JP6123617B2 - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法について、炭化珪素を半導体材料として用いたnチャネル型MOSFETを製造する場合を例に説明する。図1〜6は、実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。まず、例えば単結晶からなるn型炭化珪素ウエハ1の上に、所定のデバイス構造を形成する。具体的には、薬液洗浄や犠牲酸化などの方法で予め清浄化されたn型炭化珪素ウエハ1を用意する。次に、n型炭化珪素ウエハ1のおもて面上に、例えばエピタキシャル成長によりn-型ドリフト層2を成長させる。次に、例えばイオン注入により、n-型ドリフト層2の、n型炭化珪素ウエハ1側に対して反対側の表面層にp型ウェル層3を選択的に形成する。
2 n-型ドリフト層
3 p型ウェル層
4 n+型高濃度領域
5 ゲート絶縁膜
6 ゲート電極
7 層間絶縁膜
8 第1コンタクトホール
9 オーミック電極
10 第2コンタクトホール
11 Al−Si層
12 Siノジュール
13 Al−Si層のパターン開口部
Claims (2)
- 炭化珪素からなる半導体ウエハの表面にデバイス構造を形成する第1形成工程と、
前記半導体ウエハ上に、前記デバイス構造を覆う絶縁膜を形成する第2形成工程と、
前記絶縁膜を選択的に除去し、前記デバイス構造を構成する導電部を露出させる露出工程と、
前記絶縁膜上に、前記導電部に接して、アルミニウムおよびシリコンを含む金属層を形成する第3形成工程と、
第1のウェットエッチングにより、前記金属層を所定のパターンに成形する成形工程と、
前記成形工程によって成形された前記金属層の間に露出された前記絶縁膜の表面層を、第2のウェットエッチングにより所定の厚さ分除去する除去工程と、
を含み、
前記除去工程では、フッ化物を含む薬液を用いて前記第2のウェットエッチングを行うことで、前記絶縁膜の、前記第3形成工程によって前記金属層と前記絶縁膜との界面に析出したシリコンの析出物が付着している部分を除去し、
前記所定の厚さは、前記析出物の粒径に基づいて決定され、かつ300nm以上1μm以下であり、
前記フッ化物を含む薬液は、バッファードフッ酸、フッ酸またはフッ化アンモニウムであることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記第1形成工程では、
前記デバイス構造として、前記半導体ウエハの表面に前記絶縁膜よりも厚さの薄いゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記デバイス構造として、前記半導体ウエハの表面に、前記ゲート電極と電気的に絶縁された入力電極を形成する工程と、を含み、
前記露出工程では、前記導電部として前記ゲート電極および前記入力電極を露出させることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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