JP6126906B2 - 窒化物半導体エピタキシャルウェハ - Google Patents
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基板と、
上記基板上に形成された初期成長層と、
上記初期成長層上に形成されると共に、Al組成が上方に向かって連続的あるいは段階的に減少するAl組成傾斜層と、
上記Al組成傾斜層上に形成されると共に、組成がAlaGa1-aN(0<a≦0.3)である低Al含有層と組成がAlbGa1-bN(0.5≦b≦1.0)である高Al含有層とが交互に積層された超格子層で、AlcGa1-cN層(0<c<1)を挟んでなる三層構造体と、
上記三層構造体を構成する上記超格子層上に形成された窒化物半導体と
を備え、
上記Al組成傾斜層と上記窒化物半導体との間には、上記三層構造体が複数形成されており、
上記複数の三層構造体は、上記超格子層と上記AlcGa1-cN層との格子定数の違いに起因する応力によって、上記基板と上記初期成長層との界面に発生して上方に向かって伸びる転位を低減して、上記窒化物半導体の結晶性を改善する結晶性改善層を構成しており、
上記三層構造体を構成する上記Al c Ga 1-c N層におけるAl組成cは、
上記超格子層における上記Al a Ga 1-a Nの膜厚がd1であり、上記Al b Ga 1-b Nの膜厚がd2である場合に、
0<c<(d1*a+d2*b)/(d1+d2)
なる関係を有している
ことを特徴としている。
上記三層構造体を構成する上記AlcGa1-cN層の膜厚は、10nm以上且つ300nm以下である。
図1は、本実施の形態の窒化物半導体エピタキシャルウェハとしてのトランジスタにおける断面図である。
c<(d1*a+d2*b)/(d1+d2)
の関係を有している。
(d1*a+d2*b)/(d1+d2)
よりも小さいことが望ましい。
(d1*a+d2*b)/(d1+d2)
よりも小さく設定している。
本実施の形態は、上記第1実施の形態において、上記超格子層7で挟まれて上記セットを形成するAl0.1Ga0.9N層8の膜厚がウェハの反りに及ぼす影響に関するものである。
表2
基板(1)と、
上記基板(1)上に形成された初期成長層(2)と、
上記初期成長層(2)上に形成されると共に、Al組成が上方に向かって連続的あるいは段階的に減少するAl組成傾斜層(6)と、
上記Al組成傾斜層(6)上に形成されると共に、組成がAlaGa1-aN(0<a≦0.3)である低Al含有層と組成がAlbGa1-bN(0.5≦b≦1.0)である高Al含有層とが交互に積層された超格子層(7,7’,7’’)で、AlcGa1-cN層(8,8’)を挟んでなる三層構造体と、
上記三層構造体を構成する上記超格子層(7’’)上に形成された窒化物半導体(9〜12)と
を備え、
上記Al組成傾斜層(6)と上記窒化物半導体(9〜12)との間には、上記三層構造体が複数形成されており、
上記複数の三層構造体は、上記超格子層(7,7’,7’’)と上記AlcGa1-cN層(8,8’)との格子定数の違いに起因する応力によって、上記基板(1)と上記初期成長層(2)との界面に発生して上方に向かって伸びる転位を低減して、上記窒化物半導体(9〜12)の結晶性を改善する結晶性改善層を構成している
ことを特徴としている。
上記三層構造体を構成する上記AlcGa1-cN層(8,8’)におけるAl組成cは、
上記超格子層(7,7’,7’’)における上記AlaGa1-aNの膜厚がd1であり上記AlbGa1-bNの膜厚がd2である場合に、
c<(d1*a+d2*b)/(d1+d2)
なる関係を有している。
上記三層構造体を構成する上記AlcGa1-cN層(8,8’)の膜厚は、10nm以上且つ300nm以下である。
2…AlN層、
3…Al0.7Ga0.3N、
4…Al0.4Ga0.6N、
5…Al0.1Ga0.9N、
6…組成傾斜バッファ層、
7,7’,7’’…超格子層、
8,8’…Al0.1Ga0.9N層(AlcGa1-cN層)、
9…GaNチャネル層、
10…AlN中間層、
11…AlGaN障壁層、
12…GaNキャップ層。
Claims (2)
- 基板と、
上記基板上に形成された初期成長層と、
上記初期成長層上に形成されると共に、Al組成が上方に向かって連続的あるいは段階的に減少するAl組成傾斜層と、
上記Al組成傾斜層上に形成されると共に、組成がAlaGa1-aN(0<a≦0.3)である低Al含有層と組成がAlbGa1-bN(0.5≦b≦1.0)である高Al含有層とが交互に積層された超格子層で、AlcGa1-cN層(0<c<1)を挟んでなる三層構造体と、
上記三層構造体を構成する上記超格子層上に形成された窒化物半導体と
を備え、
上記Al組成傾斜層と上記窒化物半導体との間には、上記三層構造体が複数形成されており、
上記複数の三層構造体は、上記超格子層と上記AlcGa1-cN層との格子定数の違いに起因する応力によって、上記基板と上記初期成長層との界面に発生して上方に向かって伸びる転位を低減して、上記窒化物半導体の結晶性を改善する結晶性改善層を構成しており、
上記三層構造体を構成する上記Al c Ga 1-c N層におけるAl組成cは、
上記超格子層における上記Al a Ga 1-a Nの膜厚がd1であり、上記Al b Ga 1-b Nの膜厚がd2である場合に、
0<c<(d1*a+d2*b)/(d1+d2)
なる関係を有している
ことを特徴とする窒化物半導体エピタキシャルウェハ。 - 請求項1に記載の窒化物半導体エピタキシャルウェハにおいて、
上記三層構造体を構成する上記AlcGa1-cN層の膜厚は、10nm以上且つ300nm以下である
ことを特徴とする窒化物半導体エピタキシャルウェハ。
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JP2013102280A JP6126906B2 (ja) | 2013-05-14 | 2013-05-14 | 窒化物半導体エピタキシャルウェハ |
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JP2013102280A JP6126906B2 (ja) | 2013-05-14 | 2013-05-14 | 窒化物半導体エピタキシャルウェハ |
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JP2014222730A JP2014222730A (ja) | 2014-11-27 |
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