 2 전극부 (20) 의 각각은, 제 2 절연층 (42) 상에 있어서는 X 축 방향 및 Y 축 방향 중 어느 것에도 서로 접속되어 있지 않지만, 스루홀 (50) 을 통하여 제 1 절연층 (40) 상의 점퍼 (46) 에 전기적으로 접속된 상태가 된다. 한편, 제 1 전극부 (12) 의 각각은, X 축 방향 및 Y 축 방향으로 배열됨과 함께 각각이 제 1 전극부 (12) 의 행간 및 열간에 배치되고, 제 2 절연층 (42) 상에 있어서, 접속부 (52) 를 통하여 Y 축 방향으로 서로 연결되어 있다.
제 1 전극부 (12) 및 제 2 전극부 (20) 에는, 도시되지 않은 제 1 인출 배선부 및 제 2 인출 배선부의 일단이 각각 접속되어 있다.
투명 수지층 (48) 은, 도시되지 않은 제 1 인출 배선부 및 제 2 인출 배선부의 타단이 노출되도록, 제 1 전극부 (12) 및 제 2 전극부 (20) 상, 그리고, 도시되지 않은 제 1 인출 배선부 및 제 2 인출 배선부 상에 배치된다.
보호 기판 (44) 은, 투명 수지층 (48) 상에 배치된다.
또한, 제 1 인출 배선부 및 제 2 인출 배선부의 타단에는, 도시되지 않은 플렉시블 프린트 배선판이 접속되어 있다.
도시되지 않은 봉지층은, 제 1 절연층 (40) 과 보호 기판 (44) 의 사이로부터 노출되어 있는 투명 수지층 (48) 의 주연부의 표면 상, 및, 도시되지 않은 제 1 인출 배선부 및 제 2 인출 배선부의 투명 수지층 (48) 및 플렉시블 프린트 배선판으로 덮여 있지 않은 노출면 상에 각각에 배치되어 있다.
<제 5 실시형태>
도 6(A) 및 (B) 에, 본 발명의 정전 용량식 터치 패널의 제 5 실시형태의 모식도를 나타낸다. 도 6(A) 는, 정전 용량식 터치 패널 (500) 의 단면도이며, (B) 는 일부 평면도이다. 또한, 도 6 은, 정전 용량식 터치 패널 (500) 의 층 구성에 대한 이해를 용이하게 하기 위해서 모식적으로 나타낸 것이며, 각 층의 배치를 정확하게 나타낸 도면은 아니다.
정전 용량식 터치 패널 (500) 은, 제 1 절연층 (40) 의 표면에, 제 1 전극부 (12) 와, 도시되지 않은 제 1 인출 배선부와, 제 2 전극부 (20) 와, 도시되지 않은 제 2 인출 배선부와, 제 2 절연층 (42) 과, 점퍼 (46) 와, 투명 수지층 (48) 과, 보호 기판 (44) 과, 도시되지 않은 봉지층과, 도시되지 않은 플렉시블 프린트 배선판을 구비한다.
도 6(B) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 전극부 (12) 는, Y 축 방향으로 연결되도록 제 1 절연층 (40) 상에 패턴 형성되어 있고, 제 2 전극부 (20) 는, 제 1 전극부 (12) 와 교차하는 부분을 덮도록 제 2 절연층 (42) 이 배치되고, 이 제 2 절연층 (42) 상을 걸치도록 하여 형성되는 점퍼 (46) 를 통하여, X 축 방향으로 전기적으로 접속되어 있다.
제 1 전극부 (12) 및 제 2 전극부 (20) 에는, 도시되지 않은 제 1 인출 배선부 및 제 2 인출 배선부의 일단이 각각 접속되어 있다.
투명 수지층 (48) 은, 도시되지 않은 제 1 인출 배선부 및 제 2 인출 배선부의 타단이 노출되도록, 제 1 전극부 (12) 및 제 2 전극부 (20) 상, 그리고, 도시되지 않은 제 1 인출 배선부 및 제 2 인출 배선부 상에 배치된다.
보호 기판 (44) 이, 투명 수지층 (48) 상에 배치된다.
또한, 제 1 인출 배선부 및 제 2 인출 배선부의 타단에는, 도시되지 않은 플렉시블 프린트 배선판이 접속되어 있다.
도시되지 않은 봉지층은, 제 1 절연층 (40) 과 보호 기판 (44) 의 사이로부터 노출되어 있는 투명 수지층 (48) 의 주연부의 표면 상, 및, 도시되지 않은 제 1 인출 배선부 및 제 2 인출 배선부의 투명 수지층 (48) 및 플렉시블 프린트 배선판으로 덮여 있지 않은 노출면 상에 각각에 배치되어 있다.
<제 6 실시형태>
도 7(A) 및 (B) 에, 본 발명의 정전 용량식 터치 패널의 제 6 실시형태의 모식도를 나타낸다. 도 7(A) 는, 정전 용량식 터치 패널 (600) 의 단면도이며, (B) 는 일부 평면도이다. 또한, 도 7 은, 정전 용량식 터치 패널 (600) 의 층 구성에 대한 이해를 용이하게 하기 위해서 모식적으로 나타낸 것이며, 각 층의 배치를 정확하게 나타낸 도면은 아니다.
정전 용량식 터치 패널 (600) 은, 절연층 (10) 의 표면에, 복수의 전극부 (54) 및 복수의 인출 배선부 (56) 와, 투명 수지층 (48) 과, 보호 기판 (44) 과, 도시되지 않은 봉지층과, 도시되지 않은 플렉시블 프린트 배선판을 구비한다.
또한, 전극부 (54) 는, 상기 서술한 제 1 전극부 (16) 및 제 2 전극부 (20) 와 동일한 부재이며, 그 정의는 상기 서술한 바와 같다. 또, 인출 배선부 (56) 는, 상기 서술한 제 1 인출 배선부 (14) 및 제 2 인출 배선부 (22) 와 동일한 부재이며, 그 정의는 상기 서술한 바와 같다.
도 7(B) 에 나타내는 바와 같이, 전극부 (54) 는 대략 이등변 삼각형상의 형상을 가지며, 복수의 전극부 (54) 가 서로 상이하게 위치하도록 절연층 (10) 상에 배치된다.
복수의 인출 배선부 (56) 는, 각각 일단이 대응하는 전극부 (54) 에 접속되어 있다.
투명 수지층 (48) 은, 인출 배선부 (56) 의 타단이 노출되도록, 전극부 (54) 및 인출 배선부 (56) 상에 배치된다.
보호 기판 (44) 은, 투명 수지층 (48) 상에 배치된다.
또한, 인출 배선부 (56) 의 타단에는, 도시되지 않은 플렉시블 프린트 배선판이 접속되어 있다.
도시되지 않은 봉지층은, 절연층 (10) 과 보호 기판 (44) 의 사이로부터 노출되어 있는 투명 수지층 (48) 의 주연부의 표면 상, 및, 인출 배선부 (56) 의 투명 수지층 (48) 및 플렉시블 프린트 배선판으로 덮여 있지 않은 노출면 상에 각각에 배치되어 있다.
상기 서술한 본 발명의 정전 용량식 터치 패널은 여러 가지의 용도에 적용할 수 있고, 예를 들어, 입력 장치 등에 적용할 수 있다.
본 발명의 정전 용량식 터치 패널을 포함하는 입력 장치의 구성은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 도 8 에 나타내는 양태를 들 수 있다. 도 8(A) 에 나타내는 양태는 이른바 아웃셀형의 양태에 해당하고, 백라이트 (110) 와, 제 1 편광판 (120) 과, 액정 디스플레이 (LCD) (130) 와, 제 2 편광판 (140) 과, 본 발명의 정전 용량식 터치 패널 (150) 과, 보호 기판 (160) 을 이 순서로 포함하는 입력 장치 (170a) 를 들 수 있다. 또한, 제 2 편광판 (140) 과 정전 용량식 터치 패널 (150) 의 사이는, 도시되지 않은 스페이서가 배치되어 있다.
