JP6395299B2 - 炭化珪素半導体素子及び炭化珪素半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態にかかる炭化珪素半導体素子の一例を示す断面図である。図1に示すように、炭化珪素半導体素子は、n-炭化珪素基板1を用いて作製されている。n-炭化珪素基板1は、炭化珪素の四層周期六方晶(4H−SiC)からなるn-炭化珪素単結晶半導体基板のおもて面側に、例えばn-炭化珪素エピタキシャル層を有していてもよい。
まず、n-炭化珪素基板1を用意する。n-炭化珪素基板1は、例えば炭化珪素の四層周期六方晶(4H−SiC)からなるn-炭化珪素単結晶半導体基板のおもて面にn-炭化珪素エピタキシャル層が積層されたものである。
層間絶縁膜7の開口部に露出するn-炭化珪素基板1の表面の酸化膜を除去する際、酸化膜の除去時間、すなわち希弗酸液への浸漬時間によって、ニッケルを用いたオーミック電極の状態が異なる。図2〜図4は、本発明の実施の形態にかかる炭化珪素半導体素子のオーミック電極/炭化珪素半導体界面の様子を示すSEM(Scanning Electron Microscope、走査型電子顕微鏡)画像を模式図にしたものである。
図5は、本発明の実施の形態にかかる炭化珪素半導体素子の特性を示す図表である。図5の図表には、室温の0.5wt%弗酸への浸漬時間(単位:秒)を変化させた場合の、n-炭化珪素基板1の表面の酸化膜の厚さ(単位:nm)、及びオーミックコンタクト電極部8の表面凹凸の高低差(単位:nm)の評価結果が示されている。また、図5の図表には、室温の0.5wt%弗酸への浸漬時間(単位:秒)を変化させた場合の、p型の炭化珪素半導体に対するオーミックコンタクト電極部8の接触抵抗率(単位:10-3Ωcm2)、及びテープ剥離試験によるオーミックコンタクト電極部8の密着性の評価結果が示されている。
上述した炭化珪素半導体素子の製造手順に従い、以下のようにして二重注入型MOSFETを作製した。まず、n型不純物のドーピング濃度が2×1015/cm3である高抵抗層を15μmの厚さでエピタキシャル成長したn-炭化珪素基板1を用意した。次いで、厚さ1.5μmのシリコン酸化膜からなるイオン注入用マスクを形成し、500℃の温度でアルミニウムイオンを注入することによって、pウェル領域2となるイオン注入領域を設けた。pウェル領域2を形成するためのドーピング濃度を1×1016/cm3とし、注入深さを1μmとした。
比較例として、実施例と同様の手順によって、酸化膜を除去するための弗酸への浸漬時間が45秒であるMOSFET素子、及び60秒であるMOSFET素子を作製した。TLMパターン領域のニッケル膜の表面段差を触針式粗さ計(デクタック3030)で測定したところ、最も高低差のある部位の値が、浸漬時間45秒の試料及び60秒の試料で、触針式粗さ計の測定ばらつきと同程度であった。従って、表面段差の最も高低差のある部位の値は20nmよりも小さいと判定した。
実施例のMOSFET素子の方が比較例のMOSFET素子よりも、接触抵抗(平均値)及び接触抵抗分布のいずれも小さくなることを確認することができた。
図6は、本発明の実施の形態にかかる炭化珪素半導体素子の製造方法の一例を示す工程図である。図6に示すように、炭化珪素半導体素子の製造方法は、表面の高低差が10nm未満の炭化珪素半導体の表面にニッケル膜を設ける工程(ステップS1)を含む。ステップS1に続いて、炭化珪素半導体とニッケル膜との界面に酸素が存在する状態でアニール処理を行って、炭化珪素半導体の表面にシリサイドを設ける工程(ステップS2)を含む。
図7は、本発明の実施の形態にかかる炭化珪素半導体素子の製造方法の別の例を示す工程図である。図7に示すように、炭化珪素半導体素子の製造方法は、炭化珪素半導体の表面の酸化膜の一部を除去する工程(ステップS11)を含む。ステップS11に続いて、表面の高低差が10nm未満の炭化珪素半導体の表面にニッケル膜を設ける工程(ステップS12)を含む。ステップS12に続いて、炭化珪素半導体とニッケル膜との界面に酸素が存在する状態でアニール処理を行って、炭化珪素半導体の表面にシリサイドを設ける工程(ステップS13)を含む。
8 オーミックコンタクト電極部
21 炭素層
Claims (4)
- 炭化珪素半導体の表面にニッケルシリサイド膜でできた電極を有し、
前記ニッケルシリサイド膜の表面凹凸が20nm以上150nm以下の高低差を有し、
前記炭化珪素半導体と前記ニッケルシリサイド膜との境界線が不連続な点を有することを特徴とする炭化珪素半導体素子。 - 前記電極には、ニッケルシリサイドと、前記ニッケルシリサイドよりも炭素濃度の高い部位とが混在していることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体素子。
- 炭化珪素半導体の表面に酸化膜を形成後、前記炭化珪素半導体を0.5wt%の希弗酸液に30秒以下の時間浸漬し、前記酸化膜の一部を除去する第1の工程と、
表面の高低差が10nm未満の前記炭化珪素半導体の表面にニッケル膜を設ける第2の工程と、
前記炭化珪素半導体と前記ニッケル膜との界面に酸素が存在する状態でアニール処理を行って、前記炭化珪素半導体の表面にシリサイドを設ける第3の工程と、を含むことを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法。 - 前記炭化珪素半導体と前記ニッケル膜との界面に存在する酸素が、プロセス中に生じる酸化膜であることを特徴とする請求項3に記載の炭化珪素半導体素子の製造方法。
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