또, 입력 장치의 양태로서는 도 8(A) 의 양태로 한정되지 않고, 예를 들어, 도 8(B) 에 나타내는, 백라이트 (110) 와, 제 1 편광판 (120) 과, 액정 디스플레이 (LCD) (130) 와, 제 2 편광판 (140) 과, 점착층 (180) 과, 본 발명의 정전 용량식 터치 패널 (150) 과, 보호 기판 (160) 을 이 순서로 포함하는 입력 장치 (170b) 를 들 수 있다.
또한, 입력 장치의 다른 양태로서는, 도 8(C) 에 나타내는, 백라이트 (110) 와, 제 1 편광판 (120) 과, 액정 디스플레이 (LCD) (130) 와, 본 발명의 정전 용량식 터치 패널 (150) 과, 제 2 편광판 (140) 과, 보호 기판 (160) 을 이 순서로 포함하는 입력 장치 (170c) 를 들 수 있다.
본 발명에 정전 용량식 터치 패널은, 상기 서술한 실시형태에 한정하지 않고, 본 발명의 요지를 일탈하는 일 없이, 여러 가지의 구성을 채용할 수 있는 것은 물론이다. 또, 일본 공개특허공보 2011-113149호, 일본 공개특허공보 2011-129501호, 일본 공개특허공보 2011-129112호, 일본 공개특허공보 2011-134311호, 일본 공개특허공보 2011-175628호 등에 개시된 기술과 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
실시예
이하, 실시예에 의해, 본 발명에 대해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다.
<실시예 A>
<실시예 1>
(할로겐화 은 유제의 조제)
38 ℃, pH 4.5 로 유지된 하기 1 액에, 하기의 2 액 및 3 액의 각각 90 % 에 상당하는 양을 교반하면서 동시에 20 분간에 걸쳐서 첨가하여, 0.16 ㎛ 의 핵입자를 형성했다. 계속해서 하기 4 액 및 5 액을 8 분간에 걸쳐서 첨가하고, 또한, 하기의 2 액 및 3 액의 나머지 10 % 의 양을 2 분간에 걸쳐서 첨가하여 0.21 ㎛ 까지 성장시켰다. 또한, 요오드화칼륨 0.15 g 을 첨가하고, 5 분간 숙성하여 입자 형성을 종료했다.
1 액 :
물 750 ㎖
젤라틴 9 g
염화나트륨 3 g
1,3-디메틸이미다졸리딘-2-티온 20 mg
벤젠티오술폰산나트륨 10 mg
시트르산 0.7 g
2 액 :
물 300 ㎖
질산은 150 g
3 액 :
물 300 ㎖
염화나트륨 38 g
브롬화칼륨 32 g
헥사클로로이리듐 (III) 산칼륨
(0.005 % KCl 20 % 수용액) 8 ㎖
헥사클로로로듐산암모늄
(0.001 % NaCl 20 % 수용액) 10 ㎖
4 액 :
물 100 ㎖
질산은 50 g
5 액 :
물 100 ㎖
염화나트륨 13 g
브롬화칼륨 11 g
황혈염 5 mg
그 후, 통상적인 방법에 따라, 플로큐레이션법에 의해 수세 (水洗) 했다. 구체적으로는, 온도를 35 ℃ 로 내리고, 황산을 사용하여 할로겐화 은이 침강할 때까지 pH 를 내렸다 (pH 3.6 ± 0.2 의 범위였다). 다음으로, 상청액을 약 3 리터 제거했다 (제 1 수세). 또한 3 리터의 증류수를 첨가하고 나서, 할로겐화 은이 침강할 때까지 황산을 첨가했다. 재차, 상청액을 3 리터 제거했다 (제 2 수세). 제 2 수세와 동일한 조작을 다시 1 회 반복하고 (제 3 수세), 수세·탈염 공정을 종료했다. 수세·탈염 후의 유제를 pH 6.4, pAg 7.5 로 조정하고, 젤라틴 3.9 g, 벤젠티오술폰산나트륨 10 mg, 벤젠티오술핀산나트륨 3 mg, 티오황산나트륨 15 mg 과 염화금산 10 mg 을 첨가하여 55 ℃ 에서 최적 감도를 얻도록 화학 증감을 실시하고, 안정제로서 1,3,3a,7-테트라아자인덴 100 mg, 방부제로서 프록셀 (상품명, ICI Co., Ltd. 제조) 100 mg 을 첨가했다. 최종적으로 얻어진 유제는, 요오드화은을 0.08 몰% 포함하고, 염브롬화은의 비율을 염화은 70 몰%, 브롬화은 30 몰% 로 하는, 평균 입자경 0.22 ㎛, 변동 계수 9 % 의 요오드염 브롬화은 입방체 입자 유제였다.
(감광성층 형성용 조성물의 조제)
상기 유제에 1,3,3a,7-테트라아자인덴 1.2 × 10-4몰/몰 Ag, 하이드로퀴논 1.2 × 10-2 몰/몰 Ag, 시트르산 3.0 × 10-4 몰/몰 Ag, 2,4-디클로로-6-하이드록시-1,3,5-트리아진나트륨염 0.90 g/몰 Ag 를 첨가하고, 시트르산을 사용하여 도포액 pH 를 5.6 으로 조정하여, 감광성층 형성용 조성물을 얻었다.
(감광성층 형성 공정)
두께 100 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름에 코로나 방전 처리를 실시한 후, 상기 PET 필름의 양면에, 하도층으로서 두께 0.1 ㎛ 의 젤라틴층, 또한 하도층 상에 광학 농도가 약 1.0 으로 현상액의 알칼리에 의해 탈색되는 염료를 포함하는 안티 할레이션층을 형성했다. 상기 안티 할레이션층 상에, 상기 감광성층 형성용 조성물을 도포하고, 또한 두께 0.15 ㎛ 의 젤라틴층을 형성하여, 양면에 감광성층이 형성된 PET 필름을 얻었다. 얻어진 필름을 필름 A 로 한다. 형성된 감광성층은, 은량 6.0 g/㎡, 젤라틴량 1.0 g/㎡ 였다.
(노광 현상 공정)
상기 필름 A 의 양면에, 도 1 에 나타내는 바와 같은 터치 패널 센서 패턴 (제 1 전극부 및 제 2 전극부) 및 인출 배선부 (제 1 인출 배선부 및 제 2 인출 배선부) 를 배치한 포토마스크를 개재하여, 고압 수은 램프를 광원으로 한 평행광을 사용하여 노광을 실시했다. 노광 후, 하기의 현상액으로 현상하고, 또한 정착액 (상품명 : CN16X 용 N3X-R, 후지 필름사 제조) 을 사용하여 현상 처리를 실시했다. 또한, 순수로 린스하고, 건조시킴으로써, 양면에 Ag 세선으로 이루어지는 전극 패턴과 젤라틴층이 형성된 PET 필름을 얻었다. 젤라틴층은 Ag 세선간에 형성되어 있었다. 얻어진 필름을 필름 B 로 한다. 또한, 인출 배선부의 L/S (라인/스페이스) 는 100 ㎛/100 ㎛ 였다.
(현상액의 조성)
현상액 1 리터 (ℓ) 중에, 이하의 화합물이 포함된다.
하이드로퀴논 0.037 mol/ℓ
N-메틸아미노페놀 0.016 mol/ℓ
메타붕산나트륨 0.140 mol/ℓ
수산화나트륨 0.360 mol/ℓ
브롬화나트륨 0.031 mol/ℓ
메타중아황산칼륨 0.187 mol/ℓ
상기에서 얻어진 필름 B 의 일방의 면 상 (보텀면) 에 3M 사 제조 OCA (#8146-4 : 100 마이크로미터 두께), 키모토사 제조 하드 코트 필름 (G1SBF : 50 마이크로미터 두께) 을 이 순서로 적층했다. 또한, 필름 B 의 타방의 면 상 (탑면) 에 3M 사 제조 OCA (#8146-4 : 100 마이크로미터 두께) 를 첩합한 것을 제작했다. 또한, FPC 압착부에 상당하는 제 1 인출 배선부 및 제 2 인출 배선부의 각각의 타단 상에 위치하는 OCA 및 하드 코트 필름의 부분은, 사전에 도려내어 FPC 를 압착할 수 있도록 했다.
상기 적층체를 대략 센서 사이즈의 0.7 mm 두께의 소다라임 유리와 동일한 크기로 외형을 갖추고, FPC 를 소니케미컬즈사 제조 ACF (CP906AM-25AC) 로 압착 접합한 후에, 탑측에 상기 소다라임 유리를 첩부하여, 터치 패널을 제작했다.
상기 방법으로 제작한 터치 패널을, FG-3030C-20 (플로로테크놀로지사 제조, 불소계 표면 처리제) 중에 10 초간 침지시킨 후, 50 mm/초의 조건으로 건지고, 실온에서 30 분 건조시켜, FG-3030C-20 으로 형성되는 봉지층을 전체면 코트시킨 터치 패널을 얻었다. FG-3030C-20 의 표면 장력은 19 mN/m, 점도는 25 cps 였다. 또한, 형성된 봉지층의 두께는 10 ㎛ 였다. 그 후, 이 얻어진 터치 패널을 사용하여, JIS Z 2731 에 준거하여 중성 조건으로 염수 분무 시험을 실시했다. 또한, 계속해서, 60 ℃/90 % 의 고온 고습 중에 노출시켜 96 시간 흡습시킨 후, 절연 저항을 측정했다. 표 1 에 결과를 기재했다. 또한, 염수 분무 시험 전후의 이웃하는 인출 배선부간의 절연 저항값은 테스터 프로브를 사용하여 측정하고, 전체 배선부간의 평균치를 산출했다.
또한, 봉지층의 두께는, 광 간섭식 막후계 (K-MAC 사, ST-2000 DLXn) 를 사용하여, 임의의 20 지점 이상의 장소의 두께를 측정하고, 그것들을 산술 평균한 평균치이다.
상기 96 시간의 흡습 후의 터치 패널의 동작 확인을 실시하고, 이하의 기준에 따라 평가했다. 결과는 표 1 에 나타낸다. 또한, 이하에서 라인이란, 제 1 전극부 및 제 2 전극부를 의도한다.
「A」 : 모든 라인에서 동작이 확인되었다.
「B」 : 일부의 라인에서 동작 불량이 확인되었다.
「C」 : 모든 라인에서 동작 불량이 확인되었다.
(수율 평가)
상기 순서에 따라 제작한 터치 패널 50 피스를, 염수 시험 분무한 후 96 시간 흡습시킨 후, 다시 60 ℃/90 % 환경하에서 240 시간 방치한 후의 터치 패널의 동작 확인을 실시하고, 모든 라인에서 동작이 확인되는 「A」 랭크의 터치 패널의 비율 (%)[(「A」 랭크의 터치 패널의 수/50) × 100]을 평가했다. 결과는 표 1 에 나타낸다. 또한, 라인이란, 제 1 전극부 및 제 2 전극부를 의도한다.
<실시예 2>
상기 방법으로 제작한 터치 패널을 FG-3030C-20 (플로로테크놀로지사 제조, 불소계 표면 처리제) 중에 10 초간 침지시킨 후의 건지는 속도를, 50 mm/초에서 30 mm/초의 조건으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라 터치 패널을 제조하여, 각종 평가를 실시했다. 결과를 표 1 에 정리하여 나타낸다.
<실시예 3>
상기 방법으로 제작한 터치 패널을 FG-3030C-20 (플로로테크놀로지사 제조, 불소계 표면 처리제) 중에 10 초간 침지시킨 후의 건지는 속도를, 50 mm/초에서 20 mm/초의 조건으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라 터치 패널을 제조하여, 각종 평가를 실시했다. 결과를 표 1 에 정리하여 나타낸다.
<실시예 4>
상기 방법으로 제작한 터치 패널을 FG-3030C-20 (플로로테크놀로지사 제조, 불소계 표면 처리제) 중에 10 초간 침지시킨 후의 건지는 속도를, 50 mm/초에서 10 mm/초의 조건으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라 터치 패널을 제조하여, 각종 평가를 실시했다. 결과를 표 1 에 정리하여 나타낸다.
<실시예 5>
실시예 1 과 동일하게 제작한 터치 패널의 하드 코트 필름 및 유리면 상에, 터치 패널 사이즈보다 1 mm 작은 사이즈로 자른 보호 필름 (PAC3-70, 산에이 카켄) 을 붙인 상태에서, FG-3030C-20 (플로로테크놀로지사 제조, 불소계 표면 처리제) 중에 10 초간 침지시킨 후, 50 mm/초의 조건으로 건지고, 실온에서 30 분 건조시키고, 보호 필름을 벗겨, FG-3030C-20 으로 형성되는 봉지층을 터치 패널 측면 단부에 코트시킨 터치 패널을 얻었다. 또한, 터치 패널 단부에 형성된 봉지층의 두께는 10 ㎛ 였다.
실시예 5 에서 얻어진 터치 패널은, 보호 필름으로 보호한 하드 코트 필름 및 유리면 상 이외의 부분 (주로, 측단부) 에 봉지층이 배치되어 있다.
<비교예 1>
실시예 1 에서 실시한 FG-3030C-20 중에의 침지를 실시하지 않고, 봉지층을 제작하지 않은 것 이외는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라 터치 패널을 제조하여, 각종 평가를 실시했다. 결과를 표 1 에 정리하여 나타낸다.
<비교예 2>
봉지층의 두께를 10 ㎛ 에서 0.5 ㎛ 가 되도록 한 것 이외는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라 터치 패널을 제조하여, 각종 평가를 실시했다. 결과를 표 1 에 정리하여 나타낸다.
<비교예 3>
FG-3030C-20 대신에 아크릴 수지 (UV 경화형 접착제 NOA76, NORLAND 사 제조) 를 사용하여, UV 경화를 실시하고, 전체면 코트한 것 이외는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라 터치 패널을 제조하여, 각종 평가를 실시했다. 결과를 표 1 에 정리하여 나타낸다.
<비교예 4>
FG-3030C-20 대신에 에폭시 수지 (아랄다이트 스탠다드, 치바가이기사 제조) 를 사용하여, UV 경화를 실시하고, 전체면 코트한 것 이외는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라 터치 패널을 제조하여, 각종 평가를 실시했다. 결과를 표 1 에 정리하여 나타낸다.
<비교예 5>
FG-3030C-20 대신에 실리콘계 수지 (HIPEC-R6101/토레 다우코닝) 를 사용하여, UV 경화를 실시하고, 전체면 코트한 것 이외는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라 터치 패널을 제조하여, 각종 평가를 실시했다. 결과를 표 1 에 정리하여 나타낸다.
실시예 1 ∼ 5 및 비교예 2 ∼ 5 에서 제조한 봉지층의 수증기 투과도를, 상기 서술한 방법에 따라 측정했다. 결과는 표 1 에 정리하여 나타낸다.
Figure 112014128483634-pct00001
상기 표 1 중, 「> 10 MΩ」 이란 10 MΩ 이상인 것을 의미한다.
상기 표 1 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 정전 용량식 터치 패널을 사용한 실시예 1 ∼ 5 에 있어서는, 염수 시험 후에 있어서도 절연 저항이 300 MΩ 이상이고, 염수 시험 후의 동작 불량이 일어나지 않았다. 그 중에서도, 봉지층의 두께가 2 ㎛ 이상 (보다 바람직하게는 4 ㎛ 이상) 의 경우, 수율이 향상되고, 보다 우수한 효과가 얻어지는 것이 확인되었다.
한편, 봉지층을 형성하지 않은 비교예 1 에 있어서는, 염수 시험 후에 있어서 절연 저항이 크게 저하되고, 염수 시험 후의 동작 불량이 일어나고 있었다.
또, 봉지층의 두께가 0.5 ㎛ 인 비교예 2, 소정의 수증기 투과도를 나타내지 않는 봉지층을 사용한 비교예 3 ∼ 5 에 있어서도, 염수 시험 후에 있어서 절연 저항이 크게 저하되고, 염수 시험 후의 동작 불량이 일어나고 있었다.
<실시예 B>
(은나노 와이어 분산물의 조제)
은나노 와이어는, CAMBRIOS 사의 미국 출원 특허에 기재되어 있는 합성 방법 (공개 번호 US2008/0210052, EXAMPLE 8) 을 따라 제작했다. 이하에 상세 조건을 나타낸다.
질산은 1.9 g 을 1,2-프로필렌글리콜 115.79 g 에 용해하여, 반응액 A 를 조정했다. 폴리비닐피롤리돈 (Aldrich 사 제조 분자량 55000) 1.99 g 을 1,2-프로필렌글리콜 100 g 에 용해하여, 반응액 B 를 조정했다. 테트라부틸암모늄클로라이드 (Aldrich 사 제조) 0.288 g 을 1,2-프로필렌글리콜 199.71 g 에 용해하여, 반응액 C 를 조정했다. 300 ㎖ 의 유리제 3 구 플라스크에 반응액 B 를 42.68 g, 반응액 C 를 10 g 투입하고, 25 ℃ 의 환경하에서 테플론제 교반 날개를 사용하여 160 rpm 의 교반 속도로 혼합액을 교반했다. 교반을 계속한 상태에서, 반응액 A 를 52.65 g 투입하고, 투입 후에 교반 속도를 320 rpm 으로 설정하여 15 분 교반을 실시했다. 15 분 후에 플라스크를 오일 배스에 침지하고, 플라스크 내의 액 온도가 80 ℃ 가 되도록 오일 배스를 승온하여 온도 조정을 실시했다. 승온 개시 20 시간 후에, 플라스크 내의 반응액을 꺼냈다. 꺼낸 반응액 45 g 을 원심 분리용의 원심관에 넣고, 순수를 270 g 투입하여, 3000 rpm 으로 15 분 원심 분리를 실시했다. 원심 분리 후에 상청을 제거하고, 침강물에 소량의 순수를 넣어, 은나노 와이어 분산물 9.6 g 을 회수했다.
얻어진 은나노 와이어의 형상을, 투과형 전자 현미경으로 관찰했다. 은나노 와이어의 투과형 전자 현미경 이미지를 도 9 에 나타낸다. 와이어 직경 및 와이어 길이를 측정한 결과, 평균 와이어 직경은 32.14 nm (계측 갯수 161 개, 변동 계수 14.6 %), 평균 와이어 길이는 7.92 ㎛ (계측 갯수 237 개, 변동 계수 29.3 %) 였다. 계측한 와이어 직경 및 와이어 길이의 히스토그램을 도 10 에 나타낸다.
(도전층 형성용 조성물의 조제)
도전층의 형성은, CAMBRIOS 사의 미국 출원 특허에 기재되어 있는 도포액 처방 (공개 번호 US2008/0259262, EXAMPLE 2) 을 따라 조제했다. 이하에 상세 조건을 나타낸다.
이하 중량% 가 되도록, 도전층 형성용 도포액을 조제했다.
은나노 와이어 : 0.2 중량%
HPMC (하이드록시프로필메틸셀룰로오스) : 0.4 중량%
Triton-X100 : 0.025 중량%
물 : 49.375 중량%
이소프로판올 : 50.0 중량%
(도전층 형성)
조제한 도포액을, 두께 125 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 표면 상에, 재질이 sus 의 심 (심 두께 50 ㎛) 을 장착한 슬릿 다이코트를 사용하여 도포하고, 100 ℃ 에서 1 분간 건조시켜, 「도전층 A」 를 형성했다. 도전층 A 의 표면 저항값을 로레스타 4 단자법으로 측정한 결과, 50 Ω/□ 이었다.
(보호층 형성용 조성물의 조제)
하기 화합물을 혼합·교반하여, 보호층 도포액을 조제했다.
소켄 화학 (주) 제조 포렛트 GS-1000 (직사슬 아크릴계 수지, 고형분 농도 30 질량%) : 500 g
다이킨 공업 (주) 제조 오브툴 DAC (고형분 농도 20 질량%) : 0.75 g
아세트산에틸 : 1501.25 g
<보호층 형성>
조제한 보호층 도포액을 상기 도전층 A 상에, 재질이 sus 의 심 (심 두께 50 ㎛) 을 장착한 슬릿 다이코트를 사용하여 도포하고, 120 ℃ 에서 2 분간 건조시켜, 800 nm 의 보호층을 형성하여, 도전 적층체를 형성했다.
도전층의 패터닝은, ITO 도전막의 일반적인 패터닝 방법을 참고로 실시했다. 이하에 상세 조건을 나타낸다.
(제 1 전극 패턴 (제 1 전극부) 의 형성)
상기 방법으로 얻어진 도전 적층체 표면에, 에칭 마스크재를 네거티브형 포토레지스트 방식으로 형성하고, 은을 용해하는 에칭액에 침지함으로써 도전층의 도전부와 비도전부를 형성했다.
〔네거티브 레지스트 처방〕
(합성예 1) 바인더 (A-1) 의 합성
공중합체를 구성하는 모노머 성분으로서 MAA (메타크릴산 ; 7.79 g), BzMA (벤질메타크릴레이트 ; 37.21 g) 를 사용하고, 라디칼 중합 개시제로서 AIBN (2,2'-아조비스(이소부티로니트릴) ; 0.5 g) 을 사용하고, 이들을 용제 PGMEA (프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 ; 55.00 g) 중에 있어서 중합 반응시킴으로써 하기 식으로 나타내는 바인더 (A-1) 의 PGMEA 용액 (고형분 농도 : 45 질량%) 을 얻었다. 또한, 중합 온도는, 온도 60 ℃ 내지 100 ℃ 로 조정했다.
분자량은 겔 퍼미에이션 크로마토그래피법 (GPC) 을 사용하여 측정한 결과, 폴리스티렌 환산에 의한 중량 평균 분자량 (Mw) 은 30,000, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는 2.21 이었다.
[화학식 1]
Figure 112014128483634-pct00002
-감광성 조성물 (1) 의 조제-
바인더 (A-1) 3.80 질량부 (고형분 40.0 질량%, PGMEA 용액), 감광성 화합물로서의 KAYARAD DPHA (닛폰 화약 주식회사 제조) 1.59 질량부, 광 중합 개시제로서의 IRGACURE379 (치바·스페셜티·케미컬즈 주식회사 제조) 0.159 질량부, 가교제로서의 EHPE-3150 (다이셀 화학 주식회사 제조) 0.150 질량부, 메가팍크 F781F (DIC 주식회사 제조) 0.002 질량부, 및 PGMEA 19.3 질량부를 첨가하여 교반하고, 감광성 조성물 (1) 을 조제했다.
-레지스트 패터닝 (에칭 마스크재 부여) 공정-
상기에서 얻어진 도전 적층체 상에, 감광성 조성물 (1) 을 건조 막두께 5 ㎛ 가 되도록 바 도포하고, 150 ℃ 의 오븐으로 5 분간 건조시켰다. 이 기판에 노광 유리 마스크 상으로부터, 고압 수은등 i 선 (365 nm) 을 400 mJ/㎠ (조도 50 mW/㎠) 노광을 실시했다.
노광 후의 기판을, 1 % 수산화나트륨 수용액 (35 ℃) 으로 샤워 현상 60 초간을 실시했다. 샤워압은 0.08 MPa, 스트라이프 패턴이 출현할 때까지의 시간은 30 초였다. 순수의 샤워로 린스한 후, 50 ℃ 에서 1 분간 건조시켜, 레지스트 패턴이 형성된 도전 적층체를 제작했다.
또한, 노광 유리 마스크는, 정전 용량식 터치 패널의 센서 전극이 형성 가능한 마스크를 사용했다.
-에칭 공정-
레지스트 패턴이 형성된 도전 적층체를, 에칭액 (질산) 에 침지했다. 35 ℃ 로 조정한 에칭액에 2 분간 침지시켜 에칭 처리를 실시하고, 순수의 샤워로 린스한 후, 에어 나이프로 샘플 표면의 물을 날려 버리고, 60 ℃ 에서 5 분간 건조시켜, 레지스트 패턴이 형성된 패턴상 도전 적층체를 제작했다.
-레지스트 박리 공정-
에칭 후의 레지스트 패턴이 형성된 패턴상 도전 적층체를, 35 ℃ 로 보온한 2.38 % 테트라메틸암모늄하이드록시드 수용액으로 샤워 현상 75 초간을 실시했다. 샤워압은 3.0 MPa 였다. 순수의 샤워로 린스한 후, 에어 나이프로 샘플 표면의 물을 날려 버리고, 60 ℃ 에서 5 분간 건조시켜, 제 1 전극 패턴 부재를 제작했다. 제작한 제 1 전극 패턴 부재의 전극부의 단자간 저항값을 테스터로 측정한 결과, 원하는 저항값을 나타내고, 인접 전극부간의 절연 저항값은 10 MΩ 이상이었다.
(제 2 전극 패턴 (제 2 전극부) 의 형성)
다음으로, 제 1 전극 패턴의 형성 방법과 방향이 90 도 상이한 것 이외는 동일한 방법으로 제 2 전극 패턴 부재를 제작했다. 얻어진 제 2 전극 패턴 부재의 전극부의 단자간 저항값을 테스터로 측정한 결과, 원하는 저항값을 나타내고, 인접 전극부간의 절연 저항값은 10 MΩ 이상이었다.
(주변 배선 형성)
상기 패터닝에 의해 형성된, 제 1 전극 패턴 부재 중의 제 1 전극 패턴 및 제 2 전극 패턴 부재 중의 제 2 전극 패턴에 접속된 인출 배선 (주변 배선) 은, 이하와 같이 제작했다. 즉, 은 페이스트 (도타이트 FA-401CA, 후지쿠라 화성 제조) 를 스크린 인쇄기로 인쇄한 후, 130 ℃, 30 분 어닐 처리함으로써 경화하여, 인출 배선 (주변 배선) 을 형성했다. 또한, 인출 배선의 L/S (라인/스페이스) 는 100 ㎛/100 ㎛ 이며, 인접하는 인출 배선간의 절연 저항값은 10 MΩ 이상이었다.
또한, 스크린 인쇄판은 정전 용량식 터치 패널용 주변 배선이 형성 가능한 인쇄판을 사용했다.
(터치 패널 제작 방법)
상기 방법으로 제작한 제 1 전극 패턴 부재와 제 2 전극 패턴 부재의 전극부면끼리를 서로 마주 보게 하고, 3M 사 제조 OCA (#8146-4 : 100 마이크로미터 두께) 를 사이에 배치하여, 제 1 전극 패턴 부재 및 제 2 전극 패턴 부재를 첩합하여, 적층체를 얻었다. 또한, 여기에 사용하는 OCA 는, 제 1 전극 패턴 부재 및 제 2 전극 패턴 부재의 인출 배선의 타단이 노출되도록, FPC 압착부에 상당하는 부분을 사전에 도려내어 FPC 를 압착할 수 있도록 했다. 상기 적층체에, 대략 센서 사이즈의 0.7 mm 두께의 소다라임 유리와 동일한 크기로 외형을 갖추어 FPC 를 소니케미컬즈사 제조 ACF (CP906AM-25AC) 로 압착 접합했다. 그 후, 적층체 중의 제 1 전극 패턴 부재의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에, 3M 사 제조 OCA (#8146-4 : 100 마이크로미터 두께), 키모토사 제조 하드 코트 필름 (G1SBF : 50 마이크로미터 두께) 을 순서대로 적층하고, 적층체 중의 제 2 전극 패턴 부재의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에, 3M 사 제조 OCA (#8146-4 : 100 마이크로미터 두께), 소다라임 유리를 첩부했다.
(실시예 11)
상기 방법으로 제작한 터치 패널을, FG-3030C-20 (플로로테크놀로지사 제조, 불소계 표면 처리제) 중에 10 초간 침지시킨 후, 50 mm/초의 조건으로 건지고, 실온에서 30 분 건조시켜, FG-3030C-20 을 전체면 코트시킨 터치 패널을 얻었다. 그 후, 얻어진 터치 패널을 사용하여, JIS Z 2731 에 준거하여 중성 조건으로 염수 분무 시험을 실시했다. 또한, 계속해서, 60 ℃/90 % 의 고온 고습 중에 노출시켜 96 시간 흡습시킨 후, 절연 저항을 측정했다. 표 2 에 결과를 나타낸다. 또한, 염수 분무 시험 전후의 이웃하는 인출 배선부간의 절연 저항값은 테스터 프로브를 사용하여 측정하고, 전체 배선부간의 평균치를 산출했다.
상기 96 시간의 흡습 후의 터치 패널의 동작 확인을 실시하고, 이하의 기준에 따라 평가했다. 결과는 표 1 에 나타낸다. 또한, 이하에서 라인이란, 제 1 전극부 및 제 2 전극부를 의도한다.
「A」 : 모든 라인에서 동작이 확인되었다.
「B」 : 일부의 라인에서 동작 불량이 확인되었다.
「C」 : 모든 라인에서 동작 불량이 확인되었다.
(실시예 12)
상기 방법으로 제작한 터치 패널을 FG-3030C-20 (플로로테크놀로지사 제조, 불소계 표면 처리제) 중에 10 초간 침지시킨 후의 건지는 속도를, 50 mm/초에서 30 mm/초의 조건으로 변경한 것 이외에는, 실시예 11 과 동일한 순서에 따라 터치 패널을 제조하여, 각종 평가를 실시했다. 결과를 표 2 에 정리하여 나타낸다.
(실시예 13)
상기 방법으로 제작한 터치 패널을, FG-3030C-20 (플로로테크놀로지사 제조, 불소계 표면 처리제) 중에 10 초간 침지시킨 후의 건지는 속도를, 50 mm/초에서 20 mm/초의 조건으로 변경한 것 이외에는, 실시예 11 과 동일한 순서에 따라 터치 패널을 제조하여, 각종 평가를 실시했다. 결과를 표 2 에 정리하여 나타낸다.
(실시예 14)
상기 방법으로 제작한 터치 패널을, FG-3030C-20 (플로로테크놀로지사 제조, 불소계 표면 처리제) 중에 10 초간 침지시킨 후의 건지는 속도를, 50 mm/초에서 10 mm/초의 조건으로 변경한 것 이외에는, 실시예 11 과 동일한 순서에 따라 터치 패널을 제조하여, 각종 평가를 실시했다. 결과를 표 2 에 정리하여 나타낸다.
(비교예 11)
실시예 11 에서 실시한 FG-3030C-20 중에의 침지를 실시하지 않고, 봉지층을 제작하지 않은 것 이외는, 실시예 11 과 동일한 순서에 따라 터치 패널을 제조하여, 각종 평가를 실시했다. 결과를 표 2 에 정리하여 나타낸다.
(비교예 12)
상기 방법으로 제작한 터치 패널의 단면을 마스킹한 상태로, FG-3030C-20 (플로로테크놀로지사 제조, 불소계 표면 처리제) 중에 10 초간 침지시킨 후, 2 cm/S 의 조건으로 건지고, 실온에서 30 분 건조시켜, FG-3030C-20 을 ACF/FPC 부에만 코트시킨 구조물을 얻었다. 그 후, 실시예 11 과 동일한 평가를 실시했다. 표 2 에 결과를 기재했다.
또한, 상기 구조물에서는, 인출 배선부의 노출면 상에만 투명 수지층이 배치되어 있고, 투명 수지층 (OCA) 의 일부의 노출 측면부 상에 봉지층 (FG-3030C-20) 이 배치되어 있지 않다.
(비교예 13)
상기 방법으로 제작한 터치 패널을 FG-3030C-20 (플로로테크놀로지사 제조, 불소계 표면 처리제) 중에 10 초간 침지시킨 후의 건지는 속도를, 50 mm/초에서 5 mm/초의 조건으로 변경한 것 이외에는, 실시예 11 과 동일한 순서에 따라 터치 패널을 제조하여, 각종 평가를 실시했다. 결과를 표 2 에 정리하여 나타낸다.
Figure 112014128483634-pct00003
상기 표 2 중, 「> 10 MΩ」 이란 10 MΩ 이상인 것을 의미한다.
상기 표 2 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 정전 용량식 터치 패널을 사용한 실시예 11 ∼ 14 에 있어서는, 염수 시험 후에 있어서도 절연 저항이 300 MΩ 이상이며, 염수 시험 후의 동작 불량이 일어나지 않았다. 그 중에서도, 봉지층의 두께가 2 ㎛ 이상 (보다 바람직하게는 4 ㎛ 이상) 의 경우, 수율이 향상되고, 보다 우수한 효과가 얻어지는 것이 확인되었다.
한편, 봉지층을 형성하지 않은 비교예 11 에 있어서는, 염수 시험 후에 있어서 절연 저항이 크게 저하되고, 염수 시험 후의 동작 불량이 일어나고 있었다.
또, 투명 수지층의 노출 부분 상에 봉지층이 형성되어 있지 않은 비교예 12, 및, 봉지층의 두께가 0.5 ㎛ 인 비교예 13 에 있어서는, 염수 시험 후에 있어서 절연 저항이 크게 저하되고, 염수 시험 후의 동작 불량이 일어나고 있었다.
<실시예 C>
(제 1 전극 패턴 (제 1 전극부) 의 형성)
ITO 투명 도전 재료 표면 (ALDRICH 사 제조, 639281-1EA, 100 Ω/□) 에, 에칭 마스크재를 네거티브형 포토레지스트 방식으로 형성하고, ITO 를 용해하는 에칭액에 침지함으로써 도전층의 도전부와 비도전부를 형성했다.
-레지스트 패터닝 (에칭 마스크재 부여) 공정-
ITO 투명 도전 재료 표면 상에, 상기 서술한 실시예 B 에서 조제한 감광성 조성물 (1) 을 건조 막두께 5 ㎛ 가 되도록 바 도포하고, 150 ℃ 의 오븐으로 5 분간 건조시켰다. 이 기판에 노광 유리 마스크 상으로부터, 고압 수은등 i 선 (365 nm) 을 400 mJ/㎠ (조도 50 mW/㎠) 노광을 실시했다.
노광 후의 기판을, 1 % 수산화나트륨 수용액 (35 ℃) 으로 샤워 현상 60 초간을 실시했다. 샤워압은 0.08 MPa, 스트라이프 패턴이 출현할 때까지의 시간은 30 초였다. 순수의 샤워로 린스한 후, 50 ℃ 에서 1 분간 건조시켜, 레지스트 패턴이 형성된 도전성 부재를 제작했다.
또한, 노광 유리 마스크는, 정전 용량식 터치 패널의 센서 전극이 형성 가능한 마스크를 사용했다.
-에칭 공정-
레지스트 패턴이 형성된 도전성 부재를, ITO 용 에칭액에 침지했다. 35 ℃ 로 조정한 에칭액에 2 분간 침지시켜 에칭 처리를 실시하고, 순수의 샤워로 린스한 후, 에어 나이프로 샘플 표면의 물을 날려 버리고, 60 ℃ 에서 5 분간 건조시켜, 레지스트 패턴이 형성된 패턴상 도전성 부재를 제작했다.
-레지스트 박리 공정-
에칭 후의 레지스트 패턴이 형성된 패턴상 도전성 부재를, 35 ℃ 로 보온한 2.38 % 테트라메틸암모늄하이드록시드 수용액으로 샤워 현상 75 초간을 실시했다. 샤워압은 3.0 MPa 였다. 순수의 샤워로 린스한 후, 에어 나이프로 샘플 표면의 물을 날려 버리고, 60 ℃ 에서 5 분간 건조시켜, 제 1 전극 패턴 부재를 제작했다. 제작한 제 1 전극 패턴 부재의 전극부의 단자간 저항값을 테스터로 측정한 결과, 원하는 저항값을 나타내고, 인접 전극부간의 절연 저항값은 10 MΩ 이상이었다.
(제 2 전극 패턴 (제 2 전극부) 의 형성)
다음으로, 제 1 전극 패턴의 형성 방법과 방향이 90 도 상이한 것 이외는 동일한 방법으로 제 2 전극 패턴 부재를 제작했다. 얻어진 제 2 전극 패턴 부재의 전극부의 단자간 저항값을 테스터로 측정한 결과, 원하는 저항값을 나타내고, 인접 전극부간의 절연 저항값은 10 MΩ 이상이었다.
(주변 배선 형성)
상기 패터닝에 의해 형성된, 제 1 전극 패턴 부재 중의 제 1 전극 패턴 및 제 2 전극 패턴 부재 중의 제 2 전극 패턴에 접속된 인출 배선 (주변 배선) 은, 이하와 같이 제작했다. 즉, 은 페이스트 (도타이트 FA-401CA, 후지쿠라 화성 제조) 를 스크린 인쇄기로 인쇄한 후, 130 ℃, 30 분 어닐 처리함으로써 경화하여, 주변 배선을 형성했다. 또한, 인출 배선의 L/S (라인/스페이스) 는 100 ㎛/100 ㎛ 이며, 인접하는 인출 배선간의 절연 저항값은 10 MΩ 이상이었다.
또한, 스크린 인쇄판은 정전 용량식 터치 패널용 주변 배선이 형성 가능한 인쇄판을 사용했다.
(터치 패널 제작 방법)
상기 방법으로 제작한 제 1 전극 패턴 부재와 제 2 전극 패턴 부재의 전극면을 서로 마주 보게 하여, 3M 사 제조 OCA (#8146-4 : 100 마이크로미터 두께) 를 사이에 배치하고, 제 1 전극 패턴 부재 및 제 2 전극 패턴 부재를 첩합하여, 적층체를 얻었다. 또한, 여기에 사용하는 OCA 는, 제 1 전극 패턴 부재 및 제 2 전극 패턴 부재의 인출 배선의 타단이 노출되도록, FPC 압착부에 상당하는 부분을 사전에 도려내어 FPC 를 압착할 수 있도록 했다. 상기 적층물에, 대략 센서 사이즈의 0.7 mm 두께의 소다라임 유리와 동일한 크기로 외형을 갖추어 FPC 를 소니케미컬즈사 제조 ACF (CP906AM-25AC) 로 압착 접합했다. 그 후, 적층체 중의 제 1 전극 패턴 부재측의 표면 상에, 3M 사 제조 OCA (#8146-4 : 100 마이크로미터 두께), 키모토사 제조 하드 코트 필름 (G1SBF : 50 마이크로미터 두께) 을 순서대로 적층하고, 적층체 중의 제 2 전극 패턴 부재측의 표면 상에, 3M 사 제조 OCA (#8146-4 : 100 마이크로미터 두께), 소다라임 유리를 첩부했다.
<봉지 방법>
(실시예 21)
상기 방법으로 제작한 터치 패널을, FG-3030C-20 (플로로테크놀로지사 제조, 불소계 표면 처리제) 중에 10 초간 침지시킨 후, 50 mm/초의 조건으로 건지고, 실온에서 30 분 건조시켜, FG-3030C-20 을 전체면 코트시킨 터치 패널을 얻었다. 그 후, 얻어진 터치 패널을 사용하여, JIS Z 2731 에 준거하여 중성 조건으로 염수 분무 시험을 실시했다. 또한, 계속해서, 60 ℃/90 % 의 고온 고습 중에 노출시켜 96 시간 흡습시킨 후, 절연 저항을 측정했다. 표 3 에 결과를 나타낸다. 또한, 염수 분무 시험 전후의 이웃하는 인출 배선부간의 절연 저항값은 테스터 프로브를 사용하여 측정하고, 전체 배선부간의 평균치를 산출했다.
상기 96 시간의 흡습 후의 터치 패널의 동작 확인을 실시하고, 이하의 기준에 따라 평가했다. 결과는 표 3 에 나타낸다. 또한, 이하에서 라인이란, 제 1 전극부 및 제 2 전극부를 의도한다.
「A」 : 모든 라인에서 동작이 확인되었다.
「B」 : 일부의 라인에서 동작 불량이 확인되었다.
「C」 : 모든 라인에서 동작 불량이 확인되었다.
(실시예 22)
상기 방법으로 제작한 터치 패널을, FG-3030C-20 (플로로테크놀로지사 제조, 불소계 표면 처리제) 중에 10 초간 침지시킨 후의 건지는 속도를, 50 mm/초에서 30 mm/초의 조건으로 변경한 것 이외에는, 실시예 21 과 동일한 순서에 따라 터치 패널을 제조하여, 각종 평가를 실시했다. 결과를 표 3 에 정리하여 나타낸다.
(비교예 21)
실시예 21 에서 실시한 FG-3030C-20 중에의 침지를 실시하지 않고, 봉지층을 제작하지 않은 것 이외는, 실시예 21 과 동일한 순서에 따라 터치 패널을 제조하여, 각종 평가를 실시했다. 결과를 표 3 에 정리하여 나타낸다.
(비교예 22)
상기 방법으로 제작한 터치 패널을 FG-3030C-20 (플로로테크놀로지사 제조, 불소계 표면 처리제) 중에 10 초간 침지시킨 후의 건지는 속도를, 50 mm/초에서 5 mm/초의 조건으로 변경한 것 이외에는, 실시예 11 과 동일한 순서에 따라 터치 패널을 제조하여, 각종 평가를 실시했다. 결과를 표 3 에 정리하여 나타낸다.
Figure 112014128483634-pct00004
상기 표 3 중, 「> 10 MΩ」 이란 10 MΩ 이상인 것을 의미한다.
상기 표 3 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 정전 용량식 터치 패널을 사용한 실시예 21 ∼ 22 에 있어서는, 염수 시험 후에 있어서도 절연 저항이 300 MΩ 이상이며, 염수 시험 후의 동작 불량이 일어나지 않았다.
한편, 봉지층을 형성하지 않은 비교예 21 에 있어서는, 염수 시험 후에 있어서 절연 저항이 크게 저하되고, 염수 시험 후의 동작 불량이 일어나 있었다.
또, 봉지층의 두께가 0.5 ㎛ 인 비교예 22 에 있어서는, 염수 시험 후에 있어서 절연 저항이 크게 저하되고, 염수 시험 후의 동작 불량이 일어나 있었다.
10 : 절연층
12 : 제 1 전극부
14 : 제 1 인출 배선부
16 : 제 1 투명 수지층
18 : 제 1 보호 기판
20 : 제 2 전극부
22 : 제 2 인출 배선부
24 : 제 2 투명 수지층
26 : 제 2 보호 기판
28 : 봉지층
30 : 플렉시블 프린트 배선판
36 : 도전성 세선
38 : 격자
40 : 제 1 절연층
42 : 제 2 절연층
44 : 보호 기판
46 : 점퍼
48 : 투명 수지층
50 : 스루홀
52 : 접속부
54 : 전극부
56 : 인출 배선부
100, 150, 200, 300, 400, 500, 600 : 정전 용량식 터치 패널
110 : 백라이트
120, 140 : 편광판
130 : LCD
160 : 보호 기판
170a, 170b, 170c : 입력 장치
180 : 투명 수지층

Claims (13)

  1. 절연층과,
    상기 절연층의 적어도 일방의 주면 상에 배치된 복수의 전극부와,
    상기 절연층의 상기 복수의 전극부가 배치된 주면 상에 배치됨과 함께 각각 일단이 대응하는 상기 전극부에 접속된 복수의 인출 배선부와,
    상기 인출 배선부의 각각의 타단이 노출되도록, 상기 전극부 및 상기 인출 배선부 상에 배치된 투명 수지층과,
    상기 투명 수지층 상에 배치된 기판을 구비하고,
    적어도, 상기 절연층과 상기 기판의 사이로부터 노출되어 있는 상기 투명 수지층의 주연부의 표면 상, 및, 상기 인출 배선부의 노출면 상에 봉지층이 배치되고,
    상기 봉지층의 수증기 투과도가 20 g/㎡/24 h/atm (25 ℃ 90 %RH, 25 ㎛) 이하이며, 상기 봉지층의 층두께가 1.0 ㎛ 이상인, 정전 용량식 터치 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    절연층과,
    상기 절연층의 표면 상에 배치된 복수의 제 1 전극부와,
    상기 절연층의 표면 상에 배치됨과 함께 각각 일단이 대응하는 상기 제 1 전극부에 접속된 복수의 제 1 인출 배선부와,
    상기 제 1 인출 배선부의 각각의 타단이 노출되도록, 상기 제 1 전극부 및 상기 제 1 인출 배선부 상에 배치된 제 1 투명 수지층과,
    상기 제 1 투명 수지층 상에 배치된 제 1 보호 기판과,
    상기 절연층의 이면 상에 배치된 복수의 제 2 전극부와,
    상기 절연층의 이면 상에 배치됨과 함께 각각 일단이 대응하는 상기 제 2 전극부에 접속된 복수의 제 2 인출 배선부와,
    상기 제 2 인출 배선부의 각각의 타단이 노출되도록, 상기 제 2 전극부 및 상기 제 2 인출 배선부 상에 배치된 제 2 투명 수지층과,
    상기 제 2 투명 수지층 상에 배치된 제 2 보호 기판을 가지며,
    적어도, 상기 절연층과 상기 제 1 보호 기판의 사이로부터 노출되어 있는 상기 제 1 투명 수지층의 주연부의 표면 상 및 상기 절연층과 상기 제 2 보호 기판의 사이로부터 노출되어 있는 상기 제 2 투명 수지층의 주연부의 표면 상과, 상기 제 1 인출 배선부 및 상기 제 2 인출 배선부의 노출면 상에 봉지층이 배치되고,
    상기 봉지층의 수증기 투과도가 20 g/㎡/24 h/atm (25 ℃ 90 %RH, 25 ㎛) 이하이며, 상기 봉지층의 층두께가 1.0 ㎛ 이상인, 정전 용량식 터치 패널.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 봉지층이, 불소계 수지를 포함하는, 정전 용량식 터치 패널.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 봉지층이, 불소 원자를 1 질량% 이상 포함하는, 정전 용량식 터치 패널.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 봉지층이, 봉지층 형성용 조성물에 의해 형성된 층이며,
    상기 봉지층 형성용 조성물의 표면 장력이 20 mN/m 이하이며,
    상기 봉지층 형성용 조성물의 점도가 100 cps 이하인, 정전 용량식 터치 패널.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 정전 용량식 터치 패널을 구비하는, 입력 디바이스.
  7. 제 2 항에 기재된 정전 용량식 터치 패널의 제조 방법으로서,
    절연층과, 상기 절연층의 표면 상에 배치된 복수의 제 1 전극부와, 상기 절연층의 표면 상에 배치됨과 함께 각각 일단이 대응하는 상기 제 1 전극부에 접속된 복수의 제 1 인출 배선부와, 상기 제 1 인출 배선부의 각각의 타단이 노출되도록 상기 제 1 전극부 및 상기 제 1 인출 배선부 상에 배치된 제 1 투명 수지층과, 상기 제 1 투명 수지층 상에 배치된 제 1 보호 기판과, 상기 제 1 보호 기판의 주면 상에 박리 가능하게 배치된 제 1 보호 필름과, 상기 절연층의 이면 상에 배치된 복수의 제 2 전극부와, 상기 절연층의 이면 상에 배치됨과 함께 각각 일단이 대응하는 상기 제 2 전극부에 접속된 복수의 제 2 배선부와, 상기 제 2 인출 배선부의 각각의 타단이 노출되도록, 상기 제 2 전극부 및 상기 제 2 인출 배선부 상에 배치된 제 2 투명 수지층과, 상기 제 2 투명 수지층 상에 배치된 제 2 보호 기판과, 상기 제 2 보호 기판의 주면 상에 박리 가능하게 배치된 제 2 보호 필름을 갖는 적층체를, 봉지제를 포함하는 봉지층 형성용 조성물에 접촉시키는 공정을 구비하는, 정전 용량식 터치 패널의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 접촉이, 스프레이 처리, 침지 처리, 또는 디스펜스에 의해 실시되는, 정전 용량식 터치 패널의 제조 방법.
  9. 절연층과,
    상기 절연층의 적어도 일방의 주면 상에 배치된 복수의 전극부와,
    상기 절연층의 상기 복수의 전극부가 배치된 주면 상에 배치됨과 함께 각각 일단이 대응하는 상기 전극부에 접속된 복수의 인출 배선부와,
    상기 인출 배선부의 각각의 타단이 노출되도록, 상기 전극부 및 상기 인출 배선부 상에 배치된 투명 수지층과,
    상기 투명 수지층 상에 배치된 기판을 구비하고,
    적어도, 상기 절연층과 상기 기판의 사이로부터 노출되어 있는 상기 투명 수지층의 주연부의 표면 상, 및, 상기 인출 배선부의 노출면 상에 봉지층이 배치되고,
    상기 봉지층의 수증기 투과도가 20 g/㎡/24 h/atm (25 ℃ 90 %RH, 25 ㎛) 이하이며, 상기 봉지층의 층두께가 1.0 ㎛ 이상이고,
    JIS Z 2371 의 염수 분무 시험 24 시간 후에 측정한 이웃하는 상기 인출 배선부간의 직류 저항이 300 kΩ 이상인, 정전 용량식 터치 패널.
  10. 삭제
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 인출 배선부가 은을 포함하는, 정전 용량식 터치 패널.
  12. 제 9 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 전극부가, 금속 산화물로 이루어지는 투명 전극부인, 정전 용량식 터치 패널.
  13. 제 9 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 전극부가, 평균 와이어 직경 50 nm 이하이고, 평균 와이어 길이 5 ㎛ 이상인 금속 나노 와이어로 이루어지는 투명 전극부인, 정전 용량식 터치 패널.
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014219963A (ja) * 2013-04-12 2014-11-20 信越ポリマー株式会社 センサーシート作製用シート及びその製造方法、タッチパッド用センサーシート及びその製造方法
TWI503721B (zh) * 2013-05-09 2015-10-11 Henghao Technology Co Ltd 觸控電極裝置
JP2015133250A (ja) * 2014-01-14 2015-07-23 デクセリアルズ株式会社 分散液、透明導電膜、情報入力装置、電子機器、及び透明導電膜の製造方法
KR20150112233A (ko) * 2014-03-27 2015-10-07 삼성전기주식회사 터치센서 모듈
CN104951155B (zh) * 2014-03-31 2019-05-17 宸盛光电有限公司 电容式触控装置及其制作方法
CN104951156A (zh) * 2014-03-31 2015-09-30 宸盛光电有限公司 电容式触控装置
KR102355326B1 (ko) * 2014-07-24 2022-01-26 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 그 제조방법
JP6507511B2 (ja) * 2014-07-25 2019-05-08 大日本印刷株式会社 多層基材及びタッチパネル画像表示装置
CN104317445A (zh) * 2014-10-15 2015-01-28 重庆京东方光电科技有限公司 触控基板及其制备方法、触控显示面板
KR102297878B1 (ko) * 2015-01-16 2021-09-03 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널 및 그 제조 방법
KR102380157B1 (ko) * 2015-03-04 2022-03-29 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
TWI657362B (zh) * 2015-03-23 2019-04-21 群創光電股份有限公司 觸控裝置
KR20170018718A (ko) 2015-08-10 2017-02-20 삼성전자주식회사 비정질 합금을 이용한 투명 전극 및 그 제조 방법
CN106484165B (zh) * 2015-08-31 2023-10-24 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控面板及其制造方法
TW201740524A (zh) * 2016-05-10 2017-11-16 Sony Corp 導電性元件、輸入裝置及電子機器
WO2018012108A1 (ja) * 2016-07-12 2018-01-18 ソニー株式会社 調光装置、画像表示装置及び表示装置
JP6716384B2 (ja) * 2016-07-29 2020-07-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
TWI639936B (zh) * 2016-08-01 2018-11-01 宏達國際電子股份有限公司 窄邊框設計的觸控模組以及觸控顯示裝置
KR102563741B1 (ko) 2016-09-06 2023-08-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20180044618A (ko) 2016-10-24 2018-05-03 현대자동차주식회사 투명 전극 필름 및 이를 포함하는 터치 패널
CN106681559B (zh) * 2017-01-03 2020-12-08 京东方科技集团股份有限公司 触控面板及其制造方法、触控显示装置
US20180338544A1 (en) * 2017-05-26 2018-11-29 Taiwan Textile Research Institute Fabric module and smart fabric using the same
KR102424954B1 (ko) 2017-08-07 2022-07-26 삼성디스플레이 주식회사 입력 감지 유닛 및 이를 구비한 표시 장치
WO2019124307A1 (ja) * 2017-12-20 2019-06-27 住友電気工業株式会社 プリント配線板の製造方法及び積層体
US20200175836A1 (en) * 2018-12-03 2020-06-04 Gerald Rogers Moisture Detection System With Soluble Conductor
CN113961088A (zh) * 2020-07-20 2022-01-21 宸美(厦门)光电有限公司 触控面板及其装置
KR20220169972A (ko) * 2021-06-21 2022-12-29 삼성디스플레이 주식회사 터치 부재 및 이를 포함하는 표시 장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11296287A (ja) * 1998-04-13 1999-10-29 Sharp Corp タブレット入力装置
US7589798B2 (en) * 2001-09-06 2009-09-15 Nissha Printing Co., Ltd. Touch panel having upper electrode plate including electrode, polarizing plate, quarter wave plate and heat-resistant transparent resin plate
JP2003157149A (ja) 2001-09-06 2003-05-30 Nissha Printing Co Ltd 高耐久性を有するタッチパネル
JP2004030317A (ja) 2002-06-26 2004-01-29 Fujitsu Component Ltd タッチパネル
WO2008117601A1 (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. シンチレータパネルとその製造方法
JP5611864B2 (ja) * 2011-03-09 2014-10-22 アルプス電気株式会社 入力装置及び入力装置の製造方法

